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JP5318966B2 - Dc/dcコンバータ - Google Patents

Dc/dcコンバータ Download PDF

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JP5318966B2
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Description

本発明は、電気二重層キャパシタ等の大容量を特徴とする蓄電手段に大電流でエネルギーを蓄電するDC/DCコンバータに関するものである。
電気二重層キャパシタ等の大容量を特徴とする蓄電手段に対して、大電流で充電を行うことにより大きなエネルギーを蓄電することが可能である。
従来、電気二重層キャパシタ等の蓄電手段への蓄電を行う場合、例えば、特許文献1に示されるような回路構成が用いられており、電気二重層キャパシタ等の蓄電手段への充電はエネルギー変換器であるDC/DCコンバータを介して行われる。
特開平07−231511号公報(第1図)
ところで、蓄電手段として電気二重層キャパシタを使用する場合、その等価直列抵抗は、アルミ電解キャパシタなどの他のキャパシタに比べると圧倒的に大きいため、大きな高周波リプル電流を流すことができないという問題がある。そして、この電気二重層キャパシタに所定の電力で蓄電する場合、特に、電気二重層キャパシタ電圧が低い時に、DC/DCコンバータから大きな充電電流を電気二重層キャパシタに供給する必要がある。
DC/DCコンバータが電気二重層キャパシタに大きな充電電流を供給する際、DC/DCコンバータの構成要素であるインダクタに大きな電流が流れることになり、その電流値に応じて急激なインダクタンス低下が発生する。その結果、電気二重層キャパシタへの充電電流でもあるDC/DCコンバータの出力電流のリプル分が大きくなり、電気二重層キャパシタの特性を大幅に悪化させ、または、電気二重層キャパシタの急激な温度上昇により故障に至ることがあるという問題があった。この問題は電気二重層キャパシタ以外の大容量の蓄電装置、例えばリチウムイオン電池等の2次電池でも発生することがある。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、電気二重層キャパシタ等の蓄電手段への充電を行う場合、DC/DCコンバータの出力電流が大きくなってもそのリプル分の増大を抑制して、電気二重層キャパシタ等の蓄電手段を効率良く確実に充電することができるDC/DCコンバータを提供することを目的としている。
この発明のDC/DCコンバータは、スイッチング素子とインダクタとを有しスイッチング素子を所定のスイッチング周波数でオンオフ駆動して入力直流電源の電圧を変換し蓄電手段に出力して当該蓄電手段を充電するDC/DC変換器、インダクタに流れる電流を検出する電流検出手段、および指令された所定の充電電力で蓄電手段を充電するようPWM(パルス幅変調)制御によるオンオフ駆動信号をスイッチング素子に送出する制御手段を備え、
制御手段は、電流検出手段で検出したインダクタの電流に応じてスイッチング素子に送出するオンオフ駆動信号のスイッチング周波数を変化させるようにしたものである。
この発明のDC/DCコンバータによれば、制御手段が、電流検出手段で検出したインダクタの電流に応じてスイッチング素子に送出するオンオフ駆動信号のスイッチング周波数を変化させるようにしたので、インダクタに流れる電流が大きい範囲においてもその電流のリプル分の増大が抑制され、蓄電手段を効率良く確実に充電することができる。
本発明の実施の形態1によるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態1によるDC/DCコンバータの各部特性を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態1によるDC/DCコンバータの各部特性を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態2によるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態3によるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態3によるDC/DCコンバータにおいて、自己学習でインダクタ電流−インダクタンス特性を求める方法を説明するための図である。 本発明の実施の形態4によるDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態6によるDC/DCコンバータの各部特性を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態6によるDC/DCコンバータの各部特性を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態7によるインダクタのコア形状の種別を模式的に示す図である。
実施の形態1.
先ず、本発明の実施の形態1におけるDC/DCコンバータの回路構成について、図1に基づいて説明する。
図1に示すように、入力直流電源1は必要な電圧範囲を有する直流安定化電圧をDC/DCコンバータに供給するために、DC/DCコンバータの直流入力端子2aおよび2bに接続されている。第1のスイッチング素子であるMOSFET3aのドレイン端子が直流入力端子2aに接続されており、第2のスイッチング素子であるMOSFET3bのソース端子が直流入力端子2bに接続されている。第1のスイッチング素子であるMOSFET3aのソース端子と、第2のスイッチング素子であるMOSFET3bのドレイン端子と、インダクタ4の一方の端子とが接続されている。インダクタ4の他方の端子が、電流検出器5の端子5aに接続されている。電流検出器5の端子5bと、第3のスイッチング素子であるMOSFET3cのソース端子と、第4のスイッチング素子であるMOSFET3dのドレイン端子とが接続されている。そして、第3のスイッチング素子であるMOSFET3cのドレイン端子が直流出力端子6aに接続されており、第2のスイッチング素子であるMOSFET3bのソース端子と、第4のスイッチング素子であるMOSFET3dのソース端子と、直流出力端子6bとが接続され接地されている。
ここで、第1〜第4のスイッチング素子であるMOSFET3a〜3dとインダクタ4とにより、本願特許請求の範囲に示すDC/DC変換器を構成する。
電気二重層キャパシタ7は、直流出力端子6a及び6bに接続されている。電流検出器5の端子5cが演算手段8の端子8aと接続され、直流出力端子6aが演算手段8の端子8bに接続されている。
演算手段8の端子8cは、PWM制御手段9の端子9eに接続されている。第1のスイッチング素子であるMOSFET3aのゲート端子とPWM制御手段9の端子9aが接続され、第2のスイッチング素子であるMOSFET3bのゲート端子とPWM制御手段9の端子9bが接続され、第3のスイッチング素子であるMOSFET3cのゲート端子とPWM制御手段9の端子9cが接続され、第4のスイッチング素子であるMOSFET3dのゲート端子とPWM制御手段9の端子9dが接続されている。
ここで、演算手段8とPWM制御手段9とにより、本願特許請求の範囲に示す制御手段を構成する。
次に、本発明の実施の形態1におけるDC/DCコンバータの動作について図1〜図3を用いて説明する。なお、図2は、電気二重層キャパシタ7の両端電圧が低い時(VC1)の各部の特性を示し、図3は、電気二重層キャパシタ7の両端電圧が高い時(VC2)の各部の特性を示す。
入力直流電源1が直流入力端子2aおよび2bに印加されると、その時点での電気二重層キャパシタ7の両端電圧が検出されて演算手段8に入力される。また、電流検出器5で検出された電流値と目標電流値からデューティ比(オンオフ比)を演算手段8で演算し、PWM制御手段9を介してPWM(パルス幅変調)制御によるオンオフ駆動信号を生成する。このオンオフ駆動信号は、第1〜第4のスイッチング素子であるMOSFET3a〜3dのゲート端子に送出され、各スイッチング素子MOSFET3a〜3dをオンオフ駆動させる。
電気二重層キャパシタ7への充電は、指令された所定の充電電力で行われる。これは、例えば、発電機等で発電する回生電力を電気二重層キャパシタ7に蓄電する様な場合を想定したものである。このため、図2及び図3の最上段のグラフに示すように、充電が進んで電気二重層キャパシタ7の両端電圧が上昇していくと、充電電流は減少していくという特有の特性がある。従って、電気二重層キャパシタ7の両端電圧が低い状態では、大きな充電電流を供給することになる。
また、インダクタ4は、それに使用されている鉄心の磁気特性から、図2及び図3の2段目のグラフに示すように、インダクタ4に一定以上の大きな電流が流れると、電流値に応じて急激なインダクタンス低下が発生する。
この結果、背景技術で既述したように、充電電流の大きい範囲でそのリプル分が増大し、電気二重層キャパシタ7に支障を及ぼすことになる。
そこで、本発明の実施の形態1では、図2及び図3の3段目のグラフに示すように、電流検出器5で検出された充電電流値と複数の切換基準電流値との比較を行い、充電電流値に応じてPWM制御のスイッチング周波数をステップ状に切換えていく。
これにより、充電電流値が大きいとき(インダクタ平均電流IL=IL1:図2)は、スイッチング周波数が高くなり、早いタイミングでスイッチイング素子がオフされることで、リプル電流の増大を抑制できる。また、充電電流値が小さいとき(インダクタ平均電流IL=IL2:図3)は、インダクタ4のインダクタンス低下が無いのでインダクタ電流のリプル分は一定の範囲に留まっており、スイッチング周波数は低いレベルとしてスイッチング損失の増加を抑制している。
図2及び図3の最下段のグラフは、充電電流値の大小に拘わらず、リプル電流分がほぼ一定の、電気二重層キャパシタ7の許容リプル電流範囲内に保たれていることを示している。
以上のように、本発明の実施の形態1におけるDC/DCコンバータにおいては、電流検出器5で検出される充電電流の増大に応じてPWM制御のスイッチング周波数をステップ状に増大させるようにしたので、充電電流のリプル分の増大が抑制され電気二重層キャパシタ7を効率良く確実に充電することができる。
なお、本発明の実施の形態1では、スイッチング素子としてMOSFETを用いて説明を行ったが、バイポーラトランジスタ、または絶縁型バイポーラトランジスタ(IGBT)、さらに炭化珪素等のワイドバンドギャップ半導体により形成されたトランジスタ(IGBT)やMOSFETを用いても同様の効果が得られる。
また、本発明の実施の形態1では、DC/DCコンバータにおける主回路であるDC/DC変換器として非絶縁型昇降圧コンバータ回路を用いた場合の説明を行ったが、本発明はそれ以外の種々のインダクタを用いる非絶縁形コンバータ回路あるいは絶縁形コンバータ回路にも適用できる。
なお、本発明の実施の形態1では、蓄電手段として電気二重層キャパシタを用いて説明を行ったが、2次電池を用いても同様の効果が得られる。
更に、本発明の実施の形態1では、インダクタの特性として所定の電流値まではインダクタンスは一定値で、所定の電流値以上ではインダクタンスが減少する特性のもので説明を行ったが、インダクタ電流の増加に伴って右肩下がりの減少傾向を示す特性のインダクタを用いても同様の効果が得られる。
また、従来は大きな電流が流れるインダクタは飽和対策のため大型化していたが、本発明の実施の形態1では、大電流領域でのインダクタンス低下は本DC/DCコンバータで改善できるため、インダクタを小型化、また省エネ化できる効果も得られる。
実施の形態2.
図4は、本発明の実施の形態2におけるDC/DCコンバータの回路構成を示し、以下、先の実施の形態1と異なる部分を中心に説明する。
即ち、先の実施の形態1の図1では、インダクタ4に流れる電流、従って、電気二重層キャパシタ7への充電電流を、インダクタ4と直列に接続された電流検出器5により検出していたが、この実施の形態2の図3では、指令された所定の充電電力値と直流出力端子6aから検出される電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値とから演算手段8により演算で求めている。
この充電電流値検出に係る構成以外の構成および充電に係る動作は、先の実施の形態1の場合と変わるところがないので、説明は省略する。
以上のように、本発明の実施の形態2におけるDC/DCコンバータにおいては、指令された所定の充電電力値と電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値とから演算により検出される充電電流の増大に応じてPWM制御のスイッチング周波数をステップ状に増大させるようにしたので、充電電流のリプル分の増大が抑制され電気二重層キャパシタ7を効率良く確実に充電することができる。
更に、電流検出器5が不要となるので、先の実施の形態1の場合に比較して、その分構成が簡単になりコストも低減するという利点がある。
なお、実施の形態1の巻末で触れた、スイッチング素子、DC/DC変換器、蓄電手段およびインダクタに関しての他の適用例の可能性に係る説明は、この実施の形態2の場合も同様に該当する。
実施の形態3.
図5は、本発明の実施の形態3におけるDC/DCコンバータの回路構成を示し、以下、先の実施の形態1と異なる部分を中心に説明する。
即ち、先の実施の形態1の図1では、インダクタ4に流れる電流を検出する電流検出器5および電気二重層キャパシタ7の電圧を検出する直流出力端子6aからのアナログ出力を直接演算手段8に送出して処理していたが、この実施の形態3の図5では、新たに設けた、それぞれA/Dコンバータ10およびA/Dコンバータ11を介することでアナログ値をデジタル値に変換し、デジタル検出値を演算手段12に送出して処理している。
これにより、演算手段12での演算に高機能化を施すことが可能である。充電電流値とスイッチング周波数の相関関係を演算手段12にプログラムしておくことにより、充電電流値に見合ったスイッチング周波数をステップ状に変化させることができる。
更に、アナログ処理からデジタル処理にすることで、インダクタ電流−インダクタンス特性を自己学習することができ、自己学習した特性を考慮に入れることで、スイッチング周波数切り換えによる充電電流のリプル分の抑制動作をより精度良く行うことができる。
インダクタ電流−インダクタンス特性を自己学習する方法としては、例えば、図6(a)に示すように、インダクタ4の電流波形からインダクタ電流の最大ポイントと最小ポイントを検出し、その情報を用いてインダクタンスLを、下式にて演算する。
L=(Vin−Vo)/(ΔIL×T1)
但し、
L:インダクタ4のインダクタンス
Vin:入力直流電源1の電圧
Vo:電気二重層キャパシタ7の電圧
ΔIL:電流リプル分
T1:リプル分の半周期の時間
以上の演算式に基づき、図6(b)に示すように、インダクタ電流−インダクタンス特性を自己学習し、その結果、より適切なスイッチング周波数の切り換え処理を行うことができる。
このデジタル処理に係る構成以外の構成および充電に係る動作は、先の実施の形態1の場合と変わるところがないので、説明は省略する。
以上のように、本発明の実施の形態3におけるDC/DCコンバータにおいては、電流検出器5で検出され更にA/Dコンバータ10でデジタル値に変換された充電電流の増大に応じてPWM制御のスイッチング周波数をステップ状に増大させるようにしたので、充電電流のリプル分の増大がより適切に抑制され電気二重層キャパシタ7を効率良く確実に充電することができる。
なお、実施の形態1の巻末で触れた、スイッチング素子、DC/DC変換器、蓄電手段およびインダクタに関しての他の適用例の可能性に係る説明は、この実施の形態3の場合も同様に該当する。
実施の形態4.
図7は、本発明の実施の形態4におけるDC/DCコンバータの回路構成を示し、以下、先の実施の形態2と異なる部分を中心に説明する。
即ち、先の実施の形態2の図4では、インダクタ4に流れる電流を、指令された所定の充電電力値と直流出力端子6aから検出されアナログ検出値による電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値とから演算手段8により演算で求めていたが、この実施の形態4の図6では、A/Dコンバータ11を新たに設け、指令された所定の充電電力値と直流出力端子6aから検出され、更に、A/Dコンバータ11によりデジタル検出値に変換して得られる電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値とから演算手段12により演算で求めている。
この充電電流値検出に係る構成以外の構成および充電に係る動作は、先の実施の形態2の場合と変わるところがないので、説明は省略する。
以上のように、本発明の実施の形態4におけるDC/DCコンバータにおいては、指令された所定の充電電力値と電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値とから演算により検出される充電電流の増大に応じてPWM制御のスイッチング周波数をステップ状に増大させるようにしたので、充電電流のリプル分の増大が抑制され電気二重層キャパシタ7を効率良く確実に充電することができる。
更に、電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値をA/Dコンバータ11を介して得られるデジタル検出値を用いて充電電流を演算するようにしたので、先の実施の形態2の場合に比較して、充電電流がより精度良く演算され充電電流のリプル分の増大がより適切に抑制され電気二重層キャパシタ7を効率良く確実に充電することができる。
なお、実施の形態1の巻末で触れた、スイッチング素子、DC/DC変換器、蓄電手段およびインダクタに関しての他の適用例の可能性に係る説明は、この実施の形態4の場合も同様に該当する。
実施の形態5.
本発明の実施の形態5におけるDC/DCコンバータの回路構成については、先の実施の形態3の図5で示したものと同様のため、説明を割愛する。
また、本発明の実施の形態5におけるDC/DCコンバータの動作についても、基本的には先の実施の形態3で説明したものと同様であるため、説明は割愛する。
異なる点は、図8に示すように、演算手段12において、電流検出器5で検出された充電電流値に応じて、充電電流値とスイッチング周波数に1次関数の関係を持たせながらスイッチング周波数を連続的に可変させることである。これにより、更に精度良く適切に、電気二重層キャパシタ7に流れる高周波リプル電流を抑制することができる。
アナログ制御では、関数によりスイッチング周波数を連続的に変化させることは困難であるが、デジタル制御では容易に実現することができる。
また、図9に示すように、演算手段12において、充電電流値とスイッチング周波数に2次関数の関係を持たせながら連続的に可変させることで、更に精度良く適切に、電気二重層キャパシタ7に流れる高周波リプル電流を抑制することができる。
以上のように、本発明の実施の形態5におけるDC/DCコンバータにおいては、電流検出器5で検出され更にA/Dコンバータ10でデジタル値に変換された充電電流値とスイッチング周波数に1次関数または2次関数の関係を持たせながら連続的に変化させるようにしたので、充電電流のリプル分の増大がより適切に抑制され電気二重層キャパシタ7を効率良く確実に充電することができる。
なお、実施の形態1の巻末で触れた、スイッチング素子、DC/DC変換器、蓄電手段およびインダクタに関しての他の適用例の可能性に係る説明は、この実施の形態5の場合も同様に該当する。
実施の形態6.
本発明の実施の形態6におけるDC/DCコンバータの回路構成については、先の実施の形態4の図7で示したものと同様のため、説明を割愛する。
そして、この実施の形態6の演算手段12では、指令された所定の充電電力値と電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値を更にA/Dコンバータ11を介して得られるデジタル検出値とから演算により検出される充電電流に対して、先の実施の形態5の図8及び図9で説明したように、1次関数または2次関数の特性を持たせてスイッチング周波数を連続的に変化させている。
従って、充電電流のリプル分の増大がより適切に抑制され電気二重層キャパシタ7を効率良く確実に充電することができる。
なお、実施の形態1の巻末で触れた、スイッチング素子、DC/DC変換器、蓄電手段およびインダクタに関しての他の適用例の可能性に係る説明は、この実施の形態6の場合も同様に該当する。
実施の形態7.
この実施の形態7では、先の各実施の形態の図2及び図3や図8及び図9の第2段目のグラフで示した、インダクタ電流とインダクタンスの関係を満足するインダクタ4のコア形状の各種変形例を図10を参照して説明する。
インダクタ電流とインダクタンスの間には、所定のインダクタ電流限度までは一定のインダクタンスを維持し、当該電流限度以上ではインダクタが徐々に飽和を行いインダクタンスが減少していく特性を実現させるインダクタのコア形状を図10(a)〜図10(f)に示す。
図10(a)は、2つのコア脚間に一定距離のギャップ層を設ける最も一般的なタイプであり、図10(b)は、一部分のみコア脚を接触させ残りの部分に一定距離のギャップを設けるタイプである。
図10(c)は、1つのコア脚に一定の傾斜をつけることでコアの対向場所に応じてギャップを変えるタイプであり、図10(d)は、2つのコア脚間に飽和しやすい磁性体100を挟むタイプである。図10(e)は、1つのコア脚に谷形状を施すことでコア脚の対向場所に応じてギャップを変えるタイプであり、図10(f)は、1つのコア脚にW形状を施すことでコア脚の対向場所に応じてギャップを変えるタイプである。
また、図10(f)のW形状を施していないコア脚の対向場所に溝を切り込むことで、2つのコア位置合わせを容易にすることが可能になる。

Claims (8)

  1. スイッチング素子とインダクタとを有し前記スイッチング素子を所定のスイッチング周波数でオンオフ駆動して入力直流電源の電圧を変換し蓄電手段に出力して当該蓄電手段を充電するDC/DC変換器、
    前記インダクタに流れる電流を検出する電流検出手段、
    指令された所定の充電電力で前記蓄電手段を充電するようPWM(パルス幅変調)制御によるオンオフ駆動信号を前記スイッチング素子に送出する制御手段を備えたDC/DCコンバータにおいて、
    前記制御手段は、前記電流検出手段で検出した前記インダクタの電流に応じて前記スイッチング素子に送出するオンオフ駆動信号のスイッチング周波数を変化させるようにしたDC/DCコンバータ。
  2. 前記制御手段は、前記インダクタに流れる電流の増大に応じて前記スイッチング周波数をステップ状に変化させるようにした請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
  3. 前記制御手段は、前記インダクタに流れる電流の増大に応じて前記スイッチング周波数を前記電流の1次関数特性で変化させるようにした請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
  4. 前記制御手段は、前記インダクタに流れる電流の増大に応じて前記スイッチング周波数を前記電流の2次関数特性で変化させるようにした請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
  5. 前記電流検出手段は、前記インダクタと直列に接続され前記インダクタに流れる電流を直接検出する電流検出器である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のDC/DCコンバータ。
  6. 前記電流検出器で検出した出力をアナログ/デジタル変換するA/Dコンバータを備え、前記制御手段は、前記A/Dコンバータで変換されたデジタル出力に応じて前記スイッチング周波数を変化させるようにした請求項5に記載のDC/DCコンバータ。
  7. 前記電流検出手段は、前記蓄電手段の電圧を検出する電圧検出手段を備え、前記指令された所定の充電電力の値と前記蓄電手段の電圧の検出値とから前記インダクタに流れる電流を演算により検出する電流演算手段である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のDC/DCコンバータ。
  8. 前記電圧検出手段で検出した出力をアナログ/デジタル変換するA/Dコンバータを備え、前記電流検出手段は、前記指令された所定の充電電力の値と前記A/Dコンバータで変換されたデジタル出力とから前記インダクタに流れる電流を演算により検出する電流演算手段であり、前記制御手段は、前記電流演算手段で演算されたデジタル出力に応じて前記スイッチング周波数を変化させるようにした請求項7に記載のDC/DCコンバータ。
JP2011545929A 2009-12-14 2010-07-16 Dc/dcコンバータ Active JP5318966B2 (ja)

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