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JP5125356B2 - 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法ならびに電子機器 - Google Patents

電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法ならびに電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、アクティブマトリクス領域を備えた電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法ならびに電子機器に関する。
近年、フラットパネルディスプレイの１つとして、有機ＥＬ現象を利用して映像を表示する有機ＥＬディスプレイが注目されている。この有機ＥＬディスプレイは、有機発光素子自体の発光現象を利用しているために視野角が広く、かつ消費電力が低い点において優れている。特に、有機ＥＬディスプレイは、例えば、高精細度の高速ビデオ信号に対して十分な応答性を有するものと考えられており、映像分野等において実用化に向けて開発が進められている。
アクティブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイは、主に、有機発光素子およびその有機発光素子を駆動させるための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）が設けられた駆動パネルと封止パネルとが対向配置され、これらの駆動パネルと封止パネルとが有機発光素子を挟むように接着層を介して貼り合わされた構成を有している。
アクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイで用いられるＴＦＴの製造工程では、基板ステージから絶縁性基板を取り外す際に剥離帯電が生じる。また、成膜工程、エッチング工程では、導電性薄膜がチャージアップされ帯電する現象が生じ、ある特定の走査線や信号線に対して瞬間的に高電圧が印加され、走査線と信号線とが短絡する、あるいはＴＦＴの特性不良を招くことがある。
この問題の解決策として、通常動作に基づく電位差以上の高電位差が生じた場合のみ、信号線、または走査線と共通配線が接続状態になるように、スイッチ素子を介して信号線や走査線を共通電極に接続することが知られている。この構成によれば、共通配線を最終工程で切り落とす必要が無く、ＴＦＴ工程から最終工程にいたるまで、静電気による不良を低減することが可能である。しかし、機器の動作中においても存在箇所がそのままとなるため、実動作時において、スイッチ素子を介して信号線や走査線と共通配線の間に生じるリーク電流に起因する消費電力の増大が問題であった。
このような問題に対する解決手段が記載された文献として、特許文献１〜７が挙げられる。ここで、特許文献１では、スイッチ素子を介して走査線を接続させた走査線共通配線と、スイッチ素子を介して信号線を接続させた信号線共通配線が、スイッチ素子を介して接続されており、実質的に走査線共通電極が走査線電圧のオフ電圧に調整されることにより、静電気による製造不良を低減するとともに、各走査線からスイッチ素子を介して走査線共通配線へのリーク電流を小さく抑えることで消費電力を低減することを特徴としている。
また、特許文献２〜４においても、スイッチ素子を介して走査線および信号線が接続される走査線共通配線および信号線共通配線の電位を適切に調整することで、静電気による製造不良を低減するとともに、消費電力を低減させている。
これらの方式に共通する特徴は、走査線は１本ずつ順次選択されてＴＦＴをＯＮ状態にするためのＯＮ電圧が印加されるとともに、それ以外の時間はＴＦＴをＯＦＦ状態に保持するためのＯＦＦ電圧が印加されるという、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイの駆動方式を利用したことにある。
また、特許文献５では、共通配線を２本配置し、スイッチ素子にＶｔｈを超える電圧が印加されることがないよう、２本の共通配線にそれぞれ適切な電圧を印加することでスイッチ素子のリーク電流を抑える方法が開示されている。
また、特許文献６、７では、ボトムゲート型低温ポリシリコンＴＦＴの製造過程で用いられる、ボロンイオン注入工程に代わるトランジスタの閾値電圧制御方法として紫外線照射が提案されている。
特開平１１−７２８０６号公報 特許第３４２９７７５号明細書 特許第３１１１９４４号明細書 特許第２５７９４２７号明細書 特表２００４−５３８５１２号公報 特開平１０−１８９９９６号公報 特開平７−１６１９９４号公報
しかしながら、これらの方式の問題点は、信号線と共通配線の電位差を常にスイッチ素子のＶｔｈ未満に抑えることができず、スイッチ素子を介して信号線と共通配線の間にリーク電流が流れ、消費電力を最少化できないという問題がある。本発明は上記問題点にかんがみてなされたものであり、その目的は、静電気による製造歩留の低下を抑え、しかも低消費電力の電子デバイスを提供することにある。
本発明は、基板上に互いに交差するように配置された複数の走査線と複数の信号線、およびこれら複数の走査線と複数の信号線の各交差部に接続される画素トランジスタを備えるアクティブマトリクス領域と、アクティブマトリクス領域の外側に配置される短絡線と、短絡線と走査線および信号線の少なくとも一方との間に接続される静電保護素子と、アクティブマトリクス領域の外側に設けられる遮光膜とを備えており、遮光膜の静電保護素子と対応する部分に開口が設けられている電子デバイスである。
このような本発明では、走査線および信号線のうち少なくとも一方と短絡線との間に静電保護素子が設けられた電子デバイスにおいて、アクティブマトリクス領域の外側に設けられる遮光膜に開口が設けられていることから、この開口を介して静電保護素子に紫外線またはレーザ光を選択的に照射することができ、静電保護が不要になった段階で静電保護素子のリーク電流を低減するよう特性改質できるようになる。
また、本発明は、基板上に互いに交差するように配置された複数の走査線と複数の信号線、およびこれら複数の走査線と複数の信号線の各交差部に接続される画素トランジスタを備えるアクティブマトリクス領域を形成し、アクティブマトリクス領域の外周に短絡線を配置して、短絡線と走査線および信号線の少なくとも一方との間に静電保護素子を形成する工程と、静電保護素子に紫外線もしくはレーザ光を選択的に照射して、当該静電保護素子のリーク電流の低減を図る工程とを備える電子デバイスの製造方法である。
このような本発明では、走査線および信号線のうち少なくとも一方と短絡線との間に静電保護素子を設け、この静電保護素子に紫外線またはレーザ光を選択的に照射することで、静電保護が不要になった段階で静電保護素子のリーク電流が低減するように特性改質して、電子デバイスの消費電力低減を図ることができる。
また、本発明は、筐体に電子デバイスが設けられた電子機器において、この電子デバイスが、基板上に互いに交差するように配置された複数の走査線と複数の信号線、およびこれら複数の走査線と複数の信号線の各交差部に接続される画素トランジスタを備えるアクティブマトリクス領域と、アクティブマトリクス領域の外側に配置される短絡線と、短絡線と走査線および信号線の少なくとも一方との間に接続される静電保護素子と、アクティブマトリクス領域の外側に設けられる遮光膜とを備えており、遮光膜の静電保護素子と対応する部分に開口が設けられているものである。
このような本発明では、走査線および信号線のうち少なくとも一方と短絡線との間に静電保護素子が設けられた電子デバイスを備える電子機器において、アクティブマトリクス領域の外側に設けられる遮光膜に開口が設けられていることから、この開口を介して静電保護素子に紫外線またはレーザ光を選択的に照射することができ、静電保護が不要になった段階で静電保護素子のリーク電流を低減するよう特性改質できるようになる。
したがって、本発明では、静電気により大きな電圧が走査線または信号線に印加された場合に、静電保護素子を介してその電圧を逃がす方向に電荷を逃がすことができるため、製造工程での帯電による静電気破壊を低減できるとともに、その後の工程で静電保護が不要となった段階で、静電保護素子の特性改質によってリーク電流を低減し、消費電力を低減した電子デバイスを提供することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。なお、以下の説明では、本実施形態に係る電子デバイスとして、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）がマトリクス状に形成されたＴＦＴアレイを例として説明を行う。
＜ＴＦＴアレイ＞
図１は、ＴＦＴアレイの概略を示す等価回路図である。図１において、ＴＦＴアレイは絶縁性透明基板（ＴＦＴ基板）１０１上に、互いに交差するように配置された複数の走査線１０６と信号線１０７、およびこれら複数の走査線１０６と複数の信号線１０７の各交差部に、これらの配線に接続された画素ＴＦＴ１０２と、この画素ＴＦＴ１０２に接続された表示電極（図示せず）が設けられ、これらの表示電極がマトリクス状に配置されてアクティブマトリクス領域（表示領域１０３）が形成されている。
表示領域１０３の外側には、周回型の短絡線である周回短絡線１０４が配置されており、この周回短絡線１０４と各走査線１０６、各信号線１０７は、静電保護素子１０５を介して接続されている。静電保護素子１０５は、図２に示すように２つのＴＦＴからなる。静電保護素子１０５を構成するＴＦＴは表示領域１０３の画素ＴＦＴ１０２と同一の加工プロセスにより形成されており、静電保護素子１０５は、製造途中工程で切り落とされない位置に配置されている。
なお、静電保護素子１０５は、周回短絡線１０４と走査線１０６および信号線１０７のうち少なくとも一方との間に設けられていればよいが、両方との間に設けられていることが望ましい。
図３は、図１に示した画素ＴＦＴおよび図２に示した静電保持素子のＴＦＴの構造を示す模式断面図である。ＴＦＴは、絶縁性透明基板１０１に近い側からゲート電極３０２、絶縁層３０３、チャネル層３０４、ソース電極３０５およびドレイン電極３０５を積層した構造を有している。
ゲート電極３０２、ソース電極３０５、ドレイン電極３０６は、例えばＡｌやＡｌＮｄ、Ｍｏ、Ｔｉ等の金属材料により構成されている。絶縁層３０３はＳｉＮやＳｉＯの絶縁材料により形成されている。チャネル層３０４は、アモルファスシリコンや微結晶シリコン、ポリシリコンなどの半導体材料により形成されている。
このようなＴＦＴにおいては、ゲート電極３０２とソース電極３０５との間の電界によって、チャネル層３０４の導電率が変化し、ドレイン電極３０６・ソース電極３０５間の抵抗値が変化する。すなわち、図２に示すような静電保護素子が接続された配線に高電圧が印加された場合は、チャネル層が導通状態になり、電荷を周回短絡線に放電することで、静電気による絶縁破壊を防止している。
＜遮光膜＞
図４は、遮光膜を説明する模式平面図である。本実施形態に係る電子デバイスのアクティブマトリクス領域（表示領域１０３）の外側には、不要光を遮断するための遮光膜２０２が設けられている。
この遮光膜２０２は、例えばＴＦＴが形成される絶縁性透明基板１０１と対向して配置される対向基板２０１（例えば、液晶表示装置であれば共通電極やカラーフィルタを備えた対向基板）の対応する位置に設けられているものである。本実施形態では、この遮光膜２０２における静電保護素子と対応する位置に開口２０３が設けられている。複数の静電保護素子が設けられている場合には、各静電保護素子の位置に対応して開口２０３が設けられている。
したがって、遮光膜２０２が設けられた状態の電子デバイスにおいて、この遮光膜２０２の開口２０３を介して紫外線やレーザ光を照射することにより、絶縁性透明基板１０１に設けられた静電保護素子に対して選択的に紫外線線やレーザ光を当てることが可能となる。
つまり、静電保護素子の位置と対応する遮光膜２０２の部分に開口２０３を設けておくことで、遮光膜２０２が設けられた後の工程であっても、静電保護素子に選択に紫外線やレーザ光を照射でき、静電保護が不要となった段階で静電保護素子のリーク電流低減を図る処理を施すことが可能となる。
＜電子デバイスの製造方法＞
（第１の製造方法）
次に、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する。すなわち、本実施形態に係る電子デバイスであるＴＦＴアレイは、以下のようなプロセスで製造する。
先ず、絶縁性透明基板上にスパッタ法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィとエッチングにてゲート電極となるゲートメタルを形成する。続いて、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンと酸化シリコンの積層からなるゲート絶縁層、およびアモルファスシリコン層を形成する。
次に、エッチングストッパとなるシリコン窒化膜を形成する。その後は、ソース・ドレイン電極、パッシベーション膜を形成し、エッチングストッパタイプの逆スタガー型トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する。このＴＦＴの形成とともに、静電保護素子のＴＦＴも形成する。
アレイ状のＴＦＴを形成した後、図５に示すように、表示領域１０３内部をフォトマスク４０６で遮光し、波長１８５ｎｍと２５４ｎｍに発光スペクトルのピークを持つ低圧水銀ランプを用いて、紫外線を静電保護素子１０５に照射する。これにより、表示領域１０３には紫外線が照射されず、静電保護素子１０５にのみ選択的に紫外線が照射され、この紫外線によって静電保護素子１０５の特性が変化する。ここでは、静電保護素子１０５のリーク電流が照射前の１／１０以下に低減される。
静電保護素子を形成するＴＦＴの単体のＩｄ−Ｖｇ特性は紫外線照射前後で図６のように変化する。すなわち、静電保護素子のリーク電流低減は、ＴＦＴの閾値電圧が紫外線照射前と比較して約５Ｖ増加したことによるものであることが分かる。
（第２の製造方法）
次に、第２の製造方法を説明する。先ず、第１の製造方法と同様のプロセスによって、絶縁性透明基板上にアレイ状のＴＦＴおよび静電保護素子を形成する。その後、波長３５５ｎｍのレーザ光を例えば１００μｍ×１００μｍの開口部を持つスリットで寸法整形し、アレイ状のＴＦＴとともに形成した静電保護素子に、照射エネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ2となるようレーザ光を走査する。これにより、静電保護素子１０５に選択的にレーザ光が照射され、このレーザ光によって静電保護素子１０５の特性が変化する。ここでは、静電保護素子のリーク電流が照射前の１／１０以下に低減される。
静電保護素子を形成するＴＦＴの単体のＩｄ−Ｖｇ特性はレーザ光照射前後で図７のように変化する。すなわち、静電保護素子のリーク電流低減は、ＴＦＴの移動度がレーザ光照射により減少したことによるものであることが分かる。
なお、上記各製造方法で示した紫外線照射およびレーザ光照射の工程は、必ずしもアレイ状のＴＦＴを完成した後に行う必要はなく、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイで使用される対向基板の貼り合わせが完了した後に、セル工程またはモジュール工程で行っても同等の効果が得られる。
ここで、セル工程とは、ＴＦＴアレイを形成した基板（ＴＦＴ基板）に対向基板をシール材によって貼り合わせたセル（液晶表示装置では基板間に液晶を封入したセル）を構成する工程を言う。また、モジュール工程とは、セル工程で構成したセルに外部回路を接続し、枠（ベズル）を取り付けたモジュールを構成する工程を言う。
また、対向基板としてカラーフィルタを用いる場合、所望の位置にブラックマトリクス（遮光膜）の開口を設け、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板（対向基板）とを貼り合わせた後に、カラーフィルタ基板側から開口を介して紫外線やレーザ光を照射して、静電保護素子に選択的に紫外線やレーザ光を照射するようにしてもよい。また、この紫外線照射の工程をセル工程におけるシール材硬化処理（ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせる紫外線照射硬化型のシール材を硬化させる処理）と兼ねても良い。
このような製造方法によって、紫外線またはレーザを選択範囲にのみ照射することができ、画素ＴＦＴの特性を変動させることなく、静電保護素子のみ特性を変化（リーク電流低減）させ、低消費電力化を図ることが可能となる。
＜適用例＞
本実施形態にかかる電子デバイスは、図８に開示したような、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部である表示領域２００２ａを囲むようにシーリング部２０２１が設けられ、このシーリング部２０２１を接着剤として、透明なガラス等の対向部（封止基板２００６）に貼り付けられ形成された表示モジュールが該当する。
この透明な封止基板２００６には、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が設けられてもよい。なお、表示領域２００２ａが形成された表示モジュールとしての基板２００２には、外部から表示領域２００２ａ（画素アレイ部）への信号等を入出力するためのフレキシブルプリント基板２０２３が設けられていてもよい。
＜各種電子機器＞
以上説明した本発明によって製造された電子デバイスは、表示装置として図９〜図１３に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
図９は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明にて製造された電子デバイスを適用した表示装置が用いられる。
図７は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明にて製造された電子デバイスを適用した表示装置が用いられる。
図８は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明にて製造された電子デバイスを適用した表示装置が用いられる。
図９は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明にて製造された電子デバイスを適用した表示装置が用いられる。
図１０は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明にて製造された電子デバイスを適用した表示装置が用いられる。
図１１は、本発明にて製造された電子デバイスが適用される撮像装置の例を示す図である。この撮像装置は、本発明の電子デバイスとして製造されたＴＦＴアレイのＴＦＴにＭＩＳ型光センサーが接続された構成から成る。
図１１に示す撮像装置は、ＴＦＴ駆動用ドライバ１１、信号処理増幅器１２、ＭＩＳ型光センサーの駆動用ドライバ１３、ＭＩＳ型光センサーＣ１１〜Ｃ３５を備えている。また、図中Ｔ１１〜Ｔ３５はＴＦＴ、Ｖｇ１〜Ｖｇ３はＴＦＴ駆動配線、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ５は信号配線、Ｖｓ１，Ｖｓ２はバイアス配線である。
ＭＩＳ型光センサーＣ１１〜Ｃ３５は、駆動用ドライバ１３からバイアス配線Ｖｓ１、Ｖｓ２に印加される光信号を受けるもので、ここでの光信号は、ＭＩＳ型光センサーに、その電荷を蓄積される。蓄積された電荷は、順次、信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ５から信号処理増幅器を介して、ＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ３５）により、読み出される。また、ＴＦＴは、ＴＦＴ駆動用ドライバ１１から、ＴＦＴ駆動配線Ｖｇ１〜Ｖｇ３を介して、与えられた信号で、順次、オン／オフする。
本発明では、このマトリクス状にＴＦＴが形成される領域の外側に周回短絡線１０４が設けられており、走査線であるＴＦＴ駆動配線Ｖｇ１〜Ｖｇ３と周回短絡線１０４との間、および信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ５と周回短絡線１０４との間に静電保護素子１０５が設けられている。
ＴＦＴアレイの概略を示す等価回路図である。 静電保護素子の構成を示す等価回路図である。 ＴＦＴの構造を示す模式断面図である。 遮光膜を説明する模式平面図である。 遮光マスクを用いた製造方法を説明する模式平面図である。 静電保護素子を形成するＴＦＴの単体のＩｄ−Ｖｇ特性を示す図（その１）である。 静電保護素子を形成するＴＦＴの単体のＩｄ−Ｖｇ特性を示す図（その２）である。 本発明が適用される封止された構成のモジュール形状の表示装置を示す構成図である。 本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。 本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。 本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。 本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。 本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。 本発明が適用される撮像装置の概略を示す等価回路図である。
符号の説明
１０１…絶縁性透明基板、１０２…画素ＴＦＴ、１０３…表示領域、１０４…周回短絡線、１０５…静電保護素子、１０６…走査線、１０７…信号線、２０２…遮光膜、２０３…開口、３０２…ゲート電極、３０３…ゲート絶縁膜、３０４…チャネル層、３０５…ソース電極、３０６…ドレイン電極、４０６…遮光マスク

Claims (8)

  1. 基板上に互いに交差するように配置された複数の走査線と複数の信号線、およびこれら複数の走査線と複数の信号線の各交差部に接続される画素トランジスタを備えるアクティブマトリクス領域と、
    前記アクティブマトリクス領域の外側に配置される短絡線と、
    前記短絡線と前記走査線および前記信号線の少なくとも一方との間に接続される、紫外線またはレーザ光の照射によって特性が変わる静電保護素子と、
    前記アクティブマトリクス領域の外側に設けられる遮光膜とを備えており、
    前記遮光膜の前記静電保護素子と対応する部分に、当該静電保護素子に対して紫外線またはレーザ光を照射するための開口が設けられている電子デバイス。
  2. 前記基板と対向して配置される対向基板を備えており、
    前記遮光膜が、前記対向基板に設けられている請求項１に記載の電子デバイス。
  3. 前記静電保護素子は、前記開口を介しての紫外線またはレーザ光の照射によって当該静電保護素子に流れるリーク電流を低減するように特性が変化する薄膜トランジスタである請求項１または請求項２に記載の電子デバイス。
  4. 前記薄膜トランジスタは、紫外線の照射によって閾値電圧が増加し、前記静電保護素子に流れるリーク電流を低減する請求項３に記載の電子デバイス。
  5. 前記薄膜トランジスタは、レーザ光の照射によって移動度が減少し、前記静電保護素子に流れるリーク電流を低減する請求項３に記載の電子デバイス。
  6. 基板上に互いに交差するように配置された複数の走査線と複数の信号線、およびこれら複数の走査線と複数の信号線の各交差部に接続される画素トランジスタを備えるアクティブマトリクス領域を形成し、前記アクティブマトリクス領域の外周に短絡線を配置して、前記短絡線と前記走査線および前記信号線の少なくとも一方との間に、紫外線またはレーザ光の照射によって特性が変わる静電保護素子を形成する工程と、
    前記アクティブマトリクス領域の外側に設けられた遮光膜の、前記静電保護素子と対応する部分に設けられた開口を介して、前記静電保護素子に紫外線もしくはレーザ光を選択的に照射して、当該静電保護素子のリーク電流の低減を図る工程とを有する電子デバイスの製造方法。
  7. 前記静電保護素子に紫外線もしくはレーザ光を選択的に照射する工程では、前記静電保護素子が形成された基板に対向基板を貼り合わせた後に行う請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
  8. 筐体に電子デバイスが設けられて成り、
    前記電子デバイスは、
    基板上に互いに交差するように配置された複数の走査線と複数の信号線、およびこれら複数の走査線と複数の信号線の各交差部に接続される画素トランジスタを備えるアクティブマトリクス領域と、
    前記アクティブマトリクス領域の外側に配置される短絡線と、
    前記短絡線と前記走査線および前記信号線の少なくとも一方との間に接続される、紫外線またはレーザ光の照射によって特性が変わる静電保護素子と、
    前記アクティブマトリクス領域の外側に設けられる遮光膜とを備えており、
    前記遮光膜の前記静電保護素子と対応する部分に、当該静電保護素子に対して紫外線またはレーザ光を照射するための開口が設けられている電子機器。
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