JP2023550246A - 流体ハンドリングシステム、方法およびリソグラフィ装置 - Google Patents

Abstract

【解決手段】リソグラフィ装置のための流体ハンドリングシステムが開示される。流体ハンドリングシステムは、投影システムから投影される放射ビームが液浸液を通過することによって基板の表面を照射できるように、リソグラフィ装置における投影システムの一部および基板の表面の間の液体制限空間に液浸液を制限するように構成される。流体ハンドリングシステムは、共に流体を取り出すように構成される第１取出部および第２取出部の間に設けられるダンパを備える。ダンパは、ダンパの表面および基板の表面の間の液浸液のメニスカスを支持するように構成される。
【選択図】図３ｂ

Description

［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、2020年11月25日に出願された欧州出願20209779.6の優先権を主張し、その全体が参照によって本書に援用される。

［技術分野］
本発明は、流体ハンドリングシステムおよびデバイス製造方法に関する。本発明は、リソグラフィ装置にも関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に適用するように構成される装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（IC）の製造に使用されうる。リソグラフィ装置は、例えば、基板（例えば、ウェーハ）上に提供される放射感応性材料（レジスト）の層上に、パターニングデバイス（例えば、マスク）のパターン（しばしば「デザインレイアウト」または「デザイン」とも表される）を投影してもよい。公知のリソグラフィ装置は、全体パターンをターゲット部分上に一回で露光することによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、放射ビームを通じて所定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンしながら、この方向に平行または非平行に基板を同時にスキャンすることによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナを含む。

半導体製造プロセスが継続的に進歩するにつれて、一般的に「ムーアの法則」と表されるトレンドに従って、過去数十年に亘ってデバイス毎のトランジスタ等の機能要素の量が着実に増加しながら、回路要素の寸法は継続的に低減されている。半導体産業は、ムーアの法則に遅れないように、ますます小さいフィーチャを生成することを可能にする技術を追い求めている。パターンを基板上に投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用してもよい。この放射の波長は、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、365nm（i線）、248nm、193nmおよび13.5nmである。

より小さいフィーチャの解像度における更なる改良が、比較的高い屈折率を有する水等の液浸流体を露光中に基板上に提供することによって実現されてもよい。液浸流体の効果は、流体中の露光放射が気体中より短い波長を有するため、より小さいフィーチャの結像を可能にすることである。液浸流体の効果は、システムの実効的な開口数（NA）を増加させ、焦点深度も増加させるという点にもある。

液浸流体は、流体ハンドリング構造によって、リソグラフィ装置の投影システムおよび基板の間の局所的な領域に制限されてもよい。このような液浸流体の使用は、基板の表面上における液滴の存在に繋がりうる。このような液滴は、基板上に乾燥スポットをもたらし、液滴が液浸液のメニスカスに当たると、液浸液中に捕捉された気体による泡の形成に繋がりうるため、問題となりうる。液浸液中の泡は、基板上にプリントされる欠陥に繋がりうる。このような泡が導入される可能性は、基板の相対速度を低減することによって低減されうるが、これはリソグラフィ装置のスループットを制限してしまう。

本発明の目的は、スループットを増加させる、および／または、基板上の欠陥を低減するための手段が取られる流体ハンドリングシステムおよび方法を提供することである。

本発明の第１態様によれば、リソグラフィ装置のための流体ハンドリングシステムが提供される。流体ハンドリングシステムは、投影システムから投影される放射ビームが液浸液を通過することによって基板の表面を照射できるように、リソグラフィ装置における投影システムの一部および基板の表面の間の液体制限空間に液浸液を制限するように構成される。流体ハンドリングシステムは、共に流体を取り出すように構成される第１取出部および第２取出部の間に設けられるダンパであって、ダンパの表面および基板の表面の間の液浸液のメニスカスを支持するように構成されるダンパを備える。

発明の第２態様によれば、第１態様の流体ハンドリングシステムを備えるリソグラフィ装置が提供される。

発明の第３態様によれば、リソグラフィ装置におけるデバイス製造方法が提供される。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構成される基板ホルダ、基板ホルダによって保持される基板上に放射ビームを投影するように構成される投影システム、および第１態様に係る流体ハンドリングシステムを有する。方法は、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部および基板の表面の間の空間に液浸液を制限するために流体ハンドリングシステムを使用することと、空間における液浸液を通じて基板上にパターン形成された放射のビームを投影することと、ダンパの表面および基板の間の液浸液のメニスカスを支持することと、メニスカスが基板の移動に応じてダンパの表面に沿って移動するように、放射ビームの伝播方向に実質的に垂直なスキャン方向に基板を駆動することと、を備える。

本発明の更なる実施形態、特徴および利点や、本発明の各種の実施形態、特徴および利点の構造および動作が、付随的な図面を参照しながら以下で詳細に記述される。

以下では、対応する参照符号が対応する部分を表す以下の付随的な模式図を参照して、例示のみを目的として発明の実施形態が記述される。

図１は、リソグラフィ装置の模式的な概要を示す。

図２ａ、２ｂ、２ｃおよび２ｄは、それぞれ、全周に亘って延在してもよい、各バージョンの左側および右側に例示される異なる特徴を有する流体ハンドリングシステムの二つの異なるバージョンを断面で示す。

図３ａおよび３ｂは、第１および第２動作状態それぞれにおける第１実施形態に係る流体ハンドリングシステムを示す。

図４は、第２実施形態に係る流体ハンドリングシステムを示す。

図５は、第３実施形態に係る流体ハンドリングシステムを示す。

図６は、第４実施形態に係る流体ハンドリングシステムを示す。

図示される特徴は必ずしも実寸通りではなく、示されるサイズおよび／または配置に限定されるものではない。図は、発明に必須ではないオプションの特徴を含むと理解される。更に、装置の全ての特徴が図のそれぞれにおいて示される訳ではなく、図は特定の特徴を記述する上で関連するコンポーネントのいくつかのみを示してもよい。

本文書では、「放射」および「ビーム」の用語が、紫外放射（例えば、365、248、193、157または126nmの波長を有するもの）を含む全てのタイプの電磁放射を包含するために使用される。

このテキストで使用される「レチクル」、「マスク」または「パターニングデバイス」の用語は、入射する放射ビームに、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応するパターン形成された断面を付与するために使用されうる一般的なパターニングデバイスを表すものと広義に解釈されてもよい。用語「ライトバルブ」も、この文脈で使用されうる。古典的なマスク（透過型または反射型、バイナリ型、位相シフト型、ハイブリッド型等）の他に、他のこのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルLCDアレイを含む。

図１は、リソグラフィ装置を模式的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、UV放射またはDUV放射）を調整するように構成される照明システム（イルミネータとも表される）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに応じてパターニングデバイスＭＡを正確に配置するように構成される第１ポジショナＰＭに接続されるマスクサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに応じて基板サポートＷＴを正確に配置するように構成される第２ポジショナＰＷに接続される基板サポート（例えば、基板テーブル）ＷＴと、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、一または複数のダイを含む）上に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに形成されたパターンを投影するように構成される投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。コントローラ５００は、装置の全体動作を制御する。コントローラ５００は、中央制御システムまたはリソグラフィ装置の各種のサブシステム内における複数の別のサブコントローラのシステムでもよい。

稼働中、照明システムＩＬは、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して、放射源ＳＯからの放射ビームＢを受ける。照明システムＩＬは、放射の方向付け、形成および／または制御のための、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型および／または他のタイプの光学コンポーネント等の各種のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せを含んでもよい。イルミネータＩＬは、パターニングデバイスＭＡの面で、その断面において所望の空間および角度強度分布を有するように、放射ビームＢを調整するために使用されてもよい。

ここで使用される用語「投影システム」ＰＳは、使用中の露光放射、および／または、液浸液または真空の使用等の他の要素にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、アナモルフィック型、磁気型、電磁気型および／または静電型の光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む各種のタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈されるべきである。用語「投影レンズ」のここでの使用は、より一般的な用語「投影システム」ＰＳと同義に解釈されてもよい。

リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗの間の液浸空間１１を満たすために、基板Ｗの少なくとも一部が比較的高い屈折率を有する水等の液浸液によって覆われてもよいタイプである（液浸リソグラフィとも表される）。液浸技術に関するより多くの情報は、参照によって本書に援用されるUS6,952,253において与えられている。

リソグラフィ装置は、二つ以上の基板サポートＷＴを有するタイプ（「デュアルステージ」とも呼ばれる）でもよい。このような「マルチステージ」装置では、基板サポートＷＴが並行的に使用されてもよい、および／または、他の基板Ｗ上にパターンを露光するために他方の基板サポートＷＴ上の他方の基板Ｗが使用されている間に、基板Ｗの後続の露光の準備ステップが一方の基板サポートＷＴ上に位置する基板Ｗ上で実行されてもよい。

基板サポートＷＴに加えて、リソグラフィ装置は測定ステージ（不図示）を備えてもよい。測定ステージは、センサおよび／またはクリーニングデバイスを保持するように設けられる。センサは、投影システムＰＳの特性または放射ビームＢの特性を測定するように設けられてもよい。測定ステージは、複数のセンサを保持してもよい。クリーニングデバイスは、リソグラフィ装置の部分、例えば投影システムＰＳの部分または液浸液を提供するシステムの部分をクリーニングするように設けられてもよい。測定ステージは、基板サポートＷＴが投影システムＰＳから離れている時に、投影システムＰＳの下を移動してもよい。

稼働中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されているマスクＭＡ等のパターニングデバイス上に入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（デザインレイアウト）によってパターン形成される。マスクＭＡを経た放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集光する投影システムＰＳを通過する。第２ポジショナＰＷおよび位置測定システムＩＦによって、例えば、放射ビームＢの経路中の集光および整列位置に異なるターゲット部分Ｃを配置するために、基板サポートＷＴが正確に駆動されうる。同様に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に配置するために、第１ポジショナＰＭおよび適切な他の位置センサ（図１では明示的に示されない）が使用されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列されてもよい。図示される基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占めるが、これらはターゲット部分の間の空間に配置されてもよい。ターゲット部分Ｃの間に配置される基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、スクライブラインアライメントマークとして知られている。

発明を明らかにするために、デカルト座標系が使用される。デカルト座標系は、三つの軸、すなわち、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を有する。三つの軸のそれぞれは、他の二つの軸に直交する。ｘ軸周りの回転は、Ｒｘ回転と表される。ｙ軸周りの回転は、Ｒｙ回転と表される。ｚ軸周りの回転は、Ｒｚ回転と表される。ｘ軸およびｙ軸は水平面を定め、ｚ軸は鉛直方向を定める。デカルト座標系は発明を限定するものではなく、説明のためだけに使用される。代わりに、円筒座標系等の他の座標系が発明を明らかにするために使用されてもよい。例えば、ｚ軸が水平面に沿う成分を有するように、デカルト座標系の方向は異なるものでもよい。

液浸技術は、より小さいフィーチャの解像度の向上を可能にするために、リソグラフィシステムに導入されている。液浸リソグラフィ装置では、比較的高い屈折率を有する液浸液の液体層が、装置の投影システムＰＳ（これを通じてパターン形成されたビームが基板Ｗに向かって投影される）と基板Ｗの間の液浸空間１１に介在する。液浸液は、投影システムＰＳの最終要素の下で、基板Ｗの少なくとも一部を覆う。このように、露光中の基板Ｗの少なくとも一部が液浸液に浸る。

商用化されている液浸リソグラフィでは、液浸液は水である。水は、典型的には、半導体製造プラントにおいて一般的に使用される超純水（UPW）等の高純度の蒸留水である。液浸システムでは、UPWが頻繁に浄化され、液浸空間１１への液浸液としての供給の前に、追加的な処理ステップを経なければならない場合もある。フッ化炭化水素等の炭化水素および／または水溶液等の、高い屈折率を有する水以外の他の液体も液浸液として使用されうる。更に、液体以外の他の流体も、液浸リソグラフィにおける使用が見込まれている。

本明細書では、最終要素１００と最終要素１００に対向する表面の間の液浸空間１１に使用中の液浸液が制限される局所化された液浸についての記述において参照がなされる。対向する表面は、基板Ｗの表面または基板Ｗの表面と同一面上の支持ステージ（または、基板サポートＷＴ）の表面である（なお、以下のテキストにおける基板Ｗの表面への参照は、特に断らない限り、加えてまたは代えて基板サポートＷＴの表面も表し、逆も同様である）。投影システムＰＳと基板サポートＷＴの間に存在する流体ハンドリング構造１２は、液浸液を液浸空間１１に制限するために使用される。液浸液によって満たされた液浸空間１１は平面視で基板Ｗの最表面より小さく、下方で基板Ｗおよび基板サポートＷＴが移動する間、液浸空間１１は投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。

非制限液浸システム（いわゆる「オールウェット」液浸システム）および浴式液浸システム等の他の液浸システムも見込まれている。非制限液浸システムでは、液浸液が最終要素１００の下の表面より多くを覆う。液浸空間１１外の液体は、薄い液体フィルムとして存在する。液体は、基板Ｗまたは基板Ｗおよび基板Ｗと同一面上の基板サポートＷＴの表面全体を覆ってもよい。バス型システムでは、基板Ｗが液浸液の浴槽に完全に浸る。

流体ハンドリング構造１２は、液浸液を液浸空間１１に供給し、液浸液を液浸空間１１から除去することで、液浸液を液浸空間１１に制限する構造である。それは、流体供給システムの一部である特徴を含む。PCT特許出願公報番号WO99/49504に開示された配置は、液浸空間１１の液浸液を供給または回収し、投影システムＰＳ下のステージの相対移動に応じて動作するパイプを備える初期の流体ハンドリング構造である。より新しいデザインでは、流体ハンドリング構造が、投影システムＰＳの最終要素１００と基板サポートＷＴまたは基板Ｗの間の液浸空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延び、部分的に液浸空間１１を定める。

流体ハンドリング構造１２は、異なる機能の選択肢を有してもよい。各機能は、流体ハンドリング構造１２がその機能を実現することを可能にする対応する特徴から得られてもよい。流体ハンドリング構造１２は、バリアメンバ、シールメンバ、流体供給システム、流体除去システム、液体制限構造等の、それぞれ機能を表す多くの異なる用語によって表されてもよい。

バリアメンバとしての流体ハンドリング構造１２は、液浸空間１１からの液浸液の流れに対するバリアである。液体制限構造としての構造は、液浸液を液浸空間１１に制限する。シールメンバとしての流体ハンドリング構造１２のシーリングフィーチャは、液浸液を液浸空間１１に制限するためのシールを形成する。シーリングフィーチャは、ガスナイフ等のシールメンバの表面における開口からの追加的な気体流を含んでもよい。

一実施形態では、流体ハンドリング構造１２が流体供給システムとして液浸流体を供給してもよい。

一実施形態では、流体ハンドリング構造１２が流体制限システムとして少なくとも部分的に液浸流体を制限してもよい。

一実施形態では、流体ハンドリング構造１２が流体制限構造等のバリアメンバとして液浸流体に対するバリアを提供してもよい。

一実施形態では、流体ハンドリング構造１２が、例えば液浸流体の流れおよび／または位置の制御を支援するために、気体流を生成または使用してもよい。

気体流は液浸流体を制限するためのシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造１２はシールメンバと表されてもよい。このようなシールメンバは流体制限構造でもよい。

一実施形態では、液浸液が液浸流体として使用される。この場合の流体ハンドリング構造１２は、液体ハンドリングシステムでもよい。以上の記述を参照して、これらの段落における流体に関して定義される特徴への参照は、液体に関して定義される特徴を含むものと理解される。

リソグラフィ装置は、投影システムＰＳを有する。基板Ｗの露光中、投影システムＰＳは、パターン形成された放射のビームを基板Ｗ上に投影する。基板Ｗに到達するために、放射ビームＢの経路は、投影システムＰＳから、投影システムＰＳと基板Ｗの間の流体ハンドリング構造１２によって制限された液浸液を通過する。投影システムＰＳは、ビームの経路の最後に液浸液と接触するレンズ要素を有する。液浸液と接触するこのレンズ要素は、「最終レンズ要素」または「最終要素」と表されてもよい。最終要素１００は、少なくとも部分的に流体ハンドリング構造１２によって囲まれる。流体ハンドリング構造１２は、最終要素１００の下方および対向する表面の上方に液浸液を制限してもよい。

図２ａ、２ｂ、２ｃおよび２ｄは、各種の流体ハンドリングシステムに存在してもよい異なる特徴を示す。デザインは、特に断らない限り、図２ａ、２ｂ、２ｃおよび２ｄと同じいくつかの特徴を共有してもよい。ここで記述される特徴は、示されるようにまたは必要に応じて、個別にまたは組合せで選択されてもよい。図は、全周に亘って延在してもよい、左側および右側に例示される異なる特徴を有する流体ハンドリングシステムの異なるバージョンを示す。このように、例えば、流体ハンドリングシステムは、全周に亘って延在する同じ特徴を有してもよい。例えば、流体ハンドリングシステムは、図２ａの左側、または図２ａの右側、または図２ｂの左側、または図２ｂの右側、または図２ｃの左側、または図２ｃの右側、または図２ｄの左側、または図２ｄの右側の特徴のみを有してもよい。あるいは、流体ハンドリングシステムには、これらの図からの特徴の任意の組合せが、周方向の異なる位置に提供されてもよい。流体ハンドリングシステムは、以下で記述される各種の流体ハンドリング構造１２を備えてもよい。

図２ａは、最終要素１００の底面の周りの流体ハンドリング構造１２を示す。最終要素１００は、逆円錐台形状を有する。円錐台形状は、平らな底面および円錐面を有する。円錐台形状は、平らな表面から突出して平らな底面を有する。平らな底面は、放射ビームＢが通過してもよい最終要素１００の底面の光学的にアクティブな部分である。最終要素１００は、コーティング３０を有してもよい。流体ハンドリング構造１２は、円錐台形状の少なくとも一部を囲む。流体ハンドリング構造１２は、円錐台形状の円錐面に対向する内表面を有する。内表面および円錐面は、相補的な形状を有してもよい。流体ハンドリング構造１２の頂面は、実質的に平らでもよい。流体ハンドリング構造１２は、最終要素１００の円錐台形状の周りにフィットしてもよい。流体ハンドリング構造１２の底面は実質的に平らでもよく、使用中に底面は基板サポートＷＴおよび／または基板Ｗの対向面と平行でもよい。このように、流体ハンドリング構造１２の底面は、基板Ｗの表面に対向する表面と表されてもよい。底面および対向面の間の距離は、30から500マイクロメートルの範囲内でもよく、望ましくは80から200マイクロメートルの範囲内でもよい。

流体ハンドリング構造１２は、最終要素１００より基板Ｗおよび基板サポートＷＴの対向面の近くまで延在する。液浸空間１１は、従って、流体ハンドリング構造１２の内表面、円錐台部分の平らな表面および対向面の間で定められる。使用中、液浸空間１１は液浸液で満たされる。液浸液は、最終要素１００および流体ハンドリング構造１２の間の相補的な表面の間のバッファ空間（一実施形態では、相補的な内表面および円錐面の間の空間の少なくとも一部）の少なくとも一部を満たす。

液浸液は、流体ハンドリング構造１２の表面に形成される開口を通じて、液浸空間１１に供給される。液浸液は、流体ハンドリング構造１２の内表面における供給開口２０を通じて供給されてもよい。代えてまたは加えて、液浸液は、流体ハンドリング構造１２の底面に形成される下方供給開口２３から供給される。下方供給開口２３は、放射ビームＢの経路を囲んでもよく、アレイまたは単一スリットにおける一連の開口として形成されてもよい。液浸液は液浸空間１１を満たすために供給され、投影システムＰＳ下の液浸空間１１を通じた流れは層状になる。下方供給開口２３からの液浸液の供給は、追加的に泡の液浸空間１１内への進入を防ぐ。この液浸液の供給は、液体シールとして機能してもよい。

液浸液は、内表面に形成される回収開口２１から回収されてもよい。回収開口２１を通じた液浸液の回収は、減圧の適用によって行われてもよい。回収開口２１を通じた回収は、液浸空間１１を通じた液浸液の流速の結果でもよい。あるいは、回収は、両方の結果でもよい。回収開口２１は、平面視において供給開口２０の反対側に配置されてもよい。加えてまたは代えて、液浸液は、流体ハンドリング構造１２の頂面に配置されるオーバーフロー回収部２４を通じて回収されてもよい。供給開口２０および回収開口２１の機能が入れ替えられてもよい（すなわち、液体の流れ方向が逆になる）。この場合、流体ハンドリング構造１２および基板Ｗの相対動作に応じて、流れの方向を変えられる。

加えてまたは代えて、液浸液は、流体ハンドリング構造１２の下方から、その底面に形成される回収開口２５を通じて回収されてもよい。回収開口２５は、液浸液のメニスカス３３を流体ハンドリング構造１２に対して保持する機能を担ってもよい。メニスカス３３は、流体ハンドリング構造１２および対向面の間に形成され、液体空間および外部気体環境の間の境界として機能する。回収開口２５は、単相流の液浸液を回収してもよい多孔プレートでもよい。底面における回収開口は、液浸液が回収される一連のピニング開口３２でもよい。ピニング開口３２は、二相流の液浸液を回収してもよい。

オプションで、流体ハンドリング構造１２の内表面に対する径方向の外側に、ガスナイフ開口２６が設けられる。気体は、液浸空間１１における液浸液の液体制限を支援するために高められた速度で、ガスナイフ開口２６を通じて供給されてもよい。供給される気体は湿っていてもよく、実質的に二酸化炭素を含んでもよい。ガスナイフ開口２６の径方向の外側に、ガスナイフ開口２６を通じて供給される気体を回収するための気体回収開口２８が設けられる。

更なる開口、例えば、大気、気体ソースまたは真空に開放されたものが、流体ハンドリング構造１２の底面、すなわち、基板Ｗに対向する流体ハンドリング構造１２の表面に存在してもよい。このようなオプションの更なる開口５０の一例が、図２ａの右側における点線で示される。示されるように、更なる開口５０は、双方向矢印によって示されるように、供給部または取出部でもよい。例えば、供給部として構成される場合、更なる開口５０は、液体供給部または気体供給部その他の任意の供給部に接続されてもよい。あるいは、取出部として構成される場合、更なる開口５０は、流体を取り出すために使用されてもよく、例えば、大気、気体ソースまたは真空に接続されてもよい。例えば、少なくとも一つの更なる開口５０は、ガスナイフ開口２６および気体回収開口２８の間、および／または、ピニング開口３２およびガスナイフ開口２６の間に存在してもよい。

図２ａの左側および右側の流体ハンドリング構造１２の二つの異なるバージョンは、メニスカス３３を留める。図２ａの右側の流体ハンドリング構造１２のバージョンは、ピニング開口３２の固定された位置のために、実質的に最終要素１００に対して固定された位置にメニスカス３３を留めてもよい。図２ａの左側の流体ハンドリング構造１２のバージョンは、回収開口２５の下方にメニスカス３３を留めてもよく、メニスカス３３は、回収開口２５の長さおよび／または幅に沿って移動してもよい。露光時に放射ビームＢを基板Ｗの両端まで向けるために、基板Ｗを支持する基板サポートＷＴが投影システムＰＳに対して駆動される。リソグラフィ装置によって露光される基板Ｗのアウトプットを最大化するために、基板サポートＷＴが（および、基板Ｗも）、可能な限り速く駆動される。しかし、臨界相対速度（しばしば、臨界スキャン速度と表される）があり、それを超えると流体ハンドリング構造１２および基板Ｗの間のメニスカス３３が不安定になる。不安定なメニスカス３３は、例えば、一または複数の液滴の形で液浸液を失うという、より大きいリスクを伴う。更に、不安定なメニスカス３３は、特に制限された液浸液が基板Ｗの縁を超えた時に液浸液内への気泡の混入をもたらすという、より大きいリスクを伴う。

基板Ｗの表面上に存在する液滴は、熱負荷を与える可能性があり、欠陥の原因になりうる。液滴は、蒸発して乾燥しみを残す可能性があり、移動して粒子等の汚染物質を運ぶ可能性があり、より大きい液浸液の塊と衝突してより大きい塊内に気体の泡を導入する可能性があり、蒸発してそれが配置される表面に対して熱負荷を与える可能性がある。このような熱負荷は、表面が結像中の基板Ｗに対するリソグラフィ装置のコンポーネントの位置決めと関連する場合、ディストーションの原因および／または位置決め誤差のソースになりうる。このように、表面上の液滴の形成は望ましくない。このような液滴の形成を避けるために、基板サポートＷＴの速度はメニスカス３３が安定している臨界スキャン速度までに制限される。これは、リソグラフィ装置のスループットを制限する。

図２ａにおける流体ハンドリングシステムの左側は、スプリング６０を備えてもよい。スプリング６０は、流体ハンドリング構造１２に対して基板Ｗの方向の付勢力を及ぼすように構成される調整可能な受動スプリングでもよい。このように、スプリング６０は、基板Ｗの上方の流体ハンドリング構造１２の高さを制御するために仕様されうる。このような調整可能な受動スプリングは、その全体が参照によって本書に援用されるUS7,199,874において記述されている。他の付勢デバイス（例えば、電磁力を使用するもの）も適切である。スプリング６０は、オプションで図２ａの左側と共に示されるが、図２ａの左側の他の特徴と共に含まれる必要はない。スプリング６０は、他のいずれの図にも示されないが、図２ａ、２ｂ、２ｃ、または２ｄに関して記述される他の各種の流体ハンドリングシステムと共に含まれうる。

図２ｂは、最終要素１００に対するメニスカス３３の移動を可能にする流体ハンドリング構造１２の二つの異なるバージョンを左側および右側に示す。メニスカス３３は、移動する基板Ｗの方向に移動してもよい。これはメニスカス３３および移動する基板Ｗの間の相対速度を小さくし、安定性の向上およびメニスカス３３の崩壊のリスクの低減をもたらしうる。メニスカス３３が崩壊する基板Ｗの速度を大きくすることで、投影システムＰＳの下方における基板Ｗの移動を速くできる。このようにスループットが高められる。

図２ａと共通する図２ｂに示される特徴は、同じ参照番号を共有する。流体ハンドリング構造１２は、円錐台形状の円錐面と相補的な内表面を有する。流体ハンドリング構造１２の底面は、円錐台形状の平らな底面より対向面に近い。

液浸液は、流体ハンドリング構造１２の内表面に形成される供給開口３４を通じて液浸空間１１に供給される。供給開口３４は、内表面の底側（例えば、円錐台形状の底面より下方）に配置される。供給開口３４は、放射ビームＢの経路から離れた周りで、内表面の周りに配置される。

液浸液は、流体ハンドリング構造１２の底面における回収開口２５を通じて液浸空間１１から回収される。流体ハンドリング構造１２の下方で対向面が移動するため、メニスカス３３が回収開口２５の表面上を対向面の移動と同じ方向に移動する可能性がある。回収開口２５は、多孔部材で形成されてもよい。液浸液は、単相で回収されてもよい。液浸液は、二相流で回収されてもよい。二相流は、流体ハンドリング構造１２内のチャンバ３５で受け取られて、液体および気体に分離される。液体および気体は、別のチャネル３６、３８を通じてチャンバ３５から回収される。

流体ハンドリング構造１２の底面の内周部３９は、プレート４０を形成するために内表面から液浸空間１１内に延在する。内周部３９は、放射ビームＢの形状およびサイズにマッチするサイズの小さい開口を形成する。プレート４０は、いずれかの端部で液浸液を隔離する機能を担ってもよい。供給される液浸液は、開口に向かって内側に流れ、内側開口を通り、プレート４０の下方で包囲する回収開口２５に向かって径方向の外側に流れる。

流体ハンドリング構造１２は、図２ｂの右側に示されるように、二つの部分（内側部分１２ａおよび外側部分１２ｂ）で構成されてもよい。内側部分１２ａおよび外側部分１２ｂは、主に対向面に平行な面内で互いに相対的に移動してもよい。内側部分１２ａは、供給開口３４を有してもよいし、オーバーフロー回収部２４を有してもよい。外側部分１２ｂは、プレート４０および回収開口２５を有してもよい。内側部分１２ａは、内側部分１２ａおよび外側部分１２ｂの間を流れる液浸液を回収するための中間回収部４２を有してもよい。

このように、図２ｂの流体ハンドリング構造の二つの異なるバージョンは、基板Ｗと同じ方向におけるメニスカス３３の移動を許容し、スキャン速度の高速化およびリソグラフィ装置のスループットの向上を可能にする。しかし、図２ｂの左側の流体ハンドリング構造１２における回収開口２５の表面上のメニスカス３３の移動速度は遅い可能性がある。図２ｂの右側の流体ハンドリング構造１２は、内側部分１２ａおよび最終要素１００に対して外側部分１２ｂを移動させることによって、より速いメニスカス３３の移動を可能にする。しかし、内側部分１２ａおよび外側部分１２ｂの間の接触を防ぐために、その間に十分な液浸液が提供されることを担保するように、中間回収部４２を制御することは困難である可能性がある。

図２ｃは、図２ａおよび／または２ｂに関して前述されたような流体ハンドリング構造１２に対して液浸液のメニスカス３３を留めるために使用されてもよい、流体ハンドリング構造１２の二つの異なるバージョンを左側および右側に示す。図２ａおよび／または２ｂと共通する図２ｃに示される特徴は、同じ参照番号を共有する。

流体ハンドリング構造１２は、円錐台形状の円錐面と相補的な内表面を有する。流体ハンドリング構造１２の底面は、円錐台形状の平らな底面より対向面に近い。液浸液は、流体ハンドリング構造１２の表面に形成される開口を通じて液浸空間１１に供給される。液浸液は、流体構造１２の内表面における供給開口３４を通じて供給されてもよい。代えてまたは加えて、液浸液は、流体構造１２の内表面における供給開口２０を通じて供給されてもよい。代えてまたは加えて、液浸液は、下方供給開口２３を通じて供給される。液浸液は、取出部（例えば、内表面に形成される回収開口２１および／またはオーバーフロー回収部２４および／または後述されるような流体ハンドリング構造１２の表面における一または複数の開口）を介して回収されてもよい。

図２ｃの左側および右側の流体ハンドリング構造１２の二つの異なるバージョンは、メニスカス３３を留める。図２ｃの右側の流体ハンドリング構造１２のバージョンは、回収開口３２ａの固定された位置のために、実質的に最終要素１００に対して固定された位置にメニスカス３３を留めてもよい。図２ｃの左側の流体ハンドリング構造１２のバージョンは、回収開口２５の下方にメニスカス３３を留めてもよく、メニスカス３３は、回収開口２５の長さおよび／または幅に沿って移動してもよい。

図２ｂに関して前述されたように、流体ハンドリング構造１２の底面の内周部は、左側に示されるようなプレート４０を形成するために、内表面から液浸空間１１内に延在してもよい。前述されたように、これは、小さい開口を形成してもよい、いずれかの端部で液浸液を隔離してもよい、および／または、液浸液を開口に向かって内側に流し、内側開口を通し、プレート４０の下方で包囲する回収開口２５に向かって径方向の外側に流してもよい。この特徴は図２ｃにおける左側に示されるが、オプションで他の示される特徴と組み合わせられてもよい。好ましくは、左側に示されるように、液浸液は、流体ハンドリング構造１２の内表面に形成される供給開口３４を通じて液浸空間１１に供給される。供給開口３４は、内表面の底側（例えば、円錐台形状の底面より下方）に配置される。供給開口３４は、放射ビームＢの経路から離れた周りで、内表面の周りに配置される。代えてまたは加えて、液浸液は、流体構造１２の内表面における供給開口２０を通じて供給されてもよい。代えてまたは加えて、液浸液は、下方供給開口２３を通じて供給される。供給開口３４が好ましい液体供給部であるが、供給開口３４、供給開口２０および／または下方供給開口２３の任意の組合せが提供されてもよい。

図２ｃの左側に示されるように、流体ハンドリングシステムは、前述されたような流体ハンドリング構造１２および更なるデバイス３０００を備えてもよい。流体ハンドリング構造１２は、回収開口２５等の取出部および下方供給開口２３等の液体供給開口を有してもよい。流体ハンドリング構造１２は、更なるデバイス３０００との組合せで、図２ａの左側、図２ａの右側、図２ｂの左側、図２ｂの右側または図２ｃの右側（後述される）に関して開示されるような任意の構成を備えてもよいと理解される。

更なるデバイス３０００は、液滴キャッチャと表されてもよい。更なるデバイス３０００は、流体ハンドリング構造１２が表面上を移動した後の、基板Ｗの表面上の液体の残存を低減するために提供される。更なるデバイス３０００は、液体供給部３０１０および少なくとも一つの取出部３０２０を備えてもよい。少なくとも一つの取出部３０２０は、平面視で少なくとも一つの供給部３０１０を囲む形状に形成されてもよい。少なくとも一つの液体供給部３０１０は、更なるデバイス３０００の少なくとも一部および基板Ｗの表面の間の空間３１１０に、更なる液体を提供するように構成されてもよい。更なるデバイス３０００は、少なくとも一つの取出部３０２０を介して、液体の少なくとも一部を回収するように構成されてもよい。更なるデバイス３０００は、基板Ｗの表面上に残った液体を、空間３１１０における液体と合わせるために使用されてもよく、基板Ｗの表面上に残存する液体の量が低減されるように、液体を取り出すために更なるデバイス３０００が使用される。

図２ｃでは、更なるデバイス３０００が、流体ハンドリング構造１２と別のデバイスとして示される。更なるデバイス３０００は、流体ハンドリング構造１２の近傍に配置されてもよい。あるいは、更なるデバイス３０００は、流体ハンドリング構造１２の一部でもよい（すなわち、流体ハンドリング構造１２と一体的に構成されてもよい）（図３ｄ参照。但し、いずれの構成も選択可能である）。

更なるデバイス３０００は、流体ハンドリング構造１２によって提供される液体と別の液体を空間３１１０に提供するように構成されてもよい。

加えてまたは代えて、流体ハンドリング構造１２は、図２ｃの右側に示されるようなコンポーネントを有してもよい。より具体的には、流体ハンドリング構造１２は、流体ハンドリング構造１２の表面に形成される、少なくとも一つの液体供給部、二つの取出部（例えば、回収開口３２ａおよび３２ｂ）および二つの気体供給部（例えば、気体供給開口２７ａおよび２７ｂ）を備えてもよい。気体供給開口２７ａは、省略されうる、すなわち、オプションである。少なくとも一つの液体供給部は、前述された流体ハンドリング構造１２の底面における下方供給開口２３、供給開口２０、または図２ｂの左側に関して記述された流体ハンドリング構造１２の内表面に形成される液体供給開口３４と同じでもよい。液体供給部、取出部および気体供給部は、流体ハンドリング構造１２の表面に形成されてもよい。具体的には、これらのコンポーネントは、基板Ｗに対向する流体ハンドリング構造１２の表面、すなわち、流体ハンドリング構造１２の底面に形成されてもよい。

二つの取出部の少なくとも一つは、内部に多孔質材料３７を備えてもよい。多孔質材料３７は、開口（例えば、流体ハンドリング構造１２が、下方の流体ハンドリング構造１２から流体を取り出し、単相流の液浸液を回収してもよい回収開口３２ａ）内に提供されてもよい。回収開口３２ｂ等の二つの取出部の他方は、二相取出部として液浸流体を回収してもよい。多孔質材料３７は、流体ハンドリング構造１２の底面と同一平面上になくてもよい。

具体的には、流体ハンドリング構造１２は、液体供給部（例えば、下方供給開口２３）を備えてもよい。液体供給部の径方向の外側に第１取出部（例えば、回収開口３２ａ）があり、第１取出部の径方向の外側に第１気体供給部（例えば、気体供給開口２７ａ）があり、第１気体供給部の径方向の外側に第２取出部（例えば、回収開口３２ｂ）があり、第２取出部の径方向の外側に第２気体供給部（例えば、気体供給開口２７ｂ）がある。図２ａと同様に、更なる開口、例えば、大気、気体ソースまたは真空に開放されたものが、（流体ハンドリング構造１２に関して）前述されたように、流体ハンドリング構造１２の底面に存在してもよい。

例えば、少なくとも一つの更なる開口（不図示）は、流体ハンドリング構造１２の底面に提供されてもよい。更なる開口はオプションである。更なる開口は、以上の配置において記述されたように、第１取出部（例えば、回収開口３２ａ）および第１気体供給部（例えば、気体供給開口２７ａ）の間に設けられてもよい。代えてまたは加えて、更なる開口は、以上の配置において記述されたように、第２取出部（例えば、回収開口３２ｂ）および第２気体供給部（例えば、気体供給開口２７ｂ）の間に設けられてもよい。更なる開口は、前述された更なる開口５０と同じでもよい。

オプションで、流体ハンドリング構造１２は、凹部２９を備える。凹部２９は、回収開口３２ａおよび回収開口３２ｂの間、または、気体供給開口２７ａおよび回収開口３２ｂの間に提供されてもよい。凹部２９の形状は、流体ハンドリング構造１２の周りで一様でもよく、オプションで傾斜表面を含んでもよい。回収開口３２ａおよび回収開口３２ｂの間に凹部２９が提供される場合、図２ｃに示されるように、気体供給開口２７ｂが傾斜表面に提供されてもよい。凹部２９が供給開口２７ａおよび回収開口３２ｂの間に提供される場合、気体供給開口２７ｂが傾斜表面または基板Ｗの表面に平行な流体ハンドリング構造１２の底面の一部に提供されてもよい。あるいは、凹部２９の形状は、流体ハンドリング構造１２の周りで変動してもよい。凹部２９の形状は、気体供給部から供給される気体の流体ハンドリング構造１２の下方の流体に対する影響を変えるために変動してもよい。

図２ｄは、流体ハンドリング構造１２の二つの異なるバージョンを左半分および右半分に示す。図２ｄの左半分の流体ハンドリング構造１２は、液浸液のバッファ量を保持する液体注入バッファ４１ａと、液体注入バッファから空間１１に液浸液を供給する液体注入孔４１を有する。液体注入孔４１の外側には、多孔部材が設けられる内側回収バッファ４３ａに液体を導くための内側液体回収開口４３が設けられる。図２ｃに関して記述されたものと同様の凹部２９は、内側液体回収開口４３の外側に設けられる。流体ハンドリング構造１２の下面における凹部２９の外側には、外側回収孔４４ａが開いている気体案内溝４４が設けられる。外側回収孔４４ａは、多孔部材が設けられる外側回収バッファ４４ｂに二相回収流を導く。最も外側には、気体シーリングバッファ容量４５ａおよび流体ハンドリング構造１２下の空間の間を接続し、液浸液に含ませるために気体流を提供する気体シーリング孔４５が設けられる。

図２ｄの右半分の流体ハンドリング構造１２は、その内側傾斜面に液体供給開口２０を有する。流体ハンドリング構造１２の下方には、（内側から外側に向かって）多孔部材３７が設けられる取出開口２５と、第１ガスナイフ開口２６ａと、第２ガスナイフ開口２６ｂと、第３ガスナイフ開口２６ｃが設けられる。これらの開口のそれぞれは、バッファ容量を提供する流体ハンドリング構造１２の下方における溝内に開口する。流体ハンドリング構造１２の最も外側の部分は、流体ハンドリング構造１２および基板Ｗの間のより大きい間隔を提供するようにステップ状になっている。

図２ａ～２ｄは、流体ハンドリングシステムの一部として使用されうる異なる構成の例を示す。以上で提供された例は具体的な取出部および回収部を参照したが、全く同じタイプの取出部および／または回収部を使用する必要はないと理解される。いくつかの場合、部材の位置を示すために異なる用語が使用されるが、同じ機能的特徴が提供されてもよい。前述の取出部の例は、回収開口２１、オーバーフロー回収部２４、回収開口２５（好ましくは、多孔プレートおよび／またはチャンバ３５を備える）、気体回収開口２８、ピニング開口３２、回収開口３２ａ、回収開口３２ｂ、および／または中間回収部４２を含む。前述の供給部の例は、供給開口２０、下方供給開口２３、ガスナイフ開口２６、気体供給開口２７ａ、気体供給開口２７ｂ、および／または供給開口３４を含む。一般的に、流体、液体または気体を取り出す／回収するために使用される取出部は、それぞれ、流体、液体または気体を取り出す／回収する他の使用例の少なくともいずれかと交換可能である。同様に、流体、液体または気体を供給するために使用される供給部は、それぞれ、流体、液体または気体を供給する他の使用例の少なくともいずれかと交換可能である。取出部は、取出部内に流体、液体または気体を引き込む減圧に接続されることで、空間から流体、液体または気体を取り出してもよい／回収してもよい。供給部は、対応する供給部に接続されることで、空間に流体、液体または気体を供給してもよい。

前述されたように、液浸流体／液体の使用は基板上のより小さいフィーチャの解像度を高める上で有用であるが、基板上に導入される欠陥に関する液浸流体／液体の使用上の課題がある。

一般的に、液浸液が使用される場合、液浸液の液滴が基板Ｗの表面上に残されうる。液浸液の縁におけるメニスカス３３は、基板Ｗの表面上の液滴と衝突しうる。液滴がメニスカス３３に当たると、気体が液浸液内に捕捉されうる。これは、液浸液中の泡をもたらす。液浸液における泡の形成は、基板Ｗ上の欠陥に繋がりうる。基板Ｗの表面上に残る液滴は、乾燥スポットをもたらしうる、および／または、レジストの化学的特性に影響を及ぼしうるため、欠陥に繋がる。

液滴の発生率は流体ハンドリングシステムに対する基板Ｗの移動速度と共に増加することが知られている。いくつかの場合では、臨界スキャン速度以下では液滴形成がない／無視でき、臨界スキャン速度以上では無視できない液滴形成がある。臨界スキャン速度は、液浸液および基板Ｗ上に提供されるレジストの間の静的後退接触角度に関する。静的後退接触角度が増加すると、臨界スキャン速度も増加する。臨界スキャン速度はリソグラフィ装置のスループットの制限要因となりうるため、臨界スキャン速度を大きくすることが望ましい。臨界スキャン速度を大きくするための努力は、レジストの組成を変えることによって、または、レジスト上にトップコートを提供することによって、静的後退接触角度を増加させることを含む。しかし、更なる改善が望まれる。

本発明は、少なくとも一つの液滴に関する課題の影響を低減しうる。本発明は、全てのタイプの局所液浸リソグラフィ装置において使用されてもよい液滴緩和システムの各種の実施形態を含む。

以下で詳細に記述されるように、実施形態は、基板および流体ハンドリングシステムの相対移動に応じて流体のメニスカスが移動する流体ハンドリングシステムを提供する。有利なことには、これは、実質的な液滴形成を伴わずに、流体ハンドリングシステムおよび基板の間の相対移動の最大許容可能速度を増加させる。

図３ａおよび３ｂは、第１実施形態に係る流体ハンドリングシステム３０１の一部を示す。流体ハンドリングシステム３０１は、投影システムＰＳの一部および基板Ｗの表面の間の液体制限空間に液浸液を制限してもよい。液浸液は、前述された液浸流体のいずれかでもよい。例えば、液浸液は水でもよい。投影システムＰＳから投影される放射ビームＢは、液浸液を通じて基板Ｗの表面を照射してもよい。

図３ａは、液浸液のメニスカス３１０を支持する流体ハンドリングシステム３０１の一部のみを示す。メニスカス３１０は、液浸液および流体ハンドリングシステム３０１の周囲環境の間の境界を形成する。図３ａには示されないが、流体ハンドリングシステム３０１の主要部は、矢印３０６によって示される方向に配置される。流体ハンドリングシステム３０１の主要部は、液浸液を備えてもよく、図２ａから２ｄを参照して以上で開示された各種の構造または投影システムＰＳの下方で液浸液を局所化する任意の他のシステムの任意の部分を備えてもよい。特に、流体ハンドリングシステム３０１の主要部は、図２ａから２ｄを参照して記述されたようなレンズバス１１等のレンズバスを備えてもよい。

図３ａに示されるように、流体ハンドリングシステム３０１は、基板Ｗの上方に設けられる。基板Ｗは、ウェーハ３０５およびウェーハ３０５上のレジストコーティング３０４を備えてもよい。流体ハンドリングシステム３０１および基板Ｗの間にはチャネル３０８がある。方向３０６に配置される流体ハンドリングシステム３０１の主要部と、メニスカス３１０の間のチャネル３０８の一部は、液浸液を備えてもよい。メニスカス３１０と、方向３０７に配置される流体ハンドリングシステム３０１の外部環境の間のチャネル３０８の一部は、気体を備えてもよい。

流体ハンドリングシステム３０１は、第１取出部３０２を備える。第１取出部３０２は、第１取出導管３０２ｂを備える。第１取出導管３０２ｂは、流体の導管であり、流体ハンドリングシステム３０１から出る液浸液の流れを提供してもよい。第１取出部３０２は、チャネル３０８の上表面に設けられる第１取出開口３０２ａも備える。第１取出開口３０２ａは、第１取出導管３０２ｂの端である。

流体ハンドリングシステム３０１は、第２取出部３０３を備える。第２取出部３０３は、第２取出導管３０３ｂを備える。第２取出導管３０３ｂは、気体等の流体の導管である。第２取出部３０３は、チャネル３０８の上表面に設けられる第２取出開口３０３ａも備える。第２取出開口３０３ａは、第２取出導管３０３ｂの端である。

第１取出部３０２および第２取出部３０３の間には、ダンパ３１１と表されるチャネル３０８の上表面がある。ダンパ３１１の長さは、チャネル３０８の長さに沿った第１取出部３０２および第２取出部３０３の間隔を定める。

第１取出部３０２は、流体流３０９によって液浸液を取り出すように構成されてもよい。第１取出部３０２を通じた流体流のみが、実質的に液浸液の流体流３０９でもよい。但し、第１取出部３０２は、流体ハンドリングシステム３０１の外部環境から気体を取り出してもよい。このように、第１取出部３０２を通じた流体流は二相流でもよい。

第２取出部３０３は、チャネル３０８から気体を取り出すように構成されてもよい。図３ｂは、気体取出の気体流３１４を示す。気体流３１４は、チャネル３０８において減圧を生成してもよい。

図３ａおよび３ｂには示されないが、方向３０６に配置される流体ハンドリングシステム３０１の主要部は、液浸液を制限するように構成される内表面を有する流体ハンドリング構造を備えてもよい。第１取出部３０２および第２取出部３０３は、流体ハンドリングシステム３０１の主要部から径方向に離れて配置される。第２取出部３０３は、第１取出部３０２より流体ハンドリング構造の内表面から更に離れて配置されてもよい。あるいは、第１取出部３０２および第２取出部３０３は、流体ハンドリングシステム３０１の主要部の一部でもよい。第２取出部３０３は、第１取出部３０２より流体ハンドリングシステム３０１の中央から更に離れて配置されてもよい。

流体ハンドリングシステム３０１の第１動作状態が図３ａに示される。第１動作状態では、基板Ｗおよび流体ハンドリングシステム３０１の間に相対移動がない。第１取出部３０２は、第１動作状態において、それを通じて取り出される液浸液の量が、チャネル３０８に沿った実質的に同じ位置にメニスカス３１０を維持するために必要とされる量を実質的に超えないように構成されてもよい。第１取出部３０２を通じた流体流量は、基板Ｗおよび流体ハンドリングシステム３０１の間に相対移動がない場合、実質的にメニスカス３１０を静止状態に保持できる最小流量である。

流体ハンドリングシステムの第２動作状態が図３ｂに示される。第２動作状態では、基板Ｗが流体ハンドリングシステム３０１に対して移動してもよい。第２動作状態は、スキャン方向におけるスキャン移動を含む。スキャン方向は、放射ビームＢの伝播方向に実質的に垂直でもよい。スキャン方向は、図３ｂに示されるような方向３１２でもよい。なお、第２動作状態は、基板Ｗおよび流体ハンドリングシステム３０１の間のスキャン移動以外の相対移動を含んでもよい。例えば、第２動作状態は、スキャン移動の前の準備移動を含んでもよい。

第１取出部３０２は、それを通じて取り出される液浸液の量が第１および第２動作状態の両方において実質的に同じになるように構成されてもよい。方向３１２における基板Ｗの移動は、チャネル３０８内の液浸液に対する剪断力を生成する。このため、メニスカス３１０は、方向３１３にチャネル３０８に沿って移動する。チャネル３０８内への液浸液の流れの増加は、クエット流れと表されてもよいし、剪断駆動流または圧力駆動流と表されてもよい。気体流３１４によるチャネル３０８における減圧の生成も、チャネル３０８に沿ったメニスカス３１０の移動を支持する。

第２動作状態では、第１取出部３０２を通じた流体流によって、メニスカス３１０が静止状態に保持されない。第１取出部３０２を通じた流体流は、流体ハンドリングシステム３０１および基板Ｗの間の相対移動がない場合に限り、メニスカス３１０を静止状態に維持するために十分である。従って、第２動作状態では、メニスカス３１０がチャネル３０８に沿って移動する。有利なことには、流体ハンドリングシステム３０１および基板Ｗの間の相対移動の最大許容可能速度が大きくなっている。メニスカス３１０および基板Ｗの間の相対移動速度は、有意な液滴形成が起こらないように臨界スキャン速度以下である。流体ハンドリングシステム３０１およびメニスカス３１０の間の相対移動速度は、流体ハンドリングシステム３０１および基板Ｗの間の相対移動速度を増加させる。流体ハンドリングシステム３０１および基板Ｗの間の相対移動速度は、チャネル３０８内のメニスカス３１０が実質的に静止状態である公知のシステムの臨界スキャン速度のそれの二倍まで増加しうる。

メニスカス３１０がチャネル３０８に沿って移動してもよい距離は、第１取出部３０２および第２取出部３０３の間のダンパ３１１の表面の長さに依存する。第１取出部３０２および第２取出部３０３の間のダンパ３１１の表面の長さは、約1mmおよび約100mmの間であり、好ましくは約1mmおよび約50mmの間であり、好ましくは約20mmより長い、好ましくは約30mmより長い、より好ましくは約30mmより長い。

ダンパ３１１は、その表面特性がメニスカス３１０の端の適切な移動をサポートするように構成されてもよい。特に、ダンパ３１１の表面は、コーティングされてもよいし、疎液性、親液性または多孔性のいずれかに構成されてもよい。

ダンパ３１１の表面は、それが基板Ｗの表面に実質的に平行であるように構成されてもよい。

あるいは、ダンパ３１１の表面は、基板Ｗの表面から離れるように曲がっていてもよいし、傾斜していてもよい。ダンパ３１１の表面の第１端は第１取出部３０２にあり、ダンパ３１１の表面の第２端は第２取出部３０３にある。ダンパ３１１の表面は、ダンパ３１１の表面および基板Ｗの表面の間隔が、第１端より第２端でより大きくなるように構成されてもよい。

前述されたダンパ３１１は、第１ダンパ３１１と表されてもよい。少なくとも図３ａおよび３ｂに示されるように、流体ハンドリングシステム３０１は、第２ダンパ３１５を備えてもよい。第２ダンパ３１５の表面は、第１ダンパ３１１に対する第１取出部３０２の他の側における、チャネル３０８の上表面の長さ部分である。第２ダンパ３１５は、第２ダンパ３１５の表面および基板Ｗの表面の間で液浸液が支持されるように構成されてもよい。

第２ダンパ３１５の表面は、基板Ｗの表面に平行でもよい。第２ダンパ３１５の表面および基板Ｗの表面の間隔は、第１ダンパ３１１の表面の全部または少なくとも一部および基板Ｗの表面の間隔と同じでもよい。代えてまたは加えて、第１ダンパ３１１の表面の全部または少なくとも一部および基板Ｗの表面の間隔は、第２ダンパ３１５の表面の少なくとも一部および基板Ｗの表面の間隔より大きくてもよい。

第２実施形態が図４に示される。第２実施形態の流体ハンドリングシステム３０１は、第１実施形態の流体ハンドリングシステム３０１の前述された特徴の全てを備えてもよい。第２実施形態の流体ハンドリングシステム３０１は、第１バルブ４０１および第２バルブ４０２を更に備える点において、第１実施形態の流体ハンドリングシステム３０１と異なる。

第１バルブ４０１は、第１取出部３０２を通じて流体の流れを制御するために設けられてもよい。第１バルブ４０１は、第１取出部３０２の第１取出導管３０２ｂに設けられてもよい。

第２バルブ４０２は、第２取出部３０３を通じて流体の流れを制御するために設けられてもよい。第２バルブ４０２は、第２取出部３０３の第２取出導管３０３ｂに設けられてもよい。

有利なことには、第１バルブ４０１および第２バルブ４０２が、チャネル３０８内の流体流および圧力の制御を改善できる。これによって、チャネル３０８に沿ったメニスカス３１０の移動の制御が改善される。

図４は、ここで開示される流体ハンドリングシステム３０１のいずれかの実施形態に存在してもよい、流体ハンドリングシステム３０１の更なる特徴も示す。

例えば、流体ハンドリングシステム３０１は、流体供給開口４０３を更に備えてもよい。流体供給開口４０３は、チャネル３０８の上表面における開口でもよい。流体供給開口４０３は、チャネル３０８の上表面の長さによって、第１取出部３０２から隔てられてもよい。前述されたように、これは第２ダンパ３１５の表面でもよい。流体供給開口４０３は、チャネル３０８内への液浸液の供給部でもよい。チャネル３０８に対する液浸液の供給は、チャネル３０８内の液浸液の加圧を生成してもよい。図３ａおよび３ｂには示されないが、ここで示される実施形態は、流体供給開口４０３を備えてもよい。実施形態は、チャネル３０８内の流体流および圧力の制御を改善するための、流体供給開口４０３でのバルブの使用も含む。

第２取出部３０３で始まり、流体ハンドリングシステム３０１の外部環境に向かって方向３０７に延在する、チャネル３０８の上表面３１６の長さ部分も図４に示される。図４に示されるように、第２取出部３０３に隣接するチャネル３０８の上表面３１６の一部は、基板Ｗの表面に平行でもよい。第２取出部３０３から更に離れたチャネル３０８の上表面３１６の他の一部は、チャネル３０８の上表面３１６および基板Ｗの表面の間隔が変わるように傾斜していてもよい／曲がっていてもよい。図４に示されるように、チャネル３０８の上表面３１６および基板Ｗの表面の間隔は増加してもよい。但し、実施形態は、チャネル３０８の上表面３１６および基板Ｗの表面の間隔が局所的に減少した後に増加する場合も含む。チャネル３０８内の気体の圧力は、上表面３１６の形状に依存しうる。表面３１６の形状は、所期の動作条件の下でメニスカス３１０の移動をサポートするために、チャネル３０８内の気体の適切な圧力を生成するように決定されてもよい。

第３実施形態が図５に示される。第３実施形態の流体ハンドリングシステム３０１は、第１および第２実施形態の流体ハンドリングシステム３０１の前述された特徴の一部または全部を備えてもよい。

第３実施形態の流体ハンドリングシステム３０１は、第３取出導管５０１を更に備える点において、第１および第２実施形態の流体ハンドリングシステム３０１と異なる。第３取出導管５０１は、第１取出導管３０２ｂおよび第２取出導管３０３ｂの両方と流体が流通可能である。接続導管５０２が、第２取出導管３０３ｂおよび第３取出導管５０１の間に設けられてもよい。接続導管５０２は、第２取出導管３０３ｂの一部でもよい。第３取出導管５０１を通じた流体の流れは、液浸液および気体の両方を備えてもよい（すなわち、二相流）。

第３実施形態の第１実施例では、第１取出導管３０２ｂ、第２取出導管３０３ｂおよび第３取出導管５０１にバルブが設けられなくてもよい。所期の動作条件の下で、気体および／または液浸液の圧力が、チャネル３０８に沿ったメニスカス３１０の移動を提供する上で適切であるように、第１取出導管３０２ｂ、第２取出導管３０３ｂおよび／または第３取出導管５０１の形状／幾何学的配置が調整される。有利なことには、チャネル３０８内で自然に生成される圧力が、メニスカス３１０の移動を受動的にサポートする上で適切である。

第３実施形態の第２実施例では、第３取出導管５０１にバルブが設けられるが、第１取出導管３０２ｂおよび第２取出導管３０３ｂにはバルブが設けられない。第１実施例について記述されたように、チャネル３０８に沿ったメニスカス３１０の移動をサポートする上で適切な圧力を自然に生成するために、第１取出導管３０２ｂおよび第２取出導管３０３ｂの形状／幾何学的配置が調整されてもよい。第３取出導管５０１におけるバルブは、第３取出導管５０１を通じた流体流を制御するために使用されてもよい。これは、メニスカス３１０移動の制御を改善しうる。

第３実施形態の第３実施例では、第１取出導管３０２ｂ、第２取出導管３０３ｂおよび第３取出導管５０１の一部または全部にバルブが設けられる。第１取出導管３０２ｂおよび第２取出導管３０３ｂにおけるバルブは、第２実施形態について記述されて図４に示されたものと同じでもよい。有利なことには、バルブはメニスカス３１０移動の制御を改善しうる。

第４実施形態が図６に示される。第４実施形態の流体ハンドリングシステム３０１は、第１、第２および第３実施形態の流体ハンドリングシステム３０１の前述された特徴のいくつかを備えてもよい。

第４実施形態は、第１取出部３０２を備えるが、第２取出部３０３を備えない点において、第１、第２および第３実施形態と異なる。

第４実施形態では、チャネル３０８に沿ったメニスカス３１０の移動が、動作中にチャネル３０８において生成する内在圧力によって受動的にサポートされてもよい。例えば、表面張力が、チャネル３０８に沿ったメニスカス３１０の移動をサポートする、チャネル３０８における減圧をもたらしてもよい。

第１取出部３０２を通じた流体流を制御するためのバルブ６０１が、第１取出導管３０２ｂに設けられてもよい。バルブ６０１は、チャネル３０８内の流体流および／または圧力の制御を改善し、メニスカス３１０の移動の制御を改善する。

前述された実施形態は、メニスカス３１０がチャネル３０８に沿って移動してもよい、流体ハンドリングシステム３０１の多くのデザインを提供する。メニスカス３１０の一端はダンパ３１１の表面に沿って移動し、メニスカス３１０の他端は基板Ｗの表面に沿って移動する。

公知のシステムでは、液浸液のメニスカスが流体ハンドリングシステムに対して静止状態に保持される。流体ハンドリングシステムおよび基板の間のチャネル３０８におけるピニング開口を通じた流体流は、流体ハンドリングシステムおよび基板の間の相対移動がある時にメニスカスを開口に対して保持する。このように、公知のシステムでは、開口および基板の間でメニスカスが静止状態に保持される。メニスカスは、ダンパおよび基板の間で移動可能に支持されない。

実施形態および公知のシステムの重要な違いは、実施形態では、第１取出部３０２を通じた流体流が公知のシステムより少ないという点である。全ての動作条件の下で、第１取出部３０２を通じた流体流が、流体ハンドリングシステム３０１および基板Ｗの間の相対移動がない時にメニスカス３１０を静止状態に保持するために必要とされる量を実質的に超えない。このため、メニスカス３１０は、流体ハンドリングシステム３０１および基板Ｗの間の相対移動がある時に、チャネル３０８に沿って移動する。このように、メニスカス３１０は、ダンパ３１１および基板Ｗの間で支持されうる。

前述された実施形態では、単一の第１取出部３０２のみが記述された。しかし、実施形態は、複数の第１取出部３０２がある場合を含む。複数の第１取出部３０２は、流体ハンドリングシステム３０１の中央の周りに設けられてもよい。複数の第１取出部３０２は、任意の構成で設けられてもよい。例えば、これらは、円形、正方形、長方形または星形の構成でもよい。

各第１取出部３０２の第１取出開口３０２ａは、任意の形状を有してもよい。例えば、各第１取出開口３０２ａは、円形、正方形、長方形またはスロット形でもよい。

前述された実施形態では、単一の第２取出部３０３のみが記述された。しかし、実施形態は、複数の第２取出部３０３がある場合を含む。複数の第２取出部３０３は、流体ハンドリングシステム３０１の中央の周りに設けられてもよい。例えば、これらは、円形、正方形、長方形または星形の構成でもよい。第２取出部３０３の構成は、第１取出部３０２の構成と同じでもよいし、異なっていてもよい。

各第２取出部３０３の第２取出開口３０３ａは、任意の形状を有してもよい。例えば、各第２取出開口３０３ａは、円形、正方形、長方形またはスロット形でもよい。

図３ａから６には示されないが、実施形態は、チャネル３０８または任意の導管内の状態を測定するための多くのセンサを備える流体ハンドリングシステム３０１も含む。例えば、流体ハンドリングシステム３０１は、温度、圧力または他のタイプのセンサのいずれかを備えてもよい。流体ハンドリングシステム３０１は、センサによる測定結果に応じて制御されてもよい。例えば、いずれかのバルブは、測定された圧力に応じて駆動されてもよい。基板Ｗが流体ハンドリングシステム３０１に対して駆動される速度も、センサ測定結果に応じて制御されてもよい。

実施形態は、図２ａから２ｄに示される流体ハンドリングシステムのいずれに組み込まれてもよい。例えば、図２ａでは、ピニング開口３２が代わりに実施形態の第１取出部３０２として動作してもよい。更なる開口５０は、代わりに実施形態の第２取出部３０３として動作してもよい。ピニング開口３２および更なる開口５０の間隔も、メニスカス３１０が移動するための適切な距離を提供するために大きくされてもよい。同様に、図２ｃでは、回収開口３２ａが代わりに実施形態の第１取出部３０２として動作してもよい。回収開口３２ｂは、代わりに実施形態の第２取出部３０３として動作してもよい。回収開口３２ａおよび回収開口３２ｂの間隔も、メニスカス３１０が移動するための適切な距離を提供するために大きくされてもよい。

実施形態は、具体的に前述されたものからの更なる特徴の存在および使用を含む。特に、実施形態の流体ハンドリングシステム３０１は、第１取出部３０２および第２取出部３０３を通じた流体流を制御するための一または複数のポンプを含んでもよい。第１取出部３０２および第２取出部３０３を通じた流体流を制御するためのポンプの一つは、加えてまたは代えて、流体ハンドリングシステム３０１の外部にあってもよい。

実施形態は、前述された技術に対する多くの変更および変形も含む。

例えば、第２実施形態の変形例では、第１取出導管３０２ｂおよび第２取出導管３０３ｂのいずれかのみにバルブが設けられてもよい。

実施形態の変形例では、一または複数のバルブの代わりに可変ポンプが使用されてもよい。

実施形態は、多孔質材料および／またはふるいを備える第１取出部３０２および／または第２取出部３０３のそれぞれを含む。

前述された実施形態では、第１取出開口３０２ａ、第２取出開口３０３ａおよびダンパ３１１の表面が、チャネル３０８の上表面にあるものとして記述された。水平に設けられる基板Ｗの典型的な構成では、表面がチャネル３０８の上表面である。しかし、実施形態は、より一般的に、基板Ｗの表面に実質的に平行な流体ハンドリングシステム３０１の表面に設けられる、第１取出開口３０２ａ、第２取出開口３０３ａおよびダンパ３１１の表面を含む。基板Ｗの表面は、水平に設けられる場合に限定されない。

本発明は、リソグラフィ装置を提供してもよい。リソグラフィ装置は、前述されたようなリソグラフィ装置の一部または全部の他の特徴またはコンポーネントを有してもよい。例えば、リソグラフィ装置は、オプションで、ソースＳＯ、照明システムＩＬ、投影システムＰＳ、基板サポートＷＴ等の少なくとも一または複数を備えてもよい。

具体的には、リソグラフィ装置は、基板Ｗの表面の領域に対して放射ビームＢを投影するように構成される投影システムＰＳを備えてもよい。リソグラフィ装置は、以上の実施形態および変形例のいずれかにおいて記述された流体ハンドリングシステム３０１を更に備えてもよい。

リソグラフィ装置は、基板Ｗを流体ハンドリングシステム３０１に対して駆動するように構成されるアクチュエータを備えてもよい。このように、アクチュエータは、基板Ｗの位置（あるいは、流体ハンドリングシステム３０１の位置）を制御するために使用されてもよい。アクチュエータは、基板サポート（例えば、基板テーブル）ＷＴおよび／または基板Ｗを保持するように構成された基板ホルダおよび／または基板サポートＷＴを正確に配置するように構成される第２ポジショナＰＷでもよい、または、を備えてもよい。

本テキストにおいて、ICの製造におけるリソグラフィ装置の使用についての具体的な参照がなされたかもしれないが、ここで記述されるリソグラフィ装置は他の用途を有してもよいと理解されるべきである。可能性のある他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのためのガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッド等の製造を含む。

文脈が許す限り、発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはこれらの任意の組合せで実装されてもよい。発明の実施形態は、一または複数のプロセッサによって読み出されて実行されてもよい機械読取可能媒体上に格納された命令によって実装されてもよい。機械読取可能媒体は、機械（例えば、演算デバイス）によって読み取り可能な形態で、情報を格納または送信するための任意のメカニズムを含んでもよい。例えば、機械読取可能媒体は、リードオンリーメモリ（ROM）、ランダムアクセスメモリ（RAM）、磁気記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響または他の形態の伝送信号（例えば 搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、その他を含んでもよい。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定のアクションを実行するものとして記述されてもよい。但し、このような記述は単に便宜的なものであり、このようなアクションは実際には、演算デバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによってもたらされ、アクチュエータまたは他のデバイスに物理的な世界と相互作用させてもよいと理解されるべきである。

本テキストにおいて、リソグラフィ装置の文脈における発明の実施形態についての具体的な参照がなされたかもしれないが、発明の実施形態は他の装置で使用されてもよい。発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置、またはウェーハ（または他の基板）またはマスク（または他のパターニングデバイス）等のオブジェクトを測定または処理する任意の装置の一部を構成してもよい。これらの装置は、一般的にリソグラフィツールと表されてもよい。このようなリソグラフィツールは、大気（非真空）条件を使用してもよい。

以上において、光学リソグラフィの文脈における発明の実施形態の使用についての具体的な参照がなされたかもしれないが、発明は、文脈が許す限り、光学リソグラフィに限定されないと理解される。

実施形態は、以下の番号が付された項目を含む：
１．リソグラフィ装置のための流体ハンドリングシステムであって、投影システムから投影される放射ビームが液浸液を通過することによって基板の表面を照射できるように、リソグラフィ装置における投影システムの一部および基板の表面の間の液体制限空間に液浸液を制限するように構成され、共に流体を取り出すように構成される第１取出部および第２取出部の間に設けられるダンパであって、ダンパの表面および基板の表面の間の液浸液のメニスカスを支持するように構成されるダンパを備える、流体ハンドリングシステム。
２．第１取出部を通じて流体の流れを制御するように構成される第１バルブを更に備える、項目１に記載の流体ハンドリングシステム。
３．第２取出部を通じて流体の流れを制御するように構成される第２バルブを更に備える、項目１または２に記載の流体ハンドリングシステム。
４．第１取出部は、使用中に、それを通じて流れる流体が実質的に液浸液から成るように構成される、項目１から３のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
５．第２取出部は、使用中に、それを通じて流れる流体が実質的に気体によって構成されるように構成される、項目１から４のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
６．第１取出部は、第１取出導管および第１取出開口を備え、第１取出導管は、第１取出開口を通じて取り出される流体を受け取るように構成され、第２取出部は、第２取出導管および第２取出開口を備え、第２取出導管は、第２取出開口を通じて取り出される流体を受け取るように構成される、項目１から５のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
７．第１取出導管および第２取出導管の両方からの流体を受け取るように構成される第３取出導管を更に備える、項目６に記載の流体ハンドリングシステム。
８．第３取出導管を通じて流体の流れを制御するように構成される第３バルブを更に備える、項目７に記載の流体ハンドリングシステム。
９．第１取出部は、使用中に、それを通じた流体流量が実質的に一定であるように構成される、項目１から８のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
１０．第１取出部は、使用中に、それを通じた流体流量が、基板および流体ハンドリングシステムの間の相対移動がない時に、メニスカスを静止状態に保持できる実質的な最小流量であるように設けられる、項目１から９のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
１１．ダンパ、第１取出部および／または第２取出部は、使用中に、メニスカスが、流体ハンドリングシステムに対する基板の移動に応じて、ダンパの表面に沿って移動するように構成される、項目１から１０のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
１２．第１取出部および第２取出部の間のダンパ表面の長さは、1mmおよび100mmの間、好ましくは1mmおよび50mmの間、および好ましくは20mmより長い、項目１から１１のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
１３．ダンパの表面は基板の表面に実質的に平行であるように構成される、項目１から１２のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
１４．ダンパの表面の第１端は第１取出部にあり、ダンパの表面の第２端は第２取出部にあり、ダンパの表面は、ダンパの表面および基板の表面の間隔が、第１端より第２端でより大きい、または、より小さいように構成される、項目１から１２のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
１５．ダンパの表面は、曲がっている、傾斜している、または波形になっている、項目１４に記載の流体ハンドリングシステム。
１６．ダンパは第１ダンパであり、前記装置は、第１ダンパと異なる第１取出部の側に設けられ、液浸液が第２ダンパの表面および基板の表面の間で支持されるように構成される第２ダンパを更に備え、第１ダンパの表面の少なくとも一部および基板の表面の間隔は、第２ダンパの表面の少なくとも一部および基板の表面の間隔より大きい、項目１から１５のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
１７．流体ハンドリングシステムは、液浸液を制限するように構成される内表面を有する流体ハンドリング構造を備え、第１および第２取出部は、流体ハンドリング構造の内表面から径方向に離れて配置され、第２取出部は、第１取出部より流体ハンドリング構造の内表面から更に離れて配置される、項目１から１６のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
１８．複数の第１取出部がある、項目１から１７のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
１９．複数の第１取出部は、液体制限空間の中央の周りに設けられ、複数の第１取出部は、オプションで円形、正方形、長方形または星形、またはそれらの任意の組合せのいずれかの形状で設けられる、項目１８に記載の流体ハンドリングシステム。
２０．複数の第２取出部がある、項目１から１９のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
２１．複数の第２取出部は、液体制限空間の中央の周りに設けられ、複数の第２取出部は、オプションで円形、正方形、長方形または星形、またはそれらの任意の組合せのいずれかの形状で設けられる、項目２０に記載の流体ハンドリングシステム。
２２．項目１から２１のいずれかに記載の流体ハンドリングシステムを備えるリソグラフィ装置。
２３．基板の表面に実質的に平行な面において投影システムに対して基板を支持するように構成される基板ホルダを駆動するように構成される、位置決めシステムを更に備える、項目２２に記載の装置。
２４．基板を保持するように構成される基板ホルダ、基板ホルダによって保持される基板上に放射ビームを投影するように構成される投影システム、および項目１から２１のいずれかに記載の流体ハンドリングシステムを有するリソグラフィ装置におけるデバイス製造方法であって、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部および基板の表面の間の空間に液浸液を制限するために流体ハンドリングシステムを使用することと、空間における液浸液を通じて基板上にパターン形成された放射のビームを投影することと、ダンパの表面および基板の間の液浸液のメニスカスを支持することと、メニスカスが基板の移動に応じてダンパの表面に沿って移動するように、放射ビームの伝播方向に実質的に垂直なスキャン方向に基板を駆動することと、を備える方法。

発明の具体的な実施形態が前述されたが、発明は記述されたものと異なる態様で実施されてもよいと理解される。以上の記述は例示を目的としており、発明を限定する趣旨ではない。従って、記述された発明に対して以下の請求項の範囲から逸脱することなく変更が加えられてもよいことは当業者にとって明らかである。

Claims (15)

1. リソグラフィ装置のための流体ハンドリングシステムであって、
   投影システムから投影される放射ビームが液浸液を通過することによって基板の表面を照射できるように、リソグラフィ装置における投影システムの一部および基板の表面の間の液体制限空間に液浸液を制限するように構成され、
   共に流体を取り出すように構成される第１取出部および第２取出部の間に設けられるダンパであって、ダンパの表面および基板の表面の間の液浸液のメニスカスを支持するように構成されるダンパを備える、
   流体ハンドリングシステム。
2. 第１取出部を通じて流体の流れを制御するように構成される第１バルブを更に備える、および／または、第２取出部を通じて流体の流れを制御するように構成される第２バルブを更に備える、請求項１に記載の流体ハンドリングシステム。
3. 第１取出部は、使用中に、それを通じて流れる流体が実質的に液浸液から成るように構成される、および／または、第２取出部は、使用中に、それを通じて流れる流体が実質的に気体によって構成されるように構成される、請求項２に記載の流体ハンドリングシステム。
4. 第１取出部は、第１取出導管および第１取出開口を備え、
   第１取出導管は、第１取出開口を通じて取り出される流体を受け取るように構成され、
   第２取出部は、第２取出導管および第２取出開口を備え、
   第２取出導管は、第２取出開口を通じて取り出される流体を受け取るように構成される、
   請求項１から３のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
5. 第１取出導管および第２取出導管の両方からの流体を受け取るように構成される第３取出導管を更に備える、請求項４に記載の流体ハンドリングシステム。
6. 第３取出導管を通じて流体の流れを制御するように構成される第３バルブを更に備える、請求項５に記載の流体ハンドリングシステム。
7. 第１取出部は、使用中に、それを通じた流体流量が実質的に一定であるように構成される、および／または、第１取出部は、使用中に、それを通じた流体流量が、基板および流体ハンドリングシステムの間の相対移動がない時に、メニスカスを静止状態に保持できる実質的な最小流量であるように設けられる、請求項１から６のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
8. ダンパ、第１取出部および／または第２取出部は、使用中に、メニスカスが、流体ハンドリングシステムに対する基板の移動に応じて、ダンパの表面に沿って移動するように構成される、および／または、第１取出部および第２取出部の間のダンパ表面の長さは、1mmおよび100mmの間、好ましくは1mmおよび50mmの間、および好ましくは20mmより長い、および／または、ダンパの表面は基板の表面に実質的に平行であるように構成される、請求項１から７のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
9. ダンパの表面の第１端は第１取出部にあり、
   ダンパの表面の第２端は第２取出部にあり、
   ダンパの表面は、ダンパの表面および基板の表面の間隔が、第１端より第２端でより大きい、または、より小さいように構成される、
   請求項１から８のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
10. ダンパの表面は、曲がっている、傾斜している、または波形になっている、請求項９に記載の流体ハンドリングシステム。
11. ダンパは第１ダンパであり、
    前記装置は、第１ダンパと異なる第１取出部の側に設けられ、液浸液が第２ダンパの表面および基板の表面の間で支持されるように構成される第２ダンパを更に備え、
    第１ダンパの表面の少なくとも一部および基板の表面の間隔は、第２ダンパの表面の少なくとも一部および基板の表面の間隔より大きい、
    および／または、
    流体ハンドリングシステムは、液浸液を制限するように構成される内表面を有する流体ハンドリング構造を備え、
    第１および第２取出部は、流体ハンドリング構造の内表面から径方向に離れて配置され、
    第２取出部は、第１取出部より流体ハンドリング構造の内表面から更に離れて配置される、
    請求項１から１０のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
12. 複数の第１取出部がある、および／または、複数の第２取出部がある、請求項１から１１のいずれかに記載の流体ハンドリングシステム。
13. 複数の第１取出部は、液体制限空間の中央の周りに設けられ、
    複数の第１取出部は、オプションで円形、正方形、長方形または星形、またはそれらの任意の組合せのいずれかの形状で設けられ、
    および／または、
    複数の第２取出部は、液体制限空間の中央の周りに設けられ、
    複数の第２取出部は、オプションで円形、正方形、長方形または星形、またはそれらの任意の組合せのいずれかの形状で設けられる、
    請求項１２に記載の流体ハンドリングシステム。
14. 複数の第２取出部は、液体制限空間の中央の周りに設けられ、
    複数の第２取出部は、オプションで円形、正方形、長方形または星形、またはそれらの任意の組合せのいずれかの形状で設けられる、
    請求項１２に記載の流体ハンドリングシステム。
15. 請求項１から１４のいずれかに記載の流体ハンドリングシステムを備えるリソグラフィ装置。

Images