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JP5324323B2 - Chemical flow method, and method and apparatus for manufacturing integrated circuit device using the same - Google Patents

Chemical flow method, and method and apparatus for manufacturing integrated circuit device using the same Download PDF

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JP5324323B2
JP5324323B2 JP2009133420A JP2009133420A JP5324323B2 JP 5324323 B2 JP5324323 B2 JP 5324323B2 JP 2009133420 A JP2009133420 A JP 2009133420A JP 2009133420 A JP2009133420 A JP 2009133420A JP 5324323 B2 JP5324323 B2 JP 5324323B2
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Description

本発明は、ケミカルフロー方法、及びこれを用いる集積回路素子の製造方法、並びに装置に関し、洗浄液、エッチング液などのようなケミカルをフローさせる方法、及び半導体素子、平板ディスプレイ素子などのような集積回路素子を製造する方法、並びに装置に関する。   The present invention relates to a chemical flow method, a method of manufacturing an integrated circuit element using the same, and an apparatus, a method of flowing a chemical such as a cleaning liquid, an etching liquid, etc., and an integrated circuit such as a semiconductor element and a flat display element. The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing an element.

一般に、半導体素子、平板ディスプレイ素子などのような集積回路素子の製造では、洗浄液、エッチング液などのようなケミカルを用いる単位工程を反復的に行う。ここで、単位工程の例としては、洗浄液を用いる洗浄工程、エッチング液を用いるエッチング工程などが挙げられる。そして、言及したケミカルを用いる単位工程ではケミカルを収容するバスを主に用いる。バスを用いる単位工程の遂行ではバスの内部に収容されたケミカルに集積回路素子を製造するための基板をディッピング(dipping)させるか、あるいはバスの内部に集積回路素子を製造するための基板を位置させた後、バスの内部にケミカルをフロー(flow)させる。ここで、集積回路素子が半導体素子である場合、基板は半導体ウエハーを例として挙げられ、集積回路素子が平板ディスプレイ素子である場合、基板はガラス基板を例として挙げられる。   In general, in manufacturing an integrated circuit element such as a semiconductor element or a flat display element, a unit process using a chemical such as a cleaning liquid or an etching liquid is repeatedly performed. Here, examples of the unit process include a cleaning process using a cleaning liquid and an etching process using an etching liquid. In the unit process using the mentioned chemical, a bath containing the chemical is mainly used. In performing the unit process using the bus, the substrate for manufacturing the integrated circuit element is dipped in the chemical contained in the bus, or the substrate for manufacturing the integrated circuit element is positioned inside the bus. Then, the chemical is caused to flow inside the bath. Here, when the integrated circuit element is a semiconductor element, the substrate is exemplified by a semiconductor wafer, and when the integrated circuit element is a flat display element, the substrate is exemplified by a glass substrate.

しかし、言及したバスを使用する単位工程の遂行では前記基板が曲がる状況がよく発生する。特に、大面積のガラス基板のような場合には深刻に曲がる状況が発生する場合もある。これは、単位工程を行う時、バスの内部に位置する基板の模様、バスの内部にフローされるケミカルの方向などに起因する。即ち、基板をディッピングさせるとき、バス底面と平行に基板をディッピングさせるか、あるいはケミカルをフローさせる時、基板の裏面の下から基板の裏面にケミカルをフローさせることにより、基板に浮力、抗力などが印加され、その結果、基板が曲がる状況が発生することである。   However, the substrate is often bent when performing the unit process using the bus mentioned above. In particular, in the case of a large-area glass substrate, a serious bending situation may occur. This is due to the pattern of the substrate located inside the bus and the direction of the chemical flowing into the bus when performing the unit process. That is, when dipping the substrate, dipping the substrate parallel to the bottom of the bus, or flowing chemical, the chemical flows from under the back of the substrate to the back of the substrate, thereby causing buoyancy, drag, etc. to the substrate. The result is a situation where the substrate is bent as a result.

このように、バスを用いた単位工程を行うとき、基板が曲がる場合、工程での不良の原因として作用し、又、後続工程のために基板を移送させるとき、基板を感知するセンサーの誤動作で基板の移送に躓くことがある。   Thus, when performing a unit process using a bus, if the substrate bends, it acts as a cause of defects in the process, and when the substrate is transferred for a subsequent process, the sensor that detects the substrate malfunctions. There are cases where the substrate is transferred.

本発明の第1目的は、集積回路素子を製造するための基板が曲がることを減少させるためのケミカルフロー方法を提供することにある。   A first object of the present invention is to provide a chemical flow method for reducing bending of a substrate for manufacturing an integrated circuit device.

本発明の第2目的は、言及したケミカルフロー方法を適用した集積回路素子の製造方法を提供することにある。   A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing an integrated circuit element to which the chemical flow method mentioned above is applied.

本発明の第3目的は、言及した集積回路素子の製造方法を容易に行うための集積回路素子の製造装置を提供することにある。   A third object of the present invention is to provide an integrated circuit element manufacturing apparatus for easily carrying out the mentioned integrated circuit element manufacturing method.

前記第1目的を達成するための本発明の一実施例によるケミカルフロー方法は、バスの内部にケミカルをフローさせた後、前記ケミカルのフローによって前記バスの内部に位置した基板の一部分が曲がる場合、前記基板の一部分が曲がるように前記基板の一部分に印加される力と逆方向に力が作用するように前記基板の一部分にフローされるケミカルを前
記バスの外部にフローさせる。
In a chemical flow method according to an embodiment of the present invention for achieving the first object, a portion of a substrate positioned inside the bus is bent by the chemical flow after the chemical flows into the bus. The chemical flowed to a part of the substrate is caused to flow outside the bath so that a force acts in a direction opposite to a force applied to the part of the substrate so that the part of the substrate is bent.

前記第2目的を達成するための本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法は、バスの内部にケミカルをフローさせて前記バスの内部にケミカルを収容させる。そして、集積回路素子を製造するための基板が沈むように前記基板を前記バスの内部に収容されたケミカルにディッピングさせた後、前記ケミカルを用いて前記基板を加工処理する。又、前記ケミカルを用いて前記基板を加工処理するとき、前記基板の一部分が曲がる場合、前記バスの内部に収容されたケミカルのうち、前記基板の一部分に収容されたケミカルを前記バスの外部にフローさせる。   In order to achieve the second object, a method of manufacturing an integrated circuit device according to an embodiment of the present invention causes a chemical to flow inside the bus and accommodates the chemical inside the bus. Then, after dipping the substrate into a chemical contained in the bus so that the substrate for manufacturing the integrated circuit element sinks, the substrate is processed using the chemical. In addition, when processing the substrate using the chemical, if a portion of the substrate is bent, the chemical stored in the portion of the substrate out of the chemical stored in the bus is external to the bus. Let it flow.

本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板の一部分は抗力(drag)や浮力などによって曲がることができる。   In the method of manufacturing an integrated circuit device according to an embodiment of the present invention, a portion of the substrate can be bent by drag or buoyancy.

本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板は、前記バス底面と平行にディッピングさせることができる。   In an integrated circuit device manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the substrate may be dipped in parallel with the bus bottom surface.

本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板の一部分の裏面の下から前記バスの外部に前記基板の一部分に収容されたケミカルをフローさせることができ、特に、前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に前記基板の一部分に収容されたケミカルをフローさせることができる。   In an integrated circuit device manufacturing method according to an embodiment of the present invention, a chemical contained in a portion of the substrate can be flowed from below the back surface of the portion of the substrate to the outside of the bus. The chemical accommodated in a part of the substrate can be flowed from the bottom of a part of the back surface to the outside of the bus through the bottom of the bus.

本発明の一実施例による集積回路素子の製造方法において、前記バスの外部にフローさせたケミカルを前記バスの内部に更にフローさせることができる。   In the method of manufacturing an integrated circuit device according to an embodiment of the present invention, the chemical that has flowed to the outside of the bus can be further flowed to the inside of the bus.

前記第2目的を達成するための本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法は、集積回路素子を製造するための基板をバスの内部に移送させる。続いて、前記バスの内部に移送された前記基板が沈むように前記バスの内部にケミカルをフローさせた後、前記基板が沈むようにフローさせたケミカルを用いて前記基板を加工処理する。又、前記ケミカルを用いて基板を加工処理する時、前記基板の一部分が曲がる場合、前記基板の一部分にフローされるケミカルを前記バスの外部にフローさせる。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an integrated circuit device, wherein a substrate for manufacturing the integrated circuit device is transferred into a bus. Subsequently, after a chemical is flown into the bus so that the substrate transferred into the bus sinks, the substrate is processed using the chemical that is flowed so as to sink the substrate. In addition, when the substrate is processed using the chemical, if a part of the substrate is bent, the chemical flowing to the part of the substrate is caused to flow to the outside of the bus.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板をバスの内部に移送させる場合、前記バス底面と平行に前記バスの内部に前記基板を移送させることができ、特に、前記バスの側面を通じて前記バス底面と平行に前記バスの内部に前記基板を移送させることができる。又、前記バスの内部に前記基板を移送させるとき、前記バスの内部に設置されるローラーを使用して前記基板を移送させることができ、この場合、前記ローラーは、前記基板の上面の外郭部分に接触する上部ローラー及び前記基板の裏面と接触する下部ローラーを含むことができる。   In the method of manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention, when the substrate is transferred into the bus, the substrate can be transferred into the bus in parallel with the bottom of the bus. The substrate can be transferred into the bus parallel to the bus bottom through the side of the bus. In addition, when the substrate is transferred to the inside of the bus, the substrate can be transferred using a roller installed inside the bus. In this case, the roller is an outer portion of the upper surface of the substrate. And a lower roller in contact with the back surface of the substrate.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記バスの内部にケミカルをフローさせる場合、前記基板の裏面の下から前記基板の裏面に前記ケミカルをフローさせることができ、特に、前記ケミカルのうちの一部は、前記基板の外郭から前記基板の中心にフローされることができる。   In the method of manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention, when the chemical is caused to flow inside the bus, the chemical can be caused to flow from below the back surface of the substrate to the back surface of the substrate. A portion of the chemical may flow from the outline of the substrate to the center of the substrate.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板の一部分は、前記基板の中心部分を含むことができ。前記基板の一部分は抗力、浮力などによって曲がることができる。   In the method of manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention, the portion of the substrate may include a central portion of the substrate. A portion of the substrate can be bent by drag, buoyancy, or the like.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記基板の一部分にフローされるケミカルを前記バスの外部にフローさせる場合、前記基板の一部分の裏面の下から前記
バスの外部に前記ケミカルをフローさせることができ、特に、前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に前記ケミカルをフローさせることができる。
In a method of manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention, when a chemical that is flowed to a part of the substrate is caused to flow outside the bus, the chemical is flowed to the outside of the bus from below the back surface of the part of the substrate. The chemical can be flowed, and in particular, the chemical can be flowed from the bottom of a part of the substrate to the outside of the bus through the bus bottom.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造方法で、前記バスの外部にフローさせたケミカルを前記バスの内部に更にフローさせることができる。   In a method of manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention, the chemical that has flowed to the outside of the bus can be further flowed to the inside of the bus.

前記第3目的を達成するための本発明の一実施例による集積回路素子の製造装置は、その内部にケミカルを収容するバスと、前記バスの内部にケミカルをフローさせるケミカル供給部、及び前記バスの内部に収容されたケミカルに集積回路素子を製造するための基板をディッピングさせて前記基板を加工処理する時、前記基板の一部分が曲がる場合、前記バスの内部に収容されたケミカルのうち、前記基板の一部分に収容されたケミカルを前記バスの外部にフローさせるケミカル排出部を含む。   In order to achieve the third object, an integrated circuit device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a bus that contains a chemical therein, a chemical supply unit that causes the chemical to flow inside the bus, and the bus. When processing a substrate by dipping a substrate for manufacturing an integrated circuit element into the chemical contained in the substrate, when a part of the substrate is bent, the chemical contained in the bus, A chemical discharge unit is provided for allowing the chemical contained in a part of the substrate to flow outside the bath.

本発明の一実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル排出部は、前記基板の一部分の裏面の下から前記バスの外部に設置される排出ライン及び前記排出ラインに連結されるポンプを含むことができ、特に、前記排出ラインは前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に設置されることができる。   In the integrated circuit device manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, the chemical discharge unit includes a discharge line installed outside the bus from a lower surface of a part of the substrate and a pump connected to the discharge line. In particular, the discharge line may be installed outside the bus through the bus bottom surface from below the back surface of a portion of the substrate.

本発明の一実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル排出部を通じて前記バスの外部にフローされるケミカルを前記バスの内部に更にフローさせるケミカル循環部を更に含むことができる。   The apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to an embodiment of the present invention may further include a chemical circulation unit that further flows a chemical that flows to the outside of the bus through the chemical discharge unit to the inside of the bus.

本発明の一実施例による集積回路素子の製造装置で、前記基板の一部分が曲がることを感知するセンサー及び前記センサーのセンシング信号の入力を受け、前記センシング信号によって前記ケミカル排出部の稼動を制御する制御部を更に含むことができる。   In an apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to an embodiment of the present invention, a sensor for detecting that a part of the substrate is bent and a sensing signal of the sensor are input, and the operation of the chemical discharge unit is controlled by the sensing signal. A controller may further be included.

前記第3目的を達成するための本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置は、その内部に集積回路素子を製造するための基板が位置するバスと、前記基板が位置するバスの内部にケミカルをフローさせるケミカル供給部、及び前記バスの内部にフローさせるケミカルを用いて前記基板を加工処理するとき、前記基板の一部分が曲がる場合、前記基板の一部分にフローされるケミカルを前記バスの外部にフローさせるケミカル排出部を含む。   An integrated circuit device manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention for achieving the third object includes a bus in which a substrate for manufacturing an integrated circuit device is located, and a bus in which the substrate is positioned. When the substrate is processed using a chemical supply unit that causes the chemical to flow inside, and the chemical that causes the inside of the bus to flow, if a portion of the substrate bends, the chemical that flows to the portion of the substrate is transferred to the bus. Includes a chemical discharge part that flows to the outside.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記バスの内部に設置され、前記バスの内部に前記基板を移送させるローラーを更に含むことができ、特に、前記ローラーは前記基板の上面の外郭部分に接触する上部ローラー及び前記基板の裏面と接触する下部ローラーを含むことができ、このように前記バスの内部にローラーが設置される場合、前記バス側面に開閉可能に設置され、前記バス側面を通じて前記バスの内部に設置された前記ローラーで前記基板を移送させる経路を提供する移送ウィンドーを更に含むことができる。   The apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention may further include a roller installed inside the bus and transporting the substrate into the bus. An upper roller in contact with the outer shell portion of the upper surface and a lower roller in contact with the back surface of the substrate can be included, and when the roller is installed inside the bus in this way, it is installed on the side of the bus so that it can be opened and closed, The image forming apparatus may further include a transfer window that provides a path for transferring the substrate by the roller installed in the bus through the bus side.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル供給部は、前記バスの内部に位置する基板が沈むように前記バスの内部にケミカルをフローさせることができ、この場合、前記ケミカル供給部は前記基板の裏面の下から前記基板の裏面に設置される供給ライン及び前記供給ラインに連結されるポンプを含むことができ、特に、前記供給ラインは、前記バス底面を通じて前記基板の裏面の下から前記基板の裏面に設置されることができ、前記供給ラインは前記ケミカルの一部が前記基板の外郭から前記基板の中心にフローされるように設置されることができる。   In an apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention, the chemical supply unit may cause the chemical to flow inside the bus so that a substrate located inside the bus sinks. The chemical supply unit may include a supply line installed on the back surface of the substrate from below the back surface of the substrate, and a pump connected to the supply line. In particular, the supply line is connected to the substrate through the bottom surface of the bus. The supply line may be installed on the back surface of the substrate from below the back surface, and the supply line may be installed so that a part of the chemical flows from the outline of the substrate to the center of the substrate.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル排出部は、前記基板の一部分の裏面の下から前記バスの外部に設置される排出ライン及び前記排出ラインに連結されるポンプを含むことができ、特に、前記排出ラインは前記基板の一部分の裏面の下から前記バス底面を通じて前記バスの外部に設置されることができる。   In an apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention, the chemical discharge unit is a discharge line installed outside the bus from a lower surface of a part of the substrate and a pump connected to the discharge line. In particular, the discharge line may be installed outside the bus from the bottom of a part of the substrate through the bottom of the bus.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記ケミカル排出部を通じて前記バスの外部にフローされるケミカルを前記バスの内部に更にフローさせるケミカル循環部を更に含むことができる。   The apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention may further include a chemical circulation unit that further flows a chemical that flows to the outside of the bus through the chemical discharge unit to the inside of the bus.

本発明の他の実施例による集積回路素子の製造装置で、前記基板の一部分が曲がることを感知するセンサー及び前記センサーのセンシング信号の入力を受け、前記センシング信号によって前記ケミカル排出部の稼動を制御する制御部を更に含むことができる。   In an apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to another embodiment of the present invention, a sensor for detecting that a part of the substrate is bent and a sensing signal of the sensor are input, and the operation of the chemical discharge unit is controlled by the sensing signal. The control part which performs can be further included.

本発明では基板のディッピング又はケミカルのフローによって基板の一部分が曲がる場合、基板の一部分に収容されたケミカル又は基板の一部分にフローされるケミカルをバスの外部に排出させる。このように、ケミカルをバスの外部に排出させる場合、ケミカルが排出される部分である基板の一部分の周辺には吸入力が生成され、言及した吸入力をケミカルによって基板の曲がりを発生させる浮力、抗力、これらの合成力などと逆方向に作用するように調整する場合には、基板が曲がる状況を充分減少させることができる。特に、本発明では製造装置の簡単な構造変更だけでもケミカルによって基板が曲がる状況を減少させることができる。   In the present invention, when a part of the substrate bends due to substrate dipping or chemical flow, the chemical contained in the substrate or the chemical flowing in the part of the substrate is discharged to the outside of the bath. Thus, when the chemical is discharged to the outside of the bath, a suction force is generated around a portion of the substrate, which is a portion where the chemical is discharged, and the buoyancy that causes the substrate to bend due to the chemical. In the case of adjusting so as to act in the opposite direction to the drag force, the combined force, etc., the situation where the substrate is bent can be sufficiently reduced. In particular, in the present invention, it is possible to reduce the situation in which the substrate bends due to chemicals even with a simple structural change of the manufacturing apparatus.

従って、本発明は、バスを使用する集積回路素子の製造のための単位工程での不良を充分に減少させることができ、後続工程のための基板の移送を安定的に行うことができる。従って、本発明は、集積回路素子の製造による信頼度と生産性の向上を期待することができる。   Therefore, the present invention can sufficiently reduce defects in a unit process for manufacturing an integrated circuit element using a bus, and can stably transfer a substrate for a subsequent process. Therefore, the present invention can be expected to improve reliability and productivity by manufacturing integrated circuit elements.

本発明の実施例1による集積回路素子の製造装置を示す概略的な構成図。1 is a schematic configuration diagram showing an integrated circuit device manufacturing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 図1の集積回路素子の製造装置を使用する一例に対して説明するための工程図。Process drawing for demonstrating with respect to an example which uses the manufacturing apparatus of the integrated circuit element of FIG. 図1の集積回路素子の製造装置を使用する他の例に対して説明するための工程図。Process drawing for demonstrating with respect to the other example which uses the manufacturing apparatus of the integrated circuit element of FIG. 本発明の実施例2による集積回路素子の製造装置を示す概略的な構成図。The schematic block diagram which shows the manufacturing apparatus of the integrated circuit element by Example 2 of this invention. 図4の集積回路素子の製造装置の移送ウィンドーを説明するための図。The figure for demonstrating the transfer window of the manufacturing apparatus of the integrated circuit element of FIG. 図4の集積回路素子の製造装置を使用する一例に対して説明するための工程図。Process drawing for demonstrating with respect to an example which uses the manufacturing apparatus of the integrated circuit element of FIG.

以下に添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本発明は多様に変更することができ、多様な形態を有することができること、特定の実施形態を図面に例示して本文に詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に限定するのではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、乃至代替物を含むことを理解すべきである。各図面を説明しながら類似の参照符号を類似の構成要素に対して付与した。図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して示した。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention can be variously modified and can have various forms, and specific embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, this should not be construed as limiting the invention to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals have been given to like components while describing the figures. In the drawings, the size of the structure is shown enlarged from the actual size for the sake of clarity of the present invention.

第1、第2等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用することができるが、構成要素は用語によって限定されない。用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目
的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から逸脱することなしに、第1構成要素は第2構成要素と称されてもよく、同様に第2構成要素も第1構成要素に称されてもよい。単数の表現は、文脈上、明白に相違が示されない限り、複数の表現を含む。
The terms such as first and second can be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terminology is used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, the first component may be referred to as the second component, and, similarly, the second component may be referred to as the first component, without departing from the scope of the present invention. The singular form includes the plural form unless the context clearly indicates otherwise.

本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを意図するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたもの等の存在または付加の可能性を予め排除しないことを理解しなければならない。 In this application, terms such as “comprising” or “having” are intended to mean that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification is present. It should be understood that it does not exclude the possibility of the presence or addition of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts, combinations thereof, etc. .

なお、異なるものとして定義しない限り、技術的であるか科学的な用語を含めてここで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。一般的に用いられる辞典に定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有することと解釈すべきであり、本出願で明白に定義されない限り、異常的であるか過度に形式的な意味に解釈されない。   Unless defined differently, all terms used herein, including technical or scientific terms, are generally understood by those with ordinary knowledge in the technical field to which this invention belongs. Have the same meaning. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be construed as having a meaning consistent with the meaning possessed in the context of the related art and, unless explicitly defined in this application, are unusual. Or is not overly interpreted in a formal sense.

[実施例1]
図1は、本発明の実施例1による集積回路素子の製造装置を示す概略的な構成図である。
[Example 1]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an integrated circuit device manufacturing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.

図1を参照すると、集積回路素子の製造装置100は、バス11、ケミカル供給部13、ケミカル排出部15などを含み、この以外にもケミカル循環部17、センサー19、制御部21などを更に含む。ここで、集積回路素子の例としては、半導体素子、平板ディスプレイ素子などが挙げられる。集積回路素子が半導体素子である場合には、後述する基板10の例としては半導体ウエハーなどが挙げられ、集積回路素子が平板ディスプレイ素子である場合には、後述する基板10の例としてはガラス基板などが挙げられる。   Referring to FIG. 1, an integrated circuit device manufacturing apparatus 100 includes a bus 11, a chemical supply unit 13, a chemical discharge unit 15, and the like, and further includes a chemical circulation unit 17, a sensor 19, a control unit 21, and the like. . Here, examples of the integrated circuit element include a semiconductor element and a flat display element. When the integrated circuit element is a semiconductor element, examples of the substrate 10 described later include a semiconductor wafer. When the integrated circuit element is a flat panel display element, an example of the substrate 10 described later is a glass substrate. Etc.

具体的に、バス11は、その内部にケミカルを収容する部材である。バス11の内部に収容されるケミカルの例としては、洗浄液、エッチング液などが挙げられる。これに、言及した製造装置100の例としてはバス11を具備する洗浄装置、エッチング装置などが挙げられる。   Specifically, the bath 11 is a member that contains a chemical therein. Examples of chemicals accommodated in the bath 11 include cleaning liquid and etching liquid. Examples of the manufacturing apparatus 100 mentioned above include a cleaning apparatus and an etching apparatus that include the bus 11.

ケミカル供給部13は、バス11の内部にフローさせる部材として、ケミカル供給部13を使用してバス11の内部にケミカルをフローさせることによりバス11の内部には一定量のケミカルが継続的に収容された状態を維持する。ここで、ケミカル供給部13は、図面符号23のように主にバス11の内部にディッピングされる基板10の裏面の下から基板10の裏面にケミカルをフローさせるように設置される。   The chemical supply unit 13 uses a chemical supply unit 13 to flow a chemical into the bath 11 as a member that flows into the bath 11, and a certain amount of chemical is continuously accommodated in the bus 11. Maintain the state. Here, the chemical supply unit 13 is installed so as to flow chemicals from below the back surface of the substrate 10 which is mainly dipped inside the bus 11 to the back surface of the substrate 10 as indicated by reference numeral 23.

これにケミカル供給部13は、基板10の裏面の下から基板10の裏面に設置される供給ライン13a及び供給ライン13aに連結されるポンプ13bを含む。そして、図示していないが、供給ライン13aには開閉動作が可能なバルブが更に設定されてもよい。ここで、ポンプ13bはポンピング動作によってケミカルを円滑にフローさせるために設置される。特に、ケミカル供給部13を基板10の裏面の下から基板10の裏面にケミカルをフローさせるように設置することと説明するが、これに限定されない。即ち、言及したように、バス11の内部にケミカルのフローが可能な構造を有する場合、ケミカル供給部13は多様な構造で形成することができる。又、ケミカル供給部13の個数に限定されない。即ち、個数に関係なくケミカル供給部13の設置が可能である。又、ケミカル供給部13は、その設置位置にも限定されない。即ち、ケミカル供給部13は多様な位置に設置することができる。   In addition, the chemical supply unit 13 includes a supply line 13 a installed on the back surface of the substrate 10 from below the back surface of the substrate 10 and a pump 13 b connected to the supply line 13 a. Although not shown, a valve capable of opening and closing may be further set in the supply line 13a. Here, the pump 13b is installed to smoothly flow chemicals by a pumping operation. In particular, it will be described that the chemical supply unit 13 is installed so that the chemical flows from under the back surface of the substrate 10 to the back surface of the substrate 10, but is not limited thereto. That is, as mentioned, when the bath 11 has a structure capable of chemical flow, the chemical supply unit 13 can be formed in various structures. Further, the number of chemical supply units 13 is not limited. That is, the chemical supply unit 13 can be installed regardless of the number. Moreover, the chemical supply part 13 is not limited to the installation position. That is, the chemical supply unit 13 can be installed at various positions.

ケミカル排出部15は、バス11の内部に収容されたケミカルをバス11の外部にフローさせる部材であって、基板10をバス11の内部のケミカルにディッピングさせて基板10を加工処理する時、基板10の一部分が曲がる場合、基板10の一部分に収容されたケミカルを外部にフローさせるように設置される。これに、ケミカル排出部15は、基板10が曲がる一部分に近接する部分に集中的に設置されることが好ましく、特に、基板10の一部分の裏面の下からバス11の外部にケミカルをフローさせるように設置されることがより好ましい。そして、ケミカル排出部15は、基板10の一部分の裏面の下からバス11の外部に設置される排出ライン15a及び排出ライン15aに連結されるポンプ15bを含む。特に、排出ライン15aは、基板10の一部分の裏面の下からバス11の底面を通じてバス11の外部にケミカルをフローさせるように設置されることが好ましい。又、ポンプ15bは、ポンピング動作を通じて基板10の一部分の裏面の下からバス11の外部にケミカルを円滑にフローさせるために設置される。図示していないが、排出ライン15aには開閉動作が可能なバルブが更に設置されてもよい。ケミカル排出部15は、基板10が曲がる一部分に設置される場合、その設置個数に限定されない。   The chemical discharge unit 15 is a member that causes the chemical contained in the bus 11 to flow to the outside of the bus 11, and when the substrate 10 is processed by dipping the substrate 10 into the chemical in the bus 11, When a part of the substrate 10 bends, the chemical contained in the substrate 10 is installed to flow outside. In addition, it is preferable that the chemical discharge unit 15 be concentrated on a portion close to a portion where the substrate 10 bends, and in particular, the chemical flows from the bottom of a part of the substrate 10 to the outside of the bus 11. It is more preferable that it is installed. The chemical discharge unit 15 includes a discharge line 15a installed outside the bus 11 from the bottom of a part of the back surface of the substrate 10 and a pump 15b connected to the discharge line 15a. In particular, the discharge line 15 a is preferably installed so that chemical flows from the bottom of a part of the substrate 10 to the outside of the bus 11 through the bottom of the bus 11. The pump 15b is installed in order to smoothly flow chemicals from below the back surface of a part of the substrate 10 to the outside of the bus 11 through a pumping operation. Although not shown, a valve capable of opening and closing may be further installed in the discharge line 15a. In the case where the chemical discharging unit 15 is installed in a part where the substrate 10 is bent, the number of the chemical discharging units 15 is not limited to the number of the chemical discharging units 15 installed.

このように、本発明の実施例1の集積回路素子の製造装置100は、言及したバス11、ケミカル供給部13、ケミカル排出部15を具備する。これに、以下ではバス11、ケミカル供給部13、ケミカル排出部15を具備する集積回路素子の製造装置100を使用する方法について説明する。   As described above, the integrated circuit element manufacturing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention includes the bus 11, the chemical supply unit 13, and the chemical discharge unit 15 mentioned above. Hereinafter, a method of using the integrated circuit element manufacturing apparatus 100 including the bus 11, the chemical supply unit 13, and the chemical discharge unit 15 will be described.

図2は、図1の集積回路素子の製造装置を使用する一例について説明するための工程図である。   FIG. 2 is a process diagram for explaining an example of using the integrated circuit device manufacturing apparatus of FIG.

図2を参照すると、バス11の内部にケミカルを収容させる(S201)。即ち、ケミカル供給部13を使用してバス11の内部にケミカルをフローさせてバス11の内部にケミカルを収容させる。   Referring to FIG. 2, the chemical is contained in the bath 11 (S201). That is, the chemical is supplied into the bath 11 by using the chemical supply unit 13 to store the chemical in the bus 11.

続いて、集積回路素子を製造するための基板10をバス11の内部に収容されたケミカルにディッピングさせる(S203)。この際、基板10は、ケミカルに沈むようにディッピングさせる。又、基板10は、バス11の底面と平行にディッピングされることができる。そして、ケミカルに基板10をディッピングさせた状態で基板10を加工処理する(S205)。ここで、基板10の加工処理は、ブラシなどのような部材を使用するか、基板10を振るか、あるいはバス11の内部のケミカルを継続的にフローさせることにより達成されることができ、これに限定されない。   Subsequently, the substrate 10 for manufacturing the integrated circuit element is dipped into the chemical contained in the bus 11 (S203). At this time, the substrate 10 is dipped so as to sink into the chemical. Also, the substrate 10 can be dipped parallel to the bottom surface of the bus 11. Then, the substrate 10 is processed in a state where the substrate 10 is chemically dipped (S205). Here, the processing of the substrate 10 can be achieved by using a member such as a brush, shaking the substrate 10, or continuously flowing the chemical inside the bus 11. It is not limited to.

しかし、基板10をバス11の内部に収容されたケミカルにディッピングさせる場合、基板10の一部分が曲がる状況が発生する。これは、基板10の一部分に図面符号25と同じ方向に抗力、浮力などが作用するためである。この際、言及した抗力、浮力などは単独的に作用することもあり、抗力と浮力の合成力が複合的に作用することもある。これに、ケミカル排出部15を使用して基板10の一部分に収容されたケミカルをバス11の外部にフローさせる(S207)。このように、基板10の一部分に収容されたケミカルをバス11の外部に排出させる場合には、基板10の一部分に図面符号27と同じ方向に吸入力が生成される。これに、図面符号27と同じ方向に生成される吸入力で言及した図面符号25と同じ方向に作用する抗力、浮力、これらの合成力などを相殺させることにより、基板10のディッピングによって基板10の一部分が曲がることを充分に減少させることができる。   However, when the substrate 10 is dipped by the chemical contained in the bus 11, a situation occurs in which a part of the substrate 10 is bent. This is because a drag force, a buoyancy, and the like act on a part of the substrate 10 in the same direction as the reference numeral 25. At this time, the mentioned drag and buoyancy may act independently, or the combined force of the drag and buoyancy may act in combination. For this, the chemical contained in a part of the substrate 10 is caused to flow to the outside of the bath 11 using the chemical discharging unit 15 (S207). As described above, when the chemical contained in a part of the substrate 10 is discharged to the outside of the bath 11, a suction input is generated in the same direction as the reference numeral 27 in a part of the substrate 10. By counteracting the drag, buoyancy, and combined force of these acting in the same direction as the drawing reference 25 referred to in the suction input generated in the same direction as the drawing reference 27, the substrate 10 is dipped by the dipping of the substrate 10. It is possible to sufficiently reduce the bending of a part.

このように、本発明の実施例1による集積回路素子の製造装置100を使用した工程では、バス11の内部に収容されたケミカルに基板10をディッピングさせて集積回路素子
の製造による基板10を加工処理する時、基板10の一部分が曲がる場合、バス11の内部の一部分に収容されたケミカルをバス11の外部にフローさせることにより基板10の一部分が曲がる状況を減少させることができる。
Thus, in the process using the integrated circuit element manufacturing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention, the substrate 10 is processed by manufacturing the integrated circuit element by dipping the substrate 10 into the chemical contained in the bus 11. When a part of the substrate 10 is bent during processing, the situation in which the part of the substrate 10 is bent can be reduced by causing the chemical contained in the part of the bus 11 to flow outside the bus 11.

そして、本発明の実施例1では、基板10が曲がる部分を中心部分に限定し、これに対応してケミカル排出部15も基板10の中心部分の裏面に設置することと限定しているが、基板10が集中的に曲がる部分を基準としてケミカル排出部15を設置することと理解することができる。又、ケミカルが基板10の裏面の下からバス11の外部にフローされるようにケミカル排出部15を設置することと限定しているが、基板10の曲がりを発生させる浮力、抗力、これらの合成力などと逆方向にケミカル排出部15によって生成される吸入力が作用するように設置することと理解することができる。   And, in Example 1 of the present invention, the portion where the substrate 10 bends is limited to the central portion, and the chemical discharge unit 15 is also correspondingly installed on the back surface of the central portion of the substrate 10, It can be understood that the chemical discharge unit 15 is installed with reference to a portion where the substrate 10 is bent intensively. In addition, the chemical discharge unit 15 is limited so that the chemical flows from the bottom of the back surface of the substrate 10 to the outside of the bus 11, but the buoyancy, drag, and combination thereof that cause the substrate 10 to bend. It can be understood that the suction input generated by the chemical discharge unit 15 acts in the opposite direction to the force or the like.

又、ケミカル排出部15を通じてバス11の外部にフローされることにより損失されるケミカルは、ケミカル供給部13を通じて継続的に補充することによりバス11の内部には一定量のケミカルが収容されるように維持されることができる。   Further, the chemical lost by flowing outside the bath 11 through the chemical discharge unit 15 is continuously replenished through the chemical supply unit 13 so that a certain amount of chemical is accommodated inside the bus 11. Can be maintained.

又、図1の集積回路素子の製造装置100は、言及したように、ケミカル循環部17、センサー19、制御部21などを更に含むことができる。   1 may further include a chemical circulation unit 17, a sensor 19, a control unit 21, and the like.

ケミカル循環部17は、ケミカル排出部15を通じてバス11の 外部にフローされるケ
ミカルをバス11の内部に更にフローさせる部材である。これに、 ケミカル循環部17
は、ケミカル排出部15と連結されバス11の内部にケミカルをフローさせるように設置されるか、またはケミカル排出部15とケミカル供給部13の間に連結され、ケミカル供給部13を通じてバス11の内部にケミカルをフローさせるように設置されることができる。 このように、 ケミカル循環部17を使用してケミカルを循環させることによってバス11の内部に一定量のケミカルが収容されるように維持することができる。これに、ケミカル排出部15を通じてバス11の外部にフローされることで、損失されるケミカルの消耗量を減らすことができる。
The chemical circulation unit 17 is a member that further causes the chemical flowing outside the bus 11 through the chemical discharge unit 15 to flow inside the bus 11. In addition, the chemical circulation part 17
Is connected to the chemical discharge unit 15 and installed to flow the chemical into the interior of the bus 11, or is connected between the chemical discharge unit 15 and the chemical supply unit 13, and is connected to the inside of the bus 11 through the chemical supply unit 13. Can be installed to cause the chemical to flow. As described above, by circulating the chemical using the chemical circulation unit 17, it is possible to maintain a certain amount of chemical inside the bath 11. In addition, the amount of chemical consumption that is lost can be reduced by flowing outside the bus 11 through the chemical discharge unit 15.

そして、センサー19と制御部21は実施例 1の集積回路素子の製造装置100の自動化を具現するために設置される部材であって、 センサー19はディッピングによって基板
10の一部分が曲がることを感知し、制御部21は、センサー19のセンシング信号を入力受けて、センシング信号によってケミカル排出部21の稼動を制御する。ここで、センサー19は距離間隔をセンシングする部材などで具備することができ、制御部21はケミカル排出部15の稼動命令を判断することができるプログラムが入力されたICチップなどで具備することができる。このように、センサー19と制御部21を具備することで、ディッピングによって基板10の一部分が曲がる場合のみに限定してケミカル排出部15を稼動させることができる。これに、言及したセンサー19と制御部21を具備させることによって、ディッピングによって基板10の一部分が曲がる状況に対して能動的に対処することができる。
The sensor 19 and the control unit 21 are members installed to embody the automation of the integrated circuit element manufacturing apparatus 100 according to the first embodiment. The sensor 19 detects that a part of the substrate 10 is bent by dipping. The control unit 21 receives the sensing signal of the sensor 19 and controls the operation of the chemical discharge unit 21 by the sensing signal. Here, the sensor 19 can be provided by a member that senses a distance interval, and the control unit 21 can be provided by an IC chip to which a program that can determine an operation command of the chemical discharge unit 15 is input. it can. Thus, by providing the sensor 19 and the control unit 21, the chemical discharge unit 15 can be operated only when a part of the substrate 10 is bent by dipping. By providing the sensor 19 and the control unit 21 mentioned above, it is possible to actively cope with a situation where a part of the substrate 10 is bent by dipping.

このように、 本発明の実施例1の集積回路素子の製造装置100は、言及したバス11
、ケミカル供給部13、ケミカル排出部15、そしてケミカル循環部17、センサー19、制御部21などを含む。これに、以下では、バス11、ケミカル供給部13、ケミカル排出部15、ケミカル循環部17、センサー19、制御部21を具備する集積回路素子の製造装置100を使用する方法について説明する。
As described above, the integrated circuit device manufacturing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention includes the bus 11 mentioned above.
, Chemical supply unit 13, chemical discharge unit 15, chemical circulation unit 17, sensor 19, control unit 21, and the like. Hereinafter, a method of using the integrated circuit element manufacturing apparatus 100 including the bus 11, the chemical supply unit 13, the chemical discharge unit 15, the chemical circulation unit 17, the sensor 19, and the control unit 21 will be described.

図3は、図1の集積回路素子の製造装置を使用する他の例について説明するための工程図である。   FIG. 3 is a process diagram for explaining another example in which the integrated circuit device manufacturing apparatus of FIG. 1 is used.

図3を参照すれば、バス11の内部にケミカルを収容させる(S301)。即ち、ケミカル供給部13を使用してバス11の内部にケミカルをフローさせて、バス11の内部にケミカルを収容させる。 Referring to FIG. 3, the chemical is contained in the bath 11 (S301). That is, the chemical is flowed into the bath 11 using the chemical supply unit 13, and the chemical is accommodated in the bus 11.

そして、集積回路素子を製造するための基板10をバス11の内部に収容されたケミカルにディッピングさせる(S303)。この際、基板10は、ケミカルに沈むようにディッピングさせる。 基板10は、バス11の底面と平行にディッピングされることができる
。そして、ケミカルに基板10をディッピングさせた状態で基板10を加工処理する(S305)。特に、図3の段階S305の場合にも図2の段階S205と同様にブラシなどのような部材を使用するか、基板10を振るか、またはバス11の内部のケミカルを継続的にフローさせることによって基板10の加工処理を達成することができる。
Then, the substrate 10 for manufacturing the integrated circuit element is dipped into the chemical contained in the bus 11 (S303). At this time, the substrate 10 is dipped so as to sink into the chemical. The substrate 10 can be dipped parallel to the bottom surface of the bus 11. Then, the substrate 10 is processed in a state where the substrate 10 is chemically dipped (S305). In particular, also in the case of step S305 in FIG. 3, a member such as a brush is used as in step S205 in FIG. 2, the substrate 10 is shaken, or the chemical inside the bus 11 is continuously flowed. Thus, the processing of the substrate 10 can be achieved.

続いて、センサー19を使用してディッピングによって曲がる基板10の一部分があるかをセンシングする(S307及びS309)。そして、基板10の一部分が曲がることとセンシングされる場合、センサー19は、制御部21にセンシング信号を出力して、センシング信号を入力受けた制御部21は、ケミカル排出部15に稼動命令を指示する。これに、ケミカル排出部15を使用して基板10の一部分に収容されたケミカルをバス11の外部にフローさせる(S311)。このように、基板10の一部分に収容されたケミカルをバス11の外部に排出させる場合には、基板10の一部分に図面符号27と同じ方向に吸入力が生成される。これに、図面符号27と同じ方向に生成される吸入力で言及した図面符号25と同じ方向に作用する抗力、浮力、これらの合成力などを相殺させることによって、基板10のディッピングによって基板10の一部分が曲がることを充分に減少させることができる。 Subsequently, the sensor 19 is used to sense whether there is a part of the substrate 10 that is bent by dipping (S307 and S309). When it is sensed that a part of the substrate 10 is bent, the sensor 19 outputs a sensing signal to the control unit 21, and the control unit 21 receiving the sensing signal instructs the chemical discharging unit 15 to operate. To do. For this, the chemical contained in a part of the substrate 10 is caused to flow to the outside of the bath 11 using the chemical discharge unit 15 (S311). As described above, when the chemical contained in a part of the substrate 10 is discharged to the outside of the bath 11, a suction input is generated in the same direction as the reference numeral 27 in a part of the substrate 10. By counteracting the drag, buoyancy, combined force, etc. acting in the same direction as the drawing reference 25 referred to in the suction input generated in the same direction as the drawing reference 27, the substrate 10 is dipped by the dipping of the substrate 10. It is possible to sufficiently reduce the bending of a part.

そして、ケミカル循環部17を使用してバス11の外部にフローされるケミカルをバス11の内部に更にフローさせる(S313)。 このように、ケミカル循環部17を使用し
てケミカルをバス11の 内部に更にフローさせることによって、バス11の内部には一
定量のケミカルが継続的に維持され、特に、ケミカルの消耗量を格段に減らすことができる。
Then, the chemical flowing to the outside of the bus 11 using the chemical circulation unit 17 is further flowed to the inside of the bus 11 (S313). In this way, by using the chemical circulation unit 17 to further flow the chemical into the bath 11, a certain amount of chemical is continuously maintained in the bus 11. Can be reduced.

また、センサー19と制御部21を具備する場合、ケミカル排出部15を多数の部分に設置させることによって、ケミカルによって基板10が曲がる状況により能動的に対処することができる。即ち、基板10が曲がる一部分を正確にセンシングして、これを通じて多数の部分に設置されたケミカル排出部15のうち、基板10の一部分に位置するケミカル排出部15を通じてケミカルをバス11の外部にフローさせることによって達成されることができる。 Further, when the sensor 19 and the control unit 21 are provided, the chemical discharge unit 15 is installed in a large number of portions, so that it is possible to actively cope with the situation where the substrate 10 is bent by the chemical. That is, a part where the substrate 10 is bent is accurately sensed, and a chemical is flowed to the outside of the bus 11 through the chemical discharge part 15 located in a part of the substrate 10 among the chemical discharge parts 15 installed in many parts through the sensing. Can be achieved.

そして、本発明の実施例1のようにバス11の内部に収容されたケミカルに基板10をディッピングさせる製造方法の場合には、集積回路素子のうち、半導体素子により積極的に適用することができる。 In the case of the manufacturing method in which the substrate 10 is dipped into the chemical housed in the bus 11 as in the first embodiment of the present invention, it can be positively applied to the semiconductor element among the integrated circuit elements. .

このように、本発明の実施例1での装置及び方法を利用する場合、ケミカルを利用した単位工程でケミカルによって基板10が曲がる状況を充分に減少させることができる。したがって、基板10の曲がりによって発生する不良を減少させることによって、単位工程での信頼度向上を図ることができ、のみならず、後続工程を基板10の移送を安定的に遂行することで、集積回路素子の製造による生産性向上を図ることができる。 As described above, when the apparatus and method according to the first embodiment of the present invention are used, it is possible to sufficiently reduce the situation in which the substrate 10 is bent by the chemical in the unit process using the chemical. Therefore, by reducing defects caused by the bending of the substrate 10, it is possible to improve the reliability in the unit process, and in addition, the subsequent process can be stably performed by transferring the substrate 10 stably. Productivity can be improved by manufacturing circuit elements.

[実施例2]
図4は、本発明の実施例2による集積回路素子の製造装置を示す概略的な構成図である。
[Example 2]
FIG. 4 is a schematic block diagram showing an integrated circuit device manufacturing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.

図4を参照すれば、集積回路素子の製造装置400は、バス41、ケミカル供給部43、ケミカル排出部45などを含み、以外にもローラー63、後述する移送ウィンドー65a、65b、ケミカル循環部47、センサー49、制御部51などを更に含む。そして、言及した実施例1と同様に実施例2の場合にも、集積回路素子の例としては、半導体素子、平板ディスプレイ素子などが挙げられる。又、集積回路素子が半導体素子である場合には、基板40の例としては半導体ウエハーなどが挙げられ、集積回路素子が平板ディスプレイ素子である場合には、基板40の例としてはガラス基板などが挙げられる。 Referring to FIG. 4, the integrated circuit device manufacturing apparatus 400 includes a bus 41, a chemical supply unit 43, a chemical discharge unit 45, and the like, in addition to a roller 63, transfer windows 65 a and 65 b described later, and a chemical circulation unit 47. , A sensor 49, a control unit 51, and the like. In the case of the second embodiment as in the first embodiment, examples of the integrated circuit element include a semiconductor element and a flat display element. When the integrated circuit element is a semiconductor element, an example of the substrate 40 is a semiconductor wafer. When the integrated circuit element is a flat display element, an example of the substrate 40 is a glass substrate. Can be mentioned.

具体的に、バス41は、その内部に集積回路素子を製造するための基板40が位置し、ケミカル供給部43からフローされるケミカルを収容する部材である。そして、ケミカル供給部43は、言及したように、基板40が位置するバス41の内部にケミカルをフローさせる部材である。特に、実施例2での製造装置400は、バス41の内部に基板40を位置させた後、バス41の内部にケミカルをフローさせる構成を有する。即ち、バス41の内部には、ケミカルが収容されていないか、バス41の内部に位置する基板40が充分に沈まない程度にケミカルが収容されていることとして、バス41の内部に基板40を位置させた後、ケミカル供給部43を使用してバス41の内部に位置する基板40が充分に沈むようにバス41の内部にケミカルをフローさせる構成を有する。 Specifically, the bus 41 is a member in which a substrate 40 for manufacturing an integrated circuit element is located and accommodates a chemical flowed from the chemical supply unit 43. And the chemical supply part 43 is a member which makes a chemical flow into the inside of the bus | bath 41 in which the board | substrate 40 is located as mentioned. In particular, the manufacturing apparatus 400 according to the second embodiment has a configuration in which a chemical is flowed into the bus 41 after the substrate 40 is positioned inside the bus 41. That is, it is assumed that no chemical is contained in the bus 41 or chemicals are contained in such a degree that the substrate 40 located inside the bus 41 does not sink sufficiently. After being positioned, the chemical supply unit 43 is used to cause the chemical to flow into the bus 41 so that the substrate 40 positioned inside the bus 41 sinks sufficiently.

言及したケミカル供給部43は、基板40が位置するバス41の内部にケミカルをフローさせる部材であって、図面符号53のようにバス41の内部に位置する基板40の裏面の下から基板40の裏面にケミカルをフローさせるように設置される。これに、ケミカル供給部43は、基板40の裏面の下から基板40の裏面に設置される供給ライン43a及び供給ライン43aに連結されるポンプ43bを含む。特に、供給ライン43aの場合には、バス41の底面を通じてバス41の内部に位置する基板40の裏面の下から基板40の裏面にケミカルをフローさせるように設置されることができる。また、供給ライン43aは、ケミカルの一部が基板40の外郭から基板40の中心にフローされるように設置されることができる。この場合、供給ライン43aをバス41の外郭に位置するように設置することで、ケミカルの一部が基板40の外郭から基板40の中心にフローされるようにすることができる。このように、供給ライン43aが基板40の外郭の裏面の下から基板40の中心の裏面にケミカルをフローさせるように設置することは、円滑なケミカルのフローを通じて工程效率を向上させるためである。又、ポンプ43bは、ポンピング動作によってケミカルを円滑にフローさせるために設置され、図示していないが、供給ライン43aには、開閉動作が可能なバルブが設置されてもよい。そして、実施例2の場合にも、ケミカル供給部43の設置構造を言及したように説明しているが、これに限定されない。即ち、言及したように、工程效率が高いことを基準としてケミカル供給部43を設置することと理解することができる。 又、ケミカル供給部43はその個数に限定されない。 The mentioned chemical supply unit 43 is a member that causes the chemical to flow into the bus 41 where the substrate 40 is located. The chemical supply unit 43 is formed from below the back surface of the substrate 40 located inside the bus 41 as indicated by reference numeral 53. Installed to flow chemicals on the back. In addition, the chemical supply unit 43 includes a supply line 43 a installed on the back surface of the substrate 40 from below the back surface of the substrate 40 and a pump 43 b connected to the supply line 43 a. In particular, in the case of the supply line 43a, the supply line 43a can be installed so that the chemical flows from below the back surface of the substrate 40 located inside the bus 41 to the back surface of the substrate 40 through the bottom surface of the bus 41. In addition, the supply line 43 a can be installed such that a part of the chemical flows from the outline of the substrate 40 to the center of the substrate 40. In this case, by setting the supply line 43 a so as to be positioned outside the bus 41, a part of the chemical can flow from the outline of the substrate 40 to the center of the substrate 40. In this way, the supply line 43a is installed so that the chemical flows from under the outer back surface of the substrate 40 to the back surface at the center of the substrate 40 in order to improve process efficiency through a smooth chemical flow. The pump 43b is installed to smoothly flow chemicals by a pumping operation, and although not shown, a valve capable of opening and closing may be installed in the supply line 43a. In the second embodiment, the installation structure of the chemical supply unit 43 is described as being mentioned, but the present invention is not limited to this. That is, as mentioned, it can be understood that the chemical supply unit 43 is installed on the basis of high process efficiency. Further, the number of chemical supply units 43 is not limited to the number.

ケミカル排出部45は、バス41の内部にフローされるケミカルをバス41の外部にフローさせる部材であって、基板40をバス41の内部に位置させた後、加工処理する時、基板40の一部分が曲がる場合、基板40の一部分にフローされるケミカルを外部にフローさせるように設置される。これに、ケミカル排出部45は、基板40が曲がる一部分に近接する部分に集中的に設置されるのが望ましく、特に、基板40の一部分の裏面の下からバス41の外部にケミカルをフローさせるように設置されるのがより望ましい。 The chemical discharge unit 45 is a member that causes the chemical that flows inside the bus 41 to flow outside the bus 41. When the substrate 40 is placed in the bus 41 and then processed, a part of the substrate 40 is placed. Is bent, the chemical that is flowed to a part of the substrate 40 is set to flow outside. In addition, it is desirable that the chemical discharging unit 45 is intensively installed in a portion close to a portion where the substrate 40 bends. In particular, the chemical discharging portion 45 may flow the chemical from below the back surface of a portion of the substrate 40 to the outside of the bus 41. It is more desirable to be installed in

そして、ケミカル排出部45は、基板40の一部分の裏面の下からバス41の外部に設置される排出ライン45a及び排出ライン45aに連結されるポンプ45bを含む。特に、排出ライン45aは、基板40の一部分の裏面の下からバス41の底面を通じてバス41の外部にケミカルをフローさせるように設置されるのが望ましい。 また、ポンプ45b
は、ポンピング動作を通じて基板40の一部分の裏面の下からバス41の外部にケミカル
を円滑にフローさせるために設置される。そして、図示していないが、排出ライン45aには開閉動作が可能なバルブが更に設置されてもよい。また、ケミカル排出部45は、基板40が曲がる一部分に設置される場合、その設置個数に限定されない。
The chemical discharge unit 45 includes a discharge line 45a installed outside the bus 41 from below the back surface of a part of the substrate 40 and a pump 45b connected to the discharge line 45a. In particular, the discharge line 45 a is preferably installed so that the chemical flows from the bottom of the back surface of a part of the substrate 40 to the outside of the bus 41 through the bottom surface of the bus 41. Pump 45b
Is installed to smoothly flow chemicals from under the back surface of a portion of the substrate 40 to the outside of the bus 41 through a pumping operation. And although not shown in figure, the valve | bulb which can be opened and closed may be further installed in the discharge line 45a. Moreover, the chemical discharge part 45 is not limited to the installation number, when installing in the part in which the board | substrate 40 bends.

このように、本発明の実施例2の集積回路素子の製造装置400の場合にも、実施例1の製造装置100と同様に、バス41、ケミカル供給部43、ケミカル排出部45を具備する。 As described above, the integrated circuit device manufacturing apparatus 400 according to the second embodiment of the present invention also includes the bus 41, the chemical supply unit 43, and the chemical discharge unit 45 as in the manufacturing apparatus 100 according to the first embodiment.

従って、言及したバス41、ケミカル供給部43、ケミカル排出部45を具備する製造装置400を使用した製造では、まず、バス41の内部に基板40を位置させる。この際、バス41の内部には、言及したように、ケミカルが収容されていないか、バス41の内部に位置する基板40が充分に沈まれない程度にケミカルが収容されている。又、基板40はバス41の底面と平行に移送が行われる。 そして、バス41の内部に位置させた基板
40が充分に沈む程度にケミカルをフローさせることによって、基板40の加工処理を遂行する。特に、ケミカル供給部43によるケミカルは、基板40の裏面の下から基板40の裏面にフローされる。又、ケミカル供給部43によるケミカルは、その一部が基板40の外郭から基板40の中心にフローされる。即ち、言及したケミカル供給部43を使用する場合には、基板40の裏面の外郭の下から基板40の裏面の中心にケミカルがフローされる。
Therefore, in manufacturing using the manufacturing apparatus 400 including the bus 41, the chemical supply unit 43, and the chemical discharge unit 45 mentioned above, first, the substrate 40 is positioned inside the bus 41. At this time, as described above, the chemical is contained in the bus 41 to such an extent that the chemical is not contained or the substrate 40 located inside the bus 41 is not sufficiently sunk. The substrate 40 is transferred in parallel with the bottom surface of the bus 41. Then, the processing of the substrate 40 is performed by causing the chemical to flow such that the substrate 40 positioned inside the bus 41 is sufficiently sunk. In particular, the chemical from the chemical supply unit 43 flows from below the back surface of the substrate 40 to the back surface of the substrate 40. Further, a part of the chemical by the chemical supply unit 43 flows from the outline of the substrate 40 to the center of the substrate 40. That is, when using the chemical supply unit 43 mentioned above, the chemical flows from the bottom of the back surface of the substrate 40 to the center of the back surface of the substrate 40.

これに、ケミカルのフローによって、図面符号55と同じ方向に浮力、抗力、これらの合成力などが印加され、その結果、基板40の一部分が曲がる状況が発生する。特に、言及したように、ケミカルが基板40の裏面の外郭の下から基板40の裏面の中心にフローされる場合には、基板40の中心部分に浮力、抗力、これらの合成力などが印加され、その結果、基板40の中心部分が曲がる状況が発生する。従って、ケミカル排出部45を使用して、基板40の一部分にフローされるケミカルをバス41の外部にフローさせる。この際、言及したように、基板40の中心部分が曲がる場合には、ケミカル排出部45は基板の中心部分にフローされるケミカルをバス41の外部にフローさせる。このように、ケミカル排出部45を使用して基板40の一部分にフローされるケミカルをバス41の外部にフローさせる場合には、図面符号57と同じ方向に基板41の一部分に吸入力が生成される。即ち、ケミカル供給部43を使用したケミカルのフローによって基板40に印加される浮力、抗力、これらの合成力などに逆方向に吸入力が生成される。これに、図面符号57と同じ方向に生成される吸入力で図面符号25と同じ方向に作用する抗力、浮力、これらの合成力などを相殺させることによって基板40の加工処理のためのケミカルのフローによって基板40の一部分が曲がる状況を十分に減少させることができる。 Due to the chemical flow, buoyancy, drag, combined force thereof, and the like are applied in the same direction as the reference numeral 55, and as a result, a state in which a part of the substrate 40 is bent occurs. In particular, as mentioned above, when the chemical is flowed from under the outline of the back surface of the substrate 40 to the center of the back surface of the substrate 40, buoyancy, drag, combined force, etc. are applied to the central portion of the substrate 40. As a result, a situation occurs in which the central portion of the substrate 40 is bent. Therefore, the chemical discharging unit 45 is used to flow the chemical flowing to a part of the substrate 40 to the outside of the bath 41. At this time, as mentioned above, when the central portion of the substrate 40 bends, the chemical discharge unit 45 causes the chemical flowing to the central portion of the substrate to flow outside the bath 41. As described above, when the chemical discharged to the part of the substrate 40 is caused to flow to the outside of the bus 41 using the chemical discharge unit 45, the suction input is generated in the part of the substrate 41 in the same direction as the reference numeral 57. The In other words, the suction force is generated in the opposite direction to the buoyancy, drag, and combined force applied to the substrate 40 by the chemical flow using the chemical supply unit 43. The chemical flow for processing the substrate 40 by offsetting the drag, buoyancy, combined force, and the like acting in the same direction as the reference numeral 25 with the suction input generated in the same direction as the reference numeral 57. As a result, the situation in which a portion of the substrate 40 is bent can be sufficiently reduced.

このように、本発明の実施例2による集積回路素子の製造装置200を使用した工程では、バス41の内部に基板40を位置させた後、バス41の内部にケミカルをフローさせて、集積回路素子の製造による基板40を加工処理する時、基板40の一部分が曲がる場合、バス41の内部の一部分にフローされるケミカルをバス41の外部にフローさせることにより基板40の一部分が曲がる状況を減少させることができる。   As described above, in the process using the integrated circuit element manufacturing apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention, the substrate 40 is positioned in the bus 41, and then the chemical is flowed into the bus 41 to thereby integrate the integrated circuit. When a part of the substrate 40 is bent when processing the substrate 40 by manufacturing an element, a situation in which a part of the substrate 40 is bent is reduced by causing a chemical flowing in a part of the bus 41 to flow outside the bus 41. Can be made.

そして、本発明の実施例2では、基板40が曲がる部分を中心部分に限定し、これに対応してケミカル排出部45も基板40の中心部分の裏面に設置され、基板40の中心部分にフローされるケミカルをバス41の外部にフローさせることと限定しているが、基板40が集中的に曲がる部分を基準としてケミカル排出部45を設置することと理解することができる。又、ケミカルが基板40の裏面の下からバス41の外部にフローされるようにケミカル排出部45を設置することと限定しているが、基板40の曲がりを発生させる浮力、抗力、これらの合成力などと逆方向にケミカル排出部45によって生成される吸入力が作用するように設置することと理解することができる。   In Embodiment 2 of the present invention, the portion where the substrate 40 bends is limited to the central portion, and the chemical discharge portion 45 is also installed on the back surface of the central portion of the substrate 40 correspondingly, and flows to the central portion of the substrate 40. However, it can be understood that the chemical discharge unit 45 is installed on the basis of a portion where the substrate 40 is bent intensively. In addition, the chemical discharge unit 45 is limited so that the chemical flows from the bottom of the back surface of the substrate 40 to the outside of the bus 41. However, the buoyancy, the drag force, and the synthesis of these are generated. It can be understood that the suction input generated by the chemical discharge unit 45 acts in the opposite direction to the force or the like.

又、ケミカル排出部45を通じてバス41の外部にフローされることにより、損失されるケミカルはケミカル供給部43を通じて継続的に補充することができる。   In addition, the lost chemical can be replenished continuously through the chemical supply unit 43 by flowing outside the bus 41 through the chemical discharge unit 45.

又、言及したローラー63は、基板40をバス41の内部に移送させる部材であって、バス41の内部に設置される。又、ローラー63は、上部ローラー63aと下部ローラー63bを含み、上部ローラー63aは、基板40の上面の外郭部分に接触するように設置され、下部ローラー63bは、基板40の裏面と接触するように設置される。この際、上部ローラー63aは、基板40の上面にケミカルを円滑にフローさせるために、基板40の上面の外郭部分にのみ接触するように設置され、下部ローラー63bは、移送が行われる基板40が下に垂れることを防止するために基板40を横切る構造に設置される。   The roller 63 mentioned is a member for transferring the substrate 40 to the inside of the bus 41 and is installed inside the bus 41. The roller 63 includes an upper roller 63a and a lower roller 63b. The upper roller 63a is installed so as to be in contact with the outer portion of the upper surface of the substrate 40, and the lower roller 63b is in contact with the back surface of the substrate 40. Installed. At this time, the upper roller 63a is installed so as to contact only the outer portion of the upper surface of the substrate 40 in order to smoothly flow chemicals on the upper surface of the substrate 40, and the lower roller 63b is connected to the substrate 40 to be transferred. It is installed in a structure that crosses the substrate 40 to prevent it from drooping down.

このように、上部ローラー63aが基板40の上面の外郭部位のみを接触するように設置される場合には、ケミカルのフローによる浮力、抗力、これらの合成力などが基板40の中心部分に集中されることができる。又、ケミカル供給部43が言及したように、基板40の裏面の外郭の下から基板40の裏面の中心にケミカルをフローさせるように設置される場合にも基板40の中心部分に浮力、抗力、これらの合成力などが集中されることができる。従って、言及したように、ケミカル供給部43と上部ローラー63aが設置される場合には、ケミカル排出部45は、基板40の中心部分にフローされるケミカルをバス41の外部に集中的にフローさせるように設置されることが好ましい。   As described above, when the upper roller 63a is installed so as to contact only the outer portion of the upper surface of the substrate 40, the buoyancy, drag, and synthetic force of these due to the chemical flow are concentrated on the central portion of the substrate 40. Can. In addition, as described above, when the chemical supply unit 43 is installed so that chemical flows from the bottom of the back surface of the substrate 40 to the center of the back surface of the substrate 40, buoyancy, drag, These synthetic powers can be concentrated. Therefore, as described above, when the chemical supply unit 43 and the upper roller 63a are installed, the chemical discharge unit 45 causes the chemical flowing in the central portion of the substrate 40 to flow intensively outside the bus 41. It is preferable to be installed as described above.

そして、実施例2の製造装置400のように、バス41の内部に基板40を移送するローラー63aを含む場合には、バス41の側面に基板40の移送経路を形成すべきである。即ち、ローラー63が設置され基板40が移送される経路と同じ高さのバス41の側面に基板40の移送経路が具備されるべきである。   And when the roller 63a which transfers the board | substrate 40 to the inside of the bus | bath 41 is included like the manufacturing apparatus 400 of Example 2, the transfer path | route of the board | substrate 40 should be formed in the side surface of the bus | bath 41. FIG. That is, the transfer path of the substrate 40 should be provided on the side surface of the bus 41 having the same height as the path where the roller 63 is installed and the substrate 40 is transferred.

これに、実施例2では図5のようにバス41の側面に開閉可能に移送ウィンドー65a、65bを設置する。ここで、図面符号65aの移送ウィンドーは、バス41の内部に基板40を移送する経路を提供する部材であり、図面符号65bの移送ウィンドーはバス41の外部に基板40を移送する経路を提供する部材として理解することができる。そして、移送ウィンドー65a、65bは、シャッター方式などで開閉される部材などで具備されることができる。これに、バス41の側面に設置した移送ウィンドー65a、65bを通じてローラー63によってバス41の内部に基板40を移送させるか、バス41の外部に基板40を移送させることができる。そして、言及した移送ウィンドー65a、65bを設置する場合には、移送ウィンドー65a、65bの開放時、移送ウィンドー65a、65bを通じてバス41の内部のケミカルがバス41の外部にフローされることができる。これに、移送ウィンドー65a、65bを通じてバス41の外部にフローされるケミカルを循環させるための部材が更に形成されることもできる。   In the second embodiment, transfer windows 65a and 65b are installed on the side surface of the bus 41 so as to be opened and closed as shown in FIG. Here, the transfer window 65a is a member that provides a path for transferring the substrate 40 to the inside of the bus 41, and the transfer window 65b provides a path for transferring the substrate 40 to the outside of the bus 41. It can be understood as a member. The transfer windows 65a and 65b may be provided with members that are opened and closed by a shutter method or the like. For this, the substrate 40 can be transferred to the inside of the bus 41 by the roller 63 through the transfer windows 65 a and 65 b installed on the side surface of the bus 41, or the substrate 40 can be transferred to the outside of the bus 41. When the transfer windows 65a and 65b mentioned above are installed, the chemical inside the bus 41 can flow out of the bus 41 through the transfer windows 65a and 65b when the transfer windows 65a and 65b are opened. In addition, a member for circulating the chemicals flowing outside the bus 41 through the transfer windows 65a and 65b may be further formed.

又、図2の集積回路素子の製造装置400の場合にも、図1の集積回路素子の製造装置100と同様にケミカル循環部47、センサー49、制御部51などを更に含むことができる。そして、実施例2でのケミカル循環部47、センサー49、制御部51は、実施例1でのケミカル循環部17、センサー19、制御部21と同じ構成を有するので、その詳細な説明は省略する。   Further, the integrated circuit element manufacturing apparatus 400 of FIG. 2 may further include a chemical circulation unit 47, a sensor 49, a control unit 51, and the like, similar to the integrated circuit element manufacturing apparatus 100 of FIG. And since the chemical circulation part 47, the sensor 49, and the control part 51 in Example 2 have the same structure as the chemical circulation part 17, the sensor 19, and the control part 21 in Example 1, the detailed description is abbreviate | omitted. .

以下では、言及したバス41、ケミカル供給部43、ケミカル排出部45、ローラー63、移送ウィンドー65a、65b、ケミカル循環部47、センサー49、制御部51を具備する集積回路素子の製造装置400を使用する方法に対して説明する。   In the following, the integrated circuit element manufacturing apparatus 400 including the bath 41, the chemical supply unit 43, the chemical discharge unit 45, the roller 63, the transfer windows 65a and 65b, the chemical circulation unit 47, the sensor 49, and the control unit 51 is used. The method to do will be described.

図6は、図4の集積回路素子の製造装置を使用する一例に対して説明するための工程図
である。
FIG. 6 is a process diagram for explaining an example of using the integrated circuit device manufacturing apparatus of FIG.

図6を参照すると、言及した基板40の移送は、まず、バス41の一側面に具備した移送ウィンドー65aを開放する(S601)。この際、バス41の内部にケミカルが充分に収容されている場合なら、一側面の移送ウィンドー65aを通じてケミカルがバス41の外部にフローされることができる。又、逆側面の移送ウィンドー65bも開放され工程が完了された基板40を後続工程のためにバス41の外部に移送させる。この場合にも言及したように、移送ウィンドー65bを通じてケミカルがバス41の外部にフローされることができる。そして、移送ウィンドー65a、65bを通じてバス41の外部にフローされるケミカルは循環部材(図示せず)を使用して、更にバス42の内部にフローさせることもできる。続いて、一側面の移送ウィンドー65aを通じてバス41の内部に基板を移送させる。この際、基板40は、バス41の内部に設置されるローラー63によって移送が行われる(S603)。移送ウィンドー64a、65bとローラー63を使用して、基板40をバス41の内部に移送するので、基板40はバス41の底面と平行に移送される。   Referring to FIG. 6, the transfer of the substrate 40 mentioned above first opens the transfer window 65a provided on one side of the bus 41 (S601). At this time, if the chemical is sufficiently contained in the bath 41, the chemical can flow out of the bath 41 through the transfer window 65 a on one side surface. Further, the transfer window 65b on the opposite side is also opened to transfer the substrate 40, which has been completed, to the outside of the bus 41 for the subsequent process. As also mentioned in this case, the chemical can flow out of the bath 41 through the transfer window 65b. The chemical that flows to the outside of the bus 41 through the transfer windows 65a and 65b can be further flowed to the inside of the bus 42 using a circulation member (not shown). Subsequently, the substrate is transferred into the bus 41 through the transfer window 65a on one side surface. At this time, the substrate 40 is transferred by the roller 63 installed inside the bus 41 (S603). Since the transfer window 64 a and 65 b and the roller 63 are used to transfer the substrate 40 to the inside of the bus 41, the substrate 40 is transferred in parallel with the bottom surface of the bus 41.

このように、移送ウィンドー65a、65bの開放とローラー63を使用した移送によって基板40がバス41の内部に移送される。この際、バス41の内部にはケミカルが収容されていないか、バス41の内部に位置する基板40が充分に沈まない程度にケミカルが収容されている。これは、言及したように、移送ウィンドー65a、65bの開放によってバス41の外部にケミカルがフローされるためである。これに、ケミカル供給部43を使用して基板40が位置するバス41の内部にケミカルをフローさせる(S605)。この際、ケミカルのフローは、基板40が充分に沈む程度に行われる。   In this way, the substrate 40 is transferred into the bus 41 by opening the transfer windows 65 a and 65 b and transferring using the roller 63. At this time, no chemical is contained in the bus 41 or the chemical is contained to such an extent that the substrate 40 located inside the bus 41 does not sink sufficiently. This is because the chemical flows outside the bus 41 by opening the transfer windows 65a and 65b, as mentioned above. Then, the chemical is flowed into the bus 41 where the substrate 40 is located using the chemical supply unit 43 (S605). At this time, the chemical flow is performed to such an extent that the substrate 40 sinks sufficiently.

続いて、バスの内部にケミカルをフローさせることにより、基板の加工処理を行う(S607)。ここで、基板の加工処理はケミカルのフロー以外にも基板の継続的な移送、ブラシなどのような部材を使用した工程処理などによって達成されることができる。   Subsequently, the substrate is processed by causing the chemical to flow inside the bus (S607). Here, the processing of the substrate can be achieved by continuous transfer of the substrate, process processing using a member such as a brush, in addition to the chemical flow.

続いて、センサー49を使用してケミカルのフローによって曲がった基板40の一部分があるかをセンシングする(S609及びS611)。そして、基板40の一部分が曲がったこととセンシングされる場合、センサー49は、制御部51にセンシング信号を出力し、センシング信号の入力を受ける制御部51は、ケミカル排出部45に稼動命令を指示する(S613)。これに、ケミカル排出部45を使用して基板40の一部分にフローされるケミカルをバス41の外部にフローさせる(S615)。このように、基板40の一部分にフローされるケミカルをバス41の外部に排出させる場合には、基板40の一部分に図面符号57と同じ方向に吸入力が生成される。これに、図面符号57と同じ方向に生成される吸入力に言及した図面符号55と同じ方向に作用する抗力、浮力、これらの合成力などを相殺させることにより、基板40のディッピングによって基板40の一部分が曲がることを充分に減少させることができる。   Subsequently, the sensor 49 is used to sense whether there is a part of the substrate 40 bent by the chemical flow (S609 and S611). When it is sensed that a part of the substrate 40 is bent, the sensor 49 outputs a sensing signal to the control unit 51, and the control unit 51 that receives the sensing signal instructs the chemical discharge unit 45 to operate. (S613). For this, the chemical discharged to a part of the substrate 40 using the chemical discharge unit 45 is caused to flow to the outside of the bus 41 (S615). As described above, when the chemical flowing in a part of the substrate 40 is discharged to the outside of the bus 41, suction input is generated in the same direction as the reference numeral 57 in the part of the substrate 40. By counteracting the drag, buoyancy, combined force and the like acting in the same direction as the drawing reference 55 referring to the suction input generated in the same direction as the drawing reference 57, the substrate 40 is dipped by the dipping of the substrate 40. It is possible to sufficiently reduce the bending of a part.

特に、実施例2の場合には、ローラー63のうち、上部ローラー63aによって基板40の上面の外郭が支持される構成を有する。そして、ケミカル供給部43は、基板40の裏面の外郭の下から基板40の裏面の中心にケミカルをフローさせる構成を有する。これに、基板40の中心部分が集中的に曲がることができる。このように、基板40の中心部分が集中的に曲がる場合には、基板40の中心部分にフローされるケミカルを集中的にバス41の外部にフローさせることにより、基板40の中心部分が曲がる状況を減少させることができる。   In particular, the second embodiment has a configuration in which the outer contour of the upper surface of the substrate 40 is supported by the upper roller 63 a of the rollers 63. The chemical supply unit 43 has a configuration in which chemical flows from the bottom of the back surface of the substrate 40 to the center of the back surface of the substrate 40. In addition, the central portion of the substrate 40 can be bent intensively. As described above, when the central portion of the substrate 40 is bent intensively, the central portion of the substrate 40 is bent by causing the chemical flowing to the central portion of the substrate 40 to flow out of the bus 41 intensively. Can be reduced.

そして、ケミカル循環部47を使用してバス41の外部にフローされるケミカルをバス41の内部に更にフローさせる(S615)。このように、ケミカル循環部47を使用し
てケミカルをバス41の内部に更にフローさせることにより、バス41の内部には基板40が充分に沈む程度に一定量のケミカルが継続的に維持され、特に、ケミカルの消耗量を減少させることができる。
Then, the chemical that flows to the outside of the bus 41 using the chemical circulation unit 47 is further flowed to the inside of the bus 41 (S615). In this way, by using the chemical circulation unit 47 to further flow the chemical into the bath 41, a certain amount of chemical is continuously maintained in the bus 41 so that the substrate 40 is sufficiently submerged, In particular, chemical consumption can be reduced.

又、本発明の実施例2のように、バス41の内部に位置させた基板10にケミカルをフローさせる製造方法の場合には、集積回路素子のうち、平板ディスプレイ素子により積極的に適用することができる。   In addition, in the case of a manufacturing method in which chemical flows through the substrate 10 positioned inside the bus 41 as in the second embodiment of the present invention, it is more actively applied to the flat display element among the integrated circuit elements. Can do.

このように、本発明の実施例2での装置及び方法を用いる場合にも、実施例1と同様にケミカルを用いた単位工程でケミカルによって基板40が曲がる状況を充分に減少させることができる。従って、基板40の曲がりによって発生する不良を減少させることにより、単位工程での信頼度向上を図ることができ、のみならず後続工程を基板40の移送を安定的に行うことにより、集積回路素子の製造による生産性向上を図ることができる。   As described above, even when the apparatus and method according to the second embodiment of the present invention are used, the situation where the substrate 40 is bent by the chemical can be sufficiently reduced in the unit process using the chemical as in the first embodiment. Therefore, by reducing defects caused by the bending of the substrate 40, it is possible to improve the reliability in the unit process, as well as stably transporting the substrate 40 in the subsequent process, thereby providing an integrated circuit element. It is possible to improve productivity by manufacturing.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious that a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains can make various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims. Of course, it is understood that these also belong to the technical scope of the present invention.

10…基板、11…バス、13…ケミカル供給部、15…ケミカル排出部、15a…排出ライン、15b…ポンプ、17…ケミカル循環部、19…センサー、21…制御部、100…集積回路素子の製造装置。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate, 11 ... Bath, 13 ... Chemical supply part, 15 ... Chemical discharge part, 15a ... Discharge line, 15b ... Pump, 17 ... Chemical circulation part, 19 ... Sensor, 21 ... Control part, 100 ... Integrated circuit element manufacturing device.

Claims (17)

バス内においてケミカルにより基板を処理する集積回路素子の製造装置であって、
前記バス内の基の裏面下方からケミカルを供給するケミカル供給部と、
前記ケミカル供給部が基の裏面下方からケミカルを供給したことに基づく力より基に生じる屈曲を阻止すべく、基においてケミカルの供給に基づく力がかかる部分の裏面の下方にバスから外部にケミカルを排出するケミカル排出部と、
前記ケミカル供給部とケミカル排出部とをバス外において連通させて、バスの外部にフローされるケミカルをバスの内部にフローさせるケミカル循環部と
を有する集積回路素子の製造装置。
An integrated circuit device manufacturing apparatus for processing a substrate with chemicals in a bus,
And chemical supply unit for supplying a chemical from the back below the board in said bus,
In order to prevent the bending of the chemical supply unit occurs board than the force based on the supplied chemical from the back surface beneath the base plate, the external bus to the back surface of the lower portion take force based on the supply of chemical in the base plate A chemical discharge section for discharging chemicals into
An apparatus for manufacturing an integrated circuit element , comprising: a chemical circulation unit that communicates the chemical supply unit and the chemical discharge unit outside the bus, and causes the chemical flowing outside the bus to flow inside the bus.
前記基板はバス底面と平行にディッピングさせることを特徴とする請求項1に記載の集積回路素子の製造装置2. The integrated circuit device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is dipped parallel to the bottom surface of the bus. 前記ケミカル供給部は、前記バスの内部に位置する基板が沈むように前記バスの内部にケミカルをフローさせることを特徴とする請求項1又は2に記載の集積回路素子の製造装
置。
3. The apparatus for manufacturing an integrated circuit element according to claim 1, wherein the chemical supply unit causes the chemical to flow into the bus so that a substrate located inside the bus sinks.
前記ケミカル供給部は基板の裏面の下方に設置される供給ライン及び同供給ラインに連結されるポンプを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の集積回路
素子の製造装置。
4. The integrated circuit device manufacturing method according to claim 1, wherein the chemical supply unit includes a supply line installed below a back surface of the substrate and a pump connected to the supply line. 5. apparatus.
前記供給ラインはケミカルの一部が基板の外郭から基板の中心にフローされるように設置されることを特徴とする請求項4の記載の集積回路素子の製造装置。   5. The integrated circuit device manufacturing apparatus according to claim 4, wherein the supply line is installed so that a part of the chemical flows from the outer periphery of the substrate to the center of the substrate. 前記ケミカル排出部は基板の一部分の裏面の下方からバスの外部に延びる排出ライン及び同排出ラインに連結されるポンプを含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1
項に記載の集積回路素子の製造装置。
6. The chemical discharge unit according to claim 1, further comprising a discharge line extending from a lower part of the back surface of a part of the substrate to the outside of the bus and a pump connected to the discharge line.
An integrated circuit device manufacturing apparatus according to the item.
前記排出ラインは基板の一部分の裏面の下方からバス底面を通じてバスの外部に延びることを特徴とする請求項6に記載の集積回路素子の製造装置。   7. The integrated circuit device manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the discharge line extends from below the back surface of a part of the substrate to the outside of the bus through the bottom surface of the bus. 前記基板の一部分が屈曲することを感知するセンサー及びこのセンサーから出力されるセンシング信号に基づきケミカル排出部の稼動を制御する制御部を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の集積回路素子の製造装置。   The sensor according to any one of claims 1 to 7, further comprising: a sensor that senses that a part of the substrate is bent; and a controller that controls the operation of the chemical discharge unit based on a sensing signal output from the sensor. 2. An apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to 1. バス内においてケミカルにより基板を処理する集積回路素子の製造装置であって、
前記バスの両側壁にそれぞれ設けられ、前記基板がバス内に移送されるときに開放され、基板がバス内部で加工処理中であるときは密閉されるゲートウィンドーを備えた移送ゲートと、
前記基板が移送ゲートを通じてバスの底面と平行に移送されるようにバスの内部で前記移送ゲートと平行に位置する基板移送用ローラーと、
前記基の裏面下方からバス内にケミカルを供給するケミカル供給部と、
前記ケミカル供給部が基の裏面下方からケミカルを供給したことに基づく力より基に生じる屈曲を阻止すべく、基においてケミカルの供給に基づく力がかかる部分の裏面の下方にバスから外部にケミカルを排出するケミカル排出部と、
前記ケミカル供給部とケミカル排出部とをバス外において連通させて、バスの外部にフローされるケミカルをバスの内部にフローさせるケミカル循環部と、
を有する集積回路素子の製造装置。
An integrated circuit device manufacturing apparatus for processing a substrate with chemicals in a bus,
A transfer gate provided on each side wall of the bus, and having a gate window that is opened when the substrate is transferred into the bus and sealed when the substrate is being processed inside the bus;
A substrate transfer roller positioned parallel to the transfer gate inside the bus so that the substrate is transferred parallel to the bottom of the bus through the transfer gate;
And chemical supply section for supplying a chemical into the bus from the back below the board,
In order to prevent the bending of the chemical supply unit occurs board than the force based on the supplied chemical from the back surface beneath the base plate, the external bus to the back surface of the lower portion take force based on the supply of chemical in the base plate A chemical discharge section for discharging chemicals into
A chemical circulation unit that communicates the chemical supply unit and the chemical discharge unit outside the bus, and causes the chemical flowing outside the bus to flow inside the bus; and
An integrated circuit device manufacturing apparatus.
前記ローラーは基板の上面の外郭部分に接触する上部ローラー及び基板の裏面と接触する下部ローラーを含むことを特徴とする請求項9に記載の集積回路素子の製造装置。     The apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to claim 9, wherein the roller includes an upper roller that contacts an outer portion of an upper surface of the substrate and a lower roller that contacts a back surface of the substrate. 前記下部ローラーは、前記基板の裏面を横切るように配置され前記基板が移送される間に垂れることを防止することを特徴とする請求項10に記載の集積回路素子の製造装置。   The apparatus of claim 10, wherein the lower roller is disposed across the back surface of the substrate and prevents the lower roller from dripping while the substrate is transferred. 前記ケミカル供給部は、前記バスの内部に位置する基板が沈むように前記バスの内部にケミカルをフローさせることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の集積
回路素子の製造装置。
12. The integrated circuit device manufacturing apparatus according to claim 9, wherein the chemical supply unit causes the chemical to flow inside the bus so that a substrate located inside the bus sinks. .
前記ケミカル供給部は基板の裏面の下方に設置される供給ライン及び同供給ラインに連結されるポンプを含むことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の集積回
路素子の製造装置。
The integrated circuit device manufacturing method according to any one of claims 9 to 12, wherein the chemical supply unit includes a supply line installed below the back surface of the substrate and a pump connected to the supply line. apparatus.
前記供給ラインはケミカルの一部が基板の外郭から基板の中心にフローされるように設置されることを特徴とする請求項13の記載の集積回路素子の製造装置。   14. The apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to claim 13, wherein the supply line is installed so that a part of the chemical flows from the outer periphery of the substrate to the center of the substrate. 前記ケミカル排出部は基板の一部分の裏面の下方からバスの外部に延びる排出ライン及び同排出ラインに連結されるポンプを含むことを特徴とする請求項9乃至14のいずれか1項に記載の集積回路素子の製造装置。   The integration according to any one of claims 9 to 14, wherein the chemical discharge unit includes a discharge line extending from below a back surface of a part of the substrate to the outside of the bus and a pump connected to the discharge line. Circuit element manufacturing equipment. 前記排出ラインは基板の一部分の裏面の下方からバス底面を通じてバスの外部に延びることを特徴とする請求項15に記載の集積回路素子の製造装置。   The integrated circuit device manufacturing apparatus according to claim 15, wherein the discharge line extends from below the back surface of a part of the substrate to the outside of the bus through the bottom surface of the bus. 前記基板の一部分が屈曲することを感知するセンサー及びこのセンサーから出力されるセンシング信号に基づきケミカル排出部の稼動を制御する制御部を含むことを特徴とする請求項9乃至16のいずれか1項に記載の集積回路素子の製造装置。   The sensor according to any one of claims 9 to 16, further comprising: a sensor that senses that a part of the substrate is bent; and a controller that controls the operation of the chemical discharge unit based on a sensing signal output from the sensor. 2. An apparatus for manufacturing an integrated circuit device according to 1.
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