JP5364319B2 - アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物 - Google Patents
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Description
非イオン性界面活性剤(成分A)と、
水(成分B)と、
ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ジメチルベンゼンスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸およびこれらの塩からなる群から選ばれる一種以上の化合物(成分C)と、
水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群より選ばれる一種以上のアルカリ剤(成分D)と、を含有し、
前記非イオン性界面活性剤(成分A)の含有量が、0.5〜20重量%であり、
25℃におけるpHが12以上である。
金属表面又はガラス表面を有し、当該表面に対して研磨液スラリーを用いた研磨が施された被洗浄基板を、本発明の硬質表面の洗浄方法を用いて洗浄する工程を含む。
記録媒体用基板と、前記記録媒体用基板の一方の主面側に配置された磁性層又は両主面側に各々に配置された磁性層とを含む記録媒体の製造方法であって、
被研磨基板に対して少なくとも研磨処理と洗浄処理とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、前記記録媒体用基板を形成するサブストレート形成工程と、
1以上の前記磁性層を形成する磁性層形成形成工程とを含み、
複数回行われる前記洗浄処理のうちの最後の洗浄処理を行う際に、本発明の硬質表面用洗浄剤を用いて前記被研磨基板を洗浄する。
ガラス基板と、前記ガラス基板の一方の主面側に配置された遮光金属パターン層とを含むフォトマスクの製造方法であって、
被研磨基板に対して少なくとも研磨処理と洗浄処理とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、前記ガラス基板を形成する工程と、
前記ガラス基板上に前記遮光金属パターン層を形成する工程と、を含み、
複数回行われる前記洗浄処理のうちの最後の洗浄処理を行う際に、本発明の硬質表面用洗浄剤を用いて前記被研磨基板を洗浄する。
ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された電極層とを含むフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法であって、
被研磨基板に対して少なくとも研磨処理と洗浄処理とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、前記ガラス基板を形成する工程と、
前記ガラス基板上に前記電極層を形成する工程と、を含み、
複数回行われる前記洗浄処理のうちの最後の洗浄処理を行う際に、本発明の硬質表面用洗浄剤を用いて前記被研磨基板を洗浄する。
非イオン性界面活性剤(成分A)と、水(成分B)と、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群より選ばれる一種以上のアルカリ剤(成分D)と、を含有する非イオン性界面活性剤含有アルカリ性組成物の保存方法であって、
前記非イオン性界面活性剤含有アルカリ性組成物中に、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ジメチルベンゼンスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸及びこれらの塩からなる群から選ばれる一以上の化合物(成分C)を共存させ、
前記非イオン性界面活性剤含有アルカリ性組成物と前記成分Cとの総量中の前記非イオン性界面活性剤の含有量が、0.5〜20重量%であり、
前記非イオン性界面活性剤含有アルカリ性組成物と前記成分Cとの混合物の25℃におけるpHが12以上である。
非イオン性界面活性剤(成分A)と、水(成分B)と、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群より選ばれる一種以上のアルカリ剤(成分D)を含み、アルカリ度が高い非イオン性界面活性剤含有アルカリ性組成物を、比較的高温下で保存すると、組成物が白濁し、変質して、洗浄性が劣化するという課題があった。上記非イオン性界面活性剤含有アルカリ性組成物中の上記アルカリ剤の含有量がより多くなると、洗浄性の劣化の程度は顕著であった。
界面活性剤組成物に含まれる非イオン性界面活性剤(成分A)としては、例えば、下記の一般式(1)で表される非イオン性界面活性剤が、洗浄性の向上、排水処理性の向上、及び環境保全性の向上の観点から好ましい。
R1−O−(EO)m(PO)n−H (1)
式中、R1は炭素数8〜18のアルキル基、炭素数8〜18のアルケニル基、炭素数8〜18のアシル基、又は炭素数14〜18のアルキルフェニル基である。EOはオキシエチレン基、POはオキシプロピレン基である。m及びnは、それぞれEO及びPOの平均付加モル数である。mは1〜20の数、nは0〜20の数を表す。(EO)m(PO)nにおける、EOとPOの配列はブロックでもランダムでもよい。
界面活性剤組成物には、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群より選ばれる一種以上のアルカリ剤(成分D)が含まれるが、界面活性剤組成物による洗浄性を高める観点から、アルカリ剤は水酸化カリウムが好ましい。
界面活性剤組成物に含まれる水(成分B)は、溶媒としての役割を果たすことができるものであれば特に制限はなく、例えば、超純水、純水、イオン交換水、または蒸留水等を挙げることができるが、超純水、純水、またはイオン交換水が好ましく、超純水がより好ましく使用される。尚、純水及び超純水は、例えば、水道水を活性炭に通し、イオン交換処理し、さらに蒸留したものを、必要に応じて所定の紫外線殺菌灯を照射、又はフィルターに通すことにより得ることができる。例えば、25℃での電気伝導率は、多くの場合、純水で1μS/cm以下であり、超純水で0.1μS/cm以下を示す。尚、界面活性剤組成物は、溶媒として上記水に加えて水系溶媒(例えば、エタノール等のアルコール)をさらに含んでいてもよいが、界面活性剤組成物に含まれる溶媒は水のみからなると好ましい。
界面活性剤組成物に含まれる、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ジメチルベンゼンスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸およびこれらの塩からなる群から選ばれる一種以上の化合物(成分C)の含有量は、曇点向上効果をより十分に得る観点から、1〜30重量%であると好ましく、2〜20重量%であるとより好ましく、界面活性剤組成物を希釈して使用する際に、界面活性剤組成物による十分な洗浄性が確保される希釈倍率の希釈液について、硬質表面に成分Cを過度に残留させることのない良好なすすぎ性が得られるという理由から、2〜15重量%であるとさらに好ましい。
界面活性剤組成物には、成分A,B、C、D以外に、シリコン系の消泡剤、EDTA等のようなキレート剤(成分E)、水溶性高分子(成分F)、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていてもよい。
界面活性剤組成物には、金属イオンに対する洗浄性を向上させる観点から、キレート剤が含まれていると好ましい。キレート剤としては、グルコン酸、グルコヘプトン酸などのアルドン酸類;エチレンジアミン四酢酸などのアミノカルボン酸類;クエン酸、リンゴ酸などのヒドロキシカルボン酸類;アミノトリメチレンホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸などのホスホン酸類;およびこれらのアルカリ金属塩、低級アミン塩、アンモニウム塩、アルカノールアンモニウム塩が挙げられる。より好ましくは、グルコン酸ナトリウム、グルコヘプトン酸ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、クエン酸ナトリウムまたはヒドロキシエチリデンジホスホン酸ナトリウムである。これらのキレート剤は、単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。
界面活性剤組成物には、無機微粒子の分散性を向上させる観点から、水溶性高分子が含まれていてもよく、水溶性高分子としては、カルボン酸系共重合体が好ましい。
成分fは、アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる群より選ばれる1又は2以上の化合物由来の構成単位A1を、全構成単位中好ましくは20モル%以上含有し、かつ、構成単位A1と2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位A2とを91/9〜95/5のモル比(MA1/MA2)で含有する共重合体である。界面活性剤組成物に、この共重合体が含まれていると、界面活性剤組成物の良好なすすぎ性を維持しつつ、ゼータ電位の向上に伴う界面活性剤組成物の分散性が良好な状態で基板の洗浄ができるという優れた効果が奏される。
カラム:G4000PWXL+G2500PWXL(東ソ−(株)製)
溶離液:0.2Mリン酸バッファ−/CH3CN=9/1(容量比)
流量:1.0mL/min
カラム温度:40℃
検出:RI
サンプルサイズ:0.2mg/mL
標準物質:ポリエチレングリコール換算
本発明の硬質表面用洗浄剤は、本発明の界面活性剤組成物のみからなる。よって、本発明の硬質表面用洗浄剤の各成分の好適な態様は、本発明の界面活性剤組成物のそれと同じである。本発明の硬質表面用洗浄剤は、そのまま、または必要に応じて希釈して用いられる。希釈倍率は、洗浄効率を考慮すると、好ましくは10〜500倍、より好ましくは20〜200倍、更に好ましくは50〜100倍である。希釈用の水は、界面活性剤組成物に含まれる成分Bと同様のものでよい。
本発明の硬質表面の洗浄方法では、上記硬質表面用洗浄剤を用いて洗浄対象である硬質表面を洗浄する工程を含む。上記工程では、例えば、(a)洗浄対象を硬質表面用洗浄剤に浸漬するか、および/または、(b)硬質表面用洗浄剤を射出して、硬質表面上に硬質表面用洗浄剤が供給される。
も複数でも良い。
表1及び表2記載の組成となるように各成分を配合及び混合することにより、実施例1〜13及び比較例1〜7の界面活性剤組成物を得た。尚、実施例1〜10、及び比較例1〜5,7の界面活性剤組成物の調製には、市販の水酸化カリウム水溶液(KOH濃度48重量%)を用いた。実施例11〜13の界面活性剤組成物の調製には、市販の水酸化ナトリウム水溶液(NaOH濃度48重量%)を用い、比較例6の界面活性剤組成物の調製には、市販のモノエタノールアミンを用いた。
一般的な研磨液スラリーを用いた研磨を施すことにより、研磨液スラリー由来の砥粒及び基板材料由来の研磨屑等の微粒子によって汚染された被洗浄基板を用意し、該基板を用いて硬質表面用洗浄剤の希釈液の微粒子に対する洗浄性を評価した。
(被洗浄基板A)
アルミナ研磨剤を含有する研磨剤スラリーで予め粗研磨して得たNi−Pメッキ基板(外径:95mmφ、内径:25mmφ、厚さ:1.27mm、表面粗さ(Ra):1nm)の両主面をさらに下記(研磨条件A)で研磨して得た基板を被洗浄基板Aとした。
研磨機:両面9B研磨機(スピ−ドファム(株)製)
研磨パッド:スエードタイプ(厚さ:0.9mm、平均開孔径:30μm、フジボウ(株)製)
研磨液:コロイダルシリカスラリー(品番:メモリード2P-2000、花王(株)製)
本研磨:荷重100g/cm2、時間 300秒、研磨液スラリー流量 100mL/min
水リンス:荷重30g/cm2、時間 20秒、リンス水流量 約2L/min
酸化セリウム研磨剤を含有するスラリーで予め2段研磨して得たアルミノシリケ−ト製のガラス基板(外径:65mmφ、内径:20mmφ、厚さ:0.635mm)をさらに下記研磨条件Bで研磨して得た基板を被洗浄基板Bとした。
研磨機:両面9B研磨機(スピ−ドファム(株)製)
研磨パッド:スエードタイプ(厚さ:0.9mm、平均開孔径:30μm、フジボウ(株)製 )
研磨液:コロイダルシリカスラリ−(品番:メモリードGP2-317、花王(株)製)
予備研磨:荷重 60g/cm2、時間 60秒、研磨液流量 100mL/min
本研磨:荷重 100g/cm2、時間 900秒、研磨液流量 100mL/min
水リンス:荷重 30g/cm2、時間 300秒、リンス水流量 約2L/min
被洗浄基板Aおよび被洗浄基板Bを各々洗浄装置(3段式:ロールブラシ(1段目)−ロールブラシ(2段目)−超音波シャワー(3段目))にて以下の条件で洗浄をした。
(1)洗浄:洗浄装置にセットされた被洗浄基板を搬送待機箇所へセットし、次いで、1枚の被洗浄基板を洗浄装置のロールブラシが在る箇所(1段目)へ搬送し、被洗浄基板の両主面の各々に、回転しているロールブラシを押し当て、硬質表面用洗浄剤の希釈液を被洗浄基板の両主面の各々に射出しながら20秒間洗浄した。硬質表面用洗浄剤の希釈液の供給量は70g/20秒とした。
(2)すすぎ:硬質表面用洗浄剤の希釈液による洗浄後の被洗浄基板を、洗浄装置のロールブラシが在る箇所(2段目)へ搬送し、次いで、上記(1)の洗浄の際と同様に、被洗浄基板の両主面の各々に、回転しているロールブラシを押し当て、常温の超純水を被洗浄基板の両主面の各々に射出しながら20秒間すすぎを行った。その後、被洗浄基板を超音波シャワーが在る箇所(3段目)へ搬送し、950kHzの超音波が付与された常温の超純水を被洗浄基板の両主面の各々に射出しながら20秒間すすぎを行った。950kHzの超音波が付与された常温の超純水の供給量は300g/20秒とした。
(3)乾燥:スピンチャックに保持された上記すすぎ後の基板を、高速回転(3000rpmで)させて液切り乾燥を1分間行った。
(1)〜(3)を経た基板表面における微粒子の洗浄性を、以下の方法で評価した。結果を表1及び表2に示す。
◎:全微粒子個数が0個である。
○:全微粒子個数が1〜2個である。
△:全微粒子個数が3〜5個である。
×:全微粒子個数が6個以上である。
尚、合格品は微粒子の洗浄性が○又は◎であるものである。
図1に、被洗浄基板Aの表面の左半分を比較例2の界面活性剤組成物からなる硬質表面用洗浄剤を3滴滴下し、基板の右半分には実施例6の界面活性剤組成物からなる硬質表面用洗浄剤を3滴滴下し、室温で放置して乾燥した後の様子を、図2に、図1に示した基板に対して下記の条件ですすぎを行った直後の様子を示している。
Claims (11)
- アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物からなる硬質表面用洗浄剤であって、
前記アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物は、
非イオン性界面活性剤(成分A)と、
水(成分B)と、
ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ジメチルベンゼンスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸およびこれらの塩からなる群から選ばれる一種以上の化合物(成分C)と、
水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群より選ばれる一種以上のアルカリ剤(成分D)と、を含有し、
前記アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物における前記非イオン性界面活性剤(成分A)の含有量が、0.5〜20重量%であり、
前記アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物の25℃におけるpHが12以上であり、
前記硬質表面用洗浄剤によって洗浄される硬質表面は、金属表面又はガラス表面を含み、
前記硬質表面が、記録媒体用基板、フォトマスク用基板、又はフラットパネルディスプレイ用基板の表面である、硬質表面用洗浄剤。 - 前記アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物が、さらに、キレート剤(成分E)を含有する請求項1に記載の硬質表面用洗浄剤。
- 前記アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物が、さらに、水溶性高分子(成分F)を含有する請求項1又は2に記載の硬質表面用洗浄剤。
- 前記非イオン性界面活性剤が、下記(式1)で表される請求項1〜3のいずれかの項に記載の硬質表面用洗浄剤。
(式1)
R1−O−(EO)m(PO)n−H
R1は、炭素数8〜18のアルキル基,炭素数8〜18のアルケニル基,炭素数8〜1
8のアシル基、又は炭素数14〜18のアルキルフェニル基であり、EOはオキシエチレン基、POはオキシプロピレン基、m及びnはそれぞれEO及びPOの平均付加モル数であり、m=1〜20,n=0〜20を表す数であり、(EO)m(PO)nにおけるEOとPOの配列はブロックでもランダムでもよい。 - 前記アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物の曇点が、65℃以上である請求項1〜4のいずれかの項に記載の硬質表面用洗浄剤。
- 請求項1〜5のいずれかの項に記載の硬質表面用洗浄剤を用いて硬質表面を洗浄する工程を含み、
前記硬質表面は、金属表面又はガラス表面を含み、
前記硬質表面は、記録媒体用基板、フォトマスク用基板、又はフラットパネルディスプレイ用基板の表面であり、
前記工程において、前記硬質表面を前記硬質表面用洗浄剤に浸漬するか、および/または、前記硬質表面用洗浄剤を射出して前記硬質表面用洗浄剤を前記硬質表面上に供給する硬質表面の洗浄方法。 - 金属表面又はガラス表面を有し、当該表面に対して研磨液スラリーを用いた研磨が施された被洗浄基板の硬質表面を、請求項6に記載の硬質表面の洗浄方法を用いて洗浄する工程を含み、
前記硬質表面は、記録媒体用基板、フォトマスク用基板、又はフラットパネルディスプレイ用基板の表面である、基板の製造方法。 - 記録媒体用基板と、前記記録媒体用基板の一方の主面側に配置された磁性層又は両主面側に各々に配置された磁性層とを含む記録媒体の製造方法であって、
被研磨基板に対して少なくとも研磨処理と洗浄処理とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、前記記録媒体用基板を形成するサブストレート形成工程と、
1以上の前記磁性層を形成する磁性層形成工程とを含み、
複数回行われる前記洗浄処理のうちの最後の洗浄処理を行う際に、請求項1〜5のいずれかの項に記載の硬質表面用洗浄剤を用いて前記被研磨基板を洗浄する、記録媒体の製造方法。 - 前記記録媒体用基板は、Ni−P含有層を両最外層として有する請求項8に記載の記録媒体の製造方法。
- ガラス基板と、前記ガラス基板の一方の主面側に配置された遮光金属パターン層とを含むフォトマスクの製造方法であって、
被研磨基板に対して少なくとも研磨処理と洗浄処理とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、前記ガラス基板を形成する工程と、
前記ガラス基板上に遮光金属パターン層を形成する工程と、を含み、
複数回行われる前記洗浄処理のうちの最後の洗浄処理を行う際に、請求項1〜5のいずれかの項に記載の硬質表面用洗浄剤を用いて前記被研磨基板を洗浄する、フォトマスクの製造方法。 - ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された電極層とを含むフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法であって、
被研磨基板に対して少なくとも研磨処理と洗浄処理とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、前記ガラス基板を形成する工程と、
前記ガラス基板上に前記電極層を形成する工程と、を含み、
複数回行われる前記洗浄処理のうちの最後の洗浄処理を行う際に、請求項1〜5のいずれかの項に記載の硬質表面用洗浄剤を用いて前記被研磨基板を洗浄する、フラットディスプレイ用基板の製造方法。
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