JP5063531B2

JP5063531B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and storage medium

Info

Publication number: JP5063531B2
Application number: JP2008215422A
Authority: JP
Inventors: 嶋和善江; 慶介佐々木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-08-25
Filing date: 2008-08-25
Publication date: 2012-10-31
Anticipated expiration: 2028-08-25
Also published as: JP2010050392A

Description

本発明は、基板の薬液処理やリンス処理を行う基板処理装置、この基板処理装置による基板処理方法、基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムおよび当該プログラムが記憶された記憶媒体に関し、とりわけ、各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs chemical processing and rinsing processing of a substrate, a substrate processing method using the substrate processing apparatus, a program that can be executed by a control computer of the substrate processing apparatus, and a storage medium that stores the program. In particular, the present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program, and a storage medium that can reduce the installation space of a valve provided in each chemical solution supply source.

従来より、基板の薬液処理やリンス処理を行う基板処理装置が知られている。基板処理装置の一例としては、例えば特許文献１等に開示されるものが知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, substrate processing apparatuses that perform chemical processing or rinsing processing of a substrate are known. As an example of the substrate processing apparatus, one disclosed in, for example, Patent Document 1 is known.

特許文献１等に開示されるような従来の基板処理装置の構成について図２を用いて説明する。図２に示すように、従来の基板処理装置８０において、ウエハＷを収容し、この収容されたウエハＷの薬液処理やリンス処理を行う処理槽８１が設けられている。処理槽８１の内部壁面には例えば４本の供給ノズル８１ａが配置されている。それぞれの供給ノズル８１ａは円筒形状の供給管からなり、その円筒表面には純水や薬液等の処理液を吐出するための複数の吐出孔が設けられている。それぞれの供給ノズル８１ａに形成された複数の吐出孔から処理槽８１に純水や薬液等の処理液を吐出することによって、処理槽８１内に処理液が貯留し、処理槽８１に貯留された処理液にウエハＷを浸漬させることにより、ウエハＷの表面処理が行われるようになっている。 A configuration of a conventional substrate processing apparatus as disclosed in Patent Document 1 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, a conventional substrate processing apparatus 80 is provided with a processing tank 81 that stores a wafer W and performs a chemical solution process and a rinsing process on the stored wafer W. For example, four supply nozzles 81 a are arranged on the inner wall surface of the processing tank 81. Each supply nozzle 81a is formed of a cylindrical supply pipe, and a plurality of discharge holes for discharging a processing liquid such as pure water or a chemical liquid are provided on the cylindrical surface. By discharging a treatment liquid such as pure water or a chemical solution from the plurality of discharge holes formed in each supply nozzle 81 a to the treatment tank 81, the treatment liquid is stored in the treatment tank 81 and stored in the treatment tank 81. The surface treatment of the wafer W is performed by immersing the wafer W in the treatment liquid.

また、処理槽８１の上端部外壁面には回収部８１ｂが設けられており、この回収部８１ｂは、処理槽８１の上端から溢れ出た処理液を回収するようになっている。回収部８１ｂにより回収された処理液は、循環ポンプ８２により再び各供給ノズル８１ａに送られるようになっている。このようにして、処理槽８１内の処理液は循環ポンプ８２により循環されるようになっている。 In addition, a recovery unit 81 b is provided on the outer wall surface of the upper end of the processing tank 81, and the recovery unit 81 b recovers the processing liquid overflowing from the upper end of the processing tank 81. The processing liquid recovered by the recovery unit 81b is sent again to the supply nozzles 81a by the circulation pump 82. In this way, the treatment liquid in the treatment tank 81 is circulated by the circulation pump 82.

一方、処理槽８１に対して新たな処理液を供給する新液供給ライン８０ａには、複数の液供給源とバルブとが設けられている。具体的には、図２に示すように、バルブ８３およびバルブ８４を開けることにより、純水供給源８５から新たな純水を処理槽８１に供給することができるようになっている。純水の供給量はレギュレータ８５ａにより調整される。また、バルブ８３およびバルブ８６を開けることにより、洗浄液供給源８７からオゾン水、水素水等の洗浄液を処理槽８１に供給することができるようになっている。流量計８３ａは、そこを通過する純水または洗浄水の流量を計測するようになっている。 On the other hand, a new liquid supply line 80a for supplying a new processing liquid to the processing tank 81 is provided with a plurality of liquid supply sources and valves. Specifically, as shown in FIG. 2, new pure water can be supplied from the pure water supply source 85 to the treatment tank 81 by opening the valve 83 and the valve 84. The supply amount of pure water is adjusted by the regulator 85a. Further, by opening the valve 83 and the valve 86, a cleaning liquid such as ozone water or hydrogen water can be supplied from the cleaning liquid supply source 87 to the processing tank 81. The flow meter 83a measures the flow rate of pure water or cleaning water passing therethrough.

また、バルブ９１ａを開けることによって塩酸（ＨＣｌ）供給源９１から塩酸を、バルブ９２ａを開けることによってアンモニア水（ＮＨ_４ＯＨ）供給源９２からアンモニア水を、バルブ９３ａを開けることによってフッ酸（ＨＦ）供給源９３からフッ酸を、バルブ９４ａを開けることによって過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）供給源９４から過酸化水素水をそれぞれ処理槽８１に供給することができるようになっている。塩酸、アンモニア水、フッ酸、過酸化水素水の各々は、流量調整弁９１ｂ、９２ｂ、９３ｂ、９４ｂによってその供給量を調整することができる。また、バルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａは一体型のミキシングバルブとして構成されている。このような一体型のミキシングバルブの構成は例えば特許文献２等に開示されている。一体型のミキシングバルブの構成について図３を用いて以下説明する。 Also, hydrochloric acid is supplied from the hydrochloric acid (HCl) supply source 91 by opening the valve 91a, ammonia water is supplied from the ammonia water (NH ₄ OH) supply source 92 by opening the valve 92a, and hydrofluoric acid (HF is supplied by opening the valve 93a. ) Hydrofluoric acid from the supply source 93 and hydrogen peroxide solution from the hydrogen peroxide solution (H ₂ O ₂ ) supply source 94 can be supplied to the treatment tank 81 by opening the valve 94a. The supply amount of each of hydrochloric acid, ammonia water, hydrofluoric acid, and hydrogen peroxide water can be adjusted by the flow rate adjusting valves 91b, 92b, 93b, 94b. The valves 91a, 92a, 93a, 94a are configured as an integral mixing valve. The configuration of such an integrated mixing valve is disclosed in, for example, Patent Document 2. The structure of the integrated mixing valve will be described below with reference to FIG.

図３に示すような一体型のミキシングバルブ１１０は、主流路１１３に対して複数（図３では２つ）の副流路１１４（第１副流路１１４Ａ、第２副流路１１４Ｂ）が、その連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂを開閉する開閉弁部１２０Ａ、１２０Ｂを介して接続されている。そして、主流路１１３および各副流路１１４Ａ、１１４Ｂの各々には、圧力センサ１３１、１３２、１３３が配置されている。図３における参照符号１１１は本体ブロックを示し、参照符号１１２は弁ブロックを示している。 The integrated mixing valve 110 as shown in FIG. 3 has a plurality of (two in FIG. 3) sub-channels 114 (first sub-channel 114A and second sub-channel 114B) with respect to the main channel 113. The communication openings 118A and 118B are connected via opening / closing valve parts 120A and 120B. Pressure sensors 131, 132, and 133 are disposed in the main channel 113 and the sub channels 114A and 114B, respectively. In FIG. 3, reference numeral 111 indicates a main body block, and reference numeral 112 indicates a valve block.

主流路１１３は、第１流体（例えば、純水）ｆ１が流通する流路であり、図３に示すように略直方体に形成された本体ブロック１１１の長手方向に略水平に貫通して設けられている。主流路１１３の両端は、接続開口部１１３ａ（上流側）、１１３ｂ（下流側）として図示しない接続部材を介して外部配管または流体機器に接続されている。主流路１１３には、両副流路１１４Ａ、１１４Ｂの連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂよりも下流（１１３ｂ）側に、当該主流路１１３を流通する混合流体ｍの圧力を検知する圧力センサ１３１が配置される。 The main channel 113 is a channel through which the first fluid (for example, pure water) f1 flows, and is provided so as to penetrate substantially horizontally in the longitudinal direction of the main body block 111 formed in a substantially rectangular parallelepiped as shown in FIG. ing. Both ends of the main channel 113 are connected to external piping or fluid equipment via connection members (not shown) as connection openings 113a (upstream side) and 113b (downstream side). In the main channel 113, a pressure sensor 131 that detects the pressure of the mixed fluid m flowing through the main channel 113 is disposed on the downstream (113b) side of the communication openings 118A and 118B of the sub channels 114A and 114B. The

副流路１１４（第１副流路１１４Ａ、第２副流路１１４Ｂ）は、他の流体（ここでは各種薬液）である第２流体ｆ２、第３流体ｆ３が流通する流路であり、主流路１１３の下側にそれぞれ形成されている。そして、第１副流路１１４Ａおよび第２副流路１１４Ｂは、それぞれ、第２流体ｆ２、第３流体ｆ３を、連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂを経て、主流路１１３に対して上向きに供給するようになっている。各副流路１１４Ａ、１１４Ｂ内には、流路径が一旦狭くなる絞り部１１７Ａ、１１７Ｂが形成されている。この絞り部１１７Ａ、１１７Ｂは、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂを流通する各流体ｆ２、ｆ３の圧力損失部を形成する。図３の参照符号１１５Ａ、１１５Ｂは、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂの外部配管等との接続開口部である。 The sub flow channel 114 (the first sub flow channel 114A and the second sub flow channel 114B) is a flow channel through which the second fluid f2 and the third fluid f3, which are other fluids (here, various chemical solutions) circulate. Each is formed below the path 113. The first sub-channel 114A and the second sub-channel 114B supply the second fluid f2 and the third fluid f3 upward to the main channel 113 through the communication openings 118A and 118B, respectively. It has become. In each of the sub-channels 114A and 114B, throttle portions 117A and 117B in which the channel diameter is once narrowed are formed. The throttle portions 117A and 117B form pressure loss portions for the fluids f2 and f3 flowing through the sub-channels 114A and 114B. Reference numerals 115A and 115B in FIG. 3 are connection openings to the external pipes and the like of the sub-channels 114A and 114B.

第１副流路１１４Ａには、当該第１副流路１１４Ａ内を流通する第２流体ｆ２の圧力を検知する圧力センサ１３２が、第２副流路１１４Ｂには、当該第２副流路１１４Ｂ内を流通する第３流体ｆ３の圧力を検知する圧力センサ１３３がそれぞれ配置されている。 The first sub-channel 114A has a pressure sensor 132 that detects the pressure of the second fluid f2 flowing through the first sub-channel 114A, and the second sub-channel 114B has the second sub-channel 114B. Pressure sensors 133 for detecting the pressure of the third fluid f3 flowing through the inside are arranged.

開閉弁部１２０Ａ、１２０Ｂは、主流路１１３の連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂの上部に配置されており、図示しない制御装置によるエア等の作動によってその弁体１２４が主流路１１３を横切って進退し、対応する連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂを主流路１１３の内側から開閉し、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂから流入する流体ｆ２、ｆ３を主流路１１３内へ供給しまたは供給を停止するようになっている。図３における参照符号１２１はシリンダ、参照符号１２２はピストン、参照符号１２６は、連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂに形成された弁座、参照符号１２７はダイアフラム、参照符号１２８は弁体１２４を常時前方向に付勢するスプリングである。 The on-off valve portions 120A and 120B are disposed above the communication openings 118A and 118B of the main flow path 113, and the valve body 124 moves back and forth across the main flow path 113 by the operation of air or the like by a control device (not shown). Corresponding communication openings 118A and 118B are opened and closed from the inside of the main flow path 113, and the fluids f2 and f3 flowing in from the sub flow paths 114A and 114B are supplied into the main flow path 113 or the supply is stopped. . In FIG. 3, reference numeral 121 is a cylinder, reference numeral 122 is a piston, reference numeral 126 is a valve seat formed in the communication openings 118A and 118B, reference numeral 127 is a diaphragm, reference numeral 128 is a valve body 124 always in the forward direction. It is a spring that urges against.

図３に示すような一体型のミキシングバルブ１１０において、主流路１１３の上流（１１３ａ）側から流入される第１流体ｆ１は、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂからそれぞれ供給される各流体ｆ２、ｆ３と混合されて、混合流体ｍとして主流路１１３の下流（１１３ｂ）側から流出される。 In the integrated mixing valve 110 as shown in FIG. 3, the first fluid f1 flowing from the upstream (113a) side of the main channel 113 is supplied from the sub channels 114A and 114B, respectively. And flows out from the downstream (113b) side of the main flow path 113 as a mixed fluid m.

図２に示すような基板処理装置８０においては、新液供給ライン８０ａは、複数種類の新たな処理液を処理槽８１に供給することが可能である。例えば、バルブ９２ａ、バルブ９４ａ、バルブ８４およびバルブ８３を開き、純水にアンモニア水と過酸化水素水とを混合して処理槽８１に供給することができる。また、バルブ９１ａ、バルブ９４ａ、バルブ８４およびバルブ８３を開くことにより、純水に塩酸と過酸化水素水とを混合して処理槽８１に供給することができる。なお、アンモニア水と過酸化水素水の混合液や、塩酸と過酸化水素水の混合液を処理槽８１に供給するときには、加熱ヒータ８５ｂによって純水を加熱・昇温した状態で薬液を混合する場合が多い。 In the substrate processing apparatus 80 as shown in FIG. 2, the new liquid supply line 80 a can supply a plurality of types of new processing liquids to the processing tank 81. For example, the valve 92a, the valve 94a, the valve 84, and the valve 83 are opened, and ammonia water and hydrogen peroxide water can be mixed with pure water and supplied to the treatment tank 81. In addition, by opening the valve 91a, the valve 94a, the valve 84, and the valve 83, hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution can be mixed with pure water and supplied to the treatment tank 81. When supplying a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide solution or a mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution to the treatment tank 81, the chemical solution is mixed with the pure water heated and heated by the heater 85b. There are many cases.

また、新液供給ライン８０ａは、オゾン水や水素水等の機能水を処理槽８１に供給することもできる。洗浄液供給源８７は、純水中にオゾン等を溶解して所定濃度のオゾン水等を生成する機能を有しており、バルブ８６を開くことによってその生成されたオゾン水等を処理槽８１に供給することができる。オゾン水等の流量は流量計８３ａによって計測され、バルブ８６の開閉によって調整される。 The new liquid supply line 80 a can also supply functional water such as ozone water or hydrogen water to the treatment tank 81. The cleaning liquid supply source 87 has a function of dissolving ozone or the like in pure water to generate ozone water or the like having a predetermined concentration. The ozone water or the like generated by opening the valve 86 is supplied to the treatment tank 81. Can be supplied. The flow rate of ozone water or the like is measured by the flow meter 83 a and is adjusted by opening and closing the valve 86.

特開２００２−１００６０５号公報JP 2002-100605 A 特開２００５−２０７４９６号公報JP 2005-207496 A

しかしながら、図２に示すような従来の基板処理装置８０の新液供給ライン８０ａにおいては、各薬液供給源（塩酸供給源９１、アンモニア水供給源９２、フッ酸供給源９３および過酸化水素水供給源９４）から各種の薬液が供給される各々の薬液供給ラインは、処理槽８１に純水やオゾン水、水素水等の洗浄液を供給するメインライン８８にそれぞれ直接的に接続されている。そして、前述のように、メインライン８８から各薬液供給ラインへの分岐箇所に設けられたバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａは一体型のミキシングバルブとして構成されている。 However, in the new solution supply line 80a of the conventional substrate processing apparatus 80 as shown in FIG. 2, each chemical solution supply source (hydrochloric acid supply source 91, ammonia water supply source 92, hydrofluoric acid supply source 93 and hydrogen peroxide solution supply) Each chemical solution supply line to which various chemical solutions are supplied from the source 94) is directly connected to a main line 88 that supplies a cleaning solution such as pure water, ozone water, hydrogen water to the treatment tank 81. As described above, the valves 91a, 92a, 93a, 94a provided at the branch points from the main line 88 to the respective chemical solution supply lines are configured as an integral mixing valve.

一体型のミキシングバルブにおいて、メインライン８８に対して４つの副流路９１ｃ、９２ｃ、９３ｃ、９４ｃがバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａを介して接続されている。そして、バルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａは、メインライン８８に対する４つの副流路９１ｃ、９２ｃ、９３ｃ、９４ｃを開閉するようになっている。 In the integrated mixing valve, four sub flow paths 91c, 92c, 93c, 94c are connected to the main line 88 via valves 91a, 92a, 93a, 94a. The valves 91a, 92a, 93a, and 94a open and close the four sub flow paths 91c, 92c, 93c, and 94c with respect to the main line 88.

ここで、処理槽８１に純水やオゾン水、水素水等の洗浄液を供給するメインライン８８の径は大きくなっている。このため、一体型のミキシングバルブを構成する各バルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａの径もそれぞれ大きくなってしまう。 Here, the diameter of the main line 88 for supplying a cleaning liquid such as pure water, ozone water or hydrogen water to the treatment tank 81 is large. For this reason, the diameters of the valves 91a, 92a, 93a, and 94a constituting the integrated mixing valve are also increased.

このことにより、図２に示すような従来の基板処理装置８０では、各薬液供給源（塩酸供給源９１、アンモニア水供給源９２、フッ酸供給源９３および過酸化水素水供給源９４）に対応して設けられるバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａが大型化してしまうため、これらのバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａの設置スペースが大きくなってしまうという問題がある。 Thus, the conventional substrate processing apparatus 80 as shown in FIG. 2 corresponds to each chemical solution supply source (hydrochloric acid supply source 91, ammonia water supply source 92, hydrofluoric acid supply source 93, and hydrogen peroxide solution supply source 94). Since the valves 91a, 92a, 93a, and 94a provided in this manner are increased in size, the installation space for these valves 91a, 92a, 93a, and 94a is increased.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such points, and provides a substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program, and a storage medium that can reduce the installation space of a valve provided in each chemical solution supply source. For the purpose.

本発明の基板処理装置は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインから分岐した第２のラインであって、前記第１のラインからの分岐箇所にバルブが介設された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備え、前記第１のラインから、過酸化水素水（Ｈ _２Ｏ _２）が供給される過酸化水素水供給ラインが分岐しており、当該過酸化水素水供給ラインには、前記第１のラインからの分岐箇所にバルブが介設されていることを特徴とする。
また、本発明の他の基板処理装置は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインから分岐した第２のラインであって、前記第１のラインからの分岐箇所にバルブが介設された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備え、前記水供給源から前記第１のラインに供給された水を、前記第２のラインから排出することができるようになっていることを特徴とする。 The substrate processing apparatus of the present invention is a first line that is connected to each of a processing unit that processes a substrate, the processing unit and a water supply source, and supplies water sent from the water supply source to the processing unit. A second line branched from the first line, a second line having a valve interposed at a branch point from the first line, and a plurality of lines branched from the second line A plurality of third lines, each of which is provided with a valve at a branch point from the second line, and a plurality of chemical supply sources respectively connected to the third lines. Each of the chemical liquid supply sources includes a plurality of chemical liquid supply sources for supplying chemical liquids to the respective third lines, and hydrogen peroxide solution (H ₂ O ₂ ) is supplied from the first line. The hydrogen peroxide solution supply line to which The hydrogen peroxide solution supply line is characterized in that a valve is provided at a branch point from the first line.
Further, another substrate processing apparatus of the present invention is connected to a processing unit for processing a substrate, the processing unit and a water supply source, and supplies water sent from the water supply source to the processing unit. A first line, a second line branched from the first line, a second line with a valve interposed at a branch point from the first line, and the second line A plurality of third lines branched, a plurality of third lines each having a valve interposed at a branch point from the second line, and a plurality of third lines respectively connected to the third lines Each of the chemical liquid supply sources is provided with a plurality of chemical liquid supply sources for supplying the respective chemical liquids to the respective third lines, and is supplied from the water supply source to the first line. Water can be discharged from the second line And wherein it is in the jar.

このような基板処理装置によれば、基板の処理を行う処理部に接続された第１のラインから第２のラインが分岐しており、この第２のラインから複数の第３のラインが分岐しており、これらの第３のラインには、第２のラインからの分岐箇所においてそれぞれバルブが介設されており、各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。このため、第２のラインは第１のラインから分岐しているので第２のラインの径を第１のラインの径よりも小さくすることができ、また、第３のラインに介設される各バルブの径を第２のラインの径と略同一またはそれ以下の大きさとすることができる。このことにより、第３のラインに介設される各バルブの径を第１のラインの径よりも小さくすることができ、薬液供給ラインに介設されるバルブの設置スペースを小さくすることができる。 According to such a substrate processing apparatus, the second line branches from the first line connected to the processing unit that processes the substrate, and a plurality of third lines branch from the second line. These third lines are respectively provided with valves at the branch points from the second line, and each third line is connected to a chemical supply source, A chemical solution is supplied to each third line from the chemical solution supply source. For this reason, since the 2nd line is branched from the 1st line, the diameter of the 2nd line can be made smaller than the diameter of the 1st line, and it is interposed in the 3rd line. The diameter of each valve can be approximately the same as or smaller than the diameter of the second line. Thereby, the diameter of each valve interposed in the third line can be made smaller than the diameter of the first line, and the installation space of the valve interposed in the chemical solution supply line can be reduced. .

本発明の基板処理装置においては、前記各薬液供給源は、フッ酸（ＨＦ）供給源、塩酸（ＨＣｌ）供給源、またはアンモニア水（ＮＨ_４ＯＨ）供給源であることが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, each chemical solution supply source is preferably a hydrofluoric acid (HF) supply source, a hydrochloric acid (HCl) supply source, or an ammonia water (NH ₄ OH) supply source.

本発明の基板処理装置においては、前記第２のラインには、洗浄用の水が供給される第４のラインが接続されており、当該第４のラインには、前記第２のラインとの接続箇所にバルブが介設されていることが好ましい。このことにより、基板のリンス処理時において、第４のラインから供給される洗浄用の水により、第２のラインの洗浄を行うことができる。 In the substrate processing apparatus of the present invention, a fourth line to which cleaning water is supplied is connected to the second line, and the fourth line is connected to the second line. It is preferable that a valve is interposed at the connection location. Accordingly, the second line can be cleaned with the cleaning water supplied from the fourth line during the rinsing process of the substrate.

本発明の基板処理方法は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインから分岐した第２のラインであって、前記第１のラインからの分岐箇所にバルブが介設された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、基板の薬液処理を行った後、前記水供給源から前記第１のラインに送られた水を前記処理部に供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、を備え、前記水供給源から前記第１のラインに供給された水を、前記第２のラインから排出することができるようになっており、前記リンス処理において、前記水供給源から前記第１のラインに供給された水を、前記第２のラインから排出させることを特徴とする。 The substrate processing method of the present invention includes a processing unit for processing a substrate, a first line connected to the processing unit and a water supply source, and supplying water sent from the water supply source to the processing unit. A second line branched from the first line, a second line having a valve interposed at a branch point from the first line, and a plurality of lines branched from the second line A plurality of third lines, each of which is provided with a valve at a branch point from the second line, and a plurality of chemical supply sources respectively connected to the third lines. Each of the chemical liquid supply sources is a substrate processing method in a substrate processing apparatus including a plurality of chemical liquid supply sources for supplying chemical liquids to the third lines, respectively. Each of the third lines, the second line And a step of supplying a chemical solution to the processing unit via the first line, and performing a chemical processing of the substrate in the processing unit, and after performing the chemical processing of the substrate, the first line from the water supply source Supplying water to the processing unit, and rinsing the substrate in the processing unit, and supplying water supplied from the water supply source to the first line. The water can be discharged from a line, and the water supplied from the water supply source to the first line is discharged from the second line in the rinsing process.

本発明の基板処理方法においては、前記第２のラインには、洗浄用の水が供給される第４のラインが接続されており、当該第４のラインには、前記第２のラインとの接続箇所にバルブが介設されており、前記リンス処理において、前記第４のラインに介設されたバルブが開かれることにより、前記第４のラインから前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に洗浄用の水が供給されるようになっていることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, a fourth line to which cleaning water is supplied is connected to the second line, and the fourth line is connected to the second line. A valve is interposed at a connection location, and in the rinsing process, the valve interposed in the fourth line is opened, so that the second line and the first line are opened from the fourth line. It is preferable that cleaning water is supplied to the processing section via the above.

本発明のプログラムは、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインから分岐した第２のラインであって、前記第１のラインからの分岐箇所にバルブが介設された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、基板の薬液処理を行った後、前記水供給源から前記第１のラインに送られた水を前記処理部に供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、を備え、前記水供給源から前記第１のラインに供給された水を、前記第２のラインから排出することができるようになっており、前記リンス処理において、前記水供給源から前記第１のラインに供給された水を、前記第２のラインから排出させるものであることを特徴とする。 The program of the present invention includes a processing unit for processing a substrate, a first line connected to the processing unit and a water supply source, respectively, and supplying water sent from the water supply source to the processing unit, A second line branched from the first line, a second line having a valve provided at a branch point from the first line, and a plurality of third lines branched from the second line. A plurality of third lines each provided with a valve at a branch point from the second line, and a plurality of chemical supply sources respectively connected to the third lines. Each of the chemical liquid supply sources is a program that can be executed by a control computer of a substrate processing apparatus including a plurality of chemical liquid supply sources that respectively supply chemical liquids to the third lines, Run the program Thus, the control computer controls the substrate processing apparatus to execute the substrate processing method. In the substrate processing method, each of the third line, the second line, and the second line is controlled by the chemical solution supply source. A chemical solution is supplied to the processing unit via the first line, and the chemical processing of the substrate is performed in the processing unit; and the chemical processing of the substrate is performed, and then sent from the water supply source to the first line. Supplying water to the processing unit, and rinsing the substrate in the processing unit, and discharging water supplied from the water supply source to the first line from the second line. In the rinsing process, the water supplied from the water supply source to the first line is discharged from the second line .

本発明の記憶媒体は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインから分岐した第２のラインであって、前記第１のラインからの分岐箇所にバルブが介設された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、基板の薬液処理を行った後、前記水供給源から前記第１のラインに送られた水を前記処理部に供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、を備え、前記水供給源から前記第１のラインに供給された水を、前記第２のラインから排出することができるようになっており、前記リンス処理において、前記水供給源から前記第１のラインに供給された水を、前記第２のラインから排出させるものであることを特徴とする。 The storage medium of the present invention includes a processing unit for processing a substrate, a first line connected to the processing unit and a water supply source, respectively, and supplying water sent from the water supply source to the processing unit. A second line branched from the first line, a second line having a valve interposed at a branch point from the first line, and a plurality of second lines branched from the second line. A plurality of third lines each having a valve interposed at a branch point from the second line, and a plurality of chemical supply sources respectively connected to the third lines. Each of the chemical liquid supply sources stores a program that can be executed by a control computer of a substrate processing apparatus including a plurality of chemical liquid supply sources that supply chemical liquids to the third lines. A storage medium, By executing the ram, the control computer controls the substrate processing apparatus to execute the substrate processing method. In the substrate processing method, the third line and the second line are supplied by the chemical supply sources. A chemical solution is supplied to the processing section via the first line and the first line, and a chemical processing of the substrate is performed in the processing section; and after the chemical processing of the substrate is performed, the first from the water supply source Supplying water to the processing unit, and rinsing the substrate in the processing unit, and supplying water supplied from the water supply source to the first line. and so it can be discharged from the second line, in the rinsing process, the water supplied to the first line from the water supply source, is intended to discharge from the second line this The features.

本発明の基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体によれば、各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる。 According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, the program, and the storage medium of the present invention, it is possible to reduce the installation space of the valve provided in each chemical solution supply source.

以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。より具体的には、図１は、本実施の形態における基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a substrate processing apparatus according to the present embodiment. More specifically, FIG. 1 is a configuration diagram showing an outline of the configuration of the substrate processing apparatus in the present embodiment.

図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１は、ウエハＷを収容し、この収容されたウエハＷの薬液処理やリンス処理を行う処理槽１０を備えている。この処理槽１０の内部壁面には例えば４本の供給ノズル１２、１８が配置されている。それぞれの供給ノズル１２、１８は円筒形状の供給管からなり、その円筒表面には純水や薬液等の処理液を吐出するための複数の吐出孔が設けられている。それぞれの供給ノズル１２、１８に形成された複数の吐出孔から処理槽１０に純水や薬液等の処理液を吐出することによって、処理槽１０内に処理液が貯留し、処理槽１０に貯留された処理液にウエハＷを浸漬させることにより、ウエハＷの表面処理が行われるようになっている。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment includes a processing tank 10 that stores a wafer W and performs a chemical solution process and a rinse process on the stored wafer W. For example, four supply nozzles 12 and 18 are arranged on the inner wall surface of the processing tank 10. Each of the supply nozzles 12 and 18 includes a cylindrical supply pipe, and a plurality of discharge holes for discharging a processing liquid such as pure water or a chemical liquid are provided on the cylindrical surface. By discharging a processing liquid such as pure water or a chemical solution from the plurality of discharge holes formed in the supply nozzles 12 and 18 to the processing tank 10, the processing liquid is stored in the processing tank 10 and stored in the processing tank 10. The surface treatment of the wafer W is performed by immersing the wafer W in the treated liquid.

処理槽１０の内部壁面に配置された４本の供給ノズル１２、１８のうち、処理槽１０の上部にある左右一対の供給ノズル１２はそれぞれ供給管１４に接続されている。そして、この供給管１４から各供給ノズル１２に処理液が供給されるようになっている。図１に示すように、供給管１４にはバルブ１４ａが介設されている。同様に、処理槽１０の内部壁面に配置された４本の供給ノズル１２、１８のうち、処理槽１０の下部にある左右一対の供給ノズル１８はそれぞれ供給管２０に接続されている。そして、この供給管２０から各供給ノズル１８に処理液が供給されるようになっている。図１に示すように、供給管２０にはバルブ２０ａが介設されている。そして、供給管１４および供給管２０は合流し、この合流箇所には第１のライン２２が接続されている。すなわち、第１のライン２２から各供給管１４、２０にそれぞれ処理液が供給されるようになっている。この第１のライン２２の配管の径は例えば約１．５インチとなっている。 Of the four supply nozzles 12 and 18 arranged on the inner wall surface of the processing tank 10, the pair of left and right supply nozzles 12 at the upper part of the processing tank 10 are connected to the supply pipe 14. Then, the processing liquid is supplied from the supply pipe 14 to each supply nozzle 12. As shown in FIG. 1, a valve 14 a is interposed in the supply pipe 14. Similarly, of the four supply nozzles 12 and 18 disposed on the inner wall surface of the processing tank 10, the pair of left and right supply nozzles 18 at the lower part of the processing tank 10 are connected to the supply pipe 20. Then, the processing liquid is supplied from the supply pipe 20 to each supply nozzle 18. As shown in FIG. 1, a valve 20 a is interposed in the supply pipe 20. Then, the supply pipe 14 and the supply pipe 20 merge, and the first line 22 is connected to this junction. That is, the processing liquid is supplied from the first line 22 to the supply pipes 14 and 20, respectively. The diameter of the piping of the first line 22 is about 1.5 inches, for example.

第１のライン２２の上流側端部には、純水（ＤＩＷ）供給源３０、オゾン水（Ｏ_３Ｗ）供給源３２、および熱水（ＨＤＩＷ、より厳密には加熱された純水）供給源３４がそれぞれ設けられている。より具体的には、純水供給源３０には純水供給ライン３６が接続されており、この純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるようになっている。この純水供給ライン３６の径は例えば約１．５インチとなっている。図１に示すように、この純水供給ライン３６は２本の配管に分岐するようになっている。分岐した２本の配管にはそれぞれバルブ３６ａが設けられている。ここで、分岐した２本の配管の径はそれぞれ例えば約１インチとなっており、バルブ３６ａの径も例えば約１インチとなっている。 The upstream end of the first line 22 is supplied with a pure water (DIW) supply source 30, an ozone water (O ₃ W) supply source 32, and hot water (HDIW, more strictly heated pure water). Each source 34 is provided. More specifically, a pure water supply line 36 is connected to the pure water supply source 30, and pure water is supplied from the pure water supply source 30 to the pure water supply line 36. The diameter of the pure water supply line 36 is about 1.5 inches, for example. As shown in FIG. 1, the pure water supply line 36 is branched into two pipes. A valve 36a is provided for each of the two branched pipes. Here, the diameter of the two branched pipes is about 1 inch, for example, and the diameter of the valve 36a is also about 1 inch, for example.

オゾン水供給源３２にはオゾン水供給ライン３８が接続されており、このオゾン水供給源３２からオゾン水供給ライン３８にオゾン水が供給されるようになっている。このオゾン水供給ライン３８にはバルブ３８ａが設けられている。オゾン水供給ライン３８の径は例えば約１インチとなっており、バルブ３８ａの径も例えば約１インチとなっている。また、熱水（ＨＤＩＷ）供給源３４には熱水供給ライン４０が接続されており、この熱水供給源３４から熱水供給ライン４０に加熱された純水が供給されるようになっている。この熱水供給ライン４０にはバルブ４０ａが設けられている。熱水供給ライン４０の径は例えば約１インチとなっており、バルブ４０ａの径も例えば約１インチとなっている。 An ozone water supply line 38 is connected to the ozone water supply source 32, and ozone water is supplied from the ozone water supply source 32 to the ozone water supply line 38. The ozone water supply line 38 is provided with a valve 38a. The diameter of the ozone water supply line 38 is about 1 inch, for example, and the diameter of the valve 38a is also about 1 inch, for example. A hot water supply line 40 is connected to the hot water (HDIW) supply source 34, and heated water is supplied from the hot water supply source 34 to the hot water supply line 40. . The hot water supply line 40 is provided with a valve 40a. The diameter of the hot water supply line 40 is about 1 inch, for example, and the diameter of the valve 40a is also about 1 inch, for example.

純水供給ライン３６から分岐した２本の配管、オゾン水供給ライン３８および熱水供給ライン４０は一箇所で合流し、この合流箇所には第１のライン２２の上流側端部が接続されている。すなわち、純水供給源３０、オゾン水供給源３２および熱水供給源３４から、それぞれ純水、オゾン水および熱水が第１のライン２２に供給されるようになっている。 The two pipes branched from the pure water supply line 36, the ozone water supply line 38 and the hot water supply line 40 join at one place, and the upstream end of the first line 22 is connected to this joining place. Yes. That is, pure water, ozone water, and hot water are supplied to the first line 22 from the pure water supply source 30, the ozone water supply source 32, and the hot water supply source 34, respectively.

図１に示すように、第１のライン２２にはバルブ２２ａが介設されている。ここで、第１のライン２２の径は例えば約１．５インチとなっており、バルブ２２ａの径も例えば約１．５インチとなっている。そして、第１のライン２２におけるバルブ２２ａの下流側には過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）供給ライン４２および第２のライン４４がそれぞれ接続されている。過酸化水素水供給ライン４２の上流側端部には過酸化水素水供給源４１が設けられており、この過酸化水素水供給源４１から過酸化水素水供給ライン４２に過酸化水素水が送られるようになっている。また、第２のライン４４の上流側端部には様々な薬液の供給源が設けられている。この第２のライン４４の構成の詳細については後述する。そして、過酸化水素水供給ライン４２および第２のライン４４における第１のライン２２との接続箇所にはそれぞれバルブ４２ａ、４４ａが介設されている。ここで、バルブ４２ａ、４４ａは図３に示すような一体型のミキシングバルブとして構成されている。そして、バルブ４２ａ、４４ａの径は第１のライン２２の径と同じく例えば約１．５インチとなっている。 As shown in FIG. 1, a valve 22 a is interposed in the first line 22. Here, the diameter of the first line 22 is about 1.5 inches, for example, and the diameter of the valve 22a is also about 1.5 inches, for example. A hydrogen peroxide solution (H ₂ O ₂ ) supply line 42 and a second line 44 are connected to the downstream side of the valve 22a in the first line 22, respectively. A hydrogen peroxide solution supply source 41 is provided at the upstream end of the hydrogen peroxide solution supply line 42, and the hydrogen peroxide solution is supplied from the hydrogen peroxide solution supply source 41 to the hydrogen peroxide solution supply line 42. It is supposed to be. In addition, various chemical supply sources are provided at the upstream end of the second line 44. Details of the configuration of the second line 44 will be described later. Then, valves 42 a and 44 a are interposed at locations where the hydrogen peroxide solution supply line 42 and the second line 44 are connected to the first line 22, respectively. Here, the valves 42a and 44a are configured as an integrated mixing valve as shown in FIG. And the diameter of valve | bulb 42a, 44a is about 1.5 inches like the diameter of the 1st line 22, for example.

第２のライン４４の径は第１のライン２２の径よりも小さく、具体的には例えば３／８インチまたは０．５インチとなっている。そして、第２のライン４４からは、アンモニア水（ＮＨ_４ＯＨ）供給ライン４８、塩酸（ＨＣｌ）供給ライン５２およびフッ酸（ＨＦ）供給ライン５６がそれぞれ分岐している。アンモニア水供給ライン４８にはアンモニア水供給源４６が接続されており、このアンモニア水供給源４６からアンモニア水供給ライン４８にアンモニア水が供給されるようになっている。また、塩酸供給ライン５２には塩酸供給源５０が接続されており、この塩酸供給源５０から塩酸供給ライン５２に塩酸が供給されるようになっている。また、フッ酸供給ライン５６にはフッ酸供給源５４が接続されており、このフッ酸供給源５４からフッ酸供給ライン５６にフッ酸が供給されるようになっている。これらのアンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６はそれぞれ第３のラインを構成している。 The diameter of the second line 44 is smaller than the diameter of the first line 22, and specifically, for example, 3/8 inch or 0.5 inch. From the second line 44, an ammonia water (NH ₄ OH) supply line 48, a hydrochloric acid (HCl) supply line 52, and a hydrofluoric acid (HF) supply line 56 are branched. An ammonia water supply source 46 is connected to the ammonia water supply line 48, and ammonia water is supplied from the ammonia water supply source 46 to the ammonia water supply line 48. A hydrochloric acid supply source 50 is connected to the hydrochloric acid supply line 52, and hydrochloric acid is supplied from the hydrochloric acid supply source 50 to the hydrochloric acid supply line 52. A hydrofluoric acid supply source 54 is connected to the hydrofluoric acid supply line 56, and hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 54 to the hydrofluoric acid supply line 56. These ammonia water supply line 48, hydrochloric acid supply line 52 and hydrofluoric acid supply line 56 constitute a third line.

また、第２のライン４４の上流側端部には第４のライン６０が接続されている。第４のライン６０には洗浄用純水供給源５８が接続されており、この洗浄用純水供給源５８から第４のライン６０に洗浄用の純水が供給されるようになっており、第２のライン４４、バルブ５６ａ、５２ａ、４８ａ、４４ａ（後述）を洗浄することができるようになっている。また、第４のライン６０からはドレン管６２が分岐しており、このドレン管６２により第４のライン６０から処理液の排出を行うことができるようになっている。このドレン管６２にはバルブ６２ａが介設されており、このバルブ６２ａが開かれたときに、ドレン管６２により第４のライン６０から処理液の排出が行われるようにしてもよい。 A fourth line 60 is connected to the upstream end of the second line 44. A cleaning pure water supply source 58 is connected to the fourth line 60, and cleaning pure water is supplied from the cleaning pure water supply source 58 to the fourth line 60. The second line 44 and valves 56a, 52a, 48a, 44a (described later) can be cleaned. Further, a drain pipe 62 is branched from the fourth line 60, and the treatment liquid can be discharged from the fourth line 60 by the drain pipe 62. A valve 62 a is interposed in the drain pipe 62, and when the valve 62 a is opened, the processing liquid may be discharged from the fourth line 60 by the drain pipe 62.

第４のライン６０、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６における第２のライン４４との接続箇所にはそれぞれバルブ６０ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。ここで、バルブ６０ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａは図３に示すような一体型のミキシングバルブとして構成されている。そして、これらのバルブ６０ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａの径は第２のライン４４の径と同じく例えば約３／８インチまたは０．５インチとなっている。 Valves 60 a, 48 a, 52 a, and 56 a are interposed at the connection points of the fourth line 60, the ammonia water supply line 48, the hydrochloric acid supply line 52, and the hydrofluoric acid supply line 56 with the second line 44. Here, the valves 60a, 48a, 52a, and 56a are configured as an integral mixing valve as shown in FIG. The diameters of these valves 60a, 48a, 52a, 56a are, for example, about 3/8 inch or 0.5 inch, the same as the diameter of the second line 44.

また、基板処理装置１には、当該基板処理装置１における様々な構成要素を制御する、制御コンピュータからなる制御部７０が設けられている。この制御部７０は基板処理装置１の各構成要素に接続され、当該制御部７０により、処理槽１０におけるウエハＷの薬液処理やリンス処理が制御されるようになっている。より具体的には、制御部７０は、各供給源３０、３２、３４、４１、４６、５０、５４、５８からの純水や薬液等の供給を制御したり、各バルブ１４ａ、２０ａ、２２ａ、３６ａ、３８ａ、４０ａ、４２ａ、４４ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａ、６０ａ、６２ａの開閉を制御したりするようになっている。このような、制御部７０による基板処理装置１の各構成要素の制御内容については後述する。本実施の形態において、制御部７０には、工程管理者が基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるデータ入出力部７１が接続されている。また、制御部７０には、基板処理装置１で実行される各種処理を制御部７０による制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成要素に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が記憶された記憶媒体７２が接続されている。記憶媒体７２は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体、その他の公知な記憶媒体から構成され得る。 Further, the substrate processing apparatus 1 is provided with a control unit 70 including a control computer that controls various components in the substrate processing apparatus 1. The control unit 70 is connected to each component of the substrate processing apparatus 1, and the control unit 70 controls chemical processing and rinsing processing of the wafer W in the processing tank 10. More specifically, the control unit 70 controls the supply of pure water, chemicals, and the like from the respective supply sources 30, 32, 34, 41, 46, 50, 54, 58, and the valves 14a, 20a, 22a. , 36a, 38a, 40a, 42a, 44a, 48a, 52a, 56a, 60a, and 62a are controlled. The details of the control of each component of the substrate processing apparatus 1 by the control unit 70 will be described later. In the present embodiment, the control unit 70 includes a keyboard that allows a process manager to input commands to manage the substrate processing apparatus 1, a display that visualizes and displays the operating status of the substrate processing apparatus 1, and the like. A data input / output unit 71 is connected. In addition, the control unit 70 performs processing on each component of the substrate processing apparatus 1 in accordance with a control program for realizing various processes executed by the substrate processing apparatus 1 through control by the control unit 70 and processing conditions. A storage medium 72 that stores a program to be executed (that is, a recipe) is connected. The storage medium 72 may be configured from a memory such as a ROM or a RAM, a disk-shaped storage medium such as a hard disk, a CD-ROM, or a DVD-ROM, or other known storage media.

そして、必要に応じて、データ入出力部７１からの指示等にて任意のレシピを記憶媒体７２から呼び出して制御部７０に実行させることで、制御部７０の制御下で、基板処理装置１での所望の処理が行われる。 Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage medium 72 by an instruction from the data input / output unit 71 and is executed by the control unit 70, so that the substrate processing apparatus 1 controls the control unit 70. The desired processing is performed.

次に、上述のような基板処理装置１を用いたウエハＷの処理方法について説明する。なお、以下に示すような一連の薬液処理およびリンス処理は、記憶媒体７２に記憶されたプログラム（レシピ）に従って、制御部７０が基板処理装置１の各構成要素を制御することにより行われる。 Next, a method for processing the wafer W using the substrate processing apparatus 1 as described above will be described. A series of chemical liquid processing and rinsing processing as described below is performed by the control unit 70 controlling each component of the substrate processing apparatus 1 according to a program (recipe) stored in the storage medium 72.

まず、処理槽１０でウエハＷに対して薬液処理やリンス処理を行う前の待機状態について説明する。このような待機状態においては、バルブ３６ａ、２２ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されることにより、第１のライン２２、供給管２０を介して供給ノズル１８により純水が処理槽１０内に供給されることとなる。 First, a standby state before the chemical solution process or the rinse process is performed on the wafer W in the processing tank 10 will be described. In such a standby state, the valves 36a, 22a, and 20a are opened by the control unit 70, and pure water is supplied from the pure water supply source 30 to the pure water supply line 36. Pure water is supplied into the treatment tank 10 through the pipe 20 by the supply nozzle 18.

次に、処理槽１０でウエハＷに対して薬液処理が行われる。このような薬液処理は様々な態様があるが、薬液処理の第１の態様においては、バルブ３６ａ、２２ａ、４４ａ、５６ａ、２０ａ、１４ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるとともに、フッ酸供給源５４からフッ酸供給ライン５６にフッ酸が供給される。そして、フッ酸供給源５４から供給されたフッ酸は第１のライン２２において純水により希釈され、純水により希釈されたフッ酸は供給管１４、２０を介して供給ノズル１２、１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に、純水により希釈されたフッ酸が供給され、このウエハＷの表面の薬液処理が行われる。 Next, chemical processing is performed on the wafer W in the processing tank 10. There are various types of such chemical processing, but in the first mode of chemical processing, the valves 36a, 22a, 44a, 56a, 20a, and 14a are opened by the control unit 70, and the pure water supply source 30 supplies pure water. Pure water is supplied to the water supply line 36 and hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 54 to the hydrofluoric acid supply line 56. The hydrofluoric acid supplied from the hydrofluoric acid supply source 54 is diluted with pure water in the first line 22, and the hydrofluoric acid diluted with pure water is processed by the supply nozzles 12 and 18 through the supply pipes 14 and 20. It will be supplied into the tank 10. As a result, hydrofluoric acid diluted with pure water is supplied to the surface of the wafer W accommodated in the processing tank 10, and chemical treatment of the surface of the wafer W is performed.

次に、薬液処理の第２の態様について説明する。薬液処理の第２の態様においては、バルブ４０ａ、２２ａ、４２ａ、４４ａ、４８ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、熱水供給源３４から熱水供給ライン４０に熱水が供給され、過酸化水素水供給源４１から過酸化水素水供給ライン４２に過酸化水素水が供給されるとともに、アンモニア水供給源４６からアンモニア水供給ライン４８にアンモニア水が供給される。そして、過酸化水素水供給源４１から供給された過酸化水素水は第１のライン２２において熱水により希釈され、熱水により希釈された過酸化水素水は第１のライン２２においてアンモニア水と混合する。そして、過酸化水素水およびアンモニア水の混合液は供給管２０を介して供給ノズル１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に、過酸化水素水およびアンモニア水の混合液が供給され、このウエハＷの表面の薬液処理が行われる。 Next, a second aspect of the chemical solution process will be described. In the second aspect of the chemical treatment, the valves 40a, 22a, 42a, 44a, 48a, 20a are opened by the control unit 70, hot water is supplied from the hot water supply source 34 to the hot water supply line 40, and peroxidation is performed. Hydrogen peroxide water is supplied from the hydrogen water supply source 41 to the hydrogen peroxide water supply line 42, and ammonia water is supplied from the ammonia water supply source 46 to the ammonia water supply line 48. The hydrogen peroxide solution supplied from the hydrogen peroxide solution supply source 41 is diluted with hot water in the first line 22, and the hydrogen peroxide solution diluted with hot water is combined with ammonia water in the first line 22. Mix. Then, the mixed solution of hydrogen peroxide water and ammonia water is supplied into the treatment tank 10 by the supply nozzle 18 through the supply pipe 20. As a result, a mixed liquid of hydrogen peroxide water and ammonia water is supplied to the surface of the wafer W accommodated in the processing tank 10, and chemical treatment of the surface of the wafer W is performed.

次に、薬液処理の第３の態様について説明する。薬液処理の第３の態様においては、バルブ３６ａ、３８ａ、２２ａ、４４ａ、５６ａ、１４ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるとともにオゾン水供給源３２からオゾン水供給ライン３８にオゾン水が供給され、また、フッ酸供給源５４からフッ酸供給ライン５６にフッ酸が供給される。そして、オゾン水供給源３２から供給されたオゾン水は第１のライン２２において純水により希釈され、純水により希釈されたオゾン水は第１のライン２２においてフッ酸と混合する。そして、オゾン水およびフッ酸の混合液は供給管１４、２０を介して供給ノズル１２、１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に、オゾン水およびフッ酸の混合液が供給され、このウエハＷの表面の薬液処理が行われる。 Next, the 3rd aspect of a chemical | medical solution process is demonstrated. In the third aspect of the chemical treatment, the valves 36a, 38a, 22a, 44a, 56a, 14a, and 20a are opened by the control unit 70, and pure water is supplied from the pure water supply source 30 to the pure water supply line 36. At the same time, ozone water is supplied from the ozone water supply source 32 to the ozone water supply line 38, and hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 54 to the hydrofluoric acid supply line 56. The ozone water supplied from the ozone water supply source 32 is diluted with pure water in the first line 22, and the ozone water diluted with pure water is mixed with hydrofluoric acid in the first line 22. The mixed solution of ozone water and hydrofluoric acid is supplied into the treatment tank 10 by the supply nozzles 12 and 18 through the supply pipes 14 and 20. As a result, a mixed liquid of ozone water and hydrofluoric acid is supplied to the surface of the wafer W accommodated in the processing tank 10, and a chemical solution process is performed on the surface of the wafer W.

次に、上述のようなウエハＷの薬液処理が行われた後のウエハＷのリンス処理について説明する。ウエハＷのリンス処理は様々な態様があるが、リンス処理の第１の態様においては、バルブ３６ａ、２２ａ、４４ａ、６０ａ、１４ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるとともに、洗浄用純水供給源５８から第４のライン６０に純水が供給される。洗浄用純水供給源５８から供給された純水により第２のライン４４の洗浄が行われるとともに、純水供給源３０から供給された純水により第１のライン２２の洗浄が行われる。そして、両者の純水は第１のライン２２で合流して最終的に供給管１４、２０を介して供給ノズル１２、１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に純水が供給され、このウエハＷの表面のリンス処理が行われる。 Next, the rinsing process of the wafer W after the chemical liquid process of the wafer W as described above is performed will be described. There are various modes for rinsing the wafer W. In the first mode of rinsing, the valves 36 a, 22 a, 44 a, 60 a, 14 a, and 20 a are opened by the control unit 70, and pure water is supplied from the pure water supply source 30. Pure water is supplied to the water supply line 36 and pure water is supplied from the cleaning pure water supply source 58 to the fourth line 60. The second line 44 is cleaned with pure water supplied from the cleaning pure water supply source 58, and the first line 22 is cleaned with pure water supplied from the pure water supply source 30. Then, both pure waters join together in the first line 22 and are finally supplied into the treatment tank 10 by the supply nozzles 12 and 18 through the supply pipes 14 and 20. As a result, pure water is supplied to the surface of the wafer W accommodated in the processing tank 10, and the surface of the wafer W is rinsed.

次に、リンス処理の第２の態様について説明する。リンス処理の第２の態様においては、バルブ４０ａ、２２ａ、４４ａ、６０ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、熱水供給源３４から熱水供給ライン４０に加熱された純水が供給されるとともに、洗浄用純水供給源５８から第４のライン６０に純水が供給される。洗浄用純水供給源５８から供給された純水により第２のライン４４の洗浄が行われるとともに、熱水供給源３４から供給された熱水により第１のライン２２の洗浄が行われる。そして、両者の純水は第１のライン２２で合流して最終的に供給管２０を介して供給ノズル１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に純水が供給され、このウエハＷの表面のリンス処理が行われる。 Next, the 2nd aspect of the rinse process is demonstrated. In the second aspect of the rinsing process, the valves 40a, 22a, 44a, 60a, and 20a are opened by the control unit 70, and heated water is supplied from the hot water supply source 34 to the hot water supply line 40. Pure water is supplied from the cleaning pure water supply source 58 to the fourth line 60. The second line 44 is cleaned with pure water supplied from the cleaning pure water supply source 58 and the first line 22 is cleaned with hot water supplied from the hot water supply source 34. Then, both pure waters merge at the first line 22 and are finally supplied into the treatment tank 10 through the supply pipe 20 by the supply nozzle 18. As a result, pure water is supplied to the surface of the wafer W accommodated in the processing tank 10, and the surface of the wafer W is rinsed.

また、上述のようなリンス処理において、制御部７０によりバルブ６２ａが開かれたときには、純水供給源３０や熱水供給源３４から第１のライン２２に供給された純水を、第２のライン４４を介して第４のライン６０からドレン管６２により排出することができるようになっている。このことにより第２のライン４４、バルブ５６ａ、５２ａ、４８ａ、４４ａ、供給管２０を洗浄することができる。その結果、配管、バルブに薬液が残留しないため、引き続き異なる薬液で処理することが可能になる。 In the rinsing process as described above, when the valve 62a is opened by the control unit 70, the pure water supplied to the first line 22 from the pure water supply source 30 or the hot water supply source 34 is supplied to the second line 22. It can be discharged from the fourth line 60 through the line 44 by the drain pipe 62. As a result, the second line 44, the valves 56a, 52a, 48a, 44a, and the supply pipe 20 can be cleaned. As a result, since no chemical solution remains in the pipes and valves, it is possible to continue processing with different chemical solutions.

以上のように本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法によれば、ウエハＷの処理を行う処理槽１０に接続された第１のライン２２から第２のライン４４が分岐しており、この第２のライン４４から複数の第３のライン（アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐しており、これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所においてそれぞれバルブ４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されており、各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。このため、第２のライン４４は第１のライン２２から分岐しているので第２のライン４４の径を第１のライン２２の径よりも小さくすることができ、また、第３のラインに介設される各バルブ４８ａ、５２ａ、５６ａの径を第２のライン４４の径と略同一またはそれ以下の大きさとすることができる。このことにより、第３のラインに介設される各バルブ４８ａ、５２ａ、５６ａの径を第１のライン２２の径よりも小さくすることができ、薬液供給ライン（第３のライン）に介設されるバルブの設置スペースを小さくすることができる。 As described above, according to the substrate processing apparatus 1 and the substrate processing method of the present embodiment, the second line 44 is branched from the first line 22 connected to the processing tank 10 for processing the wafer W. A plurality of third lines (ammonia water supply line 48, hydrochloric acid supply line 52, and hydrofluoric acid supply line 56) are branched from the second line 44. The third line includes a second line. Valves 48a, 52a, and 56a are respectively provided at branch points from the line 44, and a chemical solution supply source (ammonia water supply source 46, hydrochloric acid supply source 50, and hydrofluoric acid supply source 54) is provided in each third line. Are connected, and the chemical solution is supplied to each third line from these chemical solution supply sources. For this reason, since the 2nd line 44 has branched from the 1st line 22, the diameter of the 2nd line 44 can be made smaller than the diameter of the 1st line 22, and also the 3rd line The diameters of the valves 48 a, 52 a, and 56 a that are provided can be made substantially the same as or smaller than the diameter of the second line 44. As a result, the diameter of each valve 48a, 52a, 56a provided in the third line can be made smaller than the diameter of the first line 22, and provided in the chemical supply line (third line). The installation space of the valve to be used can be reduced.

また、第２のライン４４には、洗浄用の水が供給される第４のライン６０が接続されており、この第４のライン６０には、第２のライン４４との接続箇所においてバルブ６０ａが設けられている。このことにより、ウエハＷのリンス処理時において、第４のライン６０から供給される洗浄用の純水により、第２のライン４４の洗浄を行うことができる。 Further, a fourth line 60 to which cleaning water is supplied is connected to the second line 44, and the valve 60 a is connected to the fourth line 60 at a connection point with the second line 44. Is provided. As a result, the second line 44 can be cleaned with the pure water for cleaning supplied from the fourth line 60 during the rinsing process of the wafer W.

また、純水供給源３０や熱水供給源３４から第１のライン２２に供給された純水を、第２のライン４４からドレン管６２により排出することができるようになっている。このため、ウエハＷのリンス処理時において、洗浄用純水供給源５８から第４のライン６０に供給される洗浄用の純水を用いる代わりに、純水供給源３０や熱水供給源３４から第１のライン２２に供給された純水を第４のライン６０から排出させた場合でも、第２のライン４４の洗浄を行うことができる。 Further, the pure water supplied to the first line 22 from the pure water supply source 30 or the hot water supply source 34 can be discharged from the second line 44 through the drain pipe 62. Therefore, at the time of rinsing the wafer W, instead of using the pure water for cleaning supplied from the pure water supply source for cleaning 58 to the fourth line 60, the pure water supply source 30 and the hot water supply source 34 are used. Even when the pure water supplied to the first line 22 is discharged from the fourth line 60, the second line 44 can be cleaned.

なお、本発明による基板処理装置１および基板処理方法は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、図１に示すような基板処理装置１において、オゾン水供給源３２や熱水供給源３４の設置を省略することができる。また、第２のライン４４に接続される薬液供給ラインとしては、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６に限定されることはなく、他の種類の薬液を供給する薬液供給源が接続された薬液供給ラインであってもよい。また、図１に示すような基板処理装置１において、第４のライン６０および洗浄用純水供給源５８の設置を省略したり、あるいは第４のライン６０および洗浄用純水供給源５８は残すがドレン管６２の設置を省略したりすることができる。 In addition, the substrate processing apparatus 1 and the substrate processing method by this invention are not limited to said aspect, A various change can be added. For example, in the substrate processing apparatus 1 as shown in FIG. 1, the installation of the ozone water supply source 32 and the hot water supply source 34 can be omitted. Further, the chemical solution supply line connected to the second line 44 is not limited to the ammonia water supply line 48, the hydrochloric acid supply line 52 and the hydrofluoric acid supply line 56, and the chemical solution for supplying other types of chemical solutions. It may be a chemical solution supply line to which a supply source is connected. Further, in the substrate processing apparatus 1 as shown in FIG. 1, the installation of the fourth line 60 and the cleaning pure water supply source 58 is omitted, or the fourth line 60 and the cleaning pure water supply source 58 remain. However, the installation of the drain pipe 62 can be omitted.

本発明の一の実施の形態における基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。It is a block diagram which shows the outline of a structure of the substrate processing apparatus in one embodiment of this invention. 従来の基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。It is a block diagram which shows the outline of a structure of the conventional substrate processing apparatus. 一体型のミキシングバルブの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of an integrated mixing valve.

Explanation of symbols

１基板処理装置
１０処理槽
１２供給ノズル
１４供給管
１４ａバルブ
１８供給ノズル
２０供給管
２０ａバルブ
２２第１のライン
２２ａバルブ
３０純水供給源
３２オゾン水供給源
３４熱水供給源
３６純水供給ライン
３６ａバルブ
３８オゾン水供給ライン
３８ａバルブ
４０熱水供給ライン
４０ａバルブ
４１過酸化水素水供給源
４２過酸化水素水供給ライン
４２ａバルブ
４４第２のライン
４４ａバルブ
４６アンモニア水供給源
４８アンモニア水供給ライン
４８ａバルブ
５０塩酸供給源
５２塩酸供給ライン
５２ａバルブ
５４フッ酸供給源
５６フッ酸供給ライン
５６ａバルブ
５８洗浄用純水供給源
６０第４のライン
６０ａバルブ
６２ドレン管
６２ａバルブ
７０制御部
７１データ入出力部
７２記憶媒体
８０基板処理装置
８０ａ新液供給ライン
８１処理槽
８１ａ供給ノズル
８１ｂ回収部
８２循環ポンプ
８３バルブ
８３ａ流量計
８４バルブ
８５純水供給源
８５ａレギュレータ
８５ｂ加熱ヒータ
８６バルブ
８７洗浄液供給源
８８メインライン
９１塩酸供給源
９１ａバルブ
９１ｂ流量調整弁
９１ｃ副流路
９２アンモニア水供給源
９２ａバルブ
９２ｂ流量調整弁
９２ｃ副流路
９３フッ酸供給源
９３ａバルブ
９３ｂ流量調整弁
９３ｃ副流路
９４過酸化水素水供給源
９４ａバルブ
９４ｂ流量調整弁
９４ｃ副流路
１１０一体型のミキシングバルブ
Ｗウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 10 Processing tank 12 Supply nozzle 14 Supply pipe 14a Valve 18 Supply nozzle 20 Supply pipe 20a Valve 22 First line 22a Valve 30 Pure water supply source 32 Ozone water supply source 34 Hot water supply source 36 Pure water supply line 36a Valve 38 Ozone water supply line 38a Valve 40 Hot water supply line 40a Valve 41 Hydrogen peroxide solution supply source 42 Hydrogen peroxide solution supply line 42a Valve 44 Second line 44a Valve 46 Ammonia water supply source 48 Ammonia solution supply line 48a Valve 50 Hydrochloric acid supply source 52 Hydrochloric acid supply line 52a Valve 54 Hydrofluoric acid supply source 56 Hydrofluoric acid supply line 56a Valve 58 Cleaning pure water supply source 60 Fourth line 60a Valve 62 Drain pipe 62a Valve 70 Control unit 71 Data input / output unit 72 Storage medium 80 Substrate processing apparatus 80a New liquid supply line 81 Processing tank 81a Supply nozzle 81b Recovery unit 82 Circulation pump 83 Valve 83a Flow meter 84 Valve 85 Pure water supply source 85a Regulator 85b Heater 86 Valve 87 Cleaning liquid supply source 88 Main line 91 Hydrochloric acid supply source 91a Valve 91b Flow rate Regulating valve 91c Sub-channel 92 Ammonia water supply source 92a Valve 92b Flow rate adjusting valve 92c Sub-channel 93 Hydrofluoric acid supply source 93a Valve 93b Flow rate adjusting valve 93c Sub-channel 94 Hydrogen peroxide solution source 94a Valve 94b Flow rate adjusting valve 94c Sub-channel 110 Integrated mixing valve W Wafer

Claims

A processing unit for processing a substrate;
A first line connected to the treatment unit and a water supply source, respectively, for supplying water sent from the water supply source to the treatment unit;
A second line branched from the first line, wherein a valve is interposed at a branch point from the first line; and
A plurality of third lines branched from the second line, and a plurality of third lines each having a valve interposed at a branch point from the second line;
A plurality of chemical liquid supply sources respectively connected to the respective third lines, wherein the respective chemical liquid supply sources each supply a chemical liquid to each of the third lines;
Equipped with a,
A hydrogen peroxide solution supply line to which hydrogen peroxide solution (H ₂ O ₂ ) is supplied branches from the first line, and the hydrogen peroxide solution supply line is connected to the hydrogen peroxide solution supply line from the first line. A substrate processing apparatus characterized in that a valve is provided at a branch point .

A processing unit for processing a substrate;
A first line connected to the treatment unit and a water supply source, respectively, for supplying water sent from the water supply source to the treatment unit;
A second line branched from the first line, wherein a valve is interposed at a branch point from the first line; and
A plurality of third lines branched from the second line, and a plurality of third lines each having a valve interposed at a branch point from the second line;
A plurality of chemical liquid supply sources respectively connected to the respective third lines, wherein the respective chemical liquid supply sources each supply a chemical liquid to each of the third lines;
Equipped with a,
A substrate processing apparatus, wherein water supplied from the water supply source to the first line can be discharged from the second line .

3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein each of the chemical solution supply sources is a hydrofluoric acid (HF) supply source, a hydrochloric acid (HCl) supply source, or an ammonia water (NH ₄ OH) supply source .

A fourth line to which cleaning water is supplied is connected to the second line, and a valve is interposed in the fourth line at a connection point with the second line. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is provided.

A processing unit for processing a substrate, a first line connected to the processing unit and a water supply source, respectively, for supplying water sent from the water supply source to the processing unit; and from the first line A second line branched, a second line having a valve interposed at a branch point from the first line, and a plurality of third lines branched from the second line, A plurality of third lines each provided with a valve at a branch point from the second line, and a plurality of chemical liquid supply sources respectively connected to the third lines, each of the chemical liquid supply sources Is a substrate processing method in a substrate processing apparatus comprising a plurality of chemical liquid supply sources for supplying a chemical liquid to each of the third lines,
Supplying a chemical solution to the processing unit via the third line, the second line, and the first line by the chemical solution supply sources, and performing a chemical process on the substrate in the processing unit;
After performing chemical treatment of the substrate, supplying water sent from the water supply source to the first line to the processing unit, and rinsing the substrate in the processing unit;
Equipped with a,
The water supplied to the first line from the water supply source can be discharged from the second line,
In the rinsing process, the substrate processing method is characterized in that water supplied from the water supply source to the first line is discharged from the second line .

A fourth line to which cleaning water is supplied is connected to the second line, and a valve is interposed in the fourth line at a connection point with the second line. And
In the rinsing process, a valve provided in the fourth line is opened, so that cleaning water is supplied from the fourth line to the processing unit via the second line and the first line. The substrate processing method according to claim 5 , wherein the substrate is supplied.

A processing unit for processing a substrate, a first line connected to the processing unit and a water supply source, respectively, for supplying water sent from the water supply source to the processing unit; and from the first line A second line branched, a second line having a valve interposed at a branch point from the first line, and a plurality of third lines branched from the second line, A plurality of third lines each provided with a valve at a branch point from the second line, and a plurality of chemical liquid supply sources respectively connected to the third lines, each of the chemical liquid supply sources Is a program that can be executed by a control computer of a substrate processing apparatus that includes a plurality of chemical supply sources that supply chemical solutions to the third lines, respectively, by executing the program , The control controller Yuta is by controlling the substrate processing apparatus in which to perform the substrate processing method,
The substrate processing method comprises:
Supplying a chemical solution to the processing unit via the third line, the second line, and the first line by the chemical solution supply sources, and performing a chemical process on the substrate in the processing unit;
After performing chemical treatment of the substrate, supplying water sent from the water supply source to the first line to the processing unit, and rinsing the substrate in the processing unit;
Equipped with a,
The water supplied to the first line from the water supply source can be discharged from the second line,
In the rinsing process, a program for discharging water supplied from the water supply source to the first line from the second line .

A processing unit for processing a substrate, a first line connected to the processing unit and a water supply source, respectively, for supplying water sent from the water supply source to the processing unit; and from the first line A second line branched, a second line having a valve interposed at a branch point from the first line, and a plurality of third lines branched from the second line, A plurality of third lines each provided with a valve at a branch point from the second line, and a plurality of chemical liquid supply sources respectively connected to the third lines, each of the chemical liquid supply sources Is a storage medium storing a program that can be executed by a control computer of a substrate processing apparatus, which includes a plurality of chemical supply sources that supply chemical solutions to the third lines, respectively. Running the program More, in which to perform a substrate processing method and the control computer controls the substrate processing apparatus,
The substrate processing method comprises:
Supplying a chemical solution to the processing unit via the third line, the second line, and the first line by the chemical solution supply sources, and performing a chemical process on the substrate in the processing unit;
After performing chemical treatment of the substrate, supplying water sent from the water supply source to the first line to the processing unit, and rinsing the substrate in the processing unit;
Equipped with a,
The water supplied to the first line from the water supply source can be discharged from the second line,
In the rinsing process, the water supplied to the first line from the water supply source is discharged from the second line .