JP5075761B2 - フラッシュメモリを用いたストレージ装置 - Google Patents
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Description
(1-1)実施例1における計算機システムの構成
実施例1における計算機システム構成について説明する。図1から図2は計算機システムの構成および計算機システムに接続される装置の構成を示し、図3から図7は各装置に具備される管理情報を示す。
(1-2)実施例1におけるストレージ装置ST1のLDEVに関連する処理
次に、本実施例における、ストレージ装置ST1が行う処理について説明する。本処理は、ストレージ装置ST1 30000内のDEV管理PG32600と、I/O制御PG32700と、INDEV PG32900とによって実現する。
なお、以降実施例2の説明において、特に断りがなければ、実施例1の構成およびテーブルおよびプログラムが実行されるものとし、実施例1との違いのみ説明する。
(2-1)実施例2における計算機システムの構成
実施例2における計算機システム構成について説明する。
(2-2)実施例2におけるストレージ装置ST1のLDEVに関連する処理
次に、本実施例における、ストレージ装置ST1が行う処理について説明する。本処理は、ストレージ装置ST1 30000内のDEV管理PG32600と、I/O制御PG32700と、INDEV PG36100によって実現する。 DEV管理PG32600とI/O制御PG32700は、実施例1と同じであるので説明を省略する。
20000…ストレージネットワーク
30000…ストレージ装置ST1
32000…ストレージコントローラ
32600…デバイス管理プログラム
32700…I/O制御プログラム
40000…ストレージ装置ST2
50000…管理計算機
60000…管理ネットワーク
Claims (6)
- 一つ以上のフラッシュメモリモジュールとキャッシュメモリを有する第一のストレージ装置及び前記第一のストレージ装置に接続されたホスト計算機から構成される計算機システムにおける前記第一のストレージ装置の記憶領域作成方法において、
前記第一のストレージ装置は、
前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域の作成要求を受信すると、受信した前記作成要求において、前記記憶領域とコピーペアの関係になる記憶領域が指定されているか否かを判断し、前記記憶領域とコピーペアの関係になる記憶領域が指定されている場合、前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域とコピーペアの関係となる記憶領域へのライトアクセス頻度から代替領域容量を定義し、前記ホスト計算機に提供する記憶領域の容量と前記代替領域容量とを合算した容量で前記第一のストレージ装置が有する前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを作成する
ことを特徴とするストレージ装置の記憶領域作成方法。 - 請求項1記載のストレージ装置の記憶領域作成方法において、
前記第一のストレージ装置は、
前記ライトアクセス頻度及び前記記憶領域の耐用年数から前記代替領域容量を定義する
ことを特徴とするストレージ装置の記憶領域作成方法。 - 請求項1記載のストレージ装置の記憶領域作成方法において、
前記計算機システムは、
前記第一のストレージ装置に接続されて一つ以上のハードディスクドライブを有する第二のストレージ装置を備え、
前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域とコピーペアの関係となる記憶領域は、前記第二のストレージ装置の前記一つ以上のハードディスクドライブから構成される記憶領域である
ことを特徴とするストレージ装置の記憶領域作成方法。 - 一つ以上のフラッシュメモリモジュールと、キャッシュメモリと、ストレージコントローラとを有し、ホスト計算機に接続される第一のストレージ装置において、
前記第一のストレージ装置の前記ストレージコントローラは、
前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域の作成要求を受信すると、受信した前記作成要求において、前記記憶領域とコピーペアの関係になる記憶領域が指定されているか否かを判断し、前記記憶領域とコピーペアの関係になる記憶領域が指定されている場合、前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域とコピーペアの関係になる記憶領域へのライトアクセス頻度から代替領域容量を定義し、前記ホスト計算機に提供する記憶領域の容量と、前記代替領域容量とを合算して論理デバイス容量を算出し、前記第一のストレージ装置が有する前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを作成する
ことを特徴とするストレージ装置。 - 請求項4記載のストレージ装置において、
前記第一のストレージ装置の前記ストレージコントローラは、
前記ライトアクセス頻度及び前記記憶領域の耐用年数から前記代替領域容量を定義する
ことを特徴とするストレージ装置。 - 請求項4記載のストレージ装置において、
一つ以上のハードディスクドライブを有する第二のストレージ装置に接続され、
前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域とコピーペアの関係となる記憶領域は、前記第二のストレージ装置の前記一つ以上のハードディスクドライブから構成される記憶領域である
ことを特徴とするストレージ装置。
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