JP5355261B2 - プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents
プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5355261B2 JP5355261B2 JP2009160727A JP2009160727A JP5355261B2 JP 5355261 B2 JP5355261 B2 JP 5355261B2 JP 2009160727 A JP2009160727 A JP 2009160727A JP 2009160727 A JP2009160727 A JP 2009160727A JP 5355261 B2 JP5355261 B2 JP 5355261B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fly
- eye lens
- light emitting
- semiconductor light
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
2 マスク
3 ベース
4 Xガイド
5 Xステージ
6 Yガイド
7 Yステージ
8 θステージ
9 チャック支持台
10 チャック
20 マスクホルダ
30 露光光照射装置
32 コリメーションレンズ群
33 平面鏡
35 照度センサー
40 光源ユニット
41 ベース基板
41a,41b,41c 基板
42 半導体発光素子
43 拡大レンズ
45 フライアイレンズ
46 制御回路
47 冷却部材
47a 熱伝導部材
48 冷却装置
50 ミラー
Claims (6)
- 露光光を形成する光を発生する複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を搭載するベース基板と、
各半導体発光素子に対応して設けられ、各半導体発光素子から発生した光を拡大する複数の拡大レンズと、
前記複数の拡大レンズにより拡大された光が照射されるフライアイレンズとを備え、
前記複数の拡大レンズにより拡大された光を前記フライアイレンズで重ね合わせて露光光を形成するプロキシミティ露光装置であって、
前記複数の拡大レンズから前記フライアイレンズまでの光路を囲んで設けられた反射部材を備え、
前記ベース基板の外周部に搭載された半導体発光素子及びそれらに対応する拡大レンズは、当該半導体発光素子から発生して対応する拡大レンズにより拡大された光の一方の端が、前記フライアイレンズの照射面から外れない所定の角度以内で前記フライアイレンズへ入射する様に配置され、
前記反射部材は、前記ベース基板の外周部に搭載された半導体発光素子から発生して対応する拡大レンズにより拡大された光の他方の端が、当該反射部材により反射されて、前記フライアイレンズの照射面から外れない所定の角度以内で前記フライアイレンズへ入射する様に配置され、かつ、
前記ベース基板の最外周に搭載された半導体発光素子及びそれらに対応する拡大レンズは、光軸が前記フライアイレンズの外周へ向けて配置され、
前記反射部材は、当該光軸とほぼ平行に配置されたことを特徴とするプロキシミティ露光装置。 - 前記ベース基板は複数の平らな基板を組み合わせて構成され、前記複数の拡大レンズは当該基板毎にアレイ状に構成されたことを特徴とする請求項1に記載のプロキシミティ露光装置。
- 複数の半導体発光素子をベース基板に搭載して、各半導体発光素子から露光光を形成する光を発生し、
各半導体発光素子に対応して複数の拡大レンズを設け、各半導体発光素子から発生した光を対応する拡大レンズにより拡大して、フライアイレンズへ照射し、
複数の拡大レンズにより拡大した光をフライアイレンズで重ね合わせて露光光を形成するプロキシミティ露光装置の露光光形成方法であって、
複数の拡大レンズからフライアイレンズまでの光路を囲んで反射部材を設け、
ベース基板の外周部に搭載した半導体発光素子及びそれらに対応する拡大レンズを、当該半導体発光素子から発生して対応する拡大レンズにより拡大された光の一方の端が、フライアイレンズの照射面から外れない所定の角度以内でフライアイレンズへ入射する様に配置し、
反射部材を、ベース基板の外周部に搭載した半導体発光素子から発生して対応する拡大レンズにより拡大された光の他方の端が、当該反射部材により反射されて、フライアイレンズの照射面から外れない所定の角度以内でフライアイレンズへ入射する様に配置し、かつ、
ベース基板の最外周に搭載した半導体発光素子及びそれらに対応する拡大レンズの光軸を、フライアイレンズの外周へ向けて配置し、
反射部材を、当該光軸とほぼ平行に配置することを特徴とするプロキシミティ露光装置の露光光形成方法。 - 複数の平らな基板を組み合わせてベース基板を構成し、複数の拡大レンズを当該基板毎にアレイ状に構成することを特徴とする請求項3に記載のプロキシミティ露光装置の露光光形成方法。
- 請求項1又は請求項2に記載のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
- 請求項3又は請求項4に記載のプロキシミティ露光装置の露光光形成方法を用いて形成した露光光をマスクを介して基板へ照射し、基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009160727A JP5355261B2 (ja) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
KR1020100058848A KR101133371B1 (ko) | 2009-07-07 | 2010-06-22 | 프록시미티 노광 장치, 프록시미티 노광장치의 노광광 형성 방법 및 표시용 패널 기판의 제조 방법 |
CN2010102153535A CN101943867B (zh) | 2009-07-07 | 2010-06-25 | 邻近曝光装置、其曝光光束形成方法及面板基板制造方法 |
TW099121055A TWI414903B (zh) | 2009-07-07 | 2010-06-28 | 鄰近曝光裝置、其曝光光束形成方法以及顯示用面板基板的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009160727A JP5355261B2 (ja) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011017770A JP2011017770A (ja) | 2011-01-27 |
JP5355261B2 true JP5355261B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=43435914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009160727A Expired - Fee Related JP5355261B2 (ja) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5355261B2 (ja) |
KR (1) | KR101133371B1 (ja) |
CN (1) | CN101943867B (ja) |
TW (1) | TWI414903B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013171088A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
KR101649129B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2016-08-18 | (주)블루코어 | 노광용 광원모듈 유닛 및 그 광원모듈 유닛이 구비된 노광장치 |
DE102017217345B4 (de) * | 2017-09-28 | 2019-12-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optischer Strahlformer |
CN110196517B (zh) * | 2019-05-16 | 2021-09-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种紫外线照射机 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07301800A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Fujitsu General Ltd | 液晶プロジェクタの光源装置 |
JPH10261577A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-09-29 | Nikon Corp | 露光量制御方法及び該方法を使用する走査型露光装置 |
WO2000052667A1 (fr) * | 1999-03-02 | 2000-09-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif d'illumination et dispositif d'affichage associe |
TW418343B (en) * | 1999-11-16 | 2001-01-11 | Nippon Kogaku Kk | The method of projection exposure and device thereof and projection optics system |
JP2001343706A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sony Corp | 映像表示装置 |
KR20050044369A (ko) * | 2001-11-07 | 2005-05-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마스크없는 광자-전자 스팟-그리드 어레이 프린터 |
JP2003330109A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-19 | Seiko Epson Corp | 照明装置および投射型表示装置 |
SG109523A1 (en) * | 2002-08-15 | 2005-03-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus |
JP2004133127A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Sharp Corp | 露光装置 |
JP2009009144A (ja) * | 2003-04-11 | 2009-01-15 | Ricoh Co Ltd | 原稿読み取り装置及び画像形成装置 |
JP4328320B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2009-09-09 | サンエー技研株式会社 | 露光用光源 |
JP2007072371A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
JP2008070769A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Ricoh Co Ltd | 光源ユニット、照明装置およびプロジェクタ装置 |
JP4749299B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP5282368B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-09-04 | 株式会社リコー | 画像読取装置、および画像形成装置 |
WO2008101664A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element with multiple primary light sources |
JP4937808B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-05-23 | フェニックス電機株式会社 | 光源装置ならびにこれを用いた露光装置 |
JP5345443B2 (ja) * | 2009-04-21 | 2013-11-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置、露光光照射方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
-
2009
- 2009-07-07 JP JP2009160727A patent/JP5355261B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-06-22 KR KR1020100058848A patent/KR101133371B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-06-25 CN CN2010102153535A patent/CN101943867B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-28 TW TW099121055A patent/TWI414903B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101943867A (zh) | 2011-01-12 |
KR20110004276A (ko) | 2011-01-13 |
CN101943867B (zh) | 2012-11-07 |
TWI414903B (zh) | 2013-11-11 |
TW201102767A (en) | 2011-01-16 |
KR101133371B1 (ko) | 2012-04-06 |
JP2011017770A (ja) | 2011-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5345443B2 (ja) | 露光装置、露光光照射方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
US8421999B2 (en) | Projection exposure apparatus and projection exposure method | |
TWI381253B (zh) | 曝光裝置、曝光方法以及顯示用面板基板的製造方法 | |
TWI608309B (zh) | 曝光用光源模組單元及具備該光源模組單元的曝光裝置 | |
JP4749299B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
TW200937141A (en) | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method | |
JP5355261B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2013171088A (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2011134932A (ja) | 光源ユニット、露光光照射装置、露光装置及び表示パネル基板の製造方法並びに半導体発光素子部の検査装置及び検査方法 | |
JP2007033882A (ja) | 露光装置及び露光方法並びに配線基板の製造方法 | |
JP2006351586A (ja) | 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 | |
JP5394320B2 (ja) | 光源ユニット、光源ユニットの光軸調整方法、プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光照射方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2012220619A (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2011242563A (ja) | 露光装置、露光装置のランプ位置調整方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2011237596A (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP5456620B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光照射方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JPWO2009150913A1 (ja) | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP5306020B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板移動方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2012252296A (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光照射方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2013200529A (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光照射方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2003076030A (ja) | 露光装置における光照射装置 | |
JP2014149391A (ja) | パターン形成装置及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111005 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130812 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |