JP4901086B2 - 一体化された光学素子およびアライメントポストを有する面発光レーザパッケージ - Google Patents

Description

本発明は、一般に、半導体デバイスのパッケージングに関し、特に、面発光レーザデバイスのパッケージングに関する。

光送受信器用のレーザダイオードなどのオプトエレクトロニクス（光電子）デバイスは、ウェハ加工技術を使用して効率的に製造できる。一般的には、ウェハ加工技術では多数の（たとえば数千）デバイスをウェハ上に同時に形成する。ついでウェハを分離した個別のチップに切断する。多数のチップを同時に製造することによりチップごとのコストは抑えられるが、各個別のチップは、チップを保護し、チップ上のデバイスを使用するための電気的および光学的インタフェースを提供するシステムにパッケージングおよび／または組み立てなければならない。
オプトエレクトロニクスデバイスを含むパッケージまたはシステムのアセンブリは、多数の光学構成要素を半導体デバイスとアライメントしなければならないので、しばしば高価なものになる。たとえば、光送受信器チップの送信側は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）の面に対して垂直な方向で光信号を放出するＶＣＳＥＬを含む場合がある。レーザからの光信号を集光するかまたは変え、光信号と外部の光ファイバとの結合を改善するために、典型的にはレンズまたは他の光学素子が必要である。レーザ、レンズ、光ファイバは、光サブアセンブリ（ＯＳＡ）を製造するアセンブリプロセスの間にアライメントすることができる。アライメントプロセスは、ファイバに結合される光パワーを測定しながらレーザの相対的な位置を調節することを含む、時間も費用もかかるプロセスになりうる。光結合効率が最大のレベルになるかまたは認められるレベルになると、レーザ、レンズ、光ファイバの相対的な位置をロックする。レーザの相対的な位置を調節しロックする機構により、ＯＳＡのコストと複雑さが高まる可能性がある。さらに、アライメントとアセンブリのプロセスは一般に、パッケージごとに別々に行わなければならない。
ウェハレベルのパッケージングは、オプトエレクトロニクスデバイスのパッケージングのサイズとコストを下げる有望な技術である。ウェハレベルのパッケージングでは、従来は別々に形成し取り付けていた構成要素を、多数のパッケージに相当する１つのウェハ上に製造する。この結果得られる構造を分離した個別のパッケージに分けるために切断することができる。

パッケージングされたオプトエレクトロニクスデバイスの大きさおよび／またはコストを下げることのできるパッケージング技術と構造が求められている。

本発明の一態様によれば、面発光レーザまたはＶＣＳＥＬを含むパッケージは、レンズなどの一体化された光学素子を有するキャップを含む。キャップはキャビティを画定する開口部を有するスペーサリングと、一体化された光学素子を含むふた基板とを含む２片構造を有することができる。

キャップは、レーザを環境から守る密封されたキャビティを形成するように、レーザに電気接続を提供するサブマウントに取り付けることができる。光信号がキャップを横切る位置でアライメントポストをキャップに取り付けることができる（たとえば接着剤で接着するかまたはエポキシ接着する）。ついで、アライメントポストを接合用スリーブの一端に嵌合させ、光フェルールをスリーブの別の端に嵌合させることによって、この光サブアセンブリ（ＯＳＡ）をさらに組み立てることができる。フェルールは光ファイバを収納する。アライメントポストに光ファイバーが隣接し、スリーブは、光信号をファイバに効率的に結合する位置でフェルールを保持する。

本発明の１つの例としての実施形態は、面発光レーザ、サブマウント、およびキャップを含むアセンブリである。レーザは上面から光信号を放出する。サブマウントはレーザに電気接続されたトレースを含む。キャップはレーザを囲むキャビティ（好ましくは密封されたキャビティ）を形成するようにサブマウントに取り付けられ、光信号の経路内に光学素子を含む。サブマウント内のトレースは、一般に、キャビティ内にあってチップに接続された内部ボンディングパッドを、キャビティの外側でアクセス可能な端子に電気的に接続する。

キャップの１つの実施形態は、サブマウントに取り付けられたスペーサリングと、スペーサリングに取り付けられたプレートを含む。スペーサリングは光信号を透過しなくてもよいシリコン基板から形成することができ、プレートは、光信号を透過するガラスなどの材料で作成する。光学素子はプレートに一体化してもよいしまたは取り付けてもよい。ポストは、キャップを通る光信号の経路に沿った位置でキャップに取り付けることができる。

本発明の別の特定の実施形態はパッケージングプロセスである。パッケージングプロセスは、チップをそれぞれ第１のウェハのサブマウント領域に電気接続することを含む。各チップは上面から光信号を放出する。キャップを第１のウェハに接合する。各キャップは穴を有するスペーサと、光信号を透過し光学素子を組み込んだプレートと、を含むことができる。キャップは第２のウェハのそれぞれの領域であってよく、キャップをサブマウントに接合することは、第２のウェハを第１のウェハに接合することに相当する。ついでチップを第１のウェハとそれぞれのキャップとの間のそれぞれのキャビティの中に封入し、各チップについて、対応するキャップ内の光学素子を、チップからの光信号を受信する位置に配置する。ついで、チップを含む個別のパッケージに分離するために、作成された構造を切断することができる。

キャップは、半導体基板上にエッチング停止層上面を形成することと、エッチング停止層を覆う複数の光学素子を形成することと、光学素子を覆う透明なプレートを取り付けることと、光学素子の下の半導体基板を通して穴を形成することと、によって製造することができる。

異なる図面に同じ参照記号を使用する場合、同様な品目または同一の品目を示す。

本発明の一態様では、オプトエレクトロニクスデバイスを含むパッケージは、サブマウントと、オプトエレクトロニクスデバイスからの光信号のための一体化された光学素子を伴うキャップとを含む。サブマウントとキャップは、ウェハ加工技術を使用して形成することができ、キャップは、光学素子を含むように処理されたふた基板を含むことができる。光学素子は、別の光デバイスまたは光ファイバに結合するために、オプトエレクトロニクスデバイスからの光信号を集束する。

これらのパッケージのためのウェハレベルの製造プロセスでは、多数のキャップを含む第１のウェハを、多数のサブマウントを含む第２のウェハに取り付ける。オプトエレクトロニクスデバイスはウェハの接合で形成された多数のキャビティ内にある。キャビティは密封されて、封入されたオプトエレクトロニクスデバイスを保護することができる。個別のパッケージに分けるために、接合されたウェハを含む構造が切断される。

図１は、本発明の一実施形態によるウェハレベルのパッケージングプロセスの間に製造される構造１００を示す。構造１００は多数の垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）１１０を含む。レーザ１１０は従来の設計であってもよく、当業界で知られた技術を使用して製造することができる。１つの特定の実施形態では、各レーザ１１０は面発光レーザを含む送信部を有する。

各レーザ１１０はサブマウントウェハ１２０とキャップウェハ１３０の間に形成されたキャビティ１４０のうちの１つの中にある。図１の実施形態では、レーザ１１０はサブマウントウェハ１２０に取り付けられ電気接続されるが、別法としては、レーザ１１０をキャップウェハ１３０に取り付けてもよい。レーザ１１０は従来のダイ取付け装置を使用して、所望の位置に接着または別の方法で取り付けることができる。構造１００においてはワイヤボンディングがレーザ１１０のボンディングパッド１１５を、サブマウントウェハ１２０上の内部ボンディングパッド１２２に接続する。

サブマウントウェハ１２０は、レーザ１１０を外部端子１２４に接続する、ボンディングパッド１２２および電気トレースまたはビア（via）（図示せず）などの回路素子を含む。図１は、外部端子１２４がサブマウントウェハ１２０の上面にある実施形態を示すが、別法としては、外部端子はサブマウントウェハの底面に備えてもよい。さらに、トランジスタ、増幅器、光ダイオード、またはモニタ／センサなどの能動素子（図示せず）をサブマウントウェハ１２０に組み込んでもよい。

キャップウェハ１３０は、サブマウントウェハ１２０上のレーザ１１０に対応する領域内に、くぼみまたはキャビティ１４０を含むように製造する。ウェハ１３０は、光信号を透過しキャビティ１４０を形成するのに適したシリコン、石英などの任意の材料から作成することができる。キャビティ１４０は種々の方法で形成することができ、その方法の中には、成型、鋳造、超音波機械加工、（異方性、等方性、プラズマ）エッチングが含まれるが、これらに限定されるものではない。

レンズまたはプリズムなどの光学素子１６０を、レーザ１１０からの光信号の経路に沿ってキャップウェハ１３０に取り付けるか一体化することができる。図１では、光学素子１６０は、ウェハ１３０に取り付けられ、図１には示さない光ファイバまたは他の光学素子にさらに良好に結合させるために光信号を集束する役割を果たすレンズである。「Optical Fiber Coupler having a Relaxed Alignment Tolerance（緩和されたアライメント許容範囲を有する光ファイバカプラ）」という題名の米国特許出願第１０／２１０，５９８号は、光信号を光ファイバに結合することが望ましい場合の、光学素子１６０に適した二焦点回折レンズを開示する。

サブマウントウェハ１２０とキャップウェハ１３０とを位置合わせして、接合する。種々のウェハ接合技術が知られ、ウェハ１２０と１３０を取り付けるために使用することができる。この中にはハンダ付け、熱圧縮接合、接着剤による接合が含まれるが、これらに限定されるものではない。本発明の例としての実施形態では、金／錫共晶ハンダを使用するハンダによりウェハ１２０と１３０を互いに取り付け、キャビティ１４０を密封する。キャビティ１４０の密封により、封入されたチップ１１０が環境による損傷から保護される。

ウェハ１２０と１３０を接合した後、構造１００を切断して、各々がキャビティ１４０の中に密封されたレーザ１１０を含む個別のパッケージを作成することができる。図１に示すように、ソー（saw）チャネル１４２をキャップウェハ１３０内に形成し、外部端子１２４を損傷せずに外部端子１２４の上方でウェハ１３０を切断することができる。ついで個別のパッケージに分離するために、サブマウントウェハ１２０を切断することができる。

図２は、フリップチップ構造を使用してチップ２１０をサブマウントウェハ２２０に取り付ける、本発明の代替の実施形態による構造２００を示す。フリップチップパッケージングに関しては、チップ２１０上のボンディングパッド２１５は、サブマウントウェハ２２０上の導電ピラーまたはバンプ２２５に接触する位置に配置する。バンプ２２５は一般に、チップ２１０を物理的または電気的にウェハ２２０に取り付けるようにリフローすることができるハンダを含む。アンダーフィル（図示せず）を使用して、レーザ２１０とサブマウントウェハ２２０の間の機械的な一体性を強化してもよい。チップ２１０をサブマウントウェハ２２０に取り付け電気接続する方法を除いては、構造２００は実質的に図１に関して説明した構造１００と同じである。

図１と図２は、１つのウェハレベルのパッケージングプロセスの間に形成される構造を示したが、開示したプロセスの多くの変形例が可能である。特に、キャップウェハ１３０をサブマウントウェハ１２０または２２０に取り付ける代わりに、個別のキャップを形成しサブマウントウェハに取り付けることもできる。これにより、外部端子１２４がサブマウントウェハ１２０の前面または上面にあるときに、外部端子１２４の上方でキャップウェハ１３０を切断する必要がなくなる。さらに、ウェハレベルのプロセスの代わりに、レーザがサブマウントと少なくとも１つの一体化された光学素子を有するキャップとの間のキャビティ内に封入される単一パッケージのために、同様な技術を使用することができる。

図３は、本発明の例としての実施形態による、光デバイスパッケージのためのサブマウント３００の断面図を示す。ウェハレベルのパッケージングプロセスに関しては、サブマウント３００はサブマウントウェハの一部であり、上述のようにサブマウントウェハを接合した後、他の同様なサブマウントから分離すればよい。別法としては、単一パッケージの製造に関しては、光デバイスをサブマウント３００に取り付ける前にサブマウント３００を他の同様なサブマウントから分離することもできる。

サブマウント３００は、共同提出した、代理人整理番号１００３０５６６−１の「Integrated Optics And Electronics（一体化された光学素子と電子回路）」という題名の、米国特許出願番号 の出願に記述されているようなウェハ加工技術を使用して製造することができる。示された実施形態では、サブマウント３００は加工されたシリコン基板または加工されていないシリコン基板のいずれかであってもよく、受動回路構成要素および／または能動回路構成要素を組み込むことができる。

平坦化された絶縁層３３０をシリコン基板３１０上に形成して平らな面を提供し、その面上でメタライゼーションをパターン化することができる。基板３１０内に一体化された回路素子に対する電気接続が望ましい場合、絶縁層３３０内に開口部を形成することができる。本発明の例としての実施形態では、層３３０は約１０，０００Å厚さのＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）層である。

導電トレース３４０と３４５は、たとえば１０，０００Å厚さのＴｉＷ／ＡｌＣｕ／ＴｉＷスタックなどの金属層からパターン形成することができる。例としての実施形態では、金属の蒸着と、望ましくない金属を除去するリフトオフプロセスを含むプロセスによって、トレース３４０と３４５を形成する。絶縁層３３０（たとえば約１０，０００Åの厚さの別のＴＥＯＳ層）を付着させ、トレース３４０と３４５を埋めて絶縁することができる。トレースを埋めた任意の数の層をこの方法で形成することができる。約４，５００Å厚さの層の窒化珪素などの比較的硬く耐薬品性材料のパッシベーション層３５０を上部絶縁層３３５上に形成し、下の構造を保護することができる。層３５０と３３０を介して開口部３７０を形成し、トレース３４０の選択された領域（たとえばボンディングパッド）を、オプトエレクトロニクスデバイスに電気接続するために露出する。

キャップに接合／ハンダ付けするために、金属層３６０（たとえば約５，０００Å厚さのＴｉ／Ｐｔ／Ａｕスタック）をパッシベーション層３５０上に形成する。

図４は、図３のサブマウント３００に取り付けるのに適したキャップ４００の斜視図である。キャップ４００は標準のウェハ加工技術を使用して製造することができる。本発明の例としての実施形態では、シリコン基板４１０の異方性エッチングによりキャビティ４２０を形成する。キャビティ４２０はシリコン結晶構造の＜１１１＞面上に非常に滑らかな切子面４３０を有する。レンズなどの光学素子をキャビティ４２０内に形成することができる。

図５Ａは、本発明の代替の実施形態によるキャップ５００の断面図である。キャップ５００はスタンドオフリング５１２と裏打ちプレート５２０とを含む２つの部分の構造を有する。キャップ５００の利点は、２つの層５１２と５２０を別々に加工することができるか、および／または異なる材料で作成できることである。特に、スタンドオフリング５１２は標準のシリコンウェハ加工を使用して作成し、プレート５２０は所望の波長の光を透過するガラスなどの材料で作成することができる。現在のＶＣＳＥＬは典型的には、シリコンが吸収する波長（たとえば８５０ｎｍ）を有する光を生成し、ガラス（ナトリウムを含むガラスなど）などの材料から作成されるウェハは、多くのシリコンウェハ製造設備では適切ではない可能性があるため、上の点は重要である。

図５Ｂは、光学素子５３０の製造の間に形成される構造を示す。製造プロセスは薄いシリコン基板５１２で開始する（たとえば、２７５μｍの厚さのシリコンウェハ）。シリコン用のエッチング停止として機能することのできる、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）または他の材料のエッチング停止層５１４を、約０．５μｍの厚さに形成する。

ついで、薄いポリシリコン層５１６（たとえば約１μｍまたは１μｍ未満）をエッチング停止層５１４上に付着させる。ポリシリコン層５１６は、光学素子５３０を形成するための基板としての機能を有するが、パッケージングされたレーザから放出される波長の光を透過する程度に充分に薄い。一例では、たとえば、ポリシリコンと酸化物の層を交互に重ね、回折レンズまたは屈折レンズの所望の形または特徴を構成することによって、レンズ５３０を層５１６上に形成する。共同提出した、代理人番号１００３０７６９−１、「Methods to Make Diffractive Optical Elements（回折光学素子を作成する方法）」という題名の米国特許出願番号 の出願は、レンズ５３０の製造に適したいくつかのプロセスを説明している。

ＴＥＯＳなどの材料の平坦化された透明な層５１８をレンズ５３０上に付着させ、ガラス裏打ちプレート５２０へ接合するための平らな面を提供する。図５Ｃに示すように、裏打ちプレート５２０がナトリウムガラス板であるときには、たとえば陽極接合によって裏打ちプレート５２０を層５１８に接合する。最後に基板５１２の裏側の一部をエッチング停止層５１４までエッチングして、図５Ａに示すようなキャビティ５４０を形成する。キャビティ５４０の上に残るシリコンの厚さは薄いので、所望の波長の光が光学素子５３０を横切ることができる。

プレート５２０の接合と基板５１２のエッチングは一般的にウェハレベルで完成し、多数のキャップ５００が同時に形成される。ついでサブマウントに接合する前または接合した後に、接合したウェハから個別のキャップ５００を切断することができる。

サブマウント３００およびキャップ４００または５００を使用して光デバイスパッケージを組み立てるために、従来のダイ取付けおよびワイヤボンディングプロセス、または、別法としてはフリップチップパッケージングプロセスを使用してオプトエレクトロニクスデバイスをサブマウント３００上に装着する。サブマウント３００上のトレース３４０への電気接続によりチップに電力を供給し、データ信号をチップとの間でやりとりすることができる。キャップ４００または５００はチップを取り付けた後にサブマウント３００に取り付ける。これは上記のように単一パッケージレベルまたはウェハレベルのいずれでも行うことができる。キャップとサブマウントとを一緒にした場合に、ハンダリフロープロセスにより、封入されたチップを保護する密封が作成されるように、サブマウント３００および／またはキャップ４００または５００上にＡｕＳｎ（または他のハンダ）をパターン形成することにより、密封を得ることができる。

図６は、本発明の一実施形態による光サブアセンブリ（ＯＳＡ）６００を示す。ＯＳＡ６００は面発光レーザ６１０を含む。レーザ６１０は、サブマウント６２０上に装着され電気接続され、好ましくは、キャップ６３０がサブマウント６２０に接合されるとキャビティ６４０内に密封される。図６は、フリップチップ技術によりチップ６１０のボンディングパッド６１２をサブマウント６２０上のそれぞれの導電バンプ６２２に電気接続する実施形態を示す。別法としては上述のワイヤボンディングを使用して、ＶＣＳＥＬをサブマウントに接続してもよい。

サブマウント６２０は、レーザ６１０へ外部から電気接続するための外部端子６２４を含むように加工された基板である。一実施形態では、サブマウント６２０は、導電バンプ６２２と外部ボンディングパッド６２４との間に直接電気接続を提供する、図３に示されたトレースを含む。別法としては、サブマウント６２０はさらに、同じパッケージに含まれていてもよいレーザ６１０または他のチップ（たとえば受信器またはモニタ光ダイオード）を共に使用するための能動回路を含んでいてもよい。

キャップ６３０は、上述の任意の技術を使用してサブマウント６２０に接合することができ、例としての実施形態では、ハンダによりキャップ６３０をサブマウント６２０に接合する。この結果、レーザ６１０はキャップ６３０とサブマウント６２０との間でキャビティ６４０内に密封することができる。

図６に示すように、キャップ６３０は図５に関して上述したようなスペーサリング６３２とふたプレート６３４とを含む多層構造である。光デバイス６５０をプレート６３４に一体化する。レーザ６１０は、光信号が光デバイス６５０とキャップ６３０を直接介するように方向づける。本発明の例としての実施形態では、光学素子６５０は、光ファイバに結合するために光信号を集束する回折レンズまたは屈折レンズ（たとえば二焦点回折レンズ）である。

ポスト６６０を、光がキャップ６３０から出る位置でキャップ６３０に取り付ける（たとえばエポキシ接着または接着剤接着）。ポスト６６０はオプトエレクトロニクスデバイス６１０から放出された光を光ファイバに位置合わせするアライメント機構としての機能を持つ。本発明の一実施形態では、ポスト６６０はビームプロファイルより大きな内径を有する中空のシリンダである。したがってポスト６６０は金属などの任意の適切な耐久性のある材料で作成することができる。別法としては、ポスト６６０は光透過材のシリンダまたは球などの立体の構造であってもよい。光デバイスを含むパッケージのアライメントポストはさらに、共同提出された、代理人整理番号第１００３０４４２−１、「Alignment Post for Optical Subassemblies Made With Cylindrical Rods, Tubes, Spheres, or Similar Features（円筒状のロッド、チューブ、球、または同様な機構で作成された光サブアセンブリのためのアライメントポスト）」という題名の米国特許出願番号 の出願に説明される。

図７はＯＳＡ６００を含む光アセンブリ７００を示す。アセンブリ７００は、光ファイバ７３０を収容するフェルール７２０を囲むスリーブ７１０を含む。フェルール７２０と光ファイバ７３０は、図７には部分的に示されている従来の光ファイバコネクタの一部であってよい。スリーブ７１０は基本的には金属などの適切な耐久性のある材料で作成された中空のシリンダであり、パッケージ６００のポスト６６０とフェルール７２０とを受け入れる穴を有する。

ポスト６６０の上面はファイバ停止としての機能を有し、光送信器（たとえばＶＣＳＥＬ６１０）に対する光ファイバ７３０の「ｚ」位置を制御する。ポスト６６０の外径によりスリーブ７１０のｘ−ｙ面における位置が決まる。このようにして、フェルール７２０の中の光ファイバ７３０はｘ−ｙ面内でポスト６６０に対して中心になり、これによってチップ６１０から放出された光を光ファイバの中央に入れる。したがって、パッケージ６００の製造中に所望の長さを有するポスト６６０を正しく配置することにより、光信号を効率的に結合するための光ファイバ７３０のアライメントが簡単になる。

本発明を特定の実施形態を参照して説明したが、この説明は本発明の用途の例に過ぎず、限定ととるべきではない。開示された実施形態の特徴の種々の適応および組み合わせも、付随する請求項が定義する本発明の範囲にある。

電気接続にワイヤボンディングを使用する、本発明の一実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスのウェハレベルのパッケージングプロセスの間に形成される構造の一部の断面図である。 電気接続にフリップチップ構造を使用する、本発明の一実施形態による半導体光デバイスのウェハレベルのパッケージングプロセスの間に形成される構造の一部の断面図である。 本発明の一実施形態による、半導体光デバイスアセンブリのためのサブマウントの断面図である。 本発明の代替の実施形態による、半導体光デバイスパッケージのためのキャップの斜視図である。 本発明の一実施形態によるキャップを製造するプロセスを示す図である。 本発明の一実施形態によるキャップを製造するプロセスを示す図である。 本発明の一実施形態によるキャップを製造するプロセスを示す図である。 面発光レーザ、一体化された光学素子を有するキャップ、およびアライメントポストを含む光サブアセンブリ（ＯＳＡ）の断面図である。 図６のＯＳＡを含む光アセンブリを示す図である。

符号の説明

６００：光サブアセンブリ
６１０：面発光レーザ
６１２：ボンディングパッド
６２０：サブマウント
６２２：導電バンプ
６２４：外部端子
６３０：キャップ
６３２：スペーサリング
６３４：ふたプレート
６４０：キャビティ
６５０：光デバイス
６６０：ポスト
７００：光アセンブリ
７１０：スリーブ
７２０：フェルール
７３０：光ファイバ

Claims (9)

1. 上面から光信号を放出するデバイスと、
   前記デバイスに電気的に接続された電気トレースを含むサブマウントと、
   前記デバイスを囲むキャビティを形成するように、前記サブマウントに取り付けられたキャップと、
   前記キャビティ内において、前記キャップの内側表面上で前記光信号の経路内に存在する光学レンズと、
   前記光信号が前記キャップから出る場所において該キャップの外側表面上に取り付けられ、前記光信号の前記経路と整列されたアライメントポストと、
   を備えている、光デバイスパッケージ。
2. 前記サブマウントが、
   前記キャビティ内にあり前記デバイスに接続された内部ボンディングパッドと、
   前記内部ボンディングパッドに電気的に接続し、前記キャビティの外側でアクセス可能な外部端子と、
   をさらに備えている、請求項１に記載の光デバイスパッケージ。
3. 前記キャップを前記サブマウントに接合することにより、前記キャビティが密封される、請求項１または２に記載の光デバイスパッケージ。
4. 前記キャップが、
   前記サブマウントに取り付けられるスペーサリングと、
   前記スペーサリングに取り付けられるプレートと、
   を備えている、請求項１、２、または３に記載の光デバイスパッケージ。
5. 前記スペーサリングは前記光信号に対して不透明であり、前記プレートは前記光信号に対して透明である、請求項４に記載の光デバイスパッケージ。
6. 前記アライメントポストは、前記光信号のビームプロファイルより大きな内径を有する中空のシリンダを含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光デバイスパッケージ。
7. パッケージング方法であって、
   第１のウェハの複数のサブマウント領域に、各デバイスの上面から光信号が放出される複数のデバイスをそれぞれ電気的に接続するステップと、
   各キャップが、中を貫通する穴を有するスペーサと、前記光信号に対して透明なプレートと、光学レンズと、を有する、複数のキャップを製造するステップと、
   前記キャップを前記第１のウェハに接合するステップであって、前記デバイスは、前記第１のウェハと前記それぞれのキャップとの間のそれぞれのキャビティ内に封入され、各デバイスについて、対応するキャップ内の前記光学レンズが前記デバイスからの光信号を受信するように配置される、ステップと、
   前記光信号が前記キャップから出る場所において該キャップの外側表面上に、前記光信号の経路と整列してアライメントポストを取り付けるステップと、
   前記デバイスを含む複数のパッケージに分離するために、前記第１のウェハを分割するステップと、
   を含み、
   前記複数のキャップを製造するステップは、
   基板の上面上にエッチング停止層を形成するステップと、
   前記エッチング停止層を覆う複数の前記光学レンズを形成するステップと、
   前記光学レンズの下にそれぞれ前記基板を通して穴を形成するステップと、
   を含む、方法。
8. 前記キャップが第２のウェハのそれぞれの領域を備え、前記キャップを前記第１のウェハに接合するステップが、前記第２のウェハを前記第１のウェハに接合するステップを含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記穴を形成するステップが、前記基板の裏面をエッチングするステップを含む、請求項７または８に記載の方法。

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