JP5041145B2 - 圧電デバイス - Google Patents

Description

本発明は、圧電デバイスおよびその製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化に伴い、水晶振動子等の圧電デバイスは、より一層の小型化が要求されている。素子の小型化を実現するための技術として、たとえば水晶振動子を有する水晶基板を、上下方向から同様の形状の基板で挟んで３層の基板を互いに接合することにより封止する技術が提案されている。

また、このような技術を適用することにより、複数の水晶振動子を有する水晶基板を用いた場合には、上下方向から基板を接合した後に基板を切断することにより、小型の複数の圧電デバイスを得ることができ、工程数の削減を図ることができる。
特開２００６−９４３７２号公報

本発明は、さらなる小型化を実現することのできる圧電デバイスおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の第１の形態に係る圧電デバイスは、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスであって、
前記中間基板は、
圧電振動部と、
前記圧電振動部の周囲を囲む枠部と、
前記圧電振動部と前記枠部とを接続する接続部と、
前記圧電振動部の上面に設けられた第１の励振電極と、
前記圧電振動部の下面に設けられた第２の励振電極と、
を有し、
前記下側基板は、その下面に設けられた第１の外部端子および第２の外部端子を有し、
当該圧電デバイスは、
前記上側基板の下面において、前記接続部の上方から、当該接続部から最も離れた側面に沿った位置まで延び、かつ前記位置から当該側面を通ることにより、前記第１の励振電極と前記第１の外部端子とを電気的に接続する第１の配線と、
前記接続部の下面から前記下側基板の側面を通ることにより、第２の励振電極と前記第２の外部端子とを電気的に接続する第２の配線と、
をさらに含む。

第１の形態に係る圧電デバイスにおいて、
前記上側基板は、下面に設けられた凹部を有し、
前記第１の配線は、前記上側基板の下面において前記凹部内に設けられていることができる。

第１の形態に係る圧電デバイスにおいて、
前記中間基板および前記下側基板の一の側面に連続的に設けられた第１の溝部と、
前記下側基板の前記一の側面に対向する他の側面に設けられた第２の溝部と、
を有し、
前記第１の配線は、前記第１の溝部の内部に設けられ、
前記第２の配線は、前記第２の溝部に内部に設けられていることができる。

本発明の第２の形態に係る圧電デバイスは、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスであって、
前記中間基板は、
複数の圧電振動部と、
前記複数の圧電振動部の各々を囲む複数の枠部と、
前記複数の圧電振動部の各々と前記枠部とを接続する複数の接続部と、
前記複数の圧電振動部の各々の上面に設けられた複数の第１の励振電極と、
前記複数の圧電振動部の各々の下面に設けられた複数の第２の励振電極と、
前記枠部に設けられた第１の貫通穴と、を有し、
前記上側基板は、その下面において前記接続部の上方から前記第１の貫通穴の上方に延びている第１の配線を有し、
前記下側基板は、
前記第１の貫通穴の下方に設けられた第２の貫通穴と、
前記隣り合う接続部の間の下方に設けられた第３の貫通穴と、を有し、
当該圧電デバイスは、
前記複数の圧電振動部の各々を分離するために前記枠部上に設けられた複数のダイシングラインをさらに含み、
前記複数のダイシングラインのうち、前記接続部の最も近い一のダイシングラインは、前記第３の貫通穴を通り、
他のダイシングラインは、前記第１の貫通穴および前記第２の貫通穴を通り、
互いに隣り合う前記複数の圧電振動部および前記複数の接続部は、前記一または他のダイシングラインに対して対称に設けられている。

本発明の第３の形態に係る圧電デバイスの製造方法は、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスの製造方法であって、
複数の圧電振動部と、前記複数の圧電振動部の各々を囲む複数の枠部と、前記複数の圧電振動部の各々と前記枠部とを接続する複数の接続部と、前記複数の圧電振動部の各々の上面に設けられた複数の第１の励振電極と、前記複数の圧電振動部の各々の下面に設けられた複数の第２の励振電極と、前記枠部に設けられた第１の貫通穴と、を有する中間基板と、下面に第１の配線を有する上側基板と、第２の貫通穴および第３の貫通穴を有する下側基板と、を準備する工程と、
前記第１の貫通穴と前記第２の貫通穴とが重複するように、前記下側基板および上側基板と、中間基板とを接合する工程と、
前記第３の貫通穴を通る一のダイシングラインと、前記第１の貫通穴および前記第２の貫通穴を通る他のダイシングラインとに沿って前記上側基板、前記中間基板、および前記下側基板を切断することによって、前記複数の圧電振動部を分離する工程と、
前記第１の貫通穴と前記第２の貫通穴の形成領域に、第１の配線と接する一の導電膜を形成する工程と、
前記第３の貫通穴の形成領域に、他の導電膜を形成する工程と、
を含む。

本発明の第３の形態に係る圧電デバイスにおいて、
互いに隣り合う前記複数の圧電振動部および前記複数の接続部は、前記一または他のダイシングラインに対して対称に設けられていることができる。

１．圧電デバイス
本実施の形態に係る圧電デバイス１００は、下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む。まず、下側基板、上側基板、および中間基板のそれぞれについて図１（Ａ）〜図１（Ｄ）および図２を参照しながら具体的に説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスに用いられる上側基板、中間基板、および下側基板を示す上面または下面図である。図２は、本実施の形態に係る圧電デバイスを示す断面図であり、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）におけるII-II切断面に対応する図である。

１．１．上側基板
図１（Ａ）は、上側基板２０を模式的に示す下面図である。上側基板２０は、凹部２１と、その周囲に設けられた枠部２２とを有する。

上側基板２０の材質は、絶縁性の材質であれば特に限定されないが、材質の熱膨張差を考慮すると中間基板と同一の材質であることが好ましく、たとえば水晶からなることができる。

凹部２１は、少なくとも一部において、上側基板２０の縁部２４を含む領域に形成される。縁部２４は、後述する中間基板１０の接続部１５から最も離れた側面に沿った位置にあることが好ましく、当該側面の中央部に設けられることがより好ましい。凹部２１は、当該側面に連通するように設けられている。また凹部２１は、中間基板１０の接続部１５の上方を含む領域に形成される。

本実施の形態において、上側基板２０の下面の形状は、枠部２２が、縁部２４以外の上側基板２０の側面に沿った領域に設けられ、その内側の領域および縁部２４に凹部２１が設けられる。また、凹部２１の深さは、第１の配線２３ｃの厚み以上であることが好ましい。また、中間基板の枠部に凹部を形成し、当該凹部に相当する位置に配線を配置する場合、上側基板は平板でも構わない。

上側基板２０は、凹部２１の内部に設けられた第１の配線２３ｃをさらに有する。第１の配線２３ｃは、後述する接続部の上方から縁部２４まで引き出されている。第１の配線ｃの材質としては、導電性材料であれば特に限定されないが、たとえば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造であることができる。

１．２．中間基板
図１（Ｂ）は、中間基板１０を模式的に示す上面図であり、図１（Ｃ）は、中間基板１０を模式的に示す下面図である。

中間基板１０は、圧電振動部１１と、圧電振動部１１の周囲を取り囲む枠部１２と、圧電振動部１１と枠部１２とを接続する接続部１５と、圧電振動部１１を振動させるための第１の励振電極１３および第２の励振電極１４とを有する。

中間基板１０は、接続部１５以外の領域が接触しないように、たとえばＣ字型のスリット１６を有する。中間基板１０において、スリット１６の内側の領域が圧電振動部１１として機能し、スリット１６の外側の領域が上側基板２０および下側基板３０と接合するための枠部１２として機能することができる。

中間基板１０は、段差構造を有している。具体的には、図２に示すように、枠部１２の領域が最も厚く、圧電振動部１１の領域が最も薄く、接続部１５は、圧電振動部１１から枠部１２にかけて上下面において傾斜して徐々に厚くなっている。圧電振動部１１は、枠部１２の厚み方向において中心に位置する。このような形状を有することにより、上側基板２０と下側基板３０との間に空洞ができて圧電振動部１１の振動が可能となる。

圧電振動部１１は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料からなる。圧電振動部１１、接続部１５、および枠部１２は、水晶基板からなることが好ましく、基板面がＸ軸に平行でＸ軸の回りに回転切断して作製されるＡＴカットの水晶基板であることができる。圧電振動部１１は、接続部１５を介して枠部１２と接続しており、接続部１５は、中間基板１０の長手方向に対向する側面の一方の近傍に設けられている。

第１の励振電極１３は、中間基板１０の上面に圧電振動部１１と接触するように設けられ、第２の励振電極１４は、中間基板１０の下面に圧電振動部１１と接触するように設けられている。第１の励振電極１３および第２の励振電極１４の各々は、接続部１５上に設けられた第１の配線２３ａおよび第２の配線３３ａから引き出されて、圧電振動部１１上に延出している。第１の励振電極１３および第２の励振電極１４の材質としては、たとえば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造であることができる。

中間基板１０は、第１の溝部２５をさらに有する。第１の溝部２５は、上側基板２０の縁部２４と重複する領域に設けられている。第１の溝部２５は、たとえば平面視において半円または円弧形状であることができ、中間基板１０の上面から下面に貫通している。

１．３．下側基板
図１（Ｄ）は、下側基板３０を模式的に示す下面図である。下側基板３０は、その下面に設けられた第１の外部端子３２および第２の外部端子３４を有する。

下側基板３０の材質は、上側基板２０と同様に、絶縁性の材質であれば特に限定されないが、中間基板と同一の材質であることが好ましく、たとえば水晶からなることができる。

第１の外部端子３２および第２の外部端子３４は、圧電デバイス１００を外部の機器とを電気的に接続するために用いられる。第１の外部端子３２および第２の外部端子３４は、互いに離れた位置に設けられ、具体的には下側基板２０の長手方向に対向する端部にそれぞれ設けられる。第１の外部端子３２および第２の外部端子３４の材質としては、たとえば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造であることができる。

下側基板３０は、第１の溝部３５および第２の溝部３６をさらに有する。第１の溝部３５は、上側基板２０の縁部２４に重複し、かつ第１の外部端子３２に囲まれた領域に設けられている。第１の溝部３５は、上述した第１の溝部２５と同様に、平面視において半円または円弧形状であることができ、下側基板３０の上面から下面に貫通している。第２の溝部３６は、第２の外部端子３４に囲まれた領域、かつ中間基板１０の接続部１５に最も近い側面に設けられている。第２の溝部３６についても同様に、平面視において半円または円弧形状であることができ、下側基板３０の上面から下面に貫通している。

１．４．全体の構造
第１の励振電極１３および第２の励振電極１４のそれぞれが第１の外部端子３２および第２の外部端子３４と電気的に接続するために、圧電デバイス１００に設けられた配線構造について詳細に説明する。

図２は、本実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。第１の励振電極１３は、第１の配線２３ａ，ｂ，ｃ，ｄ，を介して第１の外部端子３２と電気的に接続する。第１の励振電極１３と第１の配線２３ａは、中間基板１０上で一体的に形成されている。第１の配線２３ａは、第１の配線２３ｂを用いて第１の配線２３ｃと、接続されている。第１の配線２３ｃは、第１の配線２３ｄによって第１の外部端子３２と接続されている。

第１の配線２３ｄは、上側基板２０の縁部２４、および中間基板１０および下側基板３０の側面に設けられた第１の溝部２５、３５に連続的に設けられて、第１の外部端子３２に接続する。

第２の励振電極１４は、第２の配線３３ａ，ｂを介して第２の外部端子３４と電気的に接続する。第２の励振電極１４と第２の配線３３ａは、中間基板１０の下面で一体的に形成されており、中間基板１０の端面に至るまで引き出されている。第２の配線３３ａは、第２の配線３３ｂを介して第２の外部端子３４に接続されている。第２の配線３３ｂは、下側基板３０の側面に設けられた第２の溝部３６に連続的に設けられて、第２の外部端子３４に接続する。

なお、第１の配線２３ｂは、たとえば半田、金等からなるバンプ、導電性接着剤等によって形成されている。また第１の配線２３ｄおよび第２の配線３３ｂは、半田や金等からなるバンプ等の導電性材料によって形成されている。

次に、上側基板２０と中間基板１０ならびに中間基板１０と下側基板３０の接合位置について説明する。

上側基板２０と中間基板１０との接合面では、上側基板２０の枠部２２が中間基板１０の枠部１２に重複し、上側基板２０の縁部２４が中間基板１０の第１の溝部２５に重複し、かつ上側基板２０における第１の配線２３ｃの縁部２４とは反対側の端部が中間基板１０における第１の配線２３ａ第１の励振電極１３側とは反対側の端部に重複している。

中間基板１０と下側基板３０との接合面では、中間基板１０の第１の溝部２５と、下側基板の第１の溝部３５とが重複し、かつ中間基板１０における第１の配線２３ａ第１の励振電極１３側とは反対側の端部が下側基板３０における第２の溝部３６とが重複する。

本実施の形態に係る圧電デバイス１００は、第１の励振電極１３と第１の外部端子３２とを電気的に接続するための第１の配線２３ｃを、上側基板２０の下面から外側面に引き出している。これにより、たとえば中間基板の枠部にスルーホールを設け、前記スルーホールを介して第１の配線を枠部の外側面に引き出す場合と比べて圧電デバイス１００を容易に小型化することができ、圧電振動部の面積を大きくすることができ、ひいてはＣＩ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）値を低く抑えることができる。

２．圧電デバイスの製造方法
次に本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法について説明する。図３〜図６は、本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法を示す図である。

まず、上側水晶板２２０（上側基板）、中間水晶板２１０（中間基板）、および下側水晶板２３０（下側基板）を準備する（図３参照）。上側水晶板２２０、中間水晶板２１０、および下側水晶板２３０は、それぞれ複数の上側基板２０、中間基板１０、および下側基板３０が配列された基板である。

図４は、本実施の形態にかかる中間水晶板２１０を示す下面図である。中間水晶板２１０は、中間基板１０の境界にダイシングラインＬ１およびダイシングラインＬ２を有する。ダイシングラインＬ１およびダイシングラインＬ２は、直角に交叉するように設けられている。ダイシングラインＬ１は、列方向に延びており、行方向に配列されている。ダイシングラインＬ２は、行方向に延びており、列方向に配列されている。中間水晶板２１０において、複数の中間基板１０は、１列おきに反転して配置されている。従って、隣り合う複数の中間基板１０は、ダイシングラインＬ１を基準として互いに対称に設けられている。また、中間水晶板２１０は、ダイシングラインＬ１上に設けられた第１の貫通穴２２５を有する。第１の貫通穴２２５は、後に中間水晶板２１０がダイシングラインＬ１に沿って切断されると、上述した第１の溝部２５となる。

中間水晶板２１０は、上述したように、段差構造、Ｃ字型のスリット１６、および第１の貫通穴２２５を有しているが、これは、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したエッチングにより設けられる。また、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４は、たとえば、フォトリソグラフィ技術を利用したエッチング、蒸着法またはスパッタ法を適用することにより得ることができる。

上側水晶板２２０および下側水晶板２３０も、中間水晶板２１０と同様にダイシングラインＬ１およびダイシングラインＬ２を有する。また複数の上側基板２０および複数の下側基板３０は、１列おきに反転して配置され、ダイシングラインＬ１を基準として互いに対称に設けられている。

上側水晶板２２０においては、図３に示すように、隣り合う上側水晶板２２０に設けられている２つの第１の配線２３ｃが連続的かつ対称的に設けられている。上側水晶板２２０が有する凹部２１は、フォトリソグラフィ技術を利用したエッチングまたはサンドブラスト加工により設けられる。また、第１の配線２３ｃは、たとえば、蒸着法またはスパッタ法を適用することにより得ることができる。

下側水晶板２３０は、ダイシングラインＬ１上に第２の貫通穴２３５および第３の貫通穴２３６を有する。第２の貫通穴２３５および第３の貫通穴２３６は、フォトリソグラフィ技術を利用してエッチングにより設けられる。第２の貫通穴２３５および第３の貫通穴２３６は、交互のダイシングラインＬ１上に設けられている。後に下側水晶板２３０がダイシングラインＬ１に沿って切断されると、第２の貫通穴２３５は、上述した第１の溝部３５となり、第３の貫通穴２３６は、上述した第２の溝部３６となる。また、第１の外部端子３２および第２の外部端子３４は、蒸着法またはスパッタ法を適用することにより得ることができる。

次に、上側水晶板２２０および下側水晶板２３０と、中間水晶板２１０とを接合する（図５参照）。接合は、直接接合を適用することが好ましい。水晶板同士を直接接合することにより、加熱による応力の発生を軽減して振動数を安定化させることができる。

接合する際の位置合わせは、第１の貫通穴２２５と第２の貫通穴２３５とが重複し、第３の貫通穴２３６が接続部１５の下方に位置するように行われる。また、接合する際、上側水晶板２２０と中間水晶板２１０との間に、半田、金等からなるバンプ、導電性接着剤等の導電膜を挟み込むことによって、第１の配線２３ｂを形成する。第１の配線２３ｂは、中間水晶板２１０の接続部１５上に設けられており、上側水晶板２２０の第１の配線２３ｃと重複するように配置される。

以上の工程により、図５に示すように、水晶板が３層積層され、複数の圧電振動部を有する圧電水晶デバイス３００（圧電デバイス）を得ることができる。

次に、ダイシングラインＬ１およびＬ２に沿って、圧電水晶デバイス３００を切断分割する（図６参照）。図６は、切断後のチップの断面を示す図であり、図２に対応する。

次いで、第１の溝部２５、３５および第２の溝部３６に導電材料を埋め込むことによって、第１の配線２３ｄおよび第２の配線３３ｂを形成する。

以上の工程により、圧電デバイス１００を得ることができる（図２参照）。

本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法によれば、圧電水晶デバイス３００がダイシングラインＬ１に対して左右対称の形状を有するため、第１の貫通穴２２５、第２の貫通穴２３５、第３の貫通穴２３６等のダイシングラインＬ１上における部材を同時に形成することができ、工程数を削減することができる。

なお、第１の配線２３ｄおよび第２の配線３３ｂは、圧電水晶デバイス３００を切断分割する前に第１の貫通穴２２５、第２の貫通穴２３５、および第３の貫通穴２３６に導電材料を埋め込むことによって形成してもよい。これにより、隣り合う２つの圧電デバイスの配線を一度の工程で形成することができるため、工程数を削減することができる。

３．変形例
本実施の形態の変形例にかかる圧電デバイスは、接続部が２箇所に設けられている点で、接続部が１箇所に設けられている圧電デバイス１００と異なる。

図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、本実施の形態の変形例にかかる圧電デバイスを構成する上側基板１２０および中間基板１１０を示す図であり、上述した図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に対応する。なお、変形例にかかる圧電デバイスに用いられている構成の材質は、上述した圧電デバイス１００の対応する構成の材質と同様であるので説明を省略する。

３．１．上側基板
図７（Ａ）は、上側基板１２０の下面を示す図である。上側基板１２０は、凹部１２１および第１の配線１２３ｃを下面に有する。

凹部１２１は、少なくとも一部において、上側基板１２０の縁部１２４を含む領域に形成される。縁部１２４は、後述する中間基板１１０の接続部１１５ａ、１１５ｂから最も離れた側面に沿った位置にあることが好ましく、当該側面において接続部１１５ａと最短距離の位置に設けられることがより好ましい。凹部１２１は、縁部１２４を有する側面に連通するように設けられている。また凹部１２１は、中間基板１１０の一方の接続部１１５ａの上方を含む領域に形成される。

本実施の形態において、上側基板１２０の下面の形状は、枠部１２２が、縁部１２４以外の上側基板１２０の側面に沿った領域に設けられ、その内側の領域および縁部１２４に凹部１２１が設けられる。また、凹部１２１の深さは、第１の配線１２３ｃの厚み以上であることが好ましい。

上側基板１２０は、凹部１２１の内部に設けられた第１の配線１２３ｃをさらに有する。第１の配線１２３ｃは、後述する接続部の上方から縁部１２４まで引き出されている。

３．２．中間基板
図７（Ｂ）は、中間基板１１０を模式的に示す上面図であり、図７（Ｃ）は、中間基板１１０を模式的に示す下面図である。

中間基板１１０は、圧電振動部１１１と、圧電振動部１１１の周囲を取り囲む枠部１１２と、圧電振動部１１１と枠部１１２とを接続する２つの接続部１１５ａ，ｂと、圧電振動部１１１を振動させるための第１の励振電極１１３および第２の励振電極１１４とを有する。

中間基板１１０は、接続部１１５ａ，１１５ｂ以外の領域が接触しないように、たとえばＣ字型の第１のスリット１１６および長方形の第２のスリット１１７を有する。第２のスリット１１７は、接続部１１５ａと１１５ｂの間に設けられる。中間基板１１０において、第１のスリット１１６と第２のスリット１１７で囲まれた領域が圧電振動部１１１として機能し、スリット１１６と第２のスリット１１７の外側の領域が上側基板１２０および下側基板と接合するための枠部１１２として機能することができる。

中間基板１１０は、段差構造を有している。具体的には、枠部１１２の領域が最も厚く、圧電振動部１１１の領域が最も薄く、接続部１１５ａ，１１５ｂは、圧電振動部１１１から枠部１１２にかけて上下面において傾斜して徐々に厚くなっている。圧電振動部１１１は、枠部１１２の厚み方向において中心に位置する。

圧電振動部１１１は、接続部１１５ａ，１１５ｂを介して枠部１１２と接続しており、接続部１１５ａ，１１５ｂは、中間基板１１０の長手方向に対向する側面の一方の近傍に設けられている。

第１の励振電極１１３は、中間基板１１０の上面に圧電振動部１１１と接触するように設けられ、第２の励振電極１１４は、中間基板１１０の下面に圧電振動部１１１と接触するように設けられている。第１の励振電極１１３および第２の励振電極１１４の各々は、接続部１１５ｂ上に設けられた第１の配線１２３ａおよび第２の配線１３３ａから引き出されて、圧電振動部１１１上に延出している。

中間基板１１０は、第１の溝部１２５をさらに有する。第１の溝部１２５は、上側基板１２０の縁部１２４と重複する領域に設けられている。第１の溝部１２５は、たとえば平面視において半円または円弧形状であることができ、中間基板１１０の上面から下面に貫通している。

３．３．下側基板
図７（Ｄ）は、下側基板１３０を模式的に示す下面図である。下側基板１３０は、その下面に設けられた第１の外部端子１３２および第２の外部端子１３４を有する。

第１の外部端子１３２および第２の外部端子１３４は、圧電デバイスを外部の機器とを電気的に接続するために用いられる。第１の外部端子１３２および第２の外部端子１３４は、互いに離れた位置に設けられ、具体的には下側基板１２０の長手方向に対向する端部にそれぞれ設けられる。

下側基板１３０は、第１の溝部１３５および第２の溝部１３６をさらに有する。第１の溝部１３５は、上側基板１２０の縁部１２４に重複し、かつ第１の外部端子１３２に囲まれた領域に設けられている。第１の溝部１３５は、上述した第１の溝部１２５と同様に、平面視において半円または円弧形状であることができ、下側基板１３０の上面から下面に貫通している。第２の溝部１３６は、第２の外部端子１３４に囲まれた領域、かつ中間基板１０の接続部１１５ａ，ｂに最も近い側面の接続部１１５ａ側の下方に設けられている。第２の溝部１３６についても同様に、平面視において半円または円弧形状であることができ、下側基板１３０の上面から下面に貫通している。

３．４．全体の構造
第１の励振電極１１３は、第１の配線１２３ａ，ｂ，ｃ，ｄ，を介して第１の外部端子と電気的に接続する。第１の配線１２３ｄは、上側基板１２０の縁部１２４、および中間基板１１０および下側基板１３０の側面に設けられた第１の溝部１２５に連続的に設けられて、第１の外部端子１３２に接続する。

第２の励振電極１１４は、第２の配線１３３ａ，ｂを介して第２の外部端子１３４と電気的に接続する。第２の励振電極１１４と第２の配線１３３ａは、中間基板１１０の下面で一体的に形成されており、中間基板１１０の端面に至るまで引き出されている。第２の配線１３３ａは、第２の配線１３３ｂを介して第２の外部端子１３４に接続されている。第２の配線１３３ｂは、下側基板１３０の側面に設けられた第２の溝部１３６に連続的に設けられて、第２の外部端子１３４に接続する。

変形例に係る圧電デバイスは、２箇所に接続部１１５ａと１１５ｂを有するため、圧電振動部１１１を、より強固に支持することができ、圧電デバイスの強度を高めることができる。

変形例に係る圧電デバイスは、第１の励振電極１１３と第１の外部端子１３２とを電気的に接続するための第１の配線１２３ｃを、上側基板１２０の下面から接続部１１５ａ，１１５ｂの反対側の外側面に引き出している。これにより、たとえば中間基板の枠部から接続部の反対側の外側面に引き出す場合と比べて圧電デバイスを容易に小型化することができ、圧電振動部の面積を大きくすることができ、ひいてはＣＩ値を低く抑えることができる。

また、変形例に係る圧電デバイスによれば内部に第１の配線１２３ｃを設けることから、接続部側の外側面から反対側の外側面に配線を引き回す場合と比べて、断線の頻度を低減することができる。

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば圧電振動部として音叉型振動子を用いてもよい。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１（Ａ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する上側基板を示す下面図であり、図１（Ｂ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す上面図であり、図１（Ｃ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す下面図であり、図１（Ｄ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する下側基板を示す下面図である。 図２は、本実施の形態に係る圧電デバイスを示す断面図である。 図３は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図４は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図５は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図６は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図７（Ａ）は、変形例に係る圧電デバイスを構成する上側基板を示す下面図であり、図７（Ｂ）は、変形例に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す上面図であり、図７（Ｃ）は、変形例に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す下面図であり、図７（Ｄ）は、変形例に係る圧電デバイスを構成する下側基板を示す下面図である。

符号の説明

１０…中間基板、 １１…圧電振動部、 １２…枠部、 １３…第１の励振電極、 １４…第２の励振電極、 １５…接続部、 １６…スリット、 ２０…上側基板、 ２１…凹部、 ２２…枠部、 ２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，…第１の配線、 ２４…縁部、 ２５…第１の溝部、 ３０…下側基板、 ３２…第１の外部端子、３３ａ，３３ｂ…第２の配線、 ３４…第２の外部端子、 ３５…第１の溝部、 ３６…第２の溝部、 １００…圧電デバイス、 １１０…中間基板、 １１１…圧電振動部、 １１２…枠部、 １１３…第１の励振電極、 １１４…第２の励振電極、 １１５ａ、１１５ｂ…接続部、 １２０…上側基板、 １２１…凹部、 １２２…枠部、 １２３ａ，１２３ｂ，１２３ｃ，１２３ｄ，…第１の配線、 １２４…縁部、 １２５…第１の溝部、 １３０…下側基板、 １３２…第１の外部端子、１３３ａ，１３３ｂ…第２の配線、 １３４…第２の外部端子、 １３５…第１の溝部、 １３６…第２の溝部、 ２１０…中間水晶板、 ２２０…上側水晶板、 ２２５…第１の貫通穴、 ２３０…下側水晶板、 ２３５…第２の貫通穴、 ２３６…第３の貫通穴、 ３００…圧電水晶デバイス

Claims (3)

1. 圧電振動部、平面視において前記圧電振動部の周囲を囲んでいる枠部、前記圧電振動部と前記枠部とを連結している接続部、前記圧電振動部の一方の面に設けられている第１の励振電極および前記一方の面に対して裏面側の他方の面に設けられている第２の励振電極を有している中間基板と、
   平面視において前記第２の励振電極、前記接続部および前記枠部と一方の面とが重なっており、かつ該一方の面に対して裏面側である他方の面に第１の外部電極および第２の外部電極が配置されている下側基板と、
   平面視において前記第１の励振電極、前記接続部および前記枠部と一方の面とが重なっている上側基板と、
   前記上側基板の前記一方の面において前記接続部と重なっている所から、前記上側基板における外縁のうち前記接続部から最も離れている側面に沿って延びている外縁の位置までの間と、該位置から前記上側基板の側面とに配置されており、かつ前記第１の励振電極と前記第１の外部端子とを電気的に接続している第１の配線と、
   前記接続部の、前記下側基板の前記一方の面と重なっている側の面から延出し、前記下側基板の側面をわたって配置されており、かつ前記第２の励振電極と前記第２の外部端子とを電気的に接続している第２の配線と、を含む、圧電デバイス。
2. 請求項１において、
   前記上側基板の前記一方の面が凹部を有し、
   前記第１の配線は、前記凹部内に設けられている、圧電デバイス。
3. 請求項１または２において、
   前記中間基板および前記下側基板の一の側面に連続的に設けられた第１の溝部と、
   前記下側基板の前記一の側面に対向する他の側面に設けられた第２の溝部と、
   を有し、
   前記第１の配線は、前記第１の溝部の内部に設けられ、
   前記第２の配線は、前記第２の溝部に内部に設けられている、圧電デバイス。