JP5065432B2 - 流体ハンドリングデバイス、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、流体ハンドリングデバイス、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス、構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体へのバリアを提供することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。

[0006] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板Ｗ（図３に矢印で示す）上に、好ましくは最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給され、投影システムＰＳ（図３に矢印で示す）の下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口ＩＮと出口ＯＵＴが、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。

[0007] 図４は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ投影装置で使用する別の例示的な液体供給システムを概略的に示す。投影システムＰＳの両側の２つの溝状の入口によって液体が供給され、入口の半径方向外向きに配置された複数の別々の出口によって除去される。図４の実施形態では、入口と出口は、それを通して放射ビームが投影される孔を有する板に配置されている。液体は、投影システムＰＳの一方の側の１つの溝状の入口によって供給され、投影システムＰＳの他方の側の複数の別々の出口によって除去され、それにより投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄い膜のフローを形成する。液体供給システムに組み込まれた入口と出口との組合せの選択は、基板Ｗの移動方向によって変化することがある（入口と出口の他方の組合せは非アクティブ状態である）。図４の断面図では、板に示す矢印は、入口から流れ出て出口に吸い込まれる液体のフローの方向を示す。

[0008] 各々参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の考えが開示されている。そのような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。液浸液がない第１の位置でテーブルを用いてレベリング測定が実行され、液浸液が存在する第２の位置でテーブルを用いて露光が実行される。あるいは、装置は、レベリング及び露光がそのテーブル上で実行される基板を支持する１つのテーブルだけを有する。さらに別の構成では、２つのテーブルがあり、そのうち一方は、基板を支持するように構成され、他方は、例えば基板の交換時に液浸液の投影システムとの接触を維持するように構成される。

[0009] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／１１９８０９号に記載され、全ての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。

[0010] 液浸液を使用する液浸リソグラフィ装置では、液滴などの液浸液が、基板、基板テーブル又はその両方に残っていることがある。そのような場所に液滴が存在することは望ましくない。（以後、液滴という場合は液体膜も指すことに留意されたい）。液滴は、液体閉じ込め構造と、基板、基板テーブル又はその両方などの対向面との間に形成されたメニスカスと衝突することがある。衝突時に、液体閉じ込め構造によって閉じ込められた液浸液内に泡が形成されることがある。泡は、液浸液内を移動して露光放射に干渉して基板上に形成されたパターン内に欠陥を形成することがある。液滴は、蒸発してそれが位置する表面に熱負荷を加えることがある。蒸発及び／又は乾燥する汚れの形成によって、液滴は露光中に基板の欠陥源になる場合がある。

[0011] 例えば、不要な液滴を基板及び／又は基板テーブルの表面からより有効かつ効率的に除去することができる装置を提供することが望ましい。液滴が欠陥源になる前に、例えば、閉じ込められた液浸液のメニスカスと衝突又は蒸発する前に、液滴を除去することができる。

[0012] 一態様によれば、
光軸を有する投影システムと、
基板を保持するように構成された基板テーブルであって、基板、テーブル、又はその両方が対向面を画定する基板テーブルと、
投影システムと対向面との間に画定された液浸空間に液浸液を供給するように構成された流体ハンドリング構造とを備え、流体ハンドリング構造が、
液浸空間から液浸液を除去するように配置された流体除去デバイスと、
液浸液の液滴を除去するように配置された液滴除去デバイスとを備え、
液滴除去デバイスが、流体除去デバイスよりも光軸から遠い位置にあり、
液滴除去デバイスが、対向面に向かい合う多孔質部材を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0013] 一態様によれば、
光軸を有する投影システムと、
基板を保持するように構成された基板テーブルであって、基板、テーブル、又はその両方が対向面を画定する基板テーブルと、
投影システムと対向面との間に画定された液浸空間に液浸液を供給するように構成された流体ハンドリング構造とを備え、流体ハンドリング構造が、
液浸空間から液浸液を除去するように構成された流体除去デバイスと、
対向面に向かい合い、液浸液の液滴を除去するように構成された液滴除去デバイスとを備え、
液滴除去デバイスが、流体除去デバイスよりも光軸から遠い位置にあり、
液滴除去デバイスの少なくとも一部と対向面との間の距離が、光軸からの距離が増すにつれて増大する液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0014] 一態様によれば、
光軸を有する投影システムと、
基板を保持するように構成された基板テーブルであって、基板、テーブル、又はその両方が対向面を画定する基板テーブルと、
投影システムと対向面との間に画定された液浸空間に液浸液を供給するように構成された流体ハンドリング構造とを備え、流体ハンドリング構造が、
液浸空間から液浸液を除去するように構成された流体除去デバイスと、
対向面に向かい合い、液浸液の液滴を除去するように構成された液滴除去デバイスとを備え、
液滴除去デバイスが、対向面が液滴除去デバイスに対して移動するにつれて液滴に接触することにより、液浸空間内の液浸液から分離した対向面上の液浸液の液滴を除去するように配置される液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0015] 一態様によれば、
投影システムと、基板及び／又はテーブルによって画定される対向面と、流体ハンドリング構造と、流体ハンドリング構造と対向面との間に延在する液浸流体のメニスカスとの間に画定される空間内に液浸流体を閉じ込めて液浸流体の塊を形成するステップであって、投影システムが基板のターゲット位置のイメージフィールド上にパターン付放射ビームを投影するように構成され、基板テーブルが基板を保持するように構成されるステップと、
投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の相対移動を引き起こして基板の異なるターゲット位置を露光するステップと、
基板及び／又は基板テーブルの表面に形成された液浸液の液滴を、液滴が液浸流体の塊に再び付着する前に対向面に向かい合う多孔質部材を備える液滴除去デバイスを用いて除去するステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[0016] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0017]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0019]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0020]リソグラフィ投影システムで使用する液体閉じ込め構造を示す図である。 [0021]複数の別々の開口を有する、リソグラフィ投影システムで使用する液体閉じ込め構造の平面図である。 [0022]図６に示す液体供給システムの別々の開口のうち１つの開口の断面図を示す図である。 [0023]基板上に不要な液浸液の液滴がある図７に示す液体閉じ込め構造を示す図である。 [0024]液浸液の塊と相互作用する図８に示す液滴を示す図である。 [0025]液浸液の液滴との相互作用のために液浸空間内に封じ込まれた液浸液内の泡の形成を示す図である。 [0026]本発明の液滴除去デバイスを含む液体閉じ込め構造を示す図である。 [0027]液滴除去デバイスから液滴が除去される、図１１に示す液滴除去デバイスを備える液体閉じ込め構造を示す図である。 [0028]本発明の別の液滴除去デバイスを含む液体閉じ込め構造を示す図である。 [0029]本発明の別の液滴除去デバイスを含む液体閉じ込め構造を示す図である。 [0030]本発明の別の液滴除去デバイスを含む液体閉じ込め構造を示す図である。 [0031]本発明の別の液滴除去デバイスを含む液体閉じ込め構造を示す図である。 [0032]本発明のある実施形態による液滴除去デバイスを含む液体閉じ込め構造が基板に対して移動する経路の平面図である。 [0033]本発明のある実施形態による液滴除去デバイスを含む別の液体閉じ込め構造が基板に対して移動する経路の平面図である。

[0034] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0035] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0036] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0037] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0038] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0039] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0040] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0041] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0042] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0043] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0044] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0045] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0046] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0047] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。

[0048] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0049] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0050] 投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つの一般的カテゴリに分類される。これらは、浴槽タイプ構成と局所液浸システムである。浴槽タイプ構成では、実質的に基板の全体及び任意選択として基板テーブルの一部が液体の浴槽内に浸漬される。いわゆる局所液浸システムでは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムが使用される。局所液浸システムでは、液体によって充填された空間は、平面視で基板の上面より小さい。空間内の液体、望ましくは、基板に接触している空間内の液体は、基板が空間の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。液浸液によって充填された区域を局所液浸区域と呼んでもよい。

[0051] 本発明のある実施形態が指向する別の構成は、オールウェット液浸システムである。オールウェット液浸システムでは、液体が閉じ込められない。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部が存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。

[0052] 図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示された液体供給システムについては上記の通りである。提案されている別の構成は、液体供給システムに流体閉じ込め構造を提供する構成である。液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在していてもよい。そのような構成を図５に示す。流体閉じ込め構造は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、流体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成され、封止はガスシールなどの非接触封止でよい。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0053] 図５は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗ、あるいはその両方によって画定される対向する面との間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材又は液体閉じ込め構造を形成する本体１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造又はデバイスを概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。対向面という表現は、液体閉じ込め構造の本体に向かい合う基板Ｗ（及び基板テーブルＷＴ）の表面を意味することもある。）流体ハンドリング構造は、投影システムＰＳに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、本体１２と基板Ｗの表面との間には封止が形成され、封止は、ガスシール又は流体シール、又は毛細管シールなどの非接触封止でよい。

[0054] 流体ハンドリングデバイスは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへのガスシール１６などの非接触封止を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置し、それを取り囲む本体１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムＰＳの下の空間１１、及び液体入口開口１３によって本体１２内に流し込まれる。液体は、液体出口開口１３によって除去することができる。本体１２は、投影システムＰＳの最終要素から上に少し突き出すことができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、本体１２は、上端で、投影システムＰＳ又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。

[0055] 液体は、使用時に、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６などの封止によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、気体、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又は他の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内の気体は、入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの間のギャップに加圧下で提供される。気体は、出口１４を介して取り出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスフローが存在するように、気体入口１５上の過圧、出口１４上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。本体１２と基板Ｗとの間の液体上の気体の力で、液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的又は不連続的である。ガスフローは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。

[0056] 図５の例は、液体が任意の一時点で基板Ｗの上面の局所領域にのみ提供されるいわゆる局所領域構成である。例えば、米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示された単相抽出器（２相モードで動作するか否かを問わず）を使用する流体ハンドリングシステムを含む他の構成も可能である。ある実施形態では、単相抽出器は、多孔質の材料で覆われた入口を備えていてもよい。多孔質の材料は、単液体相液体抽出を可能にするために、気体から液体を分離するために使用される。多孔質の材料の下流側にあるチャンバはわずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で充填されている。チャンバ内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスがチャンバ内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入できる。多孔質の材料は、例えば５〜５０μｍの範囲の直径の多数の小さい孔を有する。ある実施形態では、多孔質の材料は、少なくともわずかに親液性（例えば、親水性）であり、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満の接触角を有する。

[0057] 本発明のある実施形態は、オールウェット液浸装置で使用される流体ハンドリング構造に適用することができる。オールウェット実施形態では、例えば、投影システムの最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め構造から液体が漏出できるようにすることにより、流体は基板テーブルの上面全体を覆うことができる。オールウェット実施形態の流体ハンドリング構造の一例は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００８年９月２日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１３６，３８０号に記載されている。

[0058] 投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１全体にわたってある方向に流体フローを可能にする多くのタイプの流体ハンドリング構造が配置されている。例えば、流体ハンドリングシステムでは、フローは、空間１１を取り囲む表面に画定された複数の開口（例えば、入口及び出口）によって達成することができる。フローは、開口を通して液体を選択的に供給及び／又は抽出することにより調整して所望のフローを生成することができる。流量は、１つ又は複数の開口を通して流量を変更することにより変更することができる。したがって、図５に示す実施形態に類似しているある実施形態では、液体開口１３は、本体１２によって閉じ込められた空間１１内の液体の貫通フローのための複数の開口を備えていてもよい。開口は、空間１１を取り囲んでいてもよい表面に画定されている。液体は、開口を通して供給又は除去して所望の方向の、例えば、空間１１を横切るフローを提供することができる。液体が空間に供給される開口を一組の供給開口と呼んでもよい。液体を除去することができる開口を一組の除去開口と呼んでもよい。図２及び図３の実施形態に示すように、開口の各々の組は、各々がそこを通る液体のフローのための開口が画定された表面を有する複数の本体と考えることができる。

[0059] 図６は、気体抵抗原理に基づいて動作する実施形態である１つのタイプの流体ハンドリング構造１３０の平面図を示す。いわゆる気体抵抗原理は、例えば、両方とも参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００８年５月８日出願の米国特許出願公開ＵＳ２００８−０２１２０４６号及び米国特許出願ＵＳ６１／０７１，６２１号に記載されている。そのシステムでは、平面視で抽出孔が、望ましくは、角を有する形状に配置されている。角は、ステップ及びスキャン方向に整列していてもよい。構成のこの形状によって、２つの出口がスキャン方向に垂直に整列していた場合と比較して、ステップ又はスキャン方向の所与の速度に対して流体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスにかかる力が低減する。

[0060] 使用時に、流体ハンドリング構造は、封止として機能することができ、例えば、図５に示すある実施形態に関して説明した封止１４、１５、１６の代わりに使用することができる。図６に示す封止は、メニスカス固定デバイスとして機能する。液体は、このデバイスによって空間１１（液浸空間１１とも呼ばれる）内に閉じ込められる。このデバイスは、複数の別々の開口５０を備える。開口５０は、デバイスによって閉じ込められた例えば空間１１内の液浸液に対して出口５０として機能する。開口５０は円形として示されているが、これはそうでなくてもよい。出口５０は、例えば、四角形、直線形、例えば、矩形、三角形、又は長斜方形もしくは細長いスリットであってもよい。

[0061] 図６のメニスカス固定デバイスの開口５０の各々は、別々の加圧源に接続することができる。あるいは、各開口５０は、共通のチャンバ（環状であってもよい）に接続されていてもよい。チャンバは、加圧下に保持されていてもよい。こうして、各出口での均一な加圧が達成できる。開口５０は、例えば、管の出口又は細長い通路５５であってもよい。望ましくは、開口は基板に対向するように配置されている。ある実施形態では、開口５０は、液体閉じ込め構造の表面、例えば、下面に画定されていてもよい。

[0062] 各開口５０は、液体と気体の混合物、すなわち、２相流体を抽出するように設計されている。液体は、空間１１から抽出されるが、気体（例えば、空気）は、開口５０の反対側の大気から液体に抽出される。気体の抽出によって、矢印１００で示すガスフローが生成される。図６に示すように、ガスフローは、開口５０間の所定位置にメニスカスを固定するのに有効である。

[0063] 図６から分かるように、開口５０は、平面視で多角形の形状を形成するように配置することができる。図６の例では、これは、投影システムの下の基板Ｗの移動の主方向に整列した主軸１１０、１２０を備えた長斜方形である。開口５０は、円、又は星、例えば４箇所が尖った星などの任意の適した形状を形成するように配置することができる。

[0064] 開口５０は、液体閉じ込め構造１２の底面４０から突き出た突起を備えていてもよい。しかし。これはそうでなくてもよく、図７に示すように、開口５０は、液体閉じ込め構造１２の主底面に画定されていてもよい。この場合、液体は主底面に当接し、それによって波の望ましくない生成を引き起こしがちな自由な上面を有しない。

[0065] 図７に関連して説明するように、矢印１００は、液体閉じ込め構造１２の外側から出口５０に関連付けられた通路５５に至るガスフローを示す。矢印１５０は、空間１１から出口５０への液体の通過を示す。通路５５及び出口５０は、２相抽出（すなわち、気体と液体）が実行されるように設計されている。２相のフローは環状であってもよい。これは、気体が通路５５の中央を通過し、液体が通路５５の壁に沿って流れるということを意味する。その結果、波動がない平滑なフローが生まれる。

[0066] 空間１１内の液体の液面は、液体が開口５０の半径方向内側ですら液体閉じ込め構造１２の底面４０に接触しないように配置することができる。しかし、図７に示す例とは違って、これはそうでなくてもよい。半径方向最も内側のメニスカス固定フィーチャは開口５０であってもよい。開口５０は、半径方向最も外側のコンポーネント又はメニスカス固定フィーチャであってもよい。したがって、そのような実施形態では、図５の液体供給システムと比較して、気体入口１５又はその同等物がなくてもよい。出口１４は、各々が加圧源に接続された複数の別々の開口５０として存在する。メニスカスは、ガスフローによって動作時には出口５０の働きをする開口５０の内部への抗力が発生して開口５０の間に固定される。約１５ｍ／ｓ、望ましくは、２０ｍ／ｓを超える気体（例えば、空気）抵抗速度で十分である。他の液体閉じ込めシステムにあるガスナイフの必要性を回避することにより基板からの液体の蒸発量を低減し、それによって、液体の飛散と熱膨張／収縮効果を低減することができる。ある実施形態では、ガスナイフのフィーチャは、開口５０の半径方向外向きであってもよく、例えば、気体を通過させるガスナイフ開口のように、液体閉じ込め構造１２の下面４０に画定されたガスナイフ開口であってもよい。開口を通過するガスフローは、液体を空間内に閉じ込め、液体を開口５０の間に固定するのを助ける働きをすることができる。

[0067] 一例をあげると、各々が１ｍｍの直径を備え、３．９ｍｍの間隔を空けた３６個の別々の出口が、メニスカスを固定するのに有効である。そのようなシステム内の総ガスフローは、１００リットル／秒程度である。

[0068] 液浸リソグラフィ装置の動作中に、液浸液が空間１１から漏れることがある。これは、使用される液体供給システムのタイプに関わらず発生する。したがって、例えば、図６及び図７に示すメニスカス固定デバイスを使用する時には、液浸液の液滴が空間１１から漏れることがある。

[0069] 例えば、局所液体区域が表面を通過した後に、液滴が表面に形成されることがある。例えば、露光後などに基板テーブルから基板が除去される時に液滴が基板表面に形成されることがある。液浸流体の液滴が形成されるのは、例えば、液体閉じ込め構造と基板の対向面との間の液浸液のメニスカスが基板の周辺縁部を横切る時であってもよい。周辺縁部を横切る際に、メニスカスは不安定になり、液滴を発生させる。液滴は、例えばスキャン方向に応じて基板表面又は基板テーブル上に発生する。

[0070] 液体閉じ込め構造と基板及び／又は基板テーブルなどの対向面との間のその後の相対移動の間、不要な液浸液の液滴が液体閉じ込め構造と対向面との間のメニスカスに衝突することがある。メニスカスは、液体閉じ込め構造によって閉じ込められた液浸液の塊のメニスカスであってもよい。衝突の結果、液浸液の塊内に泡が発生することがある。そのような泡は、液浸液を通過して露光放射ビームの経路に侵入することがある。泡は、露光ビームと干渉することがある。泡は、露光された基板上の欠陥源になることがある。対向面上の液滴とメニスカスとの衝突のリスクは、対向面と液体閉じ込め構造との間の相対移動の方向が変化した後に増大することがある。これは、例えば、ステップ運動時にスキャン方向が変化したか、又は露光のための基板の新しいターゲット位置への移動時に起こることがある。

[0071] 液体を閉じ込める上記構成に関わらず、少量の液体がいつでも、例えば、液体閉じ込め構造１２（及びそれが閉じ込める液浸液）が基板Ｗの縁部を横断する時に、空間１１から漏れる可能性がある。液浸液が空間１１から漏れる場合、基板Ｗの表面及び／又は基板テーブルＷＴの表面に液滴が形成されることがある。

[0072] 図８に示す例では、液浸液が空間１１から漏れて基板Ｗの表面に液浸液の液滴２００が形成される。液滴２００が基板Ｗの表面から除去されない場合、基板の露光の精度に悪影響が出ることがある。これは、下記のように、液滴が液浸空間１１内の液浸液の塊に接触することで引き起こされる場合がある。

[0073] 図８の矢印は、空間１１に対する基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの移動方向を示す。この移動は、空間１１（以後、液体の塊と呼ぶことがある）内の液浸液へ向かう。液滴２００は、基板Ｗと共に移動する。液滴２００が基板Ｗの表面から除去されない場合、液滴２００は、基板Ｗと共に空間１１へ向かって移動する。

[0074] 図９に示すように、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴが液浸空間１１に対して矢印Ａの方向に十分に遠くまで移動すると、液滴２００は空間１１内の液浸液に接触する。液滴２００は、塊の液浸液のメニスカス９０に接触することができる。メニスカス９０は、基板Ｗと開口５０との間に形成される。基板テーブル（したがって、基板Ｗ）は、液体閉じ込め構造１２に対して比較的高速で移動するため、メニスカスと液滴２００との接触の瞬間は衝突である。

[0075] 図１０は、基板Ｗと基板テーブルＷＴが引き続き図９に示す位置からさらに矢印Ａの方向に移動する状況を示す。図１０から分かるように、液浸液２００の液滴は空間１１内に封じ込められた液浸液の塊に接触することができるが、これはそうでなくてもよい。液体の一部は、飛び散ってさらに液滴を形成することがある。しかし、接触時に気泡３００、例えば、１つ又は複数の空気の泡が液浸空間１１内の液浸液内に形成されることがある。気泡３００は、液浸空間を通過して露光ビームの経路に侵入することがある。基板のその後の露光中、露光放射ビームは気泡３００を通過することができる。放射が気泡を通過することで、露光放射ビームの特性に影響する。例えば、ビームは減衰し、それにより露光の精度と再現性が低減することがある。こうして、液滴が露光中に発生した欠陥を増大させる場合がある。

[0076] 図８〜図１０に関連する説明から分かるように、空間１１から漏れた液浸液の液滴２００が液浸空間１１内の液浸液の塊に接触するか、及び／又はこれと相互作用する前に液滴２００を残らず除去することができることが望ましい。ある実施形態によれば、空間１１内の液浸液、特にメニスカス９０に接触する前に液浸液の液滴２００を残らず除去する液滴除去デバイス４００が提供される。

[0077] 図１１は、本発明のある実施形態による液滴除去デバイス４００を含む流体ハンドリング構造の一部を示す。液滴除去デバイス４００は、多孔質部材４５０を含む。液滴除去デバイス４００は、空間１１内の液浸液の塊との接触、例えば、再結合の前に液浸液の液滴２００を除去するように構成されている。ある実施形態では、液滴除去デバイス４００は、対向面、例えば、基板Ｗの上面（すなわち、露光されている表面）に実質的に向かい合うように配置されている。多孔質部材４５０は通常、液浸液の液滴２００を形成する液浸液を引き出すことができる開口を有する。開口は板に形成することができる。板の厚さは、例えば、１０μｍ〜２００μｍ、又は２５μｍ〜１００μｍの範囲から選択することができる。例えば、ある実施形態では、板の厚さは約５０μｍである。

[0078] ある実施形態では、液滴除去デバイス４００は、漏れた液滴２００を取り囲む空間から気体も除去することができる２相除去デバイスである。液滴除去デバイス４００の多孔質部材をマイクロシーブと呼ぶことがある。

[0079] ある実施形態では、多孔質部材４５０の少なくとも一部は角度が付いている。多孔質部材の表面は、対向面、例えば、基板Ｗの表面からの距離が、液浸空間１１からの距離が増すにつれて増大するような角度が付いていてもよい。多孔質部材と基板Ｗとの間の距離は、多孔質部材の少なくとも一部を覆う投影システムＰＳの光軸からの距離が増すにつれて増大するように配置されている。図１１に示す実施形態では、多孔質部材と基板Ｗとの距離は、多孔質部材の全長に沿った投影システムＰＳの光軸からの距離が増すにつれて増大するように示されている。

[0080] 図１２に示す構成から分かるように、基板Ｗと基板テーブルＷＴとが矢印Ａの方向に移動する（すなわち、図１２に示す基板Ｗの縁部が液浸空間１１の方へ移動する）時に、液浸液の液滴２００は液滴除去デバイス４００の方へ移動する。液滴２００が液滴除去デバイス４００に対して図１２に示す位置にほぼ達すると、液滴除去デバイス４００による除去が開始される。この位置で、液滴２００は、液滴除去デバイス４００に接触する。使用時に液滴に接触する液滴除去デバイス４００の部分は、液滴の高さである対向面（基板Ｗの表面）から少なくともある距離だけ離れている。ある実施形態では、液滴２００は、例えば図１２に矢印Ｂで示す方向に、液滴除去デバイス４００の多孔質部材４５０の開口を通して除去される。

[0081] 通常、多孔質部材４５０の開口は、液浸液の液滴２００が除去される孔を形成する。これらの孔は、任意の適切な形態をとることができる。例えば、孔は、四角形、矩形、三角形、円形、又はその他の任意の適当な形状であってもよい。例えば、液滴除去デバイス４００の多孔質部材の開口は、円形の孔であってもよい。

[0082] 多孔質部材４５０の開口は、５μｍ〜１００μｍの範囲から選択した直径を有していてもよい。ある実施形態では、開口は円形の孔であってもよい。孔は、１０μｍ〜５０μｍの範囲から選択した直径を有していてもよい。孔は、約２０μｍの直径を有していてもよい。開口の直径に対する上記の値は、四角形、矩形又は三角形の孔などの他の形状の開口の主要な寸法にも適用することができる。開口の正確な面積及び開口間の空間は、基板Ｗの表面に形成することができる可能なサイズの範囲から選択された液滴２００を除去するのに十分な吸引力を提供するように設定することができる。

[0083] 図１１及び図１２に示すような実施形態では、液滴除去デバイス４００内の多孔質部材４５０の開口の間隔は均一であってもよい。さらに、開口の面積と形状自体も液滴除去デバイス４００全体で均一であってもよい。しかし、別の実施形態では、開口のサイズ及び／又は形状、及び／又は開口間のギャップは、液滴除去デバイス４００全体で変化してもよい。

[0084] 例えば、図１５に示すような実施形態では、液滴除去デバイス４００は、多孔質部材４６０を備えていてもよい。多孔質部材４６０に画定された開口間の間隔は、液浸リソグラフィ装置の投影システムＰＳの光軸からの距離が増すにつれて増大してもよい。ある実施形態では、多孔質部材４６０の開口間の間隔は、流体ハンドリングシステムの出口５０からの距離が増すにつれて増大してもよい。変化は、連続的に発生してもよく、開口の断面積、開口間の間隔（すなわち、開口密度）又はその両方が実質的に均一である２つ以上の帯に配置されていてもよい。帯の特性は、開口５０及び／又は投影システムＰＳの光軸からの距離が増すにつれて変化してもよい。下記の実施形態に関連して、特性は連続的な変化として、又は各々が均一の特性を備えた一連の２つ以上の帯として発生することがある。

[0085] 図１５に示すような実施形態では、多孔質部材の開口間の間隔又はギャップは、対向面、例えば基板Ｗと液滴除去デバイス４００との間の距離が増すにつれて増大してもよい。

[0086] ある実施形態では、液滴除去デバイス４００の多孔質部材の開口のサイズ（すなわち、各開口の面積）は、追加的に又は代替的に、対向面、例えば基板Ｗからの液滴除去デバイス４００の多孔質部材の距離が増すにつれて変化してもよい。ある実施形態では、各開口の面積は、基板Ｗと液滴除去デバイス４００との間の距離が増すにつれて低減してもよい。ある実施形態では、各開口の面積は、液浸リソグラフィ装置の光軸からの距離が増すにつれて低減してもよい。ある実施形態では、各開口の面積は、流体ハンドリングシステムの開口５０からの距離が増すにつれて低減してもよい。

[0087] 液滴除去デバイス４００の多孔質部材の開口間の間隔及び／又は開口の出口の面積は、上記のように、液滴除去デバイス４００の異なる高さ（すなわち、基板Ｗからの高さ）で除去される液滴２００のサイズが様々であるために、対向面、例えば基板Ｗからの距離が増すにつれて変化してもよい。したがって、例えば、基板Ｗにより近い位置にある多孔質部材上の開口を通して除去される液滴よりも大きい液滴を、基板Ｗから離れた位置にある多孔質部材上の開口を通して除去することができる。より大きい液滴は、液滴除去デバイス４００のより大きい領域上に延在する。これは、より大きい液滴２００が液滴除去デバイス４００に接触する時に少なくとも１つの開口（又は少なくとも２つの、３つの、４つの、５つの、６つの、又はそれ以上の開口）を確実に覆うようにしながら、そのようなより大きい液滴を除去する時に開口間の間隔が増大してもよいということを意味する。同様に、多孔質部材の開口の出口の面積は、開口の十分な面積が液滴の除去のためにより大きい液滴２００に確実に提示されるようにしながら低減させることができる。

[0088] ある実施形態では、液滴除去デバイス４００と液滴除去デバイス４００に向かい合う対向面（例えば、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ）との間の距離は、リソグラフィ装置の光軸からの距離が増すにつれて増大する。いくつかの実施形態では、液滴除去デバイス４００と基板Ｗとの間の距離は、液滴除去デバイス４００の全長又は全幅にわたる液浸リソグラフィ装置の光軸からの距離が増すにつれて増大する。そのような実施形態が図１１及び図１２に関連して説明されている。

[0089] 別の実施形態では、液滴除去デバイス４００と対向面、例えば基板Ｗとの間の距離は、液滴除去デバイス４００の全長にわたる液浸リソグラフィ装置の光軸からの距離が増すにつれて増大しない。例えば、図１３及び図１４に示すような実施形態では、液滴除去デバイス４００と対向面、例えば基板Ｗとの間の距離は、液滴除去デバイス４００の一部にわたる液浸リソグラフィ装置の光軸からの距離が増すにつれて増大するだけである。

[0090] 図１３及び図１４に示すような実施形態では、液滴除去デバイス４００と対向面、例えば基板Ｗとの間の距離は、液滴除去デバイス４００の外側部分、すなわち、液滴除去デバイス４００の残りの部分よりも液浸リソグラフィ装置の光軸から遠い液滴除去デバイス４００の部分に対してのみ、液浸リソグラフィ装置の光軸からの距離が増すにつれて増大する。例えば、液滴除去デバイス４００と基板Ｗとの間の距離が液浸リソグラフィ装置の光軸からの距離が増すにつれて増大する図１３の部分４１０又は図１４の部分４３０は、液浸リソグラフィ装置の光軸に対して液滴除去デバイス４００の外側１０％（又は１０％未満）から外側９０％（又は９０％超）の間であってもよい。例えば、部分４１０又は部分４３０は光軸に対して液滴除去デバイス４００の外側２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、又は８０％であってもよい。

[0091] 図１３又は図１４に示すような実施形態では、液滴除去デバイス４００と基板Ｗとの間の距離は、光軸に対する液滴除去デバイス４００の全長の一部（全長ではなく）にわたって増大する。内側部分４２０は、対向面、例えば基板Ｗから実質的に一定の距離にあってもよい。そのような実施形態を図１３に示す。液滴除去デバイス４００の内側部分４４０と対向面、例えば基板Ｗとの間の距離は、光軸からの距離が増すにつれて低減してもよい。そのような実施形態を図１４に示す。図１４に示す実施形態では、液滴除去デバイス４００と基板Ｗとの間の最小距離は、図１３に示す実施形態の場合よりも小さくてもよい。これは、液滴除去デバイス４００の内側部分４４０が、光軸からの距離が増すにつれて対向面、例えば基板Ｗに近づくからである。これによって、液滴除去デバイス４００を通してより小さい液滴２００を除去することができるという利点が得られる。

[0092] 図１１〜図１６に示す実施形態では、液浸リソグラフィ装置の光軸に対する液滴除去デバイス４００の内縁部４８０は、液体閉じ込め構造１２の下面４０から対向面、例えば対向面に最も近い下面４０の部分への距離と等しい距離である。しかし、ある実施形態では、液滴除去デバイス４００の内縁部４８０（光軸に対して）での、対向面と液滴除去デバイス４００との間の距離は異なっていてもよい。例えば、対向面と液体閉じ込め構造１２の下面４０（又は液滴除去デバイスが液体閉じ込め構造１２の一部である場合には液体閉じ込め構造１２の別の部分）との間の距離よりも小さくてもよい。これによって、より小さい液滴２００が液浸空間１１内の液浸液の塊に接触する前に液滴除去デバイス４００を通して回収することができる。

[0093] 液滴除去デバイス４００と対向面との間の距離は、５０μｍ〜５００μｍの範囲から選択することができる。液滴除去デバイス４００と対向面との間の距離は、７５μｍ〜３００μｍの範囲又は１００μｍ〜２００μｍの範囲から選択することができる。例えば、ある実施形態では、対向面と液滴除去デバイス４００との間の距離は、約１５０μｍ又は１６０μｍ又は１７０μｍ又は１８０μｍである。これらの値は、液滴除去デバイス４００と対向面との間の最短距離を表していてもよく、又は液滴除去デバイスが液体閉じ込め構造１２の一部の場合には、液体閉じ込め構造１２と対向面との間の最短距離を表していてもよい。あるいは、これらの値は、対向面と液滴除去デバイス４００との間の平均距離を表していてもよい。

[0094] 平面視で、液滴除去デバイス４００の形状は、液浸空間１１内に液浸液の塊を封じ込めるのに使用される流体ハンドリング構造１３０の開口５０によって形成される形状に対応するか又はそれと類似しているものであってもよい。例えば、これは、液滴除去デバイス４００の形状は平面視で液体出口の実際の形状に対応するという意味であってもよい。また、追加的に又は代替的に、この形状は、液浸液のメニスカス９０の形状に（平面視で）対応するという意味であってもよい。したがって、流体ハンドリング構造の液体開口５０（及び／又は出口によって形成される液浸液のメニスカス９０）は、平面視で液滴除去デバイス４００と同じ形状を有していてもよい。しかし、それらはサイズが異なっていてもよい。

[0095] ある実施形態では、液体開口５０（及び／又は開口５０によって形成される液浸液のメニスカス）及び液滴除去デバイス４００によって形成される平面形態の形状は、両方とも環状であってもよい。別の実施形態では、液体開口５０（及び／又は開口５０によって形成される液浸液のメニスカス）及び液滴除去デバイス４００によって形成される平面形態の形状は、両方とも少なくとも４つの辺を有していてもよい。例えば、それらは、両方とも４箇所が尖った星を形成してもよく、又は実質的に菱形の形状をとってもよい。

[0096] 液滴除去デバイス４００の断面（すなわち、図１１〜図１６に示す）の形状は、液滴除去デバイス４００の平面視の形状に関連していなくてもよい。したがって、本明細書に記載する断面、平面及び開口の配置／サイズ構成の任意の組合せを本発明の異なる実施形態で互いに組み合わせてもよい。

[0097] ある実施形態では、液滴除去デバイス４００は、開口５０によって平面視で画定された形状の１つ又は複数の部分の付近にのみ位置していてもよい。そのような部分の１つは形状の角である。液滴除去デバイス４００は、形状の各々の角に関連付けられた位置にあってもよい。角は、所望のスキャン及び／又はステップ方向に整列している。対向面が液体閉じ込め構造に対して移動する間、液滴除去デバイス４００は、対向面の後ろの角から移動の相対方向に対して（例えば、スキャン及び／又はステップ方向に）液滴を除去することができる。液滴除去デバイス４００は前の角で液滴を除去することができるため、液滴は液浸液の塊に接近しているが、この液滴が液体閉じ込め構造と対向面との間の前進するメニスカス９０に接触する前である。

[0098] 液体閉じ込め構造の開口５０（又は流体ハンドリング構造の開口５０によって形成されるメニスカス９０）によって形成される平面形態の形状は、平面視で液滴除去デバイス４００への寸法が異なっていてもよい。本発明のある実施形態では、液滴除去デバイス４００は、液浸リソグラフィ装置の光軸に対して液体閉じ込め構造の開口５０の外側又はそれより大きい半径位置にあってもよい。ある実施形態では、開口５０（又は開口５０によって形成される空間１１内のメニスカス９０）の外縁部（光軸に対する）と液滴除去デバイス４００の内縁部４８０との間の距離は、０．１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲から選択することができる。ある実施形態では、この距離は、０．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲から選択することができる。ある実施形態では、この距離は、２．５ｍｍであってもよい。この距離を半径方向の幅と呼んでもよい。ある実施形態では、この距離は、液滴除去デバイスの全体の周囲で実質的に一定であってもよく、又は所望の方向、例えば、又はスキャン及び／又はステップ方向に一定であってもよい。あるいは、上記の距離は、周辺部の周囲又は所望の方向、例えば、スキャン又はステップ方向の平均値を表していてもよい。ある実施形態では、液滴除去デバイス４００の平面視の半径方向の幅は、所望の方向の一方（すなわち、スキャン又はステップ方向）で他方の方向と比べて大きくてもよい。

[0099] ある実施形態では、ターゲット部分は、基板Ｗの表面を横切る線に沿って連続してスキャンされる。スキャン運動は線に垂直であり、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴは各ターゲット部分のスキャンの間にステップ処理される。ある実施形態では、スキャン方向に垂直の方向に、液滴除去デバイス４００の半径方向の幅は、１つ又は複数のターゲット部分を超えて延在する寸法である。したがって、各々の新しいターゲット部分がスキャンされるたびに、液滴除去デバイス４００は、最近露光したターゲット部分を通過し、ターゲット部分の表面から液体を除去する。したがって、液体が蒸発する前、且つ液滴が空間１１内の液浸液の塊のメニスカスと相互作用する前に液滴を除去することができる。

[00100] ある実施形態では、液滴除去デバイス４００の半径方向の幅は、ターゲット部分のスキャンの終了時にターゲット部分又は複数のターゲット部分の実質的に全体部分である部分を液滴除去デバイスで覆うことができるサイズである。この構成では、スキャン後、すなわち、露光後にターゲット部分上に残っている液体、又はスキャン前、したがって露光前に存在する液体はすべて除去される。

[00101] 上記の１つ又は複数の方法で液滴除去デバイス４００の半径方向の幅を増大させることで、メニスカスの安定性をさほど気にせずに、投影システムと対向面との間のより大きい相対速度、例えばスキャン及び／又はステップ速度を達成することができる。こうして、液滴除去デバイス４００の下を通過した後で液滴が残る確率を低減することができる。

[00102] 図１７は、液滴除去デバイス４００が開口５０によって作成された液浸空間１１の周囲に延在する実施形態を示す。図１７には、８つのターゲット部分（０〜７）が示されている。経路９８は、ターゲット部分１及び２の露光中の液浸空間１１（例えば、液浸空間１１の中心）に対する基板Ｗの移動を示す。この実施形態では、ステップ方向（すなわち、ターゲット部分１からターゲット部分２への方向）の液滴除去デバイス４００の半径方向の幅Ｘは、スキャン方向の半径方向の幅Ｙよりも大きい。

[00103] 図１８は、図１７の構成と類似の構成を示す。この例では、ステップ方向の液滴除去デバイス４００の半径方向の幅Ｘ’は、スキャン方向の液滴除去デバイス４００の半径方向の幅Ｙ’よりも小さい。その結果、図１８の実施形態の露光ターゲット部分１から露光ターゲット部分２へ移動する基板Ｗがたどる相対経路９９は、図１７の実施形態でたどる経路９８とは異なる（すなわち、スキャン方向にさらに延在している）。

[00104] 図１７及び図１８に示す実施形態では、液滴除去デバイス４００の表面は、開口５０の列からの距離が増すにつれて対向面から離れた向きの角度になる。ある実施形態では、液滴除去デバイス４００の表面は、少なくとも対向面に実質的に平行な部分であってもよい。表面全体が対向面に平行であってもよい。ある実施形態では、液滴除去デバイス４００の表面の少なくとも一部分は、（表面全体であっても）開口５０の列からの距離が増すにつれて対向面と向き合う角度になる。

[00105] 図１７及び図１８に示す実施形態では、液滴除去デバイスの外縁部４０４によって画定される角４０２の角度は、開口５０の列によって画定される角５２の角度と同様である。ある実施形態では、スキャン方向、ステップ方向又はその両方に整列した開口５０の列の角５２の角度は、液滴除去デバイス４００の外縁部４０４の角４０２の角度とは異なる。

[00106] 図１７に示す実施形態の変形形態では、スキャン方向に整列した開口５０の列の角５２の角度は、液滴除去デバイス４００の外縁部４０４の角４０２の角度よりも小さい。開口５０の列によって画定される角５２は９０度であってもよく、又は９０〜７５度又は８０度未満の鋭角であってもよい。ステップ方向に整列した開口５０の列の角５２の角度は、液滴除去デバイス４００の外縁部４０４の角４０２の角度より大きくてもよい。開口５０の列の角５２の角度は９０度であってもよく、又は鈍角、すなわち、９０度を超えていてもよく、例えば、９０〜１０５度又は１０５度を超えていてもよい。

[00107] 図１８に示す実施形態の変形形態では、ステップ方向に整列した開口５０の列の角５２の角度は、液滴除去デバイス４００の外縁部４０４の角４０２の角度よりも小さい。開口５０の列の間に画定される角５２は実質的に９０度であってもよく、鈍角、例えば９０〜１０５度であってもよい。スキャン方向に整列した開口５０の列の角５２の角度は、液滴除去デバイス４００の外縁部４０４の角４０２の角度より大きくてもよい。開口５０の列の角５２の角度は実質的に９０度であってもよく、又は鋭角であってもよく、望ましくは７５〜９０度であってもよい。

[00108] 図１１〜図１５に示す実施形態では、液滴除去デバイス４００の多孔質部材は、流体ハンドリング構造の開口５０と同じ通路５５に接続されている。これは、開口５０と液滴除去デバイス４００が液浸液の塊と液滴２００をそれぞれ抽出する同じ加圧源、例えば吸引デバイスに接続することができることを意味する。

[00109] 図１６に示すような実施形態では、液滴除去デバイス４００の多孔質部材は、通路５００を介して専用の加圧源、例えば吸引デバイス（図示せず）に接続することができる。この実施形態では、液体閉じ込め構造の開口５０は、液滴除去デバイス４００が接続されている吸引デバイスとは異なる吸引デバイスに通路５５を介して接続されている。したがって、通路５００を介して液滴除去デバイス４００に提供される吸引は、通路５５を介して開口５０に提供される吸引と異なっていてもよい。両方の通路５５及び５００に接続された吸引デバイスは、各々ポンプであってもよい。ポンプは異なっていてもよい。

[00110] 以上、液浸リソグラフィ装置について説明してきた。しかし、本明細書に記載する液滴除去デバイス４００は、既存の流体ハンドリングシステム又は液体閉じ込め構造に増設することができる別の構成要素として提供することができる。あるいは、本明細書に記載する液滴除去デバイス４００は、流体ハンドリングシステム又は液体閉じ込め構造の一部として提供することができる。その後、流体ハンドリングシステム又は液体閉じ込め構造を液浸リソグラフィ装置又は別の装置に組み込むことができる。

[00111] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00112] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。

[00113] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00114] １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。

[00115] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が浴槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、これに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸流体を閉じ込めることができないか、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00116] ある実施形態では、光軸を有する投影システムと、基板テーブルと、流体ハンドリング構造とを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板を保持するように構成されている。基板、テーブル、又はその両方は対向面を画定する。流体ハンドリング構造は、投影システムと対向面との間に画定された液浸空間に液浸液を供給するように構成されている。流体ハンドリング構造は、流体除去デバイスと、液滴除去デバイスとを備える。流体除去デバイスは、液浸空間から液浸液を除去するように配置されている。液滴除去デバイスは、液浸液の液滴を除去するように配置されており、流体除去デバイスよりも光軸から遠い位置にある。液滴除去デバイスは、対向面に向かい合う多孔質部材を備える。

[00117] 多孔質部材の少なくとも一部と対向面との間の距離は、光軸からの距離が増すにつれて増大してもよい。この部分は、光軸に対して多孔質部材の外側部分に提供してもよい。

[00118] 液浸リソグラフィ装置は、上記部分よりも光軸に近い位置にある多孔質部材の内側部分を有していてもよい。内側部分は、対向面から実質的に一定の距離にあってもよい。

[00119] 上記部分よりも光軸に近い位置にある多孔質部材の内側部分と対向面との間の距離は、光軸からの距離が増すにつれて低減してもよい。

[00120] 光軸に対する液滴除去デバイスの最も内側の縁部と対向面との間の距離は、流体除去デバイスと対向面との間の距離よりも小さくてもよい。

[00121] 流体除去デバイスは、２相流体を抽出するように構成された２相抽出器であってもよい。流体除去デバイスは、流体ハンドリング構造の表面に複数の別々の開口を備えていてもよい。開口は、表面にパターンで画定され、液浸空間に液浸液を閉じ込めるように構成されていてもよい。液浸液は、液浸空間からの液浸液と液浸液の外側の大気からの気体との混合物を除去することにより閉じ込められる。

[00122] 流体除去デバイスの開口は、ガスフローの生成によって液浸空間内に液浸液のメニスカスを固定するように配置されていてもよい。

[00123] 多孔質部材は、複数の開口を備えていてもよい。開口間の間隔は、光軸からの距離が増すにつれて増大してもよい。各開口の出口の面積は、光軸からの距離が増すにつれて低減してもよい

[00124] 液滴除去デバイスは、液浸空間内の液浸液から分離した液浸液の液滴を除去するように構成されていてもよい。

[00125] 多孔質部材は、液浸液と気体との混合物を除去するように構成されていてもよい。

[00126] 流体除去デバイスと液滴除去デバイスは、平面視で同じ幾何学形状と異なるサイズを有していてもよい。流体除去デバイスと液滴除去デバイスは、両方とも平面視で環状の形状を有していてもよい。流体除去デバイスと液滴除去デバイスは、両方とも少なくとも４つの辺を有していてもよい。

[00127] 液浸リソグラフィ装置は、流体除去デバイスと液滴除去デバイスの両方に接続された吸引デバイスをさらに備えていてもよい。吸引デバイスは、流体除去デバイスと液滴除去デバイスの両方の圧力を低減する。

[00128] 液浸リソグラフィ装置は、第１の吸引デバイスと、第２の吸引デバイスとをさらに備えていてもよい。第１の吸引デバイスは、流体除去デバイスの圧力を低減するように構成されている。第２の吸引デバイスは、液滴除去デバイスの圧力を低減するように構成されている。

[00129] 流体除去デバイスは、液浸液がそれを乗り越えることを実質的に防止するように構成してもよい。

[00130] ある実施形態では、投影システムと、基板テーブルと、流体ハンドリングシステムとを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。投影システムは、光軸を有する。基板テーブルは、基板を保持するように構成されている。基板、テーブル、又はその両方は、対向面を画定する。流体ハンドリング構造は、投影システムと対向面との間に画定された液浸空間に液浸液を供給するように構成されている。流体ハンドリング構造は、流体除去デバイスと、液滴除去デバイスとを備える。流体除去デバイスは、液浸空間から液浸液を除去するように構成されている。液滴除去デバイスは、対向面に向かい合い、液浸液の液滴を除去するように構成されている。液滴除去デバイスは、流体除去デバイスよりも光軸から遠い位置にある。液滴除去デバイスの少なくとも一部と対向面との間の距離は、光軸からの距離が増すにつれて増大する。

[00131] この部分は、光軸に対して液滴除去デバイスの外側部分に提供してもよい。

[00132] 液滴除去デバイスの内側部分は、上記部分よりも光軸に近い位置にあってもよい。内側部分は、対向面から実質的に一定の距離にあってもよい。

[00133] 上記部分よりも光軸に近い位置にある液滴除去デバイスの内側部分と対向面との間の距離は、光軸からの距離が増すにつれて低減してもよい。

[00134] 液滴除去デバイスは、対向面に向かい合う多孔質部材を備えていてもよい。

[00135] ある実施形態では、投影システムと、基板テーブルと、流体ハンドリング構造とを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。投影システムは、光軸を有する。基板テーブルは、基板を保持するように構成されている。基板、テーブル、又はその両方は、対向面を画定する。流体ハンドリング構造は、投影システムと対向面との間に画定された液浸空間に液浸液を供給するように構成されている。流体ハンドリング構造は、流体除去デバイスと、液滴除去デバイスとを備える。流体除去デバイスは、液浸空間から液浸液を除去するように構成されている。液滴除去デバイスは、対向面に向かい合い、液浸液の液滴を除去するように構成されている。液滴除去デバイスは、液浸空間内の液浸液から分離した対向面上の液浸液の液滴を除去するように配置されている。対向面が液滴除去デバイスに対して移動する際に液滴に接触することにより液滴が除去される。

[00136] 液滴除去デバイスは、対向面に向かい合う多孔質部材を備えていてもよい。

[00137] 液滴除去デバイスの少なくとも一部と対向面との間の距離は、光軸からの距離が増すにつれて増大してもよい。

[00138] ある実施形態では、デバイス製造方法が提供される。この方法は、投影システムと、基板及び／又はテーブルによって画定された対向面と、流体ハンドリング構造と、流体ハンドリング構造と対向面との間に延在する液浸流体のメニスカスとの間に画定された空間内に液浸流体を閉じ込めて液浸流体の塊を形成するステップを含む。投影システムは、基板のターゲット位置のイメージフィールド上にパターン付放射ビームを投影するように構成されている。基板テーブルは、基板を保持するように構成されている。

[00139] この方法は、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の相対移動を引き起こして基板の異なるターゲット位置を露光するステップをさらに含んでいてもよい。この方法は、基板及び／又は基板テーブルの表面に形成された液浸液の液滴を、液滴が液浸流体の塊に再び付着する前に液滴除去デバイスを用いて除去するステップをさらに含んでいてもよい。液滴除去デバイスは、対向面に向かい合う多孔質部材を備えていてもよい。

[00140] この方法は、流体除去デバイスによって液浸流体の塊を除去するステップをさらに含んでいてもよい。投影システムは、光軸を有していてもよく、液滴除去デバイスは、流体除去デバイスよりも光軸から遠い位置にあってもよい。

[00141] 本明細書で考察する液体供給システムは、広義に解釈すべきである。ある実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構、又は構造の組合せであってもよい。液体供給システムは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体開口を含む１つ又は複数の流体開口、１つ又は複数の気体開口又は２相フローのための１つ又は複数の開口の組合せを備えていてもよい。開口は、各々、液浸空間への入口（又は流体ハンドリング構造の出口）又は液浸空間の出口（又は流体ハンドリング構造の入口）であってもよい。ある実施形態では、空間の表面は基板及び／又は基板テーブルであってもよく、又は空間の表面は基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆っていてもよく、又は空間は基板及び／又は基板テーブルを囲んでいてもよい。液体供給システムは、任意選択として液体の位置、量、質、形状、流量又はその他の任意の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含んでいてもよい。

[00142] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (14)

1. 光軸を有する投影システムと、
   基板を保持する基板テーブルであって、前記基板、テーブル、又はその両方が対向面を画定する基板テーブルと、
   前記投影システムと前記対向面との間に画定された液浸空間に液浸液を供給する流体ハンドリング構造とを備え、前記流体ハンドリング構造が、
   前記液浸空間から２相流体を除去する流体除去デバイスと、
   液浸液の液滴を除去する液滴除去デバイスとを備え、
   前記液滴除去デバイスが、前記流体除去デバイスよりも前記光軸から遠い位置にあり、
   前記液滴除去デバイスが、前記対向面に向かい合う多孔質部材を備え、
   前記多孔質部材の少なくとも一部と前記対向面との間の距離が、前記光軸からの距離が増すにつれて増大する液浸リソグラフィ装置。
2. 前記一部が、前記光軸に対して前記多孔質部材の外側部分に提供される、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
3. 前記部分よりも前記光軸に近い位置にある前記多孔質部材の内側部分が、前記対向面から実質的に一定の距離にある、請求項１又は２に記載の液浸リソグラフィ装置。
4. 前記部分よりも前記光軸に近い位置にある前記多孔質部材の内側部分と前記対向面との間の距離が、前記光軸からの距離が増すにつれて低減する、請求項１又は２に記載の液浸リソグラフィ装置。
5. 前記光軸に対する前記液滴除去デバイスの最も内側の縁部と前記対向面との間の距離が、前記流体除去デバイスと前記対向面との間の距離よりも小さい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
6. 前記流体除去デバイスが、２相流体を抽出する２相抽出器である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
7. 前記流体除去デバイスが、前記流体ハンドリング構造の表面に複数の別々の開口を備え、前記開口が、前記表面にパターンで画定され、（ｉ）前記液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）前記液浸液の外側の大気からの気体との混合物を除去することにより、前記液浸空間に前記液浸液を閉じ込める、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
8. 前記多孔質部材が、複数の開口を備え、
   前記開口間の間隔が、前記光軸からの距離が増すにつれて増大し、及び／又は各開口の出口の面積が、前記光軸からの距離が増すにつれて低減する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
9. 前記液滴除去デバイスが、前記液浸空間内の前記液浸液から分離した液浸液の液滴を除去する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
10. 前記多孔質部材が、液浸液と気体との混合物を除去する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
11. 前記流体除去デバイスと前記液滴除去デバイスとの両方に接続されて、前記流体除去デバイスと前記液滴除去デバイスの両方の圧力を低減する吸引デバイスをさらに備える、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
12. 光軸を有する投影システムと、
    基板を保持する基板テーブルであって、前記基板、テーブル、又はその両方が対向面を画定する基板テーブルと、
    前記投影システムと前記対向面との間に画定された液浸空間に液浸液を供給する流体ハンドリング構造とを備え、前記流体ハンドリング構造が、
    前記液浸空間から２相流体を除去する流体除去デバイスと、
    前記対向面に向かい合い、液浸液の液滴を除去する液滴除去デバイスとを備え、
    前記液滴除去デバイスが、前記流体除去デバイスよりも前記光軸から遠い位置にあり、
    前記液滴除去デバイスの少なくとも一部と前記対向面との間の距離が、前記光軸からの距離が増すにつれて増大する液浸リソグラフィ装置。
13. 前記液滴除去デバイスが、前記対向面が前記液滴除去デバイスに対して移動するにつれて前記液滴に接触することにより、前記液浸空間内の前記液浸液から分離した前記対向面上の液浸液の液滴を除去する、請求項１２に記載の液浸リソグラフィ装置。
14. 光軸を有する投影システムと、基板及び／又はテーブルによって画定される対向面と、流体ハンドリング構造と、前記流体ハンドリング構造と前記対向面との間に延在する液浸流体のメニスカスとの間に画定される空間内に液浸流体を閉じ込めて液浸流体の塊を形成するステップであって、前記投影システムが前記基板のターゲット位置のイメージフィールド上にパターン付放射ビームを投影し、前記基板テーブルが前記基板を保持するステップと、
    前記投影システムと前記基板及び／又は基板テーブルとの間の相対移動を引き起こして前記基板の異なるターゲット位置を露光するステップと、
    前記基板及び／又は前記基板テーブルの表面に形成された液浸液の液滴を、前記対向面に向かい合う多孔質部材を備える液滴除去デバイスを用いて除去するステップと、
    を含み、
    前記液滴除去デバイスは、前記空間から２相流体を除去する流体除去デバイスよりも前記光軸から遠い位置にあり、
    前記液滴除去デバイスの少なくとも一部と前記対向面との間の距離が、前記光軸からの距離が増すにつれて増大するデバイス製造方法。