JP4936667B2 - ウェーハ処理プロセス及び装置並びに中間層及びキャリヤー層を有するウェーハ - Google Patents
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Description
薄いウェーハ、及び/または薄い半導体構成要素の製造手順は、通常はユーザ毎に異なる。しかしながら、一般的には、以下の手順が採用される。即ち、電子構成要素及び回路(ダイオード、トランジスタ、IC、センサ等)を製造する場合、例えば構造、層等のような構成要素を、種々の技術によってウェーハ(シリコン、GaAs、または他の半導体材料及び基体)に付着させる。現時点においては、これらのウェーハは、この目的のために必要な製造ステップが完了した後に、前側(活性的な側、即ち付着された構成要素が位置している側)に保護フィルム、または他の保護層(例えば、ワックスによって接触させたガラス板)が設けられる。このフィルム、または層の目的は、爾後にウェーハを薄くする手順(研削、ラッピング、切断、エッチング等による)中に、ウェーハの前側を、従って付着された電気的、及び機械的構造を保護することである。フィルム、または層を付着させた後にウェーハの後側が薄くされ、それによってウェーハの始めの厚みが減少する。残される残留厚みは、常に、爾後のプロセスステップ中に予測される機械的応力によって支配される。これらの機械的応力は、割れ、または他の機械的破損の危険性を重大に増加させることなく解消しなければならない。ウェーハの割れ特性を改善するために、薄くするステップの後にウェーハの後側を機械的に、及び/または化学的に処理することができる。可能な洗浄ステップの後に、ウェーハの前側から保護フィルム、またはキャリヤー層を剥がして除去する。これにより、機械的特性を改善するための可能なさらなる製造ステップ、及び/または測定、及び/または調査を遂行することができる。多くの場合には、薄くされたウェーハの後側は、1つの金属層、及び/または複数の層によってコーティング、及び/または構造化される。このコーティングは、殆どの場合真空中におけるスパッタリング、類似堆積プロセス、及び/またはリトグラフィックプロセスによって遂行され、多くの場合熱応力、及び/または熱支援を含む。後側に対するプロセス(後側コーティング、及び/または後側構造化)の後に、前側の保護フィルム、または付着されていた層組成が除去される。この後に、多くの場合、ウェーハは後側を下向きにして(活性的な前側を上向きにして)ソーイング(鋸引き用)フィルム(膨張フィルムまたはフレーム)上に配置される。最後に、回転分離用ディスク、または他の機械的ソーイングデバイスによってウェーハが鋸引きされる(ウェーハが分離した構造的部分に分割される)。これに関連して、個々の場合においてはレーザ分離方法が既に使用されている。個々の場合においてはウェーハはこの手順によっても割れを生じるので、個々の場合においてはスコアリングを含む支持方法が使用されたり、またはウェーハはエッチングプロセスによって分割される。普通のプロセスを用いると、割れ、または他の破損の危険性を増加させることなく薄いウェーハを処理及び輸送することは極めて困難である。これらの困難さは、特に、薄くする手順の後に、ウェーハがその薄い厚みに比して大きい機械的応力を受けなければならないことが原因である。これらの応力は、特に、
a)薄くする手順中にウェーハの前側を保護するための保護フィルム、または保護層をストリップまたは剥離(切り離し)する時に、
b)ソーイングフィルム上にウェーハを配置する時に、
c)薄くする手順と、ウェーハの分離(ウェーハを複数の部分、即ちダイまたはチップに分離する)との間の輸送中に、
発生し、全ての製造ステップは多分これらの間に行われる。しかしながら、特にこれらの応力は、後側をコーティングする間に発生する。
これらの従来のプロセスを使用すると、薄くされたウェーハ、即ち後側が既に薄くされているウェーハの既に分割された部分(ダイ)を経済的にコーティングすることが極めて困難であり、若干の場合には不可能である。現在では、これを達成しようとすると、ウェーハの割れ、及び/または他の型の破損のために大きい製造損失が発生し、及び/またはこのような破損を回避するためにかなりな手動測定が必要になる。これに関連して、現時点においては、一般的にウェーハ、及び/または分割されたウェーハ部分を、極めて複雑な、及び/または極めて注意深い手法で手動で、及び/または複雑な装置によって取扱わなければならない。この困難さは、ウェーハの材料厚みが極めて薄いこと、及び/または多分既に分割されたウェーハ部分の数が多いことが主因である。
本発明の第1の面は、ウェーハを処理するためのプロセス、及び装置を提供するという目的に基づいており、この面によれば、薄くされた後のウェーハの製造シーケンスが簡易化され、より経済的に系統立てることが可能になり、薄いウェーハの処理(特に、後側のコーティング)が容易になる。更に、本発明は、ウェーハを薄くし、後側をコーティングし、分割し、そしてそれらの間に行われる全ての製造ステップを含むプロセスステップ中に、ウェーハをより確実に、及び経済的に取扱うことを可能にすべきである。特定的には、それによってウェーハが割れる危険性を減少させるべきである。
上述した目的は、一方の側(前側)上に構成要素を担持しているウェーハを処理するプロセスによって達成される。このプロセスは、
−ウェーハの前側に、ウェーハの前側と接触する少なくとも1つの中間層と、キャリヤー層とを含む層システムを付着させるステップと、
−ウェーハの後側を薄くするステップと、
を含み、後側を薄くする間、層システムがウェーハ、またはウェーハの部分を保護または担持(保持)する。
−ウェーハを(予備)構造化する付加的なステップを有する。この構造化は、後側が薄くされる間、または爾後の後側の処理及びウェーハの分割の間に、形成された構造が開放されるように、研削、及び/またはスコアリング、及び/または化学的エッチング、及び/または物理的エッチングによって遂行される。
−(a)ウェーハに対する層システムの付着力、または(b)ウェーハの側に接する層システムの層、好ましくは中間層に対するキャリヤー層の付着力を弱めるステップを含む。この手順の目的は、特定的には真空デバイス、または別の機械的除去デバイスによるウェーハの分割された部分の除去を可能にすることであり、特に好ましいことは、いわゆるブルーテープをウェーハの後側に付着させる必要をなくすことである。
a)中間層がウェーハの前側、及びキャリヤー層と接触するように、層システムをウェーハの前側に付着させるステップと、
b)キャリヤー層を硬化、及び/または焼固させるステップと、
c)ウェーハの後側を薄くするステップと、
d)ウェーハの後側を平滑化し、この平滑化によって、好ましくはウェーハの分割がもたらされるか、または促進されるように、及び/またはウェーハの薄くされた後側のコーティングが促進されるようにウェーハの機械的特性を変更するステップと、
e)薄くされたウェーハの後側をコーティングし、このコーティングの間、層システムにウェーハ、及び/またはウェーハの部分を保護または担持させるステップと、
f)ウェーハの構成要素を分割し、この分割の間、層システムにウェーハ、及び/またはウェーハの部分を保護または担持させ、且つ層システムが分離しないようにするステップと、
g)中間層を、キャリヤー層から、またはウェーハから、またはウェーハの(既に分割された)部分から、好ましくは機械的に切り離すステップと、
を含む。
−ウェーハの前側と、キャリヤー層とに接触している少なくとも1つの中間層を含む層システムを、ウェーハの前側に付着させる手段と、
−ウェーハの後側を薄くする手段と、
を備え、上記ウェーハの後側を薄くする手段は、コーティングの間、層システムに、前側に層システムが設けられているウェーハ、及び/またはウェーハの部分を保護、または担持させるように設計されており、
上記装置は、オプションとして、
−ウェーハの薄くされた後側をコーティングする手段、
を備え、上記コーティング手段は、コーティングの間、層システムに、ウェーハ、及び/またはウェーハの部分を保護、または担持させるように設計されており、及び/または
−ウェーハの構成要素を分割する手段、
を備え、上記分割手段は、分割の間、層システムに、ウェーハ、及び/またはウェーハの部分を保護、または担持させるように設計されており、上記分割は、分離したステップとして遂行されるか、または薄くするステップによって実現され、分割中に層システムは分離されるか、または分離されず、及び/または
−ウェーハを、研削、及び/またはスコアリング、及び/または化学的エッチング、及び/または物理的エッチングによって構造化する手段、
を備え、上記構造化手段は、後側を薄くする間に、または爾後に後側を処理してウェーハを分割する間に、形成される構造が開放されるように装置の他の構成要素と共働し、及び/または
−(a)ウェーハに対する付着された層システムの付着力、または(b)ウェーハの側上の層システムの隣接する層、好ましくは中間層に対するキャリヤー層の付着力を弱める手段、及び/または
−ウェーハ、またはウェーハの部分を層システムから切り離す手段、
を備えている。
本発明は、電子構成要素、IC、センサ等を生産するために、ウェーハの製造及び取扱いの達成を大幅に技術的ならしめる長所を可能にする。製造は簡易化され、本発明によるプロセスを用いるとより費用有効になる。更に、より簡単な、より経済的な、そしてより信頼できる手法で、ウェーハの厚みをより薄くすることができる。
以下の説明においては、ウェーハは構成要素(即ち、特定的には電子構成要素)の形成を含む製造ステップ、及び/または機械的構造化、またはコーティング手順を既に通過しているものとする。
以下に説明する本発明の第1の面の別の好ましい変更は、特許請求の範囲の従属請求項にも記載されている。
a)構成要素が配列されているウェーハの前側を中間層でコーティングするステップと、
b)ウェーハの前側上にキャリヤー層をコーティングするステップと、
c)キャリヤー層を硬化及び/または焼固させるステップと、
d)ウェーハをその後側から所望の厚みまで薄くするステップと、
e)薄くされたウェーハを改良する目的のために、化学的及び/または機械的プロセスによってウェーハの後側を処理して機械的特性を改善するステップと、
f)ウェーハの後側を1つの層でコーティングするステップと、
g)キャリヤー層を分離することなくウェーハを分割するステップと、
h)ウェーハの部分に対するキャリヤー層の付着力を弱めるステップと、
を含み、好ましいことには、ステップe)乃至h)を如何なる順序で遂行することも可能であり、及び/またはこれらのステップの個々のステップ、または全ステップを省略することができる。
a)中間層を付着させるためのコーティングデバイスと、
b)キャリヤー層を付着させるためのコーティングデバイスと、
c)ウェーハを薄くするためのデバイスと、
d)構成要素を分割するためのデバイスと、
e)ウェーハの後側をコーティングするためのデバイスと、
f)中間層に対するキャリヤー層の付着力を弱めるためのデバイスと、
g)構成要素をキャリヤー層からストリップするためのデバイスと、
を備えている。
もし薄くされ、分割されるウェーハがIC、トランジスタ、ダイオード、センサ等を製造するための製造プロセス内にあれば、電気的及び機械的構造(構成要素)、及び層を付着させる製造ステップの大部分は既に通過している筈である。従って、ウェーハの上側(活性側、即ち構造が位置している側)は、中間層、及び/またはキャリヤー層でカバー、またはコーティングされている。ウェーハが上に配列されている層、及び/または層組成が、例えばフィルムによってキャリヤー上に固定され、及び/または真空吸引デバイスによって原位置に保持される。次いで、ウェーハはユニットシステム内へ送られる。次に、ウェーハを薄くするプロセスが遂行される。このようにして、例えば研削、ラッピング、及び/またはエッチングのような公知の方法によって、ウェーハの厚みが薄くされる。
技術的な理由から、輸送、または次の処理ステップのために表面を保護するように、表面を一時的にカバーする必要があることが多い。広く使用されている方法は、例えば自動車を顧客まで輸送する間に塗装を保護するためにその部分を接着フィルムでカバーしたり、または一時的にビークルに宣伝用資料を貼ることからなる。更に、塗装作業(タッチアップ塗装)の場合には、修理する箇所の周囲の領域をカバーするために、フィルムで一時的にカバーすることが広く使用されている。
しかしながら、薄い厚みは長所を提供するだけではなく、特にウェーハを更に処理する場合の困難さをももたらす。即ち、極めて薄いウェーハは益々割れ易くなり、機能コーティング内の応力によって曲がり易くなる。更に、その熱容量は極めて低くなり、爾後の処理ステップに重大な困難さと挑戦とをもたらす。これは、特に、約370℃乃至380℃の温度を使用しなければならない後側の金属化、及びコーティングされるウェーハに保証すべき真空適応性に影響を与える。ウェーハの質量が大幅に減少している、従って同様に熱容量が大幅に減少していることは、高い金属化温度によって電気回路が大幅により高度にロードされることを意味する。
本発明の第2の面の目的は、上述した従来技術の欠点を解消することである。この目的は、キャリヤー層、及びキャリヤー層とウェーハとの間に配列されている中間層を有するウェーハによって達成される。この中間層はウェーハに付着しているプラズマ重合層であり、且つキャリヤー層に対してはウェーハよりも強く付着している。これに関連して、半導体産業において普通に使用されているプロセス(中間層にはPECVD、またはプラズマ重合、またキャリヤー層の付着には好ましくはスピンコーティング)が使用されているので、より詳細な説明は省略する。
−真空中において本質的な部分が蒸発すべきではないこと、
−分離活性物資(例えば、Wacker Chemie製のAK5乃至AK50のようなシリコンオイル)であるべきこと、
という要求を満足しなければならない。
a)ウェーハを供給するステップと、
b)プラズマ重合中間層がウェーハに付着しているような中間層を有するウェーハを準備するステップと、
c)中間層がウェーハに対するよりもキャリヤー層により堅固に付着するように、キャリヤー層を中間層に付着させるステップと、
を含み、好ましくはウェーハの前側は電子構成要素を有する活性層を含み、中間層はこの前側上に配列される。
−キャリヤー層、及びキャリヤー層とウェーハとの間に配列されている中間層とを有するウェーハを、上述した本発明によるプロセス(好ましくは、本発明の第2の面に関して説明したプロセス)によって製造するステップを含み、薄くするウェーハをステップa)において供給し、更に
−ウェーハの後側を薄くするステップ、
を含む。更に、ウェーハの後側を金属化するプロセスは、
−キャリヤー層、及びキャリヤー層とウェーハとの間に配列されている中間層とを有するウェーハを、上述した本発明によるプロセス(好ましくは、本発明の第2の面に関して説明したプロセス)によって製造し、オプションとして薄くするステップと、
−ウェーハの後側に金属層を付着させるステップと、
を含む。
液体前駆体としてチェーン長50の線状ポリジメチルシロキサン(AK 50, Wacker Chemie)を使用し、処理すべきシリコンウェーハに50nmの層厚で均一に塗布した。予備試験においては、AK 50は真空中において高い抵抗を呈した。次いで、準備済みのウェーハをプラズマ重合ユニット内へ導入し、以下の表1に示すパラメータを使用して更にコーティングした。これに関連して、ウェーハは、コーティング手順のパート1の間に補助デバイスによってカバーしたが、このカバーリングはパート2の開始時に除去された。このカバーリングは、ウェーハをプラズマに曝す前に、安定なプラズマ及びガス状態を発生させるのに役立つ。典型的には、プラズマプロセスの開始時に実際にトランジェント相が発生し、これは界面に、及び/または液体前駆体に望ましくない影響を及ぼし得る(上述)。
手順は例3を参照されたい。パラメータは次の表2に示す。
Claims (25)
- キャリヤー層(4)、及び前記キャリヤー層(4)とウェーハとの間に配列されている中間層(3)を有するウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)であって、
前記中間層(3)は前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)に付着しているプラズマ重合化層であり、且つ前記キャリヤー層(4)に対しては前記ウェーハよりも強く付着している、
ことを特徴とするウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。 - 前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)は、シリコンからなることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)は、ドープされたシリコンからなることを特徴とする請求項1又は2に記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)は、その表側に電子構成要素を有する活性層(2)を含み、前記中間層(3)は前記表側上に配列されることを特徴とする請求項1乃至3の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記中間層(3)は勾配層であるか、及び/または前記キャリヤー層(4)に隣接する接着性ゾーン(3b)及び前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)に隣接する弱接着性ゾーン(3a)を含み、前記接着性ゾーン(3b)及び弱接着性ゾーン(3a)は異なる物質からなることを特徴とする請求項1乃至4の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記中間層(3)は、一体構成要素として始めは液体前駆体を前記ウェーハの側上に含むことを特徴とする請求項1乃至5の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記中間層(3)は、350℃までの温度において、前記ウェーハと、前記キャリヤー層(4)とに付着されることを特徴とする請求項1乃至6の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記中間層(3)は、380℃までの温度において、前記ウェーハと、前記キャリヤー層(4)とに付着されることを特徴とする請求項1乃至6の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記中間層(3)は、400℃までの温度において、前記ウェーハと、前記キャリヤー層(4)とに付着されることを特徴とする請求項1乃至6の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記中間層(3)は、残滓を生ずることなく前記ウェーハからストリップできることを特徴とする請求項1乃至9の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記中間層(3)と前記ウェーハとは、機械的に切り離すことができることを特徴とする請求項1乃至10の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記キャリヤー層(4)は、ポリマー材料からなることを特徴とする請求項1乃至11の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- 前記中間層(3)は、前記ウェーハの熱伝導度よりも10%だけ低い熱伝導度を有していることを特徴とする請求項1乃至12の1つに記載のウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)。
- キャリヤー層(4)、及び前記キャリヤー層(4)とウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)との間に配列されている中間層(3)とを有するウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)の製造プロセスにおいて、
a)ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)を供給するステップと、
b)プラズマ重合化層である中間層(3)が前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)に付着されているような、中間層(3)を有する前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)を準備するステップと、
c)前記中間層(3)が、前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)に対するよりも前記キャリヤー層(4)に対してより堅固に付着するように、前記キャリヤー層(4)を前記中間層(3)に付着させるステップと、
を含むことを特徴とするプロセス。 - 前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)は、その表側に電子構成要素を有する活性層を含み、前記中間層(3)は前記表側上に配列されていることを特徴とする請求項14に記載のプロセス。
- 前記ステップb)において、前記中間層(3)は前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)上に堆積され、前記堆積は、形成される前記中間層(3)が勾配層であるか、及び/または前記キャリヤー層(4)を付着させるための接着性ゾーン(3b)、及び/または前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)に接する弱接着性ゾーン(3a)を含むように堆積条件を時間と共に変化させることを特徴とする請求項14又は15に記載のプロセス。
- 前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)は、前記ステップb)の前に液体前駆体で濡らすことを特徴とする請求項14乃至16の1つに記載のプロセス。
- 前記液体前駆体は、分離活性物質であることを特徴とする請求項17に記載のプロセス。
- 前記液体前駆体は、浸漬、噴霧、またはスピンコーティングプロセスによって前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)に塗布されることを特徴とする請求項17又は18に記載のプロセス。
- 前記ステップb)は、前記液体前駆体が橋かけされて前記中間層(3)の一体構成要素になるように遂行されることを特徴とする請求項17乃至19の1つに記載のプロセス。
- ウェーハ(1、2)を薄くするプロセスにおいて、
−キャリヤー層(4)、及びキャリヤー層(4)とウェーハ(1、2)との間に配列されている中間層(3)を有する前記ウェーハ(1、2)を、請求項14乃至20の1つに記載のプロセスによって製造するステップを含み、薄くする前記ウェーハ(1、2)は前記ステップa)において準備し、更に
−前記ウェーハ(1、2)の裏側を薄くするステップ、
を含むことを特徴とするプロセス。 - ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)の裏側を金属化するプロセスにおいて、
−キャリヤー層(4)、及び前記キャリヤー層(4)とウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)との間に配列されている中間層(3)を有する前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)を、請求項14乃至21の1つに記載のプロセスによって製造するステップと、
−前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)の裏側に金属層を付着させるステップと、
を含むことを特徴とするプロセス。 - 中間層(3)及びキャリヤー層(4)は、前記裏側が薄くされた後に、及び/または前記裏側が金属化された後に、前記ウェーハ(1b、2;1c、2)から再度除去されることを特徴とする請求項21又は22に記載のプロセス。
- 前記ステップa)において、個々の要素に分離するように準備されたウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)が供給されることを特徴とする請求項14乃至23の1つに記載のプロセス。
- 前記ウェーハ(1、2;1b、2;1c、2)の個々の要素への分離は、前記中間層(3)及び前記キャリヤー層(4)を薄くするか、または除去することによって遂行されることを特徴とする請求項24に記載のプロセス。
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