JP5450202B2 - 成膜装置 - Google Patents

Description

本発明は、長尺な基板をドラムに巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう、ガスバリアフィルムの製造等に好適な成膜装置に関し、詳しくは、ドラムの異状放電を抑制し、適正な膜を安定して成膜することができる成膜装置に関する。

光学素子、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置、半導体装置、薄膜太陽電池など、各種の装置に、ガスバリアフィルム、保護フィルム、光学フィルタや反射防止フィルム等の光学フィルムなど、各種の機能性フィルム（機能性シート）が利用されている。
また、これらの機能性フィルムの製造に、スパッタリングやプラズマＣＶＤ等の真空成膜法による成膜（薄膜形成）が利用されている。

真空成膜法によって、効率良く、高い生産性を確保して成膜を行なうためには、長尺な基板に連続的に成膜を行なうのが好ましい。
このような成膜方法を実施する装置として、長尺な基板（ウェブ状の基板）をロール状に巻回してなる供給ロールと、成膜済の基板をロール状に巻回する巻取りロールとを用いる、いわゆるロール・ツー・ロール(Roll to Roll)の成膜装置が知られている。このロール・ツー・ロールの成膜装置は、基板に成膜を行なう成膜位置を通過する所定の経路で、供給ロールから巻取りロールまで長尺な基板を挿通し、供給ロールからの基板の送り出しと、巻取りロールによる成膜済の基板の巻取りとを同期して行いつつ、成膜位置において、搬送される基板に連続的に成膜を行なう。

このようなロール・ツー・ロールの成膜装置においては、円筒状のドラムの周面に基板を巻き掛けて搬送しつつ、このドラムの周面に対面して設けられた成膜手段によって、基板に成膜を行なう装置が知られている。
例えば、特許文献１には、基板をドラムの周面に巻き掛けて搬送しつつ、ドラムに対面して配置されるリレーアンテナからマイクロ波を放射することで原料ガスをプラズマ化し、かつ、高周波電源からドラムにバイアス電位を印加することで原料ガスをプラズマ化することにより、マイクロ波プラズマとＲＦプラズマとを併用してプラズマＣＶＤによって基板に成膜を行なうＣＶＤ装置が記載されている。

また、特許文献２には、ロール状に巻回した基板を送り出す供給ロールと、成膜済みの基板を巻き取る巻取りロールとの間に、ＣＶＤによる成膜手段（ＣＶＤ部）を備える複数のドラム（成膜ロール）を有し、各成膜手段の動作を個別に制御することを可能にしたＣＶＤ装置が記載されている。
さらに、この特許文献２では、原料ガスを導入するシャワー電極（ガスシャワー）とドラムとでプラズマＣＶＤ（容量結合型プラズマＣＶＤ）による成膜を行なうための電極対を構成しており、プラズマ励起電力を供給する高周波電源を、ドラムに接続する構成およびシャワー電極に接続する構成が、記載されている。

このようなドラムを用い、かつ、プラズマ生成のための放電を伴う成膜装置では、成膜領域外におけるドラムからの異状放電によって、成膜領域のプラズマが不安定になって成膜が不安定になり膜質が劣化したり、基板が損傷してしまう場合が有る。
特に、特許文献１や特許文献２に記載される構成のように、プラズマ励起電力をドラムに供給する構成や、成膜の効率向上や膜質向上のためのバイアス電位をドラムに印加する構成を有する装置では、このドラムからの異状放電に起因する成膜の不安定化（これに起因する膜質低下）や、基板の損傷が起こり易く、また、膜質劣化や基板損傷の度合いも大きくなってしまう。

従来より、このような異状放電は、装置構成に応じた絶縁構造を取ることにより抑制するのが一般的である。
しかしながら、絶縁構造によってドラムからの異状放電を完全に抑制するのは困難であり、特に、ドラムへの基板の巻き掛けが開始される位置の近傍や、ドラムと巻き掛けられて搬送される基板とが離間する位置の近傍は、絶縁構造を取るのが困難であり、放電を防止することが難しい。

このような問題点を解決するために、特許文献１に記載される装置では、圧力隔壁（仕切り板）を設けて成膜室と、基板の走行領域（走行系室）の真空度を独立して調整できるようにして、走行系室の真空度を、放電（プラズマ）が発生することが無い十分な高真空（低圧力）とすることで、異状放電の抑制を図っている。
他方、特許文献２に記載される装置では、ドラムに巻き掛けられる直前までの基板搬送領域、および、巻き掛けられた基板がドラムから離間する直後以降の搬送領域に、基板を挟むようにしてアース板（接地された導電体（静電防止導電体））を設け、静電シールドによって放電を防止することで、異状放電の抑制を図っている。

特開２０００−２３９８４９号公報 国際公開第２００６−９３１６８号公報

しかしながら、特許文献１に記載されるように、圧力隔壁を設ける方法では、基板と隔壁との間に基板を搬送するための間隙が必要であり、完璧な隔離は不可能である。
そのため、隔壁の上流の室と下流の室すなわち成膜室と走行系室との圧力差を保持することができず、隔壁近傍（すなわち気体流出点）において、不要に高圧な領域が生じてしまい、この高圧部における放電の抑制が、非常に困難になる。

他方、特許文献２に記載される方法では、圧力隔壁を設けることに起因する不都合は回避できる。
しかしながら、この方法では、搬送される基板の揺れ（いわゆるバタツキ）によって、成膜前／後の基板がアース板に擦れて、損傷してしまう場合がある。特に、ドラムと基板との離間位置での剥離による静電気は、真空中では影響が大きいため、この位置での異状放電の抑制は困難である。

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、基板をドラムに巻き掛けて搬送しつつ、ドラムに電力を供給して成膜を行なう成膜装置であって、電極としても作用するドラムへの基板の巻き掛け開始位置や、同ドラムに支持されて搬送される基板とドラムとの離間位置における、ドラムからの異状放電を好適に抑制することができ、この異状放電に起因する膜質劣化や基板の損傷等を、大幅に抑制し、また、基板のバタツキによる基板の損傷を抑制することができる成膜装置を提供することにある。

前記目的を達成するために、本発明は、第１の態様として、長尺な基板を円筒状のドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、この基板に成膜を行なう成膜装置であって、前記ドラムに周面に対面して設けられる成膜手段と、前記ドラムに電力を供給する電源と、前記ドラムと前記ドラムに巻き掛けられた前記基板とが離間する位置で前記ドラムの周面に対面して配置される、前記基板を挿通するための開口部が形成され、導電性で接地される、板状のアース板と、前記ドラムから離間した直後の前記基板を案内する搬送ローラとを有し、前記搬送ローラが、導電性で接地されており、かつ、この搬送ローラの少なくとも一部が、前記アース板の前記開口部に入るように配置されていることを特徴とする成膜装置を提供する。

このような本発明の成膜装置において、前記搬送ローラと前記ドラムとの間隙が、前記アース板と前記ドラムとの間隙よりも小さいことが好ましい。
また、前記搬送ローラと前記ドラムとの間隙が、５ｍｍ以下であることが好ましい。
また、前記アース板と前記ドラムとの間隙が、７ｍｍ以下であることが好ましい。
また、前記アース板と前記搬送ローラとの間隙が５ｍｍ以下であることが好ましい。
また、前記アース板が前記ドラムの周面に沿って湾曲することが好ましい。

また、前記基板が前記ドラムに巻き掛かる位置で前記ドラムの周面に対面して設けられる、前記基板を挿通するための開口部が形成され、導電性で接地される、板状の第２アース板と、前記ドラムに巻き掛かる直前の前記基板を案内する第２搬送ローラとを有し、前記第２搬送ローラが、導電性で接地されており、かつ、この第２搬送ローラの少なくとも一部が、前記第２アース板の前記開口部に入るように配置されていることが好ましい。

また、前記目的を達成するために、本発明は、第２の態様として、長尺な基板を円筒状のドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、この基板に成膜を行なう成膜装置であって、前記ドラムに周面に対面して設けられる成膜手段と、前記ドラムに電力を供給する電源と、前記基板が前記ドラムに巻き掛かる位置で前記ドラムの周面に対面して配置される、前記基板を挿通するための開口部が形成され、導電性で接地される、板状の第２アース板と、前記ドラムに巻き掛かる直前の前記基板を案内する第２搬送ローラとを有し、前記第２搬送ローラが、導電性で接地されており、かつ、この第２搬送ローラの少なくとも一部が、前記基板を挿通するための前記第２アース板の開口部に入るように配置されていることを特徴とする成膜装置を提供する。

ここで、前記第２搬送ローラと、前記ドラムとの間隙が、前記第２アース板と前記ドラムとの間隙よりも小さいことが好ましい。
また、前記第２搬送ローラと前記ドラムとの間隙が、５ｍｍ以下であることが好ましい。
また、前記第２アース板と前記ドラムとの間隙が、７ｍｍ以下であることが好ましい。
また、前記第２アース板と前記第２搬送ローラとの間隙が５ｍｍ以下であることが好ましい。
また、前記第２アース板が前記ドラムの周面に沿って湾曲することが好ましい。

また、前記成膜手段によって前記基板に成膜を行なう際の成膜圧力が１０〜１００Ｐａであることが好ましい。
また、プラズマＣＶＤによって、前記基板に成膜を行なうことが好ましい。

上記構成を有する本発明によれば、長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ成膜を行なう成膜装置において、電力を供給されて電極としても作用するドラムと基板との離間位置の近傍、および／または、基板のドラムへの巻き掛かり開始位置の近傍に、基板を挿通するための開口部が形成されたアース板と、基板を案内する接地された搬送ローラとを有し、かつ、この搬送ローラが、その少なくとも一部がアース板の開口部の内側に入るように配置されている。そのため、ドラムと基板とが離間する位置におけるドラムからの放電を抑制することができる。
また、ドラムと基板との離間位置や、基板のドラムへの巻き掛かり開始位置で、基板のばたつきを低減することができ、また、バタツキが起こった場合でも、基板がアース板に接触することを防止でき、成膜前後の基板が損傷することを防止できる。

すなわち、本発明の成膜装置によれば、ドラムと基板とが接触を開始する領域や、ドラムと基板とが離間する領域における、ドラムからの異状放電を好適に抑制することができ、例えば、プラズマＣＶＤによる成膜装置に利用することにより、この異状放電によって生じるプラズマの不安定化に起因する膜質の劣化や、異状放電に起因する基板の損傷等を大幅に抑制し、また、基板のバタツキによる基板の損傷を抑制して、適正な品質を有する製品を安定して作成することができる。

本発明の成膜装置の一例を概念的に示す図である。 図１に示す成膜装置の一部を拡大した図である。 本発明の成膜装置の他の一例を概念的に示す図である。 本発明の効果を説明するための概念図である。

以下、本発明の成膜装置について、添付の図面に示される好適実施例を基に、詳細に説明する。

図１に、本発明の成膜装置の一例を概念的に示す。
図１に示す成膜装置１０は、長尺な基板Ｚを長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって成膜を行なう装置であって、真空チャンバ１２と、この真空チャンバ１２内に形成される、巻出し室１４と、成膜室１６と、ドラム３０とを有して構成される。

なお、本発明において、基板Ｚには、特に限定はなく、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどの樹脂フィルム等、プラズマＣＶＤ等の気相堆積法（真空成膜法）による成膜が可能な長尺なフィルム状物（シート状物）が、全て利用可能である。
また、樹脂フィルム等を基材として、平坦化層、保護層、密着層、反射層、反射防止層等の各種の機能を発現するための層（膜）を成膜してなるフィルム状物を、基板Ｚとして用いてもよい。

成膜装置１０において、長尺な基板Ｚは、巻出し室１４の基板ロール３２から供給され、ドラム３０に巻き掛けられた状態で長手方向に搬送されつつ、成膜室１６において成膜され、再度、巻出し室１４に戻されて巻取り軸３４に巻き取られる（ロール状に巻回される）、前述のロール・ツー・ロール(Roll to Roll)による成膜装置である。

ドラム３０は、中心線を中心に図中反時計方向に回転する円筒状の部材である。
ドラム３０は、後述する巻出し室１４のガイドローラ４０ａおよび巻掛ローラ２０によって所定の経路で案内された基板Ｚを、周面の所定領域に掛け回して、所定位置に保持しつつ長手方向に搬送して、成膜室１６において所定の経路を搬送して、再度、巻出し室１４の剥離ローラ２２に送る。

ここで、ドラム３０は、後述する成膜室１６のシャワー電極５０の対向電極としても作用（すなわち、ドラム３０とシャワー電極５０とで電極対を構成する）する。また、ドラム３０には、バイアス電源６０が接続されている。この点に関しては、後に詳述する。
なお、ドラム３０には、バイアス電源６０のみならず、接地（アース）手段が接続され、バイアス電源６０との接続と、接地とが切り換え可能であってもよい。
さらに、ドラム３０は、成膜室１６における、成膜中の基板Ｚの温度調整手段を兼ねてもよい。そのため、ドラム３０は、温度調整手段を内蔵するのが好ましい。ドラム３０の温度調節手段には、特に限定はなく、温冷媒等を循環する温度調節手段、ピエゾ素子等を用いる冷却手段等、各種の温度調節手段が、全て利用可能である。

巻出し室１４は、真空チャンバ１２の内壁面１２ａと、ドラム３０の周面と、内壁面１２ａからドラム３０の周面の近傍まで延在する隔壁３６ａおよび３６ｂとによって構成される。
ここで、隔壁３６ａおよび３６ｂの先端（真空チャンバ１２の内壁面と逆端）は、搬送される基板Ｚに接触しない可能な位置まで、ドラム３０の周面に近接し、巻出し室１４と成膜室１６とを、略気密に分離する。

このような巻出し室１４は、前述の巻取り軸３４と、巻掛ローラ２０と、剥離ローラ２２と、ガイドローラ４０ａおよび４０ｂと、回転軸４２と、入口アース板４４と、真空排気手段４６と、出口アース板４８とを有する。

図示例において、長尺な基板Ｚをロール状に巻回してなる基板ロール３２は、回転軸４２に装着される。また、基板ロール３２が、回転軸４２に装着されると、基板Ｚは、ガイドローラ４０ａ、巻掛ローラ２０、ドラム３０、剥離ローラ２２、および、ガイドローラ４０ｂを経て、巻取り軸３４に至る、所定の経路を通される（挿通される）。
成膜装置１０においては、基板ロール３２からの基板Ｚの送り出しと、巻取り軸３４における成膜済み基板Ｚの巻き取りとを同期して行なって、長尺な基板Ｚを所定の搬送経路で長手方向に搬送しつつ、成膜室１６において、ドラム３０に巻き掛けられた基板Ｚの表面に成膜を行なう。

ガイドローラ４０ａおよび４０ｂは、基板Ｚを所定の搬送経路で案内する通常のガイドローラである。また、巻取り軸３４は、成膜済みの基板Ｚを巻き取る、公知の長尺物の巻取り軸である。

入口アース板４４および出口アース板４８は、ドラム３０の異状放電を抑制するための、接地された板状部材である。
なお、入口アース板４４と出口アース板４８とは、配置位置が異なる以外は、基本的に、同様の構成および作用を有するものであるので、入口アース板４４は必要な説明のみを行ない、以下の説明は、出口アース板４８を代表例として行なう。

図２に出口アース板４８の配置位置近傍を概念的に示す。
出口アース板４８は、導電性を有し、かつ、公知の手段（図示省略）で接地（アース）され、ドラム３０の周面に沿って湾曲した板状物で、ドラム３０に巻き掛けられた基板Ｚがドラム３０から離間する位置（以下、この位置を単に「離間位置」とする）近傍の領域で、基板Ｚの幅方向（長手方向＝搬送方向と直交する方向）を全面的に覆うように、ドラム３０に対面して配置される。また、出口アース板４８には、所定の経路で搬送される基板Ｚが挿通するための開口部４８ａが形成されている。
また、入口アース板４４は、出口アース板４８と同様の板状物で、ドラム３０への基板Ｚの巻き掛けを開始する位置（以下、この位置を単に「巻掛位置」とする）近傍の領域に、出口アース板４８と同様に設けられる。

出口アース板４８の開口部４８ａは、基板Ｚが挿通される基板Ｚの搬送経路を形成すると共に、後述するように、剥離ローラ２２の一部が挿入／配置される領域でもある。
開口部４８ａの、基板Ｚの搬送方向に垂直な方向は、剥離ローラ２２の幅（基板Ｚの搬送方向に垂直な方向）よりも大きく形成されている。また、開口部４８ａの、基板Ｚの搬送方向は、剥離ローラ２２の一部が挿入可能な大きさに形成されている。

前述のように、ドラム３０は、ＣＣＰ−ＣＶＤにおけるシャワー電極５０の対向電極として作用するので、離間位置は、電極からの出口と捉えることもでき、すなわち、本発明において、出口アース板４８は、基板Ｚが電極領域から排出される、いわば、電極の出口に配置されると言うこともできる。同様に、巻掛位置は電極への入口と捉えることもでき、入口アース板４４は、基板Ｚが電極領域に進入する、いわば、電極の入口に配置されると言うこともできる。

また、図示例においては、出口アース板４８は、ドラム３０の周面に沿うように湾曲して平行に配置されているが、本発明は、これに限定はされず、平板状でドラムの周面に対面して配置されてもよい。なお、出口アース板４８は、より好適にドラム３０の異状放電を抑制できる点で、ドラム３０の周面に沿うように湾曲して平行に配置されていることが好ましい。

また、出口アース板４８とドラム３０との間隙ａは、ドラム３０からの異状放電をより好適に抑制できる等の点で、７ｍｍ以下であることが好ましく、５ｍｍ以下がより好ましい。また、出口アース板４８とドラム３０との間隙ａの下限は、基板Ｚを搬送可能で、かつ、出口アース板４８とドラム３０とが短絡しない距離であればよく、１ｍｍ以上が好ましい。

巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２は、ドラム３０に巻き掛かる前後の基板Ｚを案内するガイドローラである。
なお、巻掛ローラ２０と剥離ローラ２２とは、配置位置が異なる以外は、基本的に、同様の構成および作用を有するものであるので、巻掛ローラ２０は必要な説明のみを行ない、以下の説明は、剥離ローラ２２を代表例として行なう。

剥離ローラ２２は、導電性を有し、かつ、公知の手段（図示省略）で接地（アース）されたガイドローラで、ドラム３０から離間した直後の基板Ｚを案内するものである。
剥離ローラ２２は、基板Ｚとドラム３０との剥離位置近傍に配置され、その一部が、出口アース板４８の開口部４８ａの内側に入るように配置されている。図示例においては、剥離ローラ２２は、ドラム３０との間隙ｂが、出口アース板４８とドラム３０との間隙ａよりも小さくなるように配置されている。
また、巻掛ローラ２０は、剥離ローラ２２と同様のガイドローラで、ドラム３０への基板Ｚの巻き掛けを開始する位置近傍に配置され、その一部が、入口アース板４４の開口部４４ａの内側に入るように配置されている。

前述のように、本発明の成膜装置１０においては、基板Ｚを巻き掛けて搬送するドラム３０に、バイアス電源６０からバイアス電位を印加しつつ、成膜を行なう。
このように基板Ｚをドラム３０に巻き掛けて長手方向に搬送し、かつ、ドラム３０に電力を供給しつつ、プラズマ等を生成して基板Ｚに成膜を行なう装置においては、ドラム３０に供給する高出力の電力によって、プラズマ生成等のために放電してほしい成膜領域以外の領域にも、ドラムからの放電（異状放電）が生じ、これにより、膜質の劣化、基板Ｚや成膜した膜の損傷、装置の損傷等が生じる。

ここで、異状放電は、ドラム３０に対面かつ近接して、接地された導電性の板状物、すなわち、アース板を配置することにより、抑制できる。
しかしながら、図２や図４に概念的に示すように、巻掛位置および離間位置の近傍では、基板Ｚの搬送経路を確保する必要があるため、ドラムに対面してアース板を設置しても、基板Ｚが挿通される開口部を形成する必要があり、ドラムに対面してアース板を設置することができない領域が生じる。

例えば、図４に示す成膜装置１００のように、ドラム１０２から離間した直後の基板Ｚを案内する剥離ローラ１０６が、ドラム１０２の周面に対面して配置されている出口アース板１０４よりも、ドラム１０２から遠い位置に配置されている場合には、出口アース板１０４の開口部１０４ａの形状を、基板Ｚが挿通可能で、可能な限り小さい開口とすれば、異状放電を抑制することができる。

しかしながら、前述のとおり、搬送中の基板Ｚにはバタツキが発生してしまうため、基板Ｚが出口アース板１０４と接触して、損傷してしまうおそれがある。特に、ドラム１０２に電力を供給して成膜を行なう場合には、基板Ｚが帯電して静電力によりドラム１０２に貼り付いているため、基板Ｚがドラム１０２から離間する位置が安定せず、図４に破線で示すように、基板Ｚのバタツキ量ｔが大きくなってしまう。

そのため、剥離ローラ１０６が、出口アース板１０４よりもドラム１０２から遠い位置に配置される成膜装置１００においては、基板Ｚが出口アース板１０４と接触しないように、開口部１０４ａを大きくする必要があり、ドラム１０２からの異状放電を十分に抑制することができない。
また、特に離間位置においては、ドラム１０２と基板Ｚとが離間すなわち剥離されることによって生じる静電気、いわゆる剥離放電による影響も大きく、異状放電が生じ易い。

これに対して、本発明の成膜装置１０は、ドラム３０から直近のガイドローラである、接地された剥離ローラ２２（巻掛ローラ２０）の少なくとも一部が、ドラム３０と基板Ｚとの剥離位置（巻掛位置）近傍に配置された出口アース板４８（入口アース板４４）の開口部４８ａ（開口部４４ａ）に入るように配置されているので、開口部４８ａに対面する領域でのドラム３０からの異状放電も抑制することができる。

また、剥離ローラ２２（巻掛ローラ２０）の少なくとも一部が、開口部４８ａ（開口部４４ａ）に入るように配置されているので、基板Ｚのバタツキが発生しても、基板Ｚが出口アース板４８（入口アース板４４）に接触することを防止できる。また、剥離ローラ２２（巻掛ローラ２０）とドラム３０との間隙を小さくすることができるので、基板Ｚのバタツキ量も小さくすることができ、また、基板Ｚがドラム３０から剥離されることによって生じる剥離放電も抑制することができる。

ここで、剥離ローラ２２とドラム３０との間隙ｂは、ドラムからの異状放電をより好適に抑制でき、基板Ｚのバタツキをより好適に抑制できる等の点で、５ｍｍ以下であることが好ましく、４ｍｍ以下がより好ましい。また、剥離ローラ２２とドラム３０との間隙ｂの下限は、基板Ｚを搬送可能で、かつ、剥離ローラ２２とドラム３０とが短絡しない距離であればよく、１ｍｍ以上がより好ましい。

また、剥離ローラ２２と出口アース板４８との間隙ｃは、ドラム３０からの異状放電をより好適に抑制できる等の点で、５ｍｍ以下であることが好ましく、２ｍｍ以下であることがより好ましい。また、剥離ローラ２２と出口アース板４８との間隙ｃの下限は、基板Ｚを搬送可能であればよく、１ｍｍ以上がより好ましい。

また、図示例の成膜装置１０においては、剥離ローラ２２とドラム３０との間隙ｂが、出口アース板４８とドラム３０との間隙ａよりも小さくなる位置に、剥離ローラ２２を配置したが、本発明は、これに限定はされず、図３に示す成膜装置８０のように、剥離ローラ２２とドラム３０との間隙ｂが、出口アース板４８とドラム３０との間隙ａ以上となる位置に、剥離ローラ２２を配置してもよい。なお、より好適に異状放電を抑制し、また、より好適に基板Ｚのバタツキを抑制することができる等の点で、間隙ｂ＜間隙ａとすることが好ましい。

真空排気手段４６は、巻出し室１４内を、成膜室１６の圧力（成膜圧力）に応じた圧力に減圧することにより、基板Ｚの送り出しおよび巻取りを行なう巻出し室１４の圧力が、成膜室１６および第２成膜室２４での成膜に悪影響を及ぼすことを防止するためのものである。

本発明において、真空排気手段４６には、特に限定はなく、ターボポンプ、メカニカルブースターポンプ、ロータリーポンプ、ドライポンプなどの真空ポンプ、さらには、クライオコイル等の補助手段、到達真空度や排気量の調整手段等を利用する、真空成膜装置に用いられている公知の（真空）排気手段が、各種、利用可能である。
この点に関しては、後述する真空排気手段５６も同様である。

なお、巻出し室１４内の圧力には、特に限定はなく、成膜室１６の圧力に応じて、この圧力に悪影響を及ぼさない圧力を、適宜、設定すればよい。
ここで、ドラム３０において、基板が巻き掛かっていない領域、すなわち、ドラム３０に基板Ｚが巻き掛かり始める位置と、巻き掛けられた基板Ｚがドラム３０から離間する位置との間における異状放電を抑制するためには、巻出し室１４内の圧力は、成膜室１６よりも低い圧力とするのが好ましく、特に、異状放電が生じない、十分な低圧力（高真空）を、適宜、設定するのが好ましい。
この点を考慮すると、巻出し室１４内の圧力は、成膜室１６の１／１０以下、もしくは、１０Ｐａ以下とするのが好ましい。

図示例の成膜装置１０において、巻出し室１４の下方には、成膜室１６が配置される。
図示例において、成膜室１６は、真空チャンバ１２の内壁面１２ａと、ドラム３０の周面と、隔壁３６ａおよび３６ｂとによって構成される。

なお、図示例においては、巻出し室１４と成膜室１６とは、ドラム３０を利用して、隔壁３６ａおよび３６ｂのみによって、略気密に隔離されるが、本発明は、これに限定はされない。
例えば、巻出し室１４と成膜室１６との間（巻掛ローラ２０とドラム３０との間、ならびに、ドラム３０と剥離ローラ２２との間）に、基板Ｚの搬送経路のみで巻出し室１４および成膜室１６と連通する、両室と略気密に隔離される室を設け、此処に、圧力調整手段を設けて、この間の室を、巻出し室１４と成膜室１６とを分離して、両室の間でのガスの混入を防止するための、差圧室としてもよい。

図示例の成膜装置１０において、成膜室１６は、一例として、ＣＣＰ（Capacitively Coupled Plasma 容量結合型プラズマ）−ＣＶＤによって、基板Ｚの表面に成膜を行なうものであり、シャワー電極５０と、原料ガス供給手段５２と、高周波電源５４と、真空排気手段５６と、第３アース板５８ａおよび５８ｂとが配置される。
また、前述のように、ドラム３０には、バイアス電源６０が接続される。

シャワー電極５０は、ＣＣＰ−ＣＶＤに利用される、公知のシャワー電極である。
図示例において、シャワー電極５０は、一例として、中空の略直方体状であり、１つの最大面をドラム３０の周面に対面して配置される。また、シャワー電極５０のドラム３０との対向面には、多数の貫通穴が全面的に成膜される。
なお、図示例においては、好ましい態様として、シャワー電極５０のドラム３０との対向面は、ドラム３０の周面に沿う様に湾曲しているが、平板状であってもよい。
また、シャワー電極５０とドラム３０との間の距離は１０〜１００ｍｍが好ましい。

なお、図示例において、成膜室１６には、シャワー電極（ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜手段）が、１個、配置されているが、本発明は、これに限定はされず、基板Ｚの搬送方向に、複数のシャワー電極を配列してもよい。この点に関しては、ＣＣＰ−ＣＶＤ以外のプラズマＣＶＤを利用する際も同様であり、例えば、ＩＣＰ−ＣＶＤによって成膜する場合には、誘導電界（誘導磁場）を成膜するためコイルを、基板Ｚの搬送方向に、複数、配置してもよい。
また、本発明は、シャワー電極５０を用いるのにも限定はされず、通常の板状の電極と、原料ガス供給用のノズルとを用いるものであってもよい。

原料ガス供給手段５２は、プラズマＣＶＤ装置等の真空成膜装置に用いられる公知のガス供給手段であり、シャワー電極５０の内部に、原料ガスを供給する。
前述のように、シャワー電極５０のドラム３０との対向面には、多数の貫通穴が供給されている。従って、シャワー電極５０に供給された原料ガスは、この貫通穴から、シャワー電極５０とドラム３０との間に導入される。

高周波電源５４は、シャワー電極５０に、プラズマ励起電力を供給する電源である。高周波電源５４も、各種のプラズマＣＶＤ装置で利用されている、公知の高周波電源が、全て利用可能である。
さらに、真空排気手段５６は、プラズマＣＶＤによる成膜のために、成膜室１６内を排気して、所定の成膜圧力に保つものである。
なお、成膜室１６の圧力（成膜圧力）は、ＣＣＰ−ＣＶＤの場合は、１０〜２００Ｐａが好ましい。成膜圧力が１０Ｐａ未満の場合は、成膜レートを高くすることが困難である。また、成膜圧力が２００Ｐａを超える場合には、気中で原料ガスの反応が進み、微小粉末が発生してしまう。そのため、基板Ｚに成膜される膜の膜質が低下してしまう。

なお、本発明において、ＣＶＤ成膜室における成膜方法は、図示例のＣＣＰ−ＣＶＤに限定はされず、例えばＣａｔ−ＣＶＤ（Journal of the Society of Materials Science,Japan Vol.55 No.2 p142,Feb,2006）など、他のＣＶＤにも利用可能である。
また、本発明の成膜装置において、ＣＶＤ成膜室が成膜する膜にも、特に限定はなく、ＣＶＤによって成膜可能なものが、全て、利用可能であるが、特に、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン等の無機膜や、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン膜）、透明導電膜などが好ましく例示される。

前述のように、ドラム３０には、バイアス電源６０が接続される。
図示例の成膜装置１０においては、ドラム３０は、ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜において、シャワー電極５０（プラズマ励起電極）の対抗電極として作用する。成膜装置１０においては、ドラム３０にバイアス電源６０を接続して、対抗電極であるドラム３０にバイアス電位を印加することにより、成膜する膜の膜質向上や生産性（成膜効率）の向上等を図っている。

図示例において、バイアス電源６０（ドラム３０に電力を供給する電源）は、一例として、高周波電源であるが、本発明はこれに限定はされず、交流もしくは直流のパルス電源等、ＣＣＰ−ＣＶＤにおいて対抗電極にバイアス電位を印加するために利用される電源が、全て、利用可能である。

なお、本発明において、ドラム３０にバイアス電位を印加するための投入電力には、特に限定はない。ここで、バイアス電位が高い程、膜質の向上効果および生産性の向上効果が得られる反面、バイアス電位が高い程、後述するドラム３０の異状放電が発生し易くなる。しかしながら、前述のとおり、本発明によれば、高電位のバイアス電位を印加しても、ドラム３０からの基板Ｚの剥離部における異状放電を抑制できる。
以上の点を考慮すると、本発明において、膜質向上効果および生産性の向上効果を十分に得られ、かつ、異状放電抑制という本発明の効果が十分に発現できる等の点で、バイアス電位を印加するための投入電力は、５０Ｗ以上とするのが好ましい。

図示例の成膜装置１０において、成膜室１６には、好ましい態様として、成膜領域以外（シャワー電極５０と対面する領域以外）のドラム３０の周面に対面して、第３アース板５８ａおよび５８ｂ（以下、両者をまとめて第３アース板５８とする）が配置される。
第３アース板５８は、公知の手段で接地（アース）されている、ドラム３０の周面と同じ曲率で湾曲する導電性を有する板材である。

前述のように、本発明の成膜装置１０では、ドラム３０にバイアス電源６０を接続し、ドラム３０にバイアス電位を印加しつつ、ＣＣＰ−ＣＶＤによって基板に成膜を行なう。
ドラム３０に高いバイアス電位を印加しつつ成膜を行なうと、生産性の向上や膜質の向上を図れる。しかしながら、その反面、ドラム３０に高いバイアス電位を印加（高出力の電力を供給）すると、シャワー電極５０と対面する成膜領域以外でドラム３０から放電する、異状放電が生じてしまう。このようなドラム３０からの異状放電が発生すると、成膜領域における放電に影響を与えてしまい、その結果、成膜領域で生成されるプラズマが不安定になり、これに起因して、成膜する膜の膜質が低下してしまう。また、ドラム３０からの異状放電が生じると、基板Ｚや成膜した膜の損傷等が生じ、さらに、装置が破損してしまう場合がある。

これに対し、図示例の成膜装置１０においては、好ましい態様として、成膜室１６において、成膜領域以外のドラム３０の周面に対面して、導電性で、かつ接地される第３アース板５８を配置する。これにより、成膜領域以外のドラム３０からの異状放電を抑制して、異状放電に起因する膜質低下や基板損傷等の無い、適正な成膜を、安定して行なうことを可能にしている。

この第３アース板５８は、基本的に、成膜領域以外の一部でドラム３０に対面して配置されれば、異状放電の抑制効果が得られるが、成膜室１６中における成膜領域以外のドラム３０の周面を、装置の構成上可能な最大範囲を覆うのが好ましい。
また、第３アース板５８とドラム３０の周面の距離には、特に限定は無いが、近い方が、異状放電の抑制効果は大きく、基板Ｚとの接触等を考慮した装置構成上、可能な限り近接するのが好ましいが、本発明者らの検討によれば、第３アース板５８とドラム３０の周面の距離は、５ｍｍ以下、特に、３ｍｍ以下とすることにより、成膜室１６内におけるドラムの異状放電を好適に抑制できる。

成膜室１６において、ドラム３０に巻き掛けられた状態で搬送され、シャワー電極５０とドラム３０との間においてＣＣＰ−ＣＶＤ法によって成膜された基板Ｚは、再度、巻出し室１４に至って、剥離ローラ２２に案内されて、ドラム３０から離間され、ガイドローラ４０ｂに案内され、所定経路を搬送されて巻取り軸３４に至り、再度、ロール状に巻回される。

以下、成膜装置１０の作用を説明する。
前述のように、回転軸４２に基板ロール３２が装填されると、基板ロール３２から基板Ｚが引き出され、ガイドローラ４０ａ、巻掛ローラ２０、ドラム３０、剥離ローラ２２、およびガイドローラ４０ｂを経て、巻取り軸３４に至る所定の搬送経路を挿通される。

基板Ｚが挿通されたら、真空チャンバ１２を閉塞して、真空排気手段４６および５６を駆動して、巻出し室１４および成膜室１６の排気を開始する。
巻出し室１４および成膜室１６が所定の真空度以下まで排気されたら、次いで、原料ガス供給手段５２を駆動して、成膜室１６に原料ガスを供給し、さらに、真空排気手段４６の駆動を巻出し室１６の所定圧力に応じて調節する。

巻出し室１４および成膜室１６の圧力が所定圧力で安定したら、ドラム３０等の回転を開始して基板Ｚの搬送を開始し、さらに、高周波電源５４およびバイアス電源６０を駆動して、基板Ｚを長手方向に搬送しつつ、成膜室１６における基板Ｚへの成膜を開始する。

ここで、前述のように、本発明においては、ドラム３０への基板Ｚの巻き掛けを開始する巻掛位置（電極への入口）に入口アース板４４が、基板Ｚがドラム３０から離間する離間位置（電極からの出口）に出口アース板４８が、それぞれ配置されており、さらに、巻掛ローラ２０の一部が入口アース板４４の開口部４４ａに入るように、巻掛ローラ２０が配置され、剥離ローラ２２の一部が出口アース板４８の開口部４８ａに入るように、剥離ローラ２２が配置されているので、巻掛位置近傍および剥離位置近傍でのドラム３０からの異状放電を好適に抑制することができ、異状放電に起因する膜質劣化、基板／膜面や装置の損傷等を、好適に抑制できる。
また、巻掛位置近傍および剥離位置近傍での基板Ｚのバタツキを抑制することができるので、基板Ｚが入口アース板４４および出口アース板４８に接触して、損傷することを抑制できる。
また、図示例においては、成膜室１６において、成膜領域以外に第３アース板５８を設けているので、成膜室１６内での異状放電も好適に抑制でき、異状放電に起因する前記不都合を、より好適に抑制できる。

図１に示す成膜装置１０は、ドラム３０の周面に対面するシャワー電極５０にプラズマ励起電力を供給し、ドラム３０にバイアス電位を印加する構成であるが、本発明は、これに限定はされず、ドラム３０にプラズマ励起電力を供給する構成であってもよい。

また、成膜室における成膜方法も、プラズマＣＶＤに限定はされず、スパッタリング等も、好適に利用可能である。
すなわち、本発明は、長尺な基板をドラムに巻き掛けて搬送しつつ、ドラムに巻き掛かっている基板に成膜を行なう装置であって、かつ、ドラムに電力を供給しつつ成膜を行なうものであれば、各種の成膜方法や成膜装置に利用可能である。中でも特に、成膜圧力の関係でドラムからの異状放電が生じやすいプラズマＣＶＤ、その中でも特に、ＣＣＰ−ＣＶＤ法は、好適に利用可能である。

また、図示例の成膜装置１０においては、好ましい態様として、巻掛位置および剥離位置に入口アース板４４および出口アース板４８をそれぞれ配置して、その開口部（４４ａ、４８ａ）に、巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２の一部が入るように、巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２をそれぞれ配置する構成としたが、本発明は、これに限定はされない。
すなわち、巻掛ローラ２０が、その一部が入口アース板４４の開口部４４ａに入るように配置されるのみであってもよいし、剥離ローラ２２が、その一部が出口アース板４８の開口部４８ａに入るように配置されるのみであってもよい。

ここで、巻き掛け位置で異状放電が生じると、基板Ｚの表面（成膜面）がダメージを受け、その結果、成膜面の表面性状が劣化してしまう可能性が有る。他方、前述のように、剥離位置では、剥離放電等に起因して、より、ドラムからの異状放電が生じ易い。
従って、作製する製品や成膜室１６で成膜する膜、さらに、基板Ｚの種類（成膜面の形成材料など）等に応じて、基板Ｚの成膜面の表面性状が良好であることが重要な場合には、巻掛ローラ２０が、その一部が入口アース板４４の開口部４４ａの内側に入るように配置されるのが好ましく、より確実にドラムからの異状放電を抑制したい場合には、剥離ローラ２２が、その一部が出口アース板４８の開口部４８ａの内側に入るように配置されるのが好ましい。
例えば、窒化ケシリコンや酸化シリコン膜を成膜するガスバリアフィルムの製造のように、成膜面の表面性状が非常に重要な場合には、少なくとも、巻掛ローラ２０が、その一部が入口アース板４４の開口部４４ａの内側に入るように配置されるのが好ましい。

また、異状放電によるプラズマの異状変動に起因する膜質劣化の抑制や、異状放電による装置の損傷の防止等が重要である場合には、少なくとも、剥離ローラ２２が、その一部が出口アース板４８の開口部４８ａの内側に入るように配置されるのが好ましい。
また、これらの点を考慮すれば、巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２はそれぞれ、その一部が開口部（４４ａ、４８ａ）の内側に入るように配置されるのが最も好ましい。

また、装置の構成上、可能であれば、入口アース板４４と出口アース板４８の少なくとも一部を一体的に構成してもよい。

以上、本発明の成膜装置について詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行なってもよいのは、もちろんのことである。

以下、本発明の具体的実施例を示すことにより、本発明を、より詳細に説明する。
［実施例１］
図１に示す成膜装置１０を用いて、基板Ｚに、酸化シリコン膜を成膜した。

基板Ｚは、ポリエステル樹脂フィルム（富士フイルム社製のポリエチレンテレフタレートフィルム）を用いた。
ドラム３０は、ステンレス製で、直径１０００ｍｍとした。
ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜の原料ガスは、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）、酸素ガス、窒素ガスを用い、成膜圧力は５０Ｐａとした。
高周波電源５４は、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用い、シャワー電極５０に供給したプラズマ励起電力は２０００Ｗとした。
また、バイアス電源６０は周波数４００ｋＨｚの高周波電源を用い、ドラム３０に供給したバイアス電力は２００Ｗとした。

入口アース板４４および出口アース板４８は、共に、厚さ６ｍｍで、アルミニウム製のものを用い、ドラム３０との隙間ａが、４ｍｍとなる位置に、ドラムと平行に配置した。
巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２は、共に、表面にクロームメッキを施したアルミニウム製のものを用い、ドラム３０との隙間ｂは、２ｍｍとし、入口アース板４４（出口アース板４８）との隙間ｃは、１ｍｍとした。

このような成膜条件の下、成膜装置１０において、１ｍの基板Ｚに酸化シリコン膜の成膜を行なった。基板搬送速度は２ｍ／ｍｉｎとした。
成膜中、巻出し室１４の剥離位置における放電の発生を目視で観察し、異状放電の状態を評価した。
評価は、成膜開始から終了まで、異状放電が認められなかった場合を◎；
成膜開始から終了までの間に、巻き掛け位置および剥離位置のいずれかの近傍で若干の異状放電が観察された場合を○；
成膜開始から終了までの間に、何れかの場所で異状放電が観察された場合を△；
成膜開始から終了までの間に、何れかの場所で強い異状放電が観察された場合を×； とした。
その結果、評価は「◎」であった。

また、成膜後のサンプルをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって観察することにより、基板Ｚの表面性状を評価した。
評価は、基板表面に全く損傷が認められなかった場合を○；
基板表面に若干の損傷が認められるが、実用上問題が無い場合を△；
基板表面に、実用上問題となる損傷が認められた場合を×； とした。
その結果、「○」であった。

［実施例２］
巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２とドラム３０との距離（間隙ｂ）をともに５ｍｍに変更、すなわち、間隙ｂ＞間隙ａとした以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、評価は「◎」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、評価は「○」であった。

［実施例３］
巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２とドラム３０との距離（間隙ｂ）をともに８ｍｍに変更し、巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２とアース板との距離（間隙ｃ）をともに４ｍｍに変更した以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、若干の異常放電が観察され、評価は「○」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、評価は「○」であった。

［実施例４］
巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２とアース板との距離（間隙ｃ）をともに５ｍｍに変更した以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、若干の異常放電が観察され、評価は「○」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、評価は「○」であった。

［実施例５］
巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２とドラム３０との距離（間隙ｂ）をともに９．５ｍｍに変更し、巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２とアース板との距離（間隙ｃ）をともに３ｍｍに変更した以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２とドラム３０との間に若干の放電が観察され、評価は「○」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、評価は「△」であった。

［実施例６］
巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２とドラム３０との距離（間隙ｂ）をともに５ｍｍに変更し、巻掛ローラ２０および剥離ローラ２２とアース板との距離（間隙ｃ）をともに５ｍｍに変更し、アース板の厚みを４ｍｍに変更した以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、若干の異常放電が観察され、評価は「○」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、評価は「○」であった。

［実施例７］
入口アース板４４および出口アース板４８とドラム３０との距離（間隙ａ）を７ｍｍに変更した以外は、実施例２と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、評価は「◎」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、評価は「○」であった。

［実施例８］
剥離ローラとドラムとの距離（間隙ｂ）を１５ｍｍとし、剥離ローラを出口アース板よりも、ドラムから遠い位置に配置し、基板Ｚのバタツキによるアース板との擦れを考慮して出口アース板と剥離ローラとの間隔（間隙ｃ）を１０ｍｍとした以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、剥離ローラとドラム３０との間に異状放電が観察され、評価は「△」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、評価は「△」であった。

［実施例９］
巻掛ローラとドラムとの距離（間隙ｂ）を１５ｍｍとし、巻掛ローラを入口アース板よりも、ドラムから遠い位置に配置し、基板Ｚのバタツキによるアース板との擦れを考慮して入口アース板と巻掛ローラとの間隔（間隙ｃ）を１０ｍｍとした以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、巻掛ローラとドラム３０との間に若干の異状放電が観察され、評価は「○」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、評価は「△」であった。

［比較例１］
図４に示すように、巻掛ローラおよび剥離ローラとドラムとの距離（間隙ｂ）をそれぞれ４５ｍｍとし、巻掛ローラおよび剥離ローラを、それぞれ入口アース板および出口アース板よりも、ドラムから遠い位置に配置し、基板Ｚのバタツキによるアース板との擦れを考慮してアース板と巻掛ローラおよび剥離ローラとの間隔（間隙ｃ）を３５ｍｍとした以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、巻掛ローラおよび剥離ローラとドラムとの間に強く局所的な異状放電が確認され、評価は「×」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、実用上、問題となる基板表面の荒れが確認され、評価は「×」であった。

［比較例２］
入口アース板４４および出口アース板４８を配置せず、巻掛ローラおよび剥離ローラとドラムとの距離（間隙ｂ）をそれぞれ４５ｍｍとした以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、開口部全体に異状放電が観察され、評価は「△」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、実用上、問題となる基板表面の荒れが確認され、評価は「×」であった。

［比較例３］
巻掛ローラおよび剥離ローラとドラムとの距離（間隙ｂ）をそれぞれ１５ｍｍとし、巻掛ローラおよび剥離ローラを、それぞれ入口アース板および出口アース板よりも、ドラムから遠い位置に配置し、基板Ｚのバタツキによるアース板との擦れを考慮してアース板と巻掛ローラおよび剥離ローラとの間隔（間隙ｃ）を１０ｍｍとした以外は、実施例１と全く同様にして、基板Ｚに酸化シリコン膜を成膜した。
実施例１と同様に異状放電の状態を評価したところ、巻掛ローラおよび剥離ローラとドラムとの間に局所的な異状放電が確認され、評価は「×」であった。
また、実施例１と同様に基板Ｚの表面性状を評価したところ、実用上、問題となる基板表面の荒れが確認され、評価は「×」であった。
以上の結果を、下記表１にまとめて示す。

表１に示されるように、剥離ローラ（巻掛ローラ）の少なくとも一部が、剥離位置（巻掛位置）近傍に配置された出口アース板（入口アース板）の開口部の内側に入るように配置するという本発明の実施例１〜９は、いずれも、異状放電の発生を低減することができ、放電に起因する膜質の低下や基板Ｚの損傷を低減することができた。
また、アース板とドラムとの間隙ａ、剥離ローラ（巻掛ローラ）とドラムとの間隙ｂ、および、剥離ローラ（巻掛ローラ）とアース板との間隙ｃをそれぞれ狭くすることにより、より好適に異状放電を抑制することができた。
また、剥離ローラおよび巻掛ローラの両方を、それぞれ、出口アース板および入口アース板の開口部の内側に入るように配置することにより、より好適に異状放電を抑制することができた。

これに対して、剥離ローラおよび巻掛ローラをアース板よりも遠い位置に配置する比較例１、３およびアース板を配置しない比較例２は、強い異状放電が発生し、実用上問題となる基板の損傷が認められた。
以上の結果より、本発明の効果は、明らかである。

本発明によれば、放電に起因する膜質劣化等の無い機能性フィルムを安定して製造できるので、ガスバリアフィルムの製造等に好適に利用可能である。

１０、８０、１００ 成膜装置
１２ 真空チャンバ
１４ 巻出し室
１６ 成膜室
２０ 巻掛ローラ
２２ 剥離ローラ
３０、１０２ ドラム
３２ 基板ロール
３４ 巻取り軸
３６ 隔壁
４０、１０６ ガイドローラ
４２ 回転軸
４４ 入口アース板
４４ａ、４８ａ、１０４ａ 開口部
４６，５６ 真空排気手段
４８ 出口アース板
５０ シャワー電極
５２ 原料ガス供給手段
５４ 高周波電源
５８ 第３アース板
６０ バイアス電源
１０４ アース板

Claims (15)

1. 長尺な基板を円筒状のドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、この基板にスパッタリングまたはプラズマＣＶＤにより成膜を行なう成膜装置であって、
   前記ドラムに周面に対面して設けられる成膜手段と、
   前記ドラムに電力を供給する電源と、
   前記ドラムと前記ドラムに巻き掛けられた前記基板とが離間する位置で前記ドラムの周面に対面して配置される、前記基板を挿通するための開口部が形成され、導電性で接地される、板状のアース板と、
   前記ドラムから離間した直後の前記基板を案内する搬送ローラとを有し、
   前記搬送ローラが、導電性で接地されており、かつ、この搬送ローラの少なくとも一部が、前記アース板の前記開口部に入るように配置されていることを特徴とする成膜装置。
2. 前記搬送ローラと前記ドラムとの間隙が、前記アース板と前記ドラムとの間隙よりも小さい請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記搬送ローラと前記ドラムとの間隙が、５ｍｍ以下である請求項１または２に記載の成膜装置。
4. 前記アース板と前記ドラムとの間隙が、７ｍｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜装置。
5. 前記アース板と前記搬送ローラとの間隙が５ｍｍ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の成膜装置。
6. 前記アース板の全面が前記ドラムの周面に沿って湾曲する請求項１〜５のいずれか１項に記載の成膜装置。
7. 前記基板が前記ドラムに巻き掛かる位置で前記ドラムの周面に対面して設けられる、前記基板を挿通するための開口部が形成され、導電性で接地される、板状の第２アース板と、
   前記ドラムに巻き掛かる直前の前記基板を案内する第２搬送ローラとを有し、
   前記第２搬送ローラが、導電性で接地されており、かつ、この第２搬送ローラの少なくとも一部が、前記第２アース板の前記開口部に入るように配置されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の成膜装置。
8. 長尺な基板を円筒状のドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、この基板にスパッタリングまたはプラズマＣＶＤにより成膜を行なう成膜装置であって、
   前記ドラムに周面に対面して設けられる成膜手段と、
   前記ドラムに電力を供給する電源と、
   前記基板が前記ドラムに巻き掛かる位置で前記ドラムの周面に対面して配置される、前記基板を挿通するための開口部が形成され、導電性で接地される、板状の第２アース板と、
   前記ドラムに巻き掛かる直前の前記基板を案内する第２搬送ローラとを有し、
   前記第２搬送ローラが、導電性で接地されており、かつ、この第２搬送ローラの少なくとも一部が、前記基板を挿通するための前記第２アース板の開口部に入るように配置されていることを特徴とする成膜装置。
9. 前記第２搬送ローラと、前記ドラムとの間隙が、前記第２アース板と前記ドラムとの間隙よりも小さい請求項７または８に記載の成膜装置。
10. 前記第２搬送ローラと前記ドラムとの間隙が、５ｍｍ以下である請求項７〜９のいずれか１項に記載の成膜装置。
11. 前記第２アース板と前記ドラムとの間隙が、７ｍｍ以下である請求項７〜１０のいずれか１項に記載の成膜装置。
12. 前記第２アース板と前記第２搬送ローラとの間隙が５ｍｍ以下である請求項７〜１１のいずれか１項に記載の成膜装置。
13. 前記第２アース板の全面が前記ドラムの周面に沿って湾曲する請求項７〜１２のいずれか１項に記載の成膜装置。
14. 前記成膜手段によって前記基板に成膜を行なう際の成膜圧力が１０〜１００Ｐａである請求項１〜１３のいずれか１項に記載の成膜装置。
15. プラズマＣＶＤによって、前記基板に成膜を行なう請求項１〜１４のいずれか１項に記載の成膜装置。

Images