JP4980424B2 - バックライト装置、液晶表示装置、および照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光源として特にＬＥＤ(Light Emitting Diode)を用いた液晶表示装置のバックライト装置や照明装置に関するものである。

従来、ＴＶや車載用カーナビ、インパネなどに使用される液晶表示装置の光源には、ＣＣＦＬなど蛍光管が使用されてきた。最近、非常に高輝度の白色ＬＥＤが開発され、ＣＣＦＬからＬＥＤへのの置き換えが検討されている。白色ＬＥＤは、高輝度化のために、ＬＥＤチップから放出された光を反射する面を備えており、その面には、可視光の光反射率が９０％以上と非常に高いＡｇをメッキあるいは蒸着によって形成したＡｇ層が形成されることが多い。

このようなＬＥＤに関し、特許文献１には、ＬＥＤチップの封止樹脂における高屈折率化を図ると共に、硫化物の生成による反射電極の反射率低下を抑制する技術が開示されている。また、特許文献２には、液晶表示装置等で使用される光学シート（例えばプリズムシート）において、環境への影響を考慮したハロゲンフリー化と高屈折率化とを両立する技術が開示されている。
日本国公開特許公報「特開２００７−１０９９１５号公報（公開日：２００７年４月２６日） 日本国公開特許公報「特開平１１−３４９６１５号公報（公開日：１９９９年１２月２１日）」

しかしながら、上記特許文献１の構成は、ＬＥＤチップを単体で用いた場合の反射率低下は抑制できるものの、例えば、上記ＬＥＤチップを液晶表示装置のバックライト光源として使用する場合の耐久性については考慮されていない。

本願発明者らは、単体でのＬＥＤチップでは十分な耐久性を示す場合であっても、例えば液晶モジュールとして組み込まれた場合、すなわち、製品としての使用形態では著しい品質劣化を示すことがある場合を発見した。

具体的には、Ａｇ反射層を有する白色ＬＥＤを光源に搭載して液晶バックライト装置を作製し、その輝度変化を評価した場合、初期の輝度は非常に高いものが得られたが、信頼性試験を行ったところ、特に高温環境下におかれた場合に著しい輝度の低下が観察された。このような輝度劣化は、Ａｇ反射層の面積が大きい場合ほど顕著となり、ＬＥＤチップを搭載する凹部の内壁にまでＡｇがコートされた場合では、８５℃以上の高温環境下で１０００ｈｒ後にその輝度が初期輝度の約４０％程度にまで低下した。

輝度低下後の白色ＬＥＤ（ＬＥＤパッケージ）を解析してみたところ、Ａｇが黒化していた。ＥＤＸ(Energy Dispersive X-ray Fluorecense Spectorometer：エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置）で黒化したＡｇ層の元素分析を行ったところ、Ｂｒの信号が検出された。さらにＴＯＦ−ＳＩＭＳ(time of flight-secondary ion mass spectrometry：飛行時間型2次イオン質量分析)により、ＡｇＢｒ２−の信号が検出され、Ａｇ、Ｂｒの単独の元素ではない化合物の形態、すなわち臭化銀（ＡｇＢｒ）も含まれていることが判明した。そのＢｒの発生源は、ＬＥＤパッケージから放出される光を所定の方向へ集光する光学シート（特にプリズムシート：アクリル樹脂）であることが判明した。Ｂｒ（フッ素を除くハロゲン）は、特許文献２にも示されているように、光学シートの屈折率を上げ、集光作用を向上させるために構成材料であるアクリル樹脂に含まれるものである。

さらに分析を進めたところ、液晶バックライトの輝度低下メカニズムは以下のプロセスで生じることが推測される。
(1) 高温環境下（例えば８５℃以上）で光学シートよりＢｒガスが発生する。
(2) Ｂｒガスが可視光を放出するＬＥＤパッケージのＡｇ層に付着する。通常、Ａｇ層は、ＬＥＤチップと共に樹脂で封止されることが多いが、長期使用により、封止樹脂内部をＢｒガスが浸透しＡｇ面に達する例や、封止樹脂と凹部内壁との界面で徐々に剥離がおき、ガスが入りこみ、Ａｇ面に到達し、臭化銀（ＡｇＢｒ）を形成する場合がある。この臭化銀（ＡｇＢｒ）は、ＬＥＤチップおよび蛍光体から放出される光を吸収するため、Ａｇ反射面の反射率が低下し、液晶バックライトの輝度が低下する。
(3) ＬＥＤチップおよび蛍光体から放出される光により、臭化銀が黒変する。臭化銀の黒変化により、ＬＥＤパッケージから放出される光の吸収量が増加し、Ａｇ反射面としての反射率がさらに低下し、液晶バックライト装置の輝度がさらに低下する。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、原料にＡｇを含む光反射面を有する光源（例えばＬＥＤ）、光学部材を構成要素として含んで、輝度を向上させつつ、高温や長期駆動時における輝度低下を抑制できるバックライト装置や照明装置を実現することにある。

本発明に係るバックライト装置は、上記目的を達成するために、ＬＥＤチップと原料にＡｇを含む光反射面とを有するＬＥＤパッケージと、上記ＬＥＤパッケージから放出された光を調整する光学部材とを備えたバックライト装置において、上記光学部材は、上記光反射面においてハロゲン化銀が生成しない程度にハロゲンの放出が小さいことを特徴としている。

上記の構成によれば、上記光学部材からのハロゲンの放出が抑えられることによって、上記光反射面における銀とハロゲンとの結合によるハロゲン化銀の生成が防止できる。このようなハロゲン化銀が生成された場合には、さらにＬＥＤからの光の照射によってハロゲン化銀が黒化し、著しい反射効率の低下を引き起こすが、ハロゲン化銀の生成を防止できる上記構成では、そのような反射効率の低下を防止できる。

本発明の実施形態を示すものであり、バックライト装置の要部構成を示す断面図である。 バックライト装置における発光時間と輝度変動率との関係を示すグラフである。 バックライト装置に用いられるＬＥＤパッケージの構成例を示す断面図である。 バックライト装置に用いられるＬＥＤパッケージの構成例を示す断面図である。 光源にＣＣＦＬを用いたバックライト装置の構成例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面図、（ｂ）は平面図である。 光源にＬＥＤを用いた面状光源タイプのバックライト装置の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 バックライト装置に用いられるプリズムシートの構成例を示す断面図である。 直下型バックライト装置を光源とする液晶ＴＶの構成例を示す断面図である。

本発明の一実施形態について図１ないし図７に基づいて説明すると以下の通りである。本実施の形態１では、液晶表示装置のバックライト装置に本願発明を適用した例を説明する。先ずは、バックライト装置の概略構成を図１を参照して説明する。

図１に示すバックライト装置１０は、バックライトケース１１に、その一辺に沿ってＬＥＤチップ１２Ａが搭載されたＬＥＤ光源（ＬＥＤパッケージ）１２を備えており、ケース面内には反射シート１３、導光板１４、拡散シート１４、光学シート（例えば、プリズムシート）１６がこの順序で積層配置された構造となっている。また、液晶表示装置においては、バックライト装置１０の前面側（観察者側）に液晶パネル２０が配置される。

ＬＥＤパッケージ１２は、例えばＦＰＣ(Flexible Printed Circuit)からなる印刷回路基板１２Ｃ上に複数個の点光源として所定間隔で実装されている。また、ＬＥＤ光源１２は、光利用効率を高めるための反射面としてＡｇ反射層１２Ｂを有している。このＡｇ反射層１２Ｂは、ＬＥＤチップ１２Ａに電力を供給するための電極の表面を銀メッキしたり、ＬＥＤチップ１２Ａが配置される金属パッケージの内壁面に銀メッキを施したりすることによって形成される。ＬＥＤチップ１２ＡおよびＡｇ反射層１２Ｂは、封止樹脂１２Ｄによって封止されている。封止樹脂１２Ｄには、通常、エポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂が用いられるが、本発明において封止樹脂１２Ｄの材料は特に限定されない。ただし、４５０ｎｍの発光ピーク波長のＬＥＤチップを用いたＬＥＤパッケージでは、短波長光に対する樹脂劣化特性が良いシリコーン樹脂を用いることがより好ましい。

導光板１４は、ＬＥＤ光源１２から照射される光を液晶パネル２０の背面側に照射するように導光する手段である。反射シート１３は、導光板１４の背面側（液晶パネルの反対側）から出射された光を、液晶パネル側に戻すように反射させる手段である。反射シート１３は、その反射効率を高めるために、反射面をＡｇ層としても良い。

拡散シート１４は、導光板１４から出射された光を拡散させ、液晶パネル２０に照射される光の面内均一性を高める手段である。光学シート１６は、液晶パネル２０に照射される光の集光させて正面輝度を高める手段である。また、光学シート１６は、例えば図７に示されるように、ポリエステルの基材上にアクリル樹脂のプリズム層が積層された構造のプリズムシートであり、プリズム層の屈折率を高くすることで、良好な集光機能を得ることができる。

本発明のバックライト装置は、Ａｇ反射層１２Ｂの経時劣化、特にＡｇがＢｒ等のハロゲンと結合してハロゲン化銀が生成されることによる反射率の低下を抑制することを目的としている。このため、バックライト装置が備える光学部材からのハロゲンの放出を抑制する構成となっている。

従来、最もハロゲンの放出が懸念される光学部材はプリズムシートであり、本実施の形態に係るバックライト装置１０では、光学シート（ここではプリズムシート）１６においてハロゲンを含有しないものとする。

ここで、ハロゲンを含有しない光学シートを用いたバックライト装置において、経時変化による輝度低下の測定を行なった（図２参照）。２５℃で測定した初期正面輝度は、３０３（ｃｄ／ｍ２）であった。このバックライト装置の高温通電試験（８５℃／６０ｍＡ）を行ったところ、１０００時間で、正面輝度変動率（＝所定時間試験後の２５℃で測定した正面輝度／試験投入前に２５℃測定した初期正面輝度）は、９７．４％であった。一方、比較としてプリズム層にＢｒを２５０００ｐｐｍ程度含有させた場合（初期特性は同じ）、正面輝度変動率は４３．７％であった。ＬＥＤパッケージの分析を行ったところ、目視でＡｇ層が黒化していることを確認し、さらにＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定により臭化銀の存在を確認した。

すなわち、本実施の形態に係るバックライト装置１０では、光学シート１６においてハロゲンを含有しないことによって、Ａｇ反射層の黒化を防止し、結果としてバックライト装置の輝度低下を大幅に抑制することができた。

尚、上記の例では、プリズムシートにおけるハロゲン含有量を０とすることで、バックライト装置の輝度低下を抑制しているが、基本的には、プリズムシート以外の光学部材においてもハロゲンの放出を抑えることが必要である。特に、Ｂｒ等のハロゲンは、光透過部材の屈折率を上げるために用いられることが多いため、導光板や拡散シート等の光透過部材においてもハロゲンが含まれる可能性がある。したがって、本発明は、バックライト装置に用いられる光学部材、さらには、部材間の接着材、接着シートなどの全てにおいてハロゲンの放出を抑制することが必要となる。

さらに、上記の例では、プリズムシートにおいてハロゲンを含ませないとしているが、これは、Ａｇ反射層の黒化を防止し、バックライト装置の輝度低下を抑制するための最も簡易で確実な方法の一つに過ぎない。基本的には、光学部材からのハロゲンガスの放出量が極めて小さく、ＬＥＤパッケージに形成されたＡｇ面にハロゲン化銀を発生させなければ、輝度低下を防止できる。

例えば、プリズムシートの材質であるアクリル樹脂の分子構造内にＢｒ（基）を含有させて、分子構造に組み込まれない遊離したＢｒを含まない構成とすることが考えられる。分子構造内に含まれるＢｒは、Ｂｒの結合がある程度強いため、熱によって切断されにくく、Ｂｒが放出されにくい。この構成では、プリズムシートにおいてＢｒを含ませることで、高屈折率化を容易にし、集光作用を高めることができると共に、ハロゲンの放出を抑制することができる。

または、Ｂｒの添加量を適宜調整し、遊離Ｂｒを含んでいてもＢｒガスの放出は小さく、ＬＥＤパッケージに形成されたＡｇ面で臭化銀を形成しない程度に調整した構成としてもよい。

あるいは、プリズムシートにおいて含まれるハロゲンを、Ｂｒの代わりにフッ素を除く別のハロゲン、Ｉ（ヨウ素）、Ｃｌ（塩素）で置き換える構成にすることも考えられる。これは、原子屈折率Ｒと屈折率ｎとの関係は以下の式(1)のようになり、原始屈折率の高いハロゲン（例えばＩ）で置き換えた場合、ハロゲン含有量に対する屈折率向上の効果が大きく、プリズムシートの集光効果が増加し、バックライト装置の輝度を向上できる。

ｎ２＝（１＋２Ｒ／Ｖ）／（１−Ｒ／Ｖ） …(1)
Ｖ：１モルあたりの体積
さらに、本発明では、プリズムシート等の光学部材において含まれるハロゲン量は、少なくとも、臭素および塩素が共に８００ｐｐｍ以下であり、臭素および塩素の両方を合わせても１０００ｐｐｍ以下であることが望ましい。より望ましくは、臭素および塩素の両方を合わせても３００ｐｐｍ以下であることが望ましい。尚、上記ハロゲン量は、例えばイオンクロマト法で測定できる。

また、上記例では、光学部材からのハロゲンの放出を防止または抑制し、Ａｇ反射面でのハロゲン化銀の生成を防止することで、バックライト装置の輝度低下を抑制している。但し、ここでのハロゲン化銀の生成の防止とは、あらゆる条件で永久的な効果を保証できるものでなくても良い。少なくとも、バックライト装置の保証使用時間および保証使用温度の範囲内でハロゲン化銀の発生を防止できることを意味する。

続いて、本願発明を好適に適用できるＬＥＤパッケージの構成例を図１、図３、および図４を参照して説明する。

図１に示すＬＥＤパッケージ（すなわち、ＬＥＤ光源１２）は、絶縁基板に金属部をはりつけたもので、金属部は基板の接続面とは反対側が開口され、ＬＥＤチップを収容できる凹部形状となっている。凹部形状の内壁はＡｇメッキされている。絶縁基板上には、金属からなる搭載面とワイヤーボンド部が離間して配置され、離間部には、樹脂が埋められている。

ＬＥＤチップの搭載面、ワイヤーボンド部もＡｇでメッキされている。ＬＥＤチップの搭載面では、ＬＥＤチップの上部電極とワイヤーボンド部とがワイヤーで接続されている。ワイヤーボンド部、搭載面は、絶縁基板内の配線層を通して基板裏面のアノード、カソード外部電極部と接続されている。

凹部形状の部分には、ＬＥＤチップを覆うように蛍光体を含有した樹脂が封止されている。封止樹脂は、ＬＥＤチップから放出される４４０〜４６０ｎｍの青色光に対して黄変の小さい耐光性のよいシリコーン樹脂が使用されている。

なお、上記Ａｇメッキされた面は、ＬＥＤチップから放出されるピーク波長が４４０〜４６０ｎｍの青色光とその青色光で励起されて蛍光体から放出される蛍光光を反射する。そして、青色光と蛍光光は、金属部開口から放出されて白色光として液晶バックライト装置の導光板に入射される。

次に、図３に示すＬＥＤパッケージは、リードフレーム上にＬＥＤチップを搭載され、ＬＥＤチップの周囲を、光を反射する白色樹脂で囲んだ例である。

図３に示すＬＥＤパッケージは、図１に示すＬＥＤパッケージと比較するとＡｇ面積が少ない。Ｂｒを２５０００ｐｐｍ含有させたプリズムシートと組み合わせたバックライト装置を構成し、上記の高温通電試験を行なった結果、図１に示すＬＥＤパッケージと比べ図３に示すＬＥＤパッケージはＡｇ面積が少ないため、正面輝度変動の影響は小さくなっているが、ゼロではないため、長時間での影響を考慮すると本発明の施策は必要不可欠になる。

次に、図４に示すＬＥＤパッケージは、リフレクター内部、開口表面にＡｇコートを施した、Ａｇ電極が多い例である。この例では、リフレクターの開口表面でもＡｇコートによって光の反射率が高く、拡散シートから反射されて戻ってくる光に対しても、これをさらに反射することで光の利用効率をあげることができ、より輝度の向上が図れる。

図４の構成では、樹脂基板（以下基板と記載）上に離間した配線パターンが形成され、貫通孔を有する絶縁樹脂からなるリフレクターを、離間した配線パターンが形成された基板面に貼り付ける。貫通孔の部分で開口した一方の配線パターン上にＬＥＤチップの下部電極を通じて電気的に接続されるようにＬＥＤチップを搭載し、ＬＥＤチップの上部電極は、他方の配線パターンとワイヤーで電気的接続を行っている。ＬＥＤチップ、ワイヤーを覆うように貫通孔の部分は蛍光体を含む樹脂で封止されている。

図４の構成では、リフレクター開口表面に施されたＡｇコートによって光の利用効率をあげることができるが、このＡｇコート層は封止樹脂で封止されていないため、リフレクター内部のＡｇコート層よりもさらに劣化しやすい状態となっている。このため、光学部材からのハロゲンの放出を抑制する本願発明の適用が好適である。

また、上記説明では、光源にＬＥＤを用いたバックライト装置を例示してきたが、ＬＥＤ以外の光源とＡｇコートされた部材とを有するバックライト装置に本発明を適用することができる。

例えば、図５に示すバックライト装置は、反射フィルム上に導光板があり、導光板の横方向のエッジには、ＣＣＦＬ(Cold Cathode Fluorescent Lamp：冷陰極蛍光管）からなる光源が配置された構成である。導光板上には光源から導入された光を導光板面内で均一に拡散させつつ、上部へ放出させる拡散板が設置されている。拡散板の上には、上部方向に光を集光するレンズシートが備えられている。光源の周囲には、光を残さず、導光板へ入射させるために、ランプリフレクターが設置されている。ランプリフレクターおよび反射フィルムの内壁には、光を反射させるために、光反射率が高いＡｇがコートされている。

このような構成においても、レンズシートにおいてハロゲン（特にＢｒ）が含まれている場合、ランプリフレクターおよび反射フィルムの内壁に施されるＡｇが黒化する虞がある。このため、上述したＬＥＤ光源を用いたバックライト装置と同様に、レンズシートにおけるハロゲンの放出を防止もしくは抑制できる構成とすることが必要である。

また、図５の構成において、光源にＣＣＦＬの代わりに有機ＥＬ、無機ＥＬを使用した例であってもよい。

また、図６は、面状光源タイプのバックライト装置の構成例を示す。図６の構成では、高放熱絶縁基板上に、それぞれ一端で、アノード、カソード外部電極部に連なるパターンを有するアノード、カソード配線パターンが列状に交互に並置して形成され、カソード配線パターン上にＬＥＤチップの下部電極を通じて電気的に接続されるようにＬＥＤチップを搭載し、ＬＥＤチップの上部電極とカソード配線パターンをワイヤーにて結線する。ＬＥＤチップおよびワイヤーは、各ＬＥＤチップ毎に直方体形状に蛍光体含有樹脂で封止され、個々の白色ＬＥＤが形成されている。

上記例では、配線パターンは、白色光の反射率を上げるため、Ａｇを使用している。また、個々の白色ＬＥＤからの上部方向に光を集光して取り出すようにするため、各白色ＬＥＤ直上ごとにレンズが配置されるようなレンズカバーユニットをさらに設置する。

このような構成においても、レンズカバーユニットにおいてハロゲン（特にＢｒ）が含まれている場合、配線パターンのＡｇが黒化する虞がある。このため、上述したＬＥＤ光源を用いたバックライト装置と同様に、レンズカバーユニットにおけるハロゲンの放出を防止もしくは抑制できる構成とすることが必要である。

次に、直下型バックライト装置を光源とする液晶ＴＶの実施例を図８に示す。

この実施例では、上面方向に光を放出する複数のＬＥＤパッケージがＢＬケースに収容された直下型のバックライト装置上に拡散シート（拡散板）、レンズシート、パネルが順に積層された構造になっている。ＢＬケースの内壁は、ＬＥＤパッケージからの光や拡散シートからの反射光を反射するＡｇ反射面となっている。なお、ＬＥＤパッケージは、図１のバックライト装置の光源に使用したものをトップビュー配置で使用したものでもよいし、図４に示したＬＥＤパッケージを使用してもよい。拡散シート、レンズシート、パネルの作用は、図５の実施例と同様である。この構成でも、ＢＬケースの内壁におけるＡｇ反射面の黒化を防止するため、レンズシートは、ハロゲンの放出を防止もしくは抑制できる構成とすることが必要である。

また、本発明の適用は、上述のようなバックライト装置に限定されるものではなく、光源と光学部材とＡｇコートされた部材とを有する他の照明装置においても適用可能である。ここでの光学部材は基本的には透過性部材であり、該光学部材におけるハロゲンの放出を防止もしくは抑制できる構成とすることで、Ａｇコート層の黒化を防止し、反射率低下を防止もしくは抑制できる。

以上のように、本発明に係るバックライト装置は、ＬＥＤチップと原料にＡｇを含む光反射面とを有するＬＥＤパッケージと、上記ＬＥＤパッケージから放出された光を調整する光学部材とを備えたバックライト装置において、上記光学部材は、上記光反射面においてハロゲン化銀が生成しない程度にハロゲンの放出が小さい構成である。

上記の構成によれば、上記光学部材からのハロゲンの放出が抑えられることによって、上記光反射面における銀とハロゲンとの結合によるハロゲン化銀の生成が防止できる。このようなハロゲン化銀が生成された場合には、さらにＬＥＤからの光の照射によってハロゲン化銀が黒化し、著しい反射効率の低下を引き起こすが、ハロゲン化銀の生成を防止できる上記構成では、そのような反射効率の低下を防止できる。

また、上記バックライト装置では、上記光学部材は樹脂製であり、該光学部材を構成する樹脂の分子鎖に組み込まれたハロゲンを除き、ハロゲンを含有しない構成とすることができる。

上記の構成によれば、光学部材において含まれるハロゲンは、樹脂の分子鎖に組み込まれたものとなるため、高温環境化等の悪条件においてもハロゲンの放出が少なくなり、光反射面における銀とハロゲンとの結合によるハロゲン化銀の生成が防止できる。

また、上記バックライト装置では、上記ハロゲンは臭素（Ｂｒ）である構成とすることができる。

また、上記バックライト装置では、前記光学部材はＬＥＤパッケージから放出された光を背面から入射し、前面に集光して放射する部材（例えばプリズムシート）である構成とすることができる。

また、上記バックライト装置では、前記光学部材は、ポリエステルの基材上にアクリル樹脂のプリズム層が積層された構造からなる構成とすることができる。

また、上記バックライト装置では、上記光反射面は、ＬＥＤチップの搭載面に形成されている構成とすることができる。

上記の構成によれば、例えばＬＥＤチップ用電極を銀電極にすることによって光反射面を得ることができる。

また、上記バックライト装置では、ＬＥＤチップは、ＬＥＤパッケージに形成された凹部内に搭載されており、上記光反射面は、ＬＥＤチップを搭載するＬＥＤパッケージの凹部壁面のすべてに形成されている構成とすることができる。あるいは、上記バックライト装置では、上記光反射面は、ＬＥＤパッケージの開口部周辺に形成されている構成とすることができる。

上記の構成によれば、光反射面の形成面積を増やして、光の利用効率を高めることができる。また、光反射面の面積が大きいバックライト装置では、該光反射面の黒化が生じた場合の輝度低下も大きいので本発明の適用が好適となる。

また、上記バックライト装置では、上記光反射面は封止樹脂によって封止されている構成とすることができる。また、上記バックライト装置では、上記封止樹脂は、シリコーン樹脂である構成とすることができる。

Claims (14)

1. ＬＥＤチップと原料にＡｇを含む光反射面とを有するＬＥＤパッケージと、上記ＬＥＤパッケージから放出された光を調整する光学部材とを備えたバックライト装置において、
   上記光学部材は、上記光反射面においてハロゲン化銀が生成しない程度にハロゲンの放出が小さく、
   上記光学部材に含まれるハロゲン量は、少なくとも、臭素および塩素が共に８００ｐｐｍ以下であり、臭素および塩素の両方を合わせても１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするバックライト装置。
2. 上記光学部材は樹脂製であり、該光学部材を構成する樹脂の分子鎖に組み込まれたハロゲンを除き、ハロゲンを含有しないことを特徴とする請求項１に記載のバックライト装置。
3. 上記ハロゲンは臭素（Ｂｒ）であることを特徴とする請求項２に記載のバックライト装置。
4. 前記光学部材はＬＥＤパッケージから放出された光を背面から入射し、前面に集光して放射する部材であることを特徴とする請求項１に記載のバックライト装置。
5. 前記光学部材は、ポリエステルの基材上にアクリル樹脂のプリズム層が積層された構造からなることを特徴とする請求項４に記載のバックライト装置。
6. 上記光反射面は、ＬＥＤチップの搭載面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のバックライト装置。
7. ＬＥＤチップは、ＬＥＤパッケージに形成された凹部内に搭載されており、
   上記光反射面は、ＬＥＤチップを搭載するＬＥＤパッケージの凹部壁面のすべてに形成されていることを特徴とする請求項１に記載のバックライト装置。
8. 上記光反射面は、ＬＥＤパッケージの開口部周辺に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のバックライト装置。
9. 上記光反射面は封止樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項６または７に記載のバックライト装置。
10. 上記封止樹脂は、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項９に記載のバックライト装置。
11. 上記請求項１から１０の何れか一項に記載のバックライト装置を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
12. 上記液晶表示装置は、車載カーナビ、インパネ、ＴＶ装置に搭載されるものであることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. 光源と、原料にＡｇを含む光反射面を有する部材と、上記光源から放出された光を調整する光学部材とを備えたバックライト装置において、
    上記光学部材は、上記光反射面においてハロゲン化銀が生成しない程度にハロゲンの放出が小さく、
    上記光学部材に含まれるハロゲン量は、少なくとも、臭素および塩素が共に８００ｐｐｍ以下であり、臭素および塩素の両方を合わせても１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするバックライト装置。
14. 光源と、原料にＡｇを含む光反射面を有する部材と、上記光源から放出された光を調整する光学部材とを備えた照明装置において、
    上記光学部材は、上記光反射面においてハロゲン化銀が生成しない程度にハロゲンの放出が小さく、
    上記光学部材に含まれるハロゲン量は、少なくとも、臭素および塩素が共に８００ｐｐｍ以下であり、臭素および塩素の両方を合わせても１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする照明装置。

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