JP5136532B2 - 高周波スイッチモジュール - Google Patents

Description

この発明は、複数種類の高周波信号を切り替えて送受信する高周波スイッチモジュールに関するものである。

従来、一つのアンテナで、それぞれに個別の周波数帯域からなる複数の通信信号を送受信するための高周波スイッチモジュールが各種考案されている。このような高周波スイッチモジュールには、現在、ＳＰｎＴ型（ｎは正数）のスイッチＩＣを用いたものが主流である。このスイッチＩＣは、アンテナに接続するアンテナ接続ポートと複数の高周波入出力ポート（送信ポートや受信ポート、さらには送受兼用ポート）とを有し、制御信号により、高周波信号入出力ポートのいずれかとアンテナ接続ポートとを接続するように切替制御を行う。

そして、従来の高周波スイッチモジュールでは、スイッチＩＣとアンテナとのインピーダンス整合を行う整合回路が、スイッチＩＣのアンテナ接続ポートに接続されている。例えば、特許文献１の高周波スイッチモジュールでは、アンテナ接続ポートとアンテナとの間に、π型構造のバンドパスフィルタが接続されている。

このπ型構造のバンドパスフィルタは、スイッチＩＣのアンテナ接続ポートとアンテナとの間に接続されたＬＣ直列共振回路と、当該ＬＣ直列共振回路の両端を、それぞれにグランドに接続する二つのＬＣ並列共振回路とを備える。さらに、これらの回路のアンテナ接続ポート側およびアンテナ側にはＬＣ直列共振回路に直列接続するキャパシタを備える。

そして、このようなπ型構造のバンドパスフィルタは、インピーダンス整合回路として機能するだけではなく、ＥＳＤ保護回路として機能する。

特表２００５−５０５１８６号公報

ところで、高周波スイッチモジュールで利用されるスイッチＩＣは、内部にＦＥＴやキャパシタを備えており、通電されていると、これらに電荷がチャージされる。そして、このように電荷がチャージされている状態で、スイッチング制御（切替制御）を行っても、これらチャージされた電荷が放電されるまで、スイッチの切替制御が完了しない。すなわち、高速で放電を行えなければ、高速なスイッチングは実現できない。

しかしながら、上述の従来の構造の高周波スイッチモジュールでは、アンテナ接続ポートに対して直接にキャパシタが挿入されているため、スイッチＩＣ内にチャージされた電荷が放電されにくく、この放電時間に影響されて、スイッチング切替速度が遅くなってしまう。

したがって、本発明の目的は、スイッチＩＣ内にチャージされた電荷を高速に放電し、高速なスイッチ切替を実現する高周波スイッチモジュールを構成することにある。

この発明は、単一のアンテナに接続される共通端子、および、複数の高周波通信用回路にそれぞれ接続される複数の高周波信号入出力端子を有するスイッチＩＣを備えた高周波スイッチモジュールに関するものである。この高周波スイッチモジュールは、スイッチＩＣの前記共通端子を直接にグランドへ接続する第１インダクタと、複数の高周波信号入力端子の内の少なくとも一つを、直接にグランドへ接続する第２インダクタと、を備えている。この高周波スイッチモジュールは、共通端子側の端部に第１インダクタを設置したスイッチＩＣとアンテナとのインピーダンス整合を行うインピーダンス整合回路をスイッチＩＣの共通端子とアンテナとの間に備えている。インピーダンス整合回路は、アンテナ側に接続される低域通過フィルタと、共振端子側に接続される高域通過フィルタとを組み合わせてなる帯域通過フィルタで構成されている。高域通過フィルタを構成するインダクタに第１インダクタを用いるとともに、アンテナと高域通過フィルタとの間に接続されたインダクタを低域通過フィルタに備え、第２インダクタを備えた高周波信号入力端子には、ＳＡＷフィルタが接続され、第２インダクタは前記スイッチＩＣとＳＡＷフィルタとの間に接続された、回路構成を有する。この高周波スイッチモジュールは、スイッチＩＣが実装され、且つインピーダンス整合回路の回路素子が内部電極もしくは実装される電子回路部品により実現される積層回路基板を備える。第１インダクタのグランド側の端部は、積層回路基板に形成されたビアホールのみにより積層回路基板の内層もしくは裏面に形成されたグランド電極へ接続される。積層回路基板のスイッチＩＣが実装される主面側から平面視したとき、第１インダクタと第２インダクタとは重なることなく配置されている。

この構成では、スイッチＩＣの共通端子とグランドとの間には、インダクタのみしか接続されていないので、スイッチＩＣの電荷が共通端子からインダクタを介してグランドへ高速に放電される。これにより、スイッチ切替速度が高速化される。

この構成では、さらに、スイッチＩＣの複数の高周波信号入出力端子に対しても、共通端子と同様な高速放電の構成が実現される。これにより、さらに高速な放電が実現でき、さらに高速なスイッチ切替を実現できる。

この構成では、上述の高速放電用のインダクタを、スイッチＩＣの共通端子へ接続するインピーダンス整合回路内のインダクタにより実現する。これにより、インピーダンス整合回路は、インピーダンス整合機能と、高速放電機能とを同時に実現することができ、個別に回路構成するよりも、高周波スイッチモジュールを小型化できる。

この構成では、インピーダンス整合回路のさらに詳細な構成を示すものである。このよに、低域通過フィルタと高域通過フィルタとを組み合わせることで、それぞれ単体で用いるよりも整合できる周波数帯域を広帯域にすることができる。その上で、高域通過フィルタには、信号ラインとグランドとを接続するインダクタ（シャントインダクタ）が用いられることを利用し、当該シャントインダクタを高速放電用の第１インダクタとして利用している。これにより、広帯域での伝送特性に優れ、且つ高速放電による高速スイッチング制御が可能な高周波スイッチモジュールを実現できる。

この構成では、高速放電用の第１インダクタのグランド側端子が、積層回路基板内の他の回路電極パターンを介することなく、ビアホールのみでグランドへ直接接続されるので、放電時間をさらに高速化できる。

また、この発明の高周波スイッチモジュールでは、第２インダクタの少なくとも一つのグランド側の端部は、積層回路基板に形成されたビアホールのみによりグランド電極へ接続している。

この構成では、上述の第１インダクタと同様に、第２インダクタについてもビアホールのみでグランドへ直接接続されることで、放電時間を高速化できる。

また、この発明の高周波スイッチモジュールでは、第２インダクタの少なくとも一つは、積層回路基板の表面に実装された実装型のインダクタである。

この構成では、第２インダクタを実装型のインダクタにすることで、積層回路基板内に形成されたスイッチＩＣの高周波信号入出力端子側の各回路パターンとのアイソレーションを向上させることができる。

また、この発明の高周波スイッチモジュールでは、第１インダクタは、積層回路基板の表面に実装された実装型のインダクタであり、該実装型の第１インダクタと、実装型の第２インダクタとの間には、高周波スイッチモジュールを構成する他の回路素子が配置されている。

この構成では、第１インダクタを実装型のインダクタとすることで、耐電流性が高いものや所望のインダクタンスとなるものを選びやすく、設計自由度が向上する。さらに、積層回路基板の表面に実装された第１インダクタと第２インダクタとの間に、他の素子を介在することで、スイッチＩＣの共通端子側と高周波信号入出力端子側とのアイソレーションを確保することができる。これにより、アンテナを介して流入する静電気のノイズ等が高周波信号入出力端子側へ漏洩することも防止できる。

また、この発明の高周波スイッチモジュールでは、インピーダンス整合回路は、一方端がグランドへ接続するキャパシタを備える。そして、このキャパシタの対向電極は、積層回路基板に形成された二つのグランド電極により積層方向に沿って挟まれた形状に形成されている。

この構成では、インピーダンス整合回路に用いるキャパシタを、積層回路基板に形成したグランド電極間に挟み込むことで、積層回路基板内に形成された高周波信号入出力端子側の回路パターンとのアイソレーションを確保できる。これにより、インピーダンス整合回路に流入する上述のノイズ等が、積層回路基板内に形成された高周波信号入出力端子側へ漏洩することをさらに防止できる。

この発明によれば、スイッチＩＣとグランドとを直接に接続するインダクタが存在することで、スイッチ切替時にスイッチＩＣにチャージされた電荷を高速に、グランドへ放電することができる。これにより、高速なスイッチ切替制御を行える高周波スイッチモジュールを実現することができる。

第１実施形態に係る高周波スイッチモジュール１の回路図である。 第１実施形態に係る高周波スイッチモジュール１の積層図である。 第２実施形態に係る高周波スイッチモジュール１Ａの回路図である。 第２実施形態に係る高周波スイッチモジュール１Ａの積層図である。 第３の実施形態に係る高周波スイッチモジュール１Ｂの回路図である。 第３の実施形態に係る高周波スイッチモジュール１Ｂの積層図である。 第４の実施形態に係る高周波スイッチモジュール１Ｃの回路図である。

本発明の第１実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて、図を参照して説明する。
図１は、本実施形態の高周波スイッチモジュール１の回路図である。図２は、本実施形態の高周波スイッチモジュール１を構成する積層回路基板の積層図である。

高周波スイッチモジュール１を構成する積層回路基板は、具体的構成は図２を用いて後述するが、概略的には、セラミックあるいは樹脂等の複数の誘電体層を積層してなる積層体によって形成される。そして、積層回路基板は、各誘電体層間となる内層および積層体の天面および底面に所定パターンで電極を形成することで、図１に示すような高周波スイッチモジュール１のスイッチＩＣ１０およびインダクタＬｍ１，Ｌｍ２，Ｌｍ３，Ｌｍ４，Ｌｄ、キャパシタＣｍ１、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ２，ＳＡＷ３，ＳＡＷ４以外の回路パターンを実現している。

高周波スイッチモジュール１は、複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍを有する。これら複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍは、当該高周波スイッチモジュール１が実装される後段回路の回路基板に実装されるために利用される。なお、以下の説明では、説明の便宜上、高周波スイッチモジュール１としての外部接続用電極Ｐ_Ｍは「電極」と称し、後述するスイッチＩＣ１０の実装用電極Ｐ_ＩＣは「ポート」と称する。

複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍは、アンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）と、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ），Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）、送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２），Ｐ_Ｍ（ＵＭ３）と、駆動電圧入力用の駆動電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｄ）と、制御電圧信号入力用の制御電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｃ１），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ２），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ３），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ４）とを有する。なお、図１には図示していないが接地用のグランド電極も有する。

まず、高周波スイッチモジュール１におけるスイッチＩＣ１０よりもアンテナ側の構成について説明する。

高周波スイッチモジュール１としてアンテナＡＮＴに接続するアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）には、インピーダンス整合回路２０を介して、ＣＭＯＳ構造等からなるスイッチＩＣ１０のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）が接続されている。

インピーダンス整合回路２０は、ローパスフィルタ２００Ｌとハイパスフィルタ２００Ｈとがアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間に直列接続された構成からなる。この際、ローパスフィルタ２００Ｌがアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）側に接続され、ハイパスフィルタ２００Ｈがアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）側に接続される。

ローパスフィルタ２００Ｌは、インダクタＬｍ２とキャパシタＡＣとを備える。インダクタＬｍ２は、一方端がアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）に接続され、他方端がハイパスフィルタ２００ＨのキャパシタＣｍ１に接続されている。キャパシタＡＣは、一方端がアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）に接続され、他方端がグランドに接続されている。

ハイパスフィルタ２００Ｈは、キャパシタＣｍ１とインダクタＬｍ１（本発明の第１「インダクタ」に相当する。）とを備える。キャパシタＣｍ１は、一方端がローパスフィルタ２００ＬのインダクタＬｍ２に接続され、他方端がスイッチＩＣ１０のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）に接続されている。インダクタＬｍ１は、一方端がアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）に接続され、他方端がグランドに接続されている。

このような構成として、インダクタＬｍ１，Ｌｍ２のインダクタンス、キャパシタＣｍ１，ＡＣのキャパシタンスを適宜設定することで、インピーダンス整合回路２０は、ローパスフィルタ２００Ｌとハイパスフィルタ２００Ｈとを組み合わせてなるバンドパスフィルタとして機能する。これにより、ローパスフィルタのみやハイパスフィルタのみを用いる場合よりも、広い周波数帯域でのインピーダンス整合が可能になる。例えば、ローパスフィルタのみではＧＳＭ８５０，ＧＳＭ９００の周波数帯域のみのインピーダンス整合となり、ハイパスフィルタのみではＧＳＭ１８００，ＧＳＭ１９００の周波数帯域のみのインピーダンス整合となっても、これらを組み合わせたバンドパスフィルタとすることで、ＧＳＭ８５０，ＧＳＭ９００，ＧＳＭ１８００，ＧＳＭ１９００のすべて周波数帯域をインピーダンス整合することができる。この結果、本発明のように、一つのアンテナに対して四つやより多数の周波数帯域の信号を切り替えて送受信するような高周波スイッチモジュールであって、いずれの周波数帯域での通信を行っても、優れた伝送特性を実現することができる。

また、インダクタＬｍ１により、信号ラインがグランドに接続されているので、アンテナＡＮＴから静電気ノイズ等がサージされても、当該インダクタＬｍ１からグランドへ当該サージによる電流が放電されるので、当該インピーダンス整合回路２０は、ＥＳＤ保護デバイスとしても機能し、スイッチＩＣ１０の静電破壊を防ぐことができる。

また、インダクタＬｍ１により、スイッチＩＣ１０のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）がグランドに直接接続されるので、スイッチＩＣ１０内にチャージされていた静電気を、インダクタＬｍ１を介して高速にグランドへ放電することができる。これにより、高速スイッチングを実現できる。

例えば、同じＣＭＯＳ構造からなるスイッチＩＣを用いて、当該インダクタＬｍ１のインダクタンスを２２ｎＨとし、比較対象の従来回路として当該インダクタＬｍ１とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間にキャパシタンス１０ｐＦのキャパシタを挿入した場合、スイッチングスピードが、比較対象の従来回路では８１．６μｓｅｃ．であったのに対して、本願構成の回路では１．２μｓｅｃ．となる。

このように、本実施形態のインピーダンス整合回路２０を用いれば、スイッチＩＣとアンテナとの間の広帯域なインピーダンス整合と、ＥＳＤ保護と、スイッチＩＣの高速スイッチングを、簡素な構成で実現することができる。

次に、スイッチＩＣ１０の構成について説明する。

スイッチＩＣ１０は、例えばＣＭＯＳ構造からなり、平面視して略矩形からなる所謂ＳＰ９Ｔ型のＦＥＴスイッチＩＣである。スイッチＩＣ１０は、駆動電圧Ｖｄｄで駆動し、制御電圧信号Ｖｃ１〜Ｖｃ４の組み合わせに応じて、本発明の「共通端子」に相当するアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を、本発明の「高周波信号入出力端子」に相当する通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）のいずれかに選択的に接続する機能を有する。なお、本実施形態では、ＳＰ９Ｔ型を例にしたが、ＳＰｎＴ型（ｎは２以上の正数）についても、本発明の構成を適用することができる。

次に、高周波スイッチモジュール１におけるスイッチＩＣ１０のアンテナ側と反対側、すなわち「高周波信号入出力端子」側である通信用ポート側の回路構成について説明する。

高周波スイッチモジュール１としての送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ）には、ローパスフィルタ３０Ａを介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）が接続されている。

ローパスフィルタ３０Ａは、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２、およびキャパシタＧＣｕ１，ＧＣｕ２，ＧＣｕ３，ＧＣｃ１，ＧＣｃ２を有する。

インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２は、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ）と通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）との間に直列接続されている。インダクタＧＬｔ１にはキャパシタＧＣｃ１が並列接続され、インダクタＧＬｔ２にはキャパシタＧＣｃ２が並列接続されている。インダクタＧＬｔ１の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）側とグランドとの間には、キャパシタＧＣｕ１が接続されている。インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２の接続点とグランドとの間には、キャパシタＧＣｕ２が接続されている。インダクタＧＬｔ２の送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ）側とグランドとの間には、キャパシタＧＣｕ３が接続されている。

これらローパスフィルタ３０Ａを構成する各インダクタ及びキャパシタの素子値は、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ）から入力される送信信号の周波数帯域を通過帯域とし、当該送信信号の高調波帯域を減衰する特性となるように設定されている。例えば、ＧＳＭ８５０やＧＳＭ９００の送信信号の周波数帯域を通過帯域とし、これらの２倍高調波や３倍高調波の帯域を減衰帯域とするように設定されている。

高周波スイッチモジュール１としての送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）には、ローパスフィルタ３０Ｂを介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ２）が接続されている。

ローパスフィルタ３０Ｂは、インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２、およびキャパシタＤＣｕ２，ＤＣｕ３，ＤＣｃ１を有する。

インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２は、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）と通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ２）との間に直列接続されている。インダクタＤＬｔ１にはキャパシタＤＣｃ１が並列接続されている。インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２の接続点とグランドとの間には、キャパシタＤＣｕ２が接続されている。インダクタＤＬｔ２の送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）側とグランドとの間には、キャパシタＤＣｕ３が接続されている。

これらローパスフィルタ３０Ｂを構成する各インダクタ及びキャパシタの素子値は、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）から入力される送信信号の周波数帯域を通過帯域し、当該送信信号の高調波帯域を減衰する特性となるように設定されている。例えば、ＧＳＭ１８００やＧＳＭ１９００の送信信号の周波数帯域を通過帯域とし、これらの２倍高調波や３倍高調波の帯域を減衰帯域とするように設定されている。

高周波スイッチモジュール１としての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１）には、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１を介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ３）が接続されている。このＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、第１受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、例えば、ＧＳＭ８５０通信の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするように設定されている。

高周波スイッチモジュール１としての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）には、ＳＡＷフィルタＳＡＷ２を介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ４）が接続されている。このＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、第２受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、例えば、ＧＳＭ９００通信の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするように設定されている。

高周波スイッチモジュール１としての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３）には、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３を介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ５）が接続されている。このＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、第３の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、例えば、ＧＳＭ１８００通信の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするように設定されている。さらに、このスイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ５）は、インダクタＬｍ３（本発明の「第２インダクタ」に相当する。）によりグランドに接続されている。このように、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ５）がインダクタＬｍ３によりグランドに直接接続されていることで、上述のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）側のインダクタＬｍ１と同様に、スイッチ切替時に、スイッチＩＣ１０内にチャージされていた静電気を、インダクタＬｍ３を介して高速にグランドへ放電することができる。これにより、さらに高速なスイッチングを実現することができる。

高周波スイッチモジュール１としての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）には、ＳＡＷフィルタＳＡＷ４を介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ６）が接続されている。このＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、第４の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、例えば、ＧＳＭ１９００通信の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするように設定されている。さらに、このスイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ６）は、インダクタＬｍ４（本発明の「第２インダクタ」に相当する。）によりグランドに接続されている。このように、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ６）がインダクタＬｍ４によりグランドに直接接続されていることで、上述のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）側のインダクタＬｍ１や通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ５）のインダクタＬｍ３と同様に、スイッチ切替時に、スイッチＩＣ１０内にチャージされていた静電気を、インダクタＬｍ４を介して高速にグランドへ放電することができる。これにより、さらに高速なスイッチングを実現することができる。

高周波スイッチモジュール１としての送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２），Ｐ_Ｍ（ＵＭ３）には、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ７），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）がそれぞれ接続されている。

高周波スイッチモジュール１としての駆動電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｄ）には、チョークコイルであるインダクタＬｄを介してスイッチＩＣ１０の駆動電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｄ）が接続されている。

高周波スイッチモジュール１としての制御電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｃ１），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ２），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ３），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ４）には、スイッチＩＣ１０の制御電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｃ１），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ２），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ３），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ４）がそれぞれ接続されている。

次に、高周波スイッチモジュール１を構成する積層回路基板の積層構成について、図２を参照して、より具体的に説明する。

高周波スイッチモジュール１を形成する積層回路基板は、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂを内部電極パターンで実現するとともに、これらローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂと、積層回路基板の表面に実装されたその他の回路素子と、高周波スイッチモジュール１としての各外部接続用電極Ｐ_ＭおよびスイッチＩＣ１０の各ポートＰ_ＩＣとを接続する回路パターンを、内部電極パターンや天面および底面の電極で実現する。

積層回路基板は２１層の誘電体層が積層された構造からなる。なお、図２は、積層回路基板の天面の層を第１層として、底面側にむかって層番号が増加し、積層回路基板の底面の層を第２１層とする積層図であり、以下ではこの層番号に準じて説明する。また、図２において、各層で記載されている○印は、導電性のビアホールを示し、当該ビアホールにより積層方向に列ぶ各層の電極間の導電性が確保されている。

積層回路基板の天面に対応する第１層の天面側には、実装ランド群が形成されており、実装部品であるスイッチＩＣ１０、インダクタＬｍ１，Ｌｍ２，Ｌｍ３，Ｌｍ４，Ｌｄ、キャパシタＣｍ１、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ２，ＳＡＷ３，ＳＡＷ４が所定の位置関係で実装されている。ここで、インダクタＬｍ１やインダクタＬｍ３，Ｌｍ４を実装部品とすることで、積層回路基板内に形成した電極パターンによるインダクタよりも、耐電流性が高く、素子値が選びやすいものとなるので、スイッチ切替時の静電気放電による電流が流れるインダクタに対する選択自由度を向上することができる。

また、インダクタＬｍ３，Ｌｍ４をインダクタＬｍ１に対して離間して配置するとともに、インダクタＬｍ３，Ｌｍ４とインダクタＬｍ１との間に、他の素子を介在させて配置している。同様に、インダクタＬｍ３，Ｌｍ４をインダクタＬｍ２に対して離間して配置するとともに、インダクタＬｍ３，Ｌｍ４とインダクタＬｍ２との間に、他の素子を介在させて配置している。このような構成とすることで、スイッチＩＣ１０のアンテナ用ポート側に接続されたインダクタＬｍ１，Ｌｍ２と、通信用ポート側に接続されたインダクタＬｍ３，Ｌｍ４とが電磁界結合せず、スイッチＩＣ１０のアンテナ用ポート側と通信用ポート側とのアイソレーションを高めることができる。

さらには、インダクタＬｍ１とインダクタＬｍ２とを離間して、間に他の素子を介在させることで、これらのインダクタＬｍ１，Ｌｍ２間の電磁界結合も防止できる。これにより、スイッチ切替時にインダクタＬｍ１に電流が流れても、インダクタＬｍ２に相互誘導が起こらず、これによるインピーダンス整合回路２０内でのノイズの発生を防止できる。

第２層、第３層、第４層、および第５層には各種引き回し用の電極パターンが形成されている。

第６層にはグランド電極ＧＮＤが形成されており、第７層には引き回し用の電極パターンが形成され、第８層にはグランド電極ＧＮＤが平面視した略全面に亘り形成されている。この第８層のグランド電極ＧＮＤは、キャパシタＧＣｕ１，ＧＣｕ３の対向電極としても機能している。

第９層にはキャパシタＧＣｕ１，ＧＣｕ２の対向電極が形成されている。第１０層にはビアホールのみが形成されている。

第１１層、第１２層、第１３層にはインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２を構成する電極パターンが形成されており、第１４層にはインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２を構成する電極パターンが形成されている。

第１５層、第１６層、第１７層にはビアホールのみが形成されている。

第１８層にはキャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＤＣｃ１の対向電極が形成されるとともに、グランド電極ＧＮＤが形成されている。この第１８層のグランド電極ＧＮＤは、キャパシタＡＣの対向電極としても機能している。

第１９層にはキャパシタＧＣｕ２，ＧＣｕ３，ＤＣｕ２，ＤＣｕ３，ＡＣの対向電極が形成されている。キャパシタＧＣｕ２の対向電極は、キャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２の対向電極としても機能し、キャパシタＤＣｕ２の対向電極は、キャパシタＤＣｃ１の対向電極としても機能する。

第２０層にはグランド電極ＧＮＤが平面視した略全面に形成されている。この第２０層のグランド電極ＧＮＤは、キャパシタＧＣｕ２，ＤＣｕ２，ＤＣｕ３，ＡＣの対向電極としても機能している。ここで、第１８層、第１９層、および第２０層に示すように、第１９層のキャパシタＡＣの対向電極を、第１８層および第２０層のグランド電極ＧＮＤで積層方向に沿って挟み込む構造とすることで、当該キャパシタＡＣが他の素子と結合することを防止できる。これにより、積層回路基板内に形成されたスイッチＩＣ１０の通信用ポート側の各回路パターンとのアイソレーションを確保できる。これにより、インピーダンス整合回路に流入するアンテナからのノイズ等が、積層回路基板内に形成されたスイッチＩＣ１０の通信用ポート側の各回路へ漏洩することを防止できる。

積層回路基板の底面に相当する第２１層の底面側には、側辺に沿って、上述の各外部接続用電極Ｐ_Ｍが形成されており、これらの外部接続用電極Ｐ_Ｍの配置パターンの中央には、グランド電極ＧＮＤが形成されている。また、この際、アンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）と、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）とは、底面の対向する側辺に配置されており、これらの間でのアイソレーションが確保されている。また、アンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）は、側辺に沿って隣り合う電極がグランド電極ＧＮＤとなっており、他の各外部接続用電極Ｐ_Ｍとのアイソレーションが確保されている。

以上のような構成とすることで、伝送特性が優れ、ＥＳＤ保護機能を有し、且つスイッチ切替速度が高速な高周波スイッチモジュールを、小型に形成することができる。

次に、第２実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて、図を参照して説明する。
図３は本実施形態の高周波スイッチモジュール１Ａの回路図である。
図４は本実施形態の高周波スイッチモジュール１Ａを形成する積層回路基板の積層図である。

高周波スイッチモジュール１Ａを構成する積層回路基板は、具体的構成は図４を用いて後述するが、概略的には、セラミックあるいは樹脂等の複数の誘電体層を積層してなる積層体によって形成される。そして、積層回路基板は、各誘電体層間となる内層および積層体の天面および底面に所定パターンで電極を形成することで、図１に示すような高周波スイッチモジュール１のスイッチＩＣ１０ＡおよびインダクタＬｍ１、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１２，ＳＡＷ３４以外の回路パターンを実現している。

高周波スイッチモジュール１Ａは、複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍを有する。複数の外部接続用電極Ｐ_Ｍは、アンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）と、送信用外部電極Ｐ_Ｍ（ＴｘＬＢ），Ｐ_Ｍ（ＴｘＨＢ）、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）、送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２）と、駆動電圧入力用の駆動電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｄ）と、制御電圧信号入力用の制御電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｃ１），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ２），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ３）とを有する。なお、図１には図示していないが接地用のグランド電極も有する。また、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）は、それぞれが一対の電極により構成される平衡型の電極で形成されている。

まず、高周波スイッチモジュール１ＡにおけるスイッチＩＣ１０Ａよりもアンテナ側の構成について説明する。

高周波スイッチモジュール１ＡとしてアンテナＡＮＴに接続するアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）には、インピーダンス整合回路２０Ａを介してスイッチＩＣ１０Ａのアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）が接続されている。

インピーダンス整合回路２０Ａは、インダクタＬｍ１，Ｌｍ２、キャパシタＡＣからなる。インダクタＬｍ２は、アンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間に直列接続されている。インダクタＬｍ１は、一方端がアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）に接続され、他方端がグランドに接続されている。キャパシタＡＣは、一方端がアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）に接続され、他方端がグランドに接続されている。このような構造であっても、上述の第１実施形態のインピーダンス整合回路２０と同様の作用効果を得ることができる。

次に、スイッチＩＣ１０Ａの構成について説明する。
スイッチＩＣ１０Ａは、例えばＣＭＯＳ構造からなり、平面視して略矩形からなる所謂ＳＰ６Ｔ型のＦＥＴスイッチＩＣである。スイッチＩＣ１０Ａは、駆動電圧Ｖｄｄで駆動し、制御電圧信号Ｖｃ１〜Ｖｃ３の組み合わせに応じて、本発明の「共通端子」に相当するアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を、本発明の「高周波信号入出力端子」に相当する通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ６）のいずれかに選択的に接続する機能を有する。

次に、高周波スイッチモジュール１ＡにおけるスイッチＩＣ１０Ａのアンテナ側と反対側、すなわち「高周波信号入出力端子」側である通信用ポート側の回路構成について説明する。なお、送信系の回路については、ローパスフィルタ３０ＡのキャパシタＧＣｕ３が省略されただけで、他の構成は第１実施形態と同じであるので、説明は省略する。

高周波スイッチモジュール１Ａとしての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１）と受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）には、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１２を介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ３）が接続されている。このＳＡＷフィルタＳＡＷ１２は、第１受信周波数帯域および第２受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、例えば、ＧＳＭ８５０通信の受信信号の周波数帯域とＧＳＭ９００通信の受信信号の周波数帯域とを通過帯域とするように設定されている。そして、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１２は、第１受信周波数帯域の信号（ＧＳＭ８５０通信の受信信号）が受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１）へ出力され、第２受信周波数帯域の信号（ＧＳＭ９００通信の受信信号）が受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）へ出力されるように接続されている。

さらに、このスイッチＩＣ１０Ａの通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ３）は、インダクタＬｍ３によりグランドに接続されている。

高周波スイッチモジュール１Ａとしての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３）と受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）には、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３４を介して、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ４）が接続されている。このＳＡＷフィルタＳＡＷ３４は、第３の受信周波数帯域および第４の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、例えば、ＧＳＭ１８００通信の受信信号の周波数帯域とＧＳＭ１９００通信の受信信号の周波数帯域とを通過帯域とするように設定されている。そして、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３４は、第３の受信周波数帯域の信号（ＧＳＭ１８００通信の受信信号）が受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３）へ出力され、第４の受信周波数帯域の信号（ＧＳＭ１９００通信の受信信号）が受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）へ出力されるように接続されている。

さらに、このスイッチＩＣ１０Ａの通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ４）は、インダクタＬｍ４によりグランドに接続されている。

このような受信系の構造であっても、上述の第１実施形態の受信系と同様の作用効果を得ることができる。

高周波スイッチモジュール１Ａとしての送受信兼用外部電極Ｐ_Ｍ（ＵＭ１），Ｐ_Ｍ（ＵＭ２）には、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ５），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ６）がそれぞれ接続されている。

高周波スイッチモジュール１Ａとしての駆動電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｄ）には、スイッチＩＣ１０Ａの駆動電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｄ）が接続されている。

高周波スイッチモジュール１Ａとしての制御電圧入力用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｖｃ１），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ２），Ｐ_Ｍ（Ｖｃ３）には、スイッチＩＣ１０の制御電圧入力用ポートＰ_ＩＣ（Ｖｃ１），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ２），Ｐ_ＩＣ（Ｖｃ３）がそれぞれ接続されている。

次に、高周波スイッチモジュール１Ａを構成する積層回路基板の積層構成について、図４を参照して、より具体的に説明する。

高周波スイッチモジュール１Ａを形成する積層回路基板は、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂ、インピーダンス整合回路２０ＡのインダクタＬｍ２およびキャパシタＡＣ、インダクタＬｍ３，Ｌｍ４を内部電極パターンで実現し、その他の回路素子を積層回路基板の表面に実装されたその他の回路素子で実現し、これら回路素子を接続する回路パターンや、高周波スイッチモジュール１Ａとしての各外部接続用電極Ｐ_ＭおよびスイッチＩＣ１０Ａの各ポートＰ_ＩＣとを接続する回路パターンを、内部電極パターンや天面および底面の電極で実現する。

積層回路基板は１７層の誘電体層が積層された構造からなる。なお、図４は、積層回路基板の天面の層を第１層として、底面側にむかって層番号が増加し、積層回路基板の底面の層を第１７層とする積層図であり、以下ではこの層番号に準じて説明する。また、図４においても、各層で記載されている○印は、導電性のビアホールを示し、当該ビアホールにより積層方向に列ぶ各層の電極間の導電性が確保されている。

積層回路基板の天面に対応する第１層の天面側には、実装ランド群が形成されており、実装部品であるスイッチＩＣ１０Ａ、インダクタＬｍ１、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１２，ＳＡＷ３４が所定の位置関係で実装されている。

第２層、第３層には各種引き回し用の電極パターンが形成されている。

第４層にはグランド電極ＧＮＤが平面視した略全面に亘り形成されている。この第４層のグランド電極ＧＮＤは、キャパシタＧＣｕ１の対向電極としても機能している。

第５層にはキャパシタＧＣｕ１の対向電極が形成されている。第６層にはビアホールのみが形成されている。

第７層、第８層、第９層にはインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，Ｌｍ２，Ｌｍ３，Ｌｍ４を構成する電極パターンが形成されており、第１０層にはインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，Ｌｍ２，Ｌｍ３，Ｌｍ４を構成する電極パターンが形成されている。

第１１層、第１２層にはビアホールのみが形成されている。第１３層にはグランド電極ＧＮＤが形成されている。この第１３層のグランド電極ＧＮＤは、キャパシタＡＣの対向電極としても機能している。また、第１３層のグランド電極ＧＮＤは、積層回路基板を平面視して（積層方向へ沿って見て）、インダクタＬｍ２と重なり合う位置に形成されている。これにより、インダクタＬｍ２と容量結合してキャパシタンスを発生させることで、インピーダンス整合回路２０Ａの整合の微調整に利用することもできる。

第１４層にはキャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＤＣｃ１の対向電極が形成されている。

第１５層にはキャパシタＧＣｕ２，ＤＣｕ２，ＤＣｕ３，ＡＣの対向電極が形成されている。キャパシタＧＣｕ２の対向電極は、キャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２の対向電極としても機能し、キャパシタＤＣｕ２の対向電極は、キャパシタＤＣｃ１の対向電極としても機能する。ここで、第１３層、第１５層、および第１６層に示すように、第１５層のキャパシタＡＣの対向電極を、第１３層および第１６層のグランド電極ＧＮＤで積層方向に沿って挟み込む構造とすることで、第１実施形態と同様に、当該キャパシタＡＣが他の素子と結合することを防止できる。

積層回路基板の底面に相当する第１７層の底面側には、側辺に沿って、上述の各外部接続用電極Ｐ_Ｍが形成されており、これらの外部接続用電極Ｐ_Ｍの配置パターンの中央には、グランド電極ＧＮＤが形成されている。また、この際、アンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）と、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３），Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）とは、底面の対向する側辺に配置されており、これらの間でのアイソレーションが確保されている。

以上のような構成であっても、第１実施形態の高周波スイッチモジュール１と同様に、伝送特性が優れ、ＥＳＤ保護機能を有し、且つスイッチ切替速度が高速な高周波スイッチモジュールを、小型に形成することができる。

次に、第３の実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて、図を参照して説明する。
図５は本実施形態の高周波スイッチモジュール１Ｂの回路図である。
図６は本実施形態の高周波スイッチモジュール１Ｂを形成する積層回路基板の積層図である。

本実施形態の高周波スイッチモジュール１Ｂは、第１実施形態に示した高周波スイッチモジュール１に対して、インピーダンス整合回路２０Ｂの構成および、スイッチＩＣ１０の受信系の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ３）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ６）側の回路構成が異なるものであり、他の回路構成は同じである。したがって、回路構成が同じ箇所は説明を省略する。

インピーダンス整合回路２０Ｂは、第２実施形態に示したインピーダンス整合回路２０Ａと同じ回路構成であり、インダクタＬｍ１，Ｌｍ２、キャパシタＡＣからなる。インダクタＬｍ２は、アンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間に直列接続されている。インダクタＬｍ１は、一方端がアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）に接続され、他方端がグランドに接続されている。キャパシタＡＣは、一方端がアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）に接続され、他方端がグランドに接続されている。このような構造であっても、上述の第１実施形態のインピーダンス整合回路２０や第２実施形態のインピーダンス整合回路２０Ａと同様の作用効果を得ることができる。

高周波スイッチモジュール１Ｂとしての受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１）には、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ３）が直接接続されており、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）には、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ４）が直接接続されている。また、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３）には、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ５）が直接接続されており、受信用外部電極Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）には、スイッチＩＣ１０の通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ６）が直接接続されている。このような構成とすれば、受信系の回路を、後段の回路基板で実現することになるが、高周波スイッチモジュールを、より小型化することができる。さらに、受信系の回路構成を、当該高周波スイッチモジュール１Ｂを実装する電子機器の回路基板の設計者が、自由に設計することができる。

次に、高周波スイッチモジュール１Ｂを構成する積層回路基板の積層構成について、図６を参照して、より具体的に説明する。

高周波スイッチモジュール１Ｂを形成する積層回路基板は、ローパスフィルタ３０Ａ，３０Ｂ、インピーダンス整合回路２０ＡのキャパシタＡＣを内部電極パターンで実現し、その他の回路素子を積層回路基板の表面に実装されたその他の回路素子で実現し、これら回路素子を接続する回路パターンや、高周波スイッチモジュール１Ｂとしての各外部接続用電極Ｐ_ＭおよびスイッチＩＣ１０の各ポートＰ_ＩＣとを接続する回路パターンを、内部電極パターンや天面および底面の電極で実現する。

積層回路基板は２４層の誘電体層が積層された構造からなる。なお、図６は、積層回路基板の天面の層を第１層として、底面側にむかって層番号が増加し、積層回路基板の底面の層を第２４層とする積層図であり、以下ではこの層番号に準じて説明する。また、図６においても、各層で記載されている○印は、導電性のビアホールを示し、当該ビアホールにより積層方向に列ぶ各層の電極間の導電性が確保されている。

積層回路基板の天面に対応する第１層の天面側には、実装ランド群が形成されており、実装部品であるスイッチＩＣ１０、インダクタＬｍ１，Ｌｍ２が所定の位置関係で実装されている。

第２層、第３層、第４層、および第５層には各種引き回し用の電極パターンが形成されている。

第６層にはグランド電極ＧＮＤが形成されている。この第６層のグランド電極ＧＮＤは、キャパシタＡＣの対向電極としても機能している。第７層にはキャパシタＡＣの対向電極が、第６層のグランド電極ＧＮＤと、積層回路基板を平面視して重なり合う位置に形成されている。第８層にはグランド電極ＧＮＤが、第７層のキャパシタＡＣの対向電極の形成領域を含むように、略全面に亘り形成されている。この第８層のグランド電極ＧＮＤは、キャパシタＡＣの対向電極として機能するとともに、第９層との関係からキャパシタＧＣｕ１，ＧＣｕ３，ＤＣｕ１の対向電極としても機能している。

ここで、第６層、第７層、および第８層に示すように、第７層のキャパシタＡＣの対向電極を、第６層および第８層のグランド電極ＧＮＤで積層方向に沿って挟み込む構造とすることで、第１実施形態や第２実施形態と同様に、当該キャパシタＡＣが他の素子と結合することを防止できる。さらに、本実施形態の構成では、第７層にキャパシタＡＣの対向電極しか形成していないので、層内において、キャパシタＡＣが他の素子へ結合することも防止できる。

第９層にはキャパシタＧＣｕ１，ＧＣｕ３，ＤＣｕ１の対向電極が形成されている。第１０層、第１１層にはビアホールのみが形成されている。

第１２層、第１３層、第１４層、第１５層および第１６層にはインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２を構成する電極パターンが形成されており、第１７層にはインダクタＤＬｔ２を構成する電極パターンが形成されている。第１８層にはビアホールのみが形成されている。

第２０層にはキャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２の対向電極が形成されている。第２１層にはキャパシタＧＣｕ２，ＤＣｕ２の対向電極が形成されている。第２１層のキャパシタＧＣｕ２の対向電極はキャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２の対向電極としても機能し、第２１層のキャパシタＤＣｕ２の対向電極はキャパシタＤＣｃ１の対向電極としても機能している。

第２２層にはグランド電極ＧＮＤが形成されており、当該グランド電極ＧＮＤは、キャパシタＧＣｕ２，ＤＣｕ２の対向電極としても機能している。第２３層にはグランド電極ＧＮＤが積層回路基板を平面視して（積層方向へ沿って見て）、略全面に形成されている。

積層回路基板の底面に相当する第２４層の底面側には、側辺に沿って、上述の各外部接続用電極Ｐ_Ｍが形成されており、これらの外部接続用電極Ｐ_Ｍの配置パターンの中央には、グランド電極ＧＮＤが形成されている。

このような構成であっても、上述の第１実施形態や第２実施形態で示したスイッチＩＣからアンテナ側の回路で解決できる各種の課題を解決することができる。

次に、第４の実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて、図を参照して説明する。
図７は本実施形態の高周波スイッチモジュール１Ｃの回路図である。

本実施形態の高周波スイッチモジュール１Ｃは、第１実施形態に示した高周波スイッチモジュール１に対して、インピーダンス整合回路２０Ｃの回路構成が異なり、他の回路構成は同じである。したがって、以下ではインピーダンス整合回路２０Ｃについてのみ説明する。

インピーダンス整合回路２０Ｃは、インダクタＬｍ１，Ｌｍ２、キャパシタＣｍ１，ＡＣからなる。

キャパシタＣｍ１とインダクタＬｍ２は、アンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間に直列接続されている。この際、キャパシタＣｍ１とインダクタＬｍ２は、アンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）すなわちスイッチＩＣ１０にインダクタＬｍ２が接続するように、配置されている。

インダクタＬｍ１は、一方端がインダクタＬｍ２とキャパシタＣｍ１との接続点に接続され、他方端がグランドに接続されている。キャパシタＡＣは、一方端がアンテナ用外部電極Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）に接続され、他方端がグランドに接続されている。

このような構造の場合であっても、スイッチＩＣ１０のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）は、インダクタＬｍ１，Ｌｍ２の直列回路すなわちインダクタのみを介して、グランドへ接続される。これにより、上述の第１実施形態のインピーダンス整合回路２０や第２実施形態のインピーダンス整合回路２０Ａと同様の作用効果を得ることができる。

なお、上述の各実施形態に示した高周波スイッチモジュールの構成は、一例を示すものであり、基本的な回路構成として、スイッチＩＣのアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）がインダクタのみを介してグランドへ接続される構造であればよい。さらには、このインダクタをスイッチＩＣのアンテナ接続ポートに接続するインピーダンス整合回路内のインダクタで実現するものであればよい。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ−高周波スイッチモジュール、１０，１０Ａ−スイッチＩＣ、２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ−インピーダンス整合回路、３０Ａ，３０Ｂ−ローパスフィルタ

Claims (5)

1. 単一のアンテナに接続される共通端子、および、複数の高周波通信用回路にそれぞれ接続される複数の高周波信号入出力端子を有するスイッチＩＣを備えた高周波スイッチモジュールであって、
   前記スイッチＩＣの前記共通端子を直接にグランドへ接続する第１インダクタと、
   前記複数の高周波信号入力端子の内の少なくとも一つを、直接にグランドへ接続する第２インダクタと、を備え、
   前記共通端子側の端部に前記第１インダクタを設置した前記スイッチＩＣと前記アンテナとのインピーダンス整合を行うインピーダンス整合回路を前記スイッチＩＣの前記共通端子と、前記アンテナとの間に備え、
   前記インピーダンス整合回路は、前記アンテナ側に接続される低域通過フィルタと、前記共振端子側に接続される高域通過フィルタとを組み合わせてなる帯域通過フィルタで構成され、
   前記高域通過フィルタを構成するインダクタに前記第１インダクタを用いるとともに、
   前記アンテナと前記高域通過フィルタとの間に接続されたインダクタを前記低域通過フィルタに備え、
   前記第２インダクタを備えた高周波信号入力端子には、ＳＡＷフィルタが接続され、前記第２インダクタは前記スイッチＩＣと前記ＳＡＷフィルタとの間に接続された、回路構成を有し、
   前記スイッチＩＣが実装され、且つ前記インピーダンス整合回路の回路素子が内部電極もしくは実装される電子回路部品により実現される積層回路基板を備え、
   前記第１インダクタのグランド側の端部は、前記積層回路基板に形成されたビアホールのみにより前記積層回路基板の内層もしくは裏面に形成されたグランド電極へ接続され、
   前記積層回路基板の前記スイッチＩＣが実装される主面側から平面視したとき、前記第１インダクタと前記第２インダクタとは重なることなく配置されている、高周波スイッチモジュール。
2. 前記第２インダクタの少なくとも一つのグランド側の端部は、前記積層回路基板に形成されたビアホールのみにより前記グランド電極へ接続する、請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
3. 前記第２インダクタの少なくとも一つは、前記積層回路基板の表面に実装された実装型のインダクタである、請求項２に記載の高周波スイッチモジュール。
4. 前記第１インダクタは、前記積層回路基板の表面に実装された実装型のインダクタであり、該実装型の第１インダクタと、前記実装型の第２インダクタとの間には、高周波スイッチモジュールを構成する他の回路素子が配置されている、請求項３に記載の高周波スイッチモジュール。
5. 前記インピーダンス整合回路は、一方端がグランドへ接続するキャパシタを備え、
   該キャパシタの対向電極は、前記積層回路基板に形成された二つのグランド電極により積層方向に沿って挟まれた形状に形成されている、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。

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