JP5369538B2 - 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ（液晶ディスプレイ）基板等に対して液処理例えばレジストの塗布、露光後の現像処理等を行う液処理装置及びその方法並びに記憶媒体に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板等の製造プロセスの一つであるレジストパターンを基板上に形成する工程は、基板例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行うことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われ、これらの一連の工程は従来から塗布、現像装置によって行われている。

この塗布、現像装置は、レジスト液の塗布を行う塗布ユニット、反射防止膜用の薬液を塗布する反射防止膜形成ユニットなどの液処理ユニットを備えており、高いスループットを確保するために、通常塗布ユニット及び反射防止膜形成ユニットが各々複数設けられている。

これら液処理ユニットは図１１に示すように、ウエハＷをスピンチャック１０上に保持し、このウエハの回転中心に対して、スピンチャック１０の上方側に設けられたノズル１１から薬液であるレジスト液を滴下し、このウエハＷを回転させることにより、前記薬液を回転の遠心力によってウエハの径方向に広げるスピンコーティングが行われるように構成されている。前記スピンコーティングでは、ウエハＷから外方側へミストが飛散するため、スピンチャック１０の周囲にはカップ体１２が設けられると共に、このカップ体１２の底部にはダンパ１３を備えた排気路１４が接続されており、この排気路１４を介してカップ体１２内が吸引排気されるようになっている。

ところで前記液処理ユニットでは、前記スピンコーティング、成膜乾燥、ウエハの外縁にレジスト膜の溶媒を供給し、当該領域の不要なレジスト膜を除去する処理であるエッジカット、乾燥などの一連の処理が行われる。この際各液処理ユニットでは、回転数が大きく発生するミスト量が多いスピンコーティング時には高排気量、膜厚を均一に形成するために回転数がスピンコーティング時よりも小さい成膜乾燥時には低排気量、再び回転数が大きくなるエッジカット時や乾燥時には高排気量で排気を行いながら夫々の処理が行われている。ここで前記排気路１４におけるダンパの１３の下流側では常に前記高排気量に合わせた排気量で排気されており、前記ダンパ１３の開度を調整することによりダンパ１３の上流側において低排気量状態を形成し、こうして排気量の高低の制御が行われるようになっている。

このように既述の液処理ユニットでは処理に応じて排気量の制御は行っているものの、大元では常に高排気量に合わせて排気が行われているため、このような液処理ユニットが複数台組み込まれる前記塗布、現像装置では、装置全体における液処理ユニットの総排気量は、（１台の液処理ユニットの排気量）×（液処理ユニットの数）にて求められる量となる。この点について図１１を用いて、液処理ユニットが３台の場合を例にし、液処理ユニット１Ａは高排気量Ｅｈ、残りの２台の液処理ユニット１Ｂ，１Ｃは低排気量Ｅｌで夫々排気する場合を例にして説明する。
各液処理ユニット１Ａ〜１Ｃでは、各排気路１４におけるダンパ１３の下流側は高排気量Ｅｈで排気されている。そして液処理ユニット１Ａではダンパ１３を閉じて、ダンパ１３の上流側つまりカップ体１２内もそのままの排気量Ｅｈで排気し、液処理ユニット１Ｂ、１Ｃではダンパ１３を開いて外気を取り込み、こうして結果としてダンパ１３の上流側であるカップ体１２内は低排気量Ｅｌで排気されるようになっている。このとき液処理ユニット１Ｂ、１Ｃにおいて取り込まれる外気量は（（高排気量Ｅｈ）−（低排気量Ｅｌ））に相当する量である。このように液処理ユニット１台の排気量は高排気量Ｅｈに相当する排気量であり、３台の液処理ユニットが組み込まれる場合には、これら液処理ユニットにおける総排気量Ｅは、液処理ユニット３台分の排気量（Ｅ＝３×Ｅｈ）に相当する量となる。

一方本発明者は、特許文献１に記載されるように、レジスト液の塗布ユニット及び反射防止膜形成ユニットを含む、レジスト膜を形成するためのブロックと、現像処理を行うブロックとを分離して、ウエハがキャリアブロックから露光装置へ向かう搬送路と、露光装置からキャリアブロックに向かう搬送路とを夫々独立に形成し、スループットをより一層向上させることを提案している。この装置では、例えば図１２に示すように、前記搬送路に沿って液処理ユニットの一部をなす前記カップ体１２を横並びに複数個例えば３個配列すると共に、共通のノズル１５を前記搬送路に沿って移動可能に設け、当該ノズル１５を移動させて夫々のカップ体１２の上方側に位置させ、これらカップ体１２内に配置されたウエハに対してレジスト液の供給が行われるようになっている。
前記カップ体１２の底部には夫々排気路１４が接続され、カップ体１２の並びに沿って配管した共通の排気路１６を介して各カップ体１２が吸引排気されるようになっている。この構成においても図１１に示す例と同様にカップ体１２内の排気が行われており、各排気路１４におけるダンパ１３の下流側では、常に前記高排気量Ｅｈに合わせて排気が行われ、カップ体１２内を低排気量Ｅｌにて排気するときには、前記ダンパ１３の開度を調整することによって、（Ｅｈ−Ｅｌ）に相当する量の外気を取り入れ、当該ダンパ１３の上流側にて低排気状態を形成するように構成されている。このため液処理ユニットの総排気量Ｅは、（１台のカップ体１２の排気量Ｅｈ）×（カップ体の数）にて求められる量となる。

ところでスループット向上のため、カップ体の配列数をより多くすることが求められているが、従来のようにカップ体の数に比例して液処理ユニットの総排気量が大きくなると、前記ミストには有機物が含まれているので、この有機物の排気量である有機排気量が増加してしまい、電力使用量が増加し、ひいては二酸化炭素排出量の削減の観点から好ましくない。このため従来と同程度の総排気量に抑えた状態で、カップ体の配列数を増加させる手法の確立が望まれている。

ここで特許文献１には、基板保持部の回転数に対応する設定排気量にてカップ体内を排気することにより、常に予定とする排気状態でカップ体内を排気し、これにより基板へのミストの付着を抑えながら、安定した膜厚の薄膜を形成することができる技術が記載されている。しかしながらこの技術においても排気量の調整はダンパの開度調整により行い、ダンパの下流側では常に高排気状態に合わせて排気を行っているため、カップ体の配列数が増えた場合には結果として総排気量も増大してしまう。従ってこの技術を用いても、上述の課題を解決することはできない。

特開２００６−２２９０６２号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、液処理装置における総排気量の増大を抑えながら、基板保持部の配列数を増加することにある。

このため本発明の液処理装置は、共通の筐体内に互いに並んで配列されると共に、その周囲をカップ体にて取り囲むように設けられたｎ個（ｎは３以上の整数）の基板保持部を備え、この基板保持部に保持された基板に対して、前記基板保持部の配列方向に移動可能に設けられた共通の薬液ノズルから薬液を供給しながら当該基板保持部を回転させることにより、当該基板に対して薬液の塗布を行なう液処理装置において、
ａ） ｎ個のカップ体に夫々接続されると共に、前記筐体内に開口する分岐路を備えたｎ個の個別排気路と、
ｂ） 前記ｎ個の個別排気路の下流側に共通に接続されると共に、一端側から排気量Ｅで吸引排気され、他端側は前記筐体内に開口する共通排気路と、
ｃ） 前記ｎ個の個別排気路に夫々接続され、前記カップ体側からの外気の取り込み量と、前記分岐路側からの外気の取り込み量とを調整するために第１の状態及び第２の状態の一方の状態に設定される主外気取り込み量調整部と、
ｄ） 前記共通排気路の他端側に設けられ、当該共通排気路に外気を取り込まない第１の状態及び前記共通排気路に外気を取り込む第２の状態の一方に設定される補助外気取り込み量調整部と、
ｅ） 前記薬液ノズルがｎ個の基板保持部のうちの一つの基板保持部上の基板と対向する設定位置にある「使用状態時」には、当該一つの基板保持部を囲む一のカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第１の状態に、また他の残りのカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第２の状態に、更にまた前記補助外気取り込み量調整部を、共通排気路を閉じて外気を取り込まない第１の状態に夫々設定するための制御信号を出力し、
前記薬液ノズルが前記設定位置にない「アイドリング状態時」には、全てのカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第２の状態に、更にまた前記補助外気取り込み量調整部を第２の状態に夫々設定するための制御信号を出力する制御部と、を備え、
ｆ） 前記「使用状態時」において、前記主外気取り込み量調整部が前記第１の状態にあるときには、前記分岐路側から外気を取り込まずに当該カップ体側から外気を第１の取り込み量Ｅ１で取り込み、前記第２の状態にあるときには、当該カップ体側から外気を前記第１の取り込み量Ｅ１よりも小さい第２の取り込み量Ｅ２で取り込みかつカップ体側及び分岐路側の両方の外気の取り込み量が（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）となるように、前記主外気取り込み量調整部が構成され、
ｇ） 前記「アイドリング状態時」において、前記主外気取り込み量調整部がカップ体側から外気を前記第２の取り込み量Ｅ２で取り込むように、前記補助外気取り込み量調整部の第２の状態が設定されており、
ｈ） 前記Ｅは、Ｅ＝（ｎ−１）×Ｅ１であることを特徴とする。

ここで前記主外気取り込み量調整部及び補助外気取り込み量調整部としてはダンパを用いることができる。前記ｎ個の基板保持部が配列される数は、３≦ｎ≦６であることが好ましい。

本発明の液処理方法は、共通の筐体内に互いに並んで配列されると共に、その周囲をカップ体にて取り囲むように設けられたｎ個（ｎは３以上の整数）の基板保持部を備え、この基板保持部に保持された基板に対して、前記基板保持部の配列方向に移動可能に設けられた共通の薬液ノズルから薬液を供給しながら当該基板保持部を回転させることにより、当該基板に対して薬液の塗布を行なう液処理方法において、
ａ） ｎ個のカップ体に夫々接続されると共に、前記筐体内に開口する分岐路を備えたｎ個の個別排気路と、
前記ｎ個の個別排気路の下流側に共通に接続されると共に、一端側から排気量Ｅで吸引排気され、他端側は前記筐体内に開口する共通排気路と、
前記ｎ個の個別排気路に夫々接続され、前記カップ体側からの外気の取り込み量と、前記分岐路側からの外気の取り込み量とを調整するために第１の状態及び第２の状態の一方の状態に設定される主外気取り込み量調整部と、
前記共通排気路の他端側に設けられ、当該共通排気路に外気を取り込まない第１の状態及び前記共通排気路に外気を取り込む第２の状態の一方に設定される補助外気取り込み量調整部と、を用い、
ｂ） 前記薬液ノズルがｎ個の基板保持部のうちの一つの基板保持部上の基板と対向する設定位置にある「使用状態時」には、当該一つの基板保持部を囲む一のカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第１の状態に、また他の残りのカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第２の状態に、更にまた前記補助外気取り込み量調整部を、共通排気路を閉じて外気を取り込まない第１の状態に夫々設定する工程と、
前記薬液ノズルが前記設定位置にない「アイドリング状態時」には、全てのカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第２の状態に、更にまた前記補助外気取り込み量調整部を第２の状態に夫々設定する工程と、を備え、
ｃ） 前記「使用状態時」において、前記主外気取り込み量調整部が前記第１の状態にあるときには、前記分岐路側から外気を取り込まずに当該カップ体側から外気を第１の取り込み量Ｅ１で取り込み、前記第２の状態にあるときには、当該カップ体側から外気を前記第１の取り込み量Ｅ１よりも小さい第２の取り込み量Ｅ２で取り込みかつカップ体側及び分岐路側の両方の外気の取り込み量が（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）となるように、前記主外気取り込み量調整部が構成され、
前記「アイドリング状態時」において、前記主外気取り込み量調整部がカップ体側から外気を前記第２の取り込み量Ｅ２で取り込むように、前記補助外気取り込み量調整部の第２の状態が設定されており、
前記Ｅは、Ｅ＝（ｎ−１）×Ｅ１であることを特徴とする。

本発明によれば、カップ体によりその周囲を囲まれたｎ個（ｎは３以上の整数）の基板保持部を備えた液処理装置において、前記複数のカップ体を、主外気取り込み量調整部が設けられた複数の個別排気路と、これら複数の個別排気路の下流側に共通に接続される共通排気路を介して排気量Ｅで吸引排気するにあたり、前記薬液ノズルが前記基板保持部上の基板と対向する設定位置にある一のカップ体においては、当該カップ体側から外気を第１の取り込み量Ｅ１で取り込み、他の残りのカップ体においては、当該カップ体側から第１の取り込み量Ｅ１よりも小さい第２の取り込み量Ｅ２で取り込み、かつカップ体側及び分岐路側の両方の外気の取り込み量が（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）となるように主外気取り込み量調整部を構成している。このためｎ個（ｎは３以上の整数）以上の基板保持部を配列する場合であっても、液処理装置の総排気量の増大を抑えながら、基板保持部の配列数を増加することができる。

以下、本発明の実施の形態について、基板例えばウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布装置に本発明の液処理装置を適用した場合を例にして説明する。図１中２は前記液処理装置であり、この液処理装置２内には、ｎ個（ｎは３以上の整数）、この例では４個の液処理部２１〜２４が横方向（図中Ｙ軸方向）に並んで配列した状態で共通の筐体２０の中に設けられている。これら液処理部２１〜２４は同様の構成であるので、図２において液処理部２１を例にして詳細な説明を述べる。

図２中３はウエハＷの裏面側中央部を吸引吸着して水平に保持するための基板保持部をなすスピンチャックである。このスピンチャック３は、軸部３１を介して駆動機構３２に接続されており、この駆動機構３２によりウエハＷを保持した状態で回転及び昇降自在に構成されている。このスピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁外側には、このウエハＷを囲むようにして上部側が開口するカップ体４が設けられている。カップ体４の側周面上端側は内側に傾斜しており、カップ体４の底部側には凹部状をなす液受け部４１がウエハＷの周縁下方側に全周に亘って設けられている。この液受け部４１は、区画部材４２によって外側領域４１ａと内側領域４１ｂとに区画されており、外側領域４１ａの底部には貯留した塗布液などのドレインを排出するための排液口４３が設けられ、また内側領域の底部には例えば二つの排気口４４，４５が設けられている。

さらにウエハＷの下方側には円形板４６が設けられており、この円形板４６の外側を囲むようにしてリング部材４７が設けられている。このリング部材４７の外端面には下方に伸びる端板４８が前記外側領域４１ａ内に進入するようにして設けられており、この端板４８及びリング部材４７の表面を伝わって塗布液が外側領域４１ａ内に案内されるように構成されている。なお図示は省略するが、ウエハＷの裏面側を支持して昇降可能な昇降ピンが円形板４６を上下に貫通して設けられており、この昇降ピンと外部の搬送手段との協働作用によりスピンチャック３と前記搬送手段との間でウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

図１に説明を戻すと、図１中５は、４個の液処理部２１〜２４に対して薬液を供給するための共通の薬液ノズルであり、その先端側には、薬液であるレジスト液が吐出する細孔の吐出口を備えたノズル部５１が形成されている。この薬液ノズル５は図３にも示すように、駆動部５５例えばモータに接続された移動機構５２によりＺ方向に昇降自在、及び液処理装置２の長さ方向（Ｙ方向）に設けられたガイドレール５３に沿ってＹ軸方向に移動自在に構成されている。また図中５４は、一端側の液処理部２１の外側に設けられた前記薬液ノズル５の待機領域である。そして薬液ノズル５は、例えば前記移動機構５２により、この待機領域と、スピンチャック３上に保持されたウエハＷに対して薬液を塗布する塗布位置との間で移動自在に構成され、薬液ノズル５が前記塗布位置に位置するときには、前記ノズル部５１の吐出口がウエハＷの回転中心に対して薬液を吐出するように構成されている。この塗布位置は本発明の設定位置に相当する。この薬液ノズル５は、後述する制御部８によりその駆動が制御されるようになっている。

また図1中２５は、液処理装置２の天井部に取り付けられたフィルタユニットであり、２６は液処理装置２の底面に設けられた排気部である。前記排気部２６から所定の排気量で排気すると共に、前記フィルタユニット２５から所定流量の清浄気体を供給することにより、液処理装置２内に清浄気体のダウンフローが形成されるようになっている。また図中２７は、液処理装置２において外部の搬送手段の移動領域に臨む面に形成されたウエハＷの搬入出口である。

また図中６１〜６４は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部に塗布膜であるレジスト膜の溶剤を供給するためのエッジカット機構であり、これらエッジカット機構６１〜６４は同様の構成であるので、エッジカット機構６１を例にして図２に基づいて説明する。このエッジカット機構６１は、前記液処理部２１の近傍に設けられており、Ｌ字状に屈曲した溶剤ノズル６５と、当該溶剤ノズル６５を鉛直方向に昇降自在及び回転自在に駆動させる駆動部６６とを備えている。溶剤ノズル６５は前記駆動部６６によりスピンチャック３上に保持されたウエハＷの周縁部に前記溶剤を供給する処理位置（図２参照）と、カップ体４の外側の待機位置（図１参照）との間で移動自在に構成されている。さらに図中６７は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの裏面側に洗浄液を供給するための洗浄ノズルである。これら薬液ノズル５、溶剤ノズル６５、洗浄ノズル６７は夫々図示しない供給系を介して薬液であるレジスト液、塗布膜であるレジスト膜の溶剤、洗浄液の供給源に接続されている。

各カップ体４の底部の内側領域に設けられた二つの排出口４４，４５には夫々排気路７Ａ，７Ｂが接続されており、これら排気路７Ａ，７Ｂは途中で接合され、一つの個別排気路７として構成されている。この個別排気路７には排気量調整機構７１が介設されており、この排気量調整機構７１はその内部に第１の外気取り込み量調整部をなす第１のダンパ７２を備えている。ここで図１においては排気路７系を省略して描いている。

また図２及び図５に示すように各液処理部２１〜２４の個別排気路７の基端側は共通排気路７３に接続されている。この共通排気路７３は筐体２０内に設けられており、その一端側は筐体２０内に開口し、他端側は前記排気部２６に接続され、当該共通排気路７３の内部は排気量Ｅで吸引排気されている。また共通排気路７３内には、その一端側と、当該一端側に最も近い液処理部この例では液処理部２１の個別排気路７が接続された領域との間に、第２の外気取り込み量調整部をなす第２のダンパ７５が介設されている。

ここで排気量調整機構７１について説明すると、図２に示すように、この排気量調整機構７１は、排気量調整室７０の内部に設けられた第１の外気取り込み量調整部をなす第１のダンパ７２と、排気量調整室７０に接続された外気取り込み用の分岐路７６とを備えている。この分岐路７６の一端側は筐体２０内に開口しており、前記第１のダンパ７２は、カップ体４側からの外気の取り込み量と、前記分岐路７６側からの外気の取り込み量を調整するための手段である。この例では外気とは筐体２０内の雰囲気をいう。この実施の形態では排気量調整機構７１として、個別排気路７に排気量調整室７０を設け、その内部に第１のダンパ７２を設けると共に、排気量調整室７０に分岐路７６を設ける構成としたが、個別排気路７の内部に直接第１のダンパ７２を設けると共に、個別排気路７自体に分岐路７６を設ける構成としてもよい。

前記第１の外気取り込み量調整部は第１の状態と第２の状態に夫々設定されるように構成されている。例えば前記第１の外気取り込み量調整部として第１のダンパ７２を用いる場合には、前記第１の状態と第２の状態とは夫々ダンパ７２の開度により設定され、例えば第１のダンパ７２は第１の状態である第１の位置と、第２の状態である第２の位置との間で２段階でその開度が調整されるようになっている。前記第１の位置は、例えば図２に実線で示すように排気量調整室７０と分岐路７６の接続部位における分岐路７６の開口領域７６ａを閉じ、前記外気の取り込みを防ぐ位置であり、第１のダンパ７２をこの第１の位置に設定すると、カップ体４側からのみ外気を取り込む状態が形成される。一方前記第２の位置は図２に点線で示すように、分岐路７６の前記開口領域７６ａをある程度開放する位置であり、第１のダンパ７２をこの第２の位置に設定すると、カップ体４側のみならず、分岐路７６側からも外気を取り込む状態が形成される。

そしてこの例では、図４（ａ）に示すように第１のダンパ７２が前記第１の位置にあるときには、前記分岐路７６側から外気を取り込まずに、当該カップ体４側から外気を第１の取り込み量Ｅ１で取り込み、図４（ｂ）に示すように第１のダンパ７２が前記第２の位置にあるときには、当該カップ体４側から外気を前記第１の取り込み量Ｅ１よりも小さい第２の取り込み量Ｅ２で取り込み、かつカップ体４側及び分岐路７６側の両方の外気の取り込み量が（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）となるように構成されている。そしてこの際分岐路７６側からは、外気を取り込み量{Ｅ−Ｅ１−（ｎ−１）×Ｅ２}／（ｎ−１）で取り込むことになる。

ここで外気の取り込み量は言い換えれば排気量ということになるので、第１の取り込み量Ｅ１は第１の排気量Ｅ１、第２の取り込み量Ｅ２は第２の排気量Ｅ２、取り込み量（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）は排気量（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）に夫々相当する。

また前記第２のダンパ７５は前記共通排気路７３内への外気の取り込み量を調整するために、第１の位置と第２の位置との間で２段階でその開度を調整するように構成されている。前記第１の位置とは、前記共通排気路７３の一端側を閉じ、外気の取り込みを防ぐ位置であり、第２の位置とは、前記共通排気路７３の一端側を開き、外気を取り込む位置である。これら第１及び第２のダンパ７２，７５には、夫々の開度を調整するための駆動部７７，７８が夫々接続されており、これら駆動部７７，７８は制御部８により制御されるようになっている。

ここでこの液処理装置２におけるウエハＷの処理について簡単に説明する。レジスト塗布の前工程が行われたウエハＷは搬入出口２７を介して図示しない搬送手段により筐体２０内の液処理部２１に搬送される。そして液処理部２１では、前記昇降ピンと前記搬送手段との協働作用によりウエハＷがスピンチャック３の上に水平に保持される。次いで薬液ノズル５を待機領域５４から当該液処理部２１における前記塗布位置まで移動し、ここからウエハＷ表面の回転中心に薬液を滴下すると共に、スピンチャック３を例えば１０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させる。こうして薬液を回転の遠心力によりウエハＷの径方向に広げるレジスト塗布工程（薬液塗布工程）を行う。

次いでウエハＷを例えば２５００ｒｐｍ程度の回転数で回転させることにより、ウエハＷの表面に塗布された薬液の膜厚を調整しながら乾燥させる成膜乾燥工程を行う。しかる後、溶剤ノズル６５により、ウエハＷの表面側の周縁部にレジスト膜の溶剤を供給すると共に、ウエハＷの裏面側に洗浄ノズル６７から洗浄液を供給しながら、スピンチャック３を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させる。こうしてウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜を除去するエッジカット工程と、ウエハＷの裏面側を洗浄する洗浄工程とを同時に行う。この後スピンチャック３を２０００ｒｐｍの回転数で回転させることで、前記溶剤及び洗浄液を振り切ってウエハＷの乾燥を行う乾燥工程を行う。

このように液処理部２１にて一連の工程が行われた処理後のウエハＷは前記搬送手段により搬出入口２７を介して筐体２０から搬出され、次の工程に搬送される。そしてこの例では４つの液処理部２１〜２４が設けられているので、処理前のウエハＷは前記搬送手段により、液処理部２１、液処理部２２、液処理部２３、液処理部２４に対して順次受け渡され、各液処理部２１〜２４では、ウエハＷが受け渡された順に、既述のレジスト液塗布工程→成膜乾燥工程→エッジカット工程（裏面洗浄工程を含む。以下においても同様に、エッジカット工程は裏面洗浄工程を同時に行うものとする）→乾燥工程が順次実施され、処理済みのウエハＷは、前記搬送手段により、液処理部２１、液処理部２２、液処理部２３、液処理部２４から順次液処理装置２の外部へ搬出される。

次に前記制御部８に関して図５を参照して説明する。図５において、８０はバスであり、このバス８０には記憶部及びＣＰＵなどが接続されているが、図５ではこれらを機能的に表現し、ブロック化して表している。ダンパ用プログラム８１は、薬液ノズル５の位置に基づいて、第１のダンパ７２及び第２のダンパ７５の駆動部７７，７８に開度指令を出力するように構成されている。この実施の形態において、第１のダンパ７２は液処理部２１〜２４毎に設けられているので、説明の便宜上、液処理部２１〜２４を夫々１号機２１〜４号機２４とし、液処理部２１では第１のダンパ７２ａ、液処理部２２では第１のダンパ７２ｂ、液処理部２３では第１のダンパ７２ｃ、液処理部２４では第１のダンパ７２ｄとする。

前記ダンパ用プログラム８１は、記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）などに格納され、制御部８であるコンピュータにインストールされ、プログラム格納部に格納されることになる。
具体的に説明すると、上述した液処理装置２の各液処理部２１〜２４では、既述のようにウエハＷの処理目的に応じて、カップ体４内に「第１の取り込み量Ｅ１」、「第２の取り込み量Ｅ２」と２つの外気取り込み状態を形成するように排気が行われている。この第１の取り込み量Ｅ１は第２の取り込み量Ｅ２よりも大きい量に設定されており、取り込み量が多いとは排気量が大きいことを意味している。
ここで第１の取り込み量Ｅ１とは、既述のレジスト塗布工程時において、カップ体４内に取り込まれる外気量のことである。この工程では、ウエハＷの中心部に供給された薬液を回転の遠心力によりウエハＷの外方に広げ、さらに不要な薬液を振り切って飛散させるため、発生するミスト量が多く、このミストを排気するために、大きな外気取り込み量（排気量）が要求される。

また第２の取り込み量Ｅ２とは、液塗布工程以外の工程、つまり成膜乾燥工程、エッジカット工程、乾燥工程時において、カップ体４内に取り込まれる外気量のことである。前記成膜乾燥工程では、発生するミスト量がレジスト塗布工程に比べて少なく、ウエハＷの面内に均一な膜厚の塗布膜を形成するためには、低排気状態に設定することが好ましい。 高排気状態ではウエハＷの周縁領域が早く乾燥してしまい、当該周縁領域の膜厚が大きくなってしまうからである。また前記エッジカット工程や乾燥工程においてもミスト発生量がレジスト塗布工程に比べて少ないため、低排気状態で処理を行っても十分にミストが排気される。

そして本発明では、ダンパ用プログラム８１により薬液ノズル５が液処理部に対してウエハＷと対向する位置のカップ体４、より具体的には薬液ノズル５が液処理部に対して前記塗布位置にある一のカップ体４については、第１のダンパ７２の開度は前記第１の位置に設定し、他のカップ体４については、第１のダンパ７２の開度は前記第２の位置に設定される。このようにすると既述のように第１のダンパ７２の第１及び第２の位置が設定されているため、前記一のカップ体４については、既述の図４（ａ）に示すように当該カップ体４側から第１の取り込み量Ｅ１で外気が取り込まれるように排気が行われる。

一方前記他のカップ体４については、カップ体４内と共に、分岐路７６を介して筐体２０内の雰囲気も排気されるので、既述の図４（ｂ）に示すように当該カップ体４側から第２の取り込み量Ｅ２で外気が取り込まれ、かつ個別排気路７の第１のダンパ７２の下流側では、カップ体４側及び分岐路７６側の両方から取り込み量（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）で外気が取り込まれるように排気が行われる。

具体的には、液処理部が４個の場合には、第１の排気量Ｅ１は例えば２．０ｍ^３／ｍｉｎ〜３．０ｍ^３／ｍｉｎ程度好ましくは２．４ｍ^３／ｍｉｎ程度に設定され、第２の排気量Ｅ２は例えば１．０ｍ^３／ｍｉｎ〜２．０ｍ^３／ｍｉｎ程度好ましくは１．５ｍ^３／ｍｉｎ程度に設定される。このようにレジスト膜の形成処理では第１の取り込み量Ｅ１と第２取り込み量Ｅ２の好適な排気量が存在するので、これらの排気量を勘案して液処理部の好適な配列数が設定される。この際液処理部の配列数が少ないとスループットの向上が図りにくく、液処理部の配列数が多すぎると薬液ノズルの負担が大きくなりすぎて、スループットの低下を招く恐れがあるので、これらを考慮すると液処理部の個数ｎは、３≦ｎ≦６であることが望ましい。

また第２のダンパ７５については、薬液ノズル５がいずれかの液処理部に対してウエハＷと対向する位置、より具体的には前記薬液ノズル５がいずれかの液処理部において前記塗布位置にあるときには、当該ダンパ７５を第１の位置（共通排気路７３の一端側を閉じる位置）に設定し、薬液ノズル５がいずれの液処理部に対してもウエハＷと対向する位置、より具体的には前記薬液ノズル５がいずれの液処理部においても前記塗布位置にないときには、当該ダンパ７５を第２の位置（共通排気路７３の一端側を開く位置）に設定するようにダンパ用プログラム８１から第２のダンパ７５の駆動部７８に開度司令を出力する。ここでこの第２のダンパ７５が第２の位置に設定されるのは、薬液ノズル５が待機領域にあるときや、薬液ノズル５が移動しているときである。

ダンパ用プログラム８１による第１及び第２のダンパ７２、７５の切り替えのタイミングについては処理に応じて適宜設定されるが、この例では、薬液ノズル５が前記液処理部における前記塗布位置にあるか否かを基準にして判断される。つまり前記薬液ノズル５が前記塗布位置に来たときに、当該液処理部では第１のダンパ７２が第２の位置から第１の位置へ切り替えられると共に、第２のダンパ７５が第１の位置に切り替えられる。また薬液ノズル５が前記塗布位置から離れたときに当該液処理部では第１のダンパ７２が第１の位置から第２の位置へ切り替えられると共に、第２のダンパ７５が第２の位置に切り替えられる。

ここで薬液ノズル５が前記塗布位置にあるか否かについては、例えば予め各液処理部において薬液ノズル５の前記塗布位置にあるときの位置データを把握しておき、薬液ノズル５がこの位置にあるか否かを判断するようにしてもよいし、ノズルの駆動部５５側にて薬液ノズル５が前記塗布位置にある旨を把握し、これに基づいてダンパ用プログラム７１にて第１及び第２のダンパ７２，７５の開度制御を行うようにしてもよい。例えば前記駆動部５５のモータをエンコーダに接続し、これにより薬液ノズル５の位置データを把握するようにしてもよい。

続いて既述の液処理ユニットの作用と重複する箇所もあるが、液処理ユニット内にて行われる排気量の制御について図を参照して説明する。図６（ａ）は、アイドル状態を示している。このアイドル状態とは、薬液ノズル５が待機領域５４にあり、１号機２１〜４号機２４の液処理部のいずれにもウエハＷが搬送されていない状態である。このアイドル状態では、４台の液処理部では全ての第１のダンパ７２を前記第２の位置に設定して、４台のカップ体４側から第２の取り込み量Ｅ２で外気を取り込むと共に、第２のダンパ７５を第２の位置に設定して、共通排気路７３の一端側を開く。このようにすると４台のカップ体４における第１のダンパ７２の下流側ではＥ３＝（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）の取り込み量で外気を取り込むように排気されることになるが、液処理装置２の共通排気路７３では常に総排気量Ｅで排気されているので、第２のダンパ７５を開いて共通排気路７３の内部に外気の取り込みを行っている。

このときの排気量の具体的な数値について一例を挙げると、総排気量Ｅが１０．０ｍ^３／ｍｉｎ、設定される第２の取り込み量Ｅ２が１．５ｍ^３／ｍｉｎ、分岐路７６による外気の取り込み量Ｅｍ１は夫々０．６ｍ^３／ｍｉｎ、前記共通排気路７３による外気の取り込み量Ｅｍ２は１．０ｍ^３／ｍｉｎ、その他の外気取り込み量（排気量）は０．４ｍ^３／ｍｉｎである。ここでその他の外気取り込み量（排気量と）は、例えば薬液ノズル５の移動機構５２等を介して行われる外気の取り込み量の総量である。

図６（ｂ）は、１号機２１の液処理部においてレジスト塗布工程を実施する状態を示している。この状態では、薬液ノズル５が１号機２１に対して薬液を塗布する塗布位置にあるので、当該１号機２１では第１のダンパ７２が第１の位置に切り替えられると共に、第２のダンパ７５が第１の位置に切り替えられる。このようにすると、１号機２１ではカップ体４側から第１の取り込み量Ｅ１で排気され、２号機２２〜４号機２４ではカップ体４側から第２の取り込み量Ｅ２で排気されることになる。ここで第１及び第２のダンパ７２，７５の切り替えのタイミングは、既述のとおりである。

このときの排気量の具体的な数値について一例を挙げると、総排気量Ｅが１０．０ｍ^３／ｍｉｎ、設定される第１の取り込み量Ｅ１が３．３ｍ^３／ｍｉｎ、第２の取り込み量Ｅ２が１．５ｍ^３／ｍｉｎ、分岐路７６による外気の取り込み量Ｅｍ１は夫々０．６ｍ^３／ｍｉｎ、前記供給排気路７３による外気の取り込み量Ｅｍ２は０ｍ^３／ｍｉｎ、その他の外気取り込み量は０．４ｍ^３／ｍｉｎである。

続いて図７（ａ）では、薬液ノズル５が１号機２１の液処理部から２号機２２の液処理部に移動し、２号機２２においてレジスト塗布工程を実施する状態を示している。この状態では、薬液ノズル５が２号機２２に対して薬液を塗布する塗布位置にあるので、当該２号機２２では第１のダンパ７２が第１の位置に切り替えられると共に、第２のダンパ７５が第１の位置に設定される。このようにすると、２号機２２ではカップ体４側から第１の取り込み量いＥ１で排気され、１号機２１、３号機２３、４号機２４ではカップ体４側から第２の取り込み量Ｅ２で排気されることになる。このときの外気の取り込み量の具体的な数値については、図６（ｂ）に示す例と同様である。

最後に図７（ｂ）では、薬液ノズル５が２号機２２の液処理部から３号機２３の液処理部に移動するときの排気状態を示している。この状態では、既述のアイドル状態と同様に、薬液ノズル５がいずれの液処理部の塗布位置に存在しないので、４台の液処理部２１〜２４においては全ての第１のダンパ７２を前記第２の位置に設定すると共に、第２のダンパ７５を第２の位置に設定して共通排気路７３の一端側を開く。このときの排気量の具体的な数値については、図６（ａ）に示す例と同様である。

上述の実施の形態によれば、ｎ個の液処理部を横方向に配列し、共通の薬液ノズル５を用いて液処理部に保持されたウエハＷに対して薬液塗布を行っているため、複数の液処理部が設けられるとしても、高排気量（第１の取り込み量Ｅ１）での排気が要求されるレジスト塗布工程を実施する液処理部は一つとなる。従ってレジスト塗布工程を実施する液処理部においては、カップ体４側から第１の取り込み量Ｅ１で外気を取り込み、残りの液処理部においてはカップ体４側から第２の取り込み量Ｅ２で外気を取り込むと共に、カップ体４側及び分岐路７６側から外気を取り込み量（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）で取り込むように第１のダンパ７２を構成することにより、液処理部の個数を増加しても、従来に比べて総排気量の増大を抑えることができる。

ここで総排気量Ｅと第１の取り込み量Ｅ１（第１の排気量Ｅ１）とはＥ＝（ｎ−１）×Ｅ１の関係にあり、前記第１の取り込み量Ｅ１はスピンコーティング時に要求される高排気量に相当する。このためｎ個のカップ体４を備えた液処理装置で要求される総排気量Ｅは、従来では既述のようにＥ＝ｎ×Ｅ１であるのに対し、本発明ではＥ＝（ｎ−１）×Ｅ１の排気量で済むことから、従来の構成では３個のカップ体４を配列した場合に相当する総排気量で、４個のカップ体４の排気を賄うことができる。このように液処理装置２の総排気量Ｅについては変えずに、液処理部の個数を増加することができるので、この意味で液処理部の個数を増加しても、従来に比べて総排気量の増大を抑えることができる。

今後スループット向上の観点から、１台の液処理装置２に組み込む液処理部の配列数を増加することが要請されているが、本発明のように液処理部を増加しても液処理装置２における総排気量Ｅの増大を抑えることができれば、有機排気量の増加を防いで状態で高いスループットを確保することができるので、液処理装置としての商品価値を高めることができる。

これに対して、１つの液処理部に１つの薬液ノズルを備える構成では、複数の液処理部が設けられている場合、２つ以上の液処理部にてレジスト塗布工程が行われる場合があり、この場合には高排気量で排気しなければならない液処理部が２つ以上なってしまうため、残りの液処理部については低排気量で排気したとしても、カップ体の配列数を増やした場合には、結果として総排気量は増大してしまう。

また上述の実施の形態においては、前記外気取り込み量の制御は、第１のダンパ７２及び第２のダンパ７５の開度調整により行っているが、既述のように薬液ノズル５の位置に基づいて第１のダンパ７２及び第２のダンパ７５の開度の制御を行っているので制御が容易である。

以上において、各薬液ノズル５の位置による第１及び第２のダンパ７２の開度の切り変えは、処理レシピに、夫々の工程と、第１のダンパ７２及び第２のダンパ７５の開度を対応して記載して制御するようにしてもよいし、薬液ノズル５の位置と第１のダンパ７２及び第２のダンパ７５の開度とを対応づけたデータテーブルを作成して、これに基づいて制御するようにしてもよい。

続いて前記液処理装置を組み込んだ塗布、現像装置に、露光部（露光装置）を接続したレジストパターン形成システムの一例について簡単に説明する。図８は前記システムの平面図であり、図９は同システムの斜視図である。この装置には、キャリアブロックＳ１が設けられており、このブロックＳ１では、載置台１０１上に載置された密閉型のキャリア１００から受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、当該ブロックＳ１に隣接された処理ブロックＳ２に受け渡すと共に、前記受け渡しアームＣが、処理ブロックＳ２にて処理された処理済みのウエハＷを受け取って前記キャリア１００に戻すように構成されている。

前記処理ブロックＳ２は、図９に示すように、この例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を下から順に積層して構成されている。

前記第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する本発明の液処理装置と、この液処理装置にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理ユニット群と、前記塗布処理装置と処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行なう搬送アームＡ２，Ａ４とを備えている。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３においては、前記薬液がレジスト液であり、疎水化処理ユニットが組み込まれることを除けば同様の構成である。一方、第１の処理ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については、例えば一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像ユニットが２段に積層されている。そして当該ＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像ユニットにウエハＷを搬送するための共通の搬送アームＡ１が設けられている。さらに処理ブロックＳ２には、図８及び図１０に示すように、棚ユニットＵ１が設けられ、この棚ユニットＵ１の各部同士の間では、前記棚ユニットＵ１の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤ１によってウエハＷが搬送される。

このようなレジストパターン形成装置では、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ１の一つの受け渡しユニット、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する受け渡しユニットＣＰＬ２に受け渡しアームＣによって順次搬送され、ここからウエハＷは受け渡しユニットＣＰＬ３及び搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、疎水化処理ユニットにおいてウエハ表面が疎水化された後、液処理装置２にてレジスト膜が形成される。レジスト膜形成後のウエハＷは、搬送アームＡ３により、棚ユニットＵ１の受け渡しユニットＢＦ３に受け渡される。

その後、この場合はウエハＷは受け渡しユニットＢＦ３→受け渡しアームＤ１→受け渡しユニットＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、レジスト膜の上に反射防止膜が形成された後、搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡される。なおレジスト膜の上の反射防止膜を形成しない場合や、ウエハＷに対して疎水化処理を行う代わりに、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２にて反射防止膜が形成される場合もある。

一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ１に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＥが設けられている。レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しユニットＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送され、インターフェイスブロックＳ３に取り込まれることになる。なお図１０中のＣＰＬが付されている受け渡しユニットは、温調用の冷却ユニットを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しユニットは、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。

次いで、ウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ２の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＳ２に戻される。戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ５における受け渡しアームＣのアクセス範囲の受け渡し台に搬送され、受け渡しアームＣを介してキャリア１００に戻される。なお図８においてＵ３は各々加熱部と冷却部等を積層した処理ユニット群である。

本発明の液処理装置は、反射防止膜形成処理を行う液処理装置や、現像処理を行う現像処理装置にも適用できる。

本発明の液処理装置の一実施の形態を示す平面図と断面図である。 前記液処理装置に設けられる液処理部の一部を示す断面図である。 前記液処理装置に設けられる薬液ノズルを示す斜視図である。 前記液処理装置に設けられる第１のダンパの作用を説明するための説明図である。 前記液処理装置に設けられる排気系を示す説明図である。 前記液処理装置にて行われる液処理方法を示す工程図である。 前記液処理装置にて行われる液処理方法を示す工程図である。 前記液処理装置が組み込まれるレジストパターン形成装置を示す平面図である。 前記レジストパターン形成装置を示す斜視図である。 前記レジストパターン形成装置を示す断面図である。 従来の液処理装置における排気系を示す説明図である。 従来の液処理装置における排気系を示す説明図である。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ
２ 液処理装置
２１〜２４ 液処理部
３ スピンチャック
４ カップ体
５ 薬液ノズル
６１〜６４ エッジカット機構
７Ａ，７Ｂ，７ 排気路
７１ 排気量調整機構
７２ 第１のダンパ
７３ 共通排気路
７４ 排気手段
７５ 第２のダンパ
７６ 分岐路
７７，７８ 駆動部
８ 制御部

Claims (6)

1. 共通の筐体内に互いに並んで配列されると共に、その周囲をカップ体にて取り囲むように設けられたｎ個（ｎは３以上の整数）の基板保持部を備え、この基板保持部に保持された基板に対して、前記基板保持部の配列方向に移動可能に設けられた共通の薬液ノズルから薬液を供給しながら当該基板保持部を回転させることにより、当該基板に対して薬液の塗布を行なう液処理装置において、
   ａ） ｎ個のカップ体に夫々接続されると共に、前記筐体内に開口する分岐路を備えたｎ個の個別排気路と、
   ｂ） 前記ｎ個の個別排気路の下流側に共通に接続されると共に、一端側から排気量Ｅで吸引排気され、他端側は前記筐体内に開口する共通排気路と、
   ｃ） 前記ｎ個の個別排気路に夫々接続され、前記カップ体側からの外気の取り込み量と、前記分岐路側からの外気の取り込み量とを調整するために第１の状態及び第２の状態の一方の状態に設定される主外気取り込み量調整部と、
   ｄ） 前記共通排気路の他端側に設けられ、当該共通排気路に外気を取り込まない第１の状態及び前記共通排気路に外気を取り込む第２の状態の一方に設定される補助外気取り込み量調整部と、
   ｅ） 前記薬液ノズルがｎ個の基板保持部のうちの一つの基板保持部上の基板と対向する設定位置にある「使用状態時」には、当該一つの基板保持部を囲む一のカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第１の状態に、また他の残りのカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第２の状態に、更にまた前記補助外気取り込み量調整部を、共通排気路を閉じて外気を取り込まない第１の状態に夫々設定するための制御信号を出力し、
   前記薬液ノズルが前記設定位置にない「アイドリング状態時」には、全てのカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第２の状態に、更にまた前記補助外気取り込み量調整部を第２の状態に夫々設定するための制御信号を出力する制御部と、を備え、
   ｆ） 前記「使用状態時」において、前記主外気取り込み量調整部が前記第１の状態にあるときには、前記分岐路側から外気を取り込まずに当該カップ体側から外気を第１の取り込み量Ｅ１で取り込み、前記第２の状態にあるときには、当該カップ体側から外気を前記第１の取り込み量Ｅ１よりも小さい第２の取り込み量Ｅ２で取り込みかつカップ体側及び分岐路側の両方の外気の取り込み量が（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）となるように、前記主外気取り込み量調整部が構成され、
   ｇ） 前記「アイドリング状態時」において、前記主外気取り込み量調整部がカップ体側から外気を前記第２の取り込み量Ｅ２で取り込むように、前記補助外気取り込み量調整部の第２の状態が設定されており、
   ｈ） 前記Ｅは、Ｅ＝（ｎ−１）×Ｅ１であることを特徴とする液処理装置。
2. 前記主外気取り込み量調整部はダンパであることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
3. 前記補助外気取り込み量調整部はダンパであることを特徴とする請求項１又は２記載の液処理装置。
4. 前記ｎ個の基板保持部が配列される数は、３≦ｎ≦６であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の液処理装置。
5. 共通の筐体内に互いに並んで配列されると共に、その周囲をカップ体にて取り囲むように設けられたｎ個（ｎは３以上の整数）の基板保持部を備え、この基板保持部に保持された基板に対して、前記基板保持部の配列方向に移動可能に設けられた共通の薬液ノズルから薬液を供給しながら当該基板保持部を回転させることにより、当該基板に対して薬液の塗布を行なう液処理方法において、
   ａ） ｎ個のカップ体に夫々接続されると共に、前記筐体内に開口する分岐路を備えたｎ個の個別排気路と、
   前記ｎ個の個別排気路の下流側に共通に接続されると共に、一端側から排気量Ｅで吸引排気され、他端側は前記筐体内に開口する共通排気路と、
   前記ｎ個の個別排気路に夫々接続され、前記カップ体側からの外気の取り込み量と、前記分岐路側からの外気の取り込み量とを調整するために第１の状態及び第２の状態の一方の状態に設定される主外気取り込み量調整部と、
   前記共通排気路の他端側に設けられ、当該共通排気路に外気を取り込まない第１の状態及び前記共通排気路に外気を取り込む第２の状態の一方に設定される補助外気取り込み量調整部と、を用い、
   ｂ） 前記薬液ノズルがｎ個の基板保持部のうちの一つの基板保持部上の基板と対向する設定位置にある「使用状態時」には、当該一つの基板保持部を囲む一のカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第１の状態に、また他の残りのカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第２の状態に、更にまた前記補助外気取り込み量調整部を、共通排気路を閉じて外気を取り込まない第１の状態に夫々設定する工程と、
   前記薬液ノズルが前記設定位置にない「アイドリング状態時」には、全てのカップ体に対応する前記主外気取り込み量調整部を第２の状態に、更にまた前記補助外気取り込み量調整部を第２の状態に夫々設定する工程と、を備え、
   ｃ） 前記「使用状態時」において、前記主外気取り込み量調整部が前記第１の状態にあるときには、前記分岐路側から外気を取り込まずに当該カップ体側から外気を第１の取り込み量Ｅ１で取り込み、前記第２の状態にあるときには、当該カップ体側から外気を前記第１の取り込み量Ｅ１よりも小さい第２の取り込み量Ｅ２で取り込みかつカップ体側及び分岐路側の両方の外気の取り込み量が（Ｅ−Ｅ１）／（ｎ−１）となるように、前記主外気取り込み量調整部が構成され、
   前記「アイドリング状態時」において、前記主外気取り込み量調整部がカップ体側から外気を前記第２の取り込み量Ｅ２で取り込むように、前記補助外気取り込み量調整部の第２の状態が設定されており、
   前記Ｅは、Ｅ＝（ｎ−１）×Ｅ１であることを特徴とする液処理方法。
6. 基板に対して薬液を塗布する液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
   前記プログラムは、請求項５に記載された液処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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