JP5458516B2 - Anthracene compound, charge transport material for wet film formation, charge transport material composition for wet film formation, organic electroluminescence device, and organic EL display - Google Patents
Anthracene compound, charge transport material for wet film formation, charge transport material composition for wet film formation, organic electroluminescence device, and organic EL display Download PDFInfo
- Publication number
- JP5458516B2 JP5458516B2 JP2008168957A JP2008168957A JP5458516B2 JP 5458516 B2 JP5458516 B2 JP 5458516B2 JP 2008168957 A JP2008168957 A JP 2008168957A JP 2008168957 A JP2008168957 A JP 2008168957A JP 5458516 B2 JP5458516 B2 JP 5458516B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- compound
- reaction
- wet film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- -1 Anthracene compound Chemical class 0.000 title claims description 160
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 139
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 108
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 79
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 42
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 114
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 105
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 99
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 47
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 29
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 28
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 19
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 13
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 10
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 295
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 244
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 215
- 239000010408 film Substances 0.000 description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 description 85
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 80
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 239000000047 product Substances 0.000 description 59
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 54
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 54
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 46
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 37
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 30
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 22
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 16
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 15
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 15
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 13
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 12
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 12
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 12
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 12
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 11
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 11
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 10
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 10
- 238000003541 multi-stage reaction Methods 0.000 description 10
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 9
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 8
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 8
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 125000005620 boronic acid group Chemical group 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 7
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011968 lewis acid catalyst Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 6
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- TXVHTIQJNYSSKO-UHFFFAOYSA-N benzo[e]pyrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC4=CC=C1C2=C34 TXVHTIQJNYSSKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000005578 chrysene group Chemical group 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 5
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 5
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 125000005579 tetracene group Chemical group 0.000 description 5
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 5
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 5
- YGVDBZMVEURVOW-UHFFFAOYSA-N (10-naphthalen-2-ylanthracen-9-yl)boronic acid Chemical compound C12=CC=CC=C2C(B(O)O)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 YGVDBZMVEURVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LNAMMBFJMYMQTO-FNEBRGMMSA-N chloroform;(1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].ClC(Cl)Cl.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 LNAMMBFJMYMQTO-FNEBRGMMSA-N 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L cyclopenta-1,4-dien-1-yl(diphenyl)phosphane;dichloropalladium;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].Cl[Pd]Cl.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PKJBWOWQJHHAHG-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-phenylbenzene Chemical group C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC=CC=C1 PKJBWOWQJHHAHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 3
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 3
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 3
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 3
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012336 iodinating agent Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 3
- KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N succinimide Chemical class O=C1CCC(=O)N1 KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910000404 tripotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019798 tripotassium phosphate Nutrition 0.000 description 3
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 description 2
- YWDUZLFWHVQCHY-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tribromobenzene Chemical compound BrC1=CC(Br)=CC(Br)=C1 YWDUZLFWHVQCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DPZNOMCNRMUKPS-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1 DPZNOMCNRMUKPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(diphenylphosphino)propane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOYZXEVUWXQVNV-UHFFFAOYSA-N 4-phenoxyaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 WOYZXEVUWXQVNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQZMLBORDGWNPD-UHFFFAOYSA-N N-iodosuccinimide Chemical compound IN1C(=O)CCC1=O LQZMLBORDGWNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005427 anthranyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N bis(pinacolato)diboron Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N butyl benzoate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N flavonol Natural products O1C2=CC=CC=C2C(=O)C(O)=C1C1=CC=CC=C1 HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 2
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 125000006836 terphenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N veratrole Chemical compound COC1=CC=CC=C1OC ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- OVPWEQROJNJHAG-UHFFFAOYSA-N (1-naphthalen-1-ylnaphthalen-2-yl)-diphenylphosphane Chemical group C1=CC=CC=C1P(C=1C(=C2C=CC=CC2=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 OVPWEQROJNJHAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSJXIUAHEKJCMH-PHDIDXHHSA-N (1r,2r)-cyclohexane-1,2-diamine Chemical compound N[C@@H]1CCCC[C@H]1N SSJXIUAHEKJCMH-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 1
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSNIZNHTOVFARY-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzothiazole Chemical group C1=CC=C2C=NSC2=C1 CSNIZNHTOVFARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoxazole Chemical group C1=CC=C2C=NOC2=C1 KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKEWBOPVULFSFJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroperimidin-2-one Chemical class C1=CC(NC(O)=N2)=C3C2=CC=CC3=C1 NKEWBOPVULFSFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJAAWBHHXIWAHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(2-phenylethenyl)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 IJAAWBHHXIWAHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-3-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1 OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2,3-dimethylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1C BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRHPOFJADXHYBR-UHFFFAOYSA-N 1-n,2-n-dimethylcyclohexane-1,2-diamine Chemical compound CNC1CCCCC1NC JRHPOFJADXHYBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005978 1-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-10-one Chemical compound C1=CNC2=C3C(=O)C=CC=C3C=CC2=C1 ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVRPFRMDMNDIDH-UHFFFAOYSA-N 1h-quinazolin-2-one Chemical group C1=CC=CC2=NC(O)=NC=C21 AVRPFRMDMNDIDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical class C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylanisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1C DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005979 2-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- FWPFFKQILIFMAD-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine;platinum Chemical compound [Pt].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 FWPFFKQILIFMAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLEKYFPINOSNRF-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine;rhenium Chemical compound [Re].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 FLEKYFPINOSNRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYXWDMWSFQYDKQ-UHFFFAOYSA-N 4-diphenylphosphanylbutan-2-yl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)C(C)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 TYXWDMWSFQYDKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYBLVRRCNVHZQJ-UHFFFAOYSA-N 5-Hydroxyflavone Chemical compound C=1C(=O)C=2C(O)=CC=CC=2OC=1C1=CC=CC=C1 IYBLVRRCNVHZQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEDUIFSDODUDRK-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-1h-pyrazole Chemical compound N1N=CC=C1C1=CC=CC=C1 OEDUIFSDODUDRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- BRUOAURMAFDGLP-UHFFFAOYSA-N 9,10-dibromoanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C3)C3=C(Br)C2=C1 BRUOAURMAFDGLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXWWICUNBWGHSB-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-iodoanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C3)C3=C(I)C2=C1 TXWWICUNBWGHSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKIFDWYMWOJKTQ-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 FKIFDWYMWOJKTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- ISZWRZGKEWQACU-UHFFFAOYSA-N Primuletin Natural products OC1=CC=CC(C=2OC3=CC=CC=C3C(=O)C=2)=C1 ISZWRZGKEWQACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPRDEIDCAUHOJU-UHFFFAOYSA-N [Pt].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical compound [Pt].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 NPRDEIDCAUHOJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWZNMFIGGHVLSV-UHFFFAOYSA-N [Ru].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 Chemical compound [Ru].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 BWZNMFIGGHVLSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000738 acetamido group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)N([H])[*] 0.000 description 1
- IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N acetic acid phenyl ester Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1 IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012935 ammoniumperoxodisulfate Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229940054058 antipsychotic thioxanthene derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001502 aryl halides Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000000043 benzamido group Chemical group [H]N([*])C(=O)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000001558 benzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- UDEWPOVQBGFNGE-UHFFFAOYSA-N benzoic acid n-propyl ester Natural products CCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 UDEWPOVQBGFNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001562 benzopyrans Chemical class 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- MUALRAIOVNYAIW-UHFFFAOYSA-N binap Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C(=C2C=CC=CC2=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MUALRAIOVNYAIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 125000000707 boryl group Chemical group B* 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical class O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005251 capillar electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- RFUHYBGHIJSEHB-VGOFMYFVSA-N chembl1241127 Chemical compound C1=C(O)C(/C=N/O)=CC=C1C1=CC(O)=CC(O)=C1 RFUHYBGHIJSEHB-VGOFMYFVSA-N 0.000 description 1
- MTFJSAGADRTKCI-VMPITWQZSA-N chembl77510 Chemical compound O\N=C\C1=CC=CC=N1 MTFJSAGADRTKCI-VMPITWQZSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical compound C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHADSMKORVFYOS-UHFFFAOYSA-N cyclooctanol Chemical compound OC1CCCCCCC1 FHADSMKORVFYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 1
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- WMKGGPCROCCUDY-PHEQNACWSA-N dibenzylideneacetone Chemical compound C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WMKGGPCROCCUDY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N dimethylglyoxime Chemical compound O/N=C(/C)\C(\C)=N\O JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- ZTYYDUBWJTUMHW-UHFFFAOYSA-N furo[3,2-b]furan Chemical group O1C=CC2=C1C=CO2 ZTYYDUBWJTUMHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000002523 gelfiltration Methods 0.000 description 1
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000673 graphite furnace atomic absorption spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005241 heteroarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- OLXYLDUSSBULGU-UHFFFAOYSA-N methyl pyridine-4-carboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=NC=C1 OLXYLDUSSBULGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- KVKFRMCSXWQSNT-UHFFFAOYSA-N n,n'-dimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CNCCNC KVKFRMCSXWQSNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- KPTRDYONBVUWPD-UHFFFAOYSA-N naphthalen-2-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(B(O)O)=CC=C21 KPTRDYONBVUWPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- UPIUNSCEIALIPL-UHFFFAOYSA-N osmium 2-phenylpyridine Chemical compound [Os].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UPIUNSCEIALIPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000005327 perimidinyl group Chemical group N1C(=NC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- 125000005385 peroxodisulfate group Chemical group 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYUMLJSJISTVPV-UHFFFAOYSA-N phenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC1=CC=CC=C1 DYUMLJSJISTVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049953 phenylacetate Drugs 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N phenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005554 pyridyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- MHOZZUICEDXVGD-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[2,3-d]imidazole Chemical group C1=NC2=CC=NC2=N1 MHOZZUICEDXVGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical group C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZTPJDLYPMPRDF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-c]pyrazole Chemical group N1=NC2=CC=NC2=C1 GZTPJDLYPMPRDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONCNIMLKGZSAJT-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]furan Chemical group S1C=CC2=C1C=CO2 ONCNIMLKGZSAJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical group S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005297 thienyloxy group Chemical group S1C(=CC=C1)O* 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002088 tosyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- OPSWAWSNPREEFQ-UHFFFAOYSA-K triphenoxyalumane Chemical compound [Al+3].[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1 OPSWAWSNPREEFQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTEHWCSSIHAVOQ-UHFFFAOYSA-N tripropyl borate Chemical compound CCCOB(OCCC)OCCC LTEHWCSSIHAVOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N tris(pentafluorophenyl)borane Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1B(C=1C(=C(F)C(F)=C(F)C=1F)F)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本発明はアントラセン化合物、湿式成膜用電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子に関するものであり、詳しくは溶剤に対する溶解性が優れており、成膜性、湿式プロセス適性に優れたアントラセン化合物、及び、それを用いた有機電界発光素子用組成物、さらには、それを用いた高効率、長寿命な有機電界発光素子、また該有機電界発光素子を有する有機ELディスプレイに関するものである。 The present invention relates to an anthracene compound, a charge transport material for wet film formation, a composition for an organic electroluminescent element, and an organic electroluminescent element. Specifically, the solubility in a solvent is excellent, and the film formability and wet process suitability are improved. An excellent anthracene compound, a composition for an organic electroluminescence device using the same, a high-efficiency, long-life organic electroluminescence device using the same, and an organic EL display having the organic electroluminescence device It is.
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、この各層に適した赤、緑、青などの発光素子の開発が進んでいる。しかしながら、中でも青色の発光素子は、効率、寿命、耐熱性の観点で満足できるものではなく、フルカラーディスプレイ用途への適用は限定的であるという課題があった。 In recent years, as a thin film type electroluminescent element, an organic electroluminescent element using an organic thin film has been developed instead of using an inorganic material. The organic electroluminescent device usually has a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, etc. between the anode and the cathode, and suitable for each layer such as red, green, blue, etc. Development of light emitting devices is progressing. However, blue light-emitting elements are not satisfactory in terms of efficiency, life, and heat resistance, and there is a problem that application to full-color displays is limited.
また、有機電界発光素子の各層の形成方法としては、蒸着成膜法や湿式成膜法がある。蒸着成膜法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。 In addition, as a method for forming each layer of the organic electroluminescent element, there are a vapor deposition method and a wet film formation method. The vapor deposition method has a problem in terms of yield when manufacturing a medium or large full color panel for a television or a monitor. Therefore, the wet film-forming method is suitable for these large area applications.
しかしながら、湿式成膜法で有機電界発光素子の各層を形成するためには、各層を形成する材料が溶媒に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子として高い性能を有することが望まれていた。しかし、従来開発されている蒸着成膜法に使用されてきた材料であっても、湿式成膜法には適さないものが多かった。 However, in order to form each layer of the organic electroluminescent element by the wet film forming method, it has been desired that the material for forming each layer is dissolved in a solvent and has high performance as an element even after the wet film formation. However, many materials that have been used in the conventionally developed vapor deposition method have not been suitable for the wet film formation method.
例えば、特許文献1では、下記式で示される材料を用いて、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。
また、特許文献2には、下記式で示される材料を用い、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。
しかしながら、これらの材料は、溶剤に対する溶解性や耐熱性といった湿式成膜のプロセス上の要求物性を満足していない上、ホストの正孔注入・輸送性が乏しいため、湿式成膜用途に実用的ではなかった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。即ち、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に有用な化合物であって、溶解性に優れ、湿式成膜法で形成しても、高効率、長寿命な有機電界発光素子を提供できる化合物を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems. That is, it is a compound useful for an organic layer formed by a wet film-forming method of an organic electroluminescent element, has excellent solubility, and has a high efficiency and a long life even when formed by a wet film-forming method. It is providing the compound which can provide.
本発明者らが鋭意検討した結果、下記式(I)で表わされる化合物を用いることにより上記課題が解決できることがわかり、本発明に到達した。 As a result of intensive studies by the present inventors, it has been found that the above problem can be solved by using a compound represented by the following formula (I), and the present invention has been achieved.
すなわち、本発明の要旨は、下記式(I)で表わされることを特徴とするアントラセン化合物に存する(請求項1)。
また、分子内のアミノ基が、−G1N(Ar3)(Ar4)のみであることが好ましい(請求項2)。 Also, amino groups in the molecule, -G 1 N (Ar 3) is preferably (Ar 4) only (claim 2).
本発明の別の要旨は、上記のアントラセン化合物からなることを特徴とする、湿式成膜用電荷輸送材料に存する(請求項3)。 Another subject matter of the present invention lies in a charge transport material for wet film formation, characterized by comprising the above-mentioned anthracene compound (claim 3 ).
このとき、ガラス転移点が120℃以上であり、且つ、トルエンに対する溶解度が5重量%以上であることが好ましい(請求項4)。 At this time, the glass transition point is preferably 120 ° C. or higher, and the solubility in toluene is preferably 5% by weight or higher (claim 4 ).
本発明の別の要旨は、上記のアントラセン化合物を含有することを特徴とする、湿式成膜用電荷輸送材料組成物に存する(請求項5)。 Another subject matter of the present invention lies in a charge transport material composition for wet film formation, which contains the anthracene compound described above (claim 5 ).
このとき、湿式成膜用電荷輸送材料組成物が、発光材料を1重量部以上50重量部以下含有することが好ましい(請求項6)。 At this time, a wet film forming charge transporting material composition preferably contains less than 50 parts by weight or more and 1 part by weight of the luminescent material (claim 6).
このとき、湿式成膜用電荷輸送材料組成物が、溶剤を含有することが好ましい(請求項7)。 At this time, a wet film forming charge transporting material composition preferably contains a solvent (claim 7).
本発明の別の要旨は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子であって、上記の湿式成膜用電荷輸送材料を含有する層を有することを特徴とする、有機電界発光素子に存する(請求項8)。 Another gist of the present invention is an organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic light emitting layer provided between the two electrodes, and has a layer containing the charge transport material for wet film formation. It is an organic electroluminescent device characterized in that (claim 8 ).
本発明の別の要旨は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子であって、上記の湿式成膜用電荷輸送材料組成物を含有する層を有することを特徴とする、有機電界発光素子に存する(請求項9)。 Another gist of the present invention is an organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic light emitting layer provided between the two electrodes, and has a layer containing the above-described charge transport material composition for wet film formation. It exists in the organic electroluminescent element characterized by the above-mentioned (Claim 9 ).
本発明の別の要旨は、上記の有機電界発光素子を有することを特徴とする、有機ELディスプレイに存する(請求項10)。 Another subject matter of the present invention lies in an organic EL display comprising the organic electroluminescent device described above (claim 10 ).
本発明によれば、新規の化合物を提供できる。該化合物は、溶剤に対する溶解性が高く、また、湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に好適である。該化合物を用いて製造された湿式成膜法で形成された有機層を用いると、有機電界発光素子は高効率、長寿命な有機電界発光素子が得られる。 According to the present invention, a novel compound can be provided. The compound has high solubility in a solvent and is suitable for an organic layer of an organic electroluminescent element formed by a wet film forming method. When an organic layer formed by a wet film-forming method manufactured using the compound is used, an organic electroluminescent element having a high efficiency and a long lifetime can be obtained.
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更して実施することができる。 Hereinafter, the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following description, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
本発明は、下記式(I)で表わされるアントラセン化合物、該アントラセン化合物を用いた湿式成膜用電荷輸送材料及び湿式成膜用電荷輸送材料組成物、並びに、それらを含有する有機電界発光素子に関する。
以下、上記の順に説明する。
The present invention relates to an anthracene compound represented by the following formula (I), a charge transport material for wet film formation and a charge transport material composition for wet film formation using the anthracene compound, and an organic electroluminescent device containing them. .
Hereinafter, the description will be made in the order described above.
[1.アントラセン化合物]
<1−1.アントラセン化合物の構造>
本発明のアントラセン化合物は、下記式(I)で表わされる構造を有していれば、他に制限はない。以下、その構造について説明する。
<1-1. Structure of anthracene compound>
The anthracene compound of the present invention is not limited as long as it has a structure represented by the following formula (I). The structure will be described below.
(Ar1〜Ar4について)
式(I)中、Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。
(About Ar 1 to Ar 4 )
In formula (I), Ar 1 to Ar 4 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent.
芳香族炭化水素基とは、芳香性を有する環状の炭化水素基である。ひとつの環を構成する骨格元素の数は、通常6以上、好ましくは10以上、さらに好ましくは12以上、また、通常36以下、好ましくは30以下、さらに好ましくは24以下である。また、通常2つ以上また通常5つ以下の環が縮合した環(例えば、ナフタレン環等。)であってもよい。これらの芳香族炭化水素基の中でも、6員環の単環又は2〜5縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。
例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group is a cyclic hydrocarbon group having aromaticity. The number of skeleton elements constituting one ring is usually 6 or more, preferably 10 or more, more preferably 12 or more, and usually 36 or less, preferably 30 or less, more preferably 24 or less. Moreover, the ring (For example, naphthalene ring etc.) which 2 or more normally and 5 or less rings were condensed may be sufficient. Among these aromatic hydrocarbon groups, an aromatic hydrocarbon group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring is preferable.
Examples thereof include groups derived from a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, and the like.
また、上述の単環又は2〜5縮合環が複数個連結されて形成された基も好ましい。例えば、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。 In addition, a group formed by connecting a plurality of the above-described single rings or 2 to 5 condensed rings is also preferable. For example, a biphenyl group, a terphenyl group, etc. are mentioned.
Ar1として好ましくは、フェニル基、1−ナフチル基、または2−ナフチル基である。これらはさらに、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、10−アリール−9−アントリル基、1−ピレニル基、p−ビフェニル基、m−ビフェニル基、o−ビフェニル基などの炭素数6以上26以下の芳香族炭化水素基を、置換基として有していてもよい。 Ar 1 is preferably a phenyl group, a 1-naphthyl group, or a 2-naphthyl group. These further have 6 carbon atoms such as phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 10-aryl-9-anthryl group, 1-pyrenyl group, p-biphenyl group, m-biphenyl group, o-biphenyl group and the like. It may have an aromatic hydrocarbon group of 26 or less as a substituent.
Ar2として好ましくは、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、10−アリール−9−アントリル基、または1−ピレニル基である。これらはさらに、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、p−ビフェニル基、m−ビフェニル基、o−ビフェニル基などの炭素数6以上16以下の芳香族炭化水素基を、置換基として有していてもよい。 Ar 2 is preferably a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 10-aryl-9-anthryl group, or a 1-pyrenyl group. These are further substituted with aromatic hydrocarbon groups having 6 to 16 carbon atoms, such as phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, p-biphenyl group, m-biphenyl group, o-biphenyl group and the like. You may have.
Ar3およびAr4として好ましくは、それぞれ独立に、フェニル基、1−ナフチル基、または2−ナフチル基である。これらはさらに、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基、1−ピレニル基、p−ビフェニル基、m−ビフェニル基などの炭素数6以上16以下の芳香族炭化水素基を、置換基として有していてもよい。 Ar 3 and Ar 4 are preferably each independently a phenyl group, a 1-naphthyl group, or a 2-naphthyl group. These further include an aromatic hydrocarbon group having 6 to 16 carbon atoms, such as a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 9-phenanthryl group, a 1-pyrenyl group, a p-biphenyl group, and an m-biphenyl group. As a substituent.
芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、例えば、下記置換基群Qに記載の置換基が挙げられる。これらの置換基は、芳香族炭化水素基1つあたり、1種の置換基が単独で置換していてもよいし、2種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。 Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group may have include the substituents described in the following substituent group Q. As for these substituents, one type of substituent may be substituted independently per aromatic hydrocarbon group, or two or more types of substituents may be substituted in any combination and ratio. .
<置換基群Q>
置換基群Qとしては、
置換基を有してもよいアルキル基(好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1以上8以下の直鎖または分岐のアルキル基であって、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、2−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいアルケニル基(好ましくは置換基を有していてもよい炭素数2以上8以下のアルケニル基であって、例えば、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいアルキニル基(好ましくは置換基を有していてもよい炭素数2以上8以下のアルキニル基であって、例えば、エチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいアラルキル基(好ましくは置換基を有していてもよい炭素数7以上15以下のアラルキル基であって、例えば、ベンジル基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいアミノ基(好ましくは、置換基に炭素数1以上8以下のアルキル基を1つ以上有し、さらに別の置換基を有していてもよいアミノ基であって、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいアリールアミノ基(例えば、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいヘテロアリールアミノ基(例えば、ピリジルアミノ基、チエニルアミノ基、ジチエニルアミノ基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいアシルアミノ基(例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。);
置換基を有していてもよいアルコキシ基(好ましくは、置換基を有してもよい炭素数1以上8以下のアルコキシ基であって、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいアリールオキシ基(好ましくは、芳香族炭化水素基や複素環基を有するアリールオキシ基であって、例えば、フェニルオキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、ピリジルオキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられる。);
置換基を有していてもよいアシル基(好ましくは、置換基を有してもよい炭素数1以上8以下のアシル基であって、例えば、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基(好ましくは、置換基を有してもよい炭素数2以上13以下のアルコキシカルボニル基であって、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。);
置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基(好ましくは、置換基を有してもよい炭素数2以上13以下のアリールオキシカルボニル基であり、アセトキシ基などが挙げられる。);
置換基を有していてもよいシクロアルキル基(好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数5以上20以下のシクロアルキル基であって、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。);
カルボキシ基;
シアノ基;
水酸基;
チオール基;
置換基を有していてもよいアルキルチオ基(好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数1以上8以下までのアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げられる。);
置換基を有していてもよいアリールチオ基(好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数1以上8以下までのアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基等が挙げられる。);
置換基を有していてもよいスルホニル基(例えば、メシル基、トシル基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいシリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいボリル基(例えば、ジメシチルボリル基等が挙げられる。);
置換基を有してもよいホスフィノ基(例えば、ジフェニルホスフィノ基等が挙げられる。);
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基(例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が挙げられる。);
置換基を有していてもよい芳香族複素環基(例えば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等が由来の芳香族炭化水素基が挙げられる。);等が挙げられる。
<Substituent group Q>
As the substituent group Q,
An alkyl group which may have a substituent (preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, such as a methyl group, an ethyl group, n- Propyl group, 2-propyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group and the like));
An alkenyl group that may have a substituent (preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms that may have a substituent, such as a vinyl group, an allyl group, and a 1-butenyl group). ;);
An alkynyl group which may have a substituent (preferably an alkynyl group having 2 to 8 carbon atoms which may have a substituent, such as an ethynyl group and a propargyl group);
An aralkyl group which may have a substituent (preferably an aralkyl group having 7 to 15 carbon atoms which may have a substituent, such as a benzyl group);
An amino group which may have a substituent (preferably an amino group which has one or more alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms and may have another substituent; For example, a methylamino group, a dimethylamino group, a diethylamino group, a dibenzylamino group, etc.);
An arylamino group which may have a substituent (for example, a phenylamino group, a diphenylamino group, a ditolylamino group, etc.);
A heteroarylamino group which may have a substituent (for example, pyridylamino group, thienylamino group, dithienylamino group and the like);
An acylamino group which may have a substituent (for example, acetylamino group, benzoylamino group and the like);
An alkoxy group which may have a substituent (preferably an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group and a butoxy group. .);
An aryloxy group which may have a substituent (preferably an aryloxy group having an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group, for example, a phenyloxy group, a 1-naphthyloxy group, a 2-naphthyloxy group , Pyridyloxy group, thienyloxy group, etc.);
An acyl group which may have a substituent (preferably an acyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, and examples thereof include a formyl group, an acetyl group and a benzoyl group. .);
An alkoxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 13 carbon atoms which may have a substituent, and examples thereof include a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group. .);
An aryloxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an aryloxycarbonyl group having 2 to 13 carbon atoms which may have a substituent, such as an acetoxy group);
A cycloalkyl group which may have a substituent (preferably a cycloalkyl group having 5 to 20 carbon atoms which may have a substituent, and examples thereof include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. .);
A carboxy group;
A cyano group;
Hydroxyl group;
A thiol group;
An alkylthio group which may have a substituent (preferably an alkylthio group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, such as a methylthio group and an ethylthio group). ;
An arylthio group which may have a substituent (preferably an arylthio group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, such as a phenylthio group and a 1-naphthylthio group. .);
A sulfonyl group which may have a substituent (for example, mesyl group, tosyl group and the like);
A silyl group which may have a substituent (for example, a trimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, etc.);
An optionally substituted boryl group (for example, a dimesitylboryl group);
A phosphino group which may have a substituent (for example, a diphenylphosphino group and the like);
An aromatic hydrocarbon group which may have a substituent (for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, etc. A group derived from);
An aromatic heterocyclic group which may have a substituent (for example, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring And an aromatic hydrocarbon group derived from a pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring and the like. Raised It is.
なお、上記の置換基群Qが有していてもよい置換基としては、アルキル基、ジアリールアミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基等が挙げられる。具体例としては、上記置換基群Qに挙げたものと同様である。 In addition, as a substituent which said substituent group Q may have, an alkyl group, a diarylamino group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, etc. are mentioned. Specific examples are the same as those listed in the substituent group Q above.
また、Ar1〜Ar4がそれぞれ有する置換基どうしが結合して、環を形成してもよい。例えば、シクロヘキサン環などの脂肪族環を形成することができる。 Moreover, the substituents each Ar 1 to Ar 4 may combine with each other to form a ring. For example, an aliphatic ring such as a cyclohexane ring can be formed.
ここで、電気的耐久性と電荷輸送性の観点からは、Ar3、Ar4、及び後述するG1の何れか一つは、炭素数10以上の縮合環由来の芳香族炭化水素、若しくはパラ位に置換基を有するベンゼン環由来の基(フェニル基)が好ましい。 Here, from the viewpoint of electrical durability and charge transportability, any one of Ar 3 , Ar 4 , and G 1 described later is an aromatic hydrocarbon derived from a condensed ring having 10 or more carbon atoms, or para A group derived from a benzene ring having a substituent at the position (phenyl group) is preferred.
ただし、本発明のアントラセン化合物は、分子内のアミノ基が、−G1N(Ar3)(Ar4)のみであることが好ましく、Ar1〜Ar4は何れもアミノ基ではないことが好ましく、またアミノ基で置換されていないことが好ましい。電気的還元に対する耐性を損なわないため、あるいは必要以上の正孔輸送性の発現を防ぐためである。 However, in the anthracene compound of the present invention, the amino group in the molecule is preferably only -G 1 N (Ar 3 ) (Ar 4 ), and it is preferable that none of Ar 1 to Ar 4 is an amino group. In addition, it is preferably not substituted with an amino group. This is because it does not impair the resistance to electrical reduction, or prevents the development of more than necessary hole transportability.
(アントラセン環が有する、更なる置換基について)
Ar1が結合するアントラセン環は、更に置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、上記置換基群Qに記載の基が挙げられる。
(For further substituents on the anthracene ring)
The anthracene ring to which Ar 1 is bonded may further have a substituent. Examples of the substituent include the groups described in the above substituent group Q.
置換基群Qの中でも、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましい。特にベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環由来の基、あるいは、これらの基が任意の組合せで複数(通常2以上、また、通常8以下、好ましくは4以下)連結されて形成された置換基が好ましい。 Among the substituent group Q, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent is preferable. In particular, a group derived from a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, or a combination of these groups in any combination (usually) 2 or more, and usually 8 or less, preferably 4 or less) are preferably formed by linking.
Ar1が結合するアントラセン環にさらに置換する基は、1種の置換基が単独で置換していてもよいし、2種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。 In the group further substituted on the anthracene ring to which Ar 1 is bonded, one type of substituent may be substituted alone, or two or more types of substituents may be substituted in any combination and ratio.
上記の置換基の置換位置は、2,3,6,7位が好ましい。分子の平面性を著しく損なうことに伴う、電気的耐久性の低下を避けるためである。 The substitution positions of the above substituents are preferably 2, 3, 6, and 7 positions. This is in order to avoid a decrease in electrical durability that accompanies a significant loss of molecular planarity.
ただし、本発明のアントラセン化合物は、上述の理由と同様にして、分子内のアミノ基が、−G1N(Ar3)(Ar4)のみであることが好ましい。従って、アントラセン環が有する更なる置換基はアミノ基ではないことが好ましい。 However, in the anthracene compound of the present invention, the amino group in the molecule is preferably only -G 1 N (Ar 3 ) (Ar 4 ) for the same reason as described above. Therefore, it is preferable that the further substituent which anthracene ring has is not an amino group.
(G1について)
G1は、直接結合または連結基を表わす。即ち、N原子とベンゼン環が直接結合していてもよいし、連結基を介して結合していてもよい。
(For G 1)
G 1 represents a direct bond or a linking group. That is, the N atom and the benzene ring may be directly bonded, or may be bonded via a linking group.
連結基としては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましく、中でも6員環の単環又は2〜5縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。
例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が挙げられる。
As the linking group, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent is preferable, and among them, an aromatic hydrocarbon group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring is preferable.
Examples thereof include groups derived from a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, and the like.
また、上述の単環又は2〜5縮合環が複数個連結されて形成された2価の基も好ましい。例えば、ビフェニレン基、ターフェニレン基等が挙げられる。 In addition, a divalent group formed by connecting a plurality of the above-described single rings or 2 to 5 condensed rings is also preferable. Examples thereof include a biphenylene group and a terphenylene group.
G1としてより好ましくは、ベンゼン環若しくはナフタレン環由来の基、又はこれらが複数個連結されて形成された基(例えば、ビフェニレン基、ターフェニレン基等)が挙げられる。 G 1 is more preferably a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring, or a group formed by linking a plurality of these groups (for example, a biphenylene group or a terphenylene group).
G1は置換基を有していてもよい。
該置換基としては好ましくは、例えば、アルキル基、芳香族炭化水素基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族複素環基等が挙げられる。
好ましくは、芳香族炭化水素基であり、中でも、ベンゼン環、ナフタレン環、またはこれらが複数個連結されて形成された基(例えば、ビフェニル基、ターフェニル基等)が好ましい。
G 1 may have a substituent.
The substituent is preferably, for example, an alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, an acyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, a halogen atom, an arylamino group. , Alkylamino group, aromatic heterocyclic group and the like.
An aromatic hydrocarbon group is preferable, and among them, a benzene ring, a naphthalene ring, or a group formed by connecting a plurality of these (for example, a biphenyl group, a terphenyl group, or the like) is preferable.
G1の置換基の数は、本発明の効果を著しく損なわない限り制限はないが、通常2以下、好ましくは1、また、置換していなくてもよい。この範囲を上回ると、電荷輸送性が低下する可能性がある。
また、G1には、任意の1種の置換基が単独で置換していてもよいし、2種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
The number of substituents of G 1 is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 2 or less, preferably 1, and may not be substituted. If it exceeds this range, the charge transportability may decrease.
In G 1 , any one type of substituent may be substituted alone, or two or more types of substituents may be substituted in any combination and ratio.
また、上述したように、電気的耐久性と電荷輸送性の観点からは、Ar3、Ar4、及びG1の何れか一つは、炭素数10以上の縮合環由来の芳香族炭化水素、若しくはパラ位に置換基を有するベンゼン環由来の基(フェニル基)が好ましい。 Moreover, as described above, from the viewpoint of electrical durability and charge transportability, any one of Ar 3 , Ar 4 , and G 1 is an aromatic hydrocarbon derived from a condensed ring having 10 or more carbon atoms, Or the group (phenyl group) derived from the benzene ring which has a substituent in para position is preferable.
<1−2.アントラセン化合物の物性等>
(分子量)
本発明のアントラセン化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、好ましくは300以上、更に好ましくは500以上、特に好ましくは600以上、また、好ましくは3000以下、更に好ましくは2000以下、特に好ましくは1500以下である。この範囲を下回ると、湿式成膜時に、結晶化を起こしやすくなったり、加熱処理時、気化してしまったり、耐熱性が低下したりする可能性がある。また、この範囲を上回ると、有機溶剤に対する溶解性が低下したり、不純物の除去が困難になったりする傾向がある。
<1-2. Physical properties of anthracene compounds>
(Molecular weight)
The molecular weight of the anthracene compound of the present invention is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 300 or more, more preferably 500 or more, particularly preferably 600 or more, and preferably 3000 or less, more preferably 2000 or less, particularly preferably 1500 or less. Below this range, crystallization is likely to occur during wet film formation, vaporization may occur during heat treatment, and heat resistance may decrease. On the other hand, if it exceeds this range, the solubility in organic solvents tends to be reduced, and the removal of impurities tends to be difficult.
(結晶化温度)
本発明のアントラセン化合物の結晶化温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、200℃以上が好ましく、250℃以上が更に好ましく、観測されないことが特に好ましい。本発明のアントラセン化合物は、湿式成膜の際、あるいはその後の加熱処理の際に、結晶化を起こさないことが特に好ましいためである。
(Crystallization temperature)
The crystallization temperature of the anthracene compound of the present invention is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but is preferably 200 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher, and particularly preferably not observed. This is because it is particularly preferable that the anthracene compound of the present invention does not cause crystallization during wet film formation or subsequent heat treatment.
(気化温度)
本発明のアントラセン化合物の気化温度は、0.001Pa条件下において、500℃以下が好ましく、450℃以下が更に好ましい。高真空下における昇華精製が可能であると、化合物の高純度化を促進することができるためである。
(Vaporization temperature)
The vaporization temperature of the anthracene compound of the present invention is preferably 500 ° C. or less, more preferably 450 ° C. or less under the condition of 0.001 Pa. This is because sublimation purification under high vacuum can promote high purity of the compound.
(ガラス転移点)
本発明のアントラセン化合物のガラス転移点は、通常120℃以上、好ましくは125℃以上、さらに好ましくは130℃以上、また、通常350℃以下、好ましくは300℃以下、さらに好ましくは250℃以下である。ガラス転移点がこの範囲を下回ると、湿式成膜用電荷輸送材料を用いて作製した薄膜が、加熱処理あるいは通電などによって、結晶化を起こす可能性がある。また、ガラス転移点がこの範囲を上回ると、溶剤に対する溶解性が低下する傾向がある。
(Glass transition point)
The glass transition point of the anthracene compound of the present invention is usually 120 ° C. or higher, preferably 125 ° C. or higher, more preferably 130 ° C. or higher, and usually 350 ° C. or lower, preferably 300 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower. . If the glass transition point is below this range, the thin film produced using the charge transport material for wet film formation may be crystallized by heat treatment or energization. Moreover, when a glass transition point exceeds this range, there exists a tendency for the solubility with respect to a solvent to fall.
ガラス転移点の測定は、示差走査熱量分析法により測定できる。
反応装置としては、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製DSC6220を用いる。サンプル量2〜6mgをアルミ製液体用試料容器に入れ、窒素フロー(50mL/分)雰囲気下、室温〜400℃の間を昇温速度10℃/分で融点以上まで昇温する。なお、融点が検出されない場合には、300℃まで昇温する。
次に、一度昇温したサンプルを、−100℃/分以上の速度で室温以下に急冷してから、再び、昇温速度10℃/分で昇温した際に検出されたガラス転移点を、本発明のガラス転移点と定義する。
The glass transition point can be measured by differential scanning calorimetry.
As a reaction apparatus, DSC6220 manufactured by SII Nanotechnology Inc. is used. A sample amount of 2 to 6 mg is put in an aluminum liquid sample container, and the temperature is raised from the room temperature to 400 ° C. to the melting point or more at a heating rate of 10 ° C./min in a nitrogen flow (50 mL / min) atmosphere. In addition, when melting | fusing point is not detected, it heats up to 300 degreeC.
Next, after the sample that has been heated once is rapidly cooled to room temperature or lower at a rate of −100 ° C./min or higher, the glass transition point detected when the temperature is increased again at a temperature rising rate of 10 ° C./min, It is defined as the glass transition point of the present invention.
(溶媒への溶解度)
本発明のアントラセン化合物をトルエンに溶解する場合、その溶解度は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは6重量%以上、特に好ましくは7重量%以上である。溶解度がこの範囲を下回ると、湿式成膜した際に形成される薄膜の膜質が低下し、不均一になる傾向がある。また、各種溶剤の選定が制限される可能性がある。
(Solubility in solvent)
When the anthracene compound of the present invention is dissolved in toluene, the solubility is preferably 5% by weight or more, more preferably 6% by weight or more, and particularly preferably 7% by weight or more. If the solubility is below this range, the film quality of the thin film formed when wet film formation is reduced tends to be non-uniform. In addition, the selection of various solvents may be limited.
溶解度の測定は、内容量2mL以上10mL以下のガラス製サンプル瓶に、溶質Xg(通常3mg以上10mg以下の範囲)、溶剤(例えばトルエン)Ygを投入し、該サンプル瓶の蓋を閉じた後、撹拌、超音波照射あるいは加熱処理し、極力溶解を促進する。
その後、室温(通常、10℃以上30℃以下)下、10時間以上静置するとき、目視あるいは顕微鏡観察により、析出物、懸濁あるいは層分離が確認されなかった場合、溶解度は(X/(X+Y)×100)%以上であり、析出物が確認された場合、溶解度は(X/(X+Y)×100)%未満であると判定する。
For the measurement of solubility, a glass sample bottle having an internal volume of 2 mL or more and 10 mL or less was charged with solute Xg (usually in a range of 3 mg or more and 10 mg or less) and a solvent (for example, toluene) Yg, and the sample bottle was closed. Stirring, ultrasonic irradiation or heat treatment to promote dissolution as much as possible.
Thereafter, when the precipitate, suspension or layer separation is not confirmed by visual observation or microscopic observation when allowed to stand at room temperature (usually 10 ° C. or more and 30 ° C. or less) for 10 hours or more, the solubility is (X / ( X + Y) × 100)% or more, and when precipitates are confirmed, the solubility is determined to be less than (X / (X + Y) × 100)%.
<1−3.アントラセン化合物の製造方法>
本発明のアントラセン化合物は、公知の合成方法を任意に組み合わせることによって製造することができる。
以下、その一例を説明するが、本発明のアントラセン化合物の製造方法は、以下の例に限定されない。
<1-3. Method for producing anthracene compound>
The anthracene compound of the present invention can be produced by arbitrarily combining known synthesis methods.
Hereinafter, although an example is demonstrated, the manufacturing method of the anthracene compound of this invention is not limited to the following examples.
本発明のアントラセン化合物は、例えば、下記の合成経路によって製造することが好ましい。以下の合成経路に示される化合物の置換基のうち、同様の種類の置換基については、同じ記号で示している(例えば、X1、X2、GA等)。また、式(I)等で説明した置換基と同じ置換基に関しては、式(I)と同じ記号で示している(例えば、Ar1、G1等)。以下、下記の合成経路の各反応について詳説する。
<反応1>
反応1は、化合物aと、中間体A又は中間体Bとを反応させて、化合物bを合成する反応である。
化合物aにおいて、X1〜X3は、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、CF3SO3−基等の脱離基等を表わす。
化合物bにおいて、X1〜X2は、化合物aと同じものである。Ar3〜Ar4は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であり、<1−1.アントラセン化合物の構造>で詳述したAr3〜Ar4と同じものである。
<Reaction 1>
Reaction 1 is a reaction in which compound a is reacted with intermediate A or intermediate B to synthesize compound b.
In the compound a, X 1 to X 3 represent a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine, a leaving group such as a CF 3 SO 3 — group, or the like.
In compound b, X 1 to X 2 are the same as compound a. Ar 3 to Ar 4 are aromatic hydrocarbon groups which may have a substituent, and <1-1. This is the same as Ar 3 to Ar 4 described in detail in Structure of Anthracene Compound>.
(中間体Aと反応させる場合)
以下、化合物aと中間体Aとを反応させて化合物bを得る場合について説明する。なお、中間体Aは、後述する<反応6>によって得られる化合物である。
該反応で得られる化合物bのG1は直接結合である。
中間体Aとの反応には、銅触媒を用いる場合と、パラジウム錯体触媒を用いる場合とがある。以下、それぞれについて説明する。
(When reacting with intermediate A)
Hereinafter, a case where compound a is reacted with intermediate A to obtain compound b will be described. Intermediate A is a compound obtained by <
G 1 of compound b obtained by the reaction is a direct bond.
In the reaction with the intermediate A, there are a case where a copper catalyst is used and a case where a palladium complex catalyst is used. Each will be described below.
・銅触媒を用いる場合
化合物aと中間体Aとを銅触媒を用いて反応させる場合、銅触媒及び塩基性物質の存在下で、化合物aと中間体Aとを反応させることが好ましい。該反応は、不活性ガス雰囲気下でもよいし、溶媒下でもよいし、無溶媒で行なってもよい。また、さらに配位子の存在下で該反応を行なってもよい。
-When using a copper catalyst When making the compound a and the intermediate body A react using a copper catalyst, it is preferable to make the compound a and the intermediate body A react in presence of a copper catalyst and a basic substance. The reaction may be performed in an inert gas atmosphere, in a solvent, or in the absence of a solvent. Further, the reaction may be performed in the presence of a ligand.
中間体Aを用いる量は、化合物aの1当量に対して、通常0.1当量以上、また、通常2当量以下である。 The amount of the intermediate A used is usually 0.1 equivalents or more and usually 2 equivalents or less with respect to 1 equivalent of the compound a.
銅触媒としては、例えば、銅粉末;銅線;CuCl、CuBr、CuI等のハロゲン化銅;CuO、Cu2O等の酸化銅;Cu(CH3COO)、Cu(CH3COO)2等の酢酸銅;等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the copper catalyst include copper powder; copper wire; copper halide such as CuCl, CuBr, and CuI; copper oxide such as CuO and Cu 2 O; Cu (CH 3 COO), Cu (CH 3 COO) 2, and the like. Copper acetate; and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、銅触媒を用いる量は、化合物aの1当量に対して、通常0.01当量以上、また、通常10当量以下である。 Moreover, the quantity using a copper catalyst is 0.01 equivalent or more normally with respect to 1 equivalent of compound a, and is 10 equivalent or less normally.
塩基性物質としては、例えば、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、tert−ブトキシナトリウム等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the basic substance include triethylamine, triethanolamine, potassium carbonate, calcium carbonate, potassium phosphate, cesium carbonate, tert-butoxy sodium and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、塩基性物質を用いる量は、化合物aの1当量に対して、通常1当量以上、また、通常100当量以下である。 The amount of the basic substance used is usually 1 equivalent or more and usually 100 equivalents or less with respect to 1 equivalent of compound a.
不活性ガスとしては、例えば、窒素;He、Ne、Ar等の希ガス類;等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the inert gas include nitrogen; rare gases such as He, Ne, Ar, and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
溶媒としては、例えば、ニトロベンゼン等の芳香族溶媒;テトラグライム、ポリエチレングリコール等のアルコール系溶媒;アセトニトリル、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメトキシエタン等の溶媒が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the solvent include aromatic solvents such as nitrobenzene; alcohol solvents such as tetraglyme and polyethylene glycol; solvents such as acetonitrile, tetrahydrofuran, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and dimethoxyethane. . One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、溶媒を用いる量は、化合物aの1molに対して、通常0.1L(リットル)以上、また、通常100L以下である。 Moreover, the quantity using a solvent is 0.1 L (liter) or more normally with respect to 1 mol of compound a, and is 100 L or less normally.
上記の他に更に配位子の存在下で反応を行なってもよい。配位子としては、例えば、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン、N,N’−ジメチル−1,2−エチレンジアミン、1,2−エチレンジアミン、N,N’−ジメチル−1,2−シクロヘキサンジアミン、サリチルアルドキシム、ジメチルグリオキシム、2−ピリジンアルドキシム、1,10−フェナントロリン等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 In addition to the above, the reaction may be performed in the presence of a ligand. Examples of the ligand include trans-1,2-cyclohexanediamine, N, N′-dimethyl-1,2-ethylenediamine, 1,2-ethylenediamine, N, N′-dimethyl-1,2-cyclohexanediamine, Salicylaldoxime, dimethylglyoxime, 2-pyridinealdoxime, 1,10-phenanthroline and the like can be mentioned. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、配位子を用いる量は、銅触媒1モルに対して、通常1mol以上、また、通常10mol以下である。 Moreover, the quantity which uses a ligand is 1 mol or more normally with respect to 1 mol of copper catalysts, and is 10 mol or less normally.
反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常20℃以上、また、通常300℃以下である。 The reaction is preferably carried out by stirring and mixing. The reaction temperature at this time is usually 20 ° C. or higher and usually 300 ° C. or lower.
また、反応時間は、通常0.5時間以上、また、通常60時間以下である。 The reaction time is usually 0.5 hours or longer and usually 60 hours or shorter.
・パラジウム錯体触媒を用いる場合
化合物aと中間体Aとをパラジウム錯体触媒を用いて反応させる場合、パラジウム錯体触媒、及び、塩基性物質の存在下で、化合物aと中間体Aとを反応させることが好ましい。該反応は、溶媒下で行なうことが好ましい。
When using a palladium complex catalyst When reacting compound a and intermediate A using a palladium complex catalyst, reacting compound a and intermediate A in the presence of a palladium complex catalyst and a basic substance Is preferred. The reaction is preferably performed in a solvent.
中間体Aを用いる量は、銅触媒を用いる方法と同様である。 The amount of the intermediate A used is the same as that using the copper catalyst.
パラジウム錯体触媒としては、0価のパラジウム錯体及び/又はパラジウム塩化物錯体を用いることが好ましい。
0価のパラジウム錯体としては、例えば、Pd2(dba)3(ここで、dbaとは、「ジベンジリデンアセトン」のことである。)、Pd(dba)2、酢酸パラジウム等の2価のパラジウム触媒と、BINAP(IUPAC名:2,2’−ビス(ジフェニルフォスフィノ−1,1’−ビナフチル))、トリ(tert−ブチル)フォスフィン、トリフェニルフォスフィン、1,2−ビス(ジフェニルフォスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)プロパン、1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)ブタン、dppf(IUPAC名:1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン)等のリガンド類とを組み合わせた錯体が挙げられる。
パラジウム塩化物錯体としては、例えば、PdCl2(dppf)2等が挙げられる。
これらのパラジウム錯体触媒は、1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
As the palladium complex catalyst, it is preferable to use a zero-valent palladium complex and / or a palladium chloride complex.
Examples of the zero-valent palladium complex include Pd 2 (dba) 3 (where dba is “dibenzylideneacetone”), Pd (dba) 2 , and divalent palladium such as palladium acetate. Catalyst, BINAP (IUPAC name: 2,2′-bis (diphenylphosphino-1,1′-binaphthyl)), tri (tert-butyl) phosphine, triphenylphosphine, 1,2-bis (diphenylphosphino) ) Ligands such as ethane, 1,3-bis (diphenylphosphino) propane, 1,3-bis (diphenylphosphino) butane, dppf (IUPAC name: 1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene) The complex which combined these is mentioned.
Examples of the palladium chloride complex include PdCl 2 (dppf) 2 and the like.
One of these palladium complex catalysts may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.
また、パラジウム錯体触媒を用いる量は、化合物aの1当量に対して、通常0.001当量以上、また、通常1当量以下である。 Moreover, the quantity which uses a palladium complex catalyst is 0.001 equivalent or more normally with respect to 1 equivalent of compound a, and is 1 equivalent or less normally.
塩基性物質としては、例えば、tert−ブトキシカリウム、tert−ブトキシナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、トリエチルアミン等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the basic substance include tert-butoxy potassium, tert-butoxy sodium, potassium carbonate, cesium carbonate, triethylamine and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、塩基性物質を用いる量は、化合物aの1当量に対して、通常2当量以上、また、通常100当量以下である。 Moreover, the quantity which uses a basic substance is 2 equivalent or more normally with respect to 1 equivalent of compound a, and is 100 equivalent or less normally.
溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、トリエチルアミン、ピリジン等の溶媒が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the solvent include solvents such as tetrahydrofuran, dioxane, dimethoxyethane, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, xylene, toluene, triethylamine, and pyridine. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、溶媒を用いる量は、化合物aの1molに対して、通常0.1L以上、また、通常100L以下である。 Moreover, the quantity using a solvent is 0.1 L or more normally with respect to 1 mol of compound a, and is 100 L or less normally.
反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常20℃以上、また、通常300℃以下である。 The reaction is preferably carried out by stirring and mixing. The reaction temperature at this time is usually 20 ° C. or higher and usually 300 ° C. or lower.
また、反応時間は、通常0.5時間以上、また、通常60時間以下である。 The reaction time is usually 0.5 hours or longer and usually 60 hours or shorter.
(中間体Bと反応させる場合)
以下、化合物aと中間体Bとを反応させて化合物bを得る場合について説明する。なお、中間体Bは、後述する<反応10>によって得られる化合物である。
該反応によって得られる化合物b中のG1は、連結基であり、<1−1.アントラセン化合物の構造>で詳述したG1である。
(When reacting with intermediate B)
Hereinafter, a case where compound a is reacted with intermediate B to obtain compound b will be described. In addition, the intermediate body B is a compound obtained by <
G 1 in the compound b obtained by the reaction is a linking group, and <1-1. G 1 described in detail in Structure of Anthracene Compound>.
化合物aと中間体Bとを用いて反応させる場合、パラジウム触媒及び塩基性物質の存在下で、化合物aと中間体Aとを反応させることが好ましい。該反応は、不活性ガス雰囲気下の溶媒中で行なうことが好ましい。また、さらに配位子の存在下で該反応を行なってもよい。 When the compound a and the intermediate B are reacted, it is preferable to react the compound a and the intermediate A in the presence of a palladium catalyst and a basic substance. The reaction is preferably performed in a solvent under an inert gas atmosphere. Further, the reaction may be performed in the presence of a ligand.
中間体Bを用いる量は、化合物aの1当量に対して、通常0.1当量以上、また、通常2当量以下である。 The amount of intermediate B used is usually 0.1 equivalents or more and usually 2 equivalents or less with respect to 1 equivalent of compound a.
パラジウム触媒としては、例えば、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム等の0価のパラジウム触媒が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the palladium catalyst include zero-valent palladium catalysts such as tetrakis (triphenylphosphine) palladium. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、パラジウム触媒を用いる量は、化合物aの1当量に対して、通常0.0001当量以上、また、通常0.2当量以下である。 The amount of the palladium catalyst used is usually 0.0001 equivalent or more and usually 0.2 equivalent or less with respect to 1 equivalent of the compound a.
塩基性物質としては、例えば、tert−ブトキシナトリウム、tert−ブトキシカリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸三カリウム、トリエチルアミン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化カリウム等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the basic substance include tert-butoxy sodium, tert-butoxy potassium, cesium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, tripotassium phosphate, triethylamine, potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium fluoride and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、塩基性物質を用いる量は、化合物aの1当量に対して、通常2当量以上、また、通常10当量以下である。 The amount of the basic substance used is usually 2 equivalents or more and usually 10 equivalents or less with respect to 1 equivalent of compound a.
溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ノルマルヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジクロロメタン、N,N−ジメチルホルムアミド、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、エチルベンゾエート、酢酸エチル等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the solvent include water, methanol, ethanol, normal hexanol, ethylene glycol, ethylene glycol monoethyl ether, diethyl ether, dimethoxyethane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, benzene, toluene, xylene, chlorobenzene, dichlorobenzene, and dichloromethane. , N, N-dimethylformamide, cyclohexane, cyclohexanone, ethyl benzoate, ethyl acetate and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、溶媒を用いる量は、化合物aの1molに対して、通常0.01L以上、また、通常100L以下である。 Moreover, the quantity using a solvent is 0.01 L or more normally with respect to 1 mol of compound a, and is 100 L or less normally.
不活性ガスとしては、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)で例示した不活性ガスを用いることが出来る。 As the inert gas, the inert gas exemplified in <Reaction 1> (when reacted with intermediate A) can be used.
反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常−40℃以上、また、通常150℃以下である。 The reaction is preferably carried out by stirring and mixing. The reaction temperature at this time is usually −40 ° C. or higher and usually 150 ° C. or lower.
また、反応時間は、通常1時間以上、また、通常60時間以下である。 The reaction time is usually 1 hour or longer and usually 60 hours or shorter.
<反応2>
反応2は、化合物aと、Ar2−X12とを反応させて、化合物cを合成する反応である。
Ar2−X12において、X12は、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基などの脱離基を表わす。また、Ar2は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であり、<1−1.アントラセン化合物の構造>で詳述したAr2である。
化合物cにおいて、X2〜X3は、化合物aと同じものである。Ar2は、Ar2−X12と同じものである。
<
In Ar 2 -X 12 , X 12 represents a leaving group such as a boronic acid residue, a boronic acid ester residue, a tin halide residue, a zinc halide residue, or a magnesium halide residue. Ar 2 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and <1-1. Ar 2 described in detail in Structure of Anthracene Compound>.
In the compound c, X 2 to X 3 are the same as the compound a. Ar 2 is the same as Ar 2 -X 12 .
化合物aと、Ar2−X12との反応は、<反応1>の(中間体Bと反応させる場合)において、中間体Bの代わりにAr2−X12を用いることによって行なうことができる。 The reaction between compound a and Ar 2 -X 12 can be performed by using Ar 2 -X 12 instead of intermediate B in <Reaction 1> (when reacted with intermediate B).
それ以外の条件(例えば、触媒、塩基性物質、溶媒の種類及びそれらを用いる量;反応温度、反応時間等)は、同様である。
この反応の結果、生成物として化合物cを得ることができる。
Other conditions (for example, the type of catalyst, basic substance, solvent and the amount of them used; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same.
As a result of this reaction, compound c can be obtained as a product.
<反応3>
反応3は、化合物bと、Ar2−X12とを反応させて、中間体Cを合成する反応である。
Ar2−X12は、<反応2>で用いたAr2−X12と同じものである。
中間体Cにおいて、Ar2は、Ar2−X12と同じものである。X2、及びAr3〜Ar4は、化合物bと同じものである。
<Reaction 3>
Reaction 3 is a reaction for synthesizing intermediate C by reacting compound b with Ar 2 -X 12 .
Ar 2 -X 12 is the same as Ar 2 -X 12 used in <
In intermediate C, Ar 2 is the same as Ar 2 -X 12 . X 2 and Ar 3 to Ar 4 are the same as the compound b.
化合物bと、Ar2−X12との反応は、<反応1>の(中間体Bと反応させる場合)と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Bの代わりに、Ar2−X12を用いて<反応1>の(中間体Bと反応させる場合)の反応を行なう。
The reaction of compound b and Ar 2 -X 12 can be carried out in the same manner as in <Reaction 1> (when reacted with intermediate B).
Specifically, the reaction of <Reaction 1> (when reacted with Intermediate B) is performed using Ar 2 —X 12 instead of Intermediate B.
それ以外の条件(例えば、触媒、塩基性物質、溶媒の種類及びそれらを用いる量;反応温度、反応時間等)は、同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Cを得ることができる。
Other conditions (for example, the type of catalyst, basic substance, solvent and the amount of them used; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same.
As a result of this reaction, intermediate C can be obtained as a product.
<反応4>
反応4は、化合物cと、中間体A又は中間体Bとを反応させて、中間体Cを合成する反応である。
中間体A及び中間体Bは、<反応1>で用いた中間体A及び中間体Bと同じものである。
中間体Cは、<反応3>で合成された中間体Cと同じものである。
<Reaction 4>
Reaction 4 is a reaction for synthesizing intermediate C by reacting compound c with intermediate A or intermediate B.
Intermediate A and Intermediate B are the same as Intermediate A and Intermediate B used in <Reaction 1>.
Intermediate C is the same as Intermediate C synthesized in <Reaction 3>.
化合物cと、中間体A又は中間体Bとの反応は、<反応1>と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物aの代わりに、化合物cを用いて<反応1>を行なう。また、それに伴い、中間体A、中間体B、溶媒、銅触媒、パラジウム錯体触媒等の用いる量は、化合物cを基準として規定される。
The reaction of compound c and intermediate A or intermediate B can be carried out in the same manner as in <Reaction 1>.
Specifically, <Reaction 1> is performed using compound c instead of compound a. Accordingly, the amounts used of intermediate A, intermediate B, solvent, copper catalyst, palladium complex catalyst and the like are defined based on compound c.
それ以外の条件(例えば、触媒、塩基性物質、溶媒等の種類;反応温度、反応時間等)は、<反応1>と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Cを得ることができる。
Other conditions (for example, types of catalyst, basic substance, solvent, etc .; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same as in <Reaction 1>.
As a result of this reaction, intermediate C can be obtained as a product.
なお<反応1>と同様に、中間体CのG1は、中間体Aを用いて反応を行なった場合には直接結合であり、中間体Bを用いて反応を行なった場合には連結基である。連結基の種類は、<1−1.アントラセン化合物の構造>で詳述したG1と同様である。 As in <Reaction 1>, G 1 of Intermediate C is a direct bond when the reaction is carried out using Intermediate A, and a linking group when the reaction is carried out using Intermediate B. It is. The type of linking group is <1-1. This is the same as G 1 described in detail in Structure of Anthracene Compound>.
<反応5>
反応5は、中間体Cから中間体Dを合成する反応である。
中間体Dにおいて、X13は、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基などの脱離基を表わす。また、Ar2〜Ar4、G1は、中間体Cと同じものである。
反応5として、以下に3種類の反応を説明する。
<
In the intermediate D, X 13 represents a leaving group such as a boronic acid residue, a boronic acid ester residue, a tin halide residue, a zinc halide residue, or a magnesium halide residue. Ar 2 to Ar 4 and G 1 are the same as Intermediate C.
As
(反応5の第1の方法)
中間体Cから、中間体Dを合成する第1の方法について説明する。
まず、中間体Cとリチオ化剤とを、無水条件下、不活性ガス雰囲気下の溶媒存在中で混合し、中間体Cの脱離基X2をLiに変換する。次に、ホウ素化剤、ハロゲン化金属等を作用させて、中間体Dを得る。
(First method of reaction 5)
A first method for synthesizing intermediate D from intermediate C will be described.
First, intermediate C and a lithiating agent are mixed in the presence of a solvent under an inert gas atmosphere under anhydrous conditions to convert the leaving group X 2 of intermediate C into Li. Next, a boronating agent, a metal halide, or the like is allowed to act to obtain intermediate D.
リチオ化剤としては、例えば、n−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム等が好ましい。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 As the lithiating agent, for example, n-butyllithium, tert-butyllithium and the like are preferable. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、リチオ化剤を用いる量は、中間体Cの1当量に対して、通常0.1当量以上、また、通常10当量以下である。 The amount of the lithiating agent used is usually 0.1 equivalents or more and usually 10 equivalents or less with respect to 1 equivalent of Intermediate C.
溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、n−ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the solvent include tetrahydrofuran, diethyl ether, n-hexane, toluene and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、溶媒を用いる量は、中間体Cの1molに対して、通常0.1L以上、また、通常100L以下である。 The amount of the solvent used is usually 0.1 L or more and usually 100 L or less with respect to 1 mol of the intermediate C.
中間体Cの脱離基X2をLiに変換する反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常−90℃以上、また、通常20℃以下である。 The reaction of converting the leaving group X 2 of the intermediate C in Li is preferably performed by stirring and mixing. The reaction temperature at this time is usually −90 ° C. or higher and usually 20 ° C. or lower.
また、反応時間は、通常0.1時間以上、また、通常24時間以下である。
これらの反応によって、中間体Cの脱離基X2がLiに変換される。
The reaction time is usually 0.1 hour or longer and usually 24 hours or shorter.
These reactions, the leaving group X 2 of the intermediate C is converted to Li.
不活性ガスとしては、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)で例示した不活性ガスを用いることが出来る。 As the inert gas, the inert gas exemplified in <Reaction 1> (when reacted with intermediate A) can be used.
次に、脱離基X2がLiに変換された中間体Cに、ホウ素化剤及び/又はハロゲン化金属を作用させて、中間体Dを得る。 Next, a boronating agent and / or a metal halide is allowed to act on the intermediate C in which the leaving group X 2 has been converted to Li to obtain an intermediate D.
ヨウ素化剤としては、例えば、トリメトキシボラン、トリス(i−プロピルオキシ)ボラン、メトキシピナコラートボラン等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the iodinating agent include trimethoxyborane, tris (i-propyloxy) borane, methoxypinacolatoborane, and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、ヨウ素化剤を用いる量は、脱離基X2がLiに変換された中間体Cの1当量に対して、通常1当量以上、また、通常10当量以下である。 The amount of the iodinating agent is usually 1 equivalent or more and usually 10 equivalents or less with respect to 1 equivalent of the intermediate C in which the leaving group X 2 is converted to Li.
ハロゲン化金属としては、例えば、ハロゲン化錫、ハロゲン化亜鉛、ハロゲン化マグネシウム等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the metal halide include tin halide, zinc halide, magnesium halide and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、ハロゲン化金属を用いる量は、脱離基X2がLiに変換された中間体Cの1当量に対して、通常1当量以上、また、通常10当量以下である。 The amount of the metal halide used is usually 1 equivalent or more and usually 10 equivalents or less with respect to 1 equivalent of the intermediate C in which the leaving group X 2 is converted to Li.
なお、ヨウ素化剤を用いた場合には、さらに酸性水溶液で処理を行なうことが好ましい。 In addition, when an iodinating agent is used, it is preferable to process with an acidic aqueous solution.
(反応5の第2の方法)
中間体Cから、中間体Dを合成する第2の方法について説明する。
まず、中間体Cと金属マグネシウムとを、無水条件下、不活性ガス雰囲気下の溶媒存在中で混合し、中間体Cの脱離基X2をマグネシウムハライド残基に変換する。次に、ホウ素化剤を作用させて、中間体Dを得る。
(Second method of reaction 5)
A second method for synthesizing intermediate D from intermediate C will be described.
First converts the intermediate C and magnesium metal, under anhydrous conditions, were mixed in the presence of a solvent under an inert gas atmosphere, the leaving group X 2 of the intermediate C in the magnesium halide residue. Next, a boronating agent is allowed to act to obtain intermediate D.
金属マグネシウムを用いる量は、中間体Cの1当量に対して、通常1当量以上、また、通常5当量以下である。 The amount of metal magnesium used is usually 1 equivalent or more and usually 5 equivalents or less with respect to 1 equivalent of Intermediate C.
溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the solvent include tetrahydrofuran, diethyl ether and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、溶媒を用いる量は、中間体Cの1molに対して、通常0.1L以上、また、通常10L以下である。 The amount of the solvent used is usually 0.1 L or more and usually 10 L or less with respect to 1 mol of the intermediate C.
不活性ガスとしては、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)で例示した不活性ガスを用いることが出来る。 As the inert gas, the inert gas exemplified in <Reaction 1> (when reacted with intermediate A) can be used.
中間体Cの脱離基X2をマグネシウムハライド残基に変換する反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常−90℃以上、また、通常100℃以下である。 The reaction of converting the leaving group X 2 of the intermediate C in the magnesium halide residue is preferably carried out in a stirred mixed. The reaction temperature at this time is usually −90 ° C. or higher and usually 100 ° C. or lower.
また、反応時間は、通常0.1時間以上、また、通常24時間以下である。
これらの反応によって、中間体Cの脱離基X2がマグネシウムハライド残基に変換される。
The reaction time is usually 0.1 hour or longer and usually 24 hours or shorter.
These reactions, the leaving group X 2 of the intermediate C is converted to magnesium halide residue.
次に、脱離基X2がマグネシウムハライド残基に変換された中間体Cに、ホウ素化剤を作用させ、その後で酸性水溶液で処理を行なうことで、ボロン酸残基が導入された中間体Dを得が得られる。
なお、ホウ素化剤を作用させる方法や、酸性水溶液で処理する方法は、前述の(反応5の第1の方法)で説明した方法と同様である。
Next, an intermediate in which a boronic acid residue is introduced is obtained by allowing a boronating agent to act on intermediate C in which the leaving group X 2 has been converted to a magnesium halide residue, followed by treatment with an acidic aqueous solution. D is obtained.
In addition, the method of making a boron agent act and the method of processing with acidic aqueous solution are the same as the method demonstrated by the above-mentioned (1st method of reaction 5).
(反応5の第3の方法)
中間体Cから、中間体Dを合成する第3の方法について説明する。
まず、中間体CとジボランとPd触媒と塩基性物質とを、無水条件下、不活性ガス雰囲気下の溶媒存在中で混合し、中間体Cの脱離基X2をボロン酸エステル残基に変換した中間体Dを得る。
(Third method of reaction 5)
A third method for synthesizing intermediate D from intermediate C will be described.
First, intermediate C, diborane, Pd catalyst, and basic substance are mixed under anhydrous conditions in the presence of a solvent under an inert gas atmosphere, and the leaving group X 2 of intermediate C is converted into a boronic ester residue. The converted intermediate D is obtained.
ジボランとしては、例えば、ビス(ピナコラート)ジボラン等が挙げられる。ジボランは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of diborane include bis (pinacolato) diborane. One type of diborane may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio.
また、ジボランを用いる量は、中間体Cの1当量に対して、通常1当量以上、また、通常10当量以下である。 The amount of diborane used is usually 1 equivalent or more and usually 10 equivalents or less with respect to 1 equivalent of Intermediate C.
Pd触媒としては、例えば、[1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)、ジクロロメタン錯体(1:1)等が挙げられる。 Examples of the Pd catalyst include [1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene] dichloropalladium (II), dichloromethane complex (1: 1), and the like.
また、Pd触媒を用いる量は、中間体Cの1当量に対して、通常0.001当量以上、また、通常0.5当量以下である。 The amount of the Pd catalyst used is usually 0.001 equivalent or more and usually 0.5 equivalent or less with respect to 1 equivalent of the intermediate C.
塩基性物質としては、例えば、塩化カリウム等が挙げられる。塩基性物質は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 As a basic substance, potassium chloride etc. are mentioned, for example. One basic substance may be used alone, or two or more basic substances may be used in any combination and ratio.
溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、1,4−ジオキサン等が挙げられる。溶媒は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the solvent include dimethyl sulfoxide, 1,4-dioxane and the like. One type of solvent may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio.
また、溶媒を用いる量は、化合物aの1molに対して、通常0.1L以上、また、通常100L以下である。 Moreover, the quantity using a solvent is 0.1 L or more normally with respect to 1 mol of compound a, and is 100 L or less normally.
不活性ガスとしては、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)で例示した不活性ガスを用いることが出来る。
また、不活性ガスを用いる場合には、不活性ガス雰囲気下で反応を行なうことができれば制限はないが、一定の気流下で用いることが好ましい。
As the inert gas, the inert gas exemplified in <Reaction 1> (when reacted with intermediate A) can be used.
In addition, when an inert gas is used, there is no limitation as long as the reaction can be performed in an inert gas atmosphere, but it is preferably used under a constant air flow.
中間体Cの脱離基X2をボロン酸エステル残基に変換する反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常20℃以上、また、通常120℃以下である。 The reaction of converting the leaving group X 2 of the intermediate C boronic acid ester residue, it is preferably carried out by stirring and mixing. The reaction temperature at this time is usually 20 ° C. or higher and usually 120 ° C. or lower.
また、反応時間は、通常1時間以上、また、通常60時間以下である。
これらの反応によって、中間体Cの脱離基X2がボロン酸エステル残基に変換された中間体Dが得られる。
The reaction time is usually 1 hour or longer and usually 60 hours or shorter.
These reactions, intermediate D which leaving group X 2 of the intermediate C was converted to boronic ester residue.
<反応6>
反応6は、化合物dと、Ar3−X15とを反応させて、中間体Aを合成する反応である。
化合物dにおいて、Ar4は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であり、<1−1.アントラセン化合物の構造>で詳述したAr4である。
Ar3−X15において、Ar3は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であり、<1−1.アントラセン化合物の構造>で詳述したAr3である。
X15は、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、CF3SO3−基、−OH基等の脱離基等を表わす。
中間体Aにおいて、Ar3は、Ar3−X15と同じものである。Ar4は、化合物dと同じものである。
<
In the compound d, Ar 4 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and <1-1. Ar 4 described in detail in Structure of Anthracene Compound>.
In Ar 3 -X 15 , Ar 3 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and <1-1. Ar 3 described in detail in Structure of Anthracene Compound>.
X 15 represents a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine, a leaving group such as a CF 3 SO 3 — group or an —OH group.
In the intermediate A, Ar 3 is the same as Ar 3 -X 15 . Ar 4 is the same as compound d.
化合物dと、中間体Aとの反応は、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物aの代わりにAr3−X15を、中間体Aの代わりに化合物dを用いて<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)の反応を行なう。ただし、Ar3−X15を用いる量は、化合物dの1当量に対して、通常0.1当量以上、また、通常1.25当量以下である。
The reaction between compound d and intermediate A can be carried out in the same manner as in <Reaction 1> (when reacted with intermediate A).
Specifically, the reaction of <reaction 1> (when reacted with intermediate A) is performed using Ar 3 -X 15 in place of compound a and compound d in place of intermediate A. However, the amount of Ar 3 —X 15 used is usually 0.1 equivalent or more and usually 1.25 equivalent or less with respect to 1 equivalent of compound d.
それ以外の条件(触媒、塩基性物質、溶媒の種類及びそれらを用いる量;反応温度、反応時間等)は、同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Aを得ることができる。
Other conditions (catalyst, basic substance, type of solvent and amount used thereof; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same.
As a result of this reaction, intermediate A can be obtained as a product.
<反応7>
反応7は、中間体Aと、X4−GA−X5とを反応させて、化合物eを合成する反応である。
X4−GA−X5において、X4、X5は、それぞれ独立に、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、CF3SO3−基等の脱離基等を表わす。GAは、2価の芳香族炭化水素基を表わす。GAは、G1と同じものであってもよく、後述するGBと結合して、G1を形成可能なG1前駆体であってもよい。
化合物eにおいて、Ar3〜Ar4は、中間体Aと同じものである。GA、及びX4は、X4−GA−X5と同じものである。
<
In X 4 -G A -X 5 , X 4 and X 5 each independently represent a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine, a leaving group such as a CF 3 SO 3 — group, or the like. G A represents a divalent aromatic hydrocarbon group. G A may be the same as the G 1, in combination with G B which will be described later, may be G 1 precursor capable of forming a G 1.
In compound e, Ar 3 to Ar 4 are the same as intermediate A. G A and X 4 are the same as X 4 -G A -X 5 .
中間体Aと、X4−GA−X5との反応は、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物aの代わりにX4−GA−X5を用いて、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)を行なう。また、それに伴い、中間体A、溶媒、銅触媒、パラジウム錯体触媒等の用いる量は、X4−GA−X5を基準として規定される。
The reaction of intermediate A and X 4 -G A -X 5 can be carried out in the same manner as in <Reaction 1> (when reacted with intermediate A).
Specifically, X 4 -G A -X 5 is used instead of compound a to perform <Reaction 1> (when reacted with intermediate A). Accordingly, the amounts of the intermediate A, the solvent, the copper catalyst, the palladium complex catalyst, and the like used are defined based on X 4 -G A -X 5 .
それ以外の条件(例えば、触媒、塩基性物質、溶媒等の種類;反応温度、反応時間等)は、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物eを得ることができる。
Other conditions (for example, types of catalyst, basic substance, solvent, etc .; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same as in <Reaction 1> (when reacted with intermediate A).
As a result of this reaction, compound e can be obtained as a product.
<反応8>
反応8は、化合物eから化合物fを合成する反応である。
化合物fにおいて、GA、及びAr3〜Ar4は、化学物eと同じものである。また、X6は、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基などの脱離基を表わす。
<Reaction 8>
Reaction 8 is a reaction for synthesizing compound f from compound e.
In the compound f, G A and Ar 3 to Ar 4 are the same as the chemical substance e. X 6 represents a leaving group such as a boronic acid residue, a boronic acid ester residue, a tin halide residue, a zinc halide residue, or a magnesium halide residue.
化合物eの反応は、<反応5>と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Cの代わりに化合物eを用いて、<反応5>を行なう。また、それに伴い、リチオ化剤、マグネシウムハライド、ジボラン、溶媒、触媒等の用いる量は、化合物eを基準として規定される。
The reaction of compound e can be carried out in the same manner as in <
Specifically, <
それ以外の条件(例えば、溶媒等の種類;反応温度、反応時間等)は、<反応5>と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物fを得ることができる。
Other conditions (for example, type of solvent, etc .; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same as in <
As a result of this reaction, compound f can be obtained as a product.
<反応9>
反応9は、化合物fと、X7−GB−X8とを反応させて、化合物gを合成する反応である。
X7−GB−X8において、X7及びX8は、それぞれ独立に、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、CF3SO3−基等の脱離基等を表わす。GBは、2価の芳香族炭化水素基を表わす。GBは、G1と同じものであってもよく、前述したGAと結合して、G1を形成可能なG1前駆体であってもよい。
化合物gにおいて、Ar3〜Ar4は、化合物fと同じものである。X7は、X7−GB−X8と同じものである。G1は、直接結合又は連結基である。連結基の種類は、<1−1.アントラセン化合物の構造>で詳述したG1と同様である。
<Reaction 9>
The reaction 9, the compound f, by reacting X 7 -G B -X 8, is a reaction to synthesize the compound g.
In X 7 -G B -X 8 , X 7 and X 8 each independently represent a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine, a leaving group such as a CF 3 SO 3 — group, or the like. G B represents a divalent aromatic hydrocarbon radical. G B may be the same as the G 1, in combination with G A described above, it may be G 1 precursor capable of forming a G 1.
In compound g, Ar 3 to Ar 4 are the same as compound f. X 7 is the same as the X 7 -G B -X 8. G 1 is a direct bond or a linking group. The type of linking group is <1-1. This is the same as G 1 described in detail in Structure of Anthracene Compound>.
化合物fと、X7−GB−X8との反応は、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物aの代わりにX7−GB−X8を、中間体Aの代わりに化合物fを用いて、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)を行なう。また、それに伴い、化合物f、溶媒、銅触媒、パラジウム錯体触媒等の用いる量は、X7−GB−X8を基準として規定される。
And compounds f, reaction with X 7 -G B -X 8 may be carried out in the same manner as in <Reaction 1> (when reacted with Intermediate A).
Specifically, the X 7 -G B -X 8 in place of Compound a, using Compound f in place of Intermediate A, performs the <Reaction 1> (when reacted with Intermediate A). Along with it, the compound f, solvent, copper catalyst, the amount used of the palladium complex catalysts are defined to X 7 -G B -X 8 as a reference.
それ以外の条件(例えば、触媒、塩基性物質、溶媒等の種類;反応温度、反応時間等)は、<反応1>の(中間体Aと反応させる場合)と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物gを得ることができる。
Other conditions (for example, types of catalyst, basic substance, solvent, etc .; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same as in <Reaction 1> (when reacted with intermediate A).
As a result of this reaction, compound g can be obtained as a product.
<反応10>
反応10は、化合物gから中間体Bを合成する反応である。
中間体Bにおいて、G1、及びAr3〜Ar4は、それぞれ化学物gと同じものである。
また、X9は、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基などの脱離基を表わす。
<
In the intermediate B, G 1 and Ar 3 to Ar 4 are each the same as the chemical g.
X 9 represents a leaving group such as a boronic acid residue, a boronic acid ester residue, a tin halide residue, a zinc halide residue, or a magnesium halide residue.
化合物gの反応は、<反応5>と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Cの代わりに化合物gを用いて、<反応5>を行なう。また、それに伴い、リチオ化剤、マグネシウムハライド、ジボラン、溶媒、触媒等の用いる量は、化合物gを基準として規定される。
The reaction of compound g can be carried out in the same manner as in <
Specifically, <
それ以外の条件(例えば、溶媒等の種類;反応温度、反応時間等)は、<反応5>と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Bを得ることができる。
Other conditions (for example, type of solvent, etc .; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same as in <
As a result of this reaction, intermediate B can be obtained as a product.
<反応11>
反応11は、化合物hから化合物iを合成する反応である。
化合物hにおいて、X10は、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;CF3SO3−基、−OH基等の脱離基;等を表わす。
化合物iにおいて、X10及びX11は、それぞれ独立に、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;CF3SO3−基、−OH基等の脱離基;等を表わす。
反応11として、以下に2種類の反応を説明する。
<Reaction 11>
Reaction 11 is a reaction for synthesizing compound i from compound h.
In the compound h, X 10 represents a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine; a leaving group such as a CF 3 SO 3 — group or an —OH group;
In the compounds i, X 10 and X 11 are each independently chlorine, bromine, halogen atom such as iodine; -; represent like CF 3 SO 3 group, the leaving group such as -OH group.
As reaction 11, two types of reactions will be described below.
(反応11の第1の方法)
化合物hから、化合物iを合成する第1の方法について説明する。
X11がハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)である化合物iを得る場合、化合物hとハロゲン分子とを、ルイス酸触媒存在下、溶媒存在下で混合する。
(First method of reaction 11)
A first method for synthesizing compound i from compound h will be described.
When obtaining a compound i in which X 11 is a halogen atom (a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc.), the compound h and a halogen molecule are mixed in the presence of a Lewis acid catalyst in the presence of a solvent.
ハロゲン分子としては、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
ハロゲン分子を用いる量は、化合物aの1当量に対して、通常0.1当量以上、また、通常100当量以下である。
Examples of the halogen molecule include chlorine, bromine, iodine and the like.
The amount of the halogen molecule used is usually 0.1 equivalent or more and usually 100 equivalent or less with respect to 1 equivalent of compound a.
ルイス酸触媒としては、塩化鉄(III)等が挙げられる。ルイス酸触媒は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the Lewis acid catalyst include iron (III) chloride. A Lewis acid catalyst may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.
また、ルイス酸触媒を用いる量は、化合物hの1当量に対して、通常0.001当量以上、また、通常100当量以下である。 The amount of the Lewis acid catalyst used is usually 0.001 equivalents or more and usually 100 equivalents or less with respect to 1 equivalent of the compound h.
溶媒としては、ジクロロメタン等が挙げられる。溶媒は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the solvent include dichloromethane and the like. One type of solvent may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio.
また、溶媒を用いる量は、化合物hの1molに対して、通常0.1L以上、また、通常100L以下である。 Moreover, the quantity using a solvent is 0.1 L or more normally with respect to 1 mol of compound h, and is 100 L or less normally.
反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常−50℃以上、また、通常100℃以下である。 The reaction is preferably carried out by stirring and mixing. The reaction temperature at this time is usually −50 ° C. or higher and usually 100 ° C. or lower.
また、反応時間は、通常0.1時間以上、また、通常60時間以下である。
この反応の結果、生成物として化合物iを得ることができる。
The reaction time is usually 0.1 hour or longer and usually 60 hours or shorter.
As a result of this reaction, compound i can be obtained as a product.
(反応11の第2の方法)
化合物hから、化合物iを合成する第2の方法について説明する。
該第2の方法としては、化合物hとN−ハロゲン化コハク酸イミドとを、溶媒存在下で混合することが好ましい。
(Second method of reaction 11)
A second method for synthesizing compound i from compound h will be described.
As the second method, compound h and N-halogenated succinimide are preferably mixed in the presence of a solvent.
N−ハロゲン化コハク酸イミドとしては、N−ブロモコハク酸イミド、N−ヨードコハク酸イミド、等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the N-halogenated succinimide include N-bromosuccinimide, N-iodosuccinimide, and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、N−ハロゲン化コハク酸イミドを用いる量は、化合物hの1当量に対して、通常0.1当量以上、また、通常100当量以下である。 The amount of N-halogenated succinimide used is usually 0.1 equivalents or more and usually 100 equivalents or less with respect to 1 equivalent of compound h.
溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、ジクロロメタン等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of the solvent include N, N-dimethylformamide, dichloromethane and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、溶媒を用いる量は、化合物hの1molに対して、通常0.1L以上、また、通常100L以下である。 Moreover, the quantity using a solvent is 0.1 L or more normally with respect to 1 mol of compound h, and is 100 L or less normally.
反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常−50℃以上、また、通常200℃以下である。 The reaction is preferably carried out by stirring and mixing. The reaction temperature at this time is usually −50 ° C. or higher and usually 200 ° C. or lower.
また、反応時間は、通常0.1時間以上、また、通常60時間以下である。
この反応の結果、生成物として化合物iを得ることができる。
The reaction time is usually 0.1 hour or longer and usually 60 hours or shorter.
As a result of this reaction, compound i can be obtained as a product.
<反応12>
反応12は、化合物hと、Ar1−X12とを反応させて、化合物jを合成する反応である。
Ar1−X12において、X12は、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基などの脱離基を表わす。また、Ar1は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であり、<1−1.アントラセン化合物の構造>で詳述したAr1である。
化合物jにおいて、Ar1は、Ar1−X12と同じものである。
<Reaction 12>
Reaction 12 is a reaction in which compound h is reacted with Ar 1 -X 12 to synthesize compound j.
In Ar 1 -X 12 , X 12 represents a leaving group such as a boronic acid residue, a boronic acid ester residue, a tin halide residue, a zinc halide residue, or a magnesium halide residue. Ar 1 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and <1-1. Ar 1 described in detail in Structure of Anthracene Compound>.
In compound j, Ar 1 is the same as Ar 1 -X 12 .
化合物hと、Ar1−X12との反応は、<反応1>の(中間体Bと反応させる場合)と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Bの代わりに、Ar1−X12を用いて<反応1>の(中間体Bと反応させる場合)の反応を行なう。
The reaction of compound h and Ar 1 -X 12 can be carried out in the same manner as in <Reaction 1> (when reacted with intermediate B).
Specifically, instead of the intermediate B, Ar 1 -X 12 is used to perform the reaction of <Reaction 1> (when reacted with the intermediate B).
それ以外の条件(例えば、触媒、塩基性物質、溶媒の種類及びそれらを用いる量;反応温度、反応時間等)は、同様である。
この反応の結果、生成物として化合物jを得ることができる。
Other conditions (for example, the type of catalyst, basic substance, solvent and the amount of them used; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same.
As a result of this reaction, compound j can be obtained as a product.
<反応13>
反応13は、化合物jから化合物kを合成する反応である。
化合物kにおいて、Ar1は、化学物jと同じものである。また、X10は、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;CF3SO3−基、−OH基等の脱離基;等を表わす。
<Reaction 13>
Reaction 13 is a reaction for synthesizing compound k from compound j.
In compound k, Ar 1 is the same as chemical j. X 10 represents a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine; a leaving group such as a CF 3 SO 3 — group or an —OH group;
化合物jの反応は、<反応11>と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物hの代わりに化合物jを用いて、<反応11>を行なう。また、それに伴い、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、N−ハロゲン化コハク酸、溶媒等の用いる量は、化合物hを基準として規定される。
The reaction of compound j can be carried out in the same manner as in <Reaction 11>.
Specifically, <reaction 11> is performed using compound j instead of compound h. Accordingly, the amount of halogen molecule, Lewis acid catalyst, N-halogenated succinic acid, solvent and the like is defined based on the compound h.
それ以外の条件(例えば、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、溶媒等の種類;反応温度、反応時間等)は、<反応11>と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物kを得ることができる。
Other conditions (for example, types of halogen molecule, Lewis acid catalyst, solvent, etc .; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same as in <Reaction 11>.
As a result of this reaction, compound k can be obtained as a product.
<反応14>
反応14は、化合物iと、Ar1−X12とを反応させて、化合物kを合成する反応である。
Ar1−X12は、<反応12>で用いたAr1−X12と同じものである。
化合物kは、<反応13>で合成された化合物kと同じものである。
<Reaction 14>
Reaction 14 is a reaction in which compound i is reacted with Ar 1 -X 12 to synthesize compound k.
Ar 1 -X 12 is the same as Ar 1 -X 12 used in <Reaction 12>.
Compound k is the same as compound k synthesized in <Reaction 13>.
化合物cと、Ar1−X12との反応は、<反応1>と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物aの代わりに化合物iを、中間体A又は中間体Bの代わりにAr1−X12を用いて<反応1>を行なう。また、それに伴い、Ar1−X12、溶媒、銅触媒、パラジウム錯体触媒等の用いる量は、化合物iを基準として規定される。
ただし、化合物iは、例えば9−ブロモ−10−ヨードアントラセンの様に、X10とX11との反応性が異なることが好ましい。例えば9,10−ジブロモアントラセンの様に、X10とX11との反応性が同一の場合、Ar1−X12の当量を、化合物iの1当量に対して、通常0.1当量以上、また、通常1.5量以下とする。
The reaction of compound c and Ar 1 -X 12 can be carried out in the same manner as in <Reaction 1>.
Specifically, <Reaction 1> is performed using Compound i in place of Compound a and Ar 1 -X 12 in place of Intermediate A or Intermediate B. Accordingly, the amounts used of Ar 1 -X 12 , solvent, copper catalyst, palladium complex catalyst, etc. are defined based on compound i.
However, compound i is as in example 9-bromo-10-iodo-anthracene, it is preferable that the reactivity of X 10 and X 11 are different. For example, when the reactivity of X 10 and X 11 is the same as 9,10-dibromoanthracene, the equivalent of Ar 1 -X 12 is usually 0.1 equivalent or more with respect to 1 equivalent of compound i, In addition, the amount is usually 1.5 or less.
それ以外の条件(例えば、触媒、塩基性物質、溶媒等の種類;反応温度、反応時間等)は、<反応1>と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物kを得ることができる。
Other conditions (for example, types of catalyst, basic substance, solvent, etc .; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same as in <Reaction 1>.
As a result of this reaction, compound k can be obtained as a product.
<反応15>
反応15は、化合物kから化合物lを合成する反応である。
化合物lにおいて、Ar1は、化学物kと同じものである。また、X14は、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基などの脱離基を表わす。
<Reaction 15>
Reaction 15 is a reaction for synthesizing compound 1 from compound k.
In compound l, Ar 1 is the same as chemical k. X 14 represents a leaving group such as a boronic acid residue, a boronic acid ester residue, a tin halide residue, a zinc halide residue, or a magnesium halide residue.
化合物lの反応は、<反応5>と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Cの代わりに化合物kを用いて、<反応5>を行なう。また、それに伴い、リチオ化剤、マグネシウムハライド、ジボラン、溶媒、触媒等の用いる量は、化合物kを基準として規定される。
The reaction of compound l can be carried out in the same manner as in <
Specifically, <
それ以外の条件(例えば、溶媒等の種類;反応温度、反応時間等)は、<反応5>と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物lを得ることができる。
Other conditions (for example, type of solvent, etc .; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same as in <
As a result of this reaction, compound l can be obtained as a product.
<反応16>
反応16は、化合物lと、中間体Cとを反応させて、最終物(式(I)で表わされる本発明のアントラセン化合物)を合成する反応である。
中間体Cは、<反応3>又は<反応4>で合成された中間体Cと同じものである。
<Reaction 16>
Reaction 16 is a reaction in which compound l and intermediate C are reacted to synthesize the final product (anthracene compound of the present invention represented by formula (I)).
Intermediate C is the same as Intermediate C synthesized in <Reaction 3> or <Reaction 4>.
化合物lと、中間体Cとの反応は、<反応1>の(中間体Bと反応させる場合)と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物aの代わりに中間体Cを、中間体Bの代わりに化合物lを用いて、<反応1>(中間体Bと反応させる場合)と同じ方法を行なう。また、それに伴い、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒、配位子等の用いる量は、中間体Cを基準として規定される。
The reaction of compound 1 and intermediate C can be carried out in the same manner as in <Reaction 1> (when reacted with intermediate B).
Specifically, using Intermediate C instead of Compound a and Compound 1 instead of Intermediate B, the same method as in <Reaction 1> (when reacted with Intermediate B) is performed. Accordingly, the amounts of palladium catalyst, basic substance, solvent, ligand, etc. used are defined based on Intermediate C.
それ以外の条件(例えば、触媒、塩基性物質、溶媒の種類及びそれらを用いる量;反応温度、反応時間等)は、同様である。
この反応の結果、生成物として本発明のアントラセン化合物を得ることができる。
Other conditions (for example, the type of catalyst, basic substance, solvent and the amount of them used; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same.
As a result of this reaction, the anthracene compound of the present invention can be obtained as a product.
<反応17>
反応17は、化合物kと、中間体Dとを反応させて、最終物(式(I)で表わされる本発明のアントラセン化合物)を合成する反応である。
中間体Dは、<反応5>で合成された中間体Dと同じものである。
<Reaction 17>
Reaction 17 is a reaction in which compound k is reacted with intermediate D to synthesize a final product (anthracene compound of the present invention represented by formula (I)).
Intermediate D is the same as Intermediate D synthesized in <
化合物kと、中間体Dとの反応は、<反応1>の(中間体Bと反応させる場合)と同じ方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物aの代わりに化合物kを、中間体Bの代わりに中間体Dを用いて、<反応1>(中間体Bと反応させる場合)と同じ方法を行なう。また、それに伴い、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒、配位子等の用いる量は、化合物kを基準として規定される。
The reaction of compound k and intermediate D can be carried out in the same manner as in <Reaction 1> (when reacted with intermediate B).
Specifically, using the compound k instead of the compound a and the intermediate D instead of the intermediate B, the same method as in <Reaction 1> (when reacted with the intermediate B) is performed. Accordingly, the amounts of palladium catalyst, basic substance, solvent, ligand, etc. used are defined based on compound k.
それ以外の条件(例えば、触媒、塩基性物質、溶媒の種類及びそれらを用いる量;反応温度、反応時間等)は、同様である。
この反応の結果、生成物として本発明のアントラセン化合物を得ることができる。
Other conditions (for example, the type of catalyst, basic substance, solvent and the amount of them used; reaction temperature, reaction time, etc.) are the same.
As a result of this reaction, the anthracene compound of the present invention can be obtained as a product.
<その他のアントラセン化合物の製造方法>
本発明に係るアントラセン化合物の製造方法は、上述した例に限定されず、本発明の効果を著しく損なわない限り、他の何れの公知の方法によって製造してもよい。また、アントラセン化合物の合成には、上述した例以外の、他の何れの公知の原材料を用いてもよい。
<Methods for producing other anthracene compounds>
The manufacturing method of the anthracene compound according to the present invention is not limited to the above-described example, and may be manufactured by any other known method as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In addition, any other known raw material other than the examples described above may be used for the synthesis of the anthracene compound.
具体例としては、「Palladium in Heterocyclic Chemistry : A guide for the Synthetic Chemist」(第二版、2002、Jie Jack Li and Gordon W. Gribble、Pergamon社)、「遷移金属が拓く有機合成 その多彩な反応形式と最新の成果」(1997年、辻二郎、化学同人社)、「ボルハルト・ショアー現代有機化学 下」(2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社))等に記載または引用されている、環同士の結合(カップリング)反応(例えば、ハロゲン化アリールとアリールボレートとのカップリング反応等)等を用いることもできる。 As a specific example, “Palladium in Heterocyclic Chemistry: A guide for the Synthetic Chemist” (2nd edition, 2002, Jie Jack Li and Gordon W. Gribble, Takumi Organic, “Takumi” And the latest achievements "(1997, Junjiro, Kagaku Doujinsha)," Under Borhard Shore Modern Organic Chemistry "(2004, K.P.C. In addition, a ring-to-ring coupling (coupling) reaction (for example, a coupling reaction between an aryl halide and an aryl borate) can be used.
<アントラセン化合物の精製方法>
合成して得られたアントラセン化合物の精製方法としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、公知の何れの方法を用いることが出来る。
<Purification method of anthracene compound>
As a method for purifying the anthracene compound obtained by synthesis, any known method can be used as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
具体例としては、「分離精製技術ハンドブック」(1993年、(財)日本化学会編)、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」(1988年、(株)アイ
ピー シー発行)、あるいは「実験化学講座(第4版)1」(1990年、(財)日本化学会編)の「分離と精製」の項に記載の方法等が挙げられる。
Specific examples include "Separation and Purification Technology Handbook" (1993, edited by The Chemical Society of Japan), "Advanced separation of trace components and difficult-to-purify substances by chemical conversion method" (1988, published by ICC Corporation). Or the method described in the section “Separation and purification” of “Experimental Chemistry Course (4th edition) 1” (1990, edited by The Chemical Society of Japan).
さらに具体的には、抽出(懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む)、吸着、吸蔵、融解、晶析(溶媒からの再結晶、再沈殿を含む)、蒸留(常圧蒸留、減圧蒸留)、蒸発、昇華(常圧昇華、減圧昇華)、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー(形状分類:カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類:ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構:吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー)などが挙げられる。 More specifically, extraction (including suspension washing, boiling washing, ultrasonic washing, acid-base washing), adsorption, occlusion, melting, crystallization (including recrystallization from solvent, reprecipitation), distillation (ordinary) Pressure distillation, vacuum distillation), evaporation, sublimation (atmospheric pressure sublimation, vacuum sublimation), ion exchange, dialysis, filtration, ultrafiltration, reverse osmosis, pressure osmosis, zone dissolution, electrophoresis, centrifugation, flotation separation, sedimentation separation , Magnetic separation, various chromatography (shape classification: column, paper, thin layer, capillary. Mobile phase classification: gas, liquid, micelle, supercritical fluid. Separation mechanism: adsorption, distribution, ion exchange, molecular sieve, chelate, gel Filtration, exclusion, affinity) and the like.
生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ(GC)、高速液体クロマトグラフ(HPLC)、高速アミノ酸分析計(AAA)、キャピラリー電気泳動測定(CE)、サイズ排除クロマトグラフ(SEC)、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)、交差分別クロマトグラフ(CFC)質量分析(MS、LC/MS、GC/MS、MS/MS)、核磁気共鳴装置(NMR(1H−NMR、13C−NMR))、フーリエ変換赤外分光高度計(FT−IR)、紫外可視近赤外分光高度計(UV.VIS,NIR)、電子スピン共鳴装置(ESR)、透過型電子顕微鏡(TEM−EDX)電子線マイクロアナライザー(EPMA)、金属元素分析(イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光(ICP−AES)原子吸光分析(AAS)蛍光X線分析装置(XRF))、非金属元素分析、微量成分分析(ICP−MS、GF−AAS、GD−MS)等を必要に応じ、適用可能である。 The product confirmation and purity analysis methods include gas chromatograph (GC), high performance liquid chromatograph (HPLC), high speed amino acid analyzer (AAA), capillary electrophoresis measurement (CE), size exclusion chromatograph (SEC), Gel permeation chromatograph (GPC), cross-fractionation chromatograph (CFC) mass spectrometry (MS, LC / MS, GC / MS, MS / MS), nuclear magnetic resonance apparatus (NMR ( 1 H-NMR, 13 C-NMR) ), Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR), ultraviolet visible near infrared spectrophotometer (UV.VIS, NIR), electron spin resonance apparatus (ESR), transmission electron microscope (TEM-EDX), electron beam microanalyzer (EPMA), metal element analysis (ion chromatograph, inductively coupled plasma-emission spectroscopy (ICP-AES) atomic absorption Analysis (AAS) X-ray fluorescence analyzer (XRF)), non-metallic element analysis, trace component analysis (ICP-MS, GF-AAS, GD-MS) and the like can be applied as necessary.
<1−4.アントラセン化合物の好ましい例>
以下、本発明のアントラセン化合物の好ましい例について例示する。以下は例示であって、本発明のアントラセン化合物は、式(I)を満たしていれば制限されない。
Hereinafter, preferred examples of the anthracene compound of the present invention will be illustrated. The following is an example, and the anthracene compound of the present invention is not limited as long as it satisfies the formula (I).
<1−5.アントラセン化合物の用途>
本発明のアントラセン化合物は、高耐熱性、有機溶剤に対する優れた溶解性、あるいは高い電荷輸送性を有するため、電荷輸送性材料あるいは発光材料として、電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。
また、高い一重項励起準位、優れた蛍光量子収率、優れた電気的耐久性、あるいは優れた非晶質性を有することから、本発明のアントラセン化合物からなる電荷輸送材料を用いることにより、耐熱性に優れ、長期間安定に駆動(発光)する有機電界発光素子が得られる。そのため、本発明のアントラセン化合物および電荷輸送材料は有機電界発光素子材料として、とりわけ好適である。
<1-5. Applications of anthracene compounds>
Since the anthracene compound of the present invention has high heat resistance, excellent solubility in an organic solvent, or high charge transportability, an electrophotographic photoreceptor, an organic electroluminescent element, a photoelectric conversion element can be used as a charge transporting material or a light emitting material. It can be suitably used for organic solar cells, organic rectifying elements and the like.
In addition, since it has a high singlet excitation level, an excellent fluorescence quantum yield, an excellent electrical durability, or an excellent amorphous property, by using a charge transport material comprising the anthracene compound of the present invention, An organic electroluminescent element that has excellent heat resistance and can be stably driven (emitted) for a long period of time can be obtained. Therefore, the anthracene compound and the charge transport material of the present invention are particularly suitable as an organic electroluminescent element material.
[2.湿式成膜用電荷輸送材料]
本発明はまた、上記式(I)で表わされるアントラセン化合物からなる湿式成膜用電荷輸送材料に関する。
ここで、湿式成膜用電荷輸送材料とは、溶剤に分散又は溶解させた状態で成膜し、その後、溶剤の一部あるいは全部を除去することで、電荷輸送性を有する膜を形成することを目的とした材料をいう。
[2. Charge transport material for wet film formation]
The present invention also relates to a charge transport material for wet film formation comprising an anthracene compound represented by the above formula (I).
Here, the charge transport material for wet film formation refers to forming a film having charge transport properties by forming a film in a state of being dispersed or dissolved in a solvent and then removing part or all of the solvent. A material intended for
湿式成膜用電荷輸送材料は、ガラス転移点が120℃以上であり、且つ、トルエンに対する溶解度が5重量%以上であることが、湿式成膜法を利用した有機電界発光素子の用途の上で好ましい。以下、ガラス転移点及び溶媒に対する溶解度について詳述する。 The charge transport material for wet film formation has a glass transition point of 120 ° C. or higher and a solubility in toluene of 5% by weight or more in view of the use of the organic electroluminescence device utilizing the wet film formation method. preferable. Hereinafter, the glass transition point and the solubility in a solvent will be described in detail.
(ガラス転移点)
湿式成膜用電荷輸送材料のガラス転移点は、通常120℃以上、好ましくは125℃以上、さらに好ましくは130℃以上、また、通常350℃以下、好ましくは300℃以下、さらに好ましくは250℃以下である。ガラス転移点がこの範囲を下回ると、湿式成膜用電荷輸送材料を用いて作製した薄膜が、加熱処理あるいは通電などによって、結晶化を起こす可能性がある。また、ガラス転移点がこの範囲を上回ると、溶剤に対する溶解性が低下する傾向がある。
なお、ガラス転移点の測定は、<1−2.アントラセン化合物の物性>で説明した方法と同様にして測定できる。
(Glass transition point)
The glass transition point of the charge transport material for wet film formation is usually 120 ° C. or higher, preferably 125 ° C. or higher, more preferably 130 ° C. or higher, and usually 350 ° C. or lower, preferably 300 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower. It is. If the glass transition point is below this range, the thin film produced using the charge transport material for wet film formation may be crystallized by heat treatment or energization. Moreover, when a glass transition point exceeds this range, there exists a tendency for the solubility with respect to a solvent to fall.
In addition, the measurement of a glass transition point is <1-2. It can be measured in the same manner as the method described in “Physical Properties of Anthracene Compound>.
(溶媒への溶解度)
湿式成膜用電荷輸送材料をトルエンに溶解する場合、その溶解度は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは6重量%以上、特に好ましくは7重量%以上である。溶解度がこの範囲を下回ると、湿式成膜した際に形成される薄膜の膜質が低下し、不均一になる傾向がある。また、各種溶剤の選定が制限される可能性がある。
なお、溶媒への溶解度の測定は、<1−2.アントラセン化合物の物性>で説明した方法と同様にして測定できる。
(Solubility in solvent)
When the charge transport material for wet film formation is dissolved in toluene, the solubility is preferably 5% by weight or more, more preferably 6% by weight or more, and particularly preferably 7% by weight or more. If the solubility is below this range, the film quality of the thin film formed when wet film formation is reduced tends to be non-uniform. In addition, the selection of various solvents may be limited.
In addition, the measurement of the solubility in a solvent is <1-2. It can be measured in the same manner as the method described in “Physical Properties of Anthracene Compound>.
[3.湿式成膜用電荷輸送材料組成物]
本発明はまた、上記式(I)で表わされるアントラセン化合物を含有する湿式成膜用電荷輸送材料組成物に関する。
ここで、湿式成膜用電荷輸送材料組成物とは、湿式成膜用電荷輸送材料と、湿式成膜用電荷輸送材料以外の化合物や溶剤との混合物をいう。本発明のアントラセン化合物以外の化合物としては、例えば、電荷輸送性化合物を含有することが好ましい。
[3. Charge transport material composition for wet film formation]
The present invention also relates to a charge transport material composition for wet film formation containing an anthracene compound represented by the above formula (I).
Here, the charge transport material composition for wet film formation refers to a mixture of a charge transport material for wet film formation and a compound or solvent other than the charge transport material for wet film formation. As a compound other than the anthracene compound of the present invention, for example, a charge transporting compound is preferably contained.
<電荷輸送性化合物>
電荷輸送性化合物としては、下記式(II)で表わされる化合物が好ましい。
As the charge transporting compound, a compound represented by the following formula (II) is preferable.
(Ar31について)
式(II)中、Ar31は、置換基を有していてもよい炭素数6以上30以下の芳香族炭化水素基を表わす。
該芳香族炭化水素基としては、<1−1.アントラセン化合物の構造>で説明した、式(I)の化合物のAr1として例示した基が挙げられる。その中でも好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基、またはこれらが複数個連結されて形成された基(例えば、ビフェニル基、ターフェニル基等)が挙げられる。
(About Ar 31 )
In the formula (II), Ar 31 represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include <1-1. Described in the structure of the anthracene compound> include groups exemplified as Ar 1 in compounds of formula (I). Of these, a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring, or a group formed by linking a plurality of these groups (for example, a biphenyl group, a terphenyl group, etc.) is preferable.
芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、上記置換基群Qに記載の置換基が挙げられる。これらの置換基は、芳香族炭化水素基1つあたり、1種の置換基が単独で置換していてもよいし、2種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。 Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group may have include the substituents described in the above substituent group Q. As for these substituents, one type of substituent may be substituted independently per aromatic hydrocarbon group, or two or more types of substituents may be substituted in any combination and ratio. .
(Ar32およびAr33について)
式(II)中、Ar32およびAr33は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。但し、Ar32およびAr33の少なくとも一方は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
芳香族炭化水素基の好ましい種類などは、Ar31と同様である。
(About Ar 32 and Ar 33 )
In the formula (II), Ar 32 and Ar 33 each independently represent a hydrogen atom or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. However, at least one of Ar 32 and Ar 33 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent.
Preferred types of aromatic hydrocarbon groups are the same as those for Ar 31 .
(アントラセン環が有する、更なる置換基)
Ar31が結合するアントラセン環は、更に置換基を有していてもよい。該置換基としては、上記置換基群Qに記載の基が挙げられる。
(Additional substituent of anthracene ring)
The anthracene ring to which Ar 31 is bonded may further have a substituent. Examples of the substituent include the groups described in the substituent group Q.
置換基群Qの中でも、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましい。特にベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環由来の基、あるいは、これらの基が任意の組合せで複数(通常2以上、また、通常8以下、好ましくは4以下)連結されて形成された置換基が好ましい。 Among the substituent group Q, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent is preferable. In particular, a group derived from a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, or a combination of these groups in any combination (usually) 2 or more, and usually 8 or less, preferably 4 or less) are preferably formed by linking.
Ar31が結合するアントラセン環にさらに置換する基は、1種の置換基が単独で置換していてもよいし、2種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。 In the group further substituted on the anthracene ring to which Ar 31 is bonded, one type of substituent may be substituted alone, or two or more types of substituents may be substituted in any combination and ratio.
上記の置換基の好ましい置換位置は、2,3,6,7位が好ましい。分子の平面性を著しく損なうことに伴う、電気的耐久性の低下を避けるためである。 The preferred substitution positions of the above substituents are preferably 2, 3, 6, and 7 positions. This is in order to avoid a decrease in electrical durability that accompanies a significant loss of molecular planarity.
(分子量)
式(II)で表わされる化合物の分子量は、好ましくは300以上、更に好ましくは500以上、特に好ましくは600以上、また、好ましくは3000以下、より好ましくは2000以下、特に好ましくは1500以下である。分子量がこの範囲を下回ると、湿式成膜時に、結晶化を起こしやすくなったり、加熱処理時、気化してしまったり、耐熱性が低下したりする可能性がある。また、この範囲を上回ると、有機溶剤に対する溶解性が低下したり、不純物の除去が困難になる傾向がある。
(Molecular weight)
The molecular weight of the compound represented by the formula (II) is preferably 300 or more, more preferably 500 or more, particularly preferably 600 or more, preferably 3000 or less, more preferably 2000 or less, particularly preferably 1500 or less. If the molecular weight is less than this range, crystallization is likely to occur during wet film formation, vaporization may occur during heat treatment, and heat resistance may be reduced. On the other hand, if it exceeds this range, the solubility in organic solvents tends to be reduced, and the removal of impurities tends to be difficult.
(結晶化温度)
式(II)で表わされる化合物の結晶化温度は、200℃以上が好ましく、250℃以上が更に好ましく、観測されないことが特に好ましい。
式(II)で表わされる化合物は、湿式成膜の際、あるいはその後の加熱処理の際に、結晶化を起こさないことが特に好ましいためである。
(Crystallization temperature)
The crystallization temperature of the compound represented by the formula (II) is preferably 200 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher, and particularly preferably not observed.
This is because it is particularly preferable that the compound represented by the formula (II) does not cause crystallization during wet film formation or subsequent heat treatment.
(気化温度)
式(II)で表わされる化合物の気化温度は、0.001Pa条件下において、500℃以下が好ましく、450℃以下が更に好ましい。高真空下における昇華精製が可能であると、化合物の高純度化を促進することができるためである。
(Vaporization temperature)
The vaporization temperature of the compound represented by the formula (II) is preferably 500 ° C. or less, more preferably 450 ° C. or less under the condition of 0.001 Pa. This is because sublimation purification under high vacuum can promote high purity of the compound.
(混合割合)
湿式成膜用電荷輸送材料組成物において、本発明のアントラセン化合物と式(II)で表わされる電荷輸送性化合物とを混合する場合、その混合割合に制限はない。
ただし、湿式成膜用電荷輸送材料組成物を100重量部としたときに、本発明のアントラセン化合物を通常10重量部以上、好ましくは20重量部以上、また、通常90重量部以下、好ましくは80重量部以下と、式(II)で表わされる電荷輸送性化合物を通常10重量部以上、好ましくは20重量部以上、また、通常90重量部以下、好ましくは80重量部以下とを含有することが望ましい。
(Mixing ratio)
In the charge transport material composition for wet film formation, when the anthracene compound of the present invention and the charge transport compound represented by the formula (II) are mixed, the mixing ratio is not limited.
However, when the charge transport material composition for wet film formation is 100 parts by weight, the anthracene compound of the present invention is usually 10 parts by weight or more, preferably 20 parts by weight or more, and usually 90 parts by weight or less, preferably 80 parts by weight. It is usually 10 parts by weight or more, preferably 20 parts by weight or more, and usually 90 parts by weight or less, preferably 80 parts by weight or less of the charge transporting compound represented by the formula (II). desirable.
<発光材料>
湿式成膜用電荷輸送材料組成物は、さらに発光材料を含有することが好ましい。
ここで、発光材料とは、不活性ガス雰囲気下、室温で、希薄溶液中における、蛍光量子収率が30%以上である材料であって、希薄溶液中における蛍光スペクトルとの対比から、それを用いて作製された有機電界発光素子に通電した際に得られるELスペクトルの一部または全部が、該材料の発光に帰属される材料、と定義される。
<Light emitting material>
The charge transport material composition for wet film formation preferably further contains a light emitting material.
Here, the light emitting material is a material having a fluorescence quantum yield of 30% or more in a dilute solution at room temperature in an inert gas atmosphere, and it is determined based on the comparison with the fluorescence spectrum in the dilute solution. A part or all of an EL spectrum obtained when an organic electroluminescent element manufactured by using an electric current is energized is defined as a material attributed to light emission of the material.
発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。また、青色は蛍光発光材料を用い、緑色や赤色は燐光発光材料を用いるなど、組み合わせて用いてもよい。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、あるいはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
Any known material can be applied as the light emitting material. For example, a fluorescent material or a phosphorescent material may be used, but a phosphorescent material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency. Alternatively, blue may be used in combination, such as using a fluorescent material, and green and red using a phosphorescent material.
In order to improve the solubility in a solvent, it is preferable to reduce the symmetry and rigidity of the molecules of the luminescent material or introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.
以下、発光材料のうち蛍光色素の例を挙げるが、蛍光色素は以下の例示物に限定されるものではない。
青色発光を与える蛍光色素(青色蛍光色素)としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光色素(緑色蛍光色素)としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Al(C9H6NO)3などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光色素(黄色蛍光色素)としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光色素(赤色蛍光色素)としては、例えば、DCM(4−(dicyanomethylene)−2−methyl−6−(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
Hereinafter, although the example of a fluorescent dye is mentioned among light emitting materials, a fluorescent dye is not limited to the following illustrations.
Examples of fluorescent dyes that give blue light emission (blue fluorescent dyes) include naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof.
Examples of fluorescent dyes that give green light emission (green fluorescent dyes) include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and aluminum complexes such as Al (C 9 H 6 NO) 3 .
Examples of fluorescent dyes that give yellow light (yellow fluorescent dyes) include rubrene and perimidone derivatives.
Examples of fluorescent dyes that give red luminescence (red fluorescent dyes) include DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzoates. Examples thereof include thioxanthene derivatives and azabenzothioxanthene.
燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)第7〜11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表第7〜11族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。
錯体の配位子としては、(ヘテロ)アリールピリジン配位子、(ヘテロ)アリールピラゾール配位子などの(ヘテロ)アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、(ヘテロ)アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
As the phosphorescent material, for example, a long-period type periodic table (hereinafter referred to as a long-period type periodic table when referred to as “periodic table” unless otherwise specified) is selected from the seventh to eleventh groups. And an organometallic complex containing a metal.
Preferred examples of the metal selected from
As the ligand of the complex, a ligand in which a (hetero) aryl group such as a (hetero) arylpyridine ligand or a (hetero) arylpyrazole ligand and a pyridine, pyrazole, phenanthroline, or the like is connected is preferable. A pyridine ligand and a phenylpyrazole ligand are preferable. Here, (hetero) aryl represents an aryl group or a heteroaryl group.
燐光発光材料として、具体的には、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム、トリス(2−フェニルピリジン)ルテニウム、トリス(2−フェニルピリジン)パラジウム、ビス(2−フェニルピリジン)白金、トリス(2−フェニルピリジン)オスミウム、トリス(2−フェニルピリジン)レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。 Specific examples of the phosphorescent material include tris (2-phenylpyridine) iridium, tris (2-phenylpyridine) ruthenium, tris (2-phenylpyridine) palladium, bis (2-phenylpyridine) platinum, tris (2- Phenylpyridine) osmium, tris (2-phenylpyridine) rhenium, octaethyl platinum porphyrin, octaphenyl platinum porphyrin, octaethyl palladium porphyrin, octaphenyl palladium porphyrin, and the like.
発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、更に好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、更に好ましくは400以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、あるいはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶剤に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。 The molecular weight of the compound used as the light emitting material is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, still more preferably 3000 or less, and usually 100 or more, Preferably it is 200 or more, More preferably, it is 300 or more, More preferably, it is the range of 400 or more. If the molecular weight of the luminescent material is too small, the heat resistance will be significantly reduced, gas will be generated, the film quality will deteriorate when the film is formed, or the morphology of the organic electroluminescent element will change due to migration, etc. Sometimes come. On the other hand, if the molecular weight of the luminescent material is too large, it tends to be difficult to purify the organic compound, or it may take time to dissolve in the solvent.
なお、上述した発光材料は、いずれか1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。 In addition, only 1 type may be used for the luminescent material mentioned above, and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.
発光層5における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.05重量%以上、通常35重量%以下である。発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。なお、2種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
The ratio of the light emitting material in the
また、発光材料のその他の具体例としては、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体、後述する式(III)で表わされる縮合芳香族環化合物等があげられる。 Other specific examples of the light emitting material include a condensed aromatic ring compound substituted with an arylamino group, a styryl derivative substituted with an arylamino group, a condensed aromatic ring compound represented by the formula (III) described later, and the like Can be given.
アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物としては、国際公開第2006/070712号パンフレットにおいて式(6)〜式(11)で表わされる化合物が好ましい。なお、式(11)における核炭素数が5〜40のアリール基として、国際公開第2006/070712号パンフレットに記載されている例示の他に、ベンゾフェナンスリルも好ましい。 As the condensed aromatic ring compound substituted with an arylamino group, compounds represented by the formulas (6) to (11) in International Publication No. 2006/070712 are preferable. In addition, as an aryl group having 5 to 40 nuclear carbon atoms in the formula (11), benzophenanthryl is also preferable in addition to the examples described in International Publication No. 2006/070712 pamphlet.
アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体としては、国際公開第2006/070712号パンフレットにおいて、式(12)で表わされる化合物が好ましい。 As the styryl derivative substituted with an arylamino group, a compound represented by the formula (12) is preferable in the pamphlet of International Publication No. 2006/070712.
発光材料として、下記式(III)で表わされる縮合芳香族環化合物も好ましい。
式(III)中、Ar10としては、クリセニル基、ナフタセニル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、フルオランテニル基、ベンゾフェナンスリル基、アセナフトフルオランテニル基、フルオレニル基などがあげられる。 In the formula (III), Ar 10 includes a chrycenyl group, a naphthacenyl group, an anthranyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a coronyl group, a fluoranthenyl group, a benzophenanthryl group, an acenaphthofluoranthenyl group, a fluorenyl group, and the like. Can be given.
式(III)中、Rは水素原子、脂環炭化水素基、又は国際公開第2006/070712号パンフレットにおける式(11)のアリール基の置換基として例示された基から選択される。 In the formula (III), R is selected from a hydrogen atom, an alicyclic hydrocarbon group, or a group exemplified as a substituent for the aryl group of the formula (11) in WO 2006/070712 pamphlet.
脂環炭化水素基としては、炭素数5以上炭素数8以下の脂環式炭化水素基が好ましく、具体例としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられる。
また、国際公開第2006/070712号パンフレットにおける式(11)のアリール基の置換基として例示された基の中でも、アルキル基が好ましく、特に3級炭素原子または4級炭素原子を基内に有するアルキル基が好ましく、中でも炭素数4以上炭素数15以下のアルキル基が好ましい。
The alicyclic hydrocarbon group is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 5 or more and 8 or less carbon atoms, and specific examples thereof include a cyclohexyl group and a cyclopentyl group.
Of the groups exemplified as the substituent of the aryl group of the formula (11) in the pamphlet of International Publication No. 2006/070712, an alkyl group is preferable, and an alkyl having a tertiary carbon atom or a quaternary carbon atom is particularly preferable. Group is preferable, and an alkyl group having 4 to 15 carbon atoms is particularly preferable.
その他、青色用の発光材料として以下の化合物を使用することもできる。
なお、青色用の発光材料としては好ましい化合物としては、中心骨格に好ましくは3以上、更に好ましくは4以上、また、好ましくは7以下、更に好ましくは6以下の芳香環核が縮合したアリール基である。その中心骨格としては、クリセニル基、ナフタセニル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、フルオランテニル基、ベンゾフェナンスリル基、アセナフトフルオランテニル基、フルオレニル基等が挙げられる。 A preferable compound as a light emitting material for blue is an aryl group in which a central skeleton is preferably 3 or more, more preferably 4 or more, and preferably 7 or less, more preferably 6 or less, condensed with an aromatic ring nucleus. is there. Examples of the central skeleton include a chrycenyl group, a naphthacenyl group, an anthranyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a coronyl group, a fluoranthenyl group, a benzophenanthryl group, an acenaphthofluoranthenyl group, and a fluorenyl group.
湿式成膜用電荷輸送材料組成物の発光材料は、1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、湿式成膜用電荷輸送材料組成物に対する発光材料は、該組成物を100重量部とすると、通常1重量部以上、また、通常50重量部以下、好ましくは30重量部以下である。この範囲を上回ると、発光効率の低下、駆動寿命の低下、発光スペクトルのブロード化等が生じる可能性がある。また、この範囲を下回ると、発光寿命の低下、駆動寿命の低下、駆動電圧の上昇が生じる可能性がある。
As the light-emitting material of the charge transport material composition for wet film formation, one type may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio.
The light emitting material for the charge transport material composition for wet film formation is usually 1 part by weight or more, usually 50 parts by weight or less, preferably 30 parts by weight or less, assuming that the composition is 100 parts by weight. If it exceeds this range, there is a possibility that the light emission efficiency, the drive life, the emission spectrum becomes broad, and the like. On the other hand, if it falls below this range, there is a possibility that the light emission life, drive life, and drive voltage increase.
<溶剤>
湿式成膜用電荷輸送材料組成物は、さらに溶剤を含有することが好ましい。
ここで溶剤とは、湿式成膜により本発明のアントラセン化合物を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
<Solvent>
The charge transport material composition for wet film formation preferably further contains a solvent.
Here, the solvent is a volatile liquid component used for forming a layer containing the anthracene compound of the present invention by wet film formation.
溶剤は、溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されないが、以下の例が好ましい。
例えば、n−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類;トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル類;等が挙げられる。
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
The solvent is not particularly limited as long as the solute dissolves well, but the following examples are preferable.
For example, alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, and tetralin; halogenated fragrances such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene Group hydrocarbons: 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethyl Aromatic ethers such as anisole and diphenyl ether; aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate; Alicyclic ketones such as Sanone, Cyclooctanone and Fencon; Alicyclic alcohols such as cyclohexanol and cyclooctanol; Aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; Aliphatic alcohols such as butanol and hexanol; Ethylene And aliphatic ethers such as glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA).
Of these, alkanes and aromatic hydrocarbons are preferable. One of these solvents may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.
(沸点)
溶剤の沸点は、通常100℃以上、好ましくは150℃以上、より好ましくは200℃以上である。この範囲を下回ると、湿式成膜時において、湿式成膜用電荷輸送材料組成物からの溶剤蒸発による、成膜安定性の低下する可能性がある。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は通常80℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上、また、通常270℃以下、好ましくは250℃以下、より好ましくは沸点230℃以下である。
(boiling point)
The boiling point of the solvent is usually 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher. Below this range, during wet film formation, film formation stability may decrease due to solvent evaporation from the wet film formation charge transport material composition.
In order to obtain a more uniform film, it is preferable that the solvent evaporates from the liquid film immediately after the film formation at an appropriate rate. For this reason, the boiling point of the solvent is usually 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, and usually 270 ° C. or lower, preferably 250 ° C. or lower, more preferably 230 ° C. or lower.
(使用量)
溶剤の使用量は、湿式成膜用電荷輸送材料組成物100重量部に対して、好ましくは10重量部以上、より好ましくは50重量部以上、特に好ましくは80重量部以上、また、好ましくは99.95重量部以下、より好ましくは99.9重量部以下、特に好ましくは99.8重量部以下である。含有量が10重量部を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、99.95重量部を上回ると、成膜後、溶媒を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。
(amount to use)
The amount of the solvent used is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 50 parts by weight or more, particularly preferably 80 parts by weight or more, and preferably 99 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the charge transport material composition for wet film formation. .95 parts by weight or less, more preferably 99.9 parts by weight or less, and particularly preferably 99.8 parts by weight or less. When the content is less than 10 parts by weight, the viscosity becomes too high, and the film forming workability may be lowered. On the other hand, if the amount exceeds 99.95 parts by weight, the thickness of the film obtained by removing the solvent after film formation cannot be obtained, so that film formation tends to be difficult.
<その他、湿式成膜用電荷輸送材料組成物に含有してよいもの>
湿式成膜用電荷輸送材料組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合物を含有していてもよい。
<Others that may be included in the charge transport material composition for wet film formation>
The charge transport material composition for wet film formation may further contain other compounds in addition to the above-described compounds as necessary.
例えば、上記の溶剤の他に、別の溶剤を含有していてもよい。そのような溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 For example, in addition to the above solvent, another solvent may be contained. Examples of such a solvent include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。 Moreover, you may contain various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, for the purpose of the improvement of film formability.
[4.有機電界発光素子]
本発明はまた、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子であって、上記の湿式成膜用電荷輸送材料または湿式成膜用電荷輸送材料組成物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子に関する。
[4. Organic electroluminescent device]
The present invention also provides an organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic light emitting layer provided between the two electrodes on a substrate, the above-described wet film forming charge transport material or wet film forming charge transport. The present invention relates to an organic electroluminescence device having a layer containing a material composition.
<構成>
図1は、本発明の有機電界発光素子の一例を示す断面模式図である。
図1において、有機電界発光素子10は、基板1上に陽極2、正孔注入層3、正孔輸送層4、発光層(有機発光層)5、正孔阻止層6、電子輸送層7、陰極バッファ層8、陰極9をこの順に積層され形成されている。これらの層のうち、正孔注入層3から陰極バッファ層8(ただし、発光層5を除く)までの層は、必要に応じて全ての層が積層されていても、何れかの層が積層されていなくてもよい。
<Configuration>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the organic electroluminescent element of the present invention.
In FIG. 1, an
また、本発明の有機電界発光素子は、本発明の効果を著しく損なわない限り、図1の構成に限定されず、任意の形状、配置等をとることができる。例えば、基板上に上記の有機発光素子10とは逆順に積層(即ち、陰極側から積層)してもよい。
Moreover, the organic electroluminescent element of this invention is not limited to the structure of FIG. 1 unless the effect of this invention is impaired remarkably, Arbitrary shapes, arrangement | positioning, etc. can be taken. For example, the organic
なお、上記湿式成膜用電荷輸送材料または湿式成膜用電荷輸送材料組成物を含有する層は、発光層5であることが好ましい。
以下、図1を例として、上記の層について詳説する。
The layer containing the wet film forming charge transport material or the wet film forming charge transport material composition is preferably the
Hereinafter, the above layers will be described in detail with reference to FIG.
<基板1>
基板1は、有機電界発光素子10の支持体となるものである。
基板1の材料は、本発明の効果を著しく損なわない制限はないが、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が好ましい。特に、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
<Substrate 1>
The substrate 1 serves as a support for the
The material of the substrate 1 is not limited so as not to significantly impair the effects of the present invention, but is preferably a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film or a sheet. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
なお、基板1として、合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意することが望ましい。基板1のガスバリア性が低すぎると、基板1を通過した外気により、有機電界発光素子10が劣化する場合がある。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に、緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法等を講じることが好ましい。
In addition, when using a synthetic resin board | substrate as the board | substrate 1, it is desirable to pay attention to gas barrier property. If the gas barrier property of the substrate 1 is too low, the
基板1の厚さは制限されないが、通常0.01mm以上、好ましくは0.1mm以上、さらに好ましくは0.2mm以上、また、通常5cm以下、好ましくは2cm以下、さらに好ましくは1cm以下である。 The thickness of the substrate 1 is not limited, but is usually 0.01 mm or more, preferably 0.1 mm or more, more preferably 0.2 mm or more, and usually 5 cm or less, preferably 2 cm or less, more preferably 1 cm or less.
なお、基板1は単一の層からなる構成であってもよいし、複数の層が積層された構成を有していてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。 In addition, the board | substrate 1 may be the structure which consists of a single layer, and may have the structure by which the several layer was laminated | stacked. In the latter case, the plurality of layers may be layers made of the same material or layers made of different materials.
<陽極2>
基板1の上には、陽極2が形成される。
陽極2は、基板1と反対方向の隣接する層への正孔注入の役割を果たすものである。
<
An
The
陽極2の材料は、導電性を有していれば制限はないが、例えば、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等が好ましい。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
The material of the
陽極2を形成する手法は制限されないが、通常はスパッタリング法、真空蒸着法等が用いられる。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極2を形成する場合には、これらを適当なバインダー樹脂溶液に分散させ、基板1上に塗布することにより、陽極2を形成することもできる。
Although the method for forming the
更に、導電性高分子を材料として用いる場合は、電解重合により基板1上に薄膜を直接形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成したりすることもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。
Furthermore, when a conductive polymer is used as a material, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the
なお、図1において、陽極2は単層構造であるが、所望により複数の層が積層された積層構造としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。
更には、陽極2を上述の基板1と一体に形成し、陽極2が基板1を兼ねる構成としてもよい。
In FIG. 1, the
Furthermore, the
陽極2の厚みは、陽極2に求められる透明性により適宜選定される。
陽極2に透明性が求められる場合には、可視光の透過率を通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極2の厚みは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下である。陽極2が薄すぎると、電気抵抗が大きくなる場合がある。また、厚すぎると透明性が低下する。
The thickness of the
When the
一方、陽極2が不透明でよい場合、陽極2の厚みは任意である。
On the other hand, when the
なお、陽極2に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極2の表面に対して、紫外線(UV)処理、オゾン処理をしたり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等のプラズマ処理をしたりすることが好ましい。
For the purpose of removing impurities adhering to the
<正孔注入層3>
陽極2の上には、正孔注入層3が形成することができる。
正孔注入層3は、陽極2の陰極側に隣接する層へ正孔を輸送する層である。
なお、本発明の有機電界発光素子10は、正孔注入層3を省いた構成であってもよい。
<Hole injection layer 3>
A hole injection layer 3 can be formed on the
The hole injection layer 3 is a layer that transports holes to a layer adjacent to the cathode side of the
The
正孔注入層3は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがより好ましい。更には、正孔注入層3中にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に好ましい。 The hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound, and more preferably contains a hole transporting compound and an electron accepting compound. Further, the hole injection layer 3 preferably contains a cation radical compound, and particularly preferably contains a cation radical compound and a hole transporting compound.
正孔注入層3は、必要に応じて、バインダー樹脂や塗布性改良剤を含んでもよい。なお、バインダー樹脂は、電荷のトラップとして作用し難いものが好ましい。 The hole injection layer 3 may contain a binder resin and a coating property improving agent as necessary. The binder resin is preferably one that hardly acts as a charge trap.
また、正孔注入層3は、電子受容性化合物のみを湿式成膜法によって陽極2上に成膜し、その上から直接、電荷輸送材料組成物を塗布、積層することも可能である。この場合、電荷輸送材料組成物の一部が電子受容性化合物と相互作用することによって、正孔注入性に優れた層が形成される。
The hole injection layer 3 can be formed by depositing only the electron-accepting compound on the
(正孔輸送性化合物)
上記の正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。ただし、湿式成膜法に用いる場合には、湿式成膜法に用いる溶媒への溶解性が高い方が好ましい。
(Hole transporting compound)
As said hole transportable compound, the compound which has the ionization potential of 4.5 eV-6.0 eV is preferable. However, when used in the wet film forming method, it is preferable that the solubility in the solvent used in the wet film forming method is high.
正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。 Examples of the hole transporting compound include aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, and the like. Of these, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance.
芳香族アミン化合物の種類は特に制限されず、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよいが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型炭化水素化合物)が好ましい。 The type of the aromatic amine compound is not particularly limited, and may be a low molecular compound or a high molecular compound. From the viewpoint of the surface smoothing effect, the high molecular compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less. (Polymerized hydrocarbon compound in which repeating units are continuous) is preferred.
また、芳香族アミン化合物の中でも、特に、芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 Of the aromatic amine compounds, an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例としては、下記式(i)で表わされる繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
Ara1〜Ara16としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の1価または2価の基が適用可能である。これらの基は各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、これらの基は、更に任意の置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。 As Ar a1 to Ar a16 , any monovalent or divalent group derived from any aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is applicable. These groups may be the same or different from each other. Further, these groups may further have an arbitrary substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less.
Ara1、Ara2としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。 Ar a1 and Ar a2 are preferably monovalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, or a pyridine ring from the viewpoints of solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. More preferred are a phenyl group and a naphthyl group.
また、Ara3〜Ara5としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。 Ar a3 to Ar a5 are preferably divalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, or a phenanthrene ring from the viewpoint of heat resistance and hole injection / transport properties including redox potential. A group, a biphenylene group, and a naphthylene group are more preferable.
一般式(i)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載の化合物が挙げられる。
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。
2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用するのが好ましい。
Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (i) include compounds described in International Publication No. 2005/089024 pamphlet.
The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more.
When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two other hole transporting compounds are used. It is preferable to use the above together.
(電子受容性化合物)
電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
As the electron-accepting compound, a compound having an oxidizing power and an ability to accept one electron from the above-described hole-transporting compound is preferable. Specifically, a compound with an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and a compound with a compound of 5 eV or more is more preferable.
電子受容性化合物の例としては、例えば、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。 Examples of the electron-accepting compound include onium salts substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067). Publication), high valence inorganic compounds such as ammonium peroxodisulfate, cyano compounds such as tetracyanoethylene, aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365), fullerene derivatives, iodine Etc.
上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で、有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物等が好ましい。また、種々の溶剤に可溶で湿式塗布に適用可能である点で、有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物等が好ましい。 Of the above-mentioned compounds, an onium salt substituted with an organic group, a high-valence inorganic compound, and the like are preferable because they have strong oxidizing power. In addition, an onium salt substituted with an organic group, a cyano compound, an aromatic boron compound, or the like is preferable because it is soluble in various solvents and can be applied to wet coating.
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられ、その好適例も同様である。例えば、下記構造式で表わされる化合物が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。
なお、電子受容性化合物は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
In addition, an electron-accepting compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.
(カチオンラジカル化合物)
カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンとからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
(Cation radical compound)
As the cation radical compound, an ionic compound composed of a cation radical which is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound and a counter anion is preferable. However, when the cation radical is derived from a hole transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from the repeating unit of the polymer compound.
カチオンラジカルとしては、正孔輸送性化合物として前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましい。正孔輸送性化合物として好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが、非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、溶解性などの点から好適である。 The cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the compound described above as the hole transporting compound. A chemical species obtained by removing one electron from a compound preferable as a hole transporting compound is preferable in terms of amorphousness, visible light transmittance, heat resistance, solubility, and the like.
ここで、カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなるカチオンイオン化合物が生成する。 Here, the cation radical compound can be generated by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound. That is, by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound, electron transfer occurs from the hole transporting compound to the electron accepting compound, and the cation radical and the counter anion of the hole transporting compound A cation ion compound consisting of
PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12巻,481頁)やエメラルジン塩酸塩(J.Phys.Chem.,1990年,94巻,7716頁)等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合(脱水素重合)することによっても生成する。 Cationic radical compounds derived from polymer compounds such as PEDOT / PSS (Adv. Mater., 2000, 12, 481) and emeraldine hydrochloride (J. Phys. Chem., 1990, 94, 7716) It is also produced by oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization).
ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、または、電気化学的に酸化するものである。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマーが酸化されることにより高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。 The oxidative polymerization referred to here is a method in which a monomer is chemically or electrochemically oxidized using peroxodisulfate or the like in an acidic solution. In the case of this oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), the monomer is polymerized by oxidation, and a cation radical that is removed from the polymer repeating unit by using an anion derived from an acidic solution as a counter anion is removed. Generate.
(正孔注入層3の製造方法)
正孔注入層3は、本発明の効果を著しく損なわない限り、任意の方法で形成することができるが、例えば、湿式成膜法または真空蒸着法により陽極2上に形成される。
(Method for producing hole injection layer 3)
The hole injection layer 3 can be formed by any method as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. For example, the hole injection layer 3 is formed on the
湿式成膜法による層形成の場合、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上の所定量を、必要により電荷のトラップとして作用し難いバインダー樹脂や塗布性改良剤と共に溶剤に溶解させて、まず塗布溶液を調製する。次いで、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式成膜法により陽極上に塗布し、乾燥して、正孔注入層3を形成させることができる。 In the case of layer formation by a wet film formation method, one or more predetermined amounts of each of the above-described materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) act as a charge trap if necessary. First, a coating solution is prepared by dissolving it in a solvent together with a difficult binder resin and coating property improver. Subsequently, the positive hole injection layer 3 can be formed by applying on the anode by a wet film forming method such as spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, and ink jet method, and drying.
湿式成膜法による層形成のために用いられる溶剤としては、前述の各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を溶解することが可能な溶剤であれば、その種類は特に限定されない。なお、正孔注入層に用いられる各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を失活させる可能性のある失活物質または失活物質を発生させる物質を含まないことが好ましい。
好ましい溶剤の具体例としては、前記本発明の湿式成膜用電荷輸送材料組成物に含有される溶剤として例示したものが挙げられ、中でも、芳香族エーテル類、芳香族エステル類、脂肪族エーテル類などのエーテル系溶剤またはエステル系溶剤が好ましい。
As the solvent used for the layer formation by the wet film forming method, any solvent can be used as long as it can dissolve the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound). Is not particularly limited. In addition, the material used for the hole injection layer (a hole transporting compound, an electron accepting compound, a cation radical compound) does not contain a deactivating substance or a substance that generates a deactivating substance that may deactivate the material. Is preferred.
Specific examples of the preferable solvent include those exemplified as the solvent contained in the charge transport material composition for wet film formation according to the present invention, and among them, aromatic ethers, aromatic esters, aliphatic ethers. Ether solvents or ester solvents such as are preferred.
上記塗布溶液中における溶剤の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50%重量以上、また、通常、99.999重量%以下、好ましくは99.99重量%以下、さらに好ましくは99.9重量%以下である。なお、2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにすればよい。 The concentration of the solvent in the coating solution is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and usually 99.999% by weight or less, preferably 99.99% by weight or less. More preferably, it is 99.9% by weight or less. In addition, when using 2 or more types of solvents in mixture, the total of these solvents should just satisfy this range.
真空蒸着法による層形成の場合には、まず、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、次いで、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気する。その後、るつぼを加熱し(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱し)、蒸発量を制御して蒸発させて(2種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させることができる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層形成に用いることもできる。 In the case of layer formation by vacuum deposition, first, one or more of the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) are placed in a crucible placed in a vacuum vessel. Put (into each crucible when two or more materials are used), and then evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump. After that, the crucible is heated (each crucible is heated when two or more materials are used), and the amount of evaporation is controlled and evaporated (when two or more materials are used, the amount of evaporation is controlled independently). Evaporation) and a hole injection layer can be formed on the anode of the substrate placed facing the crucible. In addition, when using 2 or more types of materials, they can also be put into a crucible, can be heated and evaporated, and can be used for hole injection layer formation.
上述のようにして形成される正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。正孔注入層3が薄すぎると、正孔注入性が不十分になる可能性がある。また、厚すぎると、抵抗が高くなる場合がある。 The film thickness of the hole injection layer 3 formed as described above is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. If the hole injection layer 3 is too thin, the hole injection property may be insufficient. Moreover, when it is too thick, resistance may become high.
なお、正孔注入層3は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。 The hole injection layer 3 may have a single layer structure, or may have a structure in which a plurality of layers are stacked. In the latter case, the plurality of layers may be layers made of the same material or layers made of different materials.
<正孔輸送層4>
正孔輸送層4は、正孔注入層3が有る場合には正孔注入層3の上に、正孔注入層3が無い場合には陽極2の上に形成することができる。
正孔輸送層4によって、発光層5へ正孔を輸送し効率良く注入することができる。
なお、本発明の有機電界発光素子10は、正孔輸送層4を省いた構成であってもよい。
<Hole transport layer 4>
The hole transport layer 4 can be formed on the hole injection layer 3 when the hole injection layer 3 is provided, and on the
Holes can be transported and efficiently injected into the light-emitting
The
正孔輸送層4に利用できる材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。
また、多くの場合発光層5に接するため、発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが好ましい。
The material that can be used for the hole transport layer 4 is preferably a material that has high hole transportability and can efficiently transport injected holes. Therefore, it is preferable that the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities that become traps are not easily generated during manufacturing or use.
Further, in many cases, it is in contact with the
このような正孔輸送材料としては、例えば、前述の正孔注入層3に使用される正孔輸送性化合物に加えて、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表わされる2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4’,4’’−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J. Lumin., 72−74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem. Commun.,2175頁、1996年)、2,2’,7,7’−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth. Metals, 91巻、209頁、1997年)、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体等が挙げられる。 Examples of such a hole transport material include 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl in addition to the hole transport compound used for the hole injection layer 3 described above. Aromatic diamines containing two or more tertiary amines typified by amino] biphenyl and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234681), 4, 4 ′, 4 '' -Tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine and other aromatic amine compounds having a starburst structure (J. Lumin., 72-74, 985, 1997), tetraphenylamine tetramer Aromatic amine compounds consisting of (Chem. Commun., 2175, 1996), 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9′-spirobifluorene, etc. Spiro compounds (Synth. Metals, 91, pp. 209 pp., 1997), 4,4'-N, such as a carbazole derivative such as N'- dicarbazole biphenyl.
更には、後述する成膜法により薄膜を形成した後、加熱や光や磁気等の電磁波照射などによって重合する化合物や、任意の複数化合物が予め重合した高分子を利用することも可能である。 Furthermore, after forming a thin film by a film forming method to be described later, it is also possible to use a compound that is polymerized by heating, irradiation with electromagnetic waves such as light or magnetism, or a polymer in which a plurality of arbitrary compounds are polymerized in advance.
このような高分子としては、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym. Adv. Tech., 7巻、33頁、1996年)等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 Examples of such a polymer include polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (JP-A-7-53953), and polyarylene ether sulfone (Polym. Adv. Tech., Vol. 7, p. 33) containing tetraphenylbenzidine. 1996). One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
正孔輸送層4は、例えば、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常の塗布法や、インクジェット法、スクリーン印刷法など各種印刷法等の湿式成膜法や、真空蒸着法などの乾式成膜法で形成することができる。 The hole transport layer 4 is formed by, for example, a normal coating method such as a spray method, a printing method, a spin coating method, a dip coating method, or a die coating method, or a wet film forming method such as various printing methods such as an ink jet method or a screen printing method. It can be formed by a dry film formation method such as a vacuum evaporation method.
塗布法の場合は、正孔輸送材料の1種又は2種以上に、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を混合し、適当な溶剤に溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極2あるいは正孔注入層3上に塗布し、乾燥して正孔輸送層4を形成する。
In the case of the coating method, one or more of the hole transport materials are mixed with additives such as binder resin and coating property improving agent that do not trap holes if necessary and dissolved in a suitable solvent. A solution is prepared, applied onto the
バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、正孔輸送層中の含有量で50重量%以下が好ましい。 Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, and polyester. When the amount of the binder resin added is large, the hole mobility is lowered. Therefore, the smaller amount is desirable, and the content in the hole transport layer is usually preferably 50% by weight or less.
また、真空蒸着法の場合には、例えば正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで減圧した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた、陽極2あるいは正孔注入層3上に正孔輸送層4を形成させることができる。
In the case of the vacuum deposition method, for example, the hole transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, the pressure inside the vacuum vessel is reduced with an appropriate vacuum pump, and then the crucible is heated to form a hole transport material. The hole transport layer 4 can be formed on the
正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般にスピンコート法や真空蒸着法が多く用いられる。 The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less. In order to form such a thin film uniformly, spin coating or vacuum deposition is generally used in many cases.
<発光層5>
発光層5は、正孔輸送層4が有る場合には正孔輸送層4の上に、正孔輸送層4が無くて正孔注入層3が有る場合には正孔注入層3の上に、正孔輸送層4と正孔注入層3が無い場合には陽極2の上に形成される。
発光層5は前述の正孔注入層3や正孔輸送層4、及び後述する正孔阻止層6や電子輸送層7等とは独立した層であってもよいが、独立した発光層5を形成せず、正孔輸送層4や電子輸送層7など他の有機層が発光層の役割を担ってもよい。
<
The
The
発光層5は、電界を与えられた電極間において、陽極2から直接に、又は正孔注入層3や正孔輸送層4等を通じて注入された正孔と、陰極9から直接に、又は陰極バッファ層8や電子輸送層7や正孔阻止層6等を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
なお、発光層5は、本発明の湿式成膜用電荷輸送材料、又は本発明の湿式成膜用電荷輸送材料組成物を用いて形成されることが好ましい。
The light-emitting
In addition, it is preferable that the
発光層5は、本発明の効果を著しく損なわない限り、任意の方法で形成することができるが、例えば、湿式成膜法または真空蒸着法により陽極2上に形成される。ただし、大面積の発光素子10を製造する場合には、湿式成膜法の方が好ましい。湿式成膜法、及び真空蒸着法の方法は、正孔注入層3と同様の方法を用いて行なうことができる。
The
一般に有機電界発光素子においては、同じ材料で比較した場合、電極間の膜厚の薄い方が、実効電界が大きくなって注入される電流が多くなるので、駆動電圧が低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方がよいが、あまりに薄いとITO等の電極に起因する突起により短絡や、隣接する層界面近傍への励起子拡散に起因する消光などが発生する。従って、ある程度の膜厚が必要となる。
したがって、発光層5以外に正孔注入層3や正孔輸送層4、後述する正孔阻止層6や電子輸送層7等の有機層を有する場合、発光層5と他の有機層とを合わせた総膜厚としては、通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、さらに好ましくは100nm以上、また、1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、さらに好ましくは300nm以下である。
In general, in an organic electroluminescent device, when compared with the same material, the thinner the film thickness between the electrodes, the larger the effective electric field and the larger the injected current, so the driving voltage decreases. For this reason, the total film thickness between the electrodes is preferably thin. However, if the film thickness is too thin, shorting due to protrusions due to electrodes such as ITO, quenching due to exciton diffusion near adjacent layer interfaces, and the like occur. Therefore, a certain film thickness is required.
Therefore, when it has organic layers, such as the positive hole injection layer 3 and the positive hole transport layer 4, and the positive
また、発光層5以外の有機層の導電性が高い場合、発光層5に注入される電荷量が増加する。例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層4の膜厚を薄くする等により、総膜厚としてある程度の膜厚を維持しながら駆動電圧を下げることも可能である。斯かる場合、発光層5の膜厚としては、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。
なお、本実施の形態の有機電界発光素子10が、陽極2および陰極9の両極間に、発光層5のみを有する場合の発光層5の膜厚としては、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、また、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。
Further, when the organic layers other than the
In addition, as the film thickness of the
<正孔阻止層6>
正孔阻止層6は、発光層5の上に形成することができる。
正孔阻止層6は、陽極2から注入され移動してくる正孔が陰極9に到達するのを阻止することができ、且つ陰極9から注入された電子を効率よく発光層5に輸送、注入することができる化合物によって形成されることが望ましい。
なお、本発明の有機電界発光素子10は、正孔阻止層6を省いた構成であってもよい。
<
The
The
The
正孔阻止層6に利用できる材料としては、電子移動度が高く、かつ、正孔移動度が低いことが好ましい。また、エネルギーギャップ(HOMO(最高被占軌道;Highest Occupied Molecular Orbital)とLUMO(最低空軌道;Lowest Unoccupied Molecular Orbital)との差)が大きいことや、発光層5中で生成した励起子のエネルギーが正孔阻止層6を形成する材料へ移動しないことや、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないこと等がさらに好ましい。
A material that can be used for the
このような条件を満たす正孔阻止層用の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報);バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報);2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物(国際公開第2005/022962号パンフレット);等が挙げられる。
これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
Examples of the material for the hole blocking layer satisfying such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum. Mixed ligand complexes such as, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc. Of styryl compounds (JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole 7-41759); phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297); Position is a compound having at least one pyridine ring substituted (WO 2005/022962 pamphlet); and the like.
One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
正孔阻止層6の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。正孔阻止層6は、正孔注入層3から発光層5までの各層と同様の方法で形成することができ、湿式成膜法、真空蒸着法等を用いることができる。
The thickness of the
<電子輸送層7>
電子輸送層7は、正孔阻止層6が有る場合には正孔阻止層6の上に、正孔阻止層が無い場合には発光層5の上に形成することができる。
電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極6から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物によって形成されることが望ましい。
なお、本発明の有機電界発光素子10は、電子輸送層7を省いた構成であってもよい。
<
The
The
The
電子輸送層7に利用できる電子輸送性化合物としては、陰極9または陰極バッファ層8からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが好ましい。
As an electron transporting compound that can be used for the
このような条件を満たす電子輸送性化合物としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−または5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラセンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛等が挙げられる。
これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
As an electron transporting compound satisfying such conditions, a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline (JP 59-194393 A), a metal complex of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole Derivatives, distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3- or 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds (special (Kaihei 6-207169), phenanthroline derivatives (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthracenediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, Examples include n-type zinc sulfide and n-type zinc selenide.
One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
電子輸送層7の膜厚は、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。電子輸送層7は、正孔注入層3から正孔阻止層6までの各層と同様の方法で形成することができ、例えば、湿式成膜法、又は真空蒸着法により形成することができる。中でも真空蒸着法が好ましい。
The film thickness of the
<陰極バッファ層8>
陰極バッファ層8は、電子輸送層7が有る場合には電子輸送層7の上に、電子輸送層7が無くて正孔阻止層6が有る場合には正孔阻止層6の上に、電子輸送層7と正孔阻止層6が無い場合には発光層5の上に形成することができる。
陰極バッファ層8は、陰極9から注入された電子を効率よく隣接する有機層へ注入する層である。
なお、本発明の有機電界発光素子10は、陰極バッファ層8を省いた構成であってもよい。
<Cathode buffer layer 8>
The cathode buffer layer 8 is formed on the
The cathode buffer layer 8 is a layer that efficiently injects electrons injected from the cathode 9 into an adjacent organic layer.
The
陰極バッファ層8に利用できる材料としては、仕事関数の低い金属を使用することが好ましい。有機層へ電子注入を効率よく行うためである。
具体的には、例えば、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。また、LiF、MgF2、Li2O、Cs2CO3等の金属塩を利用することもできる(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEETrans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest,154頁)。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
As a material that can be used for the cathode buffer layer 8, it is preferable to use a metal having a low work function. This is because electrons are efficiently injected into the organic layer.
Specifically, for example, alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium are used. Further, LiF, MgF 2, Li 2 O, may also be used a metal salt such as Cs 2 CO 3 (Appl.Phys.Lett, 70 vol, 152 pp., 1997;. Hei 10-74586 JP; IEEE Trans. Electron. Devices, 44, 1245, 1997; SID 04 Digest, 154). One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
陰極バッファ層8の膜厚としては、通常0.01nm以上、好ましくは0.1nm以上で、通常は10nm以下、より好ましくは5nm以下である。 The thickness of the cathode buffer layer 8 is usually 0.01 nm or more, preferably 0.1 nm or more, usually 10 nm or less, more preferably 5 nm or less.
陰極バッファ層8は、前述の正孔注入層3から電子輸送層7までの各層と同様の方法で形成することができ、例えば、湿式成膜法、又は真空蒸着法により形成することができる。
真空蒸着法の場合には、例えば、真空容器内に設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで減圧する。その後、るつぼ又は金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板上に陰極バッファ層8を形成することができる。
The cathode buffer layer 8 can be formed by the same method as each of the layers from the hole injection layer 3 to the
In the case of the vacuum deposition method, for example, a deposition source is put in a crucible or a metal boat installed in the vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is depressurized by a suitable vacuum pump. Thereafter, the crucible or metal boat is heated and evaporated to form the cathode buffer layer 8 on the substrate placed facing the crucible or metal boat.
アルカリ金属の蒸着は、例えばクロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行うことができる。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで減圧する。その後、各々のるつぼ及びディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板上に陰極バッファ層8を形成することができる。このとき、陰極バッファ層8の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があってもよい。 The alkali metal can be deposited using, for example, an alkali metal dispenser in which nichrome is filled with an alkali metal chromate and a reducing agent. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced and the alkali metal is evaporated. When the organic electron transport material and the alkali metal are co-evaporated, the organic electron transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is depressurized with a suitable vacuum pump. Thereafter, each crucible and dispenser can be simultaneously heated and evaporated to form a cathode buffer layer 8 on the substrate placed facing the crucible and dispenser. At this time, co-evaporation is uniformly performed in the film thickness direction of the cathode buffer layer 8, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction.
<陰極9>
陰極9は、陰極バッファ層8が有る場合には陰極バッファ層8の上に、陰極バッファ層8が無くて電子輸送層7が有る場合には電子輸送層7の上に、陰極バッファ層8と電子輸送層7が無くて正孔阻止層6が有る場合には正孔阻止層6の上に、陰極バッファ層8と電子輸送層7と正孔阻止層6とが無い場合には発光層5の上に形成される。
陰極9は、隣接する陽極側の層(陰極バッファ層8、電子輸送層7等)に電子を注入する役割を果たす。
<Cathode 9>
The cathode 9 is formed on the cathode buffer layer 8 when the cathode buffer layer 8 is provided, and on the
The cathode 9 serves to inject electrons into adjacent anode-side layers (cathode buffer layer 8,
陰極9の形成には、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能である。効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又はそれらの合金が用いられる。
低仕事関数合金電極を形成する素材の具体例としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等が挙げられる。
The material used for the
Specific examples of the material for forming the low work function alloy electrode include aluminum, magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.
陰極9の膜厚は、通常は陽極2と同様であるが、低仕事関数金属からなる陰極を保護する目的で、陰極9の上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することができる。この目的に適した金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。
The thickness of the cathode 9 is usually the same as that of the
<その他の構成層>
以上、図1に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子は、陽極2及び陰極9と、発光層5との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよい。また、発光層の役割を担う最低一層の有機層以外の任意の層を省略してもよい。
<Other constituent layers>
As mentioned above, although it demonstrated centering on the element of the layer structure shown in FIG. 1, the organic electroluminescent element of this invention is between the
また、正孔阻止層6と同様の目的で、発光層5の陽極側に隣接する形で電子阻止層を設けることも可能である。電子阻止層は、発光層5から移動してくる電子が正孔注入層3あるいは正孔輸送層4に到達するのを阻止することで、発光層5内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層5内に閉じこめる役割と、陽極側の層から注入された正孔を効率よく発光層5に注入する役割とがある。
Further, for the same purpose as the
更には、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。この場合、段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV2O5等を電荷発生層(CGL)として用いると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 Furthermore, it is possible to adopt a structure in which a plurality of layers shown in FIG. 1 are stacked (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked). In this case, if V 2 O 5 or the like is used as the charge generation layer (CGL) instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (two layers when the anode is ITO and the cathode is Al), the step This is more preferable from the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.
本発明の有機電界発光素子は、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
また、本発明の有機電界発光素子において、透明陰極を用いることにより、上方より(基板1とは反対側の面より)発光を取り出す、トップエミッション型の素子として形成することも可能である。
The organic electroluminescent element of the present invention can be applied to any of a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure in which an anode and a cathode are arranged in an XY matrix.
Moreover, in the organic electroluminescent element of the present invention, by using a transparent cathode, it is possible to form a top emission type element that takes out light emission from above (from the surface opposite to the substrate 1).
<本発明の有機電界発光素子の利点>
本発明有機電界発光素子は、高効率な発光素子であり、耐久性が高く、長寿命な有機電界発光素子が得られる。
<Advantages of the organic electroluminescence device of the present invention>
The organic electroluminescent element of the present invention is a highly efficient light emitting element, and an organic electroluminescent element having high durability and a long lifetime can be obtained.
[5.有機ELディスプレイ]
次に、本発明の有機ELディスプレイは、上述した本発明の有機電界発光素子を表示にかかる構成に有するディスプレイである。
本発明の有機ELディスプレイは、少なくとも基板上に積層された有機電界発光素子を有し、有機電界発光素子として、上述した本発明の有機電界発光素子を使用することにより、例えば「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような有機ELディスプレイ(有機ELディスプレイ)を形成することができる。
[5. Organic EL display]
Next, the organic EL display of the present invention is a display having the above-described organic electroluminescent element of the present invention in a configuration for display.
The organic EL display of the present invention has at least an organic electroluminescent element laminated on a substrate. By using the above-described organic electroluminescent element of the present invention as the organic electroluminescent element, for example, “organic EL display” It is possible to form an organic EL display (organic EL display) as described in (Ohm Co., issued on August 20, 2004, by Shizushi Tokito, Chiba Adachi, and Hideyuki Murata).
[6.本発明の利点]
本発明によれば、新規のアントラセン化合物を提供できる。該化合物は、溶剤に対する溶解性が高く、また、耐熱性、溶剤に対する溶解性、電気化学的安定性、大気中における安定性の全てにおいて優れている。そのため、湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に好適であり、湿式成膜用電荷輸送材料として好適に用いられる。
また、該化合物を用いて湿式成膜法有機層を製造すると、有機電界発光素子は高効率、長寿命な有機電界発光素子が得られる。
[6. Advantages of the present invention]
According to the present invention, a novel anthracene compound can be provided. The compound has high solubility in a solvent, and is excellent in all of heat resistance, solubility in a solvent, electrochemical stability, and stability in the atmosphere. Therefore, it is suitable for an organic layer of an organic electroluminescence device formed by a wet film formation method, and is suitably used as a charge transport material for wet film formation.
Further, when a wet film-forming organic layer is produced using the compound, an organic electroluminescent element having a high efficiency and a long lifetime can be obtained.
以下、本発明について、実施例を用いてさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、特に断りがない限り、以下の記載において部とは重量部のことを指す。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail using an Example, this invention is not limited to a following example, unless it deviates from the summary. In addition, unless otherwise indicated, in the following description, a part refers to a weight part.
[測定・評価方法]
(溶剤に対する溶解度の評価方法)
内容量2mL〜10mLのガラス製サンプル瓶に、溶質Xg(通常3〜10mgの範囲)、溶剤(例えばトルエン)Ygを投入し、該サンプル瓶の蓋を閉じた後、撹拌、超音波照射あるいは加熱処理し、極力溶解を促進する。その後、室温(通常、10〜30℃)下、10時間以上静置したとき、目視あるいは顕微鏡観察により、析出物、懸濁あるいは層分離が確認されなかった場合、溶解度は(X/(X+Y)×100)%以上であり、析出物が確認された場合、溶解度は(X/(X+Y)×100)%未満であると判定した。
[Measurement and evaluation method]
(Method for evaluating solubility in solvents)
Into a glass sample bottle having an internal volume of 2 mL to 10 mL, solute Xg (usually in the range of 3 to 10 mg) and solvent (for example, toluene) Yg are charged, and after closing the lid of the sample bottle, stirring, ultrasonic irradiation or heating Treat and promote dissolution as much as possible. Thereafter, when the precipitate, suspension or layer separation was not confirmed by visual observation or microscopic observation when allowed to stand at room temperature (usually 10 to 30 ° C.) for 10 hours or more, the solubility was (X / (X + Y) When the precipitate was confirmed, the solubility was determined to be less than (X / (X + Y) × 100)%.
[実施例1]
式(I)で表わされるアントラセン化合物の一種を合成した。合成は、1,3,5−トリブロモベンゼンを出発物質として、目的物4の化合物(式(I)で表わされるアントラセン化合物に相当する。)を得る多段階反応を行なった。
[Example 1]
A kind of anthracene compound represented by the formula (I) was synthesized. The synthesis was performed by a multi-step reaction using 1,3,5-tribromobenzene as a starting material to obtain the target compound 4 (corresponding to the anthracene compound represented by the formula (I)).
(出発物質から目的物1への反応)
以下の式は、該多段階反応の前半に当たる、目的物3までの合成経路を表わしたものである。以下、各反応段階での実施内容について説明する。
The following formula represents a synthetic route to the target product 3 corresponding to the first half of the multi-step reaction. Hereinafter, the implementation content in each reaction stage is demonstrated.
窒素気流中、1,3,5−トリブロモベンゼン(25.18g)、2−ナフチルボロン酸(10.32g)、トルエン(160mL)、及びエタノール(80mL)の混合溶液を調製した。そこに、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0)(2.77g)を混合し、次いで、炭酸ナトリウム(25.44g)と水(40mL)との混合溶液を混合し、加熱還流下、5時間撹拌した。 In a nitrogen stream, a mixed solution of 1,3,5-tribromobenzene (25.18 g), 2-naphthylboronic acid (10.32 g), toluene (160 mL), and ethanol (80 mL) was prepared. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (2.77 g) was mixed therewith, and then a mixed solution of sodium carbonate (25.44 g) and water (40 mL) was mixed. Stir for hours.
撹拌後、ろ過を行い、不溶成分を除去後、濃縮してから、メタノール中での懸濁洗浄およびシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン溶媒)で精製し、目的物1(12.8g)を得た。 After stirring, the mixture is filtered to remove insoluble components and concentrated, and then purified by suspension washing in methanol and silica gel column chromatography (n-hexane solvent) to obtain the desired product 1 (12.8 g). It was.
(目的物1から目的物2への反応)
窒素気流中、トルエン(45mL:上記の合成経路では「Toluene」と表わす。)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.155g:上記の合成経路では「Pd2(dba)3CHCl3」と表わす。)、及び1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン(0.163g:上記の合成経路では「dppf」と表わす。)を混合し、室温で、20分間撹拌した。
(Reaction from target 1 to target 2)
In a nitrogen stream, toluene (45 mL: represented as “Toluene” in the above synthesis route), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.155 g: “Pd 2 (dba) in the above synthesis route) . 3 represents the CHCl 3 "), and 1,1'-bis (diphenylphosphino) ferrocene (0.163 g:. in the above synthetic route represented as" dppf ") were mixed, at room temperature and stirred for 20 minutes .
そこに、目的物1(5.431g)、ジフェニルアミン(2.538g)、及びtert−ブトキシナトリウム(1.730g:上記の合成経路では「NaOtBu」と表わす。)を順次混合し、115℃の油浴中、9時間撹拌した。 The target product 1 (5.431 g), diphenylamine (2.538 g), and tert-butoxy sodium (1.730 g: represented by “NaOtBu” in the above synthesis route) were mixed in that order, and an oil at 115 ° C. was mixed. Stir in the bath for 9 hours.
撹拌後、食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、得られた固形分を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン=9/1混合溶媒)で精製し、目的物2(2.79g)を得た。 After stirring, washing with brine, drying over anhydrous magnesium sulfate, filtration and concentration, the resulting solid was purified by silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride = 9/1 mixed solvent). Product 2 (2.79 g) was obtained.
(目的物2から目的物3への反応)
窒素気流中、目的物2(2.79g)、ビス(ピナコラート)ジボラン(2.05g)、[1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II),ジクロロメタン錯体(1:1)(0.0354g:上記の合成経路では「PdCl2(dppf)CH2Cl2」と表わす。)、酢酸カリウム(2.07g:上記の合成経路では「KOAc」と表わす。)、及び脱水ジメチルスルホキシド(40mL:上記の合成経路では「DMSO」と表わす。)を混合し、80℃で、5.3時間撹拌した。
(Reaction from
In a nitrogen stream, the target compound 2 (2.79 g), bis (pinacolato) diborane (2.05 g), [1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene] dichloropalladium (II), dichloromethane complex (1: 1 ) (0.0354 g: represented as “PdCl 2 (dppf) CH 2 Cl 2 ” in the above synthesis route), potassium acetate (2.07 g: represented as “KOAc” in the above synthesis route), and dehydrated dimethyl Sulfoxide (40 mL: represented as “DMSO” in the above synthetic route) was mixed and stirred at 80 ° C. for 5.3 hours.
撹拌後、ろ過により不溶成分を除去後、濃縮してから、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物3(1.43g)を得た。 After stirring, the insoluble component was removed by filtration, and the filtrate was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain the intended product 3 (1.43 g).
(目的物3から目的物4への反応)
以下の式は、該多段階反応の後半に当たる、目的物4までの合成経路を表わしたものである。以下、各反応段階での実施内容について説明する。
The following formula represents a synthetic route to the target product 4 corresponding to the latter half of the multi-step reaction. Hereinafter, the implementation content in each reaction stage is demonstrated.
窒素気流中、目的物3(1.426g)、9−ブロモ−10−(2−ナフチル)アントラセン(1.154g)、トルエン(20mL:上記の合成経路では「Toluene」と表わす。)、及び1,2−ジメトキシエタン(20ml:上記の合成経路では「DME」と表わす。)を混合して混合溶液を調製した。
そこに、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0)(0.265g:上記の合成経路では「Pd(PPh3)4」と表わす。)を混合し、次いで、リン酸三カリウム(2.433g)と水(40mL)の混合溶液(上記の合成経路では「2M K3PO4aq.」と表わす。)を混合し、加熱還流下、11時間撹拌した。
In a nitrogen stream, the target compound 3 (1.426 g), 9-bromo-10- (2-naphthyl) anthracene (1.154 g), toluene (20 mL: represented as “Toluene” in the above synthesis route), and 1 , 2-dimethoxyethane (20 ml: represented by “DME” in the above synthesis route) was mixed to prepare a mixed solution.
Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (0.265 g: represented by “Pd (PPh 3 ) 4 ” in the above synthesis route) was mixed therewith, and then tripotassium phosphate (2.433 g). ) And water (40 mL) (represented as “2M K 3 PO 4aq. ” In the above synthesis route) were mixed, and the mixture was stirred for 11 hours while heating under reflux.
撹拌後、食塩水、及び1規定の塩酸水溶液で洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、ろ過、濃縮した。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン=3/1混合溶媒)で精製し、さらに塩化メチレン/酢酸エチル/エタノール混合溶媒を用いて再結晶、高真空下における昇華精製(最高加熱温度350℃)により精製し、目的物4(1.08g)を得た。 After stirring, the mixture was washed with brine and 1N aqueous hydrochloric acid solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and concentrated. Next, it is purified by silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride = 3/1 mixed solvent), recrystallized using a mixed solvent of methylene chloride / ethyl acetate / ethanol, and purified by sublimation (highest heating). The product was purified at a temperature of 350 ° C. to obtain the desired product 4 (1.08 g).
(目的物4の物性)
得られた目的物4に、DEI−MS(Desorption electron ionization mass spectrum:脱離電子イオン化法マススペクトル法)を行なった結果、m/z=673(M+)が得られた。
(Physical properties of target 4)
As a result of performing DEI-MS (Desorption electron ionization mass spectrum) on the obtained target product 4, m / z = 673 (M +) was obtained.
また、目的物4のガラス転移点は136℃、結晶化温度および融点は観測されず、重量減少開始温度は559℃であった。
室温下、トルエンに対する溶解度は7重量%以上であった。
Further, the glass transition point of the target product 4 was 136 ° C., the crystallization temperature and the melting point were not observed, and the weight reduction starting temperature was 559 ° C.
At room temperature, the solubility in toluene was 7% by weight or more.
[実施例2]
式(I)で表わされるアントラセン化合物の一種を合成した。合成は、4−フェノキシアニリンを出発物質として、目的物7の化合物(式(I)で表わされるアントラセン化合物に相当する。)を得る多段階反応を行なった。
[Example 2]
A kind of anthracene compound represented by the formula (I) was synthesized. The synthesis was carried out by a multi-step reaction using 4-phenoxyaniline as a starting material to obtain the target compound 7 (corresponding to an anthracene compound represented by the formula (I)).
(出発物質から目的物5への反応)
以下の式は、該多段階反応の前半に当たる、目的物6までの合成経路を表わしたものである。以下、各反応段階での実施内容について説明する。
The following formula represents a synthetic route to the
窒素気流中、脱水トルエン(100mL)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.816g)、及び1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン(0.88g)を混合し、50℃で、20分間撹拌した。 In a nitrogen stream, dehydrated toluene (100 mL), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.816 g), and 1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene (0.88 g) were mixed. And stirred at 50 ° C. for 20 minutes.
そこに、4−フェノキシアニリン(14.60g)、ブロモベンゼン(12.99g)、tert−ブトキシナトリウム(9.09g)を順次混合し、115℃の油浴中、7.3時間撹拌した。 4-phenoxyaniline (14.60 g), bromobenzene (12.99 g), and tert-butoxy sodium (9.09 g) were sequentially mixed there and stirred in an oil bath at 115 ° C. for 7.3 hours.
撹拌後、ろ過により不溶成分を除去した後、濃縮した。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン混合溶媒)で精製し、さらに塩化メチレン/メタノール混合溶媒を用いて再沈殿で精製し、目的物5(15.5g)を得た。 After stirring, the insoluble component was removed by filtration and then concentrated. Next, the product was purified by silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride mixed solvent), and further purified by reprecipitation using a methylene chloride / methanol mixed solvent to obtain Target 5 (15.5 g).
(目的物5から目的物6への反応)
窒素気流中、トルエン(25mL:上記の合成経路では「Toluene」と表わす。)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.086g:上記の合成経路では「Pd2(dba)3CHCl3」と表わす。)、及び1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン(0.09g:上記の合成経路では「dppf」と表わす。)を混合し、50℃で、20分間撹拌した。
(Reaction from
In a nitrogen stream, toluene (25 mL: represented as “Toluene” in the above synthesis route), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.086 g: “Pd 2 (dba) in the above synthesis route) 3 CHCl 3 ”) and 1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene (0.09 g: represented as“ dppf ”in the above synthesis route) and mixed at 50 ° C. for 20 minutes. did.
そこに、目的物5(2.17g)、目的物1(3.01g)、tert−ブトキシナトリウム(0.96g:上記の合成経路では「NaOtBu」と表わす。)を順次混合し、115℃の油浴中、5時間撹拌した。 Thereto, target product 5 (2.17 g), target product 1 (3.01 g), tert-butoxy sodium (0.96 g: represented as “NaOtBu” in the above synthesis route) were sequentially mixed. Stir in an oil bath for 5 hours.
撹拌後、ろ過により不溶成分を除去した後、濃縮した。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン=9/1混合溶媒)で精製し、さらに塩化メチレン/メタノール混合溶媒を用いて再沈殿した後、メタノール/水混合溶媒中での懸濁洗浄で精製し、目的物6(1.965g)を得た。 After stirring, the insoluble component was removed by filtration and then concentrated. Next, it is purified by silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride = 9/1 mixed solvent), re-precipitated using a mixed solvent of methylene chloride / methanol, and then suspended in a mixed solvent of methanol / water. Purification by washing yielded the desired product 6 (1.965 g).
(目的物6から目的物7への反応)
以下の式は、該多段階反応の後半に当たる、目的物7までの合成経路を表わしたものである。以下、各反応段階での実施内容について説明する。
The following formula represents a synthetic route to the
窒素気流中、目的物6(1.965g)、10−(2−ナフチル)アントラセン−9−ボロン酸(1.640g)、トルエン(28mL:上記の合成経路では「Toluene」と表わす。)、及びエタノール(14mL:上記の合成経路では「EtOH」と表わす。)を混合して混合溶液を調製した。 In a nitrogen stream, the target product 6 (1.965 g), 10- (2-naphthyl) anthracene-9-boronic acid (1.640 g), toluene (28 mL: represented as “Toluene” in the above synthesis route), and Ethanol (14 mL: represented as “EtOH” in the above synthesis route) was mixed to prepare a mixed solution.
そこに、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0)(0.335g:上記の合成経路では「Pd(PPh3)4」と表わす。)、リン酸三カリウム(3.08g)と水(7mL)の混合溶液(上記の合成経路では「2M K3PO4aq.」と表わす。)を順次混合し、加熱還流下、3.3時間撹拌した。 There, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (0.335 g: represented as “Pd (PPh 3 ) 4 ” in the above synthesis route), tripotassium phosphate (3.08 g) and water (7 mL) ) Solution (represented as “2M K 3 PO 4aq. ” In the above synthesis route) was sequentially mixed and stirred for 3.3 hours while heating under reflux.
撹拌後、食塩水、及び1規定の塩酸水溶液で洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、ろ過、濃縮した。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン=3/1混合溶媒)で精製し、さらに高真空下における昇華精製(最高加熱温度390℃)により精製し、目的物7(2.27g)を得た。 After stirring, the mixture was washed with brine and 1N aqueous hydrochloric acid solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and concentrated. Next, the product was purified by silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride = 3/1 mixed solvent), and further purified by sublimation purification (maximum heating temperature 390 ° C.) under high vacuum to obtain the intended product 7 (2.27 g). )
(目的物7の物性)
得られた目的物7に、DEI−MSを行なった結果、m/z=765(M+)が得られた。
(Physical properties of target 7)
As a result of performing DEI-MS on the obtained
また、目的物7のガラス転移点は122℃、結晶化温度および融点は観測されず、重量減少開始温度は499℃であった。
室温下、トルエンに対する溶解度は、5重量%以上であった。
Moreover, the glass transition point of the
At room temperature, the solubility in toluene was 5% by weight or more.
[実施例3]
式(I)で表わされるアントラセン化合物の一種を合成した。合成は、10−(2−ナフチル)アントラセン−9−ボロン酸を出発物質として目的物8を得る反応段階と、アニリン及び4−ブロモビフェニルを出発物質として目的物9を得る反応段階と、目的物8及び目的物9を出発物質として目的物10(式(I)で表わされるアントラセン化合物に相当する。)とを得る反応段階を有してなる、多段階反応を行なった。
[Example 3]
A kind of anthracene compound represented by the formula (I) was synthesized. The synthesis includes a reaction stage in which 10- (2-naphthyl) anthracene-9-boronic acid is used as a starting material to obtain the target product 8, a reaction stage in which aniline and 4-bromobiphenyl are used as starting materials, and a reaction stage in which the target product 9 is obtained. A multi-stage reaction comprising a reaction stage to obtain the target product 10 (corresponding to the anthracene compound represented by the formula (I)) using 8 and the target product 9 as starting materials was performed.
(出発物質から目的物8への反応)
以下の式は、該多段階反応の一部にあたる、10−(2−ナフチル)アントラセン−9−ボロン酸を出発物質として目的物8を得るまでの合成経路を表わしたものである。以下、各反応段階での実施内容について説明する。
The following formula represents a synthetic route for obtaining target product 8 using 10- (2-naphthyl) anthracene-9-boronic acid as a starting material, which is a part of the multistep reaction. Hereinafter, the implementation content in each reaction stage is demonstrated.
窒素気流中、10−(2−ナフチル)アントラセン−9−ボロン酸(3.0g)、目的物1(5.3g)、トルエン(110mL:上記の合成経路では「Toluene」と表わす。)、エタノール(55mL:上記の合成経路では「EtOH」と表わす。)を混合して混合溶液を調製した。 In a nitrogen stream, 10- (2-naphthyl) anthracene-9-boronic acid (3.0 g), target 1 (5.3 g), toluene (110 mL: represented as “Toluene” in the above synthesis route), ethanol (55 mL: represented as “EtOH” in the above synthesis route) was mixed to prepare a mixed solution.
そこに、炭酸ナトリウム(20g)と水(100mL)との混合溶液(上記の合成経路では「2M Na2CO3aq.」と表わす。)、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0)(0.51g:上記の合成経路では「Pd(PPh3)4」と表わす。)を順次混合し、加熱還流下、2時間撹拌した。 A mixed solution of sodium carbonate (20 g) and water (100 mL) (referred to as “2M Na 2 CO 3aq. ” In the above synthesis route), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (0. 51 g: “Pd (PPh 3 ) 4 ” in the above synthesis route) was sequentially mixed, and stirred for 2 hours under heating and reflux.
撹拌後、冷却後晶析した固形分を濾取した(これを以下、「結晶A」と呼ぶ。)。濾液を分液後、有機層を水で洗浄し、得られた溶液を濃縮して得られた固形物をエタノールで懸洗し、結晶を得た(これを以下、「結晶B」と呼ぶ。)。
結晶Aと結晶Bとを合わせて、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン85/15)により精製し、濃縮と乾燥の後、目的物9(3.4g)を得た。
After stirring, the solid content crystallized after cooling was collected by filtration (hereinafter referred to as “crystal A”). After the filtrate was separated, the organic layer was washed with water, and the solid obtained by concentrating the obtained solution was washed with ethanol to obtain crystals (hereinafter referred to as “crystal B”). ).
The crystals A and B were combined and purified by silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride 85/15), and after concentration and drying, the desired product 9 (3.4 g) was obtained.
(出発物質から目的物9への反応)
以下の式は、該多段階反応の一部にあたる、アニリン及び4−ブロモビフェニルを出発物質として目的物9を得るまでの合成経路を表わしたものである。以下、各反応段階での実施内容について説明する。
The following formula represents a synthetic route for obtaining the target product 9 using aniline and 4-bromobiphenyl as starting materials, which is a part of the multistage reaction. Hereinafter, the implementation content in each reaction stage is demonstrated.
窒素気流中、脱水トルエン(5mL:上記の合成経路では「Toluene」と表わす。)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.21g:上記の合成経路では「Pd2(dba)3CHCl3」と表わす。)、及び1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン(0.45g:上記の合成経路では「dppf」と表わす。)を混合し、60℃で7分間撹拌した。これをA液とした。 In a nitrogen stream, dehydrated toluene (5 mL: expressed as “Toluene” in the above synthesis route), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.21 g: “Pd 2 (dba in the above synthesis route) ) 3 CHCl 3 )), and 1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene (0.45 g: represented as “dppf” in the above synthetic route) and mixed at 60 ° C. for 7 minutes. did. This was designated as liquid A.
次に、窒素気流中、脱水トルエン(205mL:上記の合成経路では「Toluene」と表わす。)、アニリン(11g)、4−ブロモビフェニル(25g)、及びtert−ブトキシナトリウム(14.4g:上記の合成経路では「NaOtBu」と表わす。)を混合し、混合液を調製した。これに上記のA液を加え、100℃の油浴中、4時間撹拌した。 Next, in a nitrogen stream, dehydrated toluene (205 mL: represented as “Toluene” in the above synthesis route), aniline (11 g), 4-bromobiphenyl (25 g), and tert-butoxy sodium (14.4 g: In the synthesis route, it is expressed as “NaOtBu”) to prepare a mixed solution. The above solution A was added thereto and stirred in an oil bath at 100 ° C. for 4 hours.
撹拌後、ろ過により、不溶成分を除去後、濃縮し、メタノール(200mL)を加えて結晶を析出させ懸濁液を得た。その懸濁液を加熱還流後、室温に冷却し生じた結晶を濾取し乾燥し、目的物9(16.9g)を得た。 After stirring, the insoluble component was removed by filtration, followed by concentration, and methanol (200 mL) was added to precipitate crystals to obtain a suspension. The suspension was heated to reflux, cooled to room temperature, and the resulting crystals were collected by filtration and dried to give the intended product 9 (16.9 g).
(目的物8及び目的物9から目的物10への反応)
以下の式は、該多段階反応の一部にあたる、目的物8及び目的物9を出発物質として目的物10(式(I)で表わされるアントラセン化合物に相当する。)を得るまでの合成経路を表わしたものである。以下、各反応段階での実施内容について説明する。
The following formula represents a synthetic route for obtaining the target product 10 (corresponding to the anthracene compound represented by the formula (I)) using the target product 8 and target product 9 as starting materials, which is a part of the multi-step reaction. It is a representation. Hereinafter, the implementation content in each reaction stage is demonstrated.
窒素気流中、脱水トルエン(15mL:上記の合成経路では「Toluene」と表わす。)に、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)錯体(0.69g:上記の合成経路では「Pd2(dba)3」と表わす。)、トリt−ブチルフォスフィン(0.15g:上記の合成経路では「ttBP」と表わす。)を加え、60℃で10分間撹拌した。これをB液とした。 In a nitrogen stream, dehydrated toluene (15 mL: represented as “Toluene” in the above synthesis route) and tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) complex (0.69 g: “Pd 2 (dba in the above synthesis route) 3 ) ”and tri-t-butylphosphine (0.15 g: represented as“ ttBP ”in the above synthesis route) were added and stirred at 60 ° C. for 10 minutes. This was designated as solution B.
次に、窒素気流中、脱水トルエン(72ml:上記の合成経路では「Toluene」と表わす。)、目的物8(1.77g)、目的物9(0.81g)、及びtert−ブトキシナトリウム(1.74g:上記の合成経路では「NaOtBu」と表わす。)を混合し、混合液を調製した。これに上記のB液を加え、100℃の油浴中、4時間撹拌した。 Next, in a nitrogen stream, dehydrated toluene (72 ml: represented as “Toluene” in the above synthesis route), target product 8 (1.77 g), target product 9 (0.81 g), and tert-butoxy sodium (1 .74 g: represented by “NaOtBu” in the above synthesis route) to prepare a mixed solution. The above solution B was added thereto and stirred in an oil bath at 100 ° C. for 4 hours.
撹拌後、ろ過により、不溶成分を除去後、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン=5/1混合溶媒)で精製し、さらに高真空下における昇華精製(最高加熱温度390℃)により精製して、目的物10(1.2g)を得た。 After stirring, the insoluble component is removed by filtration and then concentrated, purified by silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride = 5/1 mixed solvent), and further purified by sublimation under high vacuum (maximum heating temperature 390 ° C. The target product 10 (1.2 g) was obtained.
(目的物7の物性)
得られた目的物10に、DEI−MSを行なった結果、m/z=749(M+)が得られた。
(Physical properties of target 7)
As a result of performing DEI-MS on the obtained
また、目的物10のガラス転移点は136℃、結晶化温度および融点は観測されず、重量減少開始温度は499℃であった。
室温下、トルエンに対する溶解度は、6重量%以上であった。
Further, the glass transition point of the
At room temperature, the solubility in toluene was 6% by weight or more.
[比較例1]
比較例として、以下の化合物のトルエンに対する溶解度を測定したところ、1重量%未満であった。
As a comparative example, the solubility of the following compounds in toluene was measured and found to be less than 1% by weight.
[比較例2]
比較例として、以下の化合物のトルエンに対する溶解度を測定したところ、1重量%未満であった。
As a comparative example, the solubility of the following compounds in toluene was measured and found to be less than 1% by weight.
[比較例3]
比較例として、以下の化合物のトルエンに対する溶解度を測定したところ、1重量%未満であった。
As a comparative example, the solubility of the following compounds in toluene was measured and found to be less than 1% by weight.
[実施例4]
以下の製造法で有機電界発光素子を作製した。
[Example 4]
An organic electroluminescent element was produced by the following production method.
(陽極の形成)
ガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nmの厚さで成膜した(スパッタ成膜品、シート抵抗15Ω)。これに、通常のフォトリソグラフィ技術により2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。
パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、紫外線オゾン洗浄を行った。
(Formation of anode)
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film was formed on a glass substrate with a thickness of 150 nm (sputtered film product, sheet resistance 15Ω). An anode was formed by patterning into a stripe having a width of 2 mm by a normal photolithography technique.
The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, followed by drying with nitrogen blow and ultraviolet ozone cleaning.
(正孔注入層の形成)
陽極の上に正孔注入層を形成した。正孔注入層の材料として、下記に示す構造式の芳香族三級アミン高分子化合物(PB−1:重量平均分子量が29400、数平均分子量が12600)を用いて、電子受容性化合物(A−1)と共にスピンコートした。
(Formation of hole injection layer)
A hole injection layer was formed on the anode. As a material for the hole injection layer, an aromatic tertiary amine polymer compound (PB-1 having a weight average molecular weight of 29,400 and a number average molecular weight of 12,600) having the structural formula shown below is used. Spin-coated with 1).
スピンコートは、[表1]の条件で行なった。また、PB−1とA−1との使用比率は、PB−1:A−1=10:4(重量比)とした。
スピンコートを行なった後、260℃で180分の乾燥を行ない、膜厚30nmの均一な正孔注入層の薄膜を形成した。
After spin coating, drying was performed at 260 ° C. for 180 minutes to form a uniform hole injection layer thin film having a thickness of 30 nm.
(正孔輸送層)
正孔注入層の上に正孔輸送層を形成した。正孔輸送層の材料として、以下に示す化合物(HT−1)を用いて、スピンコートにより発光層を形成した。
(Hole transport layer)
A hole transport layer was formed on the hole injection layer. A light emitting layer was formed by spin coating using the following compound (HT-1) as a material for the hole transport layer.
スピンコートは、[表2]の条件で行なった。スピンコートを行なった後、230℃で60分の乾燥を行ない、膜厚20nmの均一な正孔輸送層の薄膜を形成した。
(発光層)
正孔輸送層の上に発光層を形成した。発光層の材料として、以下に示した化合物1(本発明のアントラセン化合物、上記目的物4)、及び蛍光発光性のドーパント(D−1)を用いて、スピンコートにより発光層を形成した。
(Light emitting layer)
A light emitting layer was formed on the hole transport layer. A light emitting layer was formed by spin coating using the following compound 1 (the anthracene compound of the present invention, the target product 4) and a fluorescent light emitting dopant (D-1) as materials for the light emitting layer.
スピンコートは、[表3]の条件で行なった。また、化合物1とD−1との使用比率は、化合物1:D−1=10:1(重量比)とした。
スピンコートを行なった後、100℃で60分の乾燥を行ない、膜厚50nmの均一な発光層の薄膜を形成した。
After spin coating, drying was performed at 100 ° C. for 60 minutes to form a uniform light emitting layer thin film having a thickness of 50 nm.
(正孔阻止層・電子輸送層)
発光層の上に正孔阻止層、正孔阻止層の上に電子輸送層を形成した。
正孔阻止層の材料として、下記に示すHB−1を用いて、真空蒸着法により膜厚10nmの正孔阻止層を形成した。
次に、電子輸送層の材料として、下記に示すET−1を用いて、真空蒸着法により膜厚30nmの電子輸送層を形成した。
A hole blocking layer was formed on the light emitting layer, and an electron transporting layer was formed on the hole blocking layer.
A hole blocking layer having a thickness of 10 nm was formed by vacuum deposition using HB-1 shown below as a material for the hole blocking layer.
Next, an electron transport layer having a film thickness of 30 nm was formed by vacuum deposition using ET-1 shown below as a material for the electron transport layer.
(陰極バッファ層・陰極)
電子輸送層の上に陰極バッファ層を、陰極バッファ層の上に陰極を形成した。
真空蒸着法により、陰極バッファ層の材料としてフッ化リチウム(LiF)を用いて膜厚0.5nmの陰極バッファ層を、陰極の材料としてアルミニウムを用いて膜厚80nmの陰極を、それぞれ陽極であるITOストライプと直交する形状の2mm幅のストライプ状に積層した。
(Cathode buffer layer / cathode)
A cathode buffer layer was formed on the electron transport layer, and a cathode was formed on the cathode buffer layer.
Using a vacuum evaporation method, a cathode buffer layer having a thickness of 0.5 nm using lithium fluoride (LiF) as a material of the cathode buffer layer, and an anode having a thickness of 80 nm using aluminum as the cathode material are anodes. The stripes were stacked in a 2 mm width shape orthogonal to the ITO stripes.
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子からは、ELピーク波長462nmの青色発光が得られた。なお、[実施例4]〜[実施例6]で得られた有機EL素子の特性及び駆動寿命をまとめて[表5]に示す。 As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. Blue light emission having an EL peak wavelength of 462 nm was obtained from this device. The characteristics and driving lifetimes of the organic EL elements obtained in [Example 4] to [Example 6] are summarized in [Table 5].
[実施例5]
発光層を形成する組成物として、本発明の化合物1及びD−1に加えて、電荷輸送性助剤として化合物E−1を用いて、スピンコートして発光層を形成した。
[Example 5]
As a composition for forming the light emitting layer, in addition to the compounds 1 and D-1 of the present invention, the light emitting layer was formed by spin coating using the compound E-1 as a charge transporting auxiliary agent.
具体的には、スピンコートを[表4]の条件で行なった。また、化合物1とD−1とE−1との使用比率は、化合物1:E−1:D−1=2.5:7.5:1(重量比)とした。
スピンコートを行なった後、100℃で60分の乾燥を行ない、膜厚50nmの均一な発光層の薄膜を形成した。
Specifically, spin coating was performed under the conditions of [Table 4]. Moreover, the use ratio of the compound 1, D-1, and E-1 was made into the compound 1: E-1: D-1 = 2.5: 7.5: 1 (weight ratio).
After spin coating, drying was performed at 100 ° C. for 60 minutes to form a uniform light emitting layer thin film having a thickness of 50 nm.
発光層を上記の通り形成した以外は、実施例4と同様にして、有機電界発光素子を得た。この素子からは、ELピーク波長467nmの青色発光が得られた。
[実施例6]
実施例5における化合物1:E−1:D−1の混合比を5:5:1としたこと以外は、実施例5と同様にして、有機電界発光素子を得た。この素子からは、ELピーク波長467nmの青色発光が得られた。
[Example 6]
An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 5 except that the mixing ratio of Compound 1: E-1: D-1 in Example 5 was changed to 5: 5: 1. Blue light emission having an EL peak wavelength of 467 nm was obtained from this device.
[実施例7]
実施例4と同様の操作により得られた正孔注入層の薄膜上に、正孔輸送層の材料として化合物HT−1を用いて、[表6]の条件でスピンコートして正孔輸送層を形成した。
スピンコートを行なった後、230℃で60分の乾燥を行ない、膜厚20nmの均一な正孔輸送層の薄膜を形成した。
On the thin film of the hole injection layer obtained by the same operation as in Example 4, compound HT-1 was used as the material for the hole transport layer, and spin coating was performed under the conditions of [Table 6] to form a hole transport layer. Formed.
After spin coating, drying was performed at 230 ° C. for 60 minutes to form a uniform hole transport layer thin film having a thickness of 20 nm.
次いで、正孔輸送層の上に発光層を形成した。発光層の材料として化合物1、及び蛍光発光性のドーパントD−1を用いて、スピンコートにより発光層を形成した。 Next, a light emitting layer was formed on the hole transport layer. A light emitting layer was formed by spin coating using Compound 1 and a fluorescent light emitting dopant D-1 as materials of the light emitting layer.
スピンコートは、[表7]の条件で行なった。また、化合物1とD−1との使用比率は、化合物1:D−1=10:1(重量比)とした。
スピンコートを行なった後、100℃で60分の乾燥を行ない、膜厚10nmの均一な発光層の薄膜を形成した。
After spin coating, drying was performed at 100 ° C. for 60 minutes to form a uniform light-emitting layer thin film having a thickness of 10 nm.
正孔輸送層および発光層を上記の通り形成した以外は実施例4と同様にして、有機電界発光素子を得た。この素子からは、ELピーク波長461nmの青色発光が得られた。
なお、[実施例7]および[比較例4]で得られた有機電界発光素子の特性及び駆動寿命をまとめて[表9]に示す。
An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 4 except that the hole transport layer and the light emitting layer were formed as described above. Blue light emission having an EL peak wavelength of 461 nm was obtained from this device.
The characteristics and driving life of the organic electroluminescent elements obtained in [Example 7] and [Comparative Example 4] are summarized in [Table 9].
[比較例4]
発光層の材料として、化合物E−1、及び蛍光発光性のドーパントD−1を用いてスピンコートにより発光層を形成した。
[Comparative Example 4]
A light emitting layer was formed by spin coating using Compound E-1 and a fluorescent light emitting dopant D-1 as the material of the light emitting layer.
スピンコートは、[表8]の条件で行なった。また、化合物E−1とD−1との使用比率は、化合物E−1:D−1=10:1(重量比)とした。
スピンコートを行なった後、100℃で60分の乾燥を行ない、膜厚20nmの均一な発光層の薄膜を形成した。
After spin coating, drying was performed at 100 ° C. for 60 minutes to form a uniform light-emitting layer thin film having a thickness of 20 nm.
発光層を上記の通り形成した以外は、実施例7と同様にして有機電界発光素子を得た。
この有機電界発光素子は、ELピーク波長こそ459nmの青色領域であったが、スペクトルの半値幅が77nmと広い青緑色発光であり、発光効率も低かった。
In this organic electroluminescent element, although the EL peak wavelength was a blue region of 459 nm, the emission half-width of the spectrum was as wide as 77 nm and the emission efficiency was low.
以上のように、本発明の化合物を用いることにより、高輝度かつ長寿命な有機電界発光素子を構築することが可能であった。 As described above, by using the compound of the present invention, it was possible to construct an organic electroluminescent device having high luminance and long life.
[実施例8]
発光層の材料として、以下に示した化合物2(本発明のアントラセン化合物、上記目的物7)及び蛍光発光性のドーパントD−1を用いて、スピンコートにより発光層を形成した。
A light emitting layer was formed by spin coating using the following compound 2 (anthracene compound of the present invention, the target product 7) and a fluorescent light emitting dopant D-1 as materials for the light emitting layer.
スピンコートは、[表10]の条件で行なった。また、化合物2とD−1との使用比率は10:1(重量比)とした。
スピンコートを行なった後、100℃で60分の乾燥を行ない、膜厚10nmの均一な発光層の薄膜を形成した。
After spin coating, drying was performed at 100 ° C. for 60 minutes to form a uniform light-emitting layer thin film having a thickness of 10 nm.
発光層を上記の通り形成した以外は、実施例7と同様にして有機電界発光素子を得た。
なお、[実施例8]〜[実施例10]で得られた有機電界発光素子の特性及び駆動寿命をまとめて[表12]に示す。
An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 7 except that the light emitting layer was formed as described above.
In addition, the characteristics and drive life of the organic electroluminescent elements obtained in [Example 8] to [Example 10] are summarized in [Table 12].
[実施例9]
発光層の材料として、以下に示した化合物3(本発明のアントラセン化合物、上記目的物10)及び蛍光発光性のドーパントD−1を用いて、スピンコートにより発光層を形成した。
A light emitting layer was formed by spin coating using the following compound 3 (anthracene compound of the present invention, the target product 10) and a fluorescent light emitting dopant D-1 as materials for the light emitting layer.
スピンコートは、[表11]の条件で行なった。また、化合物3とD−1との使用比率は10:1(重量比)とした。
スピンコートを行なった後、100℃で60分の乾燥を行ない、膜厚10nmの均一な発光層の薄膜を形成した。
After spin coating, drying was performed at 100 ° C. for 60 minutes to form a uniform light-emitting layer thin film having a thickness of 10 nm.
発光層を上記の通り形成した以外は、実施例7と同様にして有機電界発光素子を得た。 An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 7 except that the light emitting layer was formed as described above.
[実施例10]
発光層の形成において、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンの代わりにトルエンを用い、塗布液濃度を0.75重量%とした以外は、実施例7と同様にして有機電界発光素子を得た。
[Example 10]
In the formation of the light emitting layer, an organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 7 except that toluene was used instead of cyclohexylbenzene as a solvent and the coating solution concentration was changed to 0.75% by weight.
[実施例8]〜[実施例10]で得られた有機電界発光素子の特性及び駆動寿命は、以下[表12]に示した通りである。
本発明のアントラセン化合物は、溶剤に対する溶解性が優れている。そのため、成膜性、湿式プロセス適性に優れた有機電界発光素子用組成物に好適に用いることができ、さらには、それを用いた高効率、長寿命な有機電界発光素子に好適に用いることができる。 The anthracene compound of the present invention is excellent in solubility in a solvent. Therefore, it can be suitably used for a composition for an organic electroluminescence device excellent in film formability and wet process suitability, and further suitable for use in a high-efficiency, long-life organic electroluminescence device using the composition. it can.
1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 陰極バッファ層
9 陰極
10 有機電界発光素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (10)
ことを特徴とするアントラセン化合物。
ことを特徴とする、請求項1記載のアントラセン化合物。 Amino group in the molecule, -G 1 N (Ar 3) (Ar 4) , characterized in that only, claim 1 anthracene compound according.
ことを特徴とする、湿式成膜用電荷輸送材料。 A charge transport material for wet film formation, comprising the anthracene compound according to claim 1.
ことを特徴とする、請求項3に記載の湿式成膜用電荷輸送材料。 The charge transport material for wet film formation according to claim 3, wherein the glass transition point is 120 ° C or higher and the solubility in toluene is 5% by weight or higher.
ことを特徴とする、湿式成膜用電荷輸送材料組成物。 A charge transport material composition for wet film formation, comprising the anthracene compound according to claim 1 or 2.
ことを特徴とする、請求項5記載の湿式成膜用電荷輸送材料組成物。 6. The charge transport material composition for wet film formation according to claim 5, wherein the light-emitting material is contained in an amount of 1 to 50 parts by weight.
ことを特徴とする、請求項5又は請求項6記載の湿式成膜用電荷輸送材料組成物。 The charge transport material composition for wet film formation according to claim 5 or 6, wherein the composition contains a solvent.
請求項3又は請求項4に記載の湿式成膜用電荷輸送材料を含有する層を有する
ことを特徴とする、有機電界発光素子。 An organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic light emitting layer provided between the two electrodes,
An organic electroluminescent device comprising a layer containing the charge transport material for wet film formation according to claim 3.
請求項5〜7の何れか一項に記載の湿式成膜用電荷輸送材料組成物を含有する層を有する
ことを特徴とする、有機電界発光素子。 An organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic light emitting layer provided between the two electrodes,
It has a layer containing the charge transport material composition for wet film-forming as described in any one of Claims 5-7, The organic electroluminescent element characterized by the above-mentioned.
ことを特徴とする、有機ELディスプレイ。 An organic EL display comprising the organic electroluminescent element according to claim 8.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008168957A JP5458516B2 (en) | 2007-06-28 | 2008-06-27 | Anthracene compound, charge transport material for wet film formation, charge transport material composition for wet film formation, organic electroluminescence device, and organic EL display |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007171106 | 2007-06-28 | ||
JP2007171106 | 2007-06-28 | ||
JP2008168957A JP5458516B2 (en) | 2007-06-28 | 2008-06-27 | Anthracene compound, charge transport material for wet film formation, charge transport material composition for wet film formation, organic electroluminescence device, and organic EL display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009040765A JP2009040765A (en) | 2009-02-26 |
JP5458516B2 true JP5458516B2 (en) | 2014-04-02 |
Family
ID=40441898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008168957A Active JP5458516B2 (en) | 2007-06-28 | 2008-06-27 | Anthracene compound, charge transport material for wet film formation, charge transport material composition for wet film formation, organic electroluminescence device, and organic EL display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5458516B2 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5141600B2 (en) * | 2009-03-09 | 2013-02-13 | 三菱化学株式会社 | Method for producing composition for organic electroluminescent device |
JP2010212437A (en) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Mitsubishi Chemicals Corp | Composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el illumination |
KR102160394B1 (en) * | 2009-03-13 | 2020-09-28 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | Process for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el lighting |
JP5552246B2 (en) * | 2009-03-19 | 2014-07-16 | 三井化学株式会社 | Aromatic amine derivatives and organic electroluminescent devices using them |
JP5567889B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-08-06 | 旭有機材工業株式会社 | Anthracene derivative, compound using the same, composition, cured product, and method for producing the same |
KR101322828B1 (en) | 2009-11-05 | 2013-10-25 | 덕산하이메탈(주) | Organic Chemical and Organic Electronic Element using the same, Terminal thereof |
KR102083986B1 (en) | 2013-08-22 | 2020-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | Anthracene-based compounds and Organic light-emitting device comprising the same |
KR102100371B1 (en) | 2013-08-22 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Anthracene-based compounds and Organic light emitting device comprising the same |
KR101723872B1 (en) | 2013-11-26 | 2017-04-06 | 한국화학연구원 | Bisisobenzofurandionylantracene compound, preparation method thereof and organic insulationg layer using the same |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5972247A (en) * | 1998-03-20 | 1999-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent elements for stable blue electroluminescent devices |
US6465115B2 (en) * | 1998-12-09 | 2002-10-15 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer |
JP4429438B2 (en) * | 1999-01-19 | 2010-03-10 | 出光興産株式会社 | Amino compound and organic electroluminescence device using the same |
JP3848306B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | Anthryl derivative-substituted compound and organic light emitting device using the same |
EP1707550B1 (en) * | 2003-12-01 | 2016-08-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Asymmetric monoanthracene derivative, material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device utilizing the same |
-
2008
- 2008-06-27 JP JP2008168957A patent/JP5458516B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009040765A (en) | 2009-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5470706B2 (en) | Hole transport material, polymer compound obtained by polymerizing the hole transport material, composition for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device | |
JP5261887B2 (en) | Monoamine compound, charge transport material, and organic electroluminescence device | |
JP5040216B2 (en) | Organic compound, charge transport material, material for organic electroluminescence device, charge transport material composition, and organic electroluminescence device | |
JP5458516B2 (en) | Anthracene compound, charge transport material for wet film formation, charge transport material composition for wet film formation, organic electroluminescence device, and organic EL display | |
JP5168840B2 (en) | Charge transport material, composition for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device | |
JP5125480B2 (en) | Hole transport material, polymer compound obtained by polymerizing the hole transport material, composition for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device | |
JP5417750B2 (en) | Charge transport material for wet film formation, charge transport material composition for wet film formation method, organic electroluminescence device, and organic EL display | |
WO2007063760A1 (en) | Organic compound, charge-transporting material, composition for charge-transporting material and organic electroluminescent device | |
KR101309502B1 (en) | Hydrocarbons, charge transfer materials, charge transfer material compositions, and organic electroluminescent devices | |
WO2016194784A1 (en) | Iridium complex compound, organic electroluminescent element containing said compound, display device and lighting device | |
JP5857743B2 (en) | Polymer, electronic device material, composition for electronic device, organic electroluminescent device, organic solar cell device, display device and lighting device | |
JP5151422B2 (en) | Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element composition, organic electroluminescent element, and organic EL display | |
TW202229510A (en) | Organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el lighting | |
JP2010083852A (en) | Method for producing metal complex, metal complex and organic electroluminescent device | |
JP5028934B2 (en) | Hydrocarbon compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device | |
JP4985441B2 (en) | Polymer compound, organic electroluminescent device material, composition for organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device | |
JP5151812B2 (en) | Organic compound, polymer compound, cross-linked polymer compound, composition for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device | |
JP2008115131A (en) | Organic compound, charge-transporting material, composition for charge-transporting material, and organic electroluminescent element | |
JP2009096771A (en) | Diarylpyrene compound, material for organic electroluminescent device, composition for organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device | |
JP5322091B2 (en) | Polymer for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device and organic EL display | |
JP5266663B2 (en) | Method for producing bisanthracene compound | |
JP5549051B2 (en) | Anthracene compound, charge transport material for wet film formation, charge transport material composition for wet film formation, and organic electroluminescence device | |
JP2008001621A (en) | Trityl compound, method for producing trityl compound, charge-transport material, luminescent material and organic electroluminescent device | |
JP5157399B2 (en) | Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element composition, organic electroluminescent element, and organic EL display | |
JP5194623B2 (en) | Tetraarylpyrene compound, charge transport material, material for organic electroluminescence device, composition for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130722 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131111 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131230 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5458516 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |