JP4933809B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate processing apparatus determination program - Google Patents
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Description
本発明は半導体装置を製造する1工程であり、基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の基板処理を行う基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus which is a process for manufacturing a semiconductor device and performs substrate processing such as thin film formation, impurity diffusion, annealing, and etching on a substrate.
半導体装置の製造方法の1工程である基板処理工程に於いては、処理炉内にシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板を装入し、処理炉を密閉し、基板を加熱しつつ処理ガスを導入して、薄膜の生成、不純物の拡散、アニール、エッチング等の基板処理が行われ、基板処理が完了すると、処理炉内が不活性ガス等によりガスパージされる。その後、処理炉を開放して処理済みの基板を取出す等がされていた。 In the substrate processing step, which is one step of the semiconductor device manufacturing method, a silicon wafer, a glass substrate or the like is placed in a processing furnace, the processing furnace is sealed, and a processing gas is introduced while heating the substrate. Then, substrate processing such as thin film formation, impurity diffusion, annealing, and etching is performed. When the substrate processing is completed, the inside of the processing furnace is purged with an inert gas or the like. Thereafter, the processing furnace was opened and the processed substrate was taken out.
前記処理ガスはキャリアガスと共に供給され、処理炉がガスパージされる場合、処理ガスの供給停止、排気装置による処理炉内の排気、続いて処理炉内にパージガスの供給等が実行され、処理ガスの給排、キャリアガスの給排、パージガスの給排はそれぞれの管路に設けられたバルブの開閉によって行われる。バルブの開閉及び開閉のタイミングは基板処理内容が設定されたレシピに従って決定されている。 When the processing gas is supplied together with the carrier gas and the processing furnace is purged, the processing gas supply is stopped, the exhaust in the processing furnace is exhausted, and then the purge gas is supplied into the processing furnace. Supply / discharge, supply / discharge of carrier gas, and supply / discharge of purge gas are performed by opening and closing valves provided in the respective pipe lines. The opening / closing timing of the valve and the opening / closing timing are determined in accordance with a recipe in which the substrate processing content is set.
従来、基板の処理内容(処理温度、ガス種、ガス流量、処理圧力等の制御パラメータ)を設定したレシピは、基板処理装置の制御装置に予め設定入力され、バルブの開閉は通常レシピに従って、前記制御装置がバルブの開閉を制御している。 Conventionally, a recipe in which the processing content of a substrate (control parameters such as processing temperature, gas type, gas flow rate, processing pressure, etc.) is set and inputted in advance to the control device of the substrate processing apparatus, and the opening / closing of the valve is performed according to the normal recipe The control device controls the opening and closing of the valve.
基板処理内容によっては、操作してはいけないバルブ(操作禁止バルブ)があり、操作禁止バルブについては安全の為、ハード的にバルブの開閉状態を拘束するか若しくはプロセス毎に詳細な条件を設け、コントローラソフトに開閉操作の禁止処理を組込んでいる。 Depending on the substrate processing contents, there are valves that should not be operated (operation prohibited valves). For safety reasons, the valve opening / closing state is restricted by hardware, or detailed conditions are set for each process. The controller software incorporates the open / close operation prohibition process.
この為、ハード的にバルブの開閉を拘束すると、異なる基板処理を実行する為のレシピの変更がある度に装置の改造が必要となり、又コントローラソフトで使用禁止処理を行った場合は、やはりソフトの改造が必要となっていた。 For this reason, if the opening and closing of the valve is constrained by hardware, it is necessary to modify the device every time there is a recipe change to execute different substrate processing. It was necessary to remodel.
又、種々の基板処理ができる様に汎用性を求めると、バルブの使用禁止についての確実性が低下するという問題があった。 Further, when versatility is required so that various kinds of substrate processing can be performed, there is a problem that the certainty about prohibition of use of the valve is lowered.
本発明は斯かる実情に鑑み、基板処理の変更があった場合に、対応が可能な様にバルブの使用禁止についての汎用性を増すと共に使用禁止の確実性を増大させるものである。 In view of such circumstances, the present invention increases the versatility of prohibiting the use of a valve and increases the certainty of prohibiting the use so that it is possible to cope with changes in substrate processing.
本発明は、基板処理の内容が記載されたレシピを有し、該レシピの実行指示を行う第1制御手段と、該第1制御手段からの指示に従って、前記レシピを実行する為、制御パラメータを制御する第2制御手段とを具備する基板処理装置であって、前記第1制御手段は、予め作成されたレシピに対応してバルブの開閉情報を予め規定したテーブルと、基板処理を実際に実行する為に設定したレシピに規定されたバルブの開閉情報と前記テーブルに規定されたバルブの開閉情報とを比較し整合性を判定する判定手段とを有する基板処理装置に係るものである。 The present invention has a recipe contents of board processing has been described, the first control means intends row an execution instruction of the recipe, according to an instruction from the first control means, for executing the recipe, control It met the substrate processing apparatus and a second control means for controlling a parameter, the first control means, in fact a table defining the opening and closing information of the valve in advance corresponding to the recipe that was created previously, the substrate processing The present invention relates to a substrate processing apparatus having determination means for comparing the valve opening / closing information specified in the recipe set for execution with the valve opening / closing information specified in the table to determine consistency.
本発明によれば、基板処理の内容が記載されたレシピを有し、該レシピの実行指示を行う第1制御手段と、該第1制御手段からの指示に従って、前記レシピを実行する為、制御パラメータを制御する第2制御手段とを具備する基板処理装置であって、前記第1制御手段は、予め作成されたレシピに対応してバルブの開閉情報を予め規定したテーブルと、基板処理を実際に実行する為に設定したレシピに規定されたバルブの開閉情報と前記テーブルに規定されたバルブの開閉情報とを比較し整合性を判定する判定手段とを有するので、実行しようとするレシピが間違ったバルブの使用を実行しようとした場合の判定が行われ、誤った基板処理の実行を未然に防止できる。又、異なるレシピを実行したい場合は、バルブの使用を規定したテーブルの内容を変更すれば対応が可能であるので、汎用性が向上する等の優れた効果を発揮する。 According to the present invention, it has a recipe contents of board processing has been described, the first control means intends row an execution instruction of the recipe, according to an instruction from the first control means, for executing the recipe , met the substrate processing apparatus and a second control means for controlling a control parameter, wherein the first control means comprises a table defining the opening and closing information of the valve in advance corresponding to the recipe that was created previously, the substrate processing the actual opening and closing information of the valve as defined in the set recipe for executing a comparison between the opening and closing information of the valve defined in said table and a determining means for determining consistency of the recipe to be executed In this case, a determination is made when an attempt is made to use the wrong valve, thereby preventing the wrong substrate processing from being executed. If different recipes are to be executed, it can be dealt with by changing the contents of the table that regulates the use of the valve, so that excellent effects such as improved versatility are exhibited.
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
先ず本発明に係る基板処理装置について説明する。 First, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described.
尚、基板処理装置は、半導体装置(IC)の製造工程の1つである基板処理工程を実施する。又、以下の説明では、基板処理装置の一例として縦型炉を具備して基板に酸化処理、CVD成膜処理、拡散処理、アニール処理等を行う縦型の基板処理装置について説明する。 The substrate processing apparatus performs a substrate processing process which is one of the manufacturing processes of a semiconductor device (IC). In the following description, a vertical substrate processing apparatus that includes a vertical furnace as an example of a substrate processing apparatus and performs oxidation processing, CVD film formation processing, diffusion processing, annealing processing, etc. on the substrate will be described.
図1及び図2に示されている様に、基板処理装置1は筐体2を備えている。該筐体2の正面壁3の正面前方部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口4が開設され、該正面メンテナンス口4は正面メンテナンス扉5によって開閉される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
前記筐体2の正面壁3にはポッド搬入搬出口6が前記筐体2の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口6はフロントシャッタ(搬入搬出口開閉機構)7によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口6の正面前方側にはロードポート(基板搬送容器受渡し台)8が設置されており、該ロードポート8は載置されたポッド9を位置合せする様に構成されている。
A pod loading /
該ポッド9は、密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート8上に搬入され、又、該ロードポート8上から搬出される様になっている。
The
前記筐体2内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚(基板搬送容器格納棚)11が設置されており、該回転式ポッド棚11は複数個のポッド9を格納する様に構成されている。
A rotary pod shelf (substrate transfer container storage shelf) 11 is installed at an upper portion of the
前記回転式ポッド棚11は垂直に立設されて間欠回転される支柱12と、該支柱12に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板(基板搬送容器載置棚)13とを備えており、該棚板13はポッド9を複数個宛それぞれ載置した状態で格納する様に構成されている。
The
前記回転式ポッド棚11の下方には、ポッドオープナ(基板搬送容器蓋体開閉機構)14が設けられ、該ポッドオープナ14は前記ポッド9を載置し、又該ポッド9の蓋を開閉可能な構成を有している。
A pod opener (substrate transfer container lid opening / closing mechanism) 14 is provided below the
前記ロードポート8と前記回転式ポッド棚11、前記ポッドオープナ14との間には、ポッド搬送装置(容器搬送装置)15が設置されており、該ポッド搬送装置15は、前記ポッド9を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート8、前記回転式ポッド棚11、前記ポッドオープナ14との間で前記ポッド9を搬送する様に構成されている。
A pod transfer device (container transfer device) 15 is installed between the
前記筐体2内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体16が後端に亘って設けられている。該サブ筐体16の正面壁17にはウェーハ(基板)18を前記サブ筐体16内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)19が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口19,19に対して前記ポッドオープナ14がそれぞれ設けられている。
A
該ポッドオープナ14は前記ポッド9を載置する載置台21と、前記ポッド9の蓋を開閉する開閉機構22とを備えている。前記ポッドオープナ14は前記載置台21に載置された前記ポッド9の蓋を前記開閉機構22によって開閉することにより、前記ポッド9のウェーハ出入れ口を開閉する様に構成されている。
The
前記サブ筐体16は前記ポッド搬送装置15や前記回転式ポッド棚11が配設されている空間(ポッド搬送空間)から気密となっている移載室23を構成している。該移載室23の前側領域にはウェーハ移載機構(基板移載機構)24が設置されており、該ウェーハ移載機構24は、ウェーハを載置する所要枚数(図示では5枚)のウェーハ載置プレート25を具備し、該ウェーハ載置プレート25は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構24はボート(基板保持具)26に対してウェーハ18を装填及び払出しする様に構成されている。
The
前記移載室23の後側領域には、前記ボート26を収容して待機させる待機部27が構成され、該待機部27の上方には縦型の処理炉28が設けられている。該処理炉28の下端部は、炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ(炉口開閉機構)29により開閉される様になっている。
In the rear region of the
前記筐体2の右側端部と前記サブ筐体16の前記待機部27の右側端部との間には前記ボート26を昇降させる為のボートエレベータ(基板保持具昇降機構)31が設置されている。該ボートエレベータ31の昇降台に連結されたアーム32には蓋体としてのシールキャップ33が水平に取付けられており、該シールキャップ33は前記ボート26を垂直に支持し、前記処理炉28の下端部を気密に閉塞可能となっている。
A boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 31 for raising and lowering the
前記ボート26は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウェーハ18を、その中心を揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。
The
前記ボートエレベータ31側と対向した位置にはクリーンユニット35が配設され、該クリーンユニット35は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア34を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構24と前記クリーンユニット35との間には、ウェーハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置(図示せず)が設置されている。
A
前記クリーンユニット35から吹出されたクリーンエア34は、ノッチ合せ装置(図示せず)及び前記ウェーハ移載機構24、前記ボート26に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体2の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット35の吸込み側である一次側(供給側)に迄循環され、再び該クリーンユニット35によって、前記移載室23内に吹出される様に構成されている。
The
次に、本発明の処理装置の作動について説明する。 Next, the operation of the processing apparatus of the present invention will be described.
前記ポッド9が前記ロードポート8に供給されると、前記ポッド搬入搬出口6が前記フロントシャッタ7によって開放される。前記ロードポート8の上の前記ポッド9は前記ポッド搬送装置15によって前記筐体2の内部へ前記ポッド搬入搬出口6を通して搬入され、前記回転式ポッド棚11の指定された前記棚板13へ載置される。前記ポッド9は前記回転式ポッド棚11で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置15により前記棚板13からいずれか一方のポッドオープナ14に搬送されて前記載置台21に移載されるか、若しくは前記ロードポート8から直接前記載置台21に移載される。
When the
この際、前記ウェーハ搬入搬出口19は前記開閉機構22によって閉じられており、前記移載室23には前記クリーンエア34が流通され、充満されている。例えば、前記移載室23にはクリーンエア34として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が20ppm以下と、前記筐体2の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
At this time, the wafer loading / unloading
前記載置台21に載置された前記ポッド9はその開口側端面が前記サブ筐体16の前記正面壁17に於ける前記ウェーハ搬入搬出口19の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構22によって取外され、ウェーハ出入れ口が開放される。
The opening side end surface of the
前記ポッド9が前記ポッドオープナ14によって開放されると、ウェーハ18は前記ポッド9から前記ウェーハ移載機構24によって取出され、ノッチ合せ装置(図示せず)に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ18を整合した後、前記ウェーハ移載機構24はウェーハ18を前記移載室23の後方にある前記待機部27へ搬入し、前記ボート26に装填(チャージング)する。
When the
該ボート26にウェーハ18を受渡した前記ウェーハ移載機構24はポッド9に戻り、次のウェーハ18を前記ボート26に装填する。
The
一方(上段又は下段)のポッドオープナ14に於ける前記ウェーハ移載機構24によるウェーハ18の前記ボート26への装填作業中に、他方(下段又は上段)のポッドオープナ14には前記回転式ポッド棚11から別のポッド9が前記ポッド搬送装置15によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ14によるポッド9の開放作業が同時進行される。
During the loading operation of the
予め指定された枚数のウェーハ18が前記ボート26に装填されると、前記炉口シャッタ29によって閉じられていた前記処理炉28の炉口部が、前記炉口シャッタ29によって開放される。続いて、前記ボート26は前記ボートエレベータ31によって上昇され、前記処理炉28内へ搬入(ローディング)される。
When a predetermined number of
ローディング後は、前記シールキャップ33によって炉口部が気密に閉塞され、前記処理炉28にてウェーハ18に所要の処理が実行される。
After loading, the furnace port is hermetically closed by the
処理後は、ノッチ合せ装置(図示せず)でのウェーハ18の整合工程を除き、上記と逆の手順で、ウェーハ18及びポッド9は前記筐体2の外部へ払出される。
After the processing, the
次に、前記処理炉28について図3により説明する。
Next, the
該処理炉28は加熱手段としてのヒータ38を有する。該ヒータ38は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース39に支持されることにより垂直に設置されている。
The
前記ヒータ38の内側には、該ヒータ38と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ41が配設されている。該プロセスチューブ41は内部反応管42と、その外側に同心に設けられた外部反応管43とから構成されている。
Inside the
前記内部反応管42は、例えば石英(SiO2 )又は炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状であり、前記外部反応管43は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状となっている。
The
前記内部反応管42の内部には処理室44が画成され、該処理室44にはウェーハ18が前記ボート26によって保持され、収容可能となっている。該ボート26は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、所定枚数のウェーハ18を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート26の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板61が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、前記ヒータ38からの熱がマニホールド45側に伝わり難くなる様構成されている。
A
前記外部反応管43の下方には、該外部反応管43と同心円状に前記マニホールド45が配設されている。該マニホールド45は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状となっており、該マニホールド45の上端に前記外部反応管43が気密に立設され、前記マニホールド45の内壁に突設された内フランジ46に前記内部反応管42が立設されている。前記プロセスチューブ41と前記マニホールド45により反応容器が形成される。
Below the
前記シールキャップ33にはガス導入部としてのノズル50が前記処理室44に連通する様に設けられ、前記ノズル50にはガス供給管47が接続されている。該ガス供給管47には、ガス流量制御器48を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ガス流量制御器48には、ガス流量制御部49が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
The
前記マニホールド45には、前記処理室44の雰囲気を排気する排気管51が設けられている。該排気管51は、前記内部反応管42と前記外部反応管43との間に形成される筒状空間52の下端部に連通している。前記排気管51には圧力センサ53及び圧力調整装置54を介して真空ポンプ等の真空排気装置55が接続されており、前記処理室44の圧力が所定の圧力(真空度)となる様真空排気し得る様に構成されている。
The manifold 45 is provided with an
前記圧力調整装置54及び前記圧力センサ53には、圧力制御部56が電気的に接続されており、該圧力制御部56は前記圧力センサ53により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置54により前記処理室44の圧力が所望の圧力となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
A
前記マニホールド45の下端開口部は炉口部を形成し、該炉口部は前記シールキャップ33によって気密に閉塞可能である。該シールキャップ33は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。該シールキャップ33の下面側には、前記ボート26を回転させる回転機構57が設置されている。該回転機構57の回転軸58は前記シールキャップ33を貫通してボート受け台59に連結されており、前記ボート26を回転させることでウェーハ18を回転させる様に構成されている。前記シールキャップ33は前記ボートエレベータ31によって垂直方向に昇降される様に構成されており、これにより前記ボート26を前記処理室44に対し装入引出しすることが可能となっている。前記回転機構57及び前記ボートエレベータ31には、駆動制御部60が電気的に接続されており、所望の作動をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
The lower end opening of the manifold 45 forms a furnace port, and the furnace port can be airtightly closed by the
前記筒状空間52には温度センサ62が前記内部反応管42の下部から上部に掛渡って立設されている。前記ヒータ38と前記温度センサ62には、電気的に温度制御部63が接続されており、該温度制御部63は前記温度センサ62により検出された温度情報に基づき前記ヒータ38への通電状態を調整することにより前記処理室44の温度が所望の温度分布となる様に制御する。
In the
前記ガス流量制御部49、前記圧力制御部56、前記駆動制御部60、前記温度制御部63は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部64に電気的に接続されている。前記ガス流量制御部49、前記圧力制御部56、前記駆動制御部60、前記温度制御部63、前記主制御部64は制御装置65として構成されている。
The gas flow
次に、上記構成に係る処理炉28を用いて、半導体デバイスの製造工程の1工程として、CVD法によりウェーハ18上に薄膜を生成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の作動は制御装置65により制御される。
Next, a method of forming a thin film on the
所定枚数のウェーハ18が前記ボート26に装填されると、該ボート26は、前記ボートエレベータ31によって上昇されて前記処理室44に装入される。この状態で、前記シールキャップ33は炉口部を気密に閉塞する。
When a predetermined number of
前記処理室44が所望の圧力(真空度)となる様に前記真空排気装置55によって真空排気される。この際、前記処理室44の圧力は、前記圧力センサ53で検出され、検出結果に基づき前記圧力調整装置54が、前記処理室44の圧力をフィードバック制御する。
The
又、該処理室44が所望の温度となる様に前記ヒータ38によって加熱される。この際、前記処理室44が所望の温度分布となる様に前記温度センサ62が検出した温度情報に基づき前記ヒータ38への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構57により、前記ボート26が回転される。該ボート26と一体にウェーハ18が回転され、該ウェーハ18に対する処理が均一化される。
Further, the
次に、処理ガス供給源(図示せず)から処理ガスが供給され、前記ガス流量制御器48にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管47を流通して前記ノズル50から前記処理室44に導入される。導入されたガスは該処理室44を上昇し、前記内部反応管42の上端開口で折返し、前記筒状空間52を流下して前記排気管51から排気される。ガスは前記処理室44を通過する際にウェーハ18の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウェーハ18の表面上に薄膜が成膜される。
Next, a processing gas is supplied from a processing gas supply source (not shown), and the gas controlled to have a desired flow rate by the gas
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源(図示せず)から不活性ガスが供給され、前記処理室44が不活性ガスに置換されると共に、該処理室44の圧力が常圧に復帰される。
When a preset processing time elapses, an inert gas is supplied from an inert gas supply source (not shown), the
前記ボートエレベータ31により前記シールキャップ33を介して前記ボート26が降下される。
The
処理後の処理済みウェーハ18の搬出については、上記説明の通りである。
The unloading of the processed
尚、一例迄、本実施の形態の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、酸化膜の成膜に於いては、処理温度850℃、処理圧力200Pa、ガス種、ガス供給流量H2 、O2 等、30〜6SLMが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。 As an example, the processing conditions for processing a wafer in the processing furnace of the present embodiment include, for example, in the formation of an oxide film, a processing temperature of 850 ° C., a processing pressure of 200 Pa, a gas type, and a gas. Examples of the supply flow rates H2, O2, etc. are 30 to 6 SLMs, and the wafer is processed by keeping the respective processing conditions constant at certain values within the respective ranges.
次に、前記制御装置65について図4を参照して説明する。
Next, the
図4中、68はCPU等で構成される制御演算部であり、該制御演算部68には入出力制御部69を介して操作部70が接続されると共に前記制御演算部68にはHDD等の外部記憶装置71が接続される。前記制御演算部68、前記操作部70、前記外部記憶装置71等は第1制御手段66を構成する。
In FIG. 4,
又、前記制御演算部68には入出力制御部72を介して前記ガス流量制御部49、前記圧力制御部56、前記駆動制御部60、前記温度制御部63及びバルブの開閉制御を行うシーケンサ73、バルブの開閉状態、ガスの流れ状態を表示するガスパターン表示パネル74等が接続されている。前記ガス流量制御部49、前記圧力制御部56、前記駆動制御部60、前記シーケンサ73、前記ガスパターン表示パネル74等は第2制御手段67を構成する。
The
前記操作部70は、表示部75、キーボード(図示せず)等を具備し、レシピの作成、設定入力、或は予め作成されたレシピの入力を行う。尚、前記表示部75をタッチパネルとし、キーボードは省略されてもよい。
The
前記外部記憶装置71はプログラム格納部76、データ格納部77を具備し、前記プログラム格納部76にはプロセスを実行する為のプロセスプログラム、プロセスに対応するレシピを実行する為のレシピプログラム、バルブの使用禁止状態を判定する判定プログラム、シーケンスを実行する為のシーケンスプログラム等、基板処理をする為に必要な基板処理プログラムが格納され、前記データ格納部77にはレシピ78、使用禁止状態を設定した使用禁止バルブ設定テーブル79、処理中の前記処理室44の温度、圧力、ガス流量等のデータが記録される。
The
本発明では、実行される基板処理に対応して、使用禁止をすべきバルブについての使用禁止バルブ設定テーブル79を作成し、基板処理を実行する為のレシピを設定入力した場合、設定されたレシピで使用されるバルブが前記使用禁止バルブ設定テーブル79で設定したバルブの使用状態と整合性がとれているかどうかが判断され、適正であれば、基板処理が実行され、整合性がとれていない場合は、アラームを発して基板処理の実行をキャンセルするものである。 In the present invention, in response to the substrate processing to be executed, the use prohibition valve setting table 79 for the valve to be prohibited is created, and when the recipe for executing the substrate processing is set and inputted, the set recipe is set. It is determined whether or not the valve used in the step is consistent with the use state of the valve set in the prohibited valve setting table 79, and if it is appropriate, the substrate processing is executed and the consistency is not achieved. Is to issue an alarm and cancel execution of the substrate processing.
図5〜図8により、バルブの使用禁止の設定、設定の変更等について説明する。 With reference to FIG. 5 to FIG. 8, setting of prohibition of use of the valve, change of setting, and the like will be described.
先ず、基板処理に対応した前記使用禁止バルブ設定テーブル79を作成し、前記操作部70、前記制御演算部68を介して前記データ格納部77に格納する。尚、前記使用禁止バルブ設定テーブル79は基板処理を実行する準備として、処理毎に作成し、設定入力してもよく、或は予め基板処理の内容に応じた使用禁止バルブ設定テーブル79をそれぞれ作成し、前記データ格納部77に格納しておいて、基板処理の内容が決定されると、その内容に対応する使用禁止バルブ設定テーブル79が選択される様にしてもよい。
First, the use prohibition valve setting table 79 corresponding to the substrate processing is created and stored in the
該使用禁止バルブ設定テーブル79は、図5に示される様に配管に設けられたバルブに固有の番号を付し、処理の内容に応じて使用禁止バルブを設定したものである。 In the use prohibition valve setting table 79, as shown in FIG. 5, a unique number is assigned to a valve provided in the pipe, and the use prohibition valve is set according to the contents of processing.
図6は配管とバルブの関係を示す模式図であり、第1分岐管81と第2分岐管82が合流して第1配管83を構成し、第3分岐管84と第4分岐管85が合流して第2配管86を構成し、前記第1分岐管81、前記第2分岐管82、第3分岐管84、第4分岐管85にはそれぞれNo.1バルブ87、No.2バルブ88、No.3バルブ89、No.4バルブ90が設けられている。
FIG. 6 is a schematic diagram showing the relationship between the pipe and the valve. The
又、基板処理装置は4種類の基板処理A,B,C,Dを行うものとし、各基板処理毎に使用禁止バルブ設定テーブル79として、使用禁止バルブ設定テーブルA,B,C,Dが作成され、該使用禁止バルブ設定テーブルA,B,C,Dは前記データ格納部77に格納されるものとする。
Further, the substrate processing apparatus performs four types of substrate processing A, B, C, and D, and the use prohibition valve setting tables A, B, C, and D are created as the use prohibition valve setting table 79 for each substrate processing. The prohibited valve setting tables A, B, C, and D are stored in the
尚、使用禁止バルブ設定テーブル79の内容としては、例えば使用禁止バルブ設定テーブルAについては、図7に示される様に、前記No.1バルブ87と前記No.3バルブ89が使用され、前記No.2バルブ88と前記No.4バルブ90とが使用禁止される。
As the contents of the use prohibition valve setting table 79, for example, with respect to the use prohibition valve setting table A, as shown in FIG. 1
例えば、Aの基板処理を実行するとして、前記操作部70より基板処理Aが実行される様に、操作設定する。又、前記操作部70により基板処理Aを実行する為のレシピを作成する。基板処理Aは複数のステップにより実行され、前記レシピは各ステップ毎の処理条件、例えば供給するガスの種類、ガスの流量、ガスを供給するタイミング、又ガスの供給に伴うバルブの開閉等を設定する。前記レシピは前記データ格納部77に設定入力される。
For example, assuming that the substrate process A is executed, the operation setting is performed so that the substrate process A is executed by the
前記操作部70より基板処理Aを開始する指令が入力されると、レシピが呼込まれると共に前記外部記憶装置71から基板処理Aに対応する使用禁止バルブ設定テーブルAが呼込まれ、又バルブの使用禁止状態を判定する判定プログラムが展開される。レシピに書込まれたバルブの使用条件に基づき設定要求が為され、前記判定プログラムにより設定要求と前記使用禁止バルブ設定テーブルAの設定状態とが比較される。この設定状態の比較は、前記使用禁止バルブ設定テーブルAとレシピ全体を予め読込む等して比較してもよいし、又前記使用禁止バルブ設定テーブルAの設定状態とレシピの各ステップを読込む等して比較してもよい。
When a command for starting the substrate processing A is input from the
レシピからのバルブ設定内容と前記使用禁止バルブ設定テーブルAの設定内容との整合がとれていない場合は、アラームが発せられる。該使用禁止バルブ設定テーブルAの設定内容と整合していない場合として、例えば基板処理Aを実行するのに基板処理B用のレシピが設定された場合等である。アラームは、前記表示部75にレシピによる設定が誤りである旨のメッセージが表示される、警告灯が点滅される、ブザーが鳴らされる等である。更に実行時にマニュアル操作等で誤ったバルブを開閉した場合も前記使用禁止設定テーブルAの設定内容と整合していないとしてアラームが発生される。
When the valve setting contents from the recipe and the setting contents of the prohibited valve setting table A are not consistent, an alarm is issued. An example of a case where the setting contents of the prohibited valve setting table A do not match is a case where a recipe for the substrate processing B is set to execute the substrate processing A. The alarm is such that a message indicating that the setting by the recipe is incorrect is displayed on the
又、アラームが発せられると同時に基板処理の指令がキャンセルされる。このことで、作業者は、基板処理を実行する場合の設定に誤りがあったことを知ることができ、更に基板処理がキャンセルされることで、不良処理の発生等が防止できる。 In addition, the substrate processing command is canceled at the same time that an alarm is issued. As a result, the operator can know that there is an error in the setting for executing the substrate processing, and the substrate processing is canceled, so that the occurrence of defective processing can be prevented.
又、レシピからのバルブ設定内容と前記使用禁止バルブ設定テーブルAの設定内容とが整合している場合は、使用禁止バルブの設定が行われ、更に前記プログラム格納部76からシーケンスプログラム等基板処理を実行する為の基板処理プログラムが展開される。
Further, when the valve setting contents from the recipe and the setting contents of the use prohibition valve setting table A match, the use prohibition valve is set, and the board processing such as a sequence program is performed from the
該基板処理プログラムに基づき前記ガス流量制御部49、前記圧力制御部56、前記駆動制御部60、前記温度制御部63、前記ガスパターン表示パネル74が駆動制御される。更に、前記基板処理プログラムに基づき前記シーケンサ73にバルブ開閉の制御指令が発せられ、該シーケンサ73によって前記No.1バルブ87と前記No.3バルブ89の開閉が制御される。
The gas flow
尚、実行される基板処理でのバルブの使用、使用禁止は、設定入力されたレシピのバルブの使用状態を前記判定プログラムが前記使用禁止バルブ設定テーブルAによりチェックしているので、バルブの使用禁止は確実である。 Note that the use / prohibition of the valve in the substrate processing to be executed means that the use of the valve is prohibited because the judgment program checks the use state of the valve of the recipe that has been set and input according to the prohibition valve setting table A. Is certain.
次に、基板処理Bを実行する場合は、前記使用禁止バルブ設定テーブルBが呼込まれ、使用するバルブは前記No.2バルブ88、前記No.4バルブ90、使用禁止バルブは前記No.1バルブ87、前記No.3バルブ89と設定され、基板処理Cを実行する場合は、使用するバルブは前記No.2バルブ88、前記No.3バルブ89、使用禁止バルブは前記No.1バルブ87、前記No.4バルブ90と設定され、基板処理Dを実行する場合は、使用するバルブは前記No.1バルブ87、前記No.4バルブ90、使用禁止バルブは前記No.2バルブ88、前記No.3バルブ89と設定される。
Next, when executing the substrate processing B, the unusable valve setting table B is called in, and the valve to be used is the No. 2
前記判定プログラムは、実行される基板処理に対応した使用禁止バルブ設定テーブル79に基づきレシピで使用されるバルブをチェックし、それぞれ整合がとれている場合は、基板処理を実行し、又整合がとれていない場合は前記制御演算部68の判定結果を基にアラームを発する。
The determination program checks the valves used in the recipe based on the use prohibition valve setting table 79 corresponding to the substrate processing to be executed, and executes the substrate processing if they are consistent with each other. If not, an alarm is issued based on the determination result of the
而して、基板処理が変った場合は、基板処理に対応した使用禁止バルブ設定テーブル79により、レシピで使用されるバルブが確実にチェックされるので、誤ったレシピが実行され、不良品が発生することが防止される。 Thus, when the substrate processing changes, the valves used in the recipe are surely checked by the use prohibition valve setting table 79 corresponding to the substrate processing, so that an incorrect recipe is executed and a defective product is generated. Is prevented.
又、基板処理A〜D以外の、更に異なる基板処理を行う場合は、処理に対応する使用禁止バルブ設定テーブル79を作成して追加すればよく、基板処理ソフトの変更、或はハードの設定変更等を必要としない。従って、汎用性に富んでおり、1つの基板処理装置で複数の処理や膜種に対応できる。例えば、基板処理AがCVD、基板処理Bが酸化膜を形成する処理、基板処理Cがアニール処理とすることも可能である。又、基板処理Aも基板処理Bも同じCVDだが、基板処理Aが金属膜で基板処理Bが窒化膜又は酸化膜とすることも可能である。 Further, when performing different substrate processing other than the substrate processing A to D, it is only necessary to create and add a use prohibition valve setting table 79 corresponding to the processing, change the substrate processing software, or change the hardware setting. Etc. are not required. Therefore, it is rich in versatility, and can handle a plurality of processes and film types with one substrate processing apparatus. For example, the substrate process A may be CVD, the substrate process B may be an oxide film process, and the substrate process C may be an annealing process. The substrate processing A and the substrate processing B may be the same CVD, but the substrate processing A may be a metal film and the substrate processing B may be a nitride film or an oxide film.
尚、本発明は半導体装置の基板処理装置に限らず、LCD装置を製造する基板処理装置にも実施可能であり、又横型の基板処理装置に対しても実施可能である。又、基板処理についても、ガスを使用する全ての処理に適応ができることは言う迄もない。 The present invention is not limited to a substrate processing apparatus for a semiconductor device, but can be applied to a substrate processing apparatus for manufacturing an LCD device, and can also be applied to a horizontal type substrate processing apparatus. Needless to say, substrate processing can be applied to all processing using gas.
(付記)
尚、本発明は以下の実施の態様を含む。
(Appendix)
The present invention includes the following embodiments.
(付記1)ガスの給排に伴うバルブの開閉等の基板処理内容が記載されたレシピと、複数のステップで構成される前記レシピを作成する為の表示部(操作画面)と、前記レシピの実行指示を行う制御演算部とを有する第1制御手段と、該第1制御手段からの指示に従って、前記レシピを実行する為、制御パラメータを制御する第2制御手段とを具備する基板処理装置に於いて、前記第1制御手段は前記レシピに対応してバルブの使用を規定したテーブルと、前記レシピに規定したバルブの規定内容と前記テーブルの規定内容とを比較し整合性を判定する判定手段とを有することを特徴とする基板処理装置。 (Supplementary note 1) Recipe in which the contents of substrate processing such as opening and closing of valves accompanying gas supply / discharge are described, a display unit (operation screen) for creating the recipe composed of a plurality of steps, A substrate processing apparatus comprising: a first control unit having a control operation unit that issues an execution instruction; and a second control unit that controls a control parameter to execute the recipe in accordance with an instruction from the first control unit. The first control means is a determination means for comparing the table defining the use of the valve corresponding to the recipe, and comparing the specified contents of the valve specified in the recipe with the specified contents of the table to determine consistency. And a substrate processing apparatus.
(付記2)ガスの給排に伴うバルブの開閉等の基板処理内容が記載されたレシピと、複数のステップで構成される前記レシピを作成する為の表示部(操作画面)と、前記レシピの実行指示を行う制御演算部とを有する第1制御手段と、該第1制御手段からの指示に従って、前記レシピを実行して基板処理を行う為、制御パラメータを制御する第2制御手段とを具備する基板処理装置に於いて、前記第1制御手段は前記基板処理に対応してバルブの使用を規定したテーブルと、前記基板処理を実行する場合に実行する前記レシピに規定したバルブの規定内容と前記テーブルの規定内容とを比較し整合性を判定する判定手段とを有することを特徴とする基板処理装置。 (Supplementary note 2) Recipe in which the contents of substrate processing such as opening and closing of valves accompanying gas supply and discharge are described, a display unit (operation screen) for creating the recipe composed of a plurality of steps, A first control unit having a control calculation unit for performing an execution instruction; and a second control unit for controlling a control parameter to execute the recipe and perform substrate processing in accordance with an instruction from the first control unit. In the substrate processing apparatus, the first control means includes a table that defines the use of the valve corresponding to the substrate processing, and the specified content of the valve defined in the recipe that is executed when the substrate processing is performed. A substrate processing apparatus comprising: a determination unit that compares the prescribed contents of the table to determine consistency.
(付記3)前記第1制御手段は、前記レシピを実行する際に、該レシピのステップ全体を予めチェック(読込んで)して、各ステップで動作を設定されたバルブと、予め登録されていた前記テーブルに設定されたバルブとを比較し整合性を判定する判定手段を有する付記1又は付記2の基板処理装置。
(Supplementary note 3) When the recipe is executed, the first control means checks (reads) the entire steps of the recipe in advance, and is pre-registered with a valve whose operation is set in each step. The substrate processing apparatus according to
(付記4)前記第1制御手段は、前記判定手段が整合性がとれていないと判定した場合、前記第2制御手段への指示を与えない付記1乃至付記3の基板処理装置。
(Supplementary note 4) The substrate processing apparatus according to
(付記5)前記第1制御手段は、前記判定手段が整合性がとれていないと判定した場合、更に警告を表示する付記4の基板処理装置。
(Additional remark 5) The said 1st control means is a substrate processing apparatus of
(付記6)ガスの給排に伴うバルブの開閉等の基板処理内容が記載されたレシピと、該レシピの実行指示を行う制御演算部とを有する第1制御手段と、該第1制御手段からの指示に従って、前記レシピを実行する為、制御パラメータを制御する第2制御手段とを具備する基板処理装置に於いて、テーブルに前記レシピに対応したバルブの使用を規定し、レシピを実行する場合に実行するレシピに規定したバルブの規定内容と前記テーブルの規定内容とを比較し整合性を判定することを特徴とする基板処理方法。 (Additional remark 6) The 1st control means which has the recipe which described the board | substrate process content, such as opening and closing of the valve accompanying gas supply / discharge, and the control operation part which performs the execution instruction of this recipe, From this 1st control means In the substrate processing apparatus having the second control means for controlling the control parameter in order to execute the recipe in accordance with the instructions of the above, the use of the valve corresponding to the recipe is specified on the table and the recipe is executed A substrate processing method comprising: comparing the prescribed contents of a valve prescribed in a recipe to be executed and the prescribed contents of the table to determine consistency.
(付記7)基板処理がレシピによって実行され、ガスの給排に伴うバルブの開閉等の基板処理内容が記載されたレシピと、該レシピの実行指示を行う制御演算部とを有する第1制御手段と、該第1制御手段からの指示に従って、基板処理を実行する為、制御パラメータを制御する第2制御手段とを具備する基板処理装置に於いて、テーブルに基板処理に対応してバルブの使用を規定し、基板処理を実行する場合に実行する基板処理に規定したバルブの規定内容と前記テーブルの規定内容とを比較し整合性を判定することを特徴とする基板処理方法。 (Additional remark 7) The 1st control means which has a recipe by which the board | substrate process was performed by the recipe and the board | substrate process content, such as opening and closing of a valve accompanying gas supply / discharge, was described, and a control calculation part which performs the execution instruction of this recipe And a second control means for controlling the control parameter in order to execute the substrate processing in accordance with an instruction from the first control means, the use of a valve corresponding to the substrate processing on the table The substrate processing method is characterized in that consistency is determined by comparing the specified content of the valve specified in the substrate processing to be executed when executing the substrate processing with the specified content of the table.
(付記8)ボートに複数の基板を装填するステップと、前記ボートを処理炉に装入するステップと、所定の温度及び所定の圧力に一定とするステップと、所定のガスを流しながら基板に処理を施すステップと、前記ボートを前記処理炉から搬出するステップと、基板を前記ボートから取出すステップとを有する基板処理方法であって、前記基板処理を施すステップを実行する前に、テーブルに規定したバルブの規定内容とレシピに規定したバルブの規定内容を比較し整合性を判定するステップを有することを特徴とする基板処理方法。 (Supplementary Note 8) A step of loading a plurality of substrates into a boat, a step of charging the boat into a processing furnace, a step of making a predetermined temperature and a predetermined pressure constant, and processing a substrate while flowing a predetermined gas A substrate processing method comprising: a step of carrying out the substrate processing; a step of unloading the boat from the processing furnace; and a step of removing the substrate from the boat; A substrate processing method comprising a step of comparing the prescribed contents of a valve and the prescribed contents of a valve defined in a recipe to determine consistency.
1 基板処理装置
2 筐体
28 処理炉
41 プロセスチューブ
66 第1制御手段
67 第2制御手段
68 制御演算部
70 操作部
71 外部記憶装置
75 表示部
76 プログラム格納部
77 データ格納部
78 レシピ
79 使用禁止バルブ設定テーブル
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JPH10312967A (en) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Kokusai Electric Co Ltd | Material gas controller for semiconductor manufacturing device |
US6734020B2 (en) * | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
JP2003077782A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | Manufacturing method for semiconductor device |
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