JP4899333B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関する。

従来より、機能材料で基板上に所定のパターンを形成してディスプレイといった電気光学装置を製造する技術が開発されているが、近年においては、機能材料を所定の溶媒中に溶解または分散して形成された液状組成物を吐出ヘッドから吐出して、基板の所望の位置に塗布させることでパターンを形成する、所謂、液滴吐出法が注目されている。この液滴吐出法は、機能材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板全面に機能材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する機能材料が少なくて済むなどの利点がある。

ところで、例えば有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、「有機ＥＬディスプレイ」という）の画素パターンを液滴吐出法で形成する場合、基板上に吐出した液状組成物が隣接する画素に流出するのを防ぐため、基板上にバンク（仕切部材）を設け、バンクにより囲まれた区画領域に液状組成物を吐出するようにしている。このとき、区画領域内に塗布された液状組成物は、その中央部分が盛り上った凸状態となり、溶媒を除去すると、バンクに向かうに連れて膜厚が厚くなって前記中央部分が凹んだ凹状形状となる。その結果、溶媒を除去した後、機能材料で構成された機能層（たとえば、発光層）は、その膜厚の分布が不均一なものとなることから、発光ムラ（色ムラ）が発生する問題が生じる。

そこで、バンクの側面と区画領域の底面に形成された画素電極との間に、バンクの側面から画素電極に向けて傾斜した連結面を設けることで、溶媒を除去して形成される機能層を連結面に接触させて、機能層を平坦化させる技術が開示されている（たとえば、特許文献１）。
特開２００４−１９８４８６号公報

しかしながら、上記有機ＥＬディスプレイといった各種電気光学装置では、高効率な発光特性を得る等のために各種配線が複雑に引き回されている。そして、区画領域周辺にも、配線が引き回されている。このため、バンクの上層部の表面形状が、区画領域周辺のあるバンクの下方の下地の構造の影響を受けて凹凸形状を成す。従って、区画領域を挟んで互いに対向する位置に設けられたバンクの各上層部の表面形状がその区画領域の中心に対して対称にならない場合がある。そのため、液滴吐出法を使用して区画領域内に塗布された液状組成物は、その周縁部がバンクの各上層部の表面上に塗布されるが、上層部の表面形状がその区画領域の中心に対して対称でないことから、溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、バンクに引っ張られるので、膜厚が不均一な膜が形成されてしまうという問題が生ずる。

そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、バンクにより囲まれた区画領域に発光素子を形成する際、形成された発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する電気光学装置及びこの電気光学装置を搭載した電子機器を提供することである。

上記課題を解決するため、本発明の電気光学装置は、基板と、一方向に沿って互いに所定の間隔で前記基板上に配置された複数の給電線と、前記一方向と交差する他方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の走査線と、前記給電線と前記走査線とが交差する部分に形成されて該給電線及び該走査線に接続される周辺回路と、前記給電線上、前記走査線上、及び前記周辺回路上に渡り前記基板上を覆う絶縁層と、前記絶縁層上のうちで前記複数の給電線の上方と前記複数の走査線の上方とに配置されたバンクと、前記絶縁層上のうちで前記バンクによって区画された複数の区画領域の各々に、前記バンクに囲まれるように形成されるとともに、前記絶縁層を介して前記周辺回路に接続されて、該周辺回路によって駆動される発光素子とを備えた電気光学装置において、前記絶縁層は、前記給電線上を覆う部分が前記給電線の周囲を覆う部分よりも盛り上がるように形成され、且つ、前記給電線の周囲を覆う部分では、前記給電線を挟んで互いに対向する二つの前記区画領域の一方と他方との間に段差を有し、前記バンクは、前記絶縁層に積層された第１のバンクと、前記第１のバンクに積層された第２のバンクとを有し、前記第１のバンクは、前記絶縁層のうちで前記給電線上を覆う部分以外であって前記絶縁層のうちで前記給電線の周囲を覆う部分に、該給電線上と該給電線の周囲上との段差を抑えるように形成され、且つ前記絶縁層のうちで前記給電線上を覆う部分上の厚さと、前記絶縁層のうちで前記給電線の周囲を覆う部分上の厚さとが同じであり、前記第２のバンクは、前記給電線上を覆う前記絶縁層の部分と前記第１のバンクとに積層され、前記絶縁層における前記給電線上を覆う部分と前記絶縁層における前記給電線の周囲を覆う部分との段差よりも厚い。

これによれば、前記給電線上を覆うことによって盛り上がるように形成された前記絶縁層の部分を避けるように、前記第１のバンクが前記絶縁層に積層される。そのため、前記第１のバンクによって、前記絶縁層の盛り上がるように形成された部分の段差が緩和される。そして前記第２のバンクが、前記絶縁層の盛り上がるように形成された部分を覆いつつ前記第１のバンクに積層される。その結果、第２のバンクの表面形状を平坦に近づけることができる。また区画領域を挟んで互いに対向する位置に設けられた前記第２のバンクの表面形状において、その区画領域の中心に対する対称性が高められる。従って、発光素子が、たとえば、２つの電極層に挟まれた発光層を備えたエレクトロルミネッセンス素子構造を有した素子であり、且つ、その発光層が液滴吐出法によって形成されるようにした場合、区画領域内に吐出された液状組成物が、区画領域の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各バンクによって均一に引っ張られるので、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。このため、発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光素子を形成することができる。

この電気光学装置において、前記第１のバンクは、親液性を有し、前記第２のバンクは、撥液性を有するようにしてもよい。
これによれば、親液性を有する第１のバンクと撥液性を有する第２のバンクとを備えた電気光学装置において、形成される発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する電気光学装置を実現することができる。

この電気光学装置において、前記発光素子は、陽極と、前記陽極と相対して形成した陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成した発光層とを備えたエレクトロルミネッセンス素子であってもよい。

これによれば、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を備えた電気光学装置において、その形成されるエレクトロルミネッセンス素子の膜厚が区画領域内において均一になる。

この電気光学装置において、前記エレクトロルミネッセンス素子は、前記発光層が有機材料で形成された有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。
これによれば、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電気光学装置において、その形成される有機エレクトロルミネッセンス素子の膜厚が区画領域内において均一になる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、一方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の給電線を基板上に形成する工程と、前記一方向と交差する他方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の走査線を基板上に形成する工程と、前記給電線と前記走査線とが交差する基板上における部分に、該給電線及び該走査線に接続されるように、発光素子を駆動するための周辺回路を形成する工程と、給電線上、前記走査線上、及び前記周辺回路上に渡り前記基板上を覆うように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上のうち前記複数の給電線の上方と前記複数の走査線の上方とにバンクを形成する工程と、前記絶縁層上のうちで前記バンクによって区画された複数の区画領域の各々に、前記絶縁層を介して前記周辺回路に接続され、且つ前記バンクに囲まれるように、液滴吐出法を用いて前記発光素子を形成する工程とを備えた電気光学装置の製造方法において、前記絶縁層を形成する工程では、前記絶縁層のうちで前記給電線上を覆う部分が前記絶縁層のうちで前記給電線の周囲を覆う部分よりも盛り上がるように前記絶縁層を形成し、且つ、前記給電線の周囲を覆う部分では、前記給電線を挟んで互いに対向する二つの前記区画領域の一方と他方との間が段差を有し、前記バンクを形成する工程では、前記絶縁層のうちで前記給電線を覆う部分以外であって前記給電線の周囲を覆う部分に、該給電線上と該給電線の周囲上との段差を抑え、且つ前記絶縁層のうちで前記給電線上を覆う部分上の厚さと、前記絶縁層のうちで前記給電線の周囲を覆う部分上の厚さとが同じとなるように第１のバンクを形成し、前記給電線上を覆う前記絶縁層の部分上と前記第１のバンク上に、前記絶縁層における前記給電線上を覆う部分と前記絶縁層における前記給電線の周囲を覆う部分との段差よりも厚い第２のバンクを形成する。

これによれば、前記給電線上を覆うことによって盛り上がるように形成された前記絶縁層の部分を避けるように、前記第１のバンクが前記絶縁層に積層されることになる。そのため、前記第１のバンクによって、前記絶縁層の盛り上がるように形成された部分の段差が緩和される。そして前記第２のバンクが、前記絶縁層の盛り上がるように形成された部分を覆いつつ前記第１のバンクに積層される。その結果、第２のバンクの上層部の表面形状を平坦に近づけることができる。また区画領域を挟んで互いに対向する位置に設けられた前記第２のバンクの表面形状において、その区画領域の中心に対する対称性が高められる。従って、発光素子が、たとえば、２つの電極層に挟まれた発光層を備えたエレクトロルミネッセンス素子構造を有した素子であり、且つ、その発光層が液滴吐出法によって形成されるようにした場合、区画領域内に吐出された液状組成物が、区画領域の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各バンクによって均一に引っ張られるので、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。このため、発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光素子を形成することができる。

この電気光学装置の製造方法において、前記発光素子を形成する工程は、発光層を形成する工程を有し、該発光層を液滴吐出法によって形成するようにしてもよい。
これによれば、発光材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板全面に機能材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する発光材料の量を少なくすることができる。また、真空装置等といった大型の装置を使用すること無く、少量の材料で均一な膜厚を有した発光層を有する発光素子を形成することができる。

本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置の製造方法を使用して製造された電気光学装置が搭載されている。
これによれば、電気光学装置は、その発光層の膜厚が区画領域内において均一であるので、各区画領域毎に発光素子の輝度ムラのない、表示品位の優れた電子機器を提供することができる。

（第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態として、電気光学装置を有機ＥＬディスプレイに適用した場合について図面に従って説明する。図１は、有機ＥＬディスプレイの正面図である。

図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１は、ディスプレイ部２と、該ディスプレイ部２の下側部（図１中Ｙ矢印方向）に接続されたフレキシブル回路基板３とから構成されている。

ディスプレイ部２は、基板４を備えている。基板４は、本実施形態では、ガラス板で構成されている。基板４は、その中央に略四角形状の表示領域５を備えている。基板４上であって、表示領域５以外の領域（以下、「非表示領域」という）６には、一対の走査線駆動回路７等が形成されている。

表示領域５には、列方向（図１中Ｙ矢印方向）にｎ個、行方向（図１中Ｘ矢印方向）にｍ個の区画領域８が、それぞれ等ピッチで形成されている。そして、ｍ×ｎ個の各区画領域８に対応して、赤用画素９Ｒ、緑用画素９Ｇ、青用画素９Ｂがマトリクス状に形成されている。そして、行方向に沿っては、赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→青用画素９Ｂ→赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→…→赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→青用画素９Ｂの順に繰り返して形成されている。また、Ｙ矢印方向（列方向）に沿っては、同色の画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂが形成されている。

また、非表示領域６には、表示領域５を介して一対の走査線駆動回路７が形成されている。各走査線駆動回路７は、協働してｎ行ある画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群を順次走査して一行の画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを選択するための走査信号（電圧信号）を順次出力する。

一方、フレキシブル回路基板３上には、データ線駆動回路１０と制御回路１１とが形成されている。データ線駆動回路１０は、前記走査線駆動回路７が出力した走査信号によって選択された行の各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群に対して、その各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂから出射される光の輝度（発光輝度）を決定する電気信号としての画像信号を出力する。制御回路１１は、各走査線駆動回路７及びデータ線駆動回路１０の駆動を制御するための各種
制御信号を生成し、その生成した制御信号を各駆動回路７，１０にそれぞれ出力する。

また、各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂには、画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを駆動させるための駆動電力が供給されるようになっている。そして、各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを順次走査してその選択された各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群における発光輝度をデータ線駆動回路１０によって制御することにより、任意の画像が表示領域５上に表示されるのである。

図２（ａ）に、ｍ×ｎ個ある区画領域８のうちの一つの区画領域８及びその周辺の配線パターンを説明する平面図を示し、図２（ｂ）に、図２（ａ）中ａ−ａ線断面図を示す。
図２（ａ）に示すように、基板４上に図２中Ｘ矢印方向に沿って形成された走査信号を供給する走査線ＬＸと、Ｙ矢印方向に沿って形成された画像信号を供給するデータ線ＬＹと、前記データ線ＬＹに平行になるように形成された駆動電力を供給する給電線ＬＺに挟まれる領域に、前記区画領域８が形成されている。そして、この区画領域８には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及び該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するための周辺回路が総て配置されている。

詳しくは、周辺回路は、スイッチングトランジスタＱsw、保持容量Ｃp及び駆動トラン
ジスタＱdを備えている。
スイッチングトランジスタＱswは、例えば、ＮチャネルＭＯＳ構造を有した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、走査線ＬＸからの走査信号がゲートに供給される。そして、走査線ＬＸから走査信号が供給されると、スイッチングトランジスタＱswはオンになり、その結果、データ線ＬＹから画像信号がスイッチングトランジスタＱswのドレイン／ソース間に供給される。

保持容量Ｃpは、給電線ＬＺに沿って形成された第１の配線１２Ａと、絶縁層（図２（
ｂ）参照）Ｍを挟んでその下方（基板４側）に第１の配線１２Ａと平行になるように形成された第２の配線１２Ｂと、から構成されている。第１の配線１２Ａは、コンタクトホールＨを介して給電線ＬＺと電気的に接続されている。第２の配線１２Ｂは、その一端がスイッチングトランジスタＱswのソースに接続されている。そして、保持容量Ｃpは、スイ
ッチングトランジスタＱswのドレイン／ソース間に供給された画像信号に応じた電荷量を蓄積する。

駆動トランジスタＱdは、例えば、ＮチャネルＭＯＳ構造を有した薄膜トランジスタ（
ＴＦＴ）である。駆動トランジスタＱdのゲートには、スイッチングトランジスタＱswの
ドレイン／ソース間に供給された画像信号が供給されるようになっている。そして、ゲートに供給された画像信号の電圧値に応じて、即ち、保持容量Ｃpに蓄積された電荷量に対
応した電圧値に応じて、ドレイン／ソース間の導電率が制御され、同電圧値に応じた電流が駆動電流として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給されるようになっている。

図２（ｂ）に示すように、基板４の上方には区画領域８を区画形成するバンク１４が形成されている。詳しくは、基板４上に、図２（ａ）中Ｙ矢印方向に所定長さだけ延設されるようにして前記第２の配線１２Ｂが形成されている。また、基板４上全面には、第２の配線１２Ｂ上に渡って絶縁層Ｍが形成されている。

絶縁層Ｍ上には、第２の配線１２Ｂと平行になるようにして前記第１の配線１２Ａが形成されている。つまり、第１の配線１２Ａと第２の配線１２Ｂとは絶縁層Ｍを挟んで対向する位置に形成されている。

また、絶縁層Ｍ上には、第１の配線１２Ａに隣接して並設するようにデータ線ＬＹが延設されている。このデータ線ＬＹは、第２の配線１２Ｂの上方には形成されておらず、基
板４上に形成された絶縁層Ｍ上に形成されている。従って、たとえば、第１の配線１２Ａとデータ線ＬＹとが同じ膜厚である場合、基板４から第１の配線１２Ａの上層部表面までの高さｈ１は、基板４からデータ線ＬＹの表面までの高さｈ２より第２の配線１２Ｂの膜厚だけ高くなっている。

また、絶縁層Ｍ上全面には、第１の配線１２Ａ及びデータ線ＬＹ上に渡って第１の層間絶縁層Ｓ１が形成されている。そして、基板４から第１の配線１２Ａの上層部表面までの高さｈ１は、基板４からデータ線ＬＹの表面までの高さｈ２より第２の配線１２Ｂの膜厚だけ高くなっている。従って、第１の層間絶縁層Ｓ１は、その第１の配線１２Ａの上方に対向する位置とデータ線ＬＹの上方に対向する位置とで高さが一致しておらず、第２の配線１２Ｂの膜厚だけの段差が生じている。

第１の層間絶縁層Ｓ１上には、図２（ａ）中Ｙ矢印方向に延設された前記給電線ＬＺが形成されている。給電線ＬＺは、第１の配線１２Ａの上方には形成されている。第１の層間絶縁層Ｓ１上全面には、給電線ＬＺ上に渡って第２の層間絶縁層Ｓ２が形成されている。従って、第２の層間絶縁層Ｓ２は、給電線ＬＺの上方に対向する位置がその周囲に比べて高く、凸形状に盛り上っている。つまり、第２の層間絶縁層Ｓ２の、給電線ＬＺの上方に対向する位置は、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されるようにして形成された領域に対応する。また、その給電線ＬＺの上方に対向する位置と、データ線ＬＹの上方に対向する位置との間は、第２の層間絶縁層Ｓ２において最も大きな段差が形成されている。

そして、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、走査線ＬＸ（図２（ａ）参照）と、データ線ＬＹと、給電線ＬＺとに挟まれる領域には、略長方形状を成す陽極としての画素電極１３が形成されている。

また、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、画素電極１３の外周縁を取り囲む位置には、バンク１４が形成されている。そして、このバンク１４によって前記区画領域８が形成されている。

バンク１４は、前記基板４側に形成された第１のバンクとしての親液性バンク１４ａと、該親液性バンク１４ａ上に形成された第２のバンクとしての撥液性バンク１４ｂとから構成されている。親液性バンク１４ａの周縁部は、撥液性バンク１４ｂより画素電極１３側に張り出すようにして形成されている。

そして、図２（ａ），（ｂ）に示すように、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に設けられた親液性バンク１４ａ上であって、その給電線ＬＺの上方に対向する位置、即ち、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されるようにして形成された。この結果、第２の層間絶縁層Ｓ２の上層部が凸形状に盛り上った位置には、親液性バンク１４ａが形成されていない対称化手段または平坦化手段としての開口部１５が形成されている。

このとき、親液性バンク１４ａの膜厚を、前記した凸形状に盛り上った分の高さと同じになるように形成し、開口部１５を形成することで、その盛り上った部分はなくなり、その盛り上った分の段差が撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状に現れることはない。このため、各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦になっている。従って、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に設けられた撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心線Ｌｏ（図２（ａ）参照）に対してほぼ対称になっている。

画素電極１３上には、正孔輸送層１６、発光層１７の順に積層されてなる機能層１８が形成されている。発光層１７は、有機材料で構成されている。
撥液性バンク１４ｂ及び発光層１７上全面に渡って陰極１９が形成されている。そして、画素電極１３と、該画素電極１３と相対して形成した陰極１９と、画素電極１３と陰極１９との間に機能層１８とを備えたエレクトロルミネッセンス素子としての有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが構成されている。

このような構成を有する有機ＥＬディスプレイ１は、図２（ｂ）に示すように、正孔輸送層１６の膜厚が区画領域８内に渡って均一になっている。また、各正孔輸送層１６上に形成される発光層１７も、正孔輸送層１６と同様に、その膜厚が区画領域８内に渡って均一になっている。

次に、前記のような構造を有する有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について図３〜図６に従って説明する。
先ず、ガラス板である基板４を洗浄した後に、プラズマＣＶＤ法によって珪素層を成膜し、その後、レーザアニールすることで成膜した珪素層を多結晶化する。この多結晶化された層は、駆動トランジスタＱdやスイッチングトランジスタＱｓｗといった各種薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）のチャンネルを形成する層と同じ層であり、配線として使用する領域には不純物ドーピングして低抵抗化する。更に、図３（ａ）示すように、基板４上の所定に位置に、フォトリソグラフィー法等を使用することで第２の配線１２Ｂをパターニング形成する。その後、図３（ｂ）示すように、基板４上全面に、第２の配線１２Ｂ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ_２）を、例えば、プラズマ法によって成膜して絶縁層Ｍを形成する。

続いて、第２の配線１２Ｂと重なるように絶縁層Ｍ上に、例えばスパッタ法により形成したアルミニウム層をフォトリソグラフィー法等を使用することで、第１の配線１２Ａをパターニング形成する。また、このとき、同時に、絶縁層Ｍ上に第１の配線１２Ａに隣接して並設するようにデータ線ＬＹを形成する。このとき、データ線ＬＹは、第２の配線１２Ｂ上に形成された絶縁層Ｍ上には形成せず、基板４上に形成された絶縁層Ｍ上に形成する（図３（ｃ）参照）。

その後、図３（ｄ）示すように、絶縁層Ｍ上全面に、第１の配線１２Ａ及びデータ線ＬＹ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ_２）を、たとえばプラズマＣＶＤ法によって成膜して第１の層間絶縁層Ｓ１を形成する。このとき、基板４から第１の配線１２Ａ上層部表面までの高さｈ１は、基板４からデータ線ＬＹの上層部表面までの高さｈ２より第２の配線１２Ｂの膜厚だけ高くなっているので、第１の層間絶縁層Ｓ１は、その第１の配線１２Ａの上方に対向する位置が凸形状に盛り上っている。

続いて、第１の層間絶縁層Ｓ１上に、例えばスパッタ法により形成したアルミニウム層を、フォトリソグラフィー法等を使用することで、給電線ＬＺをパターニング形成する。更に、第１の層間絶縁層Ｓ１上及び、給電線ＬＺ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ_２）を、たとえばプラズマＣＶＤ法によって成膜することで第２の層間絶縁層Ｓ２を形成する（図４（ａ）参照）。このとき、図４（ａ）に示すように、給電線ＬＺは、第１の層間絶縁層Ｓ１を介して第１の配線１２Ａの上方に形成される。従って、第２の層間絶縁層Ｓ２は、凸形状に盛り上っている。このようにして、基板４上に、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ、及び、給電線ＬＺが形成される。

そして、図４（ｂ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、走査線ＬＸ（図２（ａ）参照）と、データ線ＬＹと、給電線ＬＺとに挟まれる領域に、例えば、スパッタ法で形成したインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）といった光透過性を有する導電材料を成膜
する。そして、その後に、フォトリソグラフィー法等を使用することで、パターニングして画素電極１３を形成する。

次に、図４（ｃ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、給電線ＬＺの上方に対向する位置と、画素電極１３の周縁部を除く領域とが開口したマスクＫを設け、該マスクＫ越しに、酸化珪素（ＳｉＯ_２）を蒸着法によって成膜する。その後、マスクＫを除去すると、図４（ｄ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上の凸形状に盛り上った位置に開口部１５が形成された親液性バンク１４ａが形成される（開口部形成工程）。

続いて、図５（ａ）に示すように、周縁部を除く親液性バンク１４ａ上に開口部１５を覆うようにして撥液性バンク１４ｂを形成する（バンク形成工程）。つまり、前記開口部１５を含むようにして、撥液性バンク１４ｂを形成する。この結果、区画領域８が形成される。本実施形態では、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をパターン形成し、ＣＦ₄プラズマ処理等により表面を撥液化する。この結果、各撥液性バンク１４ｂの上層
部Ｔの表面形状は、平坦になる。

次に、区画領域８に形成された画素電極１３上に正孔輸送層１６を形成する。本実施形態では、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６を形成する。具体的には、図５（ｂ）に示すように、正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌを吐出可能とする液滴吐出ヘッド２０を選択する。この液滴吐出ヘッド２０は、図５（ｂ）中Ｘ矢印方向に沿って延設された案内レール２１に支持されてＸ矢印方向または反Ｘ矢印方向（走査方向）に移動可能である。

そして、液滴吐出ヘッド２０の位置を案内レール２１に沿って調整して、液滴吐出ヘッド２０に形成されたノズルＮが、所定の画素電極１３（例えば、１行目の画素電極１３）と対向する位置に合わせる。この状態で、ノズルＮから液滴化した液状組成物Ｌを吐出して区画領域８内に塗布する。すると、親液性バンク１４ａに接触することによって画素電極１３上全面に液状組成物Ｌが濡れ広がる。また、撥液性バンク１４ｂによって隣接した他の画素電極１３上には液状組成物Ｌが濡れ広がることはない。さらに、このとき、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物Ｌは、区画領域８の中心線Ｌｏに対して対称の位置に塗布される。

以降、液滴吐出ヘッド２０をＸ矢印方向に沿って各画素ピッチずつ移動させながら、ノズルＮから液滴化した液状組成物Ｌを吐出して、１行分のｍ個の区画領域８内に液状組成物Ｌを塗布する。その後、他の行の区画領域８内にも前記と同様にして、液状組成物Ｌを順次塗布することで全ての区画領域８内に液状組成物Ｌを塗布する。

その後、液状組成物Ｌが塗布された基板４を、例えば、図示しない密閉容器中に載置し、その容器内を減圧することで、塗布された液状組成物中の溶媒を蒸発させて除去する。この結果、図５（ｃ）に示すように、各画素電極１３上に正孔輸送層１６が形成される。このとき、区画領域８を取り囲む撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面の凹凸は区画領域８に対してほぼ対称となるため、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られる。この結果、形成される正孔輸送層１６の膜厚は、各区画領域８内において均一となる。

その後、赤用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌｒを吐出する液滴吐出ヘッド３０を順次選択する。そして、前記と同様にして、図６（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０のノズルＮｒから液滴化した液状組成物Ｌｒを区画領域８に吐出して
先に形成した各正孔輸送層１６上に塗布する（発光層形成工程）。このとき、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物Ｌｒは、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。

以降、同様に、緑用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物を吐出する液滴吐出ヘッド、青用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物を吐出する液滴吐出ヘッドを順次選択する（図示略）。そして、各液滴吐出ヘッドのノズルから液滴化した液状組成物を区画領域８内に吐出して先に形成した各正孔輸送層１６上に塗布する。このときも、前記と同様に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物は、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。

その後、再び、各液状組成物が塗布された基板４を、例えば、図示しない密閉容器中に載置し、その容器内を減圧することで、塗布された液状組成物中の溶媒を蒸発させて除去する（溶媒除去工程）。

この結果、区画領域８を取り囲む撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面の凹凸は区画領域８に対してほぼ対称となるため、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られる。この結果、形成される発光層１７の膜厚は、図６（ｂ）に示すように、各区画領域８内において均一となる。

その後、撥液性バンク１４ｂ及び各発光層１７上に、ＬｉＦ層、Ｃａ層、Ａｌ層等を蒸着方法等により積層し、陰極１９を形成する。さらに、ディスプレイ部２と、別途製造されたフレキシブル回路基板３とを接続して、有機ＥＬディスプレイ１が製造される。

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に親液性バンク１４ａと該親液性バンク１４ａ上に形成された撥液性バンク１４ｂとで構成されるバンク１４を形成した。そして、親液性バンク１４ａは、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されることで凸形状に盛り上った位置に開口部１５を形成して、その盛り上がり部分をなくした。その結果、各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦になるので、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に設けられた撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心に対してほぼ対称にすることができる。

従って、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６を形成する際、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌが、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物Ｌ中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、正孔輸送層１６の膜厚を均一にすることができる。
（２）また、本実施形態によれば、発光層１７も正孔輸送層１６と同様に液滴吐出法を用いて形成したので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した発光材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物が、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、発光層１７の膜厚を均一にすることができる。
（３）本実施形態によれば、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの膜厚のばらつきを抑えることができるので、良好な発光特性を有する有機ＥＬディスプレイ１を実現することができる。
（４）本実施形態によれば、開口部１５は、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されることによって生じた段差が最も大きい位置に設けたので、開口部を複数形成することなく、
各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状をほぼ平坦にすることができる。
（５）本実施形態によれば、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６及び発光層１７を形成するようにしたので、正孔輸送層材料及び発光材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板４全面に正孔輸送層材料及び発光材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する正孔輸送層材料及び発光材料の量を少なくすることができる。また、真空装置等といった大型の装置を使用すること無く、少量の正孔輸送層材料で均一な膜厚を有した正孔輸送層１６、及び少量の発光材料で均一な膜厚を有した発光層１７を有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成することができる。
（参考例）
次に、参考例を図７〜図９に従って説明する。この参考例の有機ＥＬディスプレイ１ａは、撥液性バンク１４ｂの下方にある親液性バンク１４ａの構造が第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１と異なっている以外は、全て同じである。従って、前記第１実施形態と同じ構成部材についてはその符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。

図７（ａ）に、参考例に係る区画領域８及びその周辺の配線パターンを説明する平面図を示し、図７（ｂ）に、図７（ａ）中ａ−ａ線断面図を示す。
図７（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、基板４上に図２中Ｘ矢印方向に沿って形成された走査信号を供給する走査線ＬＸと、Ｙ矢印方向に沿って形成された画像信号を供給するデータ線ＬＹと、前記データ線ＬＹに平行になるように形成された電源Ｖddを供給する給電線ＬＺに挟まれる領域に区画領域８が形成されている。そして、この区画領域８には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及び該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するための周辺回路が総て配置されている。また、図７（ｂ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２は、給電線ＬＺの上方に対向する位置がその周囲に比べて高く、凸形状に盛り上っている。

そして、本参考例においては、図７（ａ），（ｂ）に示すように、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に設けられた親液性バンク１４ａは、その第２の層間絶縁層Ｓ２の凸形状に盛り上っている領域（下側に給電線ＬＺが形成されている部分）を覆うようにして形成されている。その結果、親液性バンク１４ａの上層部の表面形状は、凸形状に盛り上っている。そして、親液性バンク１４ａ上であって、データ線ＬＹの上方に対向する位置、即ち、親液性バンク１４ａが凸形状に盛り上った位置の周辺の窪んだ位置には、対称化手段として配線層５０が形成されている。また、この親液性バンク１４ａが凸形状に盛り上った位置と窪んだ位置との段差は、本参考例においては、親液性バンク１４ａにおいて最も大きい。

配線層５０は、その膜厚が、親液性バンク１４ａの凸形状の高さと一致する厚さである。また、配線層５０は、図７中Ｙ矢印方向に沿って形成されている。従って、親液性バンク１４ａ上の凸形状に盛り上った分の段差が配線層５０によって相殺され、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状に現れることはない。このため、各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦になっている。従って、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に設けられた撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心線Ｌｏ（図７（ａ）参照）に対してほぼ対称になっている。

このような構成を有する有機ＥＬディスプレイ１は、図７（ｂ）に示すように、画素電極１３上に形成される正孔輸送層１６の膜厚は区画領域８内において、均一になっている。また、各正孔輸送層１６上に形成される発光層１７も、正孔輸送層１６と同様に、その
膜厚が区画領域８内において均一になっている。

次に、前記のような構造を有する有機ＥＬディスプレイ１ａの製造方法について図８〜図１０に従って説明する。
上記第１実施形態と同様に、基板４上に、第１及び第２の配線１２Ａ、１２Ｂ、絶縁層Ｍ、第１の層間絶縁層Ｓ１、データ線ＬＹ及び給電線ＬＺを形成した後に、第１の層間絶縁層Ｓ１上全面に、給電線ＬＺ上に渡って第２の層間絶縁層Ｓ２を形成する。続いて、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、走査線ＬＸ（図２（ａ）参照）と、データ線ＬＹと、給電線ＬＺとに挟まれる領域に、例えば、スパッタ法で形成したインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）といった光透過性を有する導電材料を成膜する。そして、その後に、フォトリソグラフィー法等を使用することで、パターニングして画素電極１３を形成する（図８（ａ）参照）。

次に、画素電極１３の周縁部及び第２の層間絶縁層Ｓ２の凸形状に盛り上っている領域が開口された図示しないマスクを設け、そのマスク越しに、酸化珪素（ＳｉＯ_２）を蒸着する。すると、図８（ｂ）に示すように、画素電極１３の周縁部及び第２の層間絶縁層Ｓ２の凸形状に盛り上っている領域を覆うように親液性バンク１４ａが形成される。このとき、親液性バンク１４ａは、その給電線ＬＺの上方に対向する位置が周囲に比べて高く凸形状に盛り上った形状になる。続いて、給電線ＬＺの上方に対向する位置の周辺の窪んだ位置に、その盛り上った分の高さに等しい膜厚を有した配線層５０を形成する（配線層工程）。これは、図８（ｂ）に示すように、画素電極１３及び親液性バンク１４ａ上に、親液性バンク１４ａ上であって、データ線ＬＹの上方に対向する位置が開口したマスクＫａを設け、該マスクＫａ越しに、例えば、アルミニウム（Ａｌ）といった金属を蒸着する。その後、マスクＫａを除去することで、図８（ｃ）に示すように、配線層５０を形成する。

続いて、図９（ａ）に示すように、周縁部を除く親液性バンク１４ａ上に配線層５０を
覆うようにして撥液性バンク１４ｂを形成する（バンク形成工程）。この結果、区画領域８が形成される。本参考例では、上記第１実施形態と同様に、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をパターン形成し、ＣＦ4プラズマ処理等により表面を撥液化する。
この結果、各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、平坦になる。

次に、図９（ｂ）に示すように、上記第１実施形態と同様に、区画領域８に形成された画素電極１３上に、正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌを全ての区画領域８内に吐出する。

その後、液状組成物Ｌが塗布された基板４を、例えば、上記第１実施形態と同様に、図示しない密閉容器中に載置し、その容器内を減圧することで、塗布された液状組成物中の溶媒を蒸発させて除去する。この結果、図９（ｃ）に示すように、各画素電極１３上に正孔輸送層１６が形成される。このとき、区画領域８を取り囲む撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面の凹凸は区画領域８に対してほぼ対称となるため、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られる。この結果、形成される正孔輸送層１６の膜厚は、各区画領域８内において均一となる。その後、上記第１実施形態と同様にして、図１０（ａ）に示すように、液滴吐出法を用いて、例えば、赤色の光を出射可能とする発光材料が溶媒中に分散または溶解された液状組成物Ｌｒを区画領域８内に塗布する（発光層形成工程）。その後、図１０（ｂ）に示すように、溶媒を除去することで、発光層１７を形成する。

その後、撥液性バンク１４ｂ及び各発光層１７上に、ＬｉＦ層、Ｃａ層、Ａｌ層等を蒸着方法等により積層し、陰極１９を形成する。さらに、ディスプレイ部２と、別途製造さ
れたフレキシブル回路基板３とを接続して、有機ＥＬディスプレイ１ａが製造される。

上記したように、本参考例によれば、以下の効果を奏する。
（１）本参考例によれば、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に親液性バンク１４ａと該親液性バンク１４ａ上に形成された撥液性バンク１４ｂとで構成されるバンク１４を形成した。そして、親液性バンク１４ａ上の、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されることで凸形状に盛り上った位置の周辺の窪んだ位置に配線層５０を形成し、窪みによる大きな段差をなくした。そして、その配線層５０及び親液性バンク１４ａ上に撥液性バンク１４ｂを形成した。その結果、各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状を平坦にすることができたことから、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に設けられた撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心に対してほぼ対称にすることができる。

従って、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６を形成する際、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌが、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物Ｌ中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、正孔輸送層１６の膜厚を均一にすることができる。
（２）また、本参考例によれば、発光層１７も正孔輸送層１６と同様に液滴吐出法を用いて形成したので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した発光材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物が、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、発光層１７の膜厚を均一にすることができる。
（３）本参考例によれば、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの膜厚のばらつきを抑えることができるので、良好な発光特性を有する有機ＥＬディスプレイ１ａを実現することができる。
（第２実施形態）
次に、第１実施形態で説明した電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１，１ａの電子機器の適用について図１１に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。

図１１は、大型テレビ６０の斜視図である。この大型テレビ６０は、有機ＥＬディスプレイ１を搭載した大型テレビ用の表示ユニット６１と、スピーカー６２と、複数の操作ボタン６３とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１，１ａを用いた表示ユニット６１は、その各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの正孔輸送層１６及び発光層１７は、その形状や膜厚のばらつきが無いので、輝度ムラのない表示品位の優れた画像を表示する大型テレビを提供することができる。

尚、発明の実施形態は、上記第１及び第２実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。

○上記各実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極１３、正孔輸送層１６、発光層１７及び陰極１９で構成した。これを、画素電極１３、正孔輸送層１６、発光層１７
及び陰極１９以外に、例えば、発光層１７と陰極１９との間に電子輸送層を備えた構成の有機ＥＬ素子に適応してもよい。この場合においても、液滴吐出法によって電子輸送層を形成することで、電子輸送層の各膜厚を均一にすることができる。

○上記各実施形態では、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６及び発光層１７を形成するようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、発光材料を含んだ液状組成物Ｌをディスペンサーを用いて凹状領域８内全面に塗布するようにしてもよい。このようにすることで、上記各実施形態と同様な効果を得ることができる。

○上記各実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを使用したが、これに限定されるものではない。要は、少なくとも一部の層が液状組成物によって形成される発光素子であればどんな発光素子であってもよい。

有機ＥＬディスプレイの正面図。 （ａ）は、第１実施形態に係る区画領域及びその周辺の配線パターンを説明するための平面図、（ｂ）は、（ａ）中ａ−ａ線断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。 同じく、（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。 同じく、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。 同じく、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。 （ａ）は、参考例に係る区画領域及びその周辺の配線パターンを説明するための平面図、（ｂ）は、（ａ）中ａ−ａ線断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、参考例に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。 同じく、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、参考例に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。 同じく、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、参考例に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。 第２実施形態に係る電子機器としての大型テレビの斜視図。

符号の説明

ＯＬＥＤ…発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、Ｔ…上層部、１，１ａ…電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、２…基板、８…区画領域、１３…陽極としての画素電極、１４…バンク、１４ａ…第１のバンクとしての親液性バンク、１４ｂ…第２のバンクとしての撥液性バンク、１５…対称化手段または平坦化手段としての開口部、１７…発光層、１９…陰極、５０…対称化手及び平坦化手段としての配線層、６０…電子機器としての大型テレビ。

Claims (7)

1. 基板と、
   一方向に沿って互いに所定の間隔で前記基板上に配置された複数の給電線と、
   前記一方向と交差する他方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の走査線と、
   前記給電線と前記走査線とが交差する部分に形成されて該給電線及び該走査線に接続される周辺回路と、
   前記給電線上、前記走査線上、及び前記周辺回路上に渡り前記基板上を覆う絶縁層と、
   前記絶縁層上のうちで前記複数の給電線の上方と前記複数の走査線の上方とに配置されたバンクと、
   前記絶縁層上のうちで前記バンクによって区画された複数の区画領域の各々に、前記バンクに囲まれるように形成されるとともに、前記絶縁層を介して前記周辺回路に接続されて、該周辺回路によって駆動される発光素子と
   を備えた電気光学装置において、
   前記絶縁層は、前記給電線上を覆う部分が前記給電線の周囲を覆う部分よりも盛り上がるように形成され、且つ、前記給電線の周囲を覆う部分では、前記給電線を挟んで互いに対向する二つの前記区画領域の一方と他方との間に段差を有し、
   前記バンクは、前記絶縁層に積層された第１のバンクと、前記第１のバンクに積層された第２のバンクとを有し、
   前記第１のバンクは、前記絶縁層のうちで前記給電線上を覆う部分以外であって前記絶縁層のうちで前記給電線の周囲を覆う部分に、該給電線上と該給電線の周囲上との段差を抑えるように形成され、且つ前記絶縁層のうちで前記給電線上を覆う部分上の厚さと、前記絶縁層のうちで前記給電線の周囲を覆う部分上の厚さとが同じであり、
   前記第２のバンクは、前記給電線上を覆う前記絶縁層の部分と前記第１のバンクとに積層され、前記絶縁層における前記給電線上を覆う部分と前記絶縁層における前記給電線の周囲を覆う部分との段差よりも厚い
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記第１のバンクは、親液性を有し、
   前記第２のバンクは、撥液性を有する
   ことを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
   前記発光素子は、陽極と、前記陽極と相対して形成した陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成した発光層とを備えたエレクトロルミネッセンス素子である
   ことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置において、
   前記エレクトロルミネッセンス素子は、前記発光層が有機材料で形成された有機エレクトロルミネッセンス素子である
   ことを特徴とする電気光学装置。
5. 一方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の給電線を基板上に形成する工程と、
   前記一方向と交差する他方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の走査線を基板上に形成する工程と、
   前記給電線と前記走査線とが交差する基板上における部分に、該給電線及び該走査線に接続されるように、発光素子を駆動するための周辺回路を形成する工程と、
   給電線上、前記走査線上、及び前記周辺回路上に渡り前記基板上を覆うように絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層上のうち前記複数の給電線の上方と前記複数の走査線の上方とにバンクを形成する工程と、
   前記絶縁層上のうちで前記バンクによって区画された複数の区画領域の各々に、前記絶縁層を介して前記周辺回路に接続され、且つ前記バンクに囲まれるように、液滴吐出法を用いて前記発光素子を形成する工程と
   を備えた電気光学装置の製造方法において、
   前記絶縁層を形成する工程では、前記絶縁層のうちで前記給電線上を覆う部分が前記絶縁層のうちで前記給電線の周囲を覆う部分よりも盛り上がるように前記絶縁層を形成し、且つ、前記給電線の周囲を覆う部分では、前記給電線を挟んで互いに対向する二つの前記区画領域の一方と他方との間が段差を有し、
   前記バンクを形成する工程では、前記絶縁層のうちで前記給電線上を覆う部分以外であって前記給電線の周囲を覆う部分に、該給電線上と該給電線の周囲上との段差を抑え、且つ前記絶縁層のうちで前記給電線上を覆う部分上の厚さと、前記絶縁層のうちで前記給電線の周囲を覆う部分上の厚さとが同じとなるように第１のバンクを形成し、前記給電線上を覆う前記絶縁層の部分上と前記第１のバンク上に、前記絶縁層における前記給電線上を覆う部分と前記絶縁層における前記給電線の周囲を覆う部分との段差よりも厚い第２のバンクを形成する
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記発光素子を形成する工程は、発光層を形成する工程を有し、該発光層を液滴吐出法によって形成する
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項５又は６に記載の電気光学装置の製造方法を使用して製造された電気光学装置が搭載されたことを特徴とする電子機器。

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