JP5009608B2 - 表示板 - Google Patents

Description

本発明は薄膜トランジスタ表示板に関し、特に、液晶衝突などによる残像を最少化することのできる液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板に関する。

液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている二枚の表示板とその間に挿入されている液晶層で構成され、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通して液晶層の液晶分子の配向を決定して入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
その中でも、電界が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直に配列した垂直配向モード液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、光視野角の実現が容易であるため脚光を浴びている。

しかし、液晶表示装置は視野角が狭いのが短所である。このような短所を克服するために、視野角を広くする多様な方案が提案されているが、その中でも液晶分子を上下基板に対して垂直に配向して画素電極とその対向電極である対向電極に一定の切開パターンを形成する方法がある。
切開パターンを形成する方法は、画素電極と対向電極に各々切開パターンを形成してこれら切開パターンによって形成されるフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅ ｆｉｅｌｄ）を利用して液晶分子が横になる方向を調節することによって視野角を広くする方法である。

しかし、切開パターンを形成する場合に、角または連結部などに位置する液晶は、上下の切開部によって形成されるフリンジフィールドの影響を受けずに液晶表示装置が駆動してしまい、任意の方向に配向される。
液晶が任意の方向に配向される場合に、液晶の衝突による瞬間残像などが生じて衝突された地点が同じ場所ではなく、任意の部分で発生するという問題が生じる。

そこで、本発明は上記従来の液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、フリンジフィールドの影響を受けない液晶分子を最少化して、液晶衝突などによる残像を最少化することのできる表示板を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明による表示板は、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に形成されるゲート線と、前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成される半導体と、前記半導体と重畳するソース電極を有して前記ゲート線と交差するデータ線と、前記半導体と重畳し前記ソース電極と対向するドレイン電極と、前記データ線と分離される連結部材と、前記半導体上に形成され前記連結部材を露出させる複数の接触孔を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され前記接触孔を通して前記連結部材と各々連結される複数の小電極とを有し、一つの画素に形成された前記小電極は、前記連結部材を通して互いに電気的に連結され、互いに電気的に連結される複数の小電極の内の少なくとも一つは前記ドレイン電極と連結されており、前記小電極は角が丸くなっている長方形であり、前記小電極の中心に前記接触孔が配置されていることを特徴とする。

前記小電極は透明電極で構成されることが好ましい。
前記小電極の内の少なくとも一つは反射電極で構成されることが好ましい。
前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板上に形成され、前記小電極の中心と対向する位置に切開部を含む共通電極をさらに有することが好ましい。
前記連結部材は前記データ線と同一層に形成されることが好ましい。

また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示板は、 第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に形成されるゲート線と、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線及びデータ線と連結される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと連結され、複数の小電極と該小電極を互いに連結する連結部材とを含む画素電極とを有し、
前記小電極は角が丸くなっている長方形であり、１つの前記画素電極は３以上の奇数個の前記小電極を含み、前記連結部材は前記画素電極の左側と右側に偏って交互に配置されていることを特徴とする。

前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板上に形成される遮光部材と、前記第２絶縁基板上に形成される共通電極とをさらに有し、前記連結部材は前記遮光部材と対応する位置に配置されることが好ましい。
前記共通電極は切開部を有することが好ましい。
前記連結部材は互いに隣接する前記小電極の対向辺に連結されていることが好ましい。

本発明に係る表示板によれば、複数の小電極で構成される画素電極を小電極と他の層または小電極の周縁に形成される連結部材に連結することにより、これら連結部材によって液晶配向が揺れることを防止でき、液晶分子の衝突をカバーできるという効果がある。

次に、本発明に係る表示板を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。

図面から多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直ぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対にある部分が他の部分の“直上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。

以下、本発明の第１の実施形態による液晶表示装置について図１〜図５を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２は図１の液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図３は図１の液晶表示装置の共通電極表示板の配置図であり、図４は図１のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した断面図であり、図５は図１のＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。

図１〜図５を参照すると、本実施形態による液晶表示装置は互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００、そして二つの表示板（１００、２００）の間に介在する液晶層３を含む。

まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
図１、図２、図４及び図５を参照すると、透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１が形成されている。

ゲート線１２１はゲート信号を伝達して主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は上に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、絶縁基板１１０上に付着される可撓性印刷回路基板（図示せず）上に装着されたり、絶縁基板１１０上に直接装着されたり、絶縁基板１１０に直接集積できる。ゲート駆動回路が絶縁基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延びてこれと直接連結される。

ゲート線１２１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）などで形成できる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成される。これとは異なって、他の導電膜は他の物質、特にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタンなどで形成される。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１はその他にも多様な金属または導電体で形成できる。

ゲート線１２１の側面は絶縁基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の傾斜角で傾いているのが望ましい。
ゲート線１２１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略称ａ−Ｓｉという）または多結晶シリコンなどで形成された複数の島型半導体１５４が形成されている。島型半導体１５４はゲート電極１２４上に位置する。
島型半導体１５４上には複数の島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５が形成されている。島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成されたり、シリサイドで形成できる。島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５は、対をなして島型半導体１５４上に配置されている。

島型半導体１５４と島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５の側面も絶縁基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度で傾いている。
島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の連結部材１７８が形成されている。

データ線１７１は、データ信号を伝達して主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、絶縁基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、絶縁基板１１０上に直接装着されたり、絶縁基板１１０に直接集積できる。データ駆動回路が絶縁基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延びてこれと直接連結される。

ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されていてゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、島型半導体１５４と一緒に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の島型半導体１５４に形成される。

連結部材１７８はゲート線１２１と重ならずにデータ線１７１と分離されてデータ線１７１と並行方向に長く延びている。

データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタンなど耐火性金属またはこれらの合金で形成されることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５は、その他にも多様な金属または導電体で形成できる。
データ線１７１及びドレイン電極１７５も、その側面が絶縁基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の角度で傾いたのが好ましい。

島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５は、その下の島型半導体１５４とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にだけ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。島型半導体１５４にはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間をはじめとしてデータ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出した部分がある。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出した島型半導体１５４部分上には保護膜１８０が形成されている。

保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などで形成され、その表面は平坦でもよい。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素と酸化ケイ素がある。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電率は約４．０以下であるのが好ましい。しかし、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出した島型半導体１５４部分に損傷を与えないように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。
保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９、ドレイン電極１７５及び連結部材１７８を各々露出させる複数の接触孔１８２、１８５、１８８が形成され、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数の接触孔１８１が形成されている。
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。

各画素電極１９１は角が丸くなっている四角形状の第１乃至第３小電極９ａ１、９ａ２、９ａ３を含み、これらは一列に配列されている。第１小電極９ａ１は接触孔１８５を通してドレイン電極１７５と連結されている。そして第１乃至第３小電極９ａ１〜９ａ３は接触孔１８８を通して連結部材１７８と連結されている。

画素電極１９１は第１小電極９ａ１と連結されているドレイン電極１７５からデータ電圧を印加されて、連結部材１７８によって第２及び第３小電極９ａ２、９ａ３にもデータ電圧が伝えられる。データ電圧が印加された画素電極１９１は共通電圧を印加される共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって二つの電極（１９１、２７０）の間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０はキャパシタ［以下、“液晶キャパシタ”とする］を構成して薄膜トランジスタが遮断された後にも印加された電圧を維持する。

島型オーミックコンタクト部材８１、８２は各々接触孔１８１、１８２を通してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。島型オーミックコンタクト部材８１、８２はゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完してこれらを保護する。

次に、共通電極表示板２００について説明する。
図１、図３〜図５を参照すると、透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリックスともいい、画素電極１９１と対向する複数の開口領域を定義する一方、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。

絶縁基板２１０上には、また、複数の色フィルタ２３０が形成されており、遮光部材２２０に囲まれた開口領域内に殆んど入れるように配置されている。色フィルタ２３０は画素電極１９１に沿って縦方向に長く延びて帯状に構成される。各色フィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示できる。
色フィルタ２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜２５０が形成されている。蓋膜２５０は（有機）絶縁物で形成でき、色フィルタ２３０を保護して色フィルタ２３０が露出されることを防止して平坦面を提供する。

蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯやＩＺＯなど透明な導電体で形成されるのが好ましい。
共通電極２７０には複数の円形切開部２７が形成されており、各々の円形切開部２７は小電極（９ａ１〜９ａ３）の中心部分と対応する。また、円形切開部２７は接触孔１８８と対応するのが好ましい。

表示板（１００、２００）の内側の面には配向膜１１、２１が塗布されて、これらは垂直配向膜でもよい。表示板（１００、２００）の外側の面には偏光子（図示せず）が備えられて、二つの偏光子の偏光軸は直交する。
本実施形態による液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに含むことができる。液晶表示装置は、また、偏光子、位相遅延膜、表示板（１００、２００）及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を含むことができる。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子３１は電場がない状態でその長軸が二つの表示板（１００、２００）の表面に対して垂直に配向されている。従って、入射光は直交する偏光子を通過できずに遮断される。

共通電極２７０に共通電圧を印加し画素電極１９１にデータ電圧を印加すると、表示板（１００、２００）の表面に殆んど垂直の電場（電界）が生成される。［以下、画素電極１９１と共通電極２７０をすべて電場生成電極という。］液晶分子３１は、電場に応じてその長軸が電場の方向に垂直になるように方向を変えようとする。

電場生成電極（１９１、２７０）の円形切開部２７と画素電極１９１の辺とで電場を歪曲して液晶分子３１の傾斜方向を決定する水平成分を形成する。電場の水平成分は円形切開部２７と画素電極１９１の辺に略垂直である。第１乃至第３小電極９ａ１〜９ａ３の四辺と円形切開部２７によって形成される電場によって液晶が傾くため、傾く方向を多様にできる。このように液晶分子３１が傾く方向を多様にすると、液晶表示装置の基準視野角が広くなる。

また、画素電極１９１をなす各々の小電極（９ａ１〜９ａ３）が画素電極１９１と同一層に形成された連結部によって連結される場合、連結部により電場が歪んで、この部分に位置する液晶が任意の方向に配向されて衝突が発生する。しかし、本発明のように、データ線１７１と同一層に形成される連結部材１７８を通して小電極（９ａ１〜９ａ３）を連結させると、連結部材１７８によって液晶が配向されないため、衝突などが生じない。従って、液晶衝突による残像などが発生しない。

次に、本発明の第２の実施形態による液晶表示装置について、図６及び図７を参照して詳細に説明する。
図６は本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。

図６及び図７に示すように、本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の層構造は図１〜図５に示したのと同様である。
絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は複数のゲート電極１２４と端部１２９を含む。ゲート線１２１上にはゲート絶縁膜１４０、島型半導体１５４及び複数の島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５が順次に形成されている。

オーミックコンタクト部材１６３、１６５上にはソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の連結部材１７８が形成され、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数の接触孔１８１、１８２、１８５、１８８が形成されている。
保護膜１８０上には画素電極１９１及び複数の接触部材８１、８２が形成されて、その上には配向膜１１が形成されている。

共通電極表示板２００について説明すると、遮光部材２２０、複数の色フィルタ２３０、蓋膜２５０、及び円形切開部２７を有する共通電極２７０、及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
しかし、図１〜図４に示した液晶表示装置とは異なって、画素電極の一部分が反射電極を含む半透過型液晶表示装置である。

従って、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００及び液晶層３などを含む半透過型液晶表示装置は、透明電極１９２及び反射電極１９４によって各々定義される透過領域（ＴＡ）及び反射領域（ＲＡ）に区画できる。具体的には、透明電極１９２のうちの反射電極１９４で覆われていない部分の上下に位置する部分は透過領域（ＴＡ）となり、反射電極１９４の上下に位置する部分は反射領域（ＲＡ）となる。

透過領域（ＴＡ）では液晶表示装置の後面、つまり、薄膜トランジスタ表示板１００側から入射された光が液晶層３を通過し、その前面、つまり、共通電極表示板２００側に出ることによって表示を行う。反射領域（ＲＡ）では前面から入った光が液晶層３に入って反射電極１９４によって反射されて液晶層３を再び通過して前面に出ることによって表示を行う。

ここで保護膜１８０は、光の乱反射を誘導するために表面に凹凸（図示せず）が形成でき、反射電極１９４は保護膜１８０表面の凹凸に沿ってでこぼこに形成できる。
透明電極１９２はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成され、反射電極１９４はアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で形成される。しかし、反射電極１９４はアルミニウム、銀またはその合金など低抵抗反射性上部膜（図示せず）とモリブデン系金属、クロム、タンタル及びチタンなどＩＴＯまたはＩＺＯと接触特性が良い下部膜（図示せず）の二重膜構造を有することができる。

反射電極１９４は第１小電極９ａ１上に存在する。しかし、反射電極１９４は透明電極１９２の他の領域の第２、第３小電極９ａ２、９ａ３上にも形成できる。
一方、透過領域（ＴＡ）と対応する色フィルタ２３０は、反射領域（ＲＡ）と対応する色フィルタ２３０より薄く形成し（図示せず）、透過領域（ＴＡ）のセル間隔が反射領域（ＲＡ）でのセル間隔の略２倍になるように形成するのが好ましい。または反射領域（ＲＡ）と対応する色フィルタ２３０に光孔（Ｈ：図６、図７参照）をさらに形成して光経路差による色感差を補正できる。

また、本発明の液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板は次の図８〜図１１のような構造でも構成できる。
図８は本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断した断面図であり、図１０は本発明の第４の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿って切断した断面図である。

図８〜図１１に示すように、本発明の第３及び第４の実施形態における液晶表示装置の層状構造は多くの場合において図２及び図４に示したのと同様である。
まず、図８及び図９を参照すると、絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１が形成されて、ゲート線１２１は複数のゲート電極１２４と端部１２９を含む。ゲート線１２１上にはゲート絶縁膜１４０、島型半導体１５４及び複数の島型オーミックコンタクト部材１６３、１６５が順次に形成されている。

オーミックコンタクト部材１６３、１６５上にはソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成されて、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数の接触孔１８１、１８２、１８５が形成されている。
保護膜１８０上には画素電極１９１及び複数の接触部材８１、８２が形成されている。

しかし、図２及び図４に示した液晶表示装置とは異なって、画素電極１９１の小電極は画素電極と同一層に形成されている連結部材を通して連結される。
図で示すように連結部材（１７７ａ、１７７ｂ）は、第１乃至第３小電極９ａ１〜９ａ３の左側または右側に偏って形成され、左側連結部材１７７ａと右側連結部材１７７ｂが対をなすように形成する。このような形態に形成すると、連結部材により電場が歪んで、これによる液晶衝突が発生しても一側方向に偏って形成されるため、人が認識するのは難しい。

または、図１０及び図１１に示すように、図のような連結部材（１７７ａ、１７７ｂ）が第１小電極９ａ１の右上角部と第２小電極９ａ２の右下角部とを右側連結部材１７７ｂで連結したり、第２小電極９ａ２の左上角部と第３小電極９ａ３の左下角部とを左側連結部材１７７ａで連結して形成できる。このように連結部材（１７７ａ、１７７ｂ）をデータ線と隣接形成すると、液晶衝突が発生しても上部表示板の遮光部材（図示せず）で覆うことができる。
図１〜図７に示した液晶表示装置の多くの特徴が図８〜図１１に示した液晶表示装置にも該当することは自明である。

尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１の液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１の液晶表示装置の共通電極表示板の配置図である。 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した断面図である。 図１のＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図８のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第４の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿って切断した断面図である。

符号の説明

３ 液晶層
９ａ１、９ａ２、９ａ３ （第１、第２、第３）小電極
１１、２１ 配向膜
２７ 円形切開部
１００ 薄膜トランジスタ表示板
１１０、２１０ 絶縁基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５４ 島型半導体
１６３、１６５ 島型オーミックコンタクト部材
１７１ データ線
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
１７７ａ、１７７ｂ （左側、右側）連結部材
１７８ 連結部材
１８０ 保護膜
１８１、１８２、１８５、１８８ 接触孔
１９１ 画素電極
１９２ 透明電極
１９４ 反射電極
２００ 共通電極表示板
２２０ 遮光部材
２３０ 色フィルタ
２５０ 蓋膜
２７０ 共通電極

Claims (9)

1. 第１絶縁基板と、
   前記第１絶縁基板上に形成されるゲート線と、
   前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に形成される半導体と、
   前記半導体と重畳するソース電極を有して前記ゲート線と交差するデータ線と、
   前記半導体と重畳し前記ソース電極と対向するドレイン電極と、
   前記データ線と分離される連結部材と、
   前記半導体上に形成され前記連結部材を露出させる複数の接触孔を有する保護膜と、
   前記保護膜上に形成され前記接触孔を通して前記連結部材と各々連結される複数の小電極とを有し、
   一つの画素に形成された前記小電極は、前記連結部材を通して互いに電気的に連結され、互いに電気的に連結される複数の小電極の内の少なくとも一つは前記ドレイン電極と連結されており、
   前記小電極は角が丸くなっている長方形であり、
   前記小電極の中心に前記接触孔が配置されていることを特徴とする表示板。
2. 前記小電極は透明電極で構成されることを特徴とする請求項１に記載の表示板。
3. 前記小電極の内の少なくとも一つは反射電極で構成されることを特徴とする請求項１に記載の表示板。
4. 前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、
   前記第２絶縁基板上に形成され、前記小電極の中心と対向する位置に切開部を含む共通電極をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示板。
5. 前記連結部材は前記データ線と同一層に形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示板。
6. 第１絶縁基板と、
   前記第１絶縁基板上に形成されるゲート線と、
   前記ゲート線と交差するデータ線と、
   前記ゲート線及びデータ線と連結される薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタと連結され、複数の小電極と該小電極を互いに連結する連結部材とを含む画素電極とを有し、
   前記小電極は角が丸くなっている長方形であり、
   １つの前記画素電極は３以上の奇数個の前記小電極を含み、
   前記連結部材は前記画素電極の左側と右側に偏って交互に配置されていることを特徴とする表示板。
7. 前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、
   前記第２絶縁基板上に形成される遮光部材と、
   前記第２絶縁基板上に形成される共通電極とをさらに有し、前記連結部材は前記遮光部材と対応する位置に配置されることを特徴とする請求項６に記載の表示板。
8. 前記共通電極は切開部を有することを特徴とする請求項７に記載の表示板。
9. 前記連結部材は互いに隣接する前記小電極の対向辺に連結されていることを特徴とする請求項６に記載の表示板。

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