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JP5399521B2 - 表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置およびその駆動方法に関し、特に電流駆動型の発光素子を用いた表示装置およびその駆動方法に関する。
電流駆動型の発光素子を用いた表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子を用いた表示装置が知られている。この自発光する有機EL素子を用いた有機EL表示装置は、液晶表示装置に必要なバックライトが不要で装置の薄型化に最適である。また、視野角にも制限がないため、次世代の表示装置として実用化が期待されている。また、有機EL表示装置に用いられる有機EL素子は、各発光素子の輝度がそこに流れる電流値により制御される点で、液晶セルがそこに印加される電圧により制御されるのとは異なる。
有機EL表示装置では、通常、画素を構成する有機EL素子がマトリクス状に配置される。複数の行電極(走査線)と複数の列電極(データ線)との交点に有機EL素子を設け、選択した行電極と複数の列電極との間にデータ信号に相当する電圧を印加するようにして有機EL素子を駆動するものをパッシブマトリクス型の有機ELディスプレイと呼ぶ。
一方、複数の走査線と複数のデータ線との交点にスイッチング薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を設け、このスイッチングTFTに駆動素子のゲートを接続し、選択した走査線を通じてこのスイッチングTFTをオンさせて信号線からデータ信号を駆動素子に入力する。この駆動素子によって有機EL素子を駆動するものをアクティブマトリクス型の有機EL表示装置と呼ぶ。
アクティブマトリクス型の有機EL表示装置は、各行電極(走査線)を選択している期間のみ、それに接続された有機EL素子が発光するパッシブマトリクス型の有機EL表示装置とは異なり、次の走査(選択)まで有機EL素子を発光させることが可能であるため、デューティ比が上がってもディスプレイの輝度減少を招くようなことはない。従って、アクティブマトリクス型の有機EL表示装置は、低電圧で駆動でき、低消費電力化が可能となる。しかしながら、アクティブマトリクス型の有機ELディスプレイでは、駆動トランジスタの特性のばらつきに起因して、同じデータ信号を与えても、各画素において有機EL素子の輝度が異なり、輝度むらが発生するという欠点がある。
この問題に対し、例えば、特許文献1では、駆動トランジスタの特性のばらつきによる輝度ムラの補償方法として、簡単な画素回路で、画素ごとの特性バラツキを補償する方法が開示されている。
図9は、特許文献1に記載された従来の画像表示装置の構成を示すブロック図である。同図に記載された画像表示装置500は、画素アレイ部502と、これを駆動する駆動部からなる。画素アレイ部502は、行ごとに配置された走査線701〜70mと、列ごとに配置された信号線601〜60nと、両者が交差する部分に配置された行列状の発光画素501と、行ごとに配置された給電線801〜80mとを備える。また、駆動部は、信号セレクタ503と、走査線駆動部504と、給電線駆動部505とを備える。
走査線駆動部504は、各走査線701〜70mに水平周期(1H)で順次制御信号を供給して発光画素501を行単位で線順次走査する。給電線駆動部505は、この線順次走査に合わせて各給電線801〜80mに第1電圧と第2電圧で切り換える電源電圧を供給する。信号セレクタ503は、この線順次走査に合わせて映像信号となる輝度信号電圧と基準電圧とを切り換えて列状の信号線601〜60nに供給する。
ここで、列状の信号線601〜60nは、それぞれ、列ごとに2本配置されており、一方の信号線は奇数行の発光画素501に基準電圧及び信号電圧を供給し、他方の信号線は偶数行の発光画素501に基準電圧及び信号電圧を供給している。
図10は、特許文献1に記載された従来の画像表示装置の有する発光画素の回路構成図である。なお、同図には1行目かつ1列目の発光画素501を記載している。この発光画素501に対して走査線701、給電線801及び信号線601が配されている。なお、信号線601は2本あるうちの1本が、発光画素501に接続されている。発光画素501は、スイッチングトランジスタ511と、駆動トランジスタ512と、保持容量513と、発光素子514とを備える。スイッチングトランジスタ511は、ゲートが走査線701に、ソース及びドレインの一方が信号線601に、その他方が駆動トランジスタ512のゲートにそれぞれ接続されている。駆動トランジスタ512は、ソースが発光素子514のアノードに、ドレインが給電線801にそれぞれ接続されている。発光素子514は、カソードが接地配線515に接続されている。保持容量513は、駆動トランジスタ512のソース及びゲートに接続されている。
上記構成において、給電線駆動部505は、信号線601が基準電圧である状態で、給電線801を第1電圧(高電圧)から第2電圧(低電圧)に切り換える。走査線駆動部504は、同じく信号線601が基準電圧である状態で、走査線701の電圧を“H”レベルにしてスイッチングトランジスタ511を導通させ、基準電圧を駆動トランジスタ512のゲートに印加するとともに、駆動トランジスタ512のソースを第2電圧に設定する。以上の動作により、駆動トランジスタ512の閾値電圧Vt(TFT)の補正のための準備が完了する。続いて、給電線駆動部505は、信号線601の電圧が基準電圧から信号電圧に切り換わる前の補正期間で、給電線801の電圧を第2電圧から第1電圧に切り換えて、駆動トランジスタ512の閾値電圧Vt(TFT)に相当する電圧を保持容量513に保持させる。次に、スイッチングトランジスタ511の電圧を“H”レベルにして信号電圧を保持容量513に保持させる。つまり、この信号電圧は、先に保持された駆動トランジスタ512の閾値電圧Vt(TFT)に相当する電圧に加算されて保持容量513に書き込まれる。そして、駆動トランジスタ512は、第1電圧にある給電線801から電流の供給を受け、上記保持電圧に応じた駆動電流を発光素子514に流す。
上述した動作では、信号線601は列ごとに2本配置されていることにより、各信号線が基準電圧にある時間帯を長くしている。よって、駆動トランジスタ512の閾値電圧Vt(TFT)に相当する電圧を保持容量513に保持するための補正期間を確保するようにしている。
図11は、特許文献1に記載された画像表示装置の動作タイミングチャートである。同図には、上から順に、1ライン目の走査線701及び給電線801、2ライン目の走査線702及び給電線802、3ライン目の走査線703及び給電線803、奇数行の発光画素に割り当てられた信号線、偶数行の発光画素に割り当てられた信号線の信号波形が記載されている。走査線に印加される走査信号は、1水平期間(1H)ずつ順次1ラインごとにシフトしていく。1ライン分の走査線に印加される走査信号は、2個のパルスを含んでいる。1番目のパルスは時間幅が長く1H以上である。2番目のパルスは時間幅が狭く、1Hの一部である。1番目のパルスは上述した閾値補正期間に対応し、2番目のパルスは信号電圧サンプリング期間及び移動度補正期間に対応している。また、給電線に供給される電源パルスも1H周期で1ラインごとにシフトしていく。これに対して、各信号線は2Hに1回、信号電圧が印加され、基準電圧にある時間帯を1H以上確保することが可能となる。
以上のように、特許文献1に記載された従来の画像表示装置では、発光画素ごとに駆動トランジスタ512の閾値電圧Vt(TFT)がばらついても、十分な閾値補正期間が確保されることにより、発光画素ごとに当該ばらつきはキャンセルされ、画像の輝度ムラ抑止が図られる。
特開2008−122633号公報
しかしながら、特許文献1に記載された従来の画像表示装置は、発光画素行ごとに配置された走査線及び給電線の信号レベルのオンオフが多い。例えば、閾値補正期間を発光画素行ごとに設定しなければならない。また、信号線からスイッチングトランジスタを介して輝度信号電圧がサンプリングされると、引き続いて発光期間を設けなければならない。よって、画素行ごとの閾値補正タイミング及び発光タイミングを設定する必要がある。このため、表示パネルが大面積化されるにつれ、行数も増加するので、各駆動回路から出力される信号が多くなり、また、その信号切り換えの周波数が高くなり、走査線駆動回路及び給電線駆動回路の信号出力負荷が大きくなる。
また、特許文献1に記載された従来の画像表示装置は、駆動トランジスタの閾値電圧Vt(TFT)の補正期間は2H未満であり、高精度の補正が要求される表示装置としては限界がある。
上記課題に鑑み、本発明は、駆動回路の出力負荷が低減され、高精度の閾値電圧補正により表示品質が向上した表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置は、マトリクス状に配置された複数の発光画素を有する表示装置であって、発光画素列ごとに配置され、発光画素の輝度を決定する信号電圧を前記発光画素に与える第1信号線及び第2信号線と、第1電源線及び第2電源線と、発光画素行ごとに配置された走査線と、発光画素行ごとに配置された制御線とを備え、前記複数の発光画素は、複数の発光画素行を一駆動ブロックとした2以上の駆動ブロックを構成し、前記複数の発光画素のそれぞれは、一方の端子が前記第2電源線に接続され、前記信号電圧に応じた信号電流が流れることにより発光する発光素子と、ソース及びドレインの一方が第1電源線に接続され、ソース及びドレインの他方が前記発光素子の他方の端子に接続され、ゲート−ソース間に印加される前記信号電圧を前記信号電流に変換する駆動トランジスタと、一方の端子が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、他方の端子が前記駆動トランジスタのソースに接続された容量素子と、ゲートが前記制御線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記容量素子の他方の端子に接続され、ソース及びドレインの他方が固定電位線に接続された第1スイッチングトランジスタとを備え、k(kは自然数)番目の駆動ブロックに属する前記発光画素は、さらに、ゲートが前記走査線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、ソース及びドレインの他方が前記第1信号線に接続された第2スイッチングトランジスタを備え、(k+1)番目の駆動ブロックに属する前記発光画素は、さらに、ゲートが前記走査線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、ソース及びドレインの他方が前記第2信号線に接続された第3スイッチングトランジスタを備え、前記制御線は、同一駆動ブロック内の全発光画素では共通化されており、異なる駆動ブロック間では独立していることを特徴とする。
本発明の表示装置およびその駆動方法によれば、駆動トランジスタの閾値補正期間及びタイミングを駆動ブロック内で一致させることが可能となるので信号レベルのオンからオフもしくはオフからオンへの切り換え回数を減らすことができ、発光画素の回路を駆動する駆動回路の負荷が低減する。上記駆動ブロック化及び発光画素列ごとに配置された2本の信号線により、駆動トランジスタの閾値補正期間を1フレーム期間に対して大きくとることができるので、高精度な駆動電流が発光素子に流れ、画像表示品質が向上する。
図1は、本発明の実施の形態に係る表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。 図2Aは、本発明の実施の形態に係る表示装置における奇数駆動ブロックの発光画素の具体的な回路構成図である。 図2Bは、本発明の実施の形態に係る表示装置における偶数駆動ブロックの発光画素の具体的な回路構成図である。 図3は、本発明の実施の形態に係る表示装置の有する表示パネルの一部を示す回路構成図である。 図4Aは、本発明の実施の形態に係る表示装置の駆動方法の動作タイミングチャートである。 図4Bは、本発明の実施の形態に係る駆動方法により発光した駆動ブロックの状態遷移図である。 図5は、本発明の実施の形態に係る表示装置の有する発光画素の状態遷移図である。 図6は、本発明の実施の形態に係る表示装置の動作フローチャートである。 図7は、走査線及び信号線の波形特性を説明する図である。 図8は、本発明の表示装置を内蔵した薄型フラットTVの外観図である。 図9は、特許文献1に記載された従来の画像表示装置の構成を示すブロック図である。 図10は、特許文献1に記載された従来の画像表示装置の有する発光画素の回路構成図である。 図11は、特許文献1に記載された画像表示装置の動作タイミングチャートである。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置は、マトリクス状に配置された複数の発光画素を有する表示装置であって、発光画素列ごとに配置され、発光画素の輝度を決定する信号電圧を前記発光画素に与える第1信号線及び第2信号線と、第1電源線及び第2電源線と、発光画素行ごとに配置された走査線と、発光画素行ごとに配置された制御線とを備え、前記複数の発光画素は、複数の発光画素行を一駆動ブロックとした2以上の駆動ブロックを構成し、前記複数の発光画素のそれぞれは、一方の端子が前記第2電源線に接続され、前記信号電圧に応じた信号電流が流れることにより発光する発光素子と、ソース及びドレインの一方が第1電源線に接続され、ソース及びドレインの他方が前記発光素子の他方の端子に接続され、ゲート−ソース間に印加される前記信号電圧を前記信号電流に変換する駆動トランジスタと、一方の端子が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、他方の端子が前記駆動トランジスタのソースに接続された容量素子と、ゲートが前記制御線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記容量素子の他方の端子に接続され、ソース及びドレインの他方が固定電位線に接続された第1スイッチングトランジスタとを備え、k(kは自然数)番目の駆動ブロックに属する前記発光画素は、さらに、ゲートが前記走査線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、ソース及びドレインの他方が前記第1信号線に接続された第2スイッチングトランジスタを備え、(k+1)番目の駆動ブロックに属する前記発光画素は、さらに、ゲートが前記走査線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、ソース及びドレインの他方が前記第2信号線に接続された第3スイッチングトランジスタを備え、前記制御線は、同一駆動ブロック内の全発光画素では共通化されており、異なる駆動ブロック間では独立している。
本態様によれば、駆動トランジスタのソースと固定電位線とを接続する第1スイッチングトランジスタ、駆動トランジスタの閾値電圧及び輝度信号電圧に対応する電圧を保持する容量素子が配置された発光画素回路、駆動ブロック化された各発光画素への制御線、走査線及び信号線の配置により、駆動トランジスタの閾値補正期間及びそのタイミングを同一駆動ブロック内で一致させることが可能となる。よって、電流パスを制御する信号を出力し信号電圧を制御する駆動回路の負荷が低減する。また、さらに、上記駆動ブロック化及び発光画素列ごとに配置された2本の信号線により、駆動トランジスタの閾値補正期間を、全発光画素を書き換える時間である1フレーム期間Tfのなかで大きくとることができる。これは、k番目の駆動ブロックにおいて輝度信号がサンプリングされている期間に、(k+1)番目の駆動ブロックにおいて閾値補正期間が設けられることによるものである。よって、閾値補正期間は、発光画素行ごとに分割されるのではなく、駆動ブロックごとに分割される。よって、表示領域が大面積化されるほど、発光デューティを減少させることなく、1フレーム期間に対する相対的な閾値補正期間を長く設定することが可能となる。これにより、高精度に補正された輝度信号電圧に基づいた駆動電流が発光素子に流れ、画像表示品質が向上する。
また、本発明の一態様に係る表示装置は、前記複数の発光画素のそれぞれは、さらに、前記駆動トランジスタのソースと前記固定電位線との間に挿入された第2容量素子を備えてもよい。
本態様によれば、第2容量素子は、定常状態において駆動トランジスタのソース電位を記憶する。なお、定常状態でのソース電位とは駆動トランジスタの閾値電圧となる。信号電圧が容量素子の第1電極に印加された場合でも、そのソース電位は当該容量素子と第2容量素子との間のノードに残っている。よって、上記信号電圧の印加により、第1信号線もしくは第2信号線における信号電圧と基準電圧との電圧差に応じた電圧が、容量素子に印加されることになる。
また、本発明の一態様に係る表示装置は、さらに、前記第1信号線、前記第2信号線、前記制御線び前記走査線を制御して前記発光画素を駆動する駆動回路を具備し、前記駆動回路は、前記走査線からk番目の駆動ブロックの有する全ての前記第2スイッチングトランジスタをオン状態とする電圧を同時に印加することにより、前記第1信号線から基準電圧をk番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートに同時に印加し、前記制御線からk番目の駆動ブロックの有する全ての前記第1スイッチングトランジスタをオン状態とする電圧を同時に印加することにより、前記基準電圧よりも小さく前記基準電圧との差が前記駆動トランジスタの閾値電圧以上となるような前記固定電位線の固定電圧をk番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのソースに同時に印加し、前記走査線からk番目の駆動ブロックの有する全ての前記第2スイッチングトランジスタをオフ状態とする電圧を同時に印加することにより、前記第1信号線とk番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートとを同時に非導通にし、前記走査線から(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記第3スイッチングトランジスタをオン状態とする電圧を同時に印加することにより、前記第2信号線から前記基準電圧を(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートに同時に印加し、前記制御線から、(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記第1スイッチングトランジスタをオン状態とする電圧を同時に印加することにより、前記固定電圧を(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのソースに同時に印加し、前記走査線から(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記第3スイッチングトランジスタをオフ状態とする電圧を同時に印加することにより、前記第2信号線と(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートとを同時に非導通にするものである。
本態様によれば、前記第1信号線、前記第2信号線、前記制御線及び前記走査線の電圧を制御する駆動回路が、閾値補正期間、信号電圧書き込み期間及び発光期間を制御する。
また、本発明の一態様に係る表示装置は、前記表示装置は、さらに、前記信号電圧及び基準電圧を前記第1信号線及び前記第2信号線に出力する信号線駆動回路と、前記信号線駆動回路が前記信号電圧及び基準電圧を出力するタイミングを制御するタイミング制御回路とを備え、前記タイミング制御回路は、前記信号線駆動回路に前記第1信号線へ前記信号電圧を出力させている間には前記第2信号線へ前記基準電圧を出力させ、前記第2信号線へ前記信電圧を出力させている間には前記第1信号線へ前記基準電圧を出力させるものである。
本態様によれば、k番目の駆動ブロックにおいて輝度信号がサンプリングされている期間に、(k+1)番目の駆動ブロックにおいて閾値補正期間が設けられる。よって、閾値補正期間は、発光画素行ごとに分割されるのではなく、駆動ブロックごとに分割される。よって、表示領域が大面積化されるほど、相対的な閾値補正期間を長く設けることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る表示装置は、全ての前記発光画素を書き換える時間をTfとし、前記駆動ブロックの総数をNとすると、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出する時間は、最大でTf/Nである。
また、本発明は、このような特徴的な手段を備える表示装置として実現することができるだけでなく、表示装置に含まれる特徴的な手段をステップとする表示装置の駆動方法として実現することができる。
(実施の形態)
本実施の形態における表示装置は、マトリクス状に配置された複数の発光画素を有する表示装置であって、発光画素列ごとに配置された第1信号線及び第2信号線と、発光画素行ごとに配置された制御線とを備え、複数の発光画素は、複数の発光画素行を一単位とした2以上の駆動ブロックを構成し、複数の発光画素のそれぞれは、駆動トランジスタと、両端子がそれぞれ駆動トランジスタのゲート及びソースに接続された容量素子と、駆動トランジスタのソースに接続された発光素子と、ゲートが制御線に接続され駆動トランジスタのソースと固定電位線との間に挿入された第1スイッチングトランジスタと、駆動トランジスタのソースと固定電位線との間に挿入された第2容量素子とを備え、奇数番目の駆動ブロックに属する発光画素は、さらに、第1信号線と駆動トランジスタのゲートとの間に挿入された第2スイッチングトランジスタを備え、偶数番目の駆動ブロックに属する発光画素は、さらに、第2信号線と駆動トランジスタのゲートとの間に挿入された第3スイッチングトランジスタを備え、制御線は、同一駆動ブロックの全発光画素では共通化されている。これにより、駆動トランジスタの閾値補正期間を駆動ブロック内で一致させることが可能となる。よって、駆動回路が出力すべき制御線の本数が削減され、駆動回路の回路規模が低減する。また、閾値補正期間を1フレーム期間に対して大きくとることができるので、画像表示品質が向上する。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。同図における表示装置1は、表示パネル10と、タイミング制御回路20と、電圧制御回路30とを備える。表示パネル10は、複数の発光画素11A及び11Bと、信号線群12と制御線群13と走査/制御線駆動回路14と、信号線駆動回路15とを備える。
発光画素11A及び11Bは、表示パネル10上に、マトリクス状に配置されている。ここで、発光画素11A及び11Bは、複数の発光画素行を一駆動ブロックとする2以上の駆動ブロックを構成している。発光画素11Aは、k(kは自然数)番目の駆動ブロックを構成し、また、発光画素11Bは(k+1)番目の駆動ブロックを構成する。但し、表示パネル10をN個の駆動ブロックに分割したとすると、(k+1)はN以下の自然数である。これは、例えば、発光画素11Aは奇数番目の駆動ブロックを構成し、発光画素11Bは偶数番目の駆動ブロックを構成するということを意味する。
信号線群12は、発光画素列ごとに配置された複数の信号線からなる。ここで、各発光画素列につき2本の信号線が配置されており、奇数番目の駆動ブロックの発光画素は第1信号線に接続され、偶数番目の駆動ブロックの発光画素は第1信号線と異なる第2信号線に接続されている。
制御線群13は、発光画素ごとに配置された走査線及び制御線からなる。
走査/制御線駆動回路14は、制御線群13の各走査線へ走査信号を、また、各制御線へ制御信号を出力することにより、発光画素の有する回路素子を駆動する。
信号線駆動回路15は、信号線群12の各信号線へ輝度信号または基準信号を出力することにより、発光画素の有する回路素子を駆動する。
タイミング制御回路20は、走査/制御線駆動回路14から出力される走査信号及び制御信号の出力タイミングを制御する。また、タイミング制御回路20は、信号線駆動回路15から第1信号線及び第2信号線に出力される輝度信号または基準信号を出力するタイミングを制御し、第1信号線及び第2信号線に対し、第1信号線に輝度信号を出力させている間には第2信号線に基準電圧を出力させ、第2信号線に輝度信号を出力させている間には第1信号線に基準電圧を出力させる。
電圧制御回路30は、走査/制御線駆動回路14から出力される走査信号及び制御信号の電圧レベルを制御する。
図2Aは、本発明の実施の形態に係る表示装置における奇数駆動ブロックの発光画素の具体的な回路構成図であり、図2Bは、本発明の実施の形態に係る表示装置における偶数駆動ブロックの発光画素の具体的な回路構成図である。図2A及び図2Bに記載された発光画素11A及び11Bは、いずれも、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子113と、駆動トランジスタ114と、スイッチングトランジスタ115及び116と、静電保持容量117及び118と、制御線131と、走査線133と、第1信号線151と、第2信号線152とを備える。
図2A及び図2Bにおいて、有機EL素子113は、カソードが第2電源線である電源線112に接続されアノードが駆動トランジスタ114のソースに接続された発光素子であり、駆動トランジスタ114の駆動電流が流れることにより発光する。
駆動トランジスタ114は、ドレインが第1電源線である電源線110に接続され、ソースが有機EL素子113のアノードに接続された駆動トランジスタである。駆動トランジスタ114は、ゲート−ソース間に印加された信号電圧を、当該信号電圧に対応したドレイン電流に変換する。そして、このドレイン電流を駆動電流として有機EL素子113に供給する。駆動トランジスタ114は、例えば、n型の薄膜トランジスタ(n型TFT)で構成される。
スイッチングトランジスタ115は、ゲートが走査線133に接続され、ソース及びドレインの一方が駆動トランジスタ114のゲートに接続されている。また、そのソース及びドレインの他方は、奇数駆動ブロックの発光画素11Aにおいては、第1信号線151に接続され、第2スイッチングトランジスタとして機能し、偶数駆動ブロックの発光画素11Bにおいては、第2信号線152に接続され、第3スイッチングトランジスタとして機能する。
スイッチングトランジスタ116は、ゲートが制御線131に接続され、ソース及びドレインの一方が駆動トランジスタ114のソースに接続され、ソース及びドレインの他方が固定電位線119に接続された第1スイッチングトランジスタである。スイッチングトランジスタ116は、固定電位線119の固定電圧VR2を駆動トランジスタ114のソースに印加するタイミングを決定する機能を有する。スイッチングトランジスタ115及び116は、例えば、n型の薄膜トランジスタ(n型TFT)で構成される。
静電保持容量117は、一方の端子である第1電極が駆動トランジスタ114のゲートに接続され、他方の端子である第2電極が駆動トランジスタ114のソースに接続された容量素子である。静電保持容量117は、第1信号線151または第2信号線152から供給された輝度信号電圧及び駆動トランジスタ114の閾値電圧に対応した電荷を保持し、例えば、スイッチングトランジスタ115がオフ状態となった後に、駆動トランジスタ114から有機EL素子113へ供給する信号電流を制御する機能を有する。
静電保持容量118は、駆動トランジスタ114のソースと固定電位線120との間に挿入された第2容量素子である。静電保持容量118は、まず、定常状態において駆動トランジスタ114のソース電位を記憶する。なお、定常状態でのソース電位とは駆動トランジスタ114の閾値電圧となる。輝度信号電圧がスイッチングトランジスタ115を介して静電保持容量117の第1電極に印加された場合でも、そのソース電位の情報は静電保持容量117と静電保持容量118との間のノードに残っている。よって、上記輝度信号電圧の印加により、第1信号線151もしくは第2信号線152における輝度信号電圧と基準電圧との電圧差に応じた電圧が、静電保持容量117に印加されることになる。
なお、静電保持容量118の他方の端子は、任意の固定電位で終端されていればよく、固定電位線119に接続されていてもよい。また、例えば、電源線110または112に接続されていてもよい。この場合、レイアウトの自由度が向上し、素子間のスペースをより広く確保することが可能になり、歩留まりが向上する。
また、静電保持容量118は、上述したように回路素子として人為的に配置されたものでなくてもよく、例えば、有機EL素子113の有する寄生容量を静電保持容量118と見立ててもよい。
制御線131は、走査/制御線駆動回路14に接続され、発光画素11A及び11Bを含む画素行に属する各発光画素に接続されている。これにより、制御線131は、駆動トランジスタ114のソースと固定電位線119とを導通または非導通とする状態を発生する機能を有する。
走査線133は、発光画素11A及び11Bを含む画素行に属する各発光画素へ輝度信号電圧または基準電圧である信号電圧を書き込むタイミングを供給する機能を有する。
第1信号線151及び第2信号線152は、信号線駆動回路15に接続され、それぞれ、発光画素11A及び11Bを含む画素列に属する各発光画素へ接続され、駆動TFTの閾値電圧を検出するための基準電圧と、発光強度を決定する信号電圧とを供給する機能を有する。
なお、図2A及び図2Bには記載されていないが、電源線110及び電源線112は、それぞれ、正電源線及び負電源線であり、他の発光画素にも接続されており電圧源に接続されている。また、固定電位線119及び120は、他の発光画素にも接続されており電圧源に接続されている。
次に、制御線131、走査線133、第1信号線151及び第2信号線152の発光画素間における接続関係について説明する。
図3は、本発明の実施の形態に係る表示装置の有する表示パネルの一部を示す回路構成図である。同図には、2つの隣接する駆動ブロック及び各制御線、各走査線及び各信号線が記載されている。図面及び以下の説明では、各制御線、各走査線及び各信号線を“符号(ブロック番号、当該ブロックにおける行番号)”、または、“符号(ブロック番号)”で表している。
前述したように、駆動ブロックとは、複数の発光画素行で構成され、表示パネル10の中には2以上の駆動ブロックが存在する。例えば、図3に記載された各駆動ブロックは、m行の発光画素行で構成されている。
図3の上段に記載されたk番目の駆動ブロックでは、制御線131(k)が当該駆動ブロック内の全発光画素11Aの有するスイッチングトランジスタ116のゲートに共通して接続されている。一方、走査線133(k、1)〜走査線133(k、m)は、それぞれ、発光画素行ごとに個別に接続されている。
また、図3の下段に記載された(k+1)番目の駆動ブロックでも、k番目の駆動ブロックと同様の接続がなされている。ただし、k番目の駆動ブロックに接続された制御線131(k)と(k+1)番目の駆動ブロックに接続された制御線131(k+1)とは、異なる制御線であり、走査/制御線駆動回路14から個別の制御信号が出力される。つまり、制御線131は、同一駆動ブロック内の全発光画素では共通化されており、異なる駆動ブロック間では独立している。ここで、同一の駆動ブロック内において、制御線が共通化されているとは、走査/制御線駆動回路14から出力される一の制御信号が、同一の駆動ブロック内の制御線に同時に供給されることをいう。例えば、同一の駆動ブロック内では、走査/制御線駆動回路14に接続された一本の制御線が、発光画素行ごとに配置された制御線131に分岐している。また、制御線が、異なる駆動ブロック間では独立しているとは、走査/制御線駆動回路14から出力される個別の制御信号が、複数の駆動ブロックに対して供給されることをいう。例えば、制御線131が、走査/制御線駆動回路14に、駆動ブロックごとに、個別に接続されている。
また、k番目の駆動ブロックでは、第1信号線151が当該駆動ブロック内の全ての発光画素11Aの有するスイッチングトランジスタ115のソース及びドレインの他方に接続されている。一方、(k+1)番目の駆動ブロックでは、第2信号線152が当該駆動ブロック内の全発光画素11Bの有するスイッチングトランジスタ115のソース及びドレインの他方に接続されている。
上記駆動ブロック化により、駆動トランジスタ114のソースと固定電位線119との接続を制御する制御線131の本数が削減される。よって、これらの制御線に駆動信号を出力する走査/制御線駆動回路14の出力本数が低減し、回路規模の削減を可能にする。
次に、本実施の形態に係る表示装置1の駆動方法について図4Aを用いて説明する。なお、ここでは、図2A及び図2Bに記載された具体的回路構成を有する表示装置についての駆動方法を詳細に説明する。
図4Aは、本発明の実施の形態に係る表示装置の駆動方法の動作タイミングチャートである。同図において、横軸は時間を表している。また縦方向には、上から順に、k番目の駆動ブロックの走査線133(k、1)、133(k、2)及び133(k、m)、第1信号線151及び制御線131(k)に発生する電圧の波形図が示されている。また、これらに続き、(k+1)番目の駆動ブロックの走査線133(k+1、1)、133(k+1、2)及び133(k+1、m)、第2信号線152及び制御線131(k+1)に発生する電圧の波形図が示されている。また、図5は、本発明の実施の形態に係る表示装置の有する発光画素の状態遷移図である。また、図6は、本発明の実施の形態に係る表示装置の動作フローチャートである。
まず、時刻t01において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k、1)の電圧レベルをLOWからHIGHに変化させ、1行目の発光画素の有するスイッチングトランジスタ115をオン状態とする。また、信号線駆動回路15は、第1信号線151の信号電圧を、輝度信号電圧から駆動トランジスタ114がオフとなる基準電圧VR1に変化させる。これにより、図5(b)に示すように、基準電圧VR1が駆動トランジスタ114のゲートに印加されることにより、k番目の駆動ブロックに属する1行目の発光画素が消光する。このとき、駆動トランジスタ114のゲート電位をV、ソース電位をVとすると、V及びVは式1で表される。
Figure 0005399521
ここで、Vt(EL)は有機EL素子113の閾値電圧であり、VCATは、電源線112の電位である。Vは、時刻t01以前の発光状態における電位が、静電保持容量118により保持されている。また、このとき、式2で表される関係によりVR1及びVCATが設定される。駆動トランジスタの閾値電圧Vt(TFT)が>0Vである場合は、VR1及びVCATは、例えば、0Vである。
Figure 0005399521
つまり、駆動トランジスタ114のゲート−ソース間電圧Vgsは、Vgs−Vt(TFT)<0となるので駆動トランジスタ114はオフ状態となる。
次に、時刻t02において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k、1)の電圧レベルをHIGHからLOWに変化させ、1行目の発光画素の有するスイッチングトランジスタ115をオフ状態とする。これにより、1行目の発光画素の消光動作が完了する。
次に、上述した時刻t01〜時刻t02の消光動作を、k番目の駆動ブロックに属する2行目からm行目の発光画素について、行順次に実行する。
次に、時刻t03において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k、1)〜133(k、m)の電圧レベルを同時にLOWからHIGHに変化させ、k番目の駆動ブロックに属する全ての発光画素の有するスイッチングトランジスタ115をオン状態とする(図6のS11)。また、信号線駆動回路15は、このタイミングで、第1信号線151の信号電圧を、輝度信号電圧から駆動トランジスタ114がオフとなる基準電圧VR1に変化させている。上記基準電圧を駆動トランジスタ114のゲートに印加する動作は、第1基準電圧印加ステップに相当する。
次に、時刻t04において、走査/制御線駆動回路14は、制御線131(k)の電圧レベルを同時にLOWからHIGHに変化させ、k番目の駆動ブロックに属する全ての発光画素の有するスイッチングトランジスタ116をオン状態とする。これにより、図5(c)に示すように、固定電圧VR2が駆動トランジスタ114のゲート及び静電保持容量117の第2電極に印加される(図6のS12)。このとき、V及びVは式3で表される。
Figure 0005399521
ここで、VR2は固定電位線119の固定電位である。また、このとき、式4で表される関係により、VR1及びVR2が設定される。VR2は、例えば、−5Vである。
Figure 0005399521
よって、駆動トランジスタ114のゲート−ソース間電圧Vgsは、例えば5Vとなり、駆動トランジスタ114がオン状態となる。このとき、電源線110→駆動トランジスタ114→静電保持容量117の第2電極→スイッチングトランジスタ116→固定電位線119の経路で駆動電流が流れる。駆動トランジスタ114のゲート及び静電保持容量117の第2電極に固定電圧VR2を印加する動作は、第1固定電圧印加ステップに相当する。
次に、時刻t05において、走査/制御線駆動回路14は、制御線131(k)の電圧レベルを同時にHIGHからLOWに変化させ、k番目の駆動ブロックに属する全ての発光画素の有するスイッチングトランジスタ116をオフ状態とする。これにより、図5(d)に示すように、電源線110→駆動トランジスタ114→静電保持容量117の第2電極→静電保持容量117の経路で放電電流が流れ始める。この放電電流は、駆動トランジスタ114のVgsが駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に漸近するまで継続する。そして、図5(e)に示すように、Vgsが駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に到達したとき、駆動トランジスタ114はオフ状態となる。このとき、V及びVは式5で表され、静電保持容量117には、Vt(TFT)が保持される。
Figure 0005399521
なお、時刻t05〜時刻t06の間、Vgsは(VR1−VR2)からVt(TFT)へと変化するが、有機EL素子113のアノード−カソード間電圧は、有機EL素子113の閾値電圧Vt(EL)以下の電圧となっているので、有機EL素子113には電流は流れない。
次に、時刻t06において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k、1)〜133(k、m)の電圧レベルを同時にHIGHからLOWに変化させ、k番目の駆動ブロックに属する全ての発光画素の有するスイッチングトランジスタ115をオフ状態とする(図6のS13)。上記スイッチングトランジスタ115をオフ状態として駆動トランジスタ114のゲートへの基準電圧の供給を停止させる動作は、第1非導通ステップに相当する。
上述した第1基準電圧印加ステップ、第1固定電圧印加ステップ及び第1非導通ステップは、第1閾値保持ステップに相当する。
なお、閾値電圧Vt(TFT)に相当する電圧を静電保持容量117に保持させるために流れる放電電流は微少であるため、静電保持容量117に保持された電圧が駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に漸近して定常状態となるまでには時間を要する。よって、この期間が長いほど、静電保持容量117に保持される電圧は安定し、この期間を十分長く確保することにより、高精度な電圧補償が実現される。
以上、時刻t03〜時刻t06の期間では、駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)の補正が、k番目の駆動ブロック内において同時に実行され、k番目の駆動ブロックの全ての発光画素11Aの有する静電保持容量117には駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に相当する電圧が同時に保持される。
次に、時刻t07〜時刻t08の間に、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k、1)の電圧レベルを、LOW→HIGH→LOWに変化させ、1行目の発光画素の有するスイッチングトランジスタ115を、オン状態とする(図6のS14)。また、この時、信号線駆動回路15は、第1信号線151の信号電圧を基準電圧から輝度信号電圧Vdataに変化させている。これにより、図5(f)に示すように、駆動トランジスタ114のゲートに輝度信号電圧Vdataが印加される。このとき、静電保持容量117の第2電極及び駆動トランジスタ114のソースにおける電位Vは、信号電圧の変化量(Vdata−VR1)がC1及びC2で分配された電圧と、時刻t06におけるV電位である(VR1−Vt(TFT))との和となり、式6で表される。
Figure 0005399521
静電保持容量117に保持される電位差Vgsは、Vと上記式6で規定されたVとの差分でありV=Vdataより、式7で表される。
Figure 0005399521
つまり、静電保持容量117には、この輝度信号電圧Vdataに応じた電圧と、先に保持された駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に相当する電圧とが加算された加算電圧が書き込まれる。上記加算電圧の書き込み動作は、第1輝度保持ステップに相当する。
次に、上述した時刻t07〜時刻t08の書き込み動作を、k番目の駆動ブロックに属する2行目からm行目の発光画素について、行順次に実行する。
次に、時刻t08において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k、1)の電圧レベルを、HIGHからLOWに変化させ、1行目の発光画素の有するスイッチングトランジスタ115を、オフ状態とする(図6のS15)。このとき、Vgsは上記式7で規定された電圧となっている。また、Vdataは、例えば、0〜5Vであることから、VgsがVt(TFT)以上の電圧となっており、駆動トランジスタ114はオン状態となり、有機EL素子113に駆動電流が流れ、有機EL素子113が上記式7に規定されたVgsに応じて発光する。このとき、VGSは、書込み時間をΔtとすると、式8で表される。
Figure 0005399521
次に、上述した時刻t08の発光動作を、k番目の駆動ブロックに属する2行目からm行目の発光画素について、行順次に実行する。つまり、k番目の駆動ブロック内の全ての発光画素11Aでは、行順次に書き込み及び発光が開始される。上記発光動作は、第1発光ステップに相当する。
以上、時刻t08以降の期間では、有機EL素子113の発光が、k番目の駆動ブロック内において行順次に実行されている。ここで、駆動トランジスタ114を流れるドレイン電流iは、式7で規定されたVsgから、駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)を減じた電圧値を用いて、式9のように表される。
Figure 0005399521
ここで、βは移動度、ゲート絶縁膜容量およびチャネル領域の形状に関する特性パラメータである。Vgs(0)は式10のように表される。
Figure 0005399521
式9および式10から、有機EL素子113を発光させるためのドレイン電流iは、駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に依存しない電流となっていることが解る。
以上、発光画素行を駆動ブロック化することにより、駆動ブロック内では、駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)補償が同時に実行される。また、発光画素行を駆動ブロック化することにより、制御線131を駆動ブロック内で共通化できる。
ここで、特許文献1に記載された、2本の信号線を用いた従来の画像表示装置と、本発明の駆動ブロック化された表示装置とで、閾値電圧検出期間により規定される発光デューティの比較を行う。
図7は、走査線及び信号線の波形特性を説明する図である。同図において、各画素行の1水平期間t1Hにおける閾値電圧Vt(TFT)の検出期間は、基準電圧が各画素の有する静電保持容量に印加される期間であり、走査線がHIGHレベル状態の期間であるPWに相当する。また、信号線においては、1水平期間t1Hは、信号電圧を供給する期間であるPWと、基準電圧を供給する期間であるtとを含む。また、PWの立ち上がり時間及び立ち下がり時間を、それぞれ、tR(S)及びtF(S)とし、PWの立ち上がり時間及び立ち下がり時間を、それぞれ、tR(D)及びtF(D)とすると、1水平期間t1Hは式11のように表される。
Figure 0005399521
さらに、PW=tと仮定すると、1水平期間t1Hは式12のように表される。
Figure 0005399521

となる。式11及び式12より、tは式13で表される。
Figure 0005399521

となる。また、Vt(TFT)検出期間は基準電圧発生期間内に開始し終了しなければならないので、Vt(TFT)検出時間を最大で確保したとして、tは式14で表される。
Figure 0005399521

となり、式13及び式14より、PWは式15のように表される。
Figure 0005399521

が得られる。
上記式15に対して、例として、走査線本数が1080本(+ブランキング30本)の垂直解像度を有し、120Hz駆動するパネルの発光デューティを比較する。
従来の画像表示装置において、2本の信号線を有する場合の1水平期間t1Hは、1本の信号線を有する場合の2倍であるから、
1H={1秒/(120Hz×1110本)}×2=7.5μS×2=15μS
となる。ここで、tR(D)=tF(D)=2μS、tR(S)=tF(S)=1.5μSとし、これらを式15に代入すると、Vt(TFT)の検出期間であるPWは、2.5μSとなる。
ここで、十分な精度を有するためのVt(TFT)検出期間が1000μS必要であるとすると、当該Vt(TFT)検出に必要な水平期間は、1000μS/2.5μS=400水平期間、が少なくとも非発光期間として必要となる。よって、2本の信号線を用いた従来の画像表示装置の発光デューティは、(1110水平期間−400水平期間)/1110水平期間=64%以下となる。
次に、本発明の駆動ブロック化された表示装置の発光デューティを求める。上記条件と同様に、十分な精度を有するためのVt(TFT)検出期間が1000μS必要であるとすると、ブロック駆動の場合には、図4Aに記載された期間A(閾値検出準備期間+閾値検出期間)が上記1000μSに相当する。この場合、1フレームの非発光期間は、上記期間Aと書き込み期間とを含むことから、少なくとも1000μS×2=2000μSとなる。よって、本発明の駆動ブロック化された画像表示装置の発光デューティは、(1フレーム時間−2000μS)/1フレーム時間であり、1フレーム時間として(1秒/120Hz)を代入して、76%以下となる。
以上の比較結果より、2本の信号線を用いた従来の画像表示装置に対して、本発明のようにブロック駆動を組み合わせることにより、同じ閾値検出期間を設定したとしても発光デューティをより長く確保することができる。よって、発光輝度が十分確保され、かつ、駆動回路の出力負荷が低減された長寿命の表示装置を実現することが可能となる。
逆に言えば、2本の信号線を用いた従来の画像表示装置と、本発明のようにブロック駆動を組み合わせた表示装置とを同じ発光デューティに設定した場合、本発明の表示装置の方が、閾値検出期間を長く確保できることが解る。
再び、本実施の形態に係る表示装置1の駆動方法について説明する。
一方、k番目の駆動ブロックにおける駆動トランジスタ114の閾値電圧検出期間が完了した時刻t06の直後、(k+1)番目の駆動ブロックにおける駆動トランジスタ114の閾値電圧検出が開始される。
まず、k番目の駆動ブロックにおけるm行の発光画素の消光動作の直後である時刻t11において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k+1、1)の電圧レベルをLOWからHIGHに変化させ、1行目の発光画素の有するスイッチングトランジスタ115をオン状態とする。また、信号線駆動回路15は、第2信号線152の信号電圧を、輝度信号電圧から駆動トランジスタ114がオフとなる基準電圧VR1に変化させる。これにより、基準電圧VR1が駆動トランジスタ114のゲートに印加されることにより、(k+1)番目の駆動ブロックに属する1行目の発光画素が消光する。
次に、時刻t12において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k+1、1)の電圧レベルをHIGHからLOWに変化させ、1行目の発光画素の有するスイッチングトランジスタ115をオフ状態とする。これにより、1行目の発光画素の消光動作が完了する。
次に、上述した時刻t11〜時刻t12の消光動作を、(k+1)番目の駆動ブロックに属する2行目からm行目の発光画素について、行順次に実行する。
次に、k番目の駆動ブロックにおける駆動トランジスタ114の閾値電圧検出期間が完了し、書き込み動作が開始される時刻t07の直後である時刻t13において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k+1、1)〜133(k+1、m)の電圧レベルを同時にLOWからHIGHに変化させ、(k+1)番目の駆動ブロックに属する全ての発光画素の有するスイッチングトランジスタ115をオン状態とする(図6のS21)。また、信号線駆動回路15は、このタイミングで、第2信号線152の信号電圧を、輝度信号電圧から駆動トランジスタ114がオフとなる基準電圧VR1に変化させている。上記基準電圧を駆動トランジスタ114のゲートに印加する動作は、第2基準電圧印加ステップに相当する。
次に、時刻t14において、走査/制御線駆動回路14は、制御線131(k+1)の電圧レベルを同時にLOWからHIGHに変化させ、(k+1)番目の駆動ブロックに属する全ての発光画素の有するスイッチングトランジスタ116をオン状態とする。これにより、固定電圧VR2が駆動トランジスタ114のゲート及び静電保持容量117の第2電極に印加される(図6のS22)。このとき、電源線110→駆動トランジスタ114→静電保持容量117の第2電極→スイッチングトランジスタ116→固定電位線119の経路で駆動電流が流れる。駆動トランジスタ114のゲート及び静電保持容量117の第2電極に固定電圧VR2を印加する動作は、第2固定電圧印加ステップに相当する。
次に、時刻t15において、走査/制御線駆動回路14は、制御線131(k+1)の電圧レベルを同時にHIGHからLOWに変化させ、(k+1)番目の駆動ブロックに属する全ての発光画素の有するスイッチングトランジスタ116をオフ状態とする。これにより、電源線110→駆動トランジスタ114→静電保持容量117の第2電極→静電保持容量117の経路で放電電流が流れ始める。この放電電流は、駆動トランジスタ114のVgsが駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に漸近するまで継続する。そして、Vgsが駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に到達したとき、駆動トランジスタ114はオフ状態となる。
なお、時刻t15〜時刻t16の間、Vgsは(VR1−VR2)からVt(TFT)へと変化するが、有機EL素子113のアノード−カソード間電圧は負電圧となっているので、有機EL素子113には電流は流れない。
次に、時刻t16において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k+1、1)〜133(k+1、m)の電圧レベルを同時にHIGHからLOWに変化させ、(k+1)番目の駆動ブロックに属する全ての発光画素の有するスイッチングトランジスタ115をオフ状態とする(図6のS23)。上記スイッチングトランジスタ115をオフ状態として駆動トランジスタ114のゲートへの基準電圧の供給を停止させる動作は、第2非導通ステップに相当する。
上述した第2基準電圧印加ステップ、第2固定電圧印加ステップ及び第2非導通ステップは、第2閾値保持ステップに相当する。
なお、閾値電圧Vt(TFT)に相当する電圧を静電保持容量117に保持させるために流れる放電電流は微少であるため、静電保持容量117に保持された電圧が駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に漸近して定常状態となるまでには時間を要する。よって、この期間が長いほど、静電保持容量117に保持される電圧は安定し、この期間を十分長く確保することにより、高精度な電圧補償が実現される。
以上、時刻t13〜時刻t16の期間では、駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)の補正が、(k+1)番目の駆動ブロック内において同時に実行され、(k+1)番目の駆動ブロックの全ての発光画素11Aの有する静電保持容量117には駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に相当する電圧が同時に保持される。
次に、時刻t17〜時刻t18の間に、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k+1、1)の電圧レベルを、LOW→HIGH→LOWに変化させ、1行目の発光画素の有するスイッチングトランジスタ115を、オン状態とする(図6のS24)。また、この時、信号線駆動回路15は、第2信号線152の信号電圧を基準電圧から輝度信号電圧Vdataに変化させている。これにより、駆動トランジスタ114のゲートに輝度信号電圧Vdataが印加される。つまり、静電保持容量117には、この輝度信号電圧Vdataに応じた電圧と、先に保持された駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)に相当する電圧とが加算された加算電圧が書き込まれる。上記加算電圧の書き込み動作は、第2輝度保持ステップに相当する。
次に、上述した時刻t17〜時刻t18の書き込み動作を、(k+1)番目の駆動ブロックに属する2行目からm行目の発光画素について、行順次に実行する。
次に、時刻t18において、走査/制御線駆動回路14は、走査線133(k+1、1)の電圧レベルを、HIGHからLOWに変化させ、1行目の発光画素の有するスイッチングトランジスタ115を、オフ状態とする(図6のS25)。このとき、VgsがVt(TFT)以上の電圧となっており、駆動トランジスタ114はオン状態となり、有機EL素子113に駆動電流が流れ、有機EL素子113が上記式7に規定されたVgsに応じて発光する。
次に、上述した時刻t18の発光動作を、(k+1)番目の駆動ブロックに属する2行目からm行目の発光画素について、行順次に実行する。つまり、(k+1)番目の駆動ブロック内の全発光画素11Bでは、行順次に書き込み及び発光が開始される。上記発光動作は、第2発光ステップに相当する。
以上、時刻t18以降の期間では、有機EL素子113の発光が、(k+1)番目の駆動ブロック内において行順次に実行されている。
以上、発光画素行を駆動ブロック化することにより、駆動ブロック内では、駆動トランジスタ114の閾値電圧Vt(TFT)補償が同時に実行される。また、発光画素行を駆動ブロック化することにより、制御線131を駆動ブロック内で共通化できる。
また、走査線133(k+1、1)〜133(k+1、m)においては、走査/制御線駆動回路14とは個別に接続されているが、閾値電圧補償期間においては、駆動パルスのタイミングが同一である。よって、走査/制御線駆動回路14は、出力するパルス信号の高周波化を抑制することができるので、駆動回路の出力負荷を低減できる。
以上、時刻t17以降の期間では、有機EL素子113の発光が、(k+1)番目の駆動ブロック内において同時に実行されている。
以上の動作が、表示パネル10内の(k+2)番目の駆動ブロック以降においても順次実行される。
図4Bは、本発明の実施の形態に係る駆動方法により発光した駆動ブロックの状態遷移図である。同図には、ある発光画素列における、駆動ブロックごとの発光期間及び非発光期間が表されている。縦方向は複数の駆動ブロックを、また、横軸は経過時間を示す。ここで、非発光期間とは、上述した閾値補正期間を含む。
本発明の実施の形態に係る表示装置の駆動方法によれば、発光期間は、同一駆動ブロック内でも発光画素行ごとに順次設定される。よって、駆動ブロック内においても、行走査方向に対して発光期間が連続的に現れる。
以上、スイッチングトランジスタ116及び静電保持容量118が配置された発光画素回路、駆動ブロック化された各発光画素への制御線、走査線及び信号線の配置、及び上記駆動方法により、駆動トランジスタ114の閾値補正期間及びそのタイミングを同一駆動ブロック内で一致させることが可能となる。よって、電流パスを制御する信号を出力する走査/制御線駆動回路14や信号電圧を制御する信号線駆動回路15の負荷が低減する。また、さらに、上記駆動ブロック化及び発光画素列ごとに配置された2本の信号線により、駆動トランジスタ114の閾値補正期間を、全発光画素を書き換える時間である1フレーム期間Tfのなかで大きくとることができる。これは、k番目の駆動ブロックにおいて輝度信号がサンプリングされている期間に、(k+1)番目の駆動ブロックにおいて閾値補正期間が設けられることによるものである。よって、閾値補正期間は、発光画素行ごとに分割されるのではなく、駆動ブロックごと分割される。よって、表示領域が大面積化されても走査/制御線駆動回路14の出力数をさほど増大させることなく、かつ、発光デューティを減少させることなく、1フレーム期間に対する相対的な閾値補正期間を長く設定することが可能となる。これにより、高精度に補正された輝度信号電圧に基づいた駆動電流が発光素子に流れ、画像表示品質が向上する。
例えば、表示パネル10をN個の駆動ブロックに分割した場合、各発光画素に与えられる閾値補正期間は、最大Tf/Nとなる。ここで本発明における閾値補正期間は、図4Aに記載されたタイミングチャートにおけるリセット期間と閾値検出期間とで構成される。これに対し、発光画素行ごとに異なるタイミングで閾値補正期間を設定する場合、発光画素行がM行(M>>N)であるとすると、最大Tf/Mとなる。また、特許文献1に記載されたような信号線を発光画素列ごとに2本配置した場合でも、最大2Tf/Mである。
また、駆動ブロック化により、駆動トランジスタ114のソースと固定電位線119との導通を制御する制御線を駆動ブロック内で共通化できる。よって、走査/制御線駆動回路14から出力される制御線の本数が削減される。よって、駆動回路の負荷が低減する。
例えば、特許文献1に記載された従来の画像表示装置500では、発光画素行あたり2本の制御線(給電線及び走査線)が配置されている。画像表示装置500がM行の発光画素行から構成されているとすると、制御線は合計2M本となる。
これに対し、本発明の実施の形態に係る表示装置1では、走査/制御線駆動回路14から、発光画素行あたり1本の走査線、駆動ブロックごとに1本の制御線が出力される。よって、表示装置1がM行の発光画素行から構成されているとすると、制御線(走査線を含む)の合計は(M+N)本となる。
大面積化がなされ、発光画素の行数が大きい場合、M>>Nが実現されるので、この場合には、本発明に係る表示装置1の制御線本数は、従来の画像表示装置500の制御線本数に比べ、約1/2に削減することができる。
以上、実施の形態について説明したが、本発明に係る表示装置は、上述した実施の形態に限定されるものではない。実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
なお、以上述べた実施の形態では、スイッチングトランジスタのゲートの電圧レベルがHIGHの場合にオン状態になるn型トランジスタとして記述しているが、これらをp型トランジスタで形成し、走査線の極性を反転させた画像表示装置でも、上述した各実施の形態と同様の効果を奏する。
また、以上に述べた実施の形態では、有機EL素子はカソード側を他の画素と共通化して接続されているが、アノード側を共通化して、カソード側を画素回路と接続した画像表示装置でも、上述した各実施の形態と同様の効果を奏する。
また、例えば、本発明に係る表示装置は、図8に記載されたような薄型フラットTVに内蔵される。本発明に係る表示装置が内蔵されることにより、映像信号を反映した高精度な画像表示が可能な薄型フラットTVが実現される。
本発明は、特に、画素信号電流により画素の発光強度を制御することで輝度を変動させるアクティブ型の有機ELフラットパネルディスプレイに有用である。
1 表示装置
10 表示パネル
11A、11B、501 発光画素
12 信号線群
13 制御線群
14 走査/制御線駆動回路
15 信号線駆動回路
20 タイミング制御回路
30 電圧制御回路
110、112 電源線
113 有機EL素子
114、512 駆動トランジスタ
115、116、511 スイッチングトランジスタ
117、118 静電保持容量
119、120 固定電位線
131 制御線
133、701、702、703 走査線
151 第1信号線
152 第2信号線
500 画像表示装置
502 画素アレイ部
503 信号セレクタ
504 走査線駆動部
505 給電線駆動部
513 保持容量
514 発光素子
515 接地配線
601 信号線
801、802、803 給電線

Claims (7)

  1. マトリクス状に配置された複数の発光画素を有する表示装置であって、
    発光画素列ごとに配置され、発光画素の輝度を決定する信号電圧を前記発光画素に与える第1信号線及び第2信号線と、
    第1電源線及び第2電源線と、
    発光画素行ごとに配置された走査線と、
    発光画素行ごとに配置された制御線とを備え、
    前記複数の発光画素は、複数の発光画素行を一駆動ブロックとした2以上の駆動ブロックを構成し、
    前記複数の発光画素のそれぞれは、
    一方の端子が前記第2電源線に接続され、前記信号電圧に応じた信号電流が流れることにより発光する発光素子と、
    ソース及びドレインの一方が第1電源線に接続され、ソース及びドレインの他方が前記発光素子の他方の端子に接続され、ゲート−ソース間に印加される前記信号電圧を前記信号電流に変換する駆動トランジスタと、
    一方の端子が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、他方の端子が前記駆動トランジスタのソースに接続された容量素子と、
    ゲートが前記制御線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記容量素子の他方の端子に接続され、ソース及びドレインの他方が固定電位線に接続された第1スイッチングトランジスタとを備え、
    k(kは自然数)番目の駆動ブロックに属する前記発光画素は、さらに、
    ゲートが前記走査線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、ソース及びドレインの他方が前記第1信号線に接続された第2スイッチングトランジスタを備え、
    (k+1)番目の駆動ブロックに属する前記発光画素は、さらに、
    ゲートが前記走査線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、ソース及びドレインの他方が前記第2信号線に接続された第3スイッチングトランジスタを備え、
    前記制御線は、同一駆動ブロック内の全発光画素では共通化されており、異なる駆動ブロック間では独立している
    表示装置。
  2. 前記複数の発光画素のそれぞれは、さらに、
    前記駆動トランジスタのソースと前記固定電位線との間に挿入された第2容量素子を備える
    請求項1に記載の表示装置。
  3. さらに、前記第1信号線、前記第2信号線、前記制御線び前記走査線を制御して前記発光画素を駆動する駆動回路を具備し、
    前記駆動回路は、
    前記走査線からk番目の駆動ブロックの有する全ての前記第2スイッチングトランジスタをオン状態とする電圧を同時に印加することにより、前記第1信号線から基準電圧をk番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートに同時に印加し、
    前記制御線からk番目の駆動ブロックの有する全ての前記第1スイッチングトランジスタをオン状態とする電圧を同時に印加することにより、前記基準電圧よりも小さく前記基準電圧との差が前記駆動トランジスタの閾値電圧以上となるような前記固定電位線の固定電圧をk番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのソースに同時に印加し、
    前記走査線からk番目の駆動ブロックの有する全ての前記第2スイッチングトランジスタをオフ状態とする電圧を同時に印加することにより、前記第1信号線とk番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートとを同時に非導通にし、
    前記走査線から(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記第3スイッチングトランジスタをオン状態とする電圧を同時に印加することにより、前記第2信号線から前記基準電圧を(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートに同時に印加し、
    前記制御線から、(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記第1スイッチングトランジスタをオン状態とする電圧を同時に印加することにより、前記固定電圧を(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのソースに同時に印加し、
    前記走査線から(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記第3スイッチングトランジスタをオフ状態とする電圧を同時に印加することにより、前記第2信号線と(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートとを同時に非導通にする
    請求項1または2に記載の表示装置。
  4. 前記表示装置は、さらに、
    前記信号電圧及び基準電圧を前記第1信号線及び前記第2信号線に出力する信号線駆動回路と、
    前記信号線駆動回路が前記信号電圧及び基準電圧を出力するタイミングを制御するタイミング制御回路とを備え、
    前記タイミング制御回路は、前記信号線駆動回路に前記第1信号線へ前記信号電圧を出力させている間には前記第2信号線へ前記基準電圧を出力させ、前記第2信号線へ前記信電圧を出力させている間には前記第1信号線へ前記基準電圧を出力させる
    請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の表示装置。
  5. 全ての前記発光画素を書き換える時間をTfとし、前記駆動ブロックの総数をNとすると、
    前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出する時間は、
    最大でTf/Nである
    請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の表示装置。
  6. 複数の信号線のうち一の信号線から供給された輝度信号電圧または基準電圧を当該電圧に対応した信号電流に変換する駆動トランジスタと、前記信号電流が流れることにより発光する発光素子とを備える発光画素がマトリクス状に配置され、複数の前記発光画素行を一駆動ブロックとした2以上の駆動ブロックを構成する表示装置の駆動方法であって、
    k(kは自然数)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲート及びソースに接続された容量素子に、前記駆動トランジスタの閾値電圧に対応した電圧を同時に保持させる第1閾値保持ステップと、
    前記第1閾値保持ステップの後、k番目の駆動ブロックの有する前記発光画素において、前記容量素子に、前記閾値電圧に対応した電圧に前記輝度信号電圧が加算された加算電圧を発光画素行順に保持させる第1輝度保持ステップと、
    前記第1閾値保持ステップの後、(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記容量素子に、前記駆動トランジスタの閾値電圧に対応した電圧を同時に保持させる第2閾値保持ステップとを含み、
    前記第1閾値保持ステップは、
    発光画素列ごとに配置された第1信号線から前記基準電圧をk番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートに同時に印加する第1基準電圧印加ステップと、
    前記第1基準電圧印加ステップの後、全ての発光画素に共通に配置された固定電位線から、前記基準電圧よりも小さく前記基準電圧との差が前記駆動トランジスタの閾値電圧以上となるような固定電圧をk番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのソースに、所定の期間、同時に印加する第1固定電圧印加ステップと、
    前記第1固定電圧印加ステップの後、前記第1信号線とk番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートとを同時に非導通にする第1非導通ステップとを含み、
    前記第2閾値保持ステップは、
    発光画素列ごとに配置された第2信号線から前記基準電圧を(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートに同時に印加する第2基準電圧印加ステップと、
    前記第2基準電圧印加ステップの後、前記固定電位線から、前記固定電圧を(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのソースに、所定の期間、同時に印加する第2固定電圧印加ステップと、
    前記第2固定電圧印加ステップの後、前記第2信号線と(k+1)番目の駆動ブロックの有する全ての前記駆動トランジスタのゲートとを同時に非導通にする第2非導通ステップとを含む
    表示装置の駆動方法。
  7. 前記発光素子は、一方の端子が第1電源線に接続され、他方の端子が前記駆動トランジスタのソースに接続され、
    前記第1基準電圧印加ステップでは、
    ゲートが発光画素行ごとに配置された走査線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、ソース及びドレインの他方が前記第1信号線に接続された第2スイッチングトランジスタを導通させることにより、前記第1信号線から前記基準電圧を前記駆動トランジスタのゲートに印加し、
    前記第2基準電圧印加ステップでは、
    ゲートが発光画素行ごとに配置された走査線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、ソース及びドレインの他方が前記第2信号線に接続された第3スイッチングトランジスタを導通させることにより、前記第2信号線から前記基準電圧を前記駆動トランジスタのゲートに印加し、
    第1固定電圧印加ステップ及び第2固定電圧印加ステップでは、
    ゲートが発光画素行ごとに配置された制御線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記駆動トランジスタのソース及び前記容量素子に接続され、ソース及びドレインの他方が前記固定電位線に接続された第1スイッチングトランジスタを導通させることにより、前記固定電圧を前記駆動トランジスタのソースに印加し、
    前記第1非導通ステップでは、
    前記第2スイッチングトランジスタを非導通にすることにより、前記第1信号線と前記駆動トランジスタのゲートとを非導通にし、
    前記第2非導通ステップでは、
    前記第3スイッチングトランジスタを非導通にすることにより、前記第2信号線と前記駆動トランジスタのゲートとを非導通にし、
    前記第1輝度保持ステップでは、
    前記第2スイッチングトランジスタを導通させることにより、前記第1信号線から前記輝度信号電圧を前記駆動トランジスタのゲートに印加する
    請求項6に記載の表示装置の駆動方法。
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