JP5178847B2

JP5178847B2 - Ｒｆ用プラグコネクタ、ｒｆ用リセプタクルコネクタ、及び、ｒｆ用コネクタ

Info

Publication number: JP5178847B2
Application number: JP2010548443A
Authority: JP
Inventors: 宏行田口
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2009-01-30
Filing date: 2010-01-29
Publication date: 2013-04-10
Anticipated expiration: 2030-01-29
Also published as: CN102282727A; WO2010087202A1; US20110275243A1; US8298007B2; CN102282727B; JPWO2010087202A1

Description

本発明は、電子機器の内部部品におけるＲＦモジュールとアンテナとを接続するためのコネクタの構造に関するものであり、従来のコネクタに比べて高周波特性が向上し、さらなる高周波対応が可能となるコネクタの構造に関する。
本願は、２００９年１月３０日に、日本に出願された特願２００９−０２０２６４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

この種の同軸コネクタとして、環状空間とケーブル収容部が連通し、該環状空間にケーブルが露出していて、該環状空間に相手コネクタの筒状部の先端がケーブル収容部付近まで挿入可能となっており、絶縁体の中空部縁部から上方に延びる立壁同士間に中蓋部の少なくとも一部が収まっており、端子が上記絶縁体の本体部の中空縁部上面に配され、結線部から接触部が下方に垂下して設けられた同軸コネクタが知られている（特許文献１参照）。また、この種の同軸コネクタとして、ハウジングと、該ハウジングに装着されるブッシングと、該ブッシングに保持されるソケットと、該ソケットに装着されるセミリジッドケーブルとから構成されている同軸コネクタが知られている（特許文献２参照）。

従来のＲＦ用コネクタ（小型同軸コネクタ）では、主として同軸部（円筒部）のインピーダンス整合を行っていた。しかし、従来のＲＦ用コネクタにおいては、リード付け部の距離が短いため、そのインピーダンス整合は行われていなかった。特にグランドシェルリード部のはんだ付け部においては、はんだ付け強度を確保するための補強の役割を目的としたものが一般的であった。

特開２００６−３１８９３６号公報特開２００１−３０７８４２号公報

しかしながら、従来のＲＦ用コネクタでは、上述のように、はんだ付け部のインピーダンス整合が特に行われていなかったことが原因で、はんだ付け部において著しい反射が発生していた。

また、近年の電子機器の高性能化にともなって、さらなる高周波領域での使用に対応したＲＦ用コネクタが必要とされていた。

上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様は、導電性の端子部と；この端子部の周囲に配置された環状の導電性の同軸部と；を備えたＲＦ用プラグコネクタであって、前記同軸部の外周には同一方向に延在する導電性の一対のリード部が設けられ、前記端子部は、前記一対のリード部の間に、これらの延在方向と平行になるように配置されたリード部を有し、前記端子部のリード部と前記同軸部のリード部との間隔を調整することによりインピーダンスコントロールがされ、前記一対のリード部の端面と前記端子部のリード部の端面とは略同一平面上に配置されている。
上記本発明の第１の態様において、前記一対のリード部の端面は、前記端子部のリード部の端面よりも、前記各リード部の延在方向において外側に突出していてもよい。

本発明の第２の態様は、導電性の端子部と；この端子部の周囲に配置された環状の導電性の同軸部と；を備えたＲＦ用リセプタクルコネクタであって、前記同軸部の外周には同一方向に延在する導電性の一対のリード部が設けられ、前記端子部は、前記一対のリード部の間に、これらの延在方向と平行になるように配置されたリード部を有し、前記端子部のリード部と前記同軸部のリード部との間隔を調整することによりインピーダンスコントロールがされ、前記一対のリード部の端面と前記端子部のリード部の端面とは略同一平面上に配置されている。
上記本発明の第２の態様において、前記一対のリード部の端面は、前記端子部のリード部の端面よりも、前記各リード部の延在方向において外側に突出していてもよい。

また、本発明の第３の態様は、リード部及びその一部に突設された端子部を有するリセプタクル側信号コンタクト部と、該リセプタクル側信号コンタクト部の両側に配置され同一方向に延在する一対のリード部及びこれらリード部に接続された筒型の同軸部を有し、該同軸部の中央に前記リセプタクル側信号コンタクト部の端子部が配置されるように絶縁部を介して前記リセプタクル側信号コンタクト部と一体化されるリセプタクル側グランドシェル部と、を有するリセプタクルコネクタと；リード部及びその一部に突設された端子部を有するプラグ側信号コンタクト部と、該プラグ側信号コンタクト部の両側に配置され同一方向に延在するリード部及びこれらリードに接続された筒型の同軸部を有し、該同軸部の中央に前記プラグ側信号コンタクト部の端子部が配置されるように絶縁部を介して前記プラグ側信号コンタクト部と一体化されるプラグ側グランドシェル部と、を有するプラグコネクタと；を備えるＲＦ用コネクタであって、前記リセプタクルコネクタの同軸部と前記プラグコネクタの同軸部とを嵌合することにより、前記リセプタクルコネクタの端子部と前記プラグコネクタの端子部とが接続自在であり、前記リセプタクル側グランドシェル部の一対のリードの間に、これらの延在方向と平行になるように前記リセプタクル側信号コンタクト部のリード部が配置され、前記プラグ側グランドシェル部の一対のリードの間に、これらの延在方向と平行になるように前記プラグ側信号コンタクト部のリード部が配置され、前記リセプタクル側グランドシェル部及びプラグ側グランドシェル部のリード部の端面と、前記リセプタクル側信号コンタクト部及びプラグ側信号コンタクト部のリードの端面とは、それぞれ略同一平面上に配置されている。

上記本発明の第３の態様において、前記リセプタクル側信号コンタクト部のリード部と前記リセプタクル側グランドシェル部のリード部とがいずれも板状に形成され、前記リセプタクル側グランドシェル部のリード部は、前記リセプタクル側グランドシェル部の同軸部の中心軸に対して直交方向に突出し、前記リセプタクル側信号コンタクト部のリード部と前記リセプタクル側グランドシェル部のリード部とが面一に配置されていてもよい。また、前記プラグ側信号コンタクト部のリード部と前記プラグ側グランドシェル部のリード部とがいずれも板状に形成され、前記プラグ側グランドシェル部のリード部は、前記プラグ側グランドシェル部の同軸部の中心軸に対して直交方向に突出し、前記プラグ側信号コンタクト部のリード部と前記プラグ側グランドシェル部のリード部とが面一に配置されていてもよい。

上記本発明の第３の態様において、前記リセプタクル側信号コンタクト部のリード部と前記リセプタクル側グランドシェル部のリード部との一面、または前記プラグ側信号コンタクト部のリード部と前記プラグ側グランドシェル部のリード部との一面が面一に配置されて、前記リセプタクルコネクタまたは前記プラグコネクタがこれらの一面をはんだ付け面として回路基板のパターンに接続自在であってもよい。また、前記リセプタクル側グランドシェル部及びプラグ側グランドシェル部のリード部の端面は、それぞれ前記リセプタクル側信号コンタクト部及びプラグ側信号コンタクト部のリードの端面よりも、前記各リード部の延在方向において外側に突出していてもよい。

本発明によるコネクタは、端子部のリード部の両側に同軸部のリード部が配置され、端子部のリード部と同軸部のリード部との間隔を調整してインピーダンスコントロールしているので、端子部と同軸部との間の部分におけるインピーダンスの整合が容易である。その結果、この部分における信号反射の発生を抑制して高周波領域での使用に有利な構造とすることができる。
また、リセプタクル側信号コンタクト部とリセプタクル側グランドシェル部とが、同軸部の中央に端子部が配置され、グランドシェル部に設けられた同一方向に延在する一対のリード部の間に、信号コンタクト部のリード部が上記延在方向と平行に配置されるように一体化することによりリセプタクルコネクタが構成されている。さらに、プラグ側信号コンタクト部とプラグ側グランドシェル部とが、同軸部の中央に端子部が配置され、グランドシェル部に設けられた同一方向に延在する一対のリード部の間に、信号コンタクト部のリード部が上記延在方向と平行に配置されるように一体化することによりプラグコネクタが構成されている。よって、リセプタクルコネクタのリード部間、およびプラグコネクタのリード部間のいずれにおいてもインピーダンスコントロールをリード部間の間隔調整により行うことができる。この結果、リセプタクルコネクタとプラグコネクタの両方においてインピーダンスの整合が容易であって、これらの部分における信号反射の発生を抑制して高周波領域での使用に有利な構造とすることができる。
さらに、信号コンタクト部のリード部とグランドシェルのリード部とが面一になっているので、インピーダンスコントロールをリード部間の調整によって正確且つ確実に行うことができ、高周波領域において有利となる。したがって、高周波特性（ＶＳＷＲ）を大幅に改善できる。また、これにより従来よりも高周波（例えば１６ＧＨｚ程度）における使用を可能とすることができる。
さらに、本発明によるリード部の一面をはんだ付け面とするならば、従来型のＲＦ用コネクタと比較して、はんだ付け強度を維持しつつはんだ付け部のインピーダンス整合を行うことができ、高周波特性に優れる。

本発明の一実施形態に係るＲＦ用コネクタを構成しているリセプタクルコネクタの斜視図である。同実施形態に係るＲＦ用コネクタを構成しているプラグコネクタの斜視図である。同実施形態に係るリセプタクル側信号コンタクト部の斜視図である。同実施形態に係るプラグ側信号コンタクト部の斜視図である。同実施形態に係るＲＦ用コネクタの嵌合状態における縦断面図である。同実施形態に係るＲＦ用コネクタの嵌合状態における、リセプタクルコネクタ側からの斜視図である。同実施形態に係るＲＦ用コネクタの嵌合状態における、プラグコネクタ側からの斜視図である。同実施形態に係るＲＦ用コネクタを構成しているリセプタクルコネクタの斜視図である。同実施形態に係るＲＦ用コネクタを構成しているプラグコネクタの斜視図である。

以下、本発明の一実施形態に係るＲＦ用コネクタについて説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。

図１および図２は、本発明の一実施形態に係るＲＦ用コネクタの概略を示した図である。本発明のＲＦ用コネクタは、リセプタクルコネクタ１と、プラグコネクタ２とから成る。リセプタクルコネクタ１とプラグコネクタ２とはそれぞれ別の回路基板に実装される。リセプタクルコネクタ１とプラグコネクタ２とは一体に嵌合されて、それぞれのコネクタを実装した基板を電気的に接続する。図３および図４は、リセプタクルコネクタ１およびプラグコネクタ２のそれぞれの概略的な分解斜視図を示している。

リセプタクルコネクタ１は、図３の（ａ）に示すリセプタクル側信号コンタクト部１０、図３の（ｂ）に示すリセプタクル側グランドシェル部２０および図３の（ｃ）に示す絶縁部３０から成る。リセプタクルコネクタ１は、インサート成型により、リセプタクル側信号コンタクト部１０、リセプタクル側グランドシェル部２０および絶縁部３０を一体で成型することにより得てもよい。

リセプタクル側信号コンタクト部１０のリード部１１は、例えば銅合金のような略長方形状の板状の導体から形成される。リード部１１の一方の面は回路基板にはんだ付けされるはんだ付け部１２であり、その反対側の面には、略円柱形状の端子部１３がその面の略法線方向に、はんだ付け部の反対側に向かって突出して設けられている。この端子部１３は、絞り加工等によりリード部１１と一体的に形成されてもよく、それぞれ別部品として形成された後で一体に接合されてもよい。

リセプタクル側グランドシェル部２０のリード部２２は、例えば銅合金のような略Ｕ字形状の板状の導体から形成される。リード部２２の一方の面は回路基板にはんだ付けされるはんだ付け部２５であり、その反対側の面には、円筒形状の同軸部２１がその面の略法線方向に、はんだ付け部の反対側に向かって突出して設けられている。さらに、略Ｕ字状のリード部２２の半円状部２２ａと同軸部２１の外周とは一体化するように形成されている。この同軸部２１も絞り加工等によりリード部２２と一体的に形成されてもよく、それぞれ別部品として形成された後で一体に接合されてもよい。

絶縁部３０は樹脂等の絶縁体で板状に形成されており、リセプタクル側信号コンタクト部１０の端子部１３とリセプタクル側グランドシェル部２０の同軸部２１とが同心に配置されるように、リセプタクル側信号コンタクト部１０およびリセプタクル側グランドシェル部２０を収容するとともに、これらを互いに電気的に絶縁する。

リセプタクル側グランドシェル部２０のリード部２２は、リセプタクル側信号コンタクト部１０のリード部１１の両側にそのリード部１１から所定の間隔だけ離間されて配置されている。また、リード部１１の端面１４およびリード部２２の端面２３は、リード部１１の長手軸（延在方向）に沿って、絶縁部３０の本体部３０ａの側面から外側に向かって突出している。各リード部の端面１４と端面２３とは同一平面上に配置されている。

絶縁体３０は、板状の本体部３０ａの中央に形成された孔部３０ｂを有し、この孔部３０ｂにリセプタクル側グランドシェル部２０の同軸部２１を挿通してリセプタクル側グランドシェル部２０と一体化されている。また、リセプタクル側グランドシェル部２０に面する絶縁体３０の底部両側にはリード部２２、２２を部分的に収容する溝部３０ｃが形成されている。リセプタクル側グランドシェル部２０の同軸部２１を孔部３０ｂに挿通して絶縁体３０とリセプタクル側グランドシェル部２０とを一体化した状態において、リード部２２、２２は絶縁体３０の両サイドから部分的に突出している。また、孔部３０ｂの内側の同軸部２１の内側にはドーナツ板状の絶縁部材３０ｄが挿入され、この絶縁部３０ｄの中心の孔部３０ｅに端子部１３を挿通してリセプタクル側信号コンタクト部１０が絶縁体３０に装着されている。また、絶縁部３０の底部中央に溝部３０ｃ、３０ｃの間に位置するように収納溝３０ｆが形成されており、この収納溝３０ｆにリセプタクル側信号コンタクト部１０のリード部１１がはめ込まれる。リード部１１の先端部は絶縁体３０から若干突出されている。

一方のプラグコネクタ２は、図４の（ａ）に示すプラグ側信号コンタクト部４０、図４の（ｂ）に示すプラグ側グランドシェル部５０および図４の（ｃ）に示す絶縁部６０から成る。プラグ側信号コンタクト部４０およびプラグ側グランドシェル部５０は、それぞれリセプタクル側信号コンタクト部１０およびリセプタクル側グランドシェル部２０と相補的な形状を有している。また、プラグコネクタ２は、プラグ側信号コンタクト部４０、プラグ側グランドシェル部５０および絶縁部６０を一体で成型することにより得てもよい。

プラグ側信号コンタクト部４０の端子部４３は、略長方形状の板状の導体で形成されたリード部４１のはんだ付け部４２の反対側の面から、その面の略法線方向に、はんだ付け部の反対側に向かって突出して設けられている。その端子部４３は略円筒形状であるが、径方向において端子部４３の中心軸に沿って等角度で複数の部分に分割されていてもよい（図４の（ａ）の例では分割されている）。端子部４３は、プレス加工等によりリード部４１と一体的に形成されてもよく、それぞれ別部品として形成された後で一体に接合されてもよい。

プラグ側グランドシェル部５０の同軸部５１は、略Ｕ字形状の板状の導体で形成されたリード部５２のはんだ付け部５５の反対側の面から、その面の略法線方向に、はんだ付け部の反対側に向かって突出して設けられている。同軸部５１も略円筒形状であり、径方向において同軸部５１の中心軸に沿って等角度で複数の部分に分割されている。さらに、リード部５２の半円状部と同軸部５１の円弧とは一致するように形成されている。この同軸部５１もプレス加工等によりリード部５２と一体的に形成されてもよく、それぞれ別部品として形成された後で一体に接合されてもよい。

絶縁部６０は樹脂等の絶縁体で板状に形成されており、プラグ側信号コンタクト部４０の端子部４３とプラグ側グランドシェル部５０の同軸部５１とが同心に配置されるように、プラグ側信号コンタクト部４０およびプラグ側グランドシェル部５０を収容するとともに、これらを互いに電気的に絶縁する。

絶縁部６０は、板状の本体部６０ａの中央に円筒形の突起部６０ｂを有し、突起部６０ｂの外周側にはプラグ側グランドシェル部５０の同軸部５１を挿通自在な嵌込孔６０ｃが形成されている。突起部６０ｂの内側にはプラグ側信号コンタクト部４０の端子部４３を挿通自在とされている。突起部６０ｂの内側の丸型の孔部６０ｄは前述のリセプタクル側信号コンタクト部の端子部１３を挿入可能な内径とされ、孔部６０ｄの内周部に縦型の溝部６０ｅが４つ形成されている。これらの溝部６０ｅはプラグ側信号コンタクト部４０の４分割された端子部４３が挿入される。すなわち、絶縁部６０の嵌込孔６０ｃにプラグ側グランドシェル部５０の同軸部５１上部を嵌め込むとともに、プラグ側信号コンタクト部４０の端子４３上部を溝部６０ｅに挿入することで、絶縁部６０とプラグ側グランドシェル部５０とプラグ側信号コンタクト部４０とが図２に示したように一体化される。なお、図２に示した状態において、プラグ側グランドシェル部５０のリード部５２とプラグ側信号コンタクト部４０のリード部４１とは絶縁部６０の外側に若干突出している。

プラグ側グランドシェル部５０のリード部５２も、プラグ側信号コンタクト部４０のリード部４１の両側にそのリード部４１から所定の間隔ｄ（図１および図２参照）だけ離間されて配置されている。また、リード部４１の端面４４およびリード部５２の端面５３は、リード部４１の長手軸（延在方向）に沿って、絶縁部６０の側部から外側に向かって若干突出している。端面４４と端面５３とは同一平面上に配置されている。

本発明によるＲＦ用コネクタは、上記の間隔ｄを調整することによってリード部のインピーダンス整合をとることが可能である。この間隔ｄを変化させることによって、リード部のインピーダンスを所望の数値に適合させることが可能である。

また、本実施形態の構造を用いて本発明者が行った電磁界シミュレーションの結果によれば、グランドシェル部２０、５０のリード端面２３、５３が信号コンタクト部１０、４０の端面１４、４４よりも、各リード部の延在方向において約０．５ｍｍ外側に突出していた方が、高周波特性が良好であることが判明している。したがって、グランドシェル部２０、５０のリード端面２３、５３が信号コンタクト部１０、４０の端面１４、４４よりも、各リード部の延在方向において約０．５ｍｍ外側に突出していてもよい。

さらに、リセプタクル側グランドシェル部２０の同軸部２１の外周面には溝部２６が形成され、プラグ側グランドシェル部５０の同軸部５１の内周面には溝部２６に対応した高さにおいて１つ以上の突起部５６が形成されてもよい。リセプタクルコネクタ１とプラグコネクタ２とを嵌合させたときに（図５、図６および図７参照）、溝部２６に突起部５６が入り込むことによって、リセプタクルコネクタ１とプラグコネクタ２との間の予期しない脱離が防止される。

本発明によるコネクタは、端子部のリード部１１、４１の両側に同軸部のリード部２２、５２が配置され、端子部のリード部１１、４１と同軸部のリード部２２、５２との間隔を調整してインピーダンスコントロールしているので、端子部１３、４３と同軸部２１、５１との間の部分におけるインピーダンスの整合が容易であって、この部分における信号反射の発生を抑制して高周波領域での使用に有利な構造とすることができる。
また、リセプタクル側信号コンタクト部１０とリセプタクル側グランドシェル部２０とが、同軸部２１の中央に端子部１３が配置され、グランドシェル部に設けられた同一方向に延在する一対のリード部２２、２２の間に信号コンタクト部のリード部１１が配置されるように一体化することによりリセプタクルコネクタ１が構成されている。さらに、プラグ側信号コンタクト部４０とプラグ側グランドシェル部５０とが、同軸部５１の中央に端子部４３が配置され、グランドシェル部に設けられた同一方向に延在する一対のリード部５２、５２の間に信号コンタクト部のリード部４１が配置されるように一体化することによりプラグコネクタ２が構成されている。よって、リセプタクルコネクタ１のリード部間、およびプラグコネクタ２のリード部間のいずれにおいてもインピーダンスコントロールをリード部間の間隔調整により行うことができる。この結果、リセプタクルコネクタ１とプラグコネクタ２の両方においてインピーダンスの整合が容易であって、これらの部分における信号反射の発生を抑制して高周波領域での使用に有利な構造とすることができる。
さらに、信号コンタクト部のリード部１１、４１とグランドシェル部のリード部２２、５２とが面一になっているので、インピーダンスコントロールをリード部間の調整によって正確且つ確実に行うことができ、高周波領域において有利となる。したがって、高周波特性（ＶＳＷＲ）を大幅に改善できる。また、これにより従来よりも高周波（例えば１６ＧＨｚ程度）における使用を可能とすることができる。
さらに、本発明によるリード部の一面をはんだ付け面とするならば、従来型のＲＦ用コネクタと比較して、はんだ付け強度を維持しつつはんだ付け部のインピーダンス整合を行うことができ、高周波特性に優れる。

本発明は、電子機器の内部部品におけるＲＦモジュール基板とアンテナ基板とを接続するためのコネクタとして利用することが可能である。

１リセプタクルコネクタ
２プラグコネクタ
１０リセプタクル側信号コンタクト部
１１、２２、４１、５２リード部
１２、２５、４２、５５はんだ付け部
１３、４３端子部
１４、２３、４４、５３端面
２０リセプタクル側グランドシェル部
２１、５１同軸部
２２ａ、５２ａ半円状部
２６溝部
３０、６０絶縁部
３０ａ本体部
３０ｂ孔部
３０ｃ溝部
３０ｄ絶縁部材
３０ｅ、６０ｄ孔部
３０ｆ収納溝
６０ｂ突起部
６０ｃ嵌込孔
６０ｅ溝部
４０プラグ側信号コンタクト部
５０プラグ側グランドシェル部
５６突起部

Claims

導電性の端子部と；
この端子部の周囲に配置された環状の導電性の同軸部と；
を備えたＲＦ用プラグコネクタであって、
前記同軸部の外周には同一方向に延在する導電性の一対のリード部が設けられ、
前記端子部は、前記一対のリード部の間に、これらの延在方向と平行になるように配置されたリード部を有し、
前記端子部のリード部と前記同軸部のリード部との間隔を調整することによりインピーダンスコントロールがされ、
前記一対のリード部の端面と前記端子部のリード部の端面とは略同一平面上に配置されていることを特徴とするＲＦ用プラグコネクタ。
導電性の端子部と；
この端子部の周囲に配置された環状の導電性の同軸部と；
を備えたＲＦ用リセプタクルコネクタであって、
前記同軸部の外周には同一方向に延在する導電性の一対のリード部が設けられ、
前記端子部は、前記一対のリード部の間に、これらの延在方向と平行になるように配置されたリード部を有し、
前記端子部のリード部と前記同軸部のリード部との間隔を調整することによりインピーダンスコントロールがされ、
前記一対のリード部の端面と前記端子部のリード部の端面とは略同一平面上に配置されていることを特徴とするＲＦ用リセプタクルコネクタ。
リード部及びその一部に突設された端子部を有するリセプタクル側信号コンタクト部と、該リセプタクル側信号コンタクト部の両側に配置され同一方向に延在する一対のリード部及びこれらリード部に接続された筒型の同軸部を有し、該同軸部の中央に前記リセプタクル側信号コンタクト部の端子部が配置されるように絶縁部を介して前記リセプタクル側信号コンタクト部と一体化されるリセプタクル側グランドシェル部と、を有するリセプタクルコネクタと；
リード部及びその一部に突設された端子部を有するプラグ側信号コンタクト部と、該プラグ側信号コンタクト部の両側に配置され同一方向に延在するリード部及びこれらリードに接続された筒型の同軸部を有し、該同軸部の中央に前記プラグ側信号コンタクト部の端子部が配置されるように絶縁部を介して前記プラグ側信号コンタクト部と一体化されるプラグ側グランドシェル部と、を有するプラグコネクタと；
を備えるＲＦ用コネクタであって、
前記リセプタクルコネクタの同軸部と前記プラグコネクタの同軸部とを嵌合することにより、前記リセプタクルコネクタの端子部と前記プラグコネクタの端子部とが接続自在であり、
前記リセプタクル側グランドシェル部の一対のリードの間に、これらの延在方向と平行になるように前記リセプタクル側信号コンタクト部のリード部が配置され、
前記プラグ側グランドシェル部の一対のリードの間に、これらの延在方向と平行になるように前記プラグ側信号コンタクト部のリード部が配置され、
前記リセプタクル側グランドシェル部及びプラグ側グランドシェル部のリード部の端面と、前記リセプタクル側信号コンタクト部及びプラグ側信号コンタクト部のリードの端面とは、それぞれ略同一平面上に配置されていることを特徴とするＲＦ用コネクタ。
前記リセプタクル側信号コンタクト部のリード部と前記リセプタクル側グランドシェル部のリード部とがいずれも板状に形成され、
前記リセプタクル側グランドシェル部のリード部は、前記リセプタクル側グランドシェル部の同軸部の中心軸に対して直交方向に突出し、
前記リセプタクル側信号コンタクト部のリード部と前記リセプタクル側グランドシェル部のリード部とが面一に配置されていることを特徴とする請求項３に記載のＲＦ用コネクタ。
前記プラグ側信号コンタクト部のリード部と前記プラグ側グランドシェル部のリード部とがいずれも板状に形成され、
前記プラグ側グランドシェル部のリード部は、前記プラグ側グランドシェル部の同軸部の中心軸に対して直交方向に突出し、
前記プラグ側信号コンタクト部のリード部と前記プラグ側グランドシェル部のリード部とが面一に配置されていることを特徴とする請求項３または４に記載のＲＦ用コネクタ。
前記リセプタクル側信号コンタクト部のリード部と前記リセプタクル側グランドシェル部のリード部との一面、または前記プラグ側信号コンタクト部のリード部と前記プラグ側グランドシェル部のリード部との一面が面一に配置されて、前記リセプタクルコネクタまたは前記プラグコネクタがこれらの一面をはんだ付け面として回路基板のパターンに接続自在であることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載のＲＦ用コネクタ。