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JP5254477B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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JP5254477B2
JP5254477B2 JP2012067023A JP2012067023A JP5254477B2 JP 5254477 B2 JP5254477 B2 JP 5254477B2 JP 2012067023 A JP2012067023 A JP 2012067023A JP 2012067023 A JP2012067023 A JP 2012067023A JP 5254477 B2 JP5254477 B2 JP 5254477B2
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Description

本発明は、液晶表示装置に関し、FFS(Fringe Field Switching)、IPS(In-Plane Switching)等の液晶モードの液晶表示装置に適用することができる。本発明は、電圧無印加時、反射表示部及び透過表示部をツイスト配向及びホモジニアス配向とすることにより、又はカラー画像の複数の色の画素において、電圧無印加時にツイスト配向及びホモジニアス配向が混在するように設定することにより、FFSモード等による半透過型に関して、高コントラストで、色付きの少ない黒表示を確保する。
近年、携帯電話、電子スチルカメラ等の携帯型情報機器では、TN(Twisted Nematic
)、ECB(Electrically Controlled birefringence )等の各種液晶モードによる半透過型の液晶表示パネルが使用されている。ここで半透過型の液晶表示パネルは、一画素内に反射表示部と透過表示部とを有する液晶表示パネルであり、晴天時の屋外、暗い屋内等の種々の環境下で高いコントラスト比を得ることができ、携帯型情報機器の表示装置として望ましい特性を備えている。
また近年、FFS、IPS等の広視野角の液晶表示パネルが各種モニタ装置、携帯電話、電子スチルカメラ等に普及し始めている。
特開2005−338264号公報には、IPSモードにおいて、液晶の配向方向を透過表示部と反射表示部とで異ならせて半透過型の液晶表示パネルを作成する方法が提案されている。この特開2005−338264号公報には、具体的に、赤色、緑色、青色の全画素を45度ツイスト配向とする構成、反射表示部に1/4λの位相差層を設けて赤色、緑色、青色の全画素をホモジニアス配向とする構成等が開示されている。
ところでFFS、IPSの液晶モードで半透過型の液晶表示パネルを構成すれば、広視野角の透過表示と反射表示とを同時に得ることができ、携帯型情報機器に有用であると考えられる。しかしながら通常のECB、VAモードのように位相差板の組み合わせで半透過型を作成しようとすると、透過表示の広視野角を維持できない問題があり、簡易に半透過型を作成することが困難である。
この問題を解決する1つの方法として、特開2005−338264号公報に開示の手法を適用することも考えられるが、この方法では以下に示すような問題がある。すなわち特開2005−338264号公報に開示されている赤色、緑色、青色の全画素を45度ツイスト配向とする構成では、光学設計が明確に示されていないが、図から類推するように反射表示部の液晶層に1/4λの位相差層を有しており、この構成では黒表示することは原理的に難しいという問題がある。また特開2005−338264号公報に開示されている反射表示部に1/4λの位相差層を設けて赤色、緑色、青色の全画素をホモジニアス配向とする構成では、黒表示が青色を呈するという問題がある。
特開2005−338264号公報
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、FFSモード等による半透過型に関して、反射表示部をツイスト配向させた場合の設計指針を明確に示すことに加え、液晶層に1/4λの位相差層を有した場合に色付きの少ない黒表示を確保することができる液晶表示装置を提案しようとするものである。
上記課題を解決するための本発明の一側面によれば、第1及び第2の基板で液晶層を挟持し、1つの画素内に反射表示部と透過表示部とを有する液晶表示装置において、第1の基板は、液晶層とは逆側に第1の偏光板を有し、第2の基板は、液晶層とは逆側に第2の偏光板を有すると共に、液晶層側に基板面に対して略平行な電界を印加する画素電極と共通電極とを有し、第1及び第2の偏光板は、透過軸が直交するように配置され、画素は、カラーフィルタを有し、液晶層は、透過表示部において、画素電極及び共通電極間に電圧を印加しない状態で、第1又は第2の偏光板の透過軸と略平行に液晶分子が配向し、反射表示部において、画素電極及び共通電極間に電圧を印加しない状態で、赤色画素及び緑色画素の領域がホモジニアス配向に設定され、青色画素の領域がツイスト配向に設定された液晶表示装置が提供される。
本発明によれば、FFSモード等による半透過型に関して、高コントラストで、色付きの少ない黒表示を確保することができる。
本発明の実施例1の液晶表示装置に適用される液晶表示パネルの1画素の構成を示す平面図である。 図1(A)をA−A線で切り取って示す断面図である。 セルリタデーションを380〔nm〕に設定し、反射表示部における最適なツイスト角を測定した結果を示す特性曲線図である。 ツイスト角37度に設定した場合の反射率の解析結果を示す特性曲線図である。 ツイスト角を37度に保持して、最適なリタデーションを測定した結果を示す特性曲線図である。 セルギャプに対する反射率の変化を測定した特性曲線図である。 本発明の実施例2の液晶表示パネルを示す断面図である。 緑色波長帯域におけるセルリタデーションの最適値を測定した測定結果を示す特性曲線図である。 緑色波長帯域におけるツイスト角の最適値を測定した測定結果を示す特性曲線図である。 青色波長帯域におけるセルリタデーションの最適値を測定した測定結果を示す特性曲線図である。 青色波長帯域におけるツイスト角の最適値を測定した測定結果を示す特性曲線図である。 赤色波長帯域におけるセルリタデーションの最適値を測定した測定結果を示す特性曲線図である。 赤色波長帯域におけるツイスト角の最適値を測定した測定結果を示す特性曲線図である。 カラーフィルタの透過率の特性を示す特性曲線図である。 本発明の実施例3の液晶表示パネルの画素の構成を示す断面図である。 図15の奥行き方向の断面図である。 図15の液晶表示パネルの赤色及び緑色の画素を示す平面図である。 図15の液晶表示パネルの青色の画素を示す平面図である。 図15の液晶表示パネルの動作の説明に供する特性曲線図である。 ホモジニアス配向のみの場合における液晶表示パネルの反射率を示す特性曲線図である。 図15の液晶表示パネルの反射率を示す特性曲線図である。 図15の液晶表示パネルにおける黒の色度を示す図である。 実施例4の液晶表示パネルにおける電極の説明に供する図である。 実施例4の液晶表示パネルの画素電極の説明に供する平面図である。 電極の大きさを変化させた場合の反射率の変化を示す図表である。 図25から求めた最適条件により電圧を印加した場合の反射率の変化を示す特性曲線図である。 本発明の実施例5の液晶表示パネルにおける電極の説明に供する図表である。 赤色の画素である、セルリタデーションが450〔nm〕の場合について、電極の大きさを変化させた場合の反射率の最大値を示す図表である。 IPSモードによる場合の電極の構成を示す平面図である。
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。
(1)実施例の構成及び動作
図1(A)は、本発明の実施例1の液晶表示装置に適用される液晶表示パネルの1画素の構成を示す平面図であり、図2は、この図1(A)をA−A線で切り取って示す断面図である。この液晶表示パネル1による液晶表示装置は、例えば携帯電話等の携帯型情報機器に適用され、この液晶表示パネル1の背面にバックライト装置が配置される。この液晶表示パネル1は、1つの画素に透過表示部と反射表示部とが設けられた半透過型の液晶表示パネルであり、TFT基板3とCF基板2とにより液晶層4を挟持する。
ここでCF基板3は、透明絶縁基板5の液晶層4側面に、カラーフィルタ6、平坦化層7、配向膜8が順次配置され、また液晶層4側面とは逆側面に、偏光板9が配置される。ここで透明絶縁基板5は、例えばガラス、プラスチック等、種々の透明絶縁基板材料を適用することができる。またカラーフィルタ6は、ストライプ配列、デルタ配列等を適用することができる。平坦化層7は、カラーフィルタ6に起因する段差を平坦化する。配向膜8は、水平配向を誘起するポリイミド系の高分子材料により形成され、ラビング法、光配向法、イオンビーム配向法等により、液晶分子を所定方向に配向させる配向能が付与されている。
これに対してTFT基板3は、透明絶縁基板10の液晶層4側面とは逆側面に、偏光板11が配置される。また液晶層4側面に、TFT(Thin Film Transistor)等が配置されて第1の絶縁膜12が形成され、この第1の絶縁膜12上に、共通配線13、第2の絶縁膜14、共通電極15、第3の絶縁膜16、画素電極17、信号配線18、配向膜19等が順次配置される。
ここで透明絶縁基板10には、例えばガラス、プラスチック等、種々の透明絶縁基板材料を適用することができる。またTFTは、走査配線、信号配線18、画素電極17に接続され、信号配線18は、例えばアルミにより形成される。また走査配線は、例えばモリブデンにより形成され、共通電極15、画素電極17は、ITO(Indium Tin Oxide)により形成される。なお共通電極15は、反射表示部では入射光を反射する反射板として機能するように、一部がアルミ、銀、クロム、モリブデン、その他の金属で形成される。
画素電極17は、スリット形状により形成され、絶縁膜16により絶縁されて共通電極15に近接して配置される。これにより液晶表示パネル1は、画素電極17及び共通電極15間に電圧を印加すると、画素電極17及び共通電極15間に電界が発生し、この電界がアーチ状に液晶層4中を通過し、この電界により液晶層4の配向を変化させる。なお画素電極17は、透過表示部と反射表示部とで、又はカラーフィルタの色に応じて、スリット形状のピッチ、幅、信号線に対する方向を異ならせる場合もある。
配向膜19は、配向膜8と同様に水平配向を誘起するポリイミド系の高分子材料により形成され、配向膜8と同様の各種手法により配向能が付与されている。液晶層4には、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶が適用される。なおこれに代えて負の誘電率異方性を有する液晶を用いるようにしてもよい。
このような構成において、液晶表示パネル1は、図1(B)及び(C)にそれぞれ反射表示部及び透過表示部における電極15、17への電圧無印加時の液晶分子の配向方向を示すように、CF基板2側の配向膜8の配向方向が反射表示部と透過表示部とで異なるように設定される。これに対してTFT基板3の配向膜19は、反射表示部及び透過表示部の配向方向が、透過表示部におけるCF基板2の配向膜8の配向方向と反平行となるように設定される。
これによりこの液晶表示パネル1は、電圧無印加時、透過表示部がホモジニアス配向に設定され、反射表示部がツイスト配向に設定される。この配向膜8、19の設定に対応して、液晶表示パネル1において、TFT基板3側の偏光板11及びCF基板2側の偏光板9は、吸収軸が直交するように、またTFT基板3側界面における液晶分子の配向方向が、CF基板2側偏光板9の吸収軸と平行になるように設定される。
これによりこの液晶表示パネル1において、透過表示部は、ノーマリーブラックのFFSモードに設定され、電圧無印加時、バックライト装置からTFT基板3側の偏光板11を透過して入射する入射光に何ら位相差を与えることなく透過してCF基板2の偏光板9で完全に遮光する。また電圧印加時、印加電圧に応じて液晶分子が捩れ方向にスイッチングし、バックライト装置から偏光板11を透過して入射する入射光の偏光状態が電極15、17間の印加電圧に応じて変化してCF基板2の偏光板9に入射し、電極15、17間の印加電圧に応じた光量で偏光板9から出射する。これ対して反射表示部は、ツイスト配向に設定され、電圧無印加時、CF基板2の偏光板9を透過して入射する外来光を共通電極15による反射部で反射し、さらにCF基板2の偏光板9に戻ってきた時に、偏光板9の透過軸に対して直交する直線偏光となるように設定される。このことにより、出射光は偏光板9で遮光され、反射表示部はノーマリーブラックモードの表示状態となる。これに対して電圧印加時、印加電圧に応じた液晶分子のスイッチングにより、偏光板9を透過して反射部で反射するまでの光路における偏光状態、反射部で反射して偏光板9に至るまでの光路における偏光状態を電極15、17間の印加電圧に応じて変化させ、反射部で反射した入射光を電極15、17間の印加電圧に応じた光量により偏光板9から出射する。
より具体的に、液晶表示パネル1は、電圧無印加時における透過表示部及び反射表示部のリタデーションが380〔nm〕に設定され、また反射透過部側におけるツイスト角が、電圧無印加時、37度となるように設定される。なおこれにより液晶表示パネル1は、反射表示部における液晶層4のリタデーション値が電圧無印加時、いわゆる3/4波長条件に設定される。
これによりこの液晶表示パネル1では、透過表示部をFFSモードにより構成して、位相差層を設けることなく、CF基板2側を分割配向するだけの簡易な構成で、高いコントラストを確保し、色付きの少ない黒表示を確保する。
なお図1及び図2の構成では、CF基板2側の配向膜8を分割配向する場合について説明したが、これに代えてTFT基板3側の配向膜19を分割配向とし、透過表示部、反射表示部における電圧無印加時の液晶分子の配向方向をCF基板2側で一致させるようにしてもよい。
ここで図3は、電圧無印加時におけるセルリタデーションを380〔nm〕に設定し、反射表示部における最適なツイスト角を測定した結果を示す特性曲線図である。この測定は、TFT基板3側における液晶分子の配向方向をCF基板2側の偏光板9の吸収軸と略平行とし、CF基板2側の液晶分子の配向方向とこの吸収軸との成す角度を変化させたものである。また反射板には、全波長において概ね反射率100〔%〕のものを使用し、光源はD65を使用した。この図3の測定結果によれば、電圧無印加時のセルリタデーションを380〔nm〕に設定し、ツイスト角を37度程度とすれば、十分に黒色の反射率を低減して高いコントラストを確保できることが判る。また電圧無印加時のセルリタデーションが380〔nm〕の場合は、ツイスト角37度がツイスト角の最適値であることが判る。
なお図4は、この図3の測定に供した条件において、ツイスト角37度に設定した場合の反射率をスペクトル解析した測定結果を示す特性曲線図である。この図4に示すように、液晶表示パネルでは、波長に応じて反射率が変化し、その結果、ツイスト角の最適値も波長によって変化する。また液晶表示パネルでは、偏光板9、11の色味、液晶の複屈折率Δnの波長分散、反射板に使用する金属の反射率スペクトル等によってもツイスト角の最適値が変化する。これにより最適なツイスト角は37度に限られるものではなく、27〜47度の範囲内で液晶表示パネルを構成する構成部材、カラーフィルタの色に応じて最適値を確保することができる。
これに対して図5は、図3との対比によりツイスト角を37度に保持して、電圧無印加時における最適なリタデーションを測定した結果を示す特性曲線図である。この図5によれば、電圧無印加時のセルリタデーションが395〔nm〕の場合に、視感反射率が最も低下し、十分に黒色の反射率を低減して高いコントラストを確保するできることが判る。なおこの場合も、図4について上述したと同様に、波長、偏光板9、11の色味、液晶の複屈折率Δnの波長分散、反射板の反射率スペクトル等の要因によってリタデーションの最適値が変化することから、液晶表示パネル1を構成する構成部材、カラーフィルタのスペクトルに応じて360〜430〔nm〕の範囲内で、リタデーションの最適値を確保することができる。
またこの実施例では、セルギャップが大きいことにより、効率良く液晶分子の配向方向を制御することができる。すなわち図6は、セルギャプに対する反射率の変化を測定した特性曲線図である。なおこの図6に示す特性曲線は、液晶層のリタデーション、弾性定数、誘電率の波長分散Δεを一定値に保持し、さらに画素電極のピッチ、絶縁膜16の厚さ、電極への印加電圧を一定に保持した測定結果である。
この図6の測定結果によれば、セルギャップが小さくなると、反射率が低下することが判る。この現象は、水平方向のスイッチングモードにより液晶分子の配向方向を制御する場合、電界強度がTFT基板3からの距離によって変化し、液晶層4全体として見たとき、セルギャップが小さいときには、スイッチングに寄与する水平方向の電界強度が弱く、セルギャップが大きくなると、スイッチングに寄与する水平方向の電界強度が強くなることによるものと考えられる。
この実施例1の液晶表示パネルでは、電圧無印加時におけるリタデーションが反射表示部と透過表示部とで同一の385〔nm〕であることから、Δn=0.12の液晶を使用した場合、セルギャップは、約3.2〔μm〕程度とすることができ、これにより電極15、17間の印加電圧を増大させることなく、十分な反射率を確保することができ、効率良く液晶分子の配向方向を制御することができる。なお特開2005−338264号公報に開示されている1/4波長程度(約140〔nm〕)のリタデーションでは、セルギャップは、約1.1〔μm〕程度となり、これにより電極への印加電圧を増大させることが必要になる。この問題を解決する1つの方法として、例えば複屈折率Δnの小さな液晶を使用することも考えられるが、この場合、透過表示部のギャップを大きくすることが必要になり、透過表示の応答速度が低下する等の問題が発生する。
(3)実施例の効果
以上の構成によれば、半透過型の液晶表示パネルにおいて、CF基板側及びTFT基板側で透過軸が直交するように偏光板を配置し、透過表示部においては、電圧無印加時、この2つの偏光板の何れかの透過軸と略平行となるように液晶分子を配向させ、反射表示部においては、電圧無印加時、30〜45度の捩れ角となり、かつTFT基板側界面において、2つの偏光板の何れかの透過軸と平行となるように液晶分子を配向させることにより、FFSモードによる半透過型を実現することができる。
ところで実施例1の液晶表示パネル1では、図4に示すように、反射表示部において、緑色波長帯域の反射率に比して赤色波長帯域及び青色波長帯域の反射率が未だ大きく、これにより電圧無印加時、黒色が若干、紫色の反射色を呈し、透過表示部と反射表示部とで黒色の色味が若干相違する。この実施例では、この黒色の色味の相違を防止する。
すなわち図7は、図2との対比により本発明の実施例2の液晶表示パネルを示す断面図である。なおこの実施例の液晶表示パネル21は、カラー画像を構成する複数の色の画素において、液晶層4の厚みがそれぞれ最適化されて、これらの複数画素間で液晶層4の厚みが異なる点を除いて、実施例1の液晶表示パネル1と同一に構成される。なおこの図7では画素電極等の記載を省略して示す。
より具体的に、この実施例では、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ6R、6G、6Bをそれぞれ配置した各画素において、カラーフィルタ6R、6G、6Bの透過波長が短くなるに従って電圧無印加時におけるセルリタデーション小さくなるように、より具体的には、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ6R、6G、6Bを配置した各画素において、電圧無印加時におけるセルリタデーションがそれぞれ450〔nm〕、385〔nm〕、350〔nm〕に設定される。
ここで図8は、緑色波長帯域について、ツイスト角を38度に固定して反射表示部における電圧無印加時のセルリタデーションの最適値を測定した測定結果であり、図9は、緑色波長帯域について、電圧無印加時のセルリタデーションを385〔nm〕に固定して反射表示部におけるツイスト角の最適値を測定した測定結果である。この図8及び図9の測定結果によれば、電圧無印加時のセルリタデーションを385〔nm〕とし、ツイスト角を38度として最も反射率が低下することが判る。
これに対して図10は、青色波長帯域について、ツイスト角を38度に固定して反射表示部における電圧無印加時のセルリタデーションの最適値を測定した測定結果であり、図11は、青色波長帯域について、電圧無印加時のセルリタデーションを350〔nm〕に固定して反射表示部におけるツイスト角の最適値を測定した測定結果である。この図10及び図11の測定結果によれば、電圧無印加時におけるセルリタデーションを350〔nm〕とし、ツイスト角を38度として最も反射率が低下することが判る。
また図12は、赤色波長帯域について、ツイスト角を38度に固定して反射表示部における電圧無印加時のセルリタデーションの最適値を測定した測定結果であり、図13は、赤色波長帯域について、電圧無印加時のセルリタデーションを450〔nm〕に固定して反射表示部におけるツイスト角の最適値を測定した測定結果である。この図12及び図13の測定結果によれば、電圧無印加時のセルリタデーションを450〔nm〕とし、ツイスト角を38度として最も反射率が低下することが判る。なお図14は、これらの測定に使用したカラーフィルタの透過率の特性を示す特性曲線図であり、符号LR、LG、LBがそれぞれ赤色、緑色、青色のカラーフィルタ6R、6G、6Bの特性である。
ここでこれら図10〜図13の測定結果によれば、図4について上述した特性に比して格段的に赤色及び青色の波長帯域において、反射率が低下することが判る。これによりこの実施例の液晶表示パネル21では、実施例1の液晶表示パネル1に比して、反射表示部において黒色が紫色を呈する現象を一段と確実に低減することができ、反射表示部と透過表示部とにおける黒の色味の相違を防止することができる。
なおこの実施例のようにカラーフィルタの色毎にリタデーションを異ならせて最適化する場合でも、実施例1について上述したと同様に、液晶表示パネル21を構成する構成部材等に応じて±50〔nm〕程度の範囲で最適値が変化することから、それぞれ赤色、緑色、青色の画素において、400〜500〔nm〕、340〜440〔nm〕、300〜400〔nm〕の範囲内で、電圧無印加時におけるリタデーションの最適値を確保することができる。
この実施例によれば、実施例1の構成を前提に、カラーフィルタの色に応じて反射表示部における液晶層の厚みを設定し、異なる色の画素間で反射表示部における液晶層の厚みが異なるように設定することにより、FFSモードによる半透過型に関して、一段と高コントラストで、色付きの少ない黒表示を確保することができる。
具体的に、赤色、緑色、青色の各画素において、電圧無印加時のリタデーションをそれぞれ400〜500〔nm〕、340〜440〔nm〕、300〜400〔nm〕に設定することにより、FFSモードによる半透過型に関して、一段と高コントラストで、色付きの少ない黒表示を確保することができる。
図15は、図2との対比により本発明の実施例3の液晶表示パネルの画素の構成を示す断面図である。この実施例の液晶表示パネル31は、反射表示部において、配向膜8の基板5側に、段差形成用の絶縁層7Aが形成され、この絶縁層7Aにより電圧無印加時の反射表示部のリタデーション値が透過波長の略1/4波長となるように設定される。なおこの実施例において、上述した実施例1、2と同一の構成は、対応する符号を付して示し、重複した説明は省略する。
図16は、この図15の奥行き方向に断面を取って示す断面図である。この図16に示すように、この液晶表示パネル31は、カラーフィルタ6R、6G、6Bの色に応じて、反射表示部の液晶層4が、電圧無印加時、ツイスト配向とホモジニアス配向とに選択的に設定される。すなわちこの実施例において、赤色及び緑色の画素は、電圧無印加時、反射表示部、透過表示部がホモジニアス配向に設定される。これに対して青色の画素は、電圧無印加時、透過表示部がホモジニアス配向に設定され、反射表示部がツイスト配向に設定される。
なお図17及び図18は、図1との対比によりこれら赤色及び緑色の画素、青色の画素を示す平面図である。赤色及び緑色の画素は、CF基板32の配向膜8、TFT基板33の配向膜19における配向方向が透過表示部と反射表示部とで異なるように設定されて、電圧無印加時、透過表示部ではCF基板32の偏光板9の吸収軸と液晶分子の配向方向とが平行になるように、反射表示部ではCF基板32の偏光板9の吸収軸に対して液晶分子の配向方向が45度傾くように設定され、反射表示部、透過表示部がホモジニアス配向に設定される。これに対して青色の画素は、透過表示部が赤色及び緑色の画素の画素透過表示部と同一に形成されて、電圧無印加時、ホモジニアス配向に設定される。また反射表示部において、CF基板32の配向膜8とTFT基板33の配向膜19との配向方向が透過表示部と異なるように設定されて、TFT基板33の界面でTFT基板33側の偏光板9の吸収軸に対して液晶分子の配向方向が13度傾くように設定され、またツイスト角が50度に設定され、これによりツイスト配向に設定される。
これによりこの液晶表示パネル31は、反射表示部の液晶層が1/4波長の位相差を有するように構成して、一段と反射表示部における黒色表示の色付きを防止する。なおこれらの透過軸、吸収軸に対する液晶分子の角度、ツイスト角にあっても、実施例1においてリタデーションについて上述したように、液晶表示パネルを構成する要素に応じて最適な角度が変化する。従ってホモジニアス配向においては、CF基板32側の偏光板9の吸収軸に対して液晶分子との成す角度を40〜50度に設定し、このツイスト配向においては、CF基板32側で、CF基板32側の偏光板9又はTFT基板33側の偏光板11の透過軸と液晶分子との成す角度を9〜18度に設定し、ツイスト角を44〜55度に設定することにより実用上十分な特性を確保することができる。
ここで図19において符号LH及びLTは、透過表示部に対して反射表示部の液晶層が1/4波長の位相差を有するように構成した場合におけるホモジニアス配向とツイスト配向とにおける黒表示時の反射率である。なおこの図19に示すホモジニアス配向の特性は、CF基板32側の偏光板9の吸収軸と液晶分子の光学軸とが45度の角度を成す場合であり、図17について上述した反射表示部の場合である。またこの図19に示すツイスト配向は、CF基板32側の偏光板9の吸収軸と液晶分子の光学軸が13度の角度を成し、ツイスト角が50度の場合であり、図18について上述した反射表示部の場合である。なおツイスト配向は、CF基板32側の偏光板9に代えてTFT基板33の偏光板11の吸収軸に対して液晶分子の光学軸が13度の角度を成すようにしてもよい。
この図19の測定結果によれば、ホモジニアス配向では、青色波長帯域の反射率が、赤色波長帯域及び緑色波長帯域の反射率に比して高く、これにより黒色が無彩色から離れて色付きにより表示されることが判る。これに対してツイスト配向では、青色波長帯域の反射率が、赤色波長帯域及び緑色波長帯域の反射率より低く、これによりホモジニアス配向とは逆に、黒色が無彩色から離れて色付きにより表示されることが判る。
このようなホモジニアス配向とツイスト配向とにおける反射率の波長特性を前提に、この実施例では、赤色画素及び緑色画素の反射表示部にホモジニアス配向を適用し、青色画素の反射表示部にツイスト配向を適用し、これにより全波長帯域において、反射率の変化を抑圧する。
すなわち図20は、ホモジニアス配向のみの場合における液晶表示パネルの反射率を示す特性曲線図であり、図21は、この実施例3の液晶表示パネル31の反射率を示す特性曲線図である。これら図20及び図21において、符号LR、LG、LBは、それぞれ赤色画素、緑色画素、青色画素における反射率である。また符号BLKは、これら赤色画素、緑色画素、青色画素による黒色表示時の反射率である。なお各画素には、図17の特性によるカラーフィルタを適用した。また図22は、この測定結果による黒表示等をCIE1931の色度図上にプロットした図であり、符号P22及び符号P23がそれぞれ図20及び図21の構成による黒表示である。この図22によれば、この実施例の構成により、矢印により示すように黒色の色度が改善されることが判る。
これら図20〜図22によれば、カラー画像を構成する複数画素にホモジニアス配向とツイスト配向とを混在させることにより、青色画素の表示色に相当する波長範囲において反射率が低下し、黒表示時の色度をより無彩色に近づけることができ、一段と黒色の色付きを防止できることが判る。
この実施例によれば、カラーフィルタの色に応じて電圧無印加時の反射表示部をツイスト配向又はホモジニアス配向とし、カラー画像の複数の色の画素において、電圧無印加時にツイスト配向及びホモジニアス配向が混在するように設定することにより、高コントラストで、一段と色付きの少ない黒表示を確保することができる。
より具体的に、透過表示部に対して反射表示部の光路長が略1/4波長の位相差を有するようにして、赤色画素及び緑色画素の反射表示部にホモジニアス配向を適用し、青色画素の反射表示部にツイスト配向を適用することにより、高コントラストで、一段と色付きの少ない黒表示を確保することができる。
さらに具体的に、このホモジニアス配向が、CF基板32側の偏光板9の吸収軸に対して液晶分子が40〜50度の角度を成すホモジニアス配向であり、このツイスト配向が、CF基板32側で、CF基板32側の偏光板9又はTFT基板33側の偏光板11の透過軸と液晶分子が9〜18度の角度を成し、45〜55度のツイスト角を有する配向であることにより、高コントラストで、一段と色付きの少ない黒表示を確保することができる。
図23は、本発明の実施例4の液晶表示パネルにおける電極の説明に供する図である。この実施例の液晶表示パネルは、上述の各実施例の液晶表示パネルにおいて、図24に示すように、透過表示部における画素電極17の電極の幅d1及び電極間の間隔d2がそれぞれ3〔μm〕及び4〔μm〕に設定される。図23は、反射表示部における電極の幅d1及び電極間の間隔d2を透過表示部と同一として、スリットの繰り返し方向に対して電圧無印加時におけるTFT基板界面における液晶分子の光学軸を変化させた場合の、反射率の変化を示す特性曲線図である。なおこの図23の測定結果は、電圧無印加時のセルリタデーションを395〔nm〕とし、電極15及び17間に4〔V〕の電圧を印加した場合の測定値である。この図23により、反射表示部では電圧無印加時におけるTFT基板界面の液晶分子の光学軸がスリットの繰り返し方向に対して5度傾くように画素電極を配置した場合に、電圧印加時の反射率が最大となることが判る。
また同様にして透過表示部についても、反射表示部と同一の電圧印加により透過率が最大となるスリットの繰り返し方向に対する液晶分子光学軸の傾きを求めることができる。
これによりこの実施例では、電圧無印加時のリタデーションを395〔nm〕に設定して1/4波長条件により液晶層4を形成し、透過表示部と反射表示部とで、電圧印加時における透過率及び反射率がそれぞれ最大となるように、透過表示部と反射表示部とでスリットの繰り返し方向を設定する。これによりこの実施例では、透過表示部と反射表示部とでこの繰り返し方向が異なるように設定する。
なおこの場合に、例えばマルチドメインにより広視野を確保する場合には、反射表示部及び透過表示部においてスリットの繰り返し方向を途中で切り換えるようにしてもよく、この場合には、それぞれ反射表示部及び透過表示部における最適値を中心にして、反射表示部及び透過表示部でスリットの繰り返し方向を切り換えるようにし、透過表示部及び反射表示部で繰り返し方向の中心値が異なるように設定してスリットの繰り返し方向を最適化することができる。
これに対して図25は、電極の大きさを変化させた場合の、電圧印加時の反射表示部における反射率の変化を示す図表である。この図25の図表によれば、電極幅d1を4〔μm〕、電極の間隔d2を9〔μm〕とした場合に、反射率が最も大きくなることが判る。図26は、この図25で求められる最適の条件により電圧を印加した場合の反射率の変化を示す特性曲線図である。これによりスリットの繰り返し方向だけでなく、電極幅d1、電極間の間隔d2によっても、反射率が変化することが判る。これによりこの実施例では、最も電圧印加時の反射率が増大する電極幅及び電極の間隔により反射表示部の画素電極を形成する。また透過表示部では、電圧印加時における透過率が最も高くなる電極幅d1=3〔μm〕、電極の間隔d2=4〔μm〕により画素電極を形成する。これによりこの実施例の液晶表示パネルは、電極の幅、電極の間隔を透過表示部及び反射表示部で最適化し、これら電極の幅、電極の間隔が透過表示部及び反射表示部で異なるように設定する。
なお実用上十分な特性を確保できる場合には、スリットの繰り返し方向、電極の幅、電極の間隔の何れか1つだけを、透過表示部及び反射表示部で異なるように設定して透過率及び反射率を最適化するようにしてもよい。
この実施例によれば、さらにスリットの繰り返し方向、電極の幅、電極の間隔の少なくとも1つを、透過表示部及び反射表示部で異なるように設定することにより、透過表示部における透過率、反射表示部における反射率を向上して白表示時の輝度を向上することができる。
図27は、本発明の実施例5の液晶表示パネルにおける電極の説明に供する図表である。この実施例の液晶表示パネルは、上述の各実施例の液晶表示パネルにおいて、画素電極が図24について上述したスリット形状により形成される。
この図27は、青色画素である電圧無印加時のセルリタデーションが350〔nm〕の場合について、電極の大きさを変化させた場合の反射率の最大値を示す図表である。この図27の特性の測定においては、実施例4において図25について上述したセルリタデーション395〔nm〕における最適条件である電極の幅d1が4〔μm〕、電極間の間隔d2が9〔μm〕の条件では、4〔V〕より電圧の低い3.5〔V〕の電圧の印加により反射率が最大となり、4〔V〕の電圧の印加では階調反転が発生する。
そこでこの実施例では、このような階調の反転現象を確実に回避しつつ、4〔V〕の電圧の印加で反射率が最大となる条件である、電極幅d1が3.5〔μm〕、電極間の間隔d2が5〔μm〕により青色画素の画素電極を形成する。
これに対して図28は、赤色画素である電圧無印加時のセルリタデーションが450〔nm〕の場合について、電極の大きさを変化させた場合の反射率の最大値を示す図表である。この図表によれば、電圧無印加時におけるセルリタデーション395〔nm〕の最適条件である電極幅d1が4〔μm〕、電極間の間隔d2が9〔μm〕の条件では、4〔V〕の電圧の印加で反射率が最大となり、ギャップ等のばらつきにより階調反転が発生する恐れがある。
そこでこの実施例では、この図28の図表より、4〔V〕の電圧の印加で高い透過率を得ることができる条件である、電極幅d1が3.5〔μm〕、電極間の間隔d2が10〔μm〕により赤色画素の画素電極を形成する。
これに対して緑色の画素については、実施例4について上述した条件である電極幅d1を4〔μm〕、電極間の間隔d2を9〔μm〕として画素電極を形成する。
また画素電極と共通電極との間の絶縁膜16の膜厚についても、同様に、カラーフィルタの色毎に、最適値を求めることができ、この実施例では、この絶縁膜16の膜厚がこの最適値に設定される。
これによりこの実施例では、電極の幅、電極の間隔、画素電極と共通電極との間の絶縁膜の膜厚がカラーフィルタに応じて設定されて、電極の幅、電極の間隔、画素電極と共通電極との間の絶縁膜の膜厚が色の異なる画素で異なるように設定される。
なお実用上十分な特性を確保できる場合には、電極の幅、電極の間隔、画素電極と共通電極との間の絶縁膜の何れか1つだけを、カラーフィルタの色に応じて設定して反射率を最適化してもよい。
この実施例によれば、電極の幅、電極の間隔、画素電極と共通電極との間の絶縁膜の少なくとも1つを、カラーフィルタの色に応じて設定することにより、反射表示部における反射率を増大させて、輝度レベルを増大させることができる。
なお上述の各実施例においては、画素電極をスリット形状として透過表示部をFFSモードとする場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図24に示すように、画素電極及び共通電極をスリット形状として透過表示部をIPSモードとする場合にも広く適用することができる。なおIPSモードでは、共通電極と画素電極とが同一面内に作成されることから、実施例5について上述した共通電極と画素電極との間の絶縁層の膜厚の最適化により輝度レベルを増大させる手法は、適用することが困難になる。
また上述の実施例においては、本発明による液晶表示装置を携帯型情報機器に適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、据え置き型の情報機器等、種々の機器に広く適用することができる。
本発明は、IPS、FFS等の液晶モードの液晶表示装置に適用することができる。
1、21、31……液晶表示パネル、2、22、32……CF基板、3、23、33……TFT基板、4……液晶層、5、10……透明絶縁基板、6、6R、6G、6B……カラーフィルタ、9、11……偏光板、8、19……配向膜、17……画素電極

Claims (4)

  1. 第1及び第2の基板で液晶層を挟持し、1つの画素内に反射表示部と透過表示部とを有する液晶表示装置において、
    前記第1の基板は、前記液晶層とは逆側に第1の偏光板を有し、
    前記第2の基板は、前記液晶層とは逆側に第2の偏光板を有すると共に、前記液晶層側に基板面に対して略平行な電界を印加する画素電極と共通電極とを有し、
    前記第1及び第2の偏光板は、透過軸が直交するように配置され、
    前記画素は、カラーフィルタを有し、
    前記液晶層は、
    前記透過表示部において、前記画素電極及び共通電極間に電圧を印加しない状態で、前記第1又は第2の偏光板の透過軸と略平行に液晶分子が配向し、
    前記反射表示部において、前記画素電極及び共通電極間に電圧を印加しない状態で、赤色画素及び緑色画素の領域がホモジニアス配向に設定され、青色画素の領域がツイスト配向に設定された
    液晶表示装置。
  2. 前記液晶層は、前記画素電極及び共通電極間に電圧を印加しない状態で、前記反射表示部のリタデーションが前記カラーフィルタの透過波長の略1/4波長である
    請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記ホモジニアス配向が、前記第1の偏光板の吸収軸に対して液晶分子が40〜50度の角度を成すホモジニアス配向であり、
    前記ツイスト配向が、前記第1の基板側で、前記第1又は第2の偏光板の透過軸と液晶分子が9〜18度の角度を成し、45〜55度のツイスト角を有する配向である
    請求項2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記画素電極は、ある間隔で並べて配置された複数の第1電極と、当該複数の第1電極を接続する第2電極とで形成され、
    前記複数の第1電極が並ぶ方向、前記第1電極の幅、前記第1電極の間隔、前記共通電極との間の絶縁膜の膜厚の少なくとも1つが、前記透過表示部及び反射表示部で異なるように設定された
    請求項1〜3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
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