JP5256848B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5256848B2 JP5256848B2 JP2008140214A JP2008140214A JP5256848B2 JP 5256848 B2 JP5256848 B2 JP 5256848B2 JP 2008140214 A JP2008140214 A JP 2008140214A JP 2008140214 A JP2008140214 A JP 2008140214A JP 5256848 B2 JP5256848 B2 JP 5256848B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- support substrate
- covering member
- disposed
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L33/641—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H01L33/486—
-
- H01L33/56—
-
- H01L33/642—
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
さらに、前記被覆部材が、前記空間を形成する半球状の球面部と、前記球面部の外縁で支持基板と接合される接合部とを有することが好ましい。
前記球面部は透光性のレンズであり、前記接合部は金属部材で形成されていることが好ましい。
前記接合部の支持基板と接合される面に凹凸を設けてなることが好ましい。
前記凸部は、前記接合部と対応する位置に設けられてなることが好ましい。
前記凸部が、一部を切り欠いた環状に形成されてなることが好ましい。
前記接合部材が、複数箇所に配置されてなることが好ましい。
図1乃至図3は、本発明に係る半導体装置100の第1の実施の形態を示したものである。図1は第1の実施の形態に係る半導体装置の模式的な分解斜視図である。図2は第1の実施の形態に係る半導体装置を通気孔方向から見た側面図、図3は通気孔部を示す断面図である。
このように、支持基板101に凸部103を有することにより、支持基板101と被覆部位102との隙間104を形成し、この隙間104を通気孔とすることで、被覆部材102の加工を不要とし、被覆部材102の機械的強度の低下及び変形を防止することが可能となる。また、支持基板101に切削加工をする必要もないので、切削加工により形成された溝に接合部材が流れ込み、通気孔を塞ぐこともない。
支持基板101は、半導体素子105を載置するためのものであり、その表面に後述の凸部103を有している。ここで「載置する」とは、支持基板に直接載置される場合のみならず、図1に示すように、サブマウント106のような補助的な別の部材を介して載置されるものも含むものとする。
被覆部材102は、半導体素子105や、半導体素子105に接続される導電性材料(例えば、ワイヤやバンプなど)を外部から保護するため、それらの部材を覆うために支持基板101上に配置される。また、レンズ機能を持たせることもできる。被覆部材102の材料は、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の合成樹脂や、ガラスなどの無機材料を挙げることができる。ソーダガラス、シリカガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、オキシナイトライドガラス、カルコゲナイドガラスから選択された少なくとも一種を含む無機材料からなる被覆部材とすることにより、耐光性の高い半導体装置とすることができる。
凸部103は、前述の支持基板101に形成される。凸部の形状は、その上面に前述の被覆部材102を搭載することができ、隙間104を確保することのできる形状であれば、特に制限されない。被覆部材102が安定して載置できるように、被覆部材との接合面に対応する位置に広く形成する一方、被覆部材と支持基板との接合性を考慮し、接合部材配置部111を確保できるように形成することが好ましい。例えば、図1に示すように、環状の一部を切り欠いたような形状が挙げられる。
接合部材(図示せず)は、支持基板101と被覆部材102とを接合するために用いられ、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素系エラストマー、ガラス、ホットメルト系材料、変性シリコーンおよび有機無機ハイブリッド樹脂から選択された少なくとも一種を含む材料とすることができる。
通気孔108は、空間107から外部に通じる貫通孔である。上述のように、支持基板101と被覆部材102の間に形成される凸部103により形成される。このような通気孔を設けることにより、リフロー処理を安全且つ確実に行うことができるほか、外部環境の温湿度の急激な変化により、空間107と外部との温度差ができて透光性被覆部材の内部に結露が発生し、透光性被覆部材が曇った場合であっても、短時間で空間107と外部との温湿度を均一化し、曇りを除去することができる。
半導体素子105は、発光素子、受光素子、およびそれらの半導体素子を過電圧による破壊から守る保護素子(例えば、ツェナーダイオードやコンデンサー)、あるいはそれらを組み合わせたものとすることができる。ここでは、半導体素子の一例として、発光素子(LEDチップ)について説明する。発光素子を構成する半導体発光素子としては、ZnSeやGaNなど種々の半導体を使用したものを挙げることができるが、蛍光物質を有する発光装置とする場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。
第2の実施の形態に係る半導体装置は、図4に示したように、支持基板101に形成する凸部103の周縁に、支持基板101の外縁方向に伸びる延出部109を有している以外、実質的に第1の実施の形態と同様の構成である。このように、被覆部材102の端部までをより多く支持することのできる延出部109を設けることにより、被覆部材102を安定して配することができる。被覆部材102を載置する際のバラツキを考慮して、図4のように延出部109の上面の少なくとも一部は、被覆部材102で覆われずに露出する程度に延出させることにより、被覆部材をより安定して載置することができる。
第3の実施の形態に係る半導体装置は、図5に示したように、支持基板101に形成する凸部103の周縁6箇所に、半導体装置の外側に伸びる延出部109を有し、延出部109が間隙を介して互いに対向するように少なくとも一対設けられており、前記間隙が隙間104と繋がって通気孔となるよう形成されている以外、実質的に第2の実施の形態と同様の構成である。このように、通気孔を被覆部材102から突出するように設けることにより、延出部で接合部材の流れをせき止めることができ、接合部材の流れ込みによる通気孔が塞がれるおそれを防止することができる。
101 支持基板
102 被覆部材
103 凸部
104 隙間
105 半導体素子
106 サブマウント
107 空間
108 通気孔
109 延出部
110 金属部材
111 接合部材配置部
112 貫通孔
Claims (11)
- 半導体素子が配置される支持基板と、その支持基板に接合部材を介して配置される被覆部材とを備えており、その被覆部材と前記支持基板との間に形成された空間に前記半導体素子が収納されてなる半導体装置であって、
前記支持基板は、厚みが5μm以上15μm以下である環状の凸部を有しており、その凸部の一部が切り欠かれることにより、前記被覆部材の一部が前記凸部に接触させられ、前記空間から外部に通じる通気孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記凸部は、前記接合部材が配置される部分と前記半導体素子が配置される部分との間に形成される請求項1に記載の半導体装置。
- 前記被覆部材の前記基板と接する面は、上下方向に貫通した貫通孔を有しており、その貫通孔の側面に前記接合部材が配置される請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記凸部は、前記基板の外縁方向に伸びる延出部を有しており、その延出部上面の少なくとも一部は被覆部材で覆われず露出されている請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記延出部は、平面視にて、対称軸に対して互いに対称な位置に設けられる請求項4に記載の半導体装置。
- 前記延出部は間隙を介して互いに対向するように少なくとも一対設けられており、前記間隙が前記通気孔となる請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記被覆部材が、前記空間を形成する半球状の球面部と、前記球面部の外縁で支持基板と接合される接合部とを有する請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記球面部は透光性のレンズであり、前記接合部は金属部材で形成されている請求項7に記載の半導体装置。
- 前記接合部の支持基板と接合される面に凹凸を設けてなる請求項7または8に記載の半導体装置。
- 前記凸部は、前記接合部と対応する位置に設けられてなる請求項7から9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記接合部材が、複数箇所に配置されてなる請求項1から11のいずれか1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008140214A JP5256848B2 (ja) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | 半導体装置 |
EP09161417.2A EP2128905B1 (en) | 2008-05-29 | 2009-05-28 | Semiconductor light emitting device |
US12/473,944 US8049318B2 (en) | 2008-05-29 | 2009-05-28 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008140214A JP5256848B2 (ja) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009289930A JP2009289930A (ja) | 2009-12-10 |
JP2009289930A5 JP2009289930A5 (ja) | 2011-06-23 |
JP5256848B2 true JP5256848B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=40957753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008140214A Active JP5256848B2 (ja) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8049318B2 (ja) |
EP (1) | EP2128905B1 (ja) |
JP (1) | JP5256848B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4798725B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2011-10-19 | スタンレー電気株式会社 | 照明装置 |
JP5652100B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2015-01-14 | ソニー株式会社 | 表示パネル、表示装置、照明パネルおよび照明装置、ならびに表示パネルおよび照明パネルの製造方法 |
JP2012109475A (ja) | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Rohm Co Ltd | 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置 |
CN102133668B (zh) * | 2010-12-14 | 2013-05-01 | 浙江名芯半导体科技有限公司 | 一种led光源散热模组焊接方法 |
KR101959035B1 (ko) | 2011-10-31 | 2019-03-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법 |
JP6187144B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2017-08-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 露光装置及び画像形成装置 |
KR102400442B1 (ko) * | 2014-05-21 | 2022-05-20 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 높은 정렬 정밀도로 렌즈를 led 모듈에 부착하는 방법 |
JP6602622B2 (ja) * | 2014-09-25 | 2019-11-06 | 山村フォトニクス株式会社 | 光デバイス装置および光デバイスを覆うための保護カバー |
JP6005779B2 (ja) * | 2015-03-02 | 2016-10-12 | ローム株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置 |
CN110931622A (zh) * | 2016-03-14 | 2020-03-27 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
JP6162284B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-07-12 | ローム株式会社 | 発光装置 |
US10615314B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP6508189B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-05-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7348533B2 (ja) * | 2021-03-31 | 2023-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2991172B2 (ja) * | 1997-10-24 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
TW552726B (en) * | 2001-07-26 | 2003-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device in use of LED |
JP2003282953A (ja) | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体チップ |
US7224000B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
JP2004119881A (ja) | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4504662B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2010-07-14 | シチズン電子株式会社 | Ledランプ |
JP2005079149A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びプロジェクタ |
TWM268733U (en) * | 2004-09-10 | 2005-06-21 | Sen Tech Co Ltd | LED packaging structure containing fluorescent plate |
JP4661147B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2006269485A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
JP4961799B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2012-06-27 | 日亜化学工業株式会社 | スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置 |
JP2007072432A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-03-22 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子及びそれを備えた照明装置 |
JP2007080859A (ja) | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP3982561B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-09-26 | 松下電工株式会社 | Led照明装置 |
US7378686B2 (en) * | 2005-10-18 | 2008-05-27 | Goldeneye, Inc. | Light emitting diode and side emitting lens |
JP4881001B2 (ja) * | 2005-12-29 | 2012-02-22 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP5130680B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2013-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置およびその形成方法 |
-
2008
- 2008-05-29 JP JP2008140214A patent/JP5256848B2/ja active Active
-
2009
- 2009-05-28 EP EP09161417.2A patent/EP2128905B1/en active Active
- 2009-05-28 US US12/473,944 patent/US8049318B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2128905A2 (en) | 2009-12-02 |
US20090294940A1 (en) | 2009-12-03 |
JP2009289930A (ja) | 2009-12-10 |
EP2128905A3 (en) | 2013-06-19 |
US8049318B2 (en) | 2011-11-01 |
EP2128905B1 (en) | 2017-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5256848B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6835960B2 (en) | Light emitting diode package structure | |
US10355183B2 (en) | LED package | |
US20060054915A1 (en) | Led package | |
US8158996B2 (en) | Semiconductor light emitting device package | |
JP4192742B2 (ja) | 発光装置 | |
CN110571642B (zh) | 发光装置 | |
JP4935514B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4882634B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2008098600A (ja) | 発光ダイオードパッケージ | |
KR20090002319A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
KR20070067450A (ko) | Led 패키지 | |
JP4981600B2 (ja) | 照明器具 | |
JP2007116095A (ja) | 発光装置 | |
JP6019977B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101653395B1 (ko) | 멀티 칩 엘이디 패키지 | |
KR101644149B1 (ko) | 멀티 칩 엘이디 패키지 및 그 제조방법 | |
JP5530321B2 (ja) | ランプ及び照明装置 | |
JP2007335734A (ja) | 半導体装置 | |
JP5422906B2 (ja) | 発光装置 | |
KR100839122B1 (ko) | 측면 발광형 led 램프 및 그 제조방법과, 그 led램프를 포함하는 발광장치 | |
JP4293216B2 (ja) | 発光装置 | |
US11158777B2 (en) | LED light source | |
KR102562090B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
JP6399057B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110511 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130408 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160502 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5256848 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |