JP4997503B2 - 半導体超微粒子を含有する組成物及びその製造方法 - Google Patents
半導体超微粒子を含有する組成物及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4997503B2 JP4997503B2 JP2006544803A JP2006544803A JP4997503B2 JP 4997503 B2 JP4997503 B2 JP 4997503B2 JP 2006544803 A JP2006544803 A JP 2006544803A JP 2006544803 A JP2006544803 A JP 2006544803A JP 4997503 B2 JP4997503 B2 JP 4997503B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- ultrafine particles
- semiconductor ultrafine
- ionic liquid
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 194
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 title claims description 183
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims description 101
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 56
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 47
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 43
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 40
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 39
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 19
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 14
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 4
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical compound C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 9
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- 150000001786 chalcogen compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- -1 nanodots Substances 0.000 description 6
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 4
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 4
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCOC(=O)C(C)=C XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 2
- PNGLEYLFMHGIQO-UHFFFAOYSA-M sodium;3-(n-ethyl-3-methoxyanilino)-2-hydroxypropane-1-sulfonate;dihydrate Chemical compound O.O.[Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN(CC)C1=CC=CC(OC)=C1 PNGLEYLFMHGIQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 2
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001889 triflyl group Chemical group FC(F)(F)S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- LLBHHBLFOCEPJC-UHFFFAOYSA-M (4-ethenylphenyl)methyl-dimethyl-octadecylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=C(C=C)C=C1 LLBHHBLFOCEPJC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IQQRAVYLUAZUGX-UHFFFAOYSA-N 1-butyl-3-methylimidazolium Chemical compound CCCCN1C=C[N+](C)=C1 IQQRAVYLUAZUGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- GGMPISPXDJJENY-UHFFFAOYSA-N FC(F)(F)S(=O)(=O)[C](S(=O)(=O)C(F)(F)F)S(=O)(=O)C(F)(F)F Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)[C](S(=O)(=O)C(F)(F)F)S(=O)(=O)C(F)(F)F GGMPISPXDJJENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- INDFXCHYORWHLQ-UHFFFAOYSA-N bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide;1-butyl-3-methylimidazol-3-ium Chemical compound CCCCN1C=C[N+](C)=C1.FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F INDFXCHYORWHLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
陽イオン性分子で表面が被覆された半導体超微粒子が水中に分散した水溶液を疎水性イオン性液体に加え、その混合液を撹拌し、その後に相分離した上相の水を除去することにより、半導体超微粒子が分散されて成るイオン性液体を得るようにしたことを特徴としている。
なお、上記特許文献3には微粒子を含有する分散液にイオン性液体を添加し、微粒子をイオン性液体に取り込む技術が開示されているが、この方法は単に微粒子をイオン性液体中に濃縮させるのみであり、半導体超微粒子に対してこの技術を用いたとしても、その蛍光特性が向上したり、蛍光特性の劣化が防止されるものではなかった。一方、本発明は半導体超微粒子として陽イオン性分子によって表面が被覆された半導体超微粒子を用いるため、イオン性液体中で半導体超微粒子同士がきれいに分散し、先に述べたような優れた蛍光特性が発揮される。
陽イオン性分子で表面が被覆された半導体超微粒子が水中に分散した水溶液を疎水性イオン性液体型モノマーに加え、その混合液を撹拌し、その後に相分離した上相の水を除去し、重合することにより、半導体超微粒子が分散されて成る陽イオン性高分子を得るようにしたことを特徴としている。
11…陽イオン性半導体超微粒子
12…イオン性液体
13…イオン性液体型モノマー
まず、本発明の一実施例による半導体超微粒子を含有する液体組成物の製造方法について説明する。図1はこの製造方法の製造工程を示すフローチャートである。
上記のようにして製造される半導体超微粒子を含有する液体組成物の特性を説明する。図5は図2(c)中のつまり撹拌処理前の上相の半導体超微粒子水溶液と図2(d)中のつまり撹拌処理後の下相の半導体超微粒子イオン性液体溶液との吸収スペクトル特性を比較した図、図6は所定の励起光を照射したときに放出される蛍光スペクトル特性を比較した図である。また、図8は図2(c)の状態の容器と図2(d)の状態の容器とにそれぞれ励起光を照射したときの蛍光の放出状態を捉えた図である。
本発明の一実施例による半導体超微粒子を含有する樹脂組成物の製造方法について説明する。図10はこの製造方法の製造工程を示すフローチャートである。
上記のようにして製造される半導体超微粒子を含有する樹脂組成物の特性を説明する。この樹脂組成物の特性は、本発明に係る液体組成物の有する優れた特性を兼ね備えている。図13は図11(a)中のすなわち撹拌処理前の上相の半導体超微粒子水溶液と図11(b)中のすなわち撹拌処理後の下相の半導体超微粒子イオン性液体型モノマー溶液との吸収スペクトル特性を比較した図である。なお、本例では、2種類の異なるサイズ(直径が約2.0nm及び3.4nm)のCdTe超微粒子を用いている。図14は所定の励起光を照射したときに放出される蛍光スペクトル特性を比較した図である。図15は、本実施例によって得ることができる半導体超微粒子イオン性液体型モノマー溶液(重合前)及び半導体超微粒子を含有する樹脂組成物(重合後)の発光スペクトル特性を比較した図である。
図15からは、重合を行っても発光強度の低下は殆ど発生することがなく、むしろ発光強度の上昇も起こり得ることが分かった。重合後の蛍光量子収率として50〜70%の値が得られており、従来報告されている値が40%以下であることと比較して、本発明に係る半導体超微粒子を含有する樹脂組成物が、従来提案されてきたものよりも遙かに優れた特性を有することが明らかとなった。
以上説明したように本実施例による半導体超微粒子を含有する液体組成物及び半導体超微粒子を含有する樹脂組成物は、半導体超微粒子水溶液と同様の吸収スペクトルを有しながら蛍光量子収率は高く、高い強度で以て蛍光を放出し得る。また、励起光の連続照射に対する蛍光の放出の時間的安定性が高く、ごく低い温度環境下でも使用が可能であるという大きな利点を有している。これら半導体超微粒子を含有する液体組成物及び半導体超微粒子を含有する樹脂組成物は、両者共に優れた特性を有しているため、使用形態やその目的に応じて使い易いものを適宜選択することができ、その自由度や応用範囲はきわめて広い。
(2)レーザ媒質への応用: 本発明に係る液体組成物又は樹脂組成物をレーザ媒質として励起レーザ光を照射すると、イオン性液体溶液中又は樹脂中の半導体超微粒子の粒子径に応じた長波長のレーザ光が出射される。この場合、強励起しても溶媒(イオン性液体)の気化泡発生が生じないという利点がある。特に、樹脂とした場合、容器が不要となるので容器壁による損失を防止し、大きな出力のレーザを得ることができる。
(4)太陽電池: 電流取り出し用の電極に接触して本発明に係る液体組成物又は樹脂組成物を保持する。これらの組成物に太陽光が照射されると、半導体超微粒子が電子を放出し、この電子が電極に流れることで電流が発生する。液体組成物を利用するか、樹脂組成物を利用するかによって、湿式か乾式かを選択することができる。樹脂の方が設置等の際に取り扱いが容易である上、液漏れの問題も存在しない。さらに、樹脂の場合には液体封止機構が不要となるため、軽量化も達成される。したがって、一般家屋の屋根の上に載置する場合等に有利である。
Claims (9)
- 前記半導体超微粒子が分散されて成るイオン性液体に対し、加熱処理を加えることを特徴とする請求項3に記載の半導体超微粒子を含有する液体組成物の製造方法。
- 前記重合前、重合時、重合後のいずれかにおいて加熱処理を加えることを特徴とする請求項5に記載の半導体超微粒子を含有する樹脂組成物の製造方法。
- 請求項1、2及び7のいずれかに記載の液体組成物又は樹脂組成物をインク中に分散させたことを特徴とする偽造防止用インク。
- 請求項1、2及び7のいずれかに記載の液体組成物又は樹脂組成物を含有し、2光子吸収を動作原理として作動することを特徴とする光機能性材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006544803A JP4997503B2 (ja) | 2004-11-19 | 2005-10-06 | 半導体超微粒子を含有する組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004335432 | 2004-11-19 | ||
JP2004335432 | 2004-11-19 | ||
JP2005063334 | 2005-03-08 | ||
JP2005063334 | 2005-03-08 | ||
JP2006544803A JP4997503B2 (ja) | 2004-11-19 | 2005-10-06 | 半導体超微粒子を含有する組成物及びその製造方法 |
PCT/JP2005/018540 WO2006054402A1 (ja) | 2004-11-19 | 2005-10-06 | 半導体超微粒子を含有する組成物及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006054402A1 JPWO2006054402A1 (ja) | 2008-05-29 |
JP4997503B2 true JP4997503B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=36406948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006544803A Active JP4997503B2 (ja) | 2004-11-19 | 2005-10-06 | 半導体超微粒子を含有する組成物及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4997503B2 (ja) |
WO (1) | WO2006054402A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012105782A1 (de) * | 2012-06-29 | 2014-01-02 | RUHR-UNIVERSITäT BOCHUM | Leuchtstoffverbundmaterial und Verfahren zur Herstellung desselben |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008139811A1 (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-20 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 無機ナノ粒子蛍光体の製造方法及び蛍光体標識化合物 |
JP5464540B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2014-04-09 | 独立行政法人 国立印刷局 | 混色蛍光発光を有する印刷物 |
WO2012023691A2 (ko) * | 2010-08-16 | 2012-02-23 | 주식회사 엘지화학 | 인쇄 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법 |
US9716211B2 (en) | 2015-07-22 | 2017-07-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor phosphor nanoparticle, semiconductor phosphor nanoparticle-containing glass, light emitting device, and light emitting element |
JP6173394B2 (ja) * | 2015-08-25 | 2017-08-02 | シャープ株式会社 | ナノ粒子蛍光体及び発光素子 |
US10174886B2 (en) | 2015-07-31 | 2019-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wavelength conversion member and light emitting device |
JP2017110061A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | シャープ株式会社 | 蛍光体含有擬固体 |
JP6158905B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2017-07-05 | シャープ株式会社 | 発光装置または発光装置用蛍光体含有シート |
JP2017110060A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | シャープ株式会社 | 発光性構造体およびそれを用いた発光装置 |
US20170166807A1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor containing particle, and light emitting device and phosphor containing sheet using the same |
JP6158904B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2017-07-05 | シャープ株式会社 | ナノ粒子蛍光体素子及び発光素子 |
US20170352779A1 (en) * | 2016-06-07 | 2017-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nanoparticle phosphor element and light emitting element |
JP2017218574A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | シャープ株式会社 | ナノ粒子蛍光体素子および発光素子 |
JP2017034259A (ja) * | 2016-08-02 | 2017-02-09 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP2017032995A (ja) * | 2016-08-02 | 2017-02-09 | シャープ株式会社 | 波長変換部材および発光装置 |
JP2017175163A (ja) * | 2017-06-07 | 2017-09-28 | シャープ株式会社 | 発光装置または発光装置用蛍光体含有シート |
JP2021028352A (ja) * | 2017-12-05 | 2021-02-25 | シャープ株式会社 | 蛍光体層組成物、蛍光部材、光源装置、および投影装置 |
WO2021130868A1 (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | シャープ株式会社 | 発光層の作製方法 |
WO2021225039A1 (ja) * | 2020-05-08 | 2021-11-11 | シャープ株式会社 | 量子ドットを含む水溶液の処理方法 |
KR20220081945A (ko) | 2020-12-09 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
EP4012003B1 (en) * | 2020-12-09 | 2024-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Color filters and devices including the same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6126649B2 (ja) * | 1979-02-15 | 1986-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
JPH02212414A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-23 | Nonogawa Shoji:Kk | 化粧料用粉体及び化粧料 |
JPH04300644A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Taki Chem Co Ltd | 酸化第二セリウムゾル |
JPH11269303A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Sekisui Plastics Co Ltd | 紫外線遮蔽性粒子、紫外線遮蔽性を有するスラリー、これらの製造方法およびこれらを使用した化粧料 |
JPH11322307A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-24 | Konica Chemical Corp | 変性無機酸化物ゾル及びその製造方法 |
JP2001335410A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-12-04 | Kose Corp | 粉体化粧料 |
WO2005006482A1 (ja) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Fujikura Ltd. | 電解質組成物、これを用いた光電変換素子および色素増感太陽電池 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002121549A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-04-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体超微粒子 |
JP3835135B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2006-10-18 | 三菱化学株式会社 | アミノ基を結合してなる半導体超微粒子 |
JP2002121548A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | エタノール可溶性半導体超微粒子の製造方法 |
JP2003286292A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体超微粒子及びそれを含有してなる薄膜状成形体 |
JP2004243507A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-09-02 | Hitachi Software Eng Co Ltd | 半導体ナノ粒子及びその製造方法 |
JP2004250498A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 絶縁体超微粒子及びそれを含有してなる薄膜状成形体 |
-
2005
- 2005-10-06 JP JP2006544803A patent/JP4997503B2/ja active Active
- 2005-10-06 WO PCT/JP2005/018540 patent/WO2006054402A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6126649B2 (ja) * | 1979-02-15 | 1986-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
JPH02212414A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-23 | Nonogawa Shoji:Kk | 化粧料用粉体及び化粧料 |
JPH04300644A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Taki Chem Co Ltd | 酸化第二セリウムゾル |
JPH11269303A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Sekisui Plastics Co Ltd | 紫外線遮蔽性粒子、紫外線遮蔽性を有するスラリー、これらの製造方法およびこれらを使用した化粧料 |
JPH11322307A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-24 | Konica Chemical Corp | 変性無機酸化物ゾル及びその製造方法 |
JP2001335410A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-12-04 | Kose Corp | 粉体化粧料 |
WO2005006482A1 (ja) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Fujikura Ltd. | 電解質組成物、これを用いた光電変換素子および色素増感太陽電池 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012105782A1 (de) * | 2012-06-29 | 2014-01-02 | RUHR-UNIVERSITäT BOCHUM | Leuchtstoffverbundmaterial und Verfahren zur Herstellung desselben |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2006054402A1 (ja) | 2008-05-29 |
WO2006054402A1 (ja) | 2006-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4997503B2 (ja) | 半導体超微粒子を含有する組成物及びその製造方法 | |
Minh et al. | Room-temperature synthesis of widely tunable formamidinium lead halide perovskite nanocrystals | |
Pan et al. | Nanorod suprastructures from a ternary graphene oxide–polymer–CsPbX3 perovskite nanocrystal composite that display high environmental stability | |
Brown et al. | Lead halide perovskite nanocrystals: room temperature syntheses toward commercial viability | |
Liu et al. | Stable Luminescence of CsPbBr3/n CdS Core/Shell Perovskite Quantum Dots with Al Self-Passivation Layer Modification | |
Lesnyak et al. | Colloidal semiconductor nanocrystals: the aqueous approach | |
Zhou et al. | Gel‐like carbon dots: Characterization and their potential applications | |
Kim et al. | 2D and quasi‐2D halide perovskites: applications and progress | |
Ananthakumar et al. | Cesium lead halide (CsPbX 3, X= Cl, Br, I) perovskite quantum dots-synthesis, properties, and applications: a review of their present status | |
Vempati et al. | Sensitive surface states and their passivation mechanism in CdS quantum dots | |
Jancik Prochazkova et al. | Synthesis conditions influencing formation of MAPbBr3 perovskite nanoparticles prepared by the ligand-assisted precipitation method | |
Atik et al. | Photoprocesses in cationic microemulsion systems | |
Ayele et al. | Controlled synthesis of CdSe quantum dots by a microwave‐enhanced process: a green approach for mass production | |
Yin et al. | Luminescent copper (I) halides for optoelectronic applications | |
Hoang et al. | A facile, environmentally friendly synthesis of strong photo-emissive methylammonium lead bromide perovskite nanocrystals enabled by ionic liquids | |
Fang et al. | Highly luminescent CsPbX3 (X= Cl, Br, I) nanocrystals achieved by a rapid anion exchange at room temperature | |
Liu et al. | Solvent‐Switching Gelation and Orange–Red Emission of Ultrasmall Copper Nanoclusters | |
CN106574177B (zh) | 成簇纳米晶体网络和纳米晶体复合材料 | |
Capitani et al. | Quantized electronic doping towards atomically controlled “charge-engineered” semiconductor nanocrystals | |
Boussoufi et al. | Spray-drying polymer encapsulation of CsPbBr3 perovskite nanocrystals with enhanced photostability for LED downconverters | |
Yuwen et al. | One‐Pot Encapsulation of Luminescent Quantum Dots Synthesized in Aqueous Solution by Amphiphilic Polymers | |
Miyashita et al. | Effects of halide composition on the self-recovery of photodegraded cesium lead halide perovskite nanocrystals: implications for photoluminescence applications | |
Chao et al. | Fluorometric determination of copper (II) using CdTe quantum dots coated with 1-(2-thiazolylazo)-2-naphthol and an ionic liquid | |
Tiede et al. | Effect of Connectivity on the Carrier Transport and Recombination Dynamics of Perovskite Quantum-Dot Networks | |
Han et al. | Ultrastable Perovskite through a SiO2 and PbSO4 Double Protection Strategy |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110922 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120417 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |