JP5201465B2 - 画像形成装置 - Google Patents
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Description
このような画像形成装置においては、センサ検知結果から現像ポテンシャルを求めれば、予め用意しておいたデータテーブルを参照するだけで、好適な帯電バイアス等に調整できるので、その調整の制御が非常に簡素であるという利点がある。
本発明者の研究の結果、このような感光体は、画像形成時に使用する露光量範囲内において、露光量と露光部電位VLとの対応関係が、経時的に、また、環境変動によっても、大きく変化することが確認された。
なお、本明細書において、「露光量」とは、光源のパワー(以下「露光パワー」という。)に対し、感光体表面上の単位面積(例えば1ドット静電潜像の面積)に対する露光時間(以下、「単位露光時間」という。)を乗じたものである。
このグラフから、上記特定の感光体は残留露光部電位Vrが経時的にも大きく変化することが確認できる。したがって、この特定の感光体は、画像形成時に使用する露光パワーの範囲内における露光パワーと露光部電位VLとの対応関係が経時的にも大きく変化することが理解できる。
上記算出式中、「Vpl」は上記調整用露光部電位であり、「Vd」は上記検知帯電電位又は上記目標帯電電位であり、「Vr」は上記検知残留電位であり、「a」は、上記調整用露光部電位Vplの算出にあたって上記低露光量領域に属する算出結果を得るための予め決められた定数である。
また、請求項2の発明は、請求項1の画像形成装置において、上記制御手段は、上記調整用露光部電位から上記プレ基準露光量を求めるにあたり、1ドット静電潜像当たりの露光時間である単位露光時間が上記調整用高露光量の単位露光時間よりも短い短露光時間に設定された互いに異なる複数の露光パワーで露光することで、上記帯電手段により帯電した感光体表面部分を上記低露光量領域に属する複数の低露光量で露光した後、各露光部の電位を上記電位検知手段で検知し、該複数の低露光量とそれぞれに対応する該電位検知手段の検知結果とから、該短露光時間で感光体表面を露光したときの露光部電位が上記調整用露光部電位となる露光パワーを算出し、算出した露光パワーと上記短露光時間とから上記プレ基準露光量を得ることを特徴とするものである。
また、請求項3の発明は、請求項2の画像形成装置において、上記基準露光量の単位露光時間は上記調整用高露光量の単位露光時間と同じ時間に設定されるものであり、上記制御手段は、上記短露光時間に対する上記調整用高露光量の単位露光時間の比率を上記プレ基準露光量の露光パワーに乗じることにより得られる、上記調整用高露光量と同じ単位露光時間で上記プレ基準露光量を得るための露光パワーを、所定の換算式により、該露光パワーよりも低くかつ上記プレ基準露光量の露光パワーよりも大きい露光パワーに換算し、換算した露光パワーを上記基準露光量の露光パワーとして決定することを特徴とするものである。
また、請求項4の発明は、請求項2又は3の画像形成装置において、上記制御手段は、上記複数の低露光量で感光体表面を露光するとき、該感光体表面を帯電するための上記帯電手段の目標帯電電位として、上記検知残留電位に所定の修正値を加えた暫定露光部電位に現像ポテンシャルを加えて得られる暫定目標帯電電位を用いることを特徴とするものである。
また、請求項5の発明は、請求項4の画像形成装置において、上記制御手段は、上記基準露光量を決定した後、上記帯電手段により上記暫定目標帯電電位となるように感光体表面を帯電させ、帯電した感光体表面部分を上記露光手段により該基準露光量で露光して、その露光部の電位を上記電位検知手段で検知し、その検知結果と上記暫定露光部電位との差分値を用いて該暫定目標帯電電位を修正したものを、該帯電手段が画像形成時に用いる目標帯電電位として決定することを特徴とするものである。
ここで、本発明者は、このような感光体においては、上記特定の感光体のように環境変動や経時的等によって残留露光部電位が変化しても、図16(a)〜(l)に示すように、露光量と露光部電位との対応関係を示すグラフの外形は環境変動や経時的等によってほとんど変化しないことを見いだした。よって、グラフの始点となる帯電手段が帯電した感光体表面部分の電位(以下「帯電電位」という。図16(a)〜(l)中の最も左側にプロットされた電位VLに相当する。)と、グラフの終点となる残留露光部電位(図16(a)〜(l)中の最も右側にプロットされた電位VLに相当する。)とを特定できれば、その時点における露光量と露光部電位との対応関係を示すグラフの外形を把握することができる。
そこで、本発明では、所定の露光量調整時に、所定の目標帯電電位で帯電手段により帯電した感光体表面部分を高露光量領域に属する調整用高露光量で露光し、その露光部の検知残留電位を電位検知手段により検知することにより、現状における感光体の残留露光部電位を把握する。これにより、その目標帯電電位又はこのときの帯電電位を電位検知手段で検知した結果である検知帯電電位から、グラフの始点となる帯電電位を把握し、かつ、検知残留電位から検知残留電位を把握することができる。したがって、現状の感光体における露光量と露光部電位との対応関係を、検知帯電電位又はこのときの目標帯電電位と検知残留電位とから把握することができる。よって、従来と同様の手法を用いて基準露光量で露光したときの好適な露光部電位を特定することにより、その露光部電位に対応する基準露光量すなわち現状における好適な基準露光量を、露光量と露光部電位との対応関係から適切に決定することができる。
よって、本発明によれば、必要なデータ量を増大させずに、好適な基準露光量を決定することができるという優れた効果がある。
図1は、本実施形態に係るプリンタの要部の概略構成を示した説明図である。
本プリンタは、図1に示すように、複数の張架ローラに張架された中間転写ベルト101に沿って画像形成部102Y(イエロー),102M(マゼンタ),102C(シアン),102K(黒)が設けられている。また、各画像形成部102Y,102M,102C,102Kにより形成されたトナー像は、一次転写装置106Y,106M,106C,106Kにより中間転写ベルト101上へ転写される。また、後述する中間転写ベルト上に転写されたトナー像のトナー付着量を検出するトナー付着量検知手段としての画像検出装置110が中間転写ベルト101に対向して設けられている。中間転写ベルト101上のトナー像は二次転写装置111により記録材としての転写紙112へ転写される。
感光体202の周りには、感光体表面を帯電させる帯電手段としての帯電装置201、書き込み光Lにより感光体表面に静電潜像を書き込む露光手段としての書込装置203、静電潜像をトナーによって現像する現像手段としての現像装置205、感光体上の転写残トナーなどをクリーニングするクリーニング手段としての感光体クリーナ206、及び、感光体表面を除電する除電手段としてのイレーズ(除電装置)207、電位検知手段としての電位センサ210が設けられている。
また、ここでは、説明を簡略化するため、帯電バイアスVg、現像バイアスVb及び露光パワー(以下「LDパワー」という。)を調整する制御を中心に説明する。
なお、本実施形態では、このプロセス制御中に、書込装置203が画像形成時に用いる基準露光量を調整する露光量調整制御が含まれるが、露光量調整制御をプロセス制御とは別に行ってもよい。
本実施形態のプロセス制御では、まず、中間転写ベルト101に所定の条件によって通常の画像形成動作によりトナーパターン(トナー像)である濃度パッチ113を形成し、この濃度パッチ113のトナー付着量を光学式反射濃度センサである後述する光学センサ301,302で構成される画像検出装置110で検出する。制御部41は、画像検出装置110の検出結果に基づき、帯電装置201のグリッド電圧(帯電バイアス)Vg、現像装置205の現像バイアスVb及び書込装置203のLDパワーを調整する。
光学センサ301は、発光素子303と、濃度パッチ113や中間転写ベルト101の表面からの正反射光を受光する正反射光受光素子304とから構成されている。一方、光学センサ302は、発光素子303、濃度パッチ113や中間転写ベルト101の表面からの正反射光を受光する正反射光受光素子304のほか、さらに、濃度パッチ113や中間転写ベルト101の表面からの拡散反射光を受光する拡散反射光受光素子305から構成されている。光学センサ301及び光学センサ302は、図5に示すように、中間転写ベルト101上に形成した濃度パッチ113と対向し得る位置にそれぞれ配置されている。制御部41は、書き込み光Lの書き込み開始後、濃度パッチ113が光学センサ301及び光学センサ302との対向位置に到達するタイミングに合わせて、正反射光受光素子304や拡散反射光受光素子305からの出力電圧を検出し、その検出結果(センサ検知結果)に対して付着量変換処理を行うことにより、各濃度パッチ113のトナー付着量を導出する。具体的には、例えば、出力電圧とトナー付着量との対応関係を記述した変換テーブルを予めROM44に記憶しておき、この変換テーブルを用いてトナー付着量を導出する。または、例えば、出力電圧をトナー付着量に変換する変換式を演算させてトナー付着量を導出するようにしてもよい。
本実施形態においては、転写紙112上に形成される低濃度から高濃度までの画像に対して適切に付着量変換処理を実行できるようにプロセス制御を行うときのトナー階調パターンの目標トナー付着量範囲が、0[mg/cm2]付近から0.5[mg/cm2]までの範囲内である場合について説明する。
VL0’= Vr’−50 ・・・(1)
ここで、残留露光部電位Vr’に−50[V]を加算した値を基準露光部電位VL0’と設定しているのは、一般に、基準露光部電位は、残留露光部電位Vr’に−50[V]を加算した値付近に存在することが経験的に認められるからである。なお、この暫定の基準露光部電位VL0’と実際の基準露光部電位VL0との誤差は、後述する補正処理により補正される。
Vb’= VbL+VL0’ ・・・(2)
続いて、上記数式(2)により算出したVr検知用の現像バイアスVb’から、Vr検知用の目標帯電電位Vd’を、下記の数式(3)により算出する。
Vd’= Vb’+Vbg ・・・(3)
Vbg = VbL×α ・・・(4)
上記数式(4)中のαは、現像ポテンシャルVbLに対する地肌ポテンシャルVbgの好適な比率を示すパラメータであり、以下、地肌ポテンシャル決定係数という。この地肌ポテンシャル決定係数αは、以下の観点から、実験的に求まる値である。
図9(a)及び(b)は、帯電電位Vdを900[V]、700[V]、500[V]である場合に、地肌ポテンシャルを変更して1ドット幅の横線(感光体表面移動方向に対して直交する方向に対応する方向に延びる線)を画像形成したときの地肌ポテンシャルと線幅との対応関係を示す上記実験結果のグラフである。なお、図9(a)は、横軸に地肌ポテンシャルをとったものであり、図9(b)は横軸に現像ポテンシャルに対する地肌ポテンシャルの比率をとったものである。
これらのグラフは、トナー付着量(画像濃度)がすべて目標最大付着量である0.5[mg/cm2]となるように現像γや現像ポテンシャルを調整した状態で、地肌ポテンシャルを変更したものである。
図10(a)は、ベタ画像のトナー付着量が一定となるように現像ポテンシャルを調整した場合において、地肌ポテンシャルが従来のように固定値(例えば200[V])であると、帯電電位Vdの違いによりハーフトーン濃度が異なってしまうことを示している。本実施形態のプロセス制御でも、ベタ画像のトナー付着量が一定となるように現像ポテンシャルの調整を行うので、地肌ポテンシャルが固定値であると、ハーフトーン濃度が変化する画質変化が生じてしまう。特に、本実施形態では、残留露光部電位Vrが経時的に徐々に高まる特性をもった感光体を使用しているため、上述したように帯電電位Vdが経時的に徐々に高まるように調整される。そのため、地肌ポテンシャルが固定値(例えば200[V])であると、経時的にハーフトーン濃度が低下するという画質劣化が生じる。
具体的には、まず、帯電バイアスを予め決められた固定値(本実施形態では−550[V])に設定し、また、現像バイアスも予め決められた固定値(本実施形態では−350[V])に設定した条件下で、感光体表面を帯電させ、このときの帯電電位を電位センサ210で検知する。この検知結果が上記S9で算出した目標帯電電位Vd’を中心とした目標範囲内(本実施形態ではVd’±5[V])であれば、この測定に用いた上記固定値(−550[V])をVr検知用の帯電バイアスVg’に設定する。
一方、この検知結果が目標範囲内から外れている場合には、帯電バイアスの固定値(−550[V])及びその検知結果(帯電電位)と、プロセス制御の前処理時に用いた帯電バイアス(本実施形態では−700[V])及びそのときに電位センサ210で検知した帯電電位とを用いて、現時点における帯電バイアスと帯電電位との関係を最小二乗法により1次近似して概略関係式(1次近似式)を求める。そして、この1次近似式から、Vr検知用の目標帯電電位Vd’に対応するVr検知用の帯電バイアスを特定する。その後、ここで特定したVr検知用の帯電バイアスを用いて再び感光体表面を帯電させ、このときの帯電電位を電位センサ210で検知する。この検知結果が目標範囲内であれば、上記で特定したVr検知用の帯電バイアスをVr検知用の帯電バイアスVg’に決定する。この検知結果が目標範囲内から外れている場合には、さらに、このときの測定結果も加えて、さらに帯電バイアスと帯電電位との関係を示す1次近似式を求め、検知結果が目標範囲内に入るまで同様の処理を繰り返す。
図11は、帯電バイアスVg’が帯電バイアス上限値VgMAXに設定された場合に、Vr検知用の現像バイアスVb’を修正するための処理の流れを示すフローチャートである。
図12は、帯電バイアスVg’が帯電バイアス下限値VgMINに設定された場合に、Vr検知用の現像バイアスVb’を修正するための処理の流れを示すフローチャートである。
図13は、帯電バイアスVg’が帯電バイアス上限値VgMAXと帯電バイアス下限値VgMINとの間に設定された場合に、Vr検知用の現像バイアスVb’を修正するための処理の流れを示すフローチャートである。
Vbg=Vbg1=VbgMAX−(Vd’[算出値]−VgMAX)×β1 ・・・(5)
上記数式(5)中のVd’[算出値]とは、上記S9で算出したVr検知用の目標帯電電位Vd’であり、上記S10で検出した帯電電位Vd’[検出値]と区別したものである。また、上記数式(5)中のβ1は、帯電バイアスの設定可能範囲内で現像ポテンシャルに対する地肌ポテンシャルの比率を一定にするための係数であり、通常は地肌ポテンシャル決定係数αと同様の値に設定される。
一方、地肌ポテンシャルVbgが下限値VbgMINに設定されていれば(S23のYes)、地肌ポテンシャルVbgの修正は行わず(S24)、そのまま下限値VbgMINとする。
他方、地肌ポテンシャルVbgが上限値VbgMAXと下限値VbgMINとのに設定されていれば(S23のNo)、地肌ポテンシャルVbgを下記の数式(6)により求まる値に修正する(S25)。
Vbg=Vbg2=Vbg−(Vd’[算出値]−VgMAX)×β1 ・・・(6)
Vb’= VgMAX−VbgMIN ・・・(7)
他方、地肌ポテンシャルVbgが上限値VbgMAXと下限値VbgMINとの間である場合(S26のNo)、Vr検知用の現像バイアスVb’を下記の数式(8)により求まる値に設定する(S29)。
Vb’= VgMAX−Vbg ・・・(8)
一方、地肌ポテンシャルVbgが下限値VbgMINに設定されていれば(S33のYes)、地肌ポテンシャルVbgを下記の数式(9)により求まる値に修正する(S34)。
Vbg=Vbg3=VbgMIN−(Vd’[算出値]−VgMIN)×β2 ・・・(9)
上記数式(5)中のβ2は、上記β1と同様、帯電バイアスの設定可能範囲内で現像ポテンシャルに対する地肌ポテンシャルの比率を一定にするための係数であり、通常は地肌ポテンシャル決定係数αと同様の値に設定される。
他方、地肌ポテンシャルVbgが上限値VbgMAXと下限値VbgMINとのに設定されていれば(S33のNo)、地肌ポテンシャルVbgを下記の数式(10)により求まる値に修正する(S35)。
Vbg=Vbg4=Vbg−(Vd’[算出値]−VgMIN)×β2 ・・・(10)
Vb’= VgMIN−VbgMAX ・・・(11)
他方、地肌ポテンシャルVbgが上限値VbgMAXと下限値VbgMINとの間である場合(S36のNo)、Vr検知用の現像バイアスVb’を下記の数式(12)により求まる値に設定する(S39)。
Vb’= VgMIN−Vbg ・・・(12)
Vbg=Vbg5=VbgMAX−(Vd’[算出値]−Vd’[検出値]) ・・・(13)
一方、地肌ポテンシャルVbgが下限値VbgMINに設定されていれば(S43のYes)、地肌ポテンシャルVbgを下記の数式(14)により求まる値に修正する(S44)。
Vbg=Vbg6=VbgMIN−(Vd’[算出値]−Vd’[検出値]) ・・・(14)
他方、地肌ポテンシャルVbgが上限値VbgMAXと下限値VbgMINとのに設定されていれば(S43のNo)、地肌ポテンシャルVbgを下記の数式(15)により求まる値に修正する(S45)。
Vbg=Vbg7=Vbg−(Vd’[算出値]−Vd’[検出値]) ・・・(15)
その後、Vr検知用の現像バイアスVb’を下記の数式(16)により求まる値に設定する(S47)。
Vb’= Vd’[検出値]−Vbg ・・・(16)
Vpl = (Vd’−Vr)÷3+Vr ・・・(17)
そして、ここで新たに検出した残留露光部電位Vrを用いて上記S7〜S10までの処理と同様の処理を行うことにより、暫定の帯電バイアスVg"及び現像バイアスVb"を再設定する(13)。
調整用露光部電位Vplを得るためのVpl用露光パワーを特定するにあたり、露光デューティを5/15に固定したまま、露光パワーを基本露光パワーLDP0の60%、80%、100%、120%、150%と順次切り替えて、静電潜像(露光部)を作成する。なお、このときの帯電バイアス及び現像バイアスは、上記S13で設定した暫定の帯電バイアスVg"及び現像バイアスVb"である。そして、各露光部の電位を電位センサ210で検知するとともに、このときの帯電電位Vdも電位センサ210で検知する。そして、各露光部に対応する露光パワーと、そのときの帯電電位Vd及び残留露光部電位Vrとから上記数式(17)により求まる各調整用露光部電位Vplとの対応関係を示す5つのデータ組を算出する。そして、各データ組により、露光パワーと調整用露光部電位Vplとの関係を最小二乗法により1次近似して概略関係式(1次近似式)を求め、この1次近似式から、上記S12で算出した調整用露光部電位Vplを得るためのVpl用露光パワーを特定する。
Vg = Vg"−ΔVL ・・・(18)
Vb = Vb"−ΔVL ・・・(19)
特に、本実施形態において、制御部41は、目標帯電電位Vd’と残留露光部電位Vrとに基づいて、露光量の変化に対する感光体202表面の露光部電位の変化割合が規定値よりも大きい低露光量領域に属する調整用露光部電位Vplを算出し、算出した調整用露光部電位Vplから、感光体202表面の露光部電位が調整用露光部電位Vplとなるようなプレ基準露光量を求めた後、求めたプレ基準露光量を予め決められた対応関係に基づいて基準露光量に換算することで、書込装置203が画像形成時に用いる基準露光量を決定することを特徴とするものである。本プリンタによれば、露光量の変化に対する感光体202表面の露光部電位の変化割合が大きい領域で露光量の調整を行うことができるので、電位センサ210の測定誤差の影響が少ない状態で、露光量の調整を行うことができる。
また、本実施形態においては、特に、低露光量領域に属する調整用露光部電位Vplを算出するための算出式として、上記数式(17)に示したVpl=(Vd’−Vr)÷3+Vrの算出式を用いるので、低露光量領域に属するような調整用露光部電位Vplを容易に導出することができる。
また、本実施形態においては、調整用露光部電位Vplからプレ基準露光量を求めるにあたっては、1ドット静電潜像当たりの露光時間である単位露光時間(露光デューティ)が調整用高露光量の単位露光時間(15/15)よりも短い短露光時間(5/15)に設定された互いに異なる複数の露光パワー(基本露光パワーの60%、80%、100%、120%、150%)で露光することで、帯電装置201により帯電した感光体表面部分を低露光量領域に属する複数の低露光量で露光した後、各露光部の電位を電位センサ210で検知し、複数の低露光量とそれぞれに対応する電位センサ210の検知結果とから、短露光時間(5/15)で感光体202表面を露光したときの露光部電位が調整用露光部電位Vplとなる露光パワー(換算露光パワー)を算出し、算出した換算露光パワーと短露光時間(5/15)とからプレ基準露光量を得る。これにより、調整用露光部電位Vplからプレ基準露光量を求めるにあたっては、事前の実験等により予め調整用露光部電位Vplとプレ基準露光量との対応関係を把握しておき、その対応関係を記述したデータテーブルを用いることでも調整用露光部電位Vplからプレ基準露光量を求めることができる。しかし、本実施形態によれば、このようなデータテーブルが不要であるため、データ量の増大をさらに抑制できる。
また、本実施形態においては、基準露光量の露光デューティは調整用高露光量の露光デューティと同じ設定(15/15)になっており、制御部41は、短露光時間(5/15露光デューティ)に対する調整用高露光量の露光デューティ(15/15)の比率をプレ基準露光量の露光パワーに乗じることにより得られる、調整用高露光量と同じ露光デューティでプレ基準露光量を得るための露光パワーを、所定の換算式により、露光パワーよりも低くかつプレ基準露光量の露光パワーよりも大きい露光パワーに換算し、換算した露光パワーを基準露光量の露光パワーとして決定する。これにより、基準露光量の露光パワーを容易かつ適切に決定することができる。
また、本実施形態において、制御部41は、複数の低露光量で感光体表面を露光するとき、その感光体表面を帯電するための帯電装置201の目標帯電電位として、残留露光部電位Vrに所定の修正値(−50[V])を加えた暫定露光部電位VL0’に現像ポテンシャルVbLを加えて得られる暫定目標帯電電位Vd’を用いる。このように、このときの暫定目標帯電電位Vd’として固定値ではなく、残留露光部電位Vrを考慮した値を用いることで、本プリンタによれば、現状の感光体202の感光特性に応じたより適正な調整が可能となる。
また、本実施形態では、基準露光量を決定した後、帯電装置201により暫定目標帯電電位Vd’となるように感光体202表面を帯電させ、帯電した感光体表面部分を書込装置203により基準露光量で露光して、その露光部の電位VL0を電位センサ210で検知し、その検知結果VL0と暫定露光部電位VL0’との差分値ΔVLを用いて暫定目標帯電電位Vd’を修正したものを、帯電装置201が画像形成時に用いる目標帯電電位Vdとして決定する。これにより、より適正な目標帯電電位Vdを決定することができる。
101 中間転写ベルト
102Y,102M,102C,102K 画像形成部
110 画像検出装置
113 濃度パッチ
201 帯電装置
202 感光体
203 書込装置
205 現像装置
210 電位センサ
301,302 光学センサ
Vbg 地肌ポテンシャル
VbL 現像ポテンシャル
Vpl 調整用露光部電位
Vr 残留露光部電位
α 地肌ポテンシャル決定係数
Claims (5)
- 露光量の変化に対する露光部電位の変化割合が露光量の増大につれて徐々に小さくなる感光特性をもった感光体と、
該感光体の表面が目標帯電電位となるように該感光体の表面を一様に帯電させる帯電手段と、
露光量の変化に対する感光体表面の露光部電位の変化割合が規定値よりも小さい高露光量領域に属する基準露光量に応じた露光量で、該帯電手段によって帯電した感光体の表面を露光し、その露光部の電位を落とすことにより静電潜像を形成する露光手段と、
感光体の表面に形成された静電潜像に対して現像バイアスが印加された現像剤担持体上のトナーを付着させて該感光体の表面にトナー像を形成する現像手段とを備え、
感光体の表面に形成されたトナー像を最終的に記録材上へ転移させることにより該記録材上に画像を形成する画像形成装置において、
上記露光手段が画像形成時に用いる基準露光量を決定するための制御を行う制御手段と、
上記感光体の表面電位を検知するための電位検知手段とを備えており、
上記制御手段は、所定の露光量調整時に、上記帯電手段により上記感光体の表面を帯電させ、帯電した感光体表面部分を上記高露光量領域に属する調整用高露光量で露光した後、該帯電手段が帯電した感光体表面部分の電位を上記電位検知手段で検知した結果である検知帯電電位又はこのときの目標帯電電位と、該調整用高露光量で露光された感光体表面部分の電位を上記電位検知手段で検知した結果である検知残留電位とに基づいて、露光量の変化に対する感光体表面の露光部電位の変化割合が上記規定値よりも大きい低露光量領域に属する調整用露光部電位を算出し、算出した調整用露光部電位から、感光体表面の露光部電位が該調整用露光部電位となるようなプレ基準露光量を求めた後、求めたプレ基準露光量を予め決められた対応関係に基づいて基準露光量に換算することで、上記露光手段が画像形成時に用いる基準露光量を決定するものであり、
上記低露光量領域に属する調整用露光部電位を算出するための算出式として、Vpl=(Vd−Vr)÷a+Vrの算出式を用いることを特徴とする画像形成装置。
上記算出式中、「Vpl」は上記調整用露光部電位であり、「Vd」は上記検知帯電電位又は上記目標帯電電位であり、「Vr」は上記検知残留電位であり、「a」は、上記調整用露光部電位Vplの算出にあたって上記低露光量領域に属する算出結果を得るための予め決められた定数である。 - 請求項1の画像形成装置において、
上記制御手段は、上記調整用露光部電位から上記プレ基準露光量を求めるにあたり、1ドット静電潜像当たりの露光時間である単位露光時間が上記調整用高露光量の単位露光時間よりも短い短露光時間に設定された互いに異なる複数の露光パワーで露光することで、上記帯電手段により帯電した感光体表面部分を上記低露光量領域に属する複数の低露光量で露光した後、各露光部の電位を上記電位検知手段で検知し、該複数の低露光量とそれぞれに対応する該電位検知手段の検知結果とから、該短露光時間で感光体表面を露光したときの露光部電位が上記調整用露光部電位となる露光パワーを算出し、算出した露光パワーと上記短露光時間とから上記プレ基準露光量を得ることを特徴とする画像形成装置。 - 請求項2の画像形成装置において、
上記基準露光量の単位露光時間は上記調整用高露光量の単位露光時間と同じ時間に設定されるものであり、
上記制御手段は、上記短露光時間に対する上記調整用高露光量の単位露光時間の比率を上記プレ基準露光量の露光パワーに乗じることにより得られる、上記調整用高露光量と同じ単位露光時間で上記プレ基準露光量を得るための露光パワーを、所定の換算式により、該露光パワーよりも低くかつ上記プレ基準露光量の露光パワーよりも大きい露光パワーに換算し、換算した露光パワーを上記基準露光量の露光パワーとして決定することを特徴とする画像形成装置。 - 請求項2又は3の画像形成装置において、
上記制御手段は、上記複数の低露光量で感光体表面を露光するとき、該感光体表面を帯電するための上記帯電手段の目標帯電電位として、上記検知残留電位に所定の修正値を加えた暫定露光部電位に現像ポテンシャルを加えて得られる暫定目標帯電電位を用いることを特徴とする画像形成装置。 - 請求項4の画像形成装置において、
上記制御手段は、上記基準露光量を決定した後、上記帯電手段により上記暫定目標帯電電位となるように感光体表面を帯電させ、帯電した感光体表面部分を上記露光手段により該基準露光量で露光して、その露光部の電位を上記電位検知手段で検知し、その検知結果と上記暫定露光部電位との差分値を用いて該暫定目標帯電電位を修正したものを、該帯電手段が画像形成時に用いる目標帯電電位として決定することを特徴とする画像形成装置。
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