JP4983149B2 - 光送信器 - Google Patents
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Description
図4は本発明の第1の実施形態に係るインターコネクション用光送信器を示す斜視図であり、図5は同じくその光送信器の構成を示すブロック図である。
図13は、本発明の第2の実施形態のインターコネクション用光送信器を示す斜視図である。なお、本実施形態が第1の実施形態と異なる点は発光素子111の搭載方法が異なることにあり、その他の構成は基本的に第1の実施形態と同様であるので、図13において図4と同一物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
前記光導波路に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて前記光導波路を通る光に対し変調を行う複数の変調器と、
前記複数の変調器により変調された光を出力する光信号出力部とを有し、
前記複数の変調器は変調可能な光の波長がそれぞれ異なることを特徴とする光送信器。
前記複数の発光素子から出射される連続光を多重化して前記光導波路に供給する光カプラとを有することを特徴とする付記1に記載の光送信器。
前記M本の光導波路にそれぞれ連続光を供給する連続光供給部と、
前記M本の光導波路のそれぞれにN個(但し、Nは2以上の整数)づつ直列に接続され、外部から供給される電気信号に応じて前記光導波路を通る光に対し変調を行う変調器と、
前記M本の光導波路毎に前記N個の変調器により変調された光を出力する光信号出力部とを有し、
1本の光導波路に直列接続された前記N個の変調器は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なることを特徴とする光送信器。
11,21,31,114…LSI、
12,22,32…VCSEL、
13,113…光導波路アレイ、
23,34a…マイクロレンズアレイ、
24…45度ミラー、
34…光マルチプレクサ、
34b…マイクロレンズ、
35…光ファイバ、
111…発光素子、
112…変調集積素子、
112a…テラス部、
115…光カプラ、
116…変調器アレイ部、
117,141a,141b,143a,143b…光導波路、
121…変調器、
130…シリコン基板、
131,133…SiO2層、
132…Si層、
132a…コア、
132b…Si薄膜、
141…入力ポート側光導波路アレイ、
142…スラブ導波路部、
143…出力ポート側光導波路アレイ、
151a,151b,151c…リング状光導波路、
152…ドロップポート。
Claims (8)
- M本(但し、Mは2以上の整数)の光導波路と、
前記M本の光導波路にそれぞれ連続光を供給する連続光供給部と、
前記M本の光導波路のそれぞれにN個(但し、Nは2以上の整数)づつ直列に接続され、外部から供給される電気信号に応じて前記光導波路を通る光に対し変調を行う変調器と、
前記M本の光導波路毎に前記N個の変調器により変調された光を出力する光信号出力部とを有し、
1本の光導波路に直列接続された前記N個の変調器は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なることを特徴とする光送信器。 - 前記連続光供給部が、相互に異なる波長の連続光を発生するN個の発光素子と、前記N個の発光素子から出射された連続光を多重化して前記M本の光導波路にそれぞれ供給する光カプラとにより構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光送信器。
- 前記発光素子が、いずれもDFB(Distributed Feed-Back:分布帰還型)レーザであることを特徴とする請求項2に記載の光送信器。
- 前記光導波路、前記変調器及び前記光カプラが、同一半導体基板上に形成された下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層により構成されていることを特徴とする請求項2に記載の光送信器。
- 前記発光素子が、前記半導体基板上に搭載されていることを特徴とする請求項4に記載の光送信器。
- 前記変調器の上方に、前記電気信号を供給する半導体装置に接続するための電極が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光送信器。
- 前記変調器は、前記半導体装置とフリップチップ接合されることを特徴とする請求項6に記載の光送信器。
- 前記光信号出力部は、前記変調器により変調された光を支持基板の表面に平行な方向に出力することを特徴とする請求項1に記載の光送信器。
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