JP5017923B2 - 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置では、画素電極等の表示用電極や、これを駆動するためのデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の回路部が設けられた基板上に、その一辺の縁に沿って、複数の外部回路接続端子が配列されている。基板上には更に、これら複数の外部回路接続端子から走査線駆動回路やデータ線駆動回路等の回路部へ複数種類の信号を供給するための複数の信号配線が配線される。

このような信号配線については、例えば特許文献１では、元々の配線に加えて、画素内の導電膜と同一膜から追加の配線を形成する、即ち冗長配線構造にすることにより、工程数を増加させずに配線の低抵抗化を図るという工夫がなされている。

特開２００２−２２９０６１号公報

しかしながら、互いに異なる種類の信号が供給される信号配線については、基板上で平面的に見て、重ならないように構成されているので、パターニング可能な微細化の限界以上に、相隣接する信号配線の間隔を、同一平面内で狭めることができない。このため、信号配線をレイアウトするために必要となる面積を縮小するには、本質的な限界があり、電気光学装置の小型化の弊害となっているという問題点がある。更に、例えば電気光学装置の小型化に伴って、信号配線の間隔が狭くなることにより、相隣接する配線に供給される互いに異なる種類の信号間での干渉が大きくなってしまうという問題点がある。特に、データ線駆動回路等を動作させるための周波数の高いクロック信号等により画像信号にノイズが発生してしまうという問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば、基板サイズの縮小が可能であり、且つ、画像信号におけるノイズの影響を抑制し、高品位の画像表示が可能である電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、画素領域に設けられた複数の画素と、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられた、前記複数の画素を制御するための周辺回路と、前記周辺回路を制御するための複数種類の信号のうち異なる種類の信号を夫々供給し、層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜の夫々で形成されると共に、前記周辺領域で少なくとも一部において互いに重なる部分を有する複数の信号配線と、前記複数の信号配線の互いに重なる部分の間に位置するシールド膜とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、外部回路から、例えば画像信号、クロック信号、各種制御信号、電源信号等が、例えば外部回路接続端子を介して、複数の信号配線及び周辺回路に供給される。複数の信号配線及び周辺回路は、基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられている。ここに本発明に係る「周辺回路」とは、例えば画素に電気的に接続された走査線やデータ線を制御或いは駆動するための走査線駆動回路やデータ線駆動回路等の基板上に作り込まれる又は取り付けられる各種の回路を意味する。例えばデータ線駆動回路により画像信号が、データ線を介して各画素に供給される。これと共に、走査線駆動回路により走査線を介して走査信号が各画素に供給される。画素毎に設けられた例えば画素スイッチング用薄膜トランジスタ（以下、適宜「画素スイッチング用ＴＦＴ」という。）は、走査線にゲートが接続されており、走査信号に応じて画像信号を画素電極へ選択的に供給する。これらにより、例えば、画素電極及び対向電極間に挟持された、例えば液晶等の電気光学物質を各画素で駆動することで、アクティブマトリクス駆動が可能である。尚、当該電気光学装置の駆動方式としては、アクティブマトリクス駆動方式に限らず、パッシブマトリクス駆動方式、セグメント駆動方式等の各種の駆動方式が考えられる。

本発明では特に、複数の信号配線は、層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜から形成される。更に、複数の信号配線は、周辺領域において、基板上で平面的に見て少なくとも一部において互いに重なる部分を有する。よって、基板をその法線方向から見た一定領域内に、より多くの信号配線を互いにショートしないように配線することが可能となる。即ち、一本一本の配線幅を相対的に広く確保しつつ、より多くの信号配線を配線することが可能となる。これにより、画素領域を広く確保しつつ、周辺領域の削減による基板全体、惹いては電気光学装置の全体の小型化を図ることが可能となる。

更に、本発明では特に、複数の信号配線は、複数の導電膜のうち、例えば信号の種類別に異なる導電膜から夫々形成される。ここに「信号の種類」とは、信号の周波数或いは電位の高低等の信号自体の性質を意味する。例えば、複数の信号配線のうち、周波数が所定の周波数より高い信号を供給するための信号配線は、高周波信号配線として一の導電膜から形成され、周波数が所定の周波数より低い信号を供給するための信号配線は、低周波信号配線として、高周波信号配線とは異なる一の導電膜から形成される。

加えて、本発明では特に、複数の信号配線の基板上で互いに重なる部分の間の層において複数の信号線と重なるように設けられたシールド膜を備える。即ち、例えば、複数の信号配線のうち一の信号配線と他の信号配線との間で電磁シールドを行うために、複数の信号配線の基板上で平面的に見て、互いに重なる配線部分の間に位置するシールド膜を備える。よって、一の信号配線と他の信号配線とは、シールド膜により、互いに信号から発生する電磁ノイズが低減される。ここに本発明に係る「シールド膜」とは、導電等の電磁シールド機能を有する膜を意味する。尚、「シールド膜」は、複数の信号配線のうち、一の信号配線と他の信号配線との間に位置する更に他の信号配線でもよい。即ち、シールド膜と複数の導電膜のうちの一つとが、共用である場合、更に、シールド膜と複数の信号配線のうちの一つとが共用である場合も含む。この結果、特に画像信号に比べて周波数が高い信号である例えばデータ線駆動回路用のクロック信号の画像信号に及ぼす電磁ノイズが低減されることにより、高品位の画像表示が可能となる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、基板サイズを縮小することができ、電気光学装置を小型化することが可能であると共に、異なる種類の信号間の電磁的な干渉を低減し、高品位の画像表示が可能である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記基板上に、前記画素領域で互いに交差するように設けられた複数のデータ線及び複数の走査線を更に備え、前記画素は、前記データ線及び前記走査線の交差に応じて設けられており、前記基板上に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量を備え、前記複数の導電膜及び前記シールド膜は夫々、前記データ線、前記下側電極及び前記上側電極を夫々構成する導電膜のうちいずれかと同一膜である。

この態様によれば、複数の導電膜及びシールド膜は夫々、データ線、下側電極及び上側電極を夫々構成する複数の導電膜のうちいずれかと同一膜である。ここで、「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。尚、「同一膜である」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。よって、複数の信号配線及びシールド膜は夫々、データ線、下側電極又は上側電極の形成と同一機会に形成することができる。即ち、製造工程の複雑化を招くことなく、複数の信号配線及びシールド膜を複数の導電膜から形成することができる。

尚、蓄積容量によって、例えば画素を構成する画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の信号配線は、予め設定された周波数別に前記異なる導電膜から夫々形成される。

この態様によれば、例えば、複数の信号配線のうち、周波数が所定の周波数より高い高周波数帯域の信号を供給するための信号配線は、高周波信号配線として一の導電膜から形成され、周波数が所定の周波数より低い低周波帯域の信号を供給するための信号配線は、低周波信号配線として、高周波信号配線とは異なる一の導電膜から形成される。例えば、データ線駆動回路を駆動するためのクロック信号、イネーブル信号などを供給するための信号配線は、高周波信号配線として形成される。他方、例えば、走査線駆動回路を駆動するためのクロック信号を供給するための信号配線、データ線駆動回路や走査線駆動回路等の周辺回路の動作を制御するための各種制御信号を供給するための信号配線、更に画像信号を供給するための信号配線、即ち画像信号線は低周波信号配線として形成される。また、一定電位或いは固定電位の信号を供給するための信号配線を、ここでの低周波信号配線として扱ってもよい。よって、本実施形態によれば、基板上で平面的に見て、高周波信号配線と低周波信号配線とが互いに重なる配線部分の間にシールド膜が位置する。従って、例えば画像信号等の低周波の信号が、データ線駆動回路を駆動するためのクロック信号等の高周波の信号からの電磁的な影響を受けること、言い換えれば、低周波の信号と高周波の信号との間の電磁的な干渉が低減される。これにより、高品位な画像表示が可能となる。

上述した複数の信号配線が、予め設定された周波数帯域別に異なる導電膜から夫々形成される態様では、前記複数の信号配線は、前記周波数が第１の周波数である信号を供給するための第１周波数信号配線と、前記周波数が前記第１の周波数よりも低い第２の周波数である信号を供給するための第２周波数信号配線とを含み、前記第１周波数信号配線、前記シールド膜及び前記第２周波数信号配線は、前記基板上に、この順で互いに前記層間絶縁膜を介して積層されてもよい。

この場合には、第１周波数信号配線、シールド膜及び第２周波数信号配線は、基板上に、この順で互いに層間絶縁膜を介して積層される。即ち、例えば画像信号を供給する画像信号線等は、第２周波数信号配線として、積層構造における表面に近い方に形成される。よって、積層構造の表面近くに形成された外部回路接続端子と第２周波数信号配線とを電気的に接続するのに必要なコンタクトホールの数が少なくて済む。従って、第２周波数信号配線を低抵抗化することができる。特に、第２周波数信号配線として例えば画像信号線を低抵抗化することができるので、高品位な画像表示が可能となる。一方、例えば、周辺回路を駆動するためのクロック信号等を供給するための信号配線は、第１周波数信号配線として、積層構造における基板面に近い方に形成される。一般に、周辺回路を構成するＴＦＴ等は基板面に近い方に形成される。よって、第１周波数信号配線と周辺回路との間のコンタクトホールの数が少なく済む。従って、第１周波数信号配線と周辺回路とを容易に接続することができる。

上述した複数の信号配線が、予め設定された周波数帯域別に異なる導電膜から夫々形成される態様では、前記複数の信号配線は、前記周波数が第１の周波数である信号を供給するための第１周波数信号配線と、前記周波数が前記第１の周波数よりも低い第２の周波数である信号を供給するための第２周波数信号配線とを含み、前記第２周波数信号配線、前記シールド膜及び前記第１周波数信号配線は、前記基板上に、この順で互いに層間絶縁膜を介して積層されてもよい。

この場合には、第２周波数信号配線、シールド膜及び第１周波数信号配線は、基板上に、この順で互いに層間絶縁膜を介して積層される。即ち、例えば周辺回路を駆動するためのクロック信号等の周波数の高い信号を供給するための信号配線は、第１周波数信号配線として、積層構造における表面に近い方に形成される。よって、周波数が高いことに起因する、第１周波数信号配線から発生する熱を表面から放熱或いは除去することができる。即ち第１周波数信号配線を冷却することができる。

上述した第１及び第２周波数信号配線を含む態様では、前記シールド膜は、一定電位を供給するための定電位配線であってもよい。

この場合には、定電位配線が、シールド膜として機能するので、製造工程の複雑化を招くことなく、異なる種類の信号間の電磁的な干渉を低減し、高品位の画像表示が可能となる。尚、シールド膜は、信号の電位が一定時間毎に所定電位へと変化する、例えば一定周期で反転するような所定電位信号を供給するための所定電位配線であってもよい。この場合にも、各一定時間について見れば、信号の電位は一定であるので、上記と同様の電磁的な干渉を低減する効果が相応に得られる。

上述した定電位配線がシールド膜として機能する態様では、前記定電位配線の配線幅は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に前記第１及び第２周波数信号配線の少なくとも一方の配線幅よりも広くてもよい。

この場合には、定電位配線の配線幅は、基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に第１及び第２周波数信号配線の少なくとも一方の配線幅よりも広いので、第１及び第２周波数信号配線間における電磁的干渉を一層確実に低減することができる、即ち、定電位配線のシールド膜としての機能を向上させることができる。更に、配線幅が広いので、定電位配線の低抵抗化を図ることができる。よって、定電位配線によって、周辺回路に安定した定電位信号或いは定電位電源を供給することができる。

上述した定電位配線がシールド膜として機能する態様では、前記定電位配線の配線幅は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に前記第１及び第２周波数信号配線の少なくとも一方の配線幅よりも狭くてもよい。

この場合には、定電位配線、層間絶縁膜、及び第１又は第２周波数信号配線から構成される容量、即ち配線容量を小さくすることができる。従って、定電位信号の電位が、第１及び第２の周波数の信号の影響によって変動する或いは揺らぐことを防止できる。即ち、第１及び第２の周波数の信号に起因する電磁ノイズが、例えば定電位電源等の定電位信号を介して画像信号に影響するのを防止できる。

上述した定電位配線の配線幅が第１及び第２周波数信号配線の少なくとも一方の配線幅よりも狭い態様では、前記一定電位は、第１電位と該第１電位より低い電位である第２電位とを有する電源電位であり、前記定電位配線は、前記第１電位を供給するための第１電位電源配線及び前記第２電位を供給するための第２電位電源配線からなり、前記定電位配線の配線幅は、少なくとも部分的に、前記第１及び第２周波数信号配線のいずれの配線幅よりも狭く、前記第１及び第２電位電源配線は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に、並列配置されており且つ前記第１及び第２周波数信号配線の夫々と重なるように配線されてもよい。

この場合には、第１及び第２電位電源配線は、基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に、並列配置されており且つ第１及び第２周波数信号配線の夫々と重なるように配線される。よって、第１及び第２周波数信号配線間の電磁ノイズは、第１及び第２電位電源配線によって低減される。

更に、仮に一の第１及び第２周波数信号配線間に第１電位電源配線が配線され、他の一の第１及び第２周波数信号配線間には第２電位電源配線が配線された場合には、両者の第１及び第２周波数信号配線間における電磁的影響は異なる。しかるに本態様では、第１及び第２電位電源配線は、第１及び第２周波数信号配線の夫々と重なるので、殆ど均一なシールド効果を得ることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シールド膜と同一膜から形成されており、前記複数の信号配線のうち前記シールド膜よりも上層側に形成された上層側信号配線と前記周辺回路のうち前記シールド膜よりも下層側に形成された下層側周辺回路とを電気的に中継接続する中継層を更に備える。

この態様によれば、上層側信号配線と下層側周辺回路とは、中継層を中継して、電気的に接続される。即ち、上層側信号配線と中継層と、及び中継層と下側周辺回路とは、例えば夫々の間の層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して、電気的に接続される。従って、上層側信号配線及び下層側周辺回路間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。しかも、中継層は、シールド膜と同一膜から形成されるので、積層構造及び製造工程の複雑化を招かない。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、前記複数の信号配線及びシールド膜に電気的に夫々接続されており、前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子を更に備え、前記シールド膜は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に前記シールド膜が電気的に接続された前記外部回路接続端子に隣接する前記外部回路接続端子に電気的に接続された前記信号配線と互いに重なる。

この態様によれば、シールド膜は、基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に前記シールド膜が電気的に接続された外部回路接続端子に隣接する外部回路接続端子に電気的に接続された信号配線と互いに重なる。よって、複数の信号配線が外部回路接続端子と電気的に接続する領域においてもシールド膜が存在するようにすることができる。従って、互いに層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する導電膜より少なくともなる複数の信号配線間の電磁的な干渉を一層確実に低減することができる。

本発明の電子機器は、上記課題を解決するために上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１７を参照して説明する。

先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。尚、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４は、本発明に係る「周辺回路」の一例である。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための信号配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料より少なくともなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。

尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、図３から図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置の画素における構成について説明する。ここに図３は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図４及び図５は、ＴＦＴアレイ基板上の画素に係る部分構成を表す平面図であり、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）に相当する。図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

＜画素の原理的構成＞
図３において、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号ＶＳ１，ＶＳ２，…，ＶＳｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号ＶＳ１，ＶＳ２，…，ＶＳｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＳ１，ＶＳ２，…，ＶＳｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。

＜画素の具体的構成＞
次に、図４から図５を参照して、上述の動作を実現する画素の具体的構成について説明する。

図４から図５では、上述した画素の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板より少なくともなる対向基板２０と対向配置されている。また、各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、蓄積容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層より少なくともなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図４に示され、第４層から第５層が上層部分として図５に示されている。

（第１層の構成―走査線等―）
図４において、第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図４のＹ方向に延びる突出部より少なくともなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。

図４及び図６に示すように、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａ´に対向する領域を含むように配置されており、導電膜より少なくともなる。

（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
図６に示すように、第２層は、ＴＦＴ３０で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅより少なくともなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分であるゲート電極３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。

尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもよい。

（第３層の構成―データ線等―）
図６に示すように、第３層は、データ線６ａ及び中継層６００で構成されている。

データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を部分的に覆うように形成されている。このため、チャネル領域１ａ´に近接配置可能なデータ線６ａによって、上層側からの入射光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を遮光できる。また、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。

尚、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａ´に対向する側には、データ線６ａの本体を構成するＡｌ膜等の導電膜に比べて反射率が低い導電膜を形成してもよい。このようにすれば、チャネル領域１ａ´に対する光の影響を低減することができる。

中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図４に示すように、夫々が分断されるように形成されている。また、中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。

第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。

（第４層の構成―蓄積容量等―）
図６に示すように、第４層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、本発明に係る「上側電極」の一例としての容量電極３００と本発明に係る「下側電極」としての下部電極７１とが本発明に係る「層間絶縁膜」の一例としての誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。

容量電極３００の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。

容量電極３００又は下部電極７１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドより少なくともなる。

誘電体膜７５は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている、即ち、開口領域に殆ど形成されていない。誘電体膜７５は、透過率を考慮せず、誘電率が高いシリコン窒化膜等から形成されている。尚、誘電体膜としては、シリコン窒化膜の他、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。

第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第２層間絶縁膜４２には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第２層間絶縁膜４２の表面は、化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）や研磨処理、スピンコート処理、凹への埋め込み処理等の平坦化処理がなされている。よって、下層側のこれらの要素に起因した凹凸が除去され、第２層間絶縁膜４２の表面は平坦化されている。尚、このような平坦化処理は、他の層間絶縁膜の表面に対して行ってもよい。

（第５層の構成―画素電極等―）
図６に示すように、第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、第２層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。

図４及び図５に示すように、画素電極９ａ（図５中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜より少なくともなる。

図６に示すように、画素電極９ａは、第３層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、容量電極３００の延在部と電気的に接続されている。よって、画素電極９ａの直ぐ下の導電膜である容量電極３００の電位は、画素電位となっている。従って、液晶装置の動作時に、画素電極９ａとその下層の導電膜との間の寄生容量により、画素電位が悪影響を受けることはない。

更に上述したように、容量電極３００の延在部と中継層６００と、及び、中継層６００とＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４，８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００の延在部を中継して中継接続されている。

画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。

以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素の構成である。

他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図６では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。

このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。

以上に説明した画素の構成は、図４及び図５に示すように、各画素に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１を参照）には、かかる画素が周期的に形成されていることになる。

次に、図７及び図８を参照して、データ線駆動回路及びサンプリング回路に係る回路構成、並びに信号配線等による電気的な接続関係について説明する。ここに図７は、データ線駆動回路及びサンプリング回路に係る回路構成、並びに信号配線等による電気的な接続関係を示す説明図である。図８は、図７に示した構成のうち転送信号の整形に関する回路系を示す回路図である。

図７において、データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ５１、論理回路５２を備えている。

シフトレジスタ５１は、データ線駆動回路１０１内に入力される所定周期のＸ側クロック信号ＣＬＸ（及びその反転信号ＣＬＸ´）、シフトレジスタスタート信号ＤＸに基づいて、各段から転送信号Ｐｉ（ｉ＝１，…，ｎ）を順次出力するように構成されている。液晶装置の動作時において、シフトレジスタ５１には、外部回路から外部回路接続端子１０２及び本発明に係る「定電位配線」の一例としての電源配線９５を介して電源ＶＤＤＸ（及び電源より低電位の電源ＶＳＳＸ）が供給され、シフトレジスタ５１を構成するトランジスタが駆動される。

論理回路５２は、パルス幅制限手段を含み、シフトレジスタ５１から順次出力される転送信号Ｐｉを、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４に基づいて整形し、それを基にして最終的にサンプリング回路駆動信号Ｓｉを出力する機能を有している。図８において、論理回路５２には、パルス幅制御手段５４０、プリチャージ用回路５２１及び反転回路５２３が含まれる。

図８において、パルス幅制御手段５４０は、シフトレジスタ５１から出力された転送信号Ｐｉの波形を整形する論理回路を備えている。より具体的には、パルス幅制御手段５４０は、シフトレジスタ５１の各段に対応して設けられた単位回路５４０Ａにより構成され、単位回路５４０ＡはＮＡＮＤ回路により構成されている。

図８において、ＮＡＮＤ回路５４０Ａのゲートには、シフトレジスタ５１の対応する段より出力される転送信号Ｐｉと、本発明に係る「複数の信号配線」の一例としての４本のイネーブル信号線９２に供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のうち一つとが入力される。ＮＡＮＤ回路５４０Ａには、ＮＡＮＤ回路５４０Ａの電源として、電源ＶＤＤＸ（及びＶＳＳＸ）が図８中において不図示の配線を介して供給される。電源ＶＤＤＸは、ＮＡＮＤ回路５４０Ａを構成するトランジスタのドレインに入力される信号であり、電源ＶＳＳＸは、ＮＡＮＤ回路５４０Ａを構成するトランジスタのソースに入力される信号である。

ＮＡＮＤ回路５４０Ａは、入力された転送信号Ｐｉ及びイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４の論理積を演算することにより転送信号Ｐｉの整形を行う。これにより、ＮＡＮＤ回路５４０Ａは、転送信号Ｐｉに対して整形が施された信号である、整形信号Ｑａｉを生成して出力する。尚、各単位回路５４０Ａには、ＮＡＮＤ回路の他、ＮＡＮＤ回路に入力される転送信号Ｐｉ若しくはイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４、並びにＮＡＮＤ回路から出力される整形信号Ｑａｉの論理を反転させる反転回路等が設けられてもよい。

転送信号Ｐｉの波形は、パルス幅制御手段５４０によってよりパルス幅の狭いイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４の波形に基づいてトリミングされ、最終的にはパルス幅やパルス周期等のパルス形状が制限される。

論理回路５２は、シフトレジスタ５１の各段に対応して設けられたプリチャージ用回路５２１を備えている。単位回路５２１Ａは、プリチャージ用信号供給線９３に供給されるプリチャージ用選択信号ＮＲＧの論理を反転させる反転回路５２１ａと、反転回路５２１ａにおいて論理が反転されたプリチャージ用選択信号ＮＲＧ及び整形信号Ｑａｉがゲートに入力されるＮＡＮＤ回路５２１ｂとにより、実質的にＮＯＲ回路として形成されている。ＮＯＲ回路５２１Ａでは、整形信号Ｑａｉ及びプリチャージ用選択信号ＮＲＧの論理和を演算して、整形信号Ｑａｉ及びプリチャージ用選択信号ＮＲＧのいずれかを、出力信号Ｑｂｉとして出力する。このようにして出力された出力信号Ｑｂｉは、２つの反転回路５２３を介して、サンプリング回路駆動信号Ｓｉとして出力される。

再び図７において、本発明に係る「複数の信号配線」の一例としての画像信号線９１からの分岐配線１１６は、サンプリング回路７を構成するＴＦＴ等より少なくともなるサンプリングスイッチ７ｓのソースに接続されており、データ線駆動回路１０１からのサンプリング回路駆動信号線１１７は、サンプリングスイッチ３０２のゲートに接続されている。よって、液晶装置の動作時には、外部回路から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用の外部回路接続端子１０２に印加される画像信号は、画像信号線９１からの分岐配線１１６を経てサンプリング回路７へ供給され、ここで、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１７を経て供給されるサンプリング回路駆動信号Ｓｉに応じたタイミングで、サンプリングされる。そして、サンプリングされた画像信号は、各データ線６ａに供給されることになる。

画像信号線９１からの分岐配線１１６を経てサンプリング回路７へ供給される画像信号は、線順次に供給されても構わないが、本実施形態においては、画像信号は、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給されるよう構成されている。尚、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるよう構成してもよい。

次に、図６、図７、及び図９から図１１を参照して本実施形態に係る液晶装置の信号配線について詳細に説明する。ここに図９は、図７におけるＢ−Ｂ´線での断面図である。図１０は、第１変形例における図９と同趣旨の断面図である。図１１は、第２変形例における図９と同趣旨の断面図である。尚、図９から図１１においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図７において、画像信号線９１、イネーブル信号線９２及び電源配線９５等の信号配線９０は、夫々対応する外部回路接続端子１０２からデータ線駆動回路１０１等へ配線されている。尚、信号配線９０として、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４等の周辺回路を駆動するためのクロック信号、各種制御信号、電源信号等を供給するための配線も設けられている。

図９に示すように、本実施形態では特に、画像信号線９１、イネーブル信号線９２及び電源配線９５等の信号配線９０は、第２層間絶縁膜４２及び誘電体膜７５を介して相異なる層に位置する複数の導電膜から形成されている。よって、画像信号線９１、イネーブル信号線９２及び電源配線９５等の信号配線９０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て少なくとも部分的に互いに重なるように配線することができる。従って、基板をその法線方向から見た一定領域内に、より多くの信号配線９０を互いにショートしないように配線することが可能となる。即ち、一本一本の配線幅を相対的に広く確保しつつ、より多くの信号配線９０を配線することが可能となる。これにより、画像表示領域１０ａを広く確保しつつ、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域の削減によるＴＦＴアレイ基板１０全体、惹いては液晶装置の全体の小型化を図ることが可能となる。

更に、本実施形態では特に、複数の信号配線９０は、信号の周波数帯域別に異なる導電膜から夫々形成されている。図９に示すように、即ち、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６よりも高い周波数であるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４を供給するイネーブル信号線９２は、画像信号を供給するための画像信号線９１とは異なる導電膜から夫々形成されている。尚、イネーブル信号線９２は、本発明に係る「第１周波数信号配線」の一例であり、画像信号線９１は、本発明に係る「第２周波数信号配線」の一例である。加えて、画像信号線９１とイネーブル信号線９２との間には、誘電体膜７５及び第２層間絶縁膜４２を夫々介して、電源配線９５が配線されている。よって、電源配線９５を介して供給される電源ＶＤＤＸの電位は一定であるため、電源配線９５は、画像信号線９１及びイネーブル信号線９２間でシールド膜として機能する。即ち、画像信号及びイネーブル信号間での、電磁的な干渉を低減できる。特に、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４が、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の周波数よりも高いため生ずる、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に対する電磁ノイズを低減することができる。従って、高品位の画像表示が可能となる。尚、画像信号の周波数帯域よりも高い周波数の信号、例えばデータ線駆動回路１０１を駆動するためのクロック信号ＣＬＫ等を供給する信号配線９０についても、同様に、画像信号線９１を形成する導電膜とは異なる導電膜から形成することにより、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に対する電磁ノイズを低減することができる。

図６及び図９において、本実施形態では特に、画像信号線９１は、容量電極３００を構成する導電膜と同一膜から形成されており、電源配線９５は、下部電極７１を構成する導電膜と同一膜から形成されており、イネーブル信号線９２は、データ線６ａを構成する導電膜と同一膜から形成されている。よって、画像信号線９１、電源配線９５及びイネーブル信号線９２は夫々、容量電極３００、下部電極７１及びデータ線６ａの形成と同一機会に形成することができる。即ち、製造工程の複雑化を招くことなく、複数の信号配線及びシールド膜を複数の導電膜から形成することができる。尚、画像信号線９１、電源配線９５及びイネーブル信号線９２等の信号配線９０は夫々、容量電極３００、下部電極７１及びデータ線６ａのいずれを構成する導電膜と同一膜から形成してもよい。更に、画素における、容量電極３００、下部電極７１及びデータ線６ａ以外の導電膜と同一膜から形成してもよい。

加えて、図９に示すように、本実施形態では特に、イネーブル信号線９２、電源配線９５及び画像信号線９１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、この順に第２層間絶縁膜４２及び誘電体膜７５を夫々介して積層されている。即ち、画像信号線９１は、積層構造における表面に近い方に形成される。よって、積層構造の表面の近くに形成された外部回路接続端子１０２と画像信号線９１とを電気的に接続するのに必要なコンタクトホールの数が少なくて済む。従って、画像信号線９１を低抵抗化することができる。これにより、高品位な画像表示が可能となる。一方、イネーブル信号線９２は、積層構造におけるＴＦＴアレイ基板１０の表面に近い方に形成される。イネーブル信号線９２が電気的に接続される、論理回路５２を構成するＴＦＴ等は基板面に近い方に形成される。よって、イネーブル信号線９２と論理回路５２を構成するＴＦＴ等との間のコンタクトホールの数が少なく済む。従って、イネーブル信号線９２と論理回路５２とを容易に接続することができる。

ここで、図１０に第１変形例として示すように、画像信号線９１、電源配線９５及びイネーブル信号線９２は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、この順に第２層間絶縁膜４２及び誘電体膜７５を夫々介して積層されていてもよい。即ち、イネーブル信号線９２は、積層構造における表面に近い方に形成されていてもよい。この場合には、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４の周波数が高いことに起因する、イネーブル信号線９２から発生する熱を積層構造の表面から放熱或いは除去することができる。即ちイネーブル信号線９２を冷却することができる。

再び図７において、本実施形態では特に、電源配線９５の配線幅は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画像信号線９１及びイネーブル信号線９２の配線幅よりも広い。言い換えれば、電源配線９５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、複数の画像信号線９１及び複数のイネーブル信号線９２と部分的に互いに重なるように形成されている。よって、画像信号線９１及びイネーブル信号線９２間における電磁的干渉を一層確実に低減することができる、即ち、電源配線９５のシールド膜としての機能を向上させることができる。更に、電源配線９５の配線幅が広いので、電源配線９５の低抵抗化を図ることができる。よって、電源配線９５によって、データ線駆動回路１０１に安定した電源ＶＤＤＸを供給することができる。

ここで、図１１に第２変形例として示すように、電源が、所定の電位を有する電源ＶＤＤＸ及び電源ＶＤＤＸの電位より低い電位を有する電源ＶＳＳＸを一組とする電源であって、電源ＶＤＤＸを供給するための電源配線９５ｄ及び電源ＶＳＳＸを供給するための電源配線９５ｓの配線幅は、少なくとも部分的に、画像信号線９１及びイネーブル信号線９２のいずれの配線幅よりも狭くてもよい。尚、電源ＶＤＤＸは、本発明に係る「第１電位」の一例であり、電源ＶＳＳＸは、本発明に係る「第２電位」の一例である。また、電源配線９５ｄは、本発明に係る「第１電位電源配線」の一例であり、電源配線９５ｓは、本発明に係る「第２電位電源配線」の一例である。更に、電源配線９５ｄ，９５ｓは一組として、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、少なくとも部分的に、互いに並ぶように且つ画像信号線９１及びイネーブル信号線９２の夫々と重なるように配線されてもよい。この場合には、画像信号線９１及びイネーブル信号線９２間の電磁ノイズは、電源配線９５ｄ，９５ｓによって低減される。更に、仮に一の画像信号線９１及びイネーブル信号線９２間に電源配線９５ｄが配線され、他の一の画像信号線９１及びイネーブル信号線９２間には電源配線９５ｓが配線された場合には、両者の画像信号線９１及びイネーブル信号線９２間における電磁的影響は異なる。しかるに本実施形態では、電源配線９５ｄ，９５ｓは一組として、画像信号線９１及びイネーブル信号線９２の夫々と重なるので、殆ど均一なシールド効果を得ることができる。

次に、図１２及び図１３を参照して、画像信号線とサンプリング回路との電気的な接続に関する具体的な構成について説明する。ここに図１２は、画像信号線及び分岐配線のレイアウト図である。図１３は、図１２におけるＤ−Ｄ´線での断面図である。

図１２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上において、サンプリング回路駆動信号線１１７は、データ線駆動回路１０１から画像信号線９１と交差する方向に配線され、更にサンプリングスイッチ７ｓ毎に分岐してデータ線６ａの延びる方向に配線されている。また、分岐配線１１６は、対応する画像信号線９１に、誘電体膜７５に開孔されたコンタクトホール１８１を介して電気的に接続される一端側よりデータ線６ａの延びる方向に配線されている。そして、分岐配線１１６の一部はサンプリングスイッチ７ｓのソース電極を形成し、データ線６ａの一部はサンプリングスイッチ７ｓのドレイン電極を形成し、サンプリング回路駆動信号線１１７の一部はサンプリングスイッチ７ｓのゲート電極を形成する。尚、図１２及び図１３に示すように、分岐配線１１６は、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール１８３を介してサンプリングスイッチ７ｓにおける半導体層１ａと電気的に接続されている。

図１３に示すように、本実施形態では特に、この分岐配線１１６は、一端が対応する画像信号線９１に電気的に接続される、本発明に係る「中継層」の一例としての中継配線５００を含む。中継配線５００は、シールド膜として機能する電源配線９５を構成する導電膜、即ち下部電極７１を構成する導電膜と同一膜から形成されており、中継配線５００と分岐配線１１６のうち中継配線５００を除く分配線とは第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール１８２を介して電気的に接続されている。即ち、本発明に係る「上層側信号配線」の一例としての画像信号線９１と中継配線５００と、及び中継配線５００と本発明に係る「下側周辺回路」の一例としてのサンプリング回路７を構成するサンプリングスイッチ７ｓとは、夫々の間の誘電体膜７５或いは第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール１８１或いはコンタクトホール１８２を介して、電気的に接続されている。従って、画像信号線９１及びサンプリング回路７を構成するサンプリングスイッチ７ｓ間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。しかも、中継配線５００は、シールド膜として機能する電源配線９５と同一膜から形成されるので、積層構造及び製造工程の複雑化を招かない。

次に、図１４から図１７を参照して、外部回路接続端子の周辺における信号配線のレイアウトについて説明する。ここに図１４は、外部回路接続端子の周辺における信号配線のレイアウト図である。図１５は、図１４におけるＤ−Ｄ´線での断面図である。図１６は、図１４におけるＥ−Ｅ´線での断面図である。図１７は、図１４におけるＦ−Ｆ´線での断面図である。尚、図１５から図１７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図１４において、画像信号線９１、電源配線９５及びイネーブル信号線９２は夫々、対応する外部回路接続端子１０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆに電気的に接続されている。外部回路接続端子１０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆは互いに隣接している。図１５から図１７に示すように、これら外部回路接続端子１０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆは、画像信号線９１を構成する導電膜、即ち、容量電極３００を構成する導電膜と同一膜から形成されている。

図１４及び図１５に示すように、画像信号線９１は、外部回路接続端子１０２ｄと同一膜から一体的に形成されている。

図１４及び図１６に示すように、電源配線９５は、外部回路接続端子１０２ｅの周囲に設けられた、誘電体膜７５に開孔されたコンタクトホール１９１を介して、外部回路接続端子１０２ｅと電気的に接続されている。

図１４及び図１７に示すように、イネーブル信号線９２は、外部回路接続端子１０２ｆの周囲に設けられた、誘電体膜７５及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール１９２を介して、外部回路接続端子１０２ｆと電気的に接続されている。

図１４に示すように、本実施形態では特に、電源配線９５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、部分的に外部回路接続端子１０２ｅに隣接する外部回路接続端子１０２ｄ，１０２ｆに電気的に接続された画像信号線９１及びイネーブル信号線９２と互いに重なっている。即ち、画像信号線９１及びイネーブル信号線９２が、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、外部回路接続端子１０２ｄ，１０２ｆと夫々接続する部分の周辺に位置する領域にも電源配線９５の一部が存在している。よって、画像信号線９１及びイネーブル信号線９２が外部回路接続端子１０２ｄ，１０２ｅと電気的に夫々接続する部分の周辺に位置する領域においてもシールド膜としての電源配線９５によって、画像信号線９１及びイネーブル信号線９２間の電磁的な干渉を一層確実に低減することができる。尚、シールド膜としての電源配線９５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、外部回路接続端子１０２ｃ或いは外部回路接続端子１０２ｅと部分的に或いは完全に重なるようにしてもよい。

以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズを縮小することができ、液晶装置を小型化することが可能であると共に、異なる種類の信号間の電磁的な干渉を低減し、高品位の画像表示が可能である。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図１８を参照して説明する。ここに図１８は、第２実施形態における図６と同趣旨の断面図である。尚、図１８において、図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図１８において、本実施形態の液晶装置における画素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、画素電極９ａ等を含む第６層からなる。

第１層及び第２層の構成は、上述した第１実施形態における画素の構成と概ね同様である。

（第３層の構成―蓄積容量等―）
図１８において、第３層は、蓄積容量７０で構成されている。このうち、容量電極３００は、容量配線４００に電気的に接続されている。下部電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａの夫々に電気的に接続されている。尚、容量配線４００は、本発明に係る「上側電極」の一例である。

下部電極７１と高濃度ドレイン領域１ｅとは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介して接続されている。また、下部電極７１と画素電極９ａとは、コンタクトホール８８１，８８２，８０４，８９が、中継電極７１９、第２中継電極６ａ２、第３中継電極４０２の各層を中継して構成した経路によって、電気的に接続されている。

このような容量電極３００には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。また、下部電極７１には、例えば導電性のポリシリコンが用いられる。

（第４層の構成―データ線等―）
図１８において、第４層は、データ線６ａで構成されている。データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。また、第４層には、データ線６ａと同一膜として、第２中継電極６ａ２が形成されている。

このうち、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。また、第２中継電極６ａ２は、前述したように、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８８２を介して中継電極７１９に電気的に接続されている。

（第５層の構成―容量配線等―）
図１３において、第５層は、容量配線４００及び第３中継電極４０２により構成されている。容量配線４００は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。容量配線４００と容量電極３００とはコンタクトホール８０１を介して接続する構造となっている。また、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、前述のように、コンタクトホール８０４及びコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２と画素電極９ａとの間を中継している。

（第６層の構成―画素電極等―）
図１３において、第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａと第３中継電極４０２との間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。

以上が、本実施形態の画素の構造である。

上述したように、本実施形態の画素においては、容量配線４００、データ線６ａ、容量電極３００、下部電極７１を夫々形成する膜は、導電膜である。よって、画像信号線９１、電源配線９５、イネーブル信号線９２等の信号配線９０或いはシールド膜をこれら４つの導電膜のいずれかと同一膜から形成してもよい。そのようにすれば、第１実施形態の液晶装置と同様に、製造工程の複雑化を招くことなく、画像信号線９１、電源配線９５、イネーブル信号線９２等の信号配線９０或いはシールド膜の夫々を互いに異なる導電膜から形成することができる。従って、画像信号線９１、電源配線９５、イネーブル信号線９２等の信号配線９０を配線するのに必要なＴＦＴアレイ基板１０上の面積を小さくすることができると共に、シールド膜によって異なる種類の信号間の電磁的な干渉を低減することができる。

（電子機器）
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１９に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源より少なくともなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

なお、液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図２０は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図２０において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。

さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図２１は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図２１において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。

尚、図１９から図２１を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

本発明の第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図。 図１のＨ−Ｈ´の断面図。 画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。 ＴＦＴアレイ基板上の画素に係る部分構成を表す平面図であり、積層構造のうち下層部分（図６におけるデータ線６ａまでの下層の部分）に相当する図。 ＴＦＴアレイ基板上の画素に係る部分構成を表す平面図であり、積層構造のうち上層部分（図６におけるデータ線６ａを越えて上層の部分）に相当する図。 図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図。 データ線駆動回路及びサンプリング回路に係る回路構成、並びに信号配線等による電気的な接続関係を示す説明図。 図７に示した構成のうち転送信号の整形に関する回路系を示す回路図。 図７におけるＢ−Ｂ´線での断面図。 第１変形例における図９と同趣旨の断面図。 第２変形例における図９と同趣旨の断面図。 画像信号線及び分岐配線のレイアウト図。 図１２におけるＤ−Ｄ´線での断面図。 外部回路接続端子の周辺における信号配線のレイアウト図。 図１４におけるＤ−Ｄ´線での断面図。 図１４におけるＥ−Ｅ´線での断面図。 図１４におけるＦ−Ｆ´線での断面図。 第２実施形態における図６と同趣旨の断面図。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図。

符号の説明

９ａ…画素電極、６ａ…データ線、７…サンプリング回路、７ｓ…サンプリングスイッチ、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、４１…第１層間絶縁膜、４２…第２層間絶縁膜、４３…第３層間絶縁膜、４４…第４層間絶縁膜、５０…液晶層、７５…誘電体膜、９０…信号配線、９１…画像信号線、９２…イネーブル信号線、９５，９５ｄ，９５ｓ…電源配線、１０１…データ線駆動回路、１０２，１０２ｃ，１０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６…画像信号、ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４…イネーブル信号。

Claims (11)

1. 基板上に、
   画素領域に設けられた複数の画素と、
   前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられた、前記複数の画素を制御するための周辺回路と、
   前記周辺回路を制御するための複数種類の信号のうち異なる種類の信号を夫々供給し、層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜の夫々で形成されると共に、前記周辺領域で少なくとも一部に互いに重なる部分を有する複数の信号配線と、
   前記複数の信号配線の互いに重なる部分の間の層に前記複数の信号配線と重なるように設けられ、一定電位を供給する定電位配線と、
   前記複数の信号配線及び定電位配線に電気的に夫々接続されており、前記周辺領域に前記基板の一辺に沿って第１方向に配列された複数の外部回路接続端子と、を備え、
   前記複数の信号配線は、第１の周波数を有する信号を供給する第１周波数信号配線と、該第１周波数信号配線が形成された層とは異なる層に形成された前記第１の周波数よりも低い第２の周波数を有する信号を供給するための第２周波数信号配線と、を含み、
   前記複数の外部回路接続端子のうち前記定電位配線に電気的に接続された前記外部回路接続端子が、前記第１周波数信号配線に電気的に接続された前記外部回路接続端子と前記第２周波数信号配線に電気的に接続された前記外部回路接続端子との間に設けられ、
   前記第１及び第２周波数信号配線は、それぞれ前記複数の外部回路接続端子と前記周辺回路との間を前記第１方向に延在するように形成され、
   前記定電位配線は、前記第１周波数信号配線と前記第２周波数信号配線との間の層に、前記基板上で平面的に見て、前記外部回路接続端子から前記基板の内側へ引き出された後に、少なくとも部分的に前記第１周波数信号配線及び前記第２周波数信号配線の前記第１方向に延在する部分と互いに重なるように、前記複数の外部回路接続端子に沿って前記第１方向及び前記第１方向と反対方向にそれぞれ延在されることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記基板上に、前記画素領域で互いに交差するように設けられた複数のデータ線及び複数の走査線を更に備え、
   前記画素は、前記データ線及び前記走査線の交差に応じて設けられており、前記基板上に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量を備え、
   前記複数の導電膜及び前記定電位配線は夫々、前記データ線、前記下側電極及び前記上側電極を夫々構成する導電膜のうちいずれかと同一膜である
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記複数の信号配線は、予め設定された周波数別に異なる前記導電膜から夫々形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１周波数信号配線、前記定電位配線及び前記第２周波数信号配線は、前記基板上に、この順で互いに層間絶縁膜を介して積層される
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記第２周波数信号配線、前記定電位配線及び前記第１周波数信号配線は、前記基板上に、この順で互いに層間絶縁膜を介して積層される
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記定電位配線の配線幅は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に前記第２周波数信号配線及び前記第１周波数信号配線の少なくとも一方の配線幅よりも広いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記定電位配線の配線幅は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に前記第１周波数信号配線及び前記第２周波数信号配線の少なくとも一方の配線幅よりも狭いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記一定電位は、第１電位と該第１電位より低い電位である第２電位とを有する電源電位であり、
   前記定電位配線は、前記第１電位を供給するための第１電位電源配線及び前記第２電位を供給するための第２電位電源配線からなり、
   前記定電位配線の配線幅は、少なくとも部分的に、前記第１周波数信号配線及び前記第２周波数信号配線のいずれの配線幅よりも狭く、
   前記第１電位電源配線及び前記第２電位電源配線は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも部分的に、並列配置されており且つ前記第１周波数信号配線及び前記第２周波数信号配線の夫々と重なるように配線される
   ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 前記定電位配線と同一膜から形成されており、前記複数の信号配線のうち前記定電位配線よりも上層側に形成された上層側信号配線と前記周辺回路のうち前記定電位配線よりも下層側に形成された下層側周辺回路とを電気的に中継接続する中継層を更に備える
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記複数の外部回路接続端子において、
    前記定電位配線に電気的に接続された前記外部回路接続端子と前記第１周波数信号配線に電気的に接続された前記外部回路接続端子とは隣り合って配置され、
    前記定電位配線に電気的に接続された前記外部回路接続端子と前記第２周波数信号配線に電気的に接続された前記外部回路接続端子とは隣り合って配置される
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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