JP5326390B2 - 固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 63
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 48
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 claims description 11
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 240
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 21
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 6
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 5
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 5
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Description
このような固体撮像素子においては、有効撮像領域の中央部に比べて周辺部での信号出力が減衰(感度低下)するシェーディングという現象が生じる。このシェーディングは、有効撮像領域の周辺部へ入射光が斜めに入射して光利用効率が低下することに起因している。従来、シェーディングを防止するために、カメラレンズからの主光線入射角度を考慮して、有効撮像領域の中心ではマイクロレンズを受光素子の位置に配列し、有効撮像領域の周辺部では、マイクロレンズを受光素子より有効撮像領域の中央部側にシフトさせて配列することが行われている。このシフト量の設定に関しては、カメラレンズの射出瞳中心からマイクロレンズ中心に入射される光線について、スネルの法則に基づいた光線追跡を行い、その光線が受光素子の中心に入射するようにマイクロレンズのシフト量を決定する方法が開示されている(特許文献1、2)。
また、従来の固体撮像素子では、マイクロレンズへ入射する光線の入射角度が大きくなるに従って(すなわち、有効撮像領域の外周部において)発生するレンズ収差の影響が考慮されておらず、単純な光線追跡では適正なシフト量の設定が困難である。特に、効果的なシェーディング改善が必要とされる有効撮像領域の外周部にて、最適なシフト設定ができないという問題があった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、層内レンズを有しシェーディングが抑制された固体撮像素子とこれを用いた撮像装置を提供することを目的とする。
Si=Σ j=i M d j tanθ j … 式(1)
ただし、d j =i層目からM層目までの間に位置するj層目の厚み、
θ j =i層目からM層目までの間に位置するj層目の光線角度であり、
θ j =sin -1 ((n j-1 /n j )sinθ j-1 )で示され、
n 0 =1.0(0層目は大気)であり、n j はj層目の屈折率であり、
θ 0 はカメラレンズの射出瞳中心からマイクロレンズの中心位置
に入射した主光線入射角度であり、
i層目(i=1、2、・・・、N)のシフト量Si actualを下記の式(2)で設定し、
Si actual=a×Si … 式(2)
ただし、aは収差補正係数であり、0<a<1、
前記シフト量は、前記式(1)および式(2)から算出されるシフト量Si actualであり、各マイクロレンズの中心位置のみを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせ、各カラーフィルタの中心位置と各層内レンズの中心位置と各遮光層の開口中心位置のシフトは行わないときの前記収差補正係数aは0.68≦a<1の範囲であり、各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置とを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせ、各層内レンズの中心位置と各遮光層の開口中心位置のシフトは行わないときの前記収差補正係数aは0.73≦a<1の範囲であり、各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置と各層内レンズの中心位置とを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせ、各遮光層の開口中心位置のシフトは行わないときの前記収差補正係数aは0.66≦a<1の範囲であり、各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置と各層内レンズの中心位置と各遮光層の開口中心位置とを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせるときの前記収差補正係数aは0.94≦a<1の範囲であるような構成とした。
本発明の他の態様として、各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置とを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせ、各遮光層の開口中心位置のシフトは行わないときの前記収差補正係数aは0.79≦a≦0.94の範囲であるような構成とした。
本発明の撮像装置は、上述の本発明の固体撮像素子を備えるような構成とした。
本発明の撮像装置は、斜め入射に起因するケラレ等のロスが少なく、入射光量に対しての効率分布の少ない高品位のものであり、小型化、薄型化が可能である。
[固体撮像素子]
図1は本発明の固体撮像素子の一実施形態を示す概略構成図である。図1において、固体撮像素子1は、基板2に一定の配置ピッチで2次元配置された複数の受光素子3と、配線層4、5と遮光層6を有する絶縁層7と、この絶縁層7上に順次設けられたパッシベーション層8、層内レンズ9、下平坦化層10、カラーフィルタ11、上平坦化層12、および、マイクロレンズ13を有している。
層内レンズ9は、マイクロレンズ13で集光した光線を有効に受光素子3に導くためのレンズであり、各受光素子3に対応して形成されている。この層内レンズ9は、パッシベーション層8上に形成されているため、光入射側に凸となっており、光軸側にコマ収差を生じる特性を有している。層内レンズ9の形状は、例えば、回転楕円体の一部を切り取った形状とし、隣接するマイクロレンズとの境界に隙間のない形状であってよいが、これに限定されるものではない。尚、層内レンズ9は、遮光層6に起因するパッシベーション層8の表面凹凸を利用して形成される場合もあり、この場合は受光素子3側に凸となり、コマ収差としては、上述のマイクロレンズと逆の特性(軸外方向に収差を生じる)となったり、あるいはコマ収差を生じないものとなる。
カラーフィルタ11は、赤色フィルタ11R、緑色フィルタ11G、青色フィルタ11Bが配列されたものであり、これらの各色のフィルタは各受光素子3に対応している。
上平坦化層12は、カラーフィルタ11を被覆して平坦面を形成し、同等の集光性を有する均質なマイクロレンズ13の形成を可能にするものである。このような上平坦化層12は、樹脂材料で形成することができる。
マイクロレンズ13は、各受光素子3、カラーフィルタ11の各色フィルタに対応して形成されており、上平坦化層12上に形成されているため、光入射側に凸となっており、光軸側にコマ収差を生じる特性を有している。マイクロレンズ13の形状は、例えば、回転楕円体の一部を切り取った形状とし、隣接するマイクロレンズとの境界に隙間のない形状であってよいが、これに限定されるものではない。
n0sinθ0=n1sinθ1
よって、θ1=sin-1((n0/n1)sinθ0)となる。
同様に、j−1層およびj層の界面におけるθj(j層から出射する主光線の出射角度)は、θj=sin-1((nj-1/nj)sinθj-1)となる。
同様に、j層のj−1層に対するシフト量dSjは、dSj=djtanθjとなる。
そして、i層目(i=1、2、・・・、M)からM層目までのシフト量dSjの累積が、1層目からN層目(1≦N≦M)までをシフトするときのi層目(i=1、2、・・・、N)の想定シフト量Siとなり、下記の式(1)で表される。
Si=Σj=i Mdjtanθj … 式(1)
ただし、dj=i層目からM層目までの間に位置するj層目の厚み、
θj=i層目からM層目までの間に位置するj層目の光線角度であり、
θj=sin-1((nj-1/nj)sinθj-1)で示され、
n0=1.0(0層目は大気)であり、njはj層目の屈折率であり、
θ0はカメラレンズの射出瞳中心からマイクロレンズの中心位置
に入射した主光線入射角度であり、
尚、屈折率の測定は分光エリプソメータを用いて行う。以下の本発明においても同様である。
本発明では、シフト量が、このように求めた想定シフト量よりも小さく設定され、i層目(i=1、2、・・・、N)のシフト量Si actualは下記の式(2)で表される。ただし、aは収差補正係数であり、0<a<1である。
Si actual=a×Si … 式(2)
図3は、入射角度20°でマイクロレンズに入射した平行光が受光素子上に集光する状態を示す図である。図3に示されるように、光入射側からマイクロレンズ13、上平坦化層12、カラーフィルタ11、下平坦化層10、層内レンズ9、パッシベーション層8、遮光層6、配線層5、配線層4、受光素子3の順に配設されている。そして、各マイクロレンズ13の中心位置と、各カラーフィルタ11(赤色フィルタ11R、緑色フィルタ11G、青色フィルタ11B)の中心位置と、各層内レンズ9の中心位置と、絶縁層7fに配設されている各遮光層6の開口中心位置と、絶縁層7dに配設されている各配線層5の開口中心位置と、絶縁層7bに配設されている各配線層4の開口中心位置を、上記の式(1)から得られる想定シフト量に基づいてシフトさせている。また、隣接画素間で実質的に連続している上平坦化層12、下平坦化層10、パッシベーション層8、および、最も光入射側に位置する絶縁層7g、および、絶縁層7e、絶縁層7cも上記の式(1)から得られる想定シフト量に基づいてシフトさせたものとみなしている。勿論、これら各層の厚み、屈折率、マイクロレンズ13や層内レンズ9の曲率は、マイクロレンズ13に入射する主光線の入射角度が0°のときに、受光素子3の一点に集光するように設計されている。そして、図3に示すように、マイクロレンズ13への主光線の入射角度が大きくなると、受光素子3の1点に集光せず、マイクロレンズ13の中心に入射した光線の到達点よりも下側(図3において矢印で示す方向)、すなわち、有効撮像領域の中心方向へ光線がずれて到達し、コマ収差が生じる。
上述の固体撮像素子の実施形態は例示であり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
図15は、本発明の撮像装置の一実施形態を示す概略断面図である。図15において、本発明の撮像装置21は、本発明の固体撮像素子22を備えた基板23と、固体撮像素子22の外側に配した封止用部材24と、この封止用部材24を介して固体撮像素子22と所望の間隙を設けて対向するように配設された透明な保護材25とを備えている。また、固体撮像素子22は配線26、表裏導通ビア27を介して外部端子28に接続されている。このようなセラミックパッケージ型の撮像装置21は、種々のデジタルカメラ、ビデオカメラ等に使用することができ、カメラの高感度化、小型化、薄型化が可能である。
本発明の撮像装置は上述の実施形態に限定されるものではなく、固体撮像素子として本発明の固体撮像素子を備えるものであればよく、従来の種々の撮像装置の構成をそのまま採用することができる。
[実施例1]
まず、画素受光部ピッチ2.0μm、画素数2592個(X軸方向)×1944個(Y軸方向)のフォトダイオード(受光素子サイズ1.0μm×1.0μm)からなり、図1に示されるように、基板2に一定の配置ピッチで2次元配置された複数の受光素子3と、Alからなる配線層4、5と遮光層6を有する絶縁層7(酸化珪素)と、パッシベーション層8(窒化珪素)とを備えたCMOSセンサーを形成したウェハを用意した。このCMOSセンサーでは、パッシベーション層の厚みが0.3μm、絶縁層は、図1に示されるように7層構造であり、各層の厚みは、7a=0.5μm、7b=7c=7d=7e=0.3μm、7f=0.4μm、7g=0.3μmである。絶縁層7fに配設されている遮光層の開口中心は、後述するシフト量(S8 actual)に基づいてシフトさせたものとした。また、パッシベーション層、絶縁層の屈折率を分光エリプソメータにより測定した結果、パッシベーション層の屈折率は2.0、絶縁層の屈折率は1.46であった。尚、屈折率の値は、以降も含めて、特に波長に指定のない限り、波長550nmでの値である。
パッシベーション層に、層内レンズ材料としてCVD法で窒化珪素膜を成膜し、住友化学(株)製 i線フォトレジストPFI58をスピン塗布し、プリベーク、1/5縮小型のi線ステッパーによる露光、現像、後露光、ポストベークによるメルトフローを行ってレンズ形状とした。その後、フッ素系ガスを用いた反応性ドライエッチングを行って、レジストのレンズ形状を窒化珪素膜に転写して、層内レンズ(高さ0.214μm、底面の平面形状は直径1.8μmの円形で、レンズ形状としては球体の一部となる)を形成した。形成した層内レンズの屈折率を上記と同様に測定した結果、2.0であった。尚、現像液として、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)の2.38%液を使用した。
上記の露光において使用したフォトマスクは、後述するシフト量(S5 actual)に基づいてシフトさせたマイクロレンズパターンとした。
層内レンズを被覆するように、パッシベーション層上に、光硬化型アクリル系透明樹脂材料(富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 CT−2020L)をスピン塗布し、次いで、プリベーク、紫外線全面露光、ポストベークを行って下平坦化層(厚み0.3μm)を形成した。この下平坦化層について、上記と同様に屈折率を測定した結果、1.56であった。
ネガ型感光性の赤色材料(R用材料)、緑色材料(G用材料)、青色材料(B用材料)として以下の材料を用意した。
R用材料:富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 SR−4000L
G用材料:富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 SG−4000L
B用材料:富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 SB−4000L
G、R、Bの形成順序に、上記材料をスピン塗布し、プリベーク、1/5縮小型のi線ステッパーによる露光、現像、ポストベークを行って、カラーフィルタ(膜厚0.8μm)を形成した。すなわち、まず、下平坦化層上にG用材料を塗布し、露光、現像した後、ポストベーク(220℃、10分間)を行って、市松状に緑色フィルタを形成した。次に、この緑色フィルタを被覆するようにR用材料を塗布し、フォトマスクを用いて露光、現像した後、ポストベーク(220℃、10分間)を行って赤色フィルタを形成した。次いで、赤色フィルタ、緑色フィルタを被覆するようにB用材料を塗布し、フォトマスクを用いて露光、現像した後、ポストベーク(220℃、10分間)を行って、青色フィルタを形成した。
尚、現像液として、富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 CD−2000の50%希釈液を使用した。
形成したカラーフィルタの各色フィルタについて、上記と同様に屈折率を測定した結果、赤色フィルタの屈折率は1.59(波長620nm)、緑色フィルタの屈折率は1.60(波長550nm)、青色フィルタの屈折率は1.61(波長450nm)であった。
カラーフィルタ上に、光硬化型アクリル系透明樹脂材料(富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 CT−2020L)をスピン塗布し、次いで、プリベーク、紫外線全面露光、ポストベークを行って上平坦化層を形成した。形成した上平坦化層の厚みは0.3μmであり、上記と同様に測定した屈折率は1.56であった。
上平坦化層に、マイクロレンズ材料としてJSR(株)製 MFR401Lをスピン塗布し、プリベーク、1/5縮小型のi線ステッパーによる露光、現像、後露光、ポストベークによるメルトフローを行って、マイクロレンズ(高さ0.387μm)を形成した。形成したマイクロレンズの屈折率を上記と同様に測定した結果、1.61であった。尚、現像液として、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)の1.19%液を使用した。
上記の露光において使用したフォトマスクは、上述の階調フォトマスクであり、また、後述するシフト量(S1 actual)に基づいてシフトさせたマイクロレンズパターンとした。
次いで、ウェハのダイシングを行い、パッケージ組立を行って、本発明の固体撮像素子を作製した。
また、i=5の層内レンズの想定シフト量S5は、上記の式(1)を基に、S5=Σj=5 13djtanθjから算出し、上記の式(2)を基に、S5に収差補正係数aとして0.98を乗じて、層内レンズのシフト量(S5 actual)を設定した。
また、i=3のカラーフィルタの想定シフト量S3は、上記の式(1)を基に、S3=Σj=3 13djtanθjから算出し、上記の式(2)を基に、S3に収差補正係数aとして0.98を乗じて、カラーフィルタのシフト量(S3 actual)を設定した。
さらに、i=1のマイクロレンズの想定シフト量S1は、上記の式(1)を基に、S1=Σj=1 13djtanθjから算出し、上記の式(2)を基に、S1に収差補正係数aとして0.98を乗じて、マイクロレンズのシフト量(S1 actual)を設定した。
層内レンズのシフト量(S5 actual)、カラーフィルタのシフト量(S3 actual)、およびマイクロレンズのシフト量(S1 actual)の設定に用いる収差補正係数aを0.82とし、遮光層の開口中心はシフトさせない他は、実施例1と同様にして、本発明の固体撮像素子を作製した。
このように作製した固体撮像素子にF2.8で図17に示す特性のカメラレンズを組み合わせ(このカメラレンズと本実施例のCMOSセンサーの組み合わせにて、有効撮像領域の最外周付近(対角線方向の四隅)で主光線入射角度が30°となる)、有効撮像領域の中心(主光線入射角度0°)での感度を100%としたときの、主光線入射角度が5°、10°、15°、20°、25°、30°の各グリーン画素での相対感度を測定し、その結果を下記の表2に示した。表2に示される結果から、シェーディングが抑制されていることが確認された。
マイクロレンズのシフト量(S1 actual)とカラーフィルタのシフト量(S3 actual)の設定に用いる収差補正係数aを0.82とし、層内レンズと遮光層の開口中心はシフトさせない他は、実施例1と同様にして、本発明の固体撮像素子を作製した。
このように作製した固体撮像素子にF2.8で図17に示す特性のカメラレンズを組み合わせ(このカメラレンズと本実施例のCMOSセンサーの組み合わせにて、有効撮像領域の最外周付近(対角線方向の四隅)で主光線入射角度が30°となる)、有効撮像領域の中心(主光線入射角度0°)での感度を100%としたときの、主光線入射角度が5°、10°、15°、20°、25°、30°の各グリーン画素での相対感度を測定し、その結果を下記の表2に示した。表2に示される結果から、シェーディングが抑制されていることが確認された。
マイクロレンズのシフト量(S1 actual)の設定に用いる収差補正係数aを0.82とし、カラーフィルタと層内レンズと遮光層の開口中心はシフトさせない他は、実施例1と同様にして、本発明の固体撮像素子を作製した。
このように作製した固体撮像素子にF2.8で図13に示す特性のカメラレンズを組み合わせ(このカメラレンズと本実施例のCMOSセンサーの組み合わせにて、有効撮像領域の最外周付近(対角線方向の四隅)で主光線入射角度が30°となる)、有効撮像領域の中心(主光線入射角度0°)での感度を100%としたときの、主光線入射角度が5°、10°、15°、20°、25°、30°の各グリーン画素での相対感度を測定し、その結果を下記の表2に示した。表2に示される結果から、シェーディングが抑制されていることが確認された。
マイクロレンズ、カラーフィルタ、層内レンズ、および遮光層の開口中心をシフトさせない他は、実施例1と同様にして、固体撮像素子を作製した。
このように作製した固体撮像素子にF2.8で図17に示す特性のカメラレンズを組み合わせ(このカメラレンズと本実施例のCMOSセンサーの組み合わせにて、有効撮像領域の最外周付近(対角線方向の四隅)で主光線入射角度が30°となる)、有効撮像領域の中心(主光線入射角度0°)での感度を100%としたときの、主光線入射角度が5°、10°、15°、20°、25°、30°の各グリーン画素での相対感度を測定し、その結果を下記の表2に示した。表2に示される結果から、実施例1〜4に比べてシェーディング現象が顕著であった。
層内レンズのシフト量を実施例2で説明した想定シフト量S5に設定し、カラーフィルタのシフト量を実施例2で説明した想定シフト量S3に設定し、マイクロレンズのシフト量を実施例2で説明した想定シフト量S1に設定した他は、実施例2と同様にして、固体撮像素子を作製した。
このように作製した固体撮像素子にF2.8で図17に示す特性のカメラレンズを組み合わせ(このカメラレンズと本実施例のCMOSセンサーの組み合わせにて、有効撮像領域の最外周付近(対角線方向の四隅)で主光線入射角度が30°となる)、有効撮像領域の中心(主光線入射角度0°)での感度を100%としたときの、主光線入射角度が5°、10°、15°、20°、25°、30°の各グリーン画素での相対感度を測定し、その結果を下記の表2に示した。
2…基板
3…受光素子
4,5…配線層
6…遮光層
7,7a,7b,7c,7d,7e,7f,7g…絶縁層
8…パッシベーション層
9…層内レンズ
10…下平坦化層
11…カラーフィルタ
12…上平坦化層
13…マイクロレンズ
21,31…撮像装置
Claims (5)
- 2次元配置された複数の受光素子と、個々の前記受光素子に対応させて2次元配置された複数の遮光層と、個々の前記受光素子に対応させて2次元配置された複数の層内レンズと、個々の前記受光素子に対応させて赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタが配列されてなるカラーフィルタと、個々の前記受光素子に対応させて2次元配置された複数のマイクロレンズとを少なくとも備え、これらが光入射側からマイクロレンズ、カラーフィルタ、層内レンズ、遮光層、受光素子の順に配設され、前記マイクロレンズはレンズの光軸側にコマ収差を生じる特性を有している固体撮像素子において、
各マイクロレンズの中心位置、あるいは、各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置、あるいは、各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置と各層内レンズの中心位置、あるいは、各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置と各層内レンズの中心位置と各遮光層の開口中心位置は、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトしたものであり、該シフト量は、カメラレンズの射出瞳中心から各マイクロレンズの中心位置に入射した主光線が、マイクロレンズへ入射する境界、および、マイクロレンズから受光素子に到達するまでの光路上の各材料層の各境界において、境界両側の材質の屈折率の違いに対応して屈折し受光素子の中心に至る光路をとるものと想定して求められる前記光線の光路上の位置と、受光素子の中心に対応する位置との差から得られる想定シフト量よりも小さく設定されており、 固体撮像素子における受光素子から光入射側に位置する積層構造がM層構造であり、最も光入射側に位置するマイクロレンズを1層目としたときに、1層目からN層目(1≦N≦M)までをシフトするときのi層目(i=1、2、・・・、N)の想定シフト量Siを下記の式(1)で設定し、
Si=Σ j=i M d j tanθ j … 式(1)
ただし、d j =i層目からM層目までの間に位置するj層目の厚み、
θ j =i層目からM層目までの間に位置するj層目の光線角度であり、
θ j =sin -1 ((n j-1 /n j )sinθ j-1 )で示され、
n 0 =1.0(0層目は大気)であり、n j はj層目の屈折率であり、
θ 0 はカメラレンズの射出瞳中心からマイクロレンズの中心位置
に入射した主光線入射角度であり、
i層目(i=1、2、・・・、N)のシフト量Si actualを下記の式(2)で設定し、
Si actual=a×Si … 式(2)
ただし、aは収差補正係数であり、0<a<1、
前記シフト量は、前記式(1)および式(2)から算出されるシフト量Si actualであり、
各マイクロレンズの中心位置のみを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせ、各カラーフィルタの中心位置と各遮光層の開口中心位置のシフトは行わないときの前記収差補正係数aは0.68≦a<1の範囲であり、
各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置とを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせ、各遮光層の開口中心位置のシフトは行わないときの前記収差補正係数aは0.73≦a<1の範囲であり、
各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置と各層内レンズの中心位置とを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせるときの前記収差補正係数aは0.66≦a<1の範囲であり、
各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置と各層内レンズの中心位置と各遮光層の開口中心位置とを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせるときの前記収差補正係数aは0.94≦a<1の範囲であることを特徴とする固体撮像素子。 - 各マイクロレンズの中心位置のみを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせ、各カラーフィルタの中心位置と各遮光層の開口中心位置のシフトは行わないときの前記収差補正係数aは0.72≦a≦0.96の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置とを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせ、各遮光層の開口中心位置のシフトは行わないときの前記収差補正係数aは0.79≦a≦0.94の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置と各層内レンズの中心位置とを、対応する受光素子の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせ、各遮光層の開口中心位置のシフトは行わないときの前記収差補正係数aは0.71≦a≦0.94の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の固体撮像素子を備えることを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008182217A JP5326390B2 (ja) | 2008-07-14 | 2008-07-14 | 固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008182217A JP5326390B2 (ja) | 2008-07-14 | 2008-07-14 | 固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010021453A JP2010021453A (ja) | 2010-01-28 |
JP5326390B2 true JP5326390B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=41706030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008182217A Expired - Fee Related JP5326390B2 (ja) | 2008-07-14 | 2008-07-14 | 固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5326390B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013131613A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Toppan Printing Co Ltd | カラー固体撮像素子の製造方法 |
JP2014187160A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 固体撮像装置および携帯情報端末 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001160973A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Nikon Corp | 固体撮像素子及び電子カメラ |
JP3981034B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2007-09-26 | 富士フイルム株式会社 | カラー画像取得装置およびカラー電子カメラ |
JP4728660B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-07-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびそれを用いたカメラ装置 |
-
2008
- 2008-07-14 JP JP2008182217A patent/JP5326390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010021453A (ja) | 2010-01-28 |
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