JP5318966B2 - Dc/dcコンバータ - Google Patents
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Description
従来、電気二重層キャパシタ等の蓄電手段への蓄電を行う場合、例えば、特許文献1に示されるような回路構成が用いられており、電気二重層キャパシタ等の蓄電手段への充電はエネルギー変換器であるDC/DCコンバータを介して行われる。
DC/DCコンバータが電気二重層キャパシタに大きな充電電流を供給する際、DC/DCコンバータの構成要素であるインダクタに大きな電流が流れることになり、その電流値に応じて急激なインダクタンス低下が発生する。その結果、電気二重層キャパシタへの充電電流でもあるDC/DCコンバータの出力電流のリプル分が大きくなり、電気二重層キャパシタの特性を大幅に悪化させ、または、電気二重層キャパシタの急激な温度上昇により故障に至ることがあるという問題があった。この問題は電気二重層キャパシタ以外の大容量の蓄電装置、例えばリチウムイオン電池等の2次電池でも発生することがある。
制御手段は、電流検出手段で検出したインダクタの電流に応じてスイッチング素子に送出するオンオフ駆動信号のスイッチング周波数を変化させるようにしたものである。
先ず、本発明の実施の形態1におけるDC/DCコンバータの回路構成について、図1に基づいて説明する。
図1に示すように、入力直流電源1は必要な電圧範囲を有する直流安定化電圧をDC/DCコンバータに供給するために、DC/DCコンバータの直流入力端子2aおよび2bに接続されている。第1のスイッチング素子であるMOSFET3aのドレイン端子が直流入力端子2aに接続されており、第2のスイッチング素子であるMOSFET3bのソース端子が直流入力端子2bに接続されている。第1のスイッチング素子であるMOSFET3aのソース端子と、第2のスイッチング素子であるMOSFET3bのドレイン端子と、インダクタ4の一方の端子とが接続されている。インダクタ4の他方の端子が、電流検出器5の端子5aに接続されている。電流検出器5の端子5bと、第3のスイッチング素子であるMOSFET3cのソース端子と、第4のスイッチング素子であるMOSFET3dのドレイン端子とが接続されている。そして、第3のスイッチング素子であるMOSFET3cのドレイン端子が直流出力端子6aに接続されており、第2のスイッチング素子であるMOSFET3bのソース端子と、第4のスイッチング素子であるMOSFET3dのソース端子と、直流出力端子6bとが接続され接地されている。
ここで、第1〜第4のスイッチング素子であるMOSFET3a〜3dとインダクタ4とにより、本願特許請求の範囲に示すDC/DC変換器を構成する。
演算手段8の端子8cは、PWM制御手段9の端子9eに接続されている。第1のスイッチング素子であるMOSFET3aのゲート端子とPWM制御手段9の端子9aが接続され、第2のスイッチング素子であるMOSFET3bのゲート端子とPWM制御手段9の端子9bが接続され、第3のスイッチング素子であるMOSFET3cのゲート端子とPWM制御手段9の端子9cが接続され、第4のスイッチング素子であるMOSFET3dのゲート端子とPWM制御手段9の端子9dが接続されている。
ここで、演算手段8とPWM制御手段9とにより、本願特許請求の範囲に示す制御手段を構成する。
この結果、背景技術で既述したように、充電電流の大きい範囲でそのリプル分が増大し、電気二重層キャパシタ7に支障を及ぼすことになる。
これにより、充電電流値が大きいとき(インダクタ平均電流IL=IL1:図2)は、スイッチング周波数が高くなり、早いタイミングでスイッチイング素子がオフされることで、リプル電流の増大を抑制できる。また、充電電流値が小さいとき(インダクタ平均電流IL=IL2:図3)は、インダクタ4のインダクタンス低下が無いのでインダクタ電流のリプル分は一定の範囲に留まっており、スイッチング周波数は低いレベルとしてスイッチング損失の増加を抑制している。
図2及び図3の最下段のグラフは、充電電流値の大小に拘わらず、リプル電流分がほぼ一定の、電気二重層キャパシタ7の許容リプル電流範囲内に保たれていることを示している。
更に、本発明の実施の形態1では、インダクタの特性として所定の電流値まではインダクタンスは一定値で、所定の電流値以上ではインダクタンスが減少する特性のもので説明を行ったが、インダクタ電流の増加に伴って右肩下がりの減少傾向を示す特性のインダクタを用いても同様の効果が得られる。
図4は、本発明の実施の形態2におけるDC/DCコンバータの回路構成を示し、以下、先の実施の形態1と異なる部分を中心に説明する。
即ち、先の実施の形態1の図1では、インダクタ4に流れる電流、従って、電気二重層キャパシタ7への充電電流を、インダクタ4と直列に接続された電流検出器5により検出していたが、この実施の形態2の図3では、指令された所定の充電電力値と直流出力端子6aから検出される電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値とから演算手段8により演算で求めている。
更に、電流検出器5が不要となるので、先の実施の形態1の場合に比較して、その分構成が簡単になりコストも低減するという利点がある。
図5は、本発明の実施の形態3におけるDC/DCコンバータの回路構成を示し、以下、先の実施の形態1と異なる部分を中心に説明する。
即ち、先の実施の形態1の図1では、インダクタ4に流れる電流を検出する電流検出器5および電気二重層キャパシタ7の電圧を検出する直流出力端子6aからのアナログ出力を直接演算手段8に送出して処理していたが、この実施の形態3の図5では、新たに設けた、それぞれA/Dコンバータ10およびA/Dコンバータ11を介することでアナログ値をデジタル値に変換し、デジタル検出値を演算手段12に送出して処理している。
インダクタ電流−インダクタンス特性を自己学習する方法としては、例えば、図6(a)に示すように、インダクタ4の電流波形からインダクタ電流の最大ポイントと最小ポイントを検出し、その情報を用いてインダクタンスLを、下式にて演算する。
但し、
L:インダクタ4のインダクタンス
Vin:入力直流電源1の電圧
Vo:電気二重層キャパシタ7の電圧
ΔIL:電流リプル分
T1:リプル分の半周期の時間
図7は、本発明の実施の形態4におけるDC/DCコンバータの回路構成を示し、以下、先の実施の形態2と異なる部分を中心に説明する。
即ち、先の実施の形態2の図4では、インダクタ4に流れる電流を、指令された所定の充電電力値と直流出力端子6aから検出されアナログ検出値による電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値とから演算手段8により演算で求めていたが、この実施の形態4の図6では、A/Dコンバータ11を新たに設け、指令された所定の充電電力値と直流出力端子6aから検出され、更に、A/Dコンバータ11によりデジタル検出値に変換して得られる電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値とから演算手段12により演算で求めている。
更に、電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値をA/Dコンバータ11を介して得られるデジタル検出値を用いて充電電流を演算するようにしたので、先の実施の形態2の場合に比較して、充電電流がより精度良く演算され充電電流のリプル分の増大がより適切に抑制され電気二重層キャパシタ7を効率良く確実に充電することができる。
本発明の実施の形態5におけるDC/DCコンバータの回路構成については、先の実施の形態3の図5で示したものと同様のため、説明を割愛する。
また、本発明の実施の形態5におけるDC/DCコンバータの動作についても、基本的には先の実施の形態3で説明したものと同様であるため、説明は割愛する。
アナログ制御では、関数によりスイッチング周波数を連続的に変化させることは困難であるが、デジタル制御では容易に実現することができる。
本発明の実施の形態6におけるDC/DCコンバータの回路構成については、先の実施の形態4の図7で示したものと同様のため、説明を割愛する。
そして、この実施の形態6の演算手段12では、指令された所定の充電電力値と電気二重層キャパシタ7の充電電圧検出値を更にA/Dコンバータ11を介して得られるデジタル検出値とから演算により検出される充電電流に対して、先の実施の形態5の図8及び図9で説明したように、1次関数または2次関数の特性を持たせてスイッチング周波数を連続的に変化させている。
従って、充電電流のリプル分の増大がより適切に抑制され電気二重層キャパシタ7を効率良く確実に充電することができる。
この実施の形態7では、先の各実施の形態の図2及び図3や図8及び図9の第2段目のグラフで示した、インダクタ電流とインダクタンスの関係を満足するインダクタ4のコア形状の各種変形例を図10を参照して説明する。
図10(a)は、2つのコア脚間に一定距離のギャップ層を設ける最も一般的なタイプであり、図10(b)は、一部分のみコア脚を接触させ残りの部分に一定距離のギャップを設けるタイプである。
また、図10(f)のW形状を施していないコア脚の対向場所に溝を切り込むことで、2つのコア位置合わせを容易にすることが可能になる。
Claims (8)
- スイッチング素子とインダクタとを有し前記スイッチング素子を所定のスイッチング周波数でオンオフ駆動して入力直流電源の電圧を変換し蓄電手段に出力して当該蓄電手段を充電するDC/DC変換器、
前記インダクタに流れる電流を検出する電流検出手段、
指令された所定の充電電力で前記蓄電手段を充電するようPWM(パルス幅変調)制御によるオンオフ駆動信号を前記スイッチング素子に送出する制御手段を備えたDC/DCコンバータにおいて、
前記制御手段は、前記電流検出手段で検出した前記インダクタの電流に応じて前記スイッチング素子に送出するオンオフ駆動信号のスイッチング周波数を変化させるようにしたDC/DCコンバータ。 - 前記制御手段は、前記インダクタに流れる電流の増大に応じて前記スイッチング周波数をステップ状に変化させるようにした請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
- 前記制御手段は、前記インダクタに流れる電流の増大に応じて前記スイッチング周波数を前記電流の1次関数特性で変化させるようにした請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
- 前記制御手段は、前記インダクタに流れる電流の増大に応じて前記スイッチング周波数を前記電流の2次関数特性で変化させるようにした請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
- 前記電流検出手段は、前記インダクタと直列に接続され前記インダクタに流れる電流を直接検出する電流検出器である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のDC/DCコンバータ。
- 前記電流検出器で検出した出力をアナログ/デジタル変換するA/Dコンバータを備え、前記制御手段は、前記A/Dコンバータで変換されたデジタル出力に応じて前記スイッチング周波数を変化させるようにした請求項5に記載のDC/DCコンバータ。
- 前記電流検出手段は、前記蓄電手段の電圧を検出する電圧検出手段を備え、前記指令された所定の充電電力の値と前記蓄電手段の電圧の検出値とから前記インダクタに流れる電流を演算により検出する電流演算手段である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のDC/DCコンバータ。
- 前記電圧検出手段で検出した出力をアナログ/デジタル変換するA/Dコンバータを備え、前記電流検出手段は、前記指令された所定の充電電力の値と前記A/Dコンバータで変換されたデジタル出力とから前記インダクタに流れる電流を演算により検出する電流演算手段であり、前記制御手段は、前記電流演算手段で演算されたデジタル出力に応じて前記スイッチング周波数を変化させるようにした請求項7に記載のDC/DCコンバータ。
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