[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4850952B2 - 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 - Google Patents

液処理装置、液処理方法および記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP4850952B2
JP4850952B2 JP2009538538A JP2009538538A JP4850952B2 JP 4850952 B2 JP4850952 B2 JP 4850952B2 JP 2009538538 A JP2009538538 A JP 2009538538A JP 2009538538 A JP2009538538 A JP 2009538538A JP 4850952 B2 JP4850952 B2 JP 4850952B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lift pin
plate
pin plate
holding plate
rotation shaft
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009538538A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2009101853A1 (ja
Inventor
藤 規 宏 伊
川 裕 二 上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009538538A priority Critical patent/JP4850952B2/ja
Publication of JPWO2009101853A1 publication Critical patent/JPWO2009101853A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4850952B2 publication Critical patent/JP4850952B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

関連する出願の相互参照
本願は、2008年2月14日に出願された特願2008−33509号に対して優先権を主張し、当該特願2008−33509号のすべての内容が参照されてここに組み込まれるものとする。
本発明は、回転駆動されている被処理体に洗浄液を供給して、当該被処理体を洗浄する液処理装置および液処理方法、並びに、当該液処理方法を実施させるための記憶媒体に関する。
特開平9−290197号公報に示すように、従来から、被処理体である半導体ウエハ(以下、ウエハとも呼ぶ)を保持するとともに、中空になった底板と、底板に固定連結され、スピンモータにより回転駆動される回転軸と、回転軸内で延在し、底板に保持されたウエハに洗浄液を供給する供給管路と、上昇することによって下方からウエハを支持することができる基板押し上げピンと、を備えた液処理装置は知られている。
従来の液処理装置においては、ウエハを洗浄するために用いられた薬液やリンス液などの洗浄液が、貫通穴を介して基板押し上げピンに付着する可能性があった。このため、ウエハの乾燥工程の後に、基板押し上げピンによってウエハを持ち上げて搬送ロボットに受け渡すときに、基板押し上げピンに付着した洗浄液の液滴がウエハの裏面に付着することがあった。
このようにウエハに洗浄液が付着すると、液滴が付着したウエハ自体にウオーターマークが形成されるだけでなく、ウエハが運び込まれたキャリア内の湿度が上昇してしまい、キャリア内に収容された他のウエハにもウオーターマークが形成されることがある。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被処理体を持ち上げる部材に洗浄液が残ることを防止することによって、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止し、ひいては、被処理体にウオーターマークが形成されることを防止する液処理装置および液処理方法、並びに、当該液処理方法を実施させるための記憶媒体を提供する。
本発明による液処理装置は、
被処理体を保持するとともに、中空になった保持プレートと、
前記保持プレートに固定連結され、中空になった外方回転軸と、
前記保持プレートの中空内に配置されるとともに、前記被処理体を支持するリフトピンを有するリフトピンプレートと、
前記外方回転軸の中空内で延在し、前記リフトピンプレートに固定連結された内方回転軸と、
前記内方回転軸の内部に配置され、前記保持プレートに保持された前記被処理体に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記リフトピンプレートを昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材と、
前記外方回転軸に連結され、当該外方回転軸を回転駆動する外方回転駆動部と、
前記内方回転軸に連結され、当該内方回転軸を回転駆動する内方回転駆動部と、
を備えている。
このような構成によって、リフトピンプレートに洗浄液が溜まったり、リフトピンに洗浄液が残ったりすることを防止することができ、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止することができる。
本発明による液処理装置において、前記外方回転駆動部による前記外方回転軸の回転方向を、前記内方回転駆動部による前記内方回転軸の回転方向と同一方向とし、前記外方回転駆動部による前記外方回転軸の回転速度を、前記内方回転駆動部による前記内方回転軸の回転速度と同一とし、前記リフトピンプレートと前記保持プレートとの間にシール部材を設けることができる。
このような構成によって、リフトピンプレートと保持プレートとの間から、洗浄液などが外方回転軸の中空内に入り込むことを防止することができる。
本発明による液処理装置において、前記リフトピンプレートが下方位置にあるときに、前記リフトピンプレートの前記リフトピンの先端と、前記保持プレートに保持された前記被処理体の下端との距離が5mm以下とすることができる。
このような構成によって、被処理体の下面を伝って流れる洗浄液によって、リフトピンの先端を洗浄することができ、リフトピンの先端が被処理体の裏面に当接するときに、リフトピンの先端に付着した汚れが被処理体の裏面に移ることを防止することができる。
本発明による液処理装置において、前記リフトピンプレートの前記リフトピンを、前記保持プレートの周縁近傍に配置することができる。
このような構成によって、被処理体の裏面を洗浄した後にリフトピンの先端を洗浄することができ、リフトピンの先端が被処理体の裏面に当接するときに、リフトピンの先端に付着した汚れが被処理体の裏面に移ることをより確実に防止することができる。
本発明による液処理装置において、前記外方回転駆動部によって回転駆動される前記保持プレートの回転速度と、前記内方回転駆動部によって回転駆動される前記リフトピンプレートの回転速度とは、異なるようにしてもよい。
このような構成により、例えば、リフトピンプレートの回転速度を保持プレートの回転速度よりも高速にすることができ、リフトピンプレート上の洗浄液をより確実に取り除くことができる。
本発明による液処理方法は、
中空になった保持プレートと、当該保持プレートに固定連結され、中空になった外方回転軸と、前記保持プレートの中空内に配置されるとともに、リフトピンを有するリフトピンプレートと、前記外方回転軸の中空内で延在し、前記リフトピンプレートに固定連結された内方回転軸と、前記内方回転軸の内部に配置された洗浄液供給部と、前記リフトピンプレートを昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材と、前記外方回転軸に連結された外方回転駆動部と、前記内方回転軸に連結された内方回転駆動部と、を有する液処理装置を用いた液処理方法であって、
前記昇降部材によって、前記リフトピンプレートを上方位置に位置づけることと、
前記リフトピンプレートの前記リフトピンによって、前記被処理体を支持することと、
前記昇降部材によって、前記リフトピンプレートを下方位置に位置づけることと、
前記保持プレートによって、前記被処理体を保持することと、
前記外方回転駆動部で前記外方回転軸を回転駆動することによって、前記保持プレートで保持された前記被処理体を回転させることと、
前記内方回転駆動部で前記内方回転軸を回転駆動することによって、前記リフトピンプレートを回転させることと、
前記洗浄液供給部によって前記被処理体に薬液を供給することと、
前記洗浄液供給部によって前記被処理体にリンス液を供給することと、
を備えている。
このような方法によって、リフトピンプレートに洗浄液が溜まったり、リフトピンに洗浄液が残ったりすることを防止することができ、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止することができる。
このような方法において、前記保持プレートで保持された前記被処理体の回転速度と、前記リフトピンプレートの回転速度とは、異なるようにしてもよい。
このような方法により、例えば、リフトピンプレートの回転速度を保持プレートで保持された被処理体の回転速度よりも高速にすることができ、リフトピンプレート上の洗浄液をより確実に取り除くことができる。
本発明による記憶媒体は、
コンピュータに液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
当該液処理方法は、
中空になった保持プレートと、当該保持プレートに固定連結され、中空になった外方回転軸と、前記保持プレートの中空内に配置されるとともに、リフトピンを有するリフトピンプレートと、前記外方回転軸の中空内で延在し、前記リフトピンプレートに固定連結された内方回転軸と、前記内方回転軸の内部に配置された洗浄液供給部と、前記リフトピンプレートを昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材と、前記外方回転軸に連結された外方回転駆動部と、前記内方回転軸に連結された内方回転駆動部と、を有する液処理装置を用いた液処理方法であって、
前記昇降部材によって、前記リフトピンプレートを上方位置に位置づけることと、
前記リフトピンプレートの前記リフトピンによって、前記被処理体を支持することと、
前記昇降部材によって、前記リフトピンプレートを下方位置に位置づけることと、
前記保持プレートによって、前記被処理体を保持することと、
前記外方回転駆動部で前記外方回転軸を回転駆動することによって、前記保持プレートで保持された前記被処理体を回転させることと、
前記内方回転駆動部で前記内方回転軸を回転駆動することによって、前記リフトピンプレートを回転させることと、
前記洗浄液供給部によって前記被処理体に薬液を供給することと、
前記洗浄液供給部によって前記被処理体にリンス液を供給することと、
を備えた方法からなっている。
このような構成によって、リフトピンプレートに洗浄液が溜まったり、リフトピンに洗浄液が残ったりすることを防止することができ、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止することができる。
本発明によれば、内方回転駆動部によって内方回転軸が回転駆動されてリフトピンプレートが回転駆動されるので、リフトピンプレートに洗浄液が溜まったり、リフトピンに洗浄液が残ったりすることを防止することができる。このため、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止することができ、ひいては、被処理体にウオーターマークが形成されることを防止することができる。
図1は、本発明の実施の形態による液処理装置の駆動態様を示す側方断面図である。 図2は、本発明の実施の形態による液処理装置を示す側方断面図である。 図3は、本発明の実施の形態による液処理装置による液処理方法の流れを示したフロー図である。 図4は、本発明の実施の形態の別の形態による液処理装置を示す側方断面図である。 図5は、本発明の実施の形態のさらに別の形態による液処理装置を示す側方断面図である。
発明を実施するための形態
実施の形態
以下、本発明に係る液処理装置および液処理方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1(a)(b)乃至図5は本発明の実施の形態を示す図である。
図1(a)(b)および図2に示すように、液処理装置70は、被処理体である半導体ウエハW(以下、ウエハWとも呼ぶ)を保持するとともに、中空になった保持プレート1と、保持プレート1に固定連結され、中空になった外方回転軸2と、保持プレート1の中空内に配置されるとともに、ウエハWを支持するリフトピン21を有するリフトピンプレート20と、外方回転軸2の中空内で上下方向に延在し、リフトピンプレート20に固定連結された内方回転軸22と、を備えている。なお、図2に示すように、保持プレート1は、保持部材60によってウエハWを保持する。
また、図1(a)(b)に示すように、外方回転軸2には、当該外方回転軸2を回転駆動する外方回転駆動部40が連結され、内方回転軸22には、当該内方回転軸22を回転駆動する内方回転駆動部10が連結されている。また、図1(a)(b)に示すように、外方回転軸2の周縁外方にはベアリング47が配置されており、内方回転軸22の周縁外方にはベアリング17が配置されている。
また、図1(a)(b)に示すように、外方回転駆動部40は、外方回転軸2の周縁外方に配置されたプーリ42と、このプーリ42に駆動ベルト43を介して駆動力を付与するモータ41とを有している。
また、図1(a)(b)に示すように、内方回転駆動部10は、内方回転軸22の周縁外方に配置されたプーリ12と、このプーリ12に駆動ベルト13を介して駆動力を付与するモータ11とを有している。
また、図1(a)(b)に示すように、内方回転軸22とリフトピンプレート20とは中空形状になっており、これら内方回転軸22とリフトピンプレート20の内部(中空空間内)には、保持プレート1に保持されたウエハWの裏面側に洗浄液を供給する裏面側洗浄液供給部(洗浄液供給部)30が上下方向に延在している。
また、図1(a)(b)に示すように、内方回転軸22には、リフトピンプレート20および内方回転軸22を昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材16が設けられている(図1(b)の矢印参照)。なお、昇降部材16は、内方回転軸22を昇降させることによって、リフトピンプレート20を昇降させる。
また、図2に示すように、保持プレート1の上方には、保持プレート1によって保持されたウエハWの表面側に洗浄液を供給する表面側洗浄液供給部65が配置されている。
ところで、洗浄液とは、薬液やリンス液のことを意味している。そして、薬液としては、例えば、希フッ酸、アンモニア過水(SC1)、塩酸過水(SC2)などを用いることができる。他方、リンス液としては、例えば、純水(DIW)などを用いることができる。
また、裏面側洗浄液供給部30からはNなどからなる乾燥気体も供給され、表面側洗浄液供給部65からはIPA(イソプロピルアルコール)などからなる乾燥液も供給されるようになっている。
なお、図2に示すように、リフトピンプレート20が下方位置にある場合でも、リフトピンプレート20と保持プレート1との間には間隙Gが設けられている。そして、リフトピンプレート20と保持プレート1との間の間隙Gから、Nなどの気体が間隙Gから上方に向かって吹きつけられるようになっている(パージされるようになっている)。
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。
まず、昇降部材16によって、リフトピンプレート20が上方位置(ウエハ搬送ロボットがウエハWを受け渡す位置)に位置づけられる(上方位置づけ工程81)(図1(b)および図3参照)。より具体的には、昇降部材16によって内方回転軸22が上方位置に位置づけられ、このことによって、内方回転軸22に固定連結されたリフトピンプレート20が上方位置に位置づけられる。
次に、リフトピンプレート20のリフトピン21によって、ウエハ搬送ロボット(図示せず)からウエハWが受け取られ、当該リフトピン21によってウエハWが支持される(支持工程82)(図1(b)および図3参照)。
次に、昇降部材16によって、リフトピンプレート20が下方位置(ウエハWを洗浄液によって処理する位置)に位置づけられる(下方位置づけ工程83)(図1(a)および図3参照)。より具体的には、昇降部材16によって内方回転軸22が下方位置に位置づけられ、このことによって、内方回転軸22に固定連結されたリフトピンプレート20が下方位置に位置づけられる。
このようにリフトピンプレート20が下方位置に位置づけられる際に、保持プレート1の保持部材60によって、ウエハWが保持される(保持工程)(図2参照)。
次に、外方回転駆動部40により外方回転軸2が回転駆動されることによって、保持プレート1で保持されたウエハWが回転される(外方回転工程)(図1(a)参照)。このように保持プレート1が回転駆動され始めた後(または同時)に、内方回転駆動部10により内方回転軸22が回転駆動されることによって、リフトピンプレート20が回転される(内方回転工程)(図1(a)参照)。
このとき、モータ41から駆動ベルト43を介してプーリ42に駆動力が付与されることによって、外方回転軸2が回転駆動され、また、モータ11から駆動ベルト13を介してプーリ12に駆動力が付与されることによって、内方回転軸22が回転駆動される。
このように、保持プレート1に保持されたウエハWと、リフトピンプレート20とが回転している間に、以下の工程が行われる。
まず、表面側洗浄液供給部65と裏面側洗浄液供給部30とによって、ウエハWに薬液が供給される(薬液供給工程91)(図2および図3参照)。すなわち、表面側洗浄液供給部65によってウエハWの表面に薬液が供給されるとともに、裏面側洗浄液供給部30によってウエハWの裏面に薬液が供給される。
このとき、リフトピンプレート20と保持プレート1との間の間隙Gから外方回転軸2の中空内に、薬液が入り込まないように、Nなどの気体が間隙Gから上方に向かって吹きつけられている(パージされている)(図2参照)。なお、後述するリンス工程92や乾燥工程93においても同様に、リフトピンプレート20と保持プレート1との間の間隙GからNなどの気体が間隙Gから上方に向かって吹きつけられており、外方回転軸2の中空内にリンス液や乾燥液などが入り込むことを防止している。
次に、表面側洗浄液供給部65と裏面側洗浄液供給部30とによって、ウエハWにリンス液が供給される(リンス工程92)(図2および図3参照)。すなわち、表面側洗浄液供給部65によってウエハWの表面にリンス液が供給されるとともに、裏面側洗浄液供給部30によってウエハWの裏面にリンス液が供給される。
このような薬液供給工程91とリンス工程92とを行っている間、外方回転駆動部40によって外方回転軸2が回転駆動されてウエハWが回転されるだけではなく、内方回転駆動部10によって内方回転軸22が回転駆動されて、リフトピンプレート20が回転される。このため、ウエハWを洗浄するために用いられた薬液やリンス液などの洗浄液が、リフトピンプレート20に溜まること、および、リフトピン21に洗浄液が残ることを防止することができる。
すなわち、リフトピンプレート20で受けられた薬液やリンス液などの洗浄液は、リフトピンプレート20が回転されていることで生じる遠心力によって、リフトピンプレート20の周縁外方に移動させられることとなる。このため、ウエハWを洗浄するために用いられた洗浄液は、随時、リフトピンプレート20およびリフトピン21から除去されることとなるので、リフトピンプレート20に洗浄液が溜まること、および、リフトピン21に洗浄液が残ることを防止することができる。
なお、本実施の形態においては、リフトピンプレート20のリフトピン21の先端と、保持プレート1に保持されたウエハWの下面との距離は、リフトピンプレート20が下方位置にあるときに5mm以下となっている(図1(a)および図2参照)。このため、ウエハWの下面を伝って流れる薬液やリンス液によって、リフトピン21の先端を洗浄することができる。
この結果、上述の支持工程82や後述する搬出工程96のように、リフトピン21の先端がウエハWの裏面に当接するときに、リフトピン21の先端に付着した汚れがウエハWの裏面に移ることを防止することができる。
上述のようにリンス工程92が終了すると、乾燥工程93が行われる。
すなわち、表面側洗浄液供給部65からIPA(イソプロピルアルコール)などからなる乾燥液が供給され、裏面側洗浄液供給部30からNなどからなる乾燥気体が供給される。そして、このときにもやはり、外方回転駆動部40から加えられる駆動力によって、リフトピンプレート20が回転されている。
このため、リフトピンプレート20およびリフトピン21に残っている洗浄液(特にリンス液)は、リフトピンプレート20が回転されていることで生じる遠心力によって、リフトピンプレート20の周縁外方に移動させられる。このため、リフトピンプレート20およびリフトピン21に洗浄液(特にリンス液)が残ることを確実に防止することができる。
このような乾燥工程93が終了すると、リフトピンプレート20のリフトピン21によってウエハWが持ち上げられ、ウエハ搬送ロボットに移動させられる(搬出工程96)(図1(b)および図3参照)。ここで、上述のように、薬液供給工程91、リンス工程92および乾燥工程93の間、リフトピンプレート20が回転されているので、リフトピンプレート20およびリフトピン21には洗浄液が残っていない。
このため、リフトピンプレート20のリフトピン21によってウエハWを持ち上げる際に、ウエハWの裏面にリフトピンプレート20に溜まった洗浄液の液滴およびリフトピン21に残った洗浄液の液滴が付着することはない。
この結果、液滴の付着したウエハW自体にウオーターマークが形成されることを防止することができ、かつ、ウエハWが運び込まれたキャリア(図示せず)内に収容された他のウエハWにウオーターマークが形成されてしまうことも防止することができる。
なお、本実施の形態によれば、リフトピンプレート20と保持プレート1との間に間隙Gが設けられているので、外方回転駆動部40による外方回転軸2の回転速度と、内方回転駆動部10による内方回転軸22の回転速度とを異なる速度にすることができる。このため、リフトピンプレート20上の洗浄液をより確実に取り除くために、リフトピンプレート20の回転速度を保持プレート1の回転速度よりも高速にすることができる。つまり、ウエハW表面の洗浄を低速回転で行いたい場合であっても、保持プレート1だけを低速回転(例えば、100rpmで回転)させ、他方、リフトピンプレート20を高速回転(例えば、1000rpmで回転)させることができる。このため、リフトピンプレート20に洗浄液が溜まること、および、リフトピン21に洗浄液が残ることをさらに確実に防止することができる。
ところで、上記では、リフトピンプレート20と保持プレート1との間に間隙Gが設けられた態様を用いて説明した。しかしながら、これに限られることなく、図4に示すように、リフトピンプレート20と保持プレート1との間に、間隙Gを設けずにOリングなどからなるシール部材35を設けてもよい。
なお、リフトピンプレート20と保持プレート1との間にこのようなシール部材35を設ける場合には、外方回転駆動部40による外方回転軸2の回転方向と内方回転駆動部10による内方回転軸22の回転方向とは同一方向である必要があり、かつ、外方回転駆動部40による外方回転軸2の回転速度と内方回転駆動部10による内方回転軸22の回転速度とは同一になる必要がある。
このようにリフトピンプレート20と保持プレート1との間にシール部材35を設けることによって、上述した薬液供給工程91、リンス工程92および乾燥工程93において、リフトピンプレート20と保持プレート1との間から、薬液、リンス液、乾燥液などが外方回転軸2の中空内に入り込むことを防止することができる。
また、上記では、リフトピンプレート20のリフトピン21が、保持プレート1の中心近傍に配置されている態様を用いて説明したが、これに限られることなく、図5に示すように、リフトピンプレート20が保持プレート1の周縁近傍まで延びた円形形状からなり、リフトピンプレート20のリフトピン21が、保持プレート1の周縁近傍に配置されるようにしてもよい。
このようにリフトピン21が保持プレート1の周縁近傍に配置されることによって、ウエハWの裏面を洗浄した後の洗浄液を用いてリフトピン21の先端を洗浄することができる。このため、リフトピン21の先端がウエハWの裏面に当接するときに、リフトピン21の先端に付着した汚れがウエハWの裏面に移ることをより確実に防止することができるだけではなく、ウエハWの裏面の洗浄液の流れの乱れを少なく抑えつつ、リフトピン21の先端を洗浄することもできる。
ところで、本実施の形態においては、上述した液処理方法の各工程に関する情報が記憶媒体52に記憶されている(図1(a)(b)参照)。そして、液処理装置70は、記憶媒体52を受け付けるコンピュータ55と、当該コンピュータ55からの信号を受けて液処理装置70を制御する制御部50とを備えている。このため、この記憶媒体52をコンピュータ55に挿入することで、制御部50によって、上述した一連の液処理方法を当該液処理装置70に実行させることができる(図1(a)(b)参照)。

Claims (8)

  1. 被処理体を保持するとともに、中空になった保持プレートと、
    前記保持プレートに固定連結され、中空になった外方回転軸と、
    前記保持プレートの中空内に配置されるとともに、前記被処理体を支持するリフトピンを有するリフトピンプレートと、
    前記外方回転軸の中空内で延在し、前記リフトピンプレートに固定連結された内方回転軸と、
    前記内方回転軸の内部に配置され、前記保持プレートに保持された前記被処理体に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
    前記リフトピンプレートを昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材と、
    前記外方回転軸に連結され、当該外方回転軸を回転駆動する外方回転駆動部と、
    前記内方回転軸に連結され、当該内方回転軸を回転駆動する内方回転駆動部と、
    を備えたことを特徴とする液処理装置。
  2. 前記外方回転駆動部による前記外方回転軸の回転方向は、前記内方回転駆動部による前記内方回転軸の回転方向と同一方向であり、
    前記外方回転駆動部による前記外方回転軸の回転速度は、前記内方回転駆動部による前記内方回転軸の回転速度と同一であり、
    前記リフトピンプレートと前記保持プレートとの間にシール部材が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
  3. 前記リフトピンプレートが下方位置にあるときに、前記リフトピンプレートの前記リフトピンの先端と、前記保持プレートに保持された前記被処理体の下端との距離が5mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
  4. 前記リフトピンプレートの前記リフトピンは、前記保持プレートの周縁近傍に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の液処理装置。
  5. 前記外方回転駆動部によって回転駆動される前記保持プレートの回転速度と、前記内方回転駆動部によって回転駆動される前記リフトピンプレートの回転速度とは、異なることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
  6. 中空になった保持プレートと、当該保持プレートに固定連結され、中空になった外方回転軸と、前記保持プレートの中空内に配置されるとともに、リフトピンを有するリフトピンプレートと、前記外方回転軸の中空内で延在し、前記リフトピンプレートに固定連結された内方回転軸と、前記内方回転軸の内部に配置された洗浄液供給部と、前記リフトピンプレートを昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材と、前記外方回転軸に連結された外方回転駆動部と、前記内方回転軸に連結された内方回転駆動部と、を有する液処理装置を用いた液処理方法であって、
    前記昇降部材によって、前記リフトピンプレートを上方位置に位置づけることと、
    前記リフトピンプレートの前記リフトピンによって、前記被処理体を支持することと、
    前記昇降部材によって、前記リフトピンプレートを下方位置に位置づけることと、
    前記保持プレートによって、前記被処理体を保持することと、
    前記外方回転駆動部で前記外方回転軸を回転駆動することによって、前記保持プレートで保持された前記被処理体を回転させることと、
    前記内方回転駆動部で前記内方回転軸を回転駆動することによって、前記リフトピンプレートを回転させることと、
    前記洗浄液供給部によって前記被処理体に薬液を供給することと、
    前記洗浄液供給部によって前記被処理体にリンス液を供給することと、
    を備えたことを特徴とする液処理方法。
  7. 前記保持プレートで保持された前記被処理体の回転速度と、前記リフトピンプレートの回転速度とは、異なっていることを特徴とする請求項6に記載の液処理方法。
  8. コンピュータに液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
    当該液処理方法は、
    中空になった保持プレートと、当該保持プレートに固定連結され、中空になった外方回転軸と、前記保持プレートの中空内に配置されるとともに、リフトピンを有するリフトピンプレートと、前記外方回転軸の中空内で延在し、前記リフトピンプレートに固定連結された内方回転軸と、前記内方回転軸の内部に配置された洗浄液供給部と、前記リフトピンプレートを昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材と、前記外方回転軸に連結された外方回転駆動部と、前記内方回転軸に連結された内方回転駆動部と、を有する液処理装置を用いた液処理方法であって、
    前記昇降部材によって、前記リフトピンプレートを上方位置に位置づけることと、
    前記リフトピンプレートの前記リフトピンによって、前記被処理体を支持することと、
    前記昇降部材によって、前記リフトピンプレートを下方位置に位置づけることと、
    前記保持プレートによって、前記被処理体を保持することと、
    前記外方回転駆動部で前記外方回転軸を回転駆動することによって、前記保持プレートで保持された前記被処理体を回転させることと、
    前記内方回転駆動部で前記内方回転軸を回転駆動することによって、前記リフトピンプレートを回転させることと、
    前記洗浄液供給部によって前記被処理体に薬液を供給することと、
    前記洗浄液供給部によって前記被処理体にリンス液を供給することと、
    を備えた方法であることを特徴とする記憶媒体。
JP2009538538A 2008-02-14 2009-01-27 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 Active JP4850952B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009538538A JP4850952B2 (ja) 2008-02-14 2009-01-27 液処理装置、液処理方法および記憶媒体

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008033509 2008-02-14
JP2008033509 2008-02-14
PCT/JP2009/051247 WO2009101853A1 (ja) 2008-02-14 2009-01-27 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP2009538538A JP4850952B2 (ja) 2008-02-14 2009-01-27 液処理装置、液処理方法および記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009101853A1 JPWO2009101853A1 (ja) 2011-06-09
JP4850952B2 true JP4850952B2 (ja) 2012-01-11

Family

ID=40956883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009538538A Active JP4850952B2 (ja) 2008-02-14 2009-01-27 液処理装置、液処理方法および記憶媒体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100147335A1 (ja)
JP (1) JP4850952B2 (ja)
TW (1) TW201001615A (ja)
WO (1) WO2009101853A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5301505B2 (ja) * 2009-08-27 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
KR101783079B1 (ko) 2011-08-26 2017-09-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP6424726B2 (ja) * 2015-04-27 2018-11-21 株式会社Sumco サセプタ及びエピタキシャル成長装置
CN106711080A (zh) * 2015-11-16 2017-05-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 承载装置及半导体加工设备
JP6804325B2 (ja) * 2017-02-09 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6832739B2 (ja) * 2017-02-21 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN113829377B (zh) * 2020-06-24 2023-08-18 拓荆科技股份有限公司 一种衬底的装载和拾取装置及衬底的装载和拾取方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068700A (ja) * 2001-08-30 2003-03-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2005051028A (ja) * 2003-07-28 2005-02-24 Sipec Corp 基板支持装置および基板取り外し方法
JP2006019545A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6827814B2 (en) * 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP2004303967A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7323080B2 (en) * 2004-05-04 2008-01-29 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
JP2006013107A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20060115590A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Tokyo Electron Limited; International Business Machines Corporation Method and system for performing in-situ cleaning of a deposition system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068700A (ja) * 2001-08-30 2003-03-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2005051028A (ja) * 2003-07-28 2005-02-24 Sipec Corp 基板支持装置および基板取り外し方法
JP2006019545A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20100147335A1 (en) 2010-06-17
JPWO2009101853A1 (ja) 2011-06-09
WO2009101853A1 (ja) 2009-08-20
TW201001615A (en) 2010-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5005770B2 (ja) 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP4850952B2 (ja) 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5301505B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP6229933B2 (ja) 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
CN101253604B (zh) 衬底处理方法和衬底处理设备
JP4757882B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体
JP6017338B2 (ja) 液処理装置、洗浄用治具および洗浄方法
JP4732918B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR101371572B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
JP5005571B2 (ja) 液処理装置
JP5122426B2 (ja) 液処理方法、液処理装置および記憶媒体
KR101377196B1 (ko) 액처리 장치
KR102402297B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4920643B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2023144107A (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
JP5758445B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP4334452B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN221149948U (zh) 晶圆清洗系统
JP2009081370A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2008166574A (ja) 基板処理装置、基板乾燥方法および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111011

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111019

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4850952

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250