JP4710427B2 - 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 - Google Patents
光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4710427B2 JP4710427B2 JP2005175458A JP2005175458A JP4710427B2 JP 4710427 B2 JP4710427 B2 JP 4710427B2 JP 2005175458 A JP2005175458 A JP 2005175458A JP 2005175458 A JP2005175458 A JP 2005175458A JP 4710427 B2 JP4710427 B2 JP 4710427B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- lens
- optical
- elastic deformation
- holding device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 191
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 2
- 210000003644 lens cell Anatomy 0.000 description 29
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000009471 action Effects 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- LQFSFEIKYIRLTN-UHFFFAOYSA-H aluminum;calcium;lithium;hexafluoride Chemical compound [Li+].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Al+3].[Ca+2] LQFSFEIKYIRLTN-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- IEPNMLJMIRCTIV-UHFFFAOYSA-H aluminum;lithium;strontium;hexafluoride Chemical compound [Li+].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Al+3].[Sr+2] IEPNMLJMIRCTIV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 zirconium-barium-lanthanum-aluminum Chemical compound 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Lens Barrels (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
また、請求項7に記載の発明は、請求項2〜5のうちいずれか一項に記載の発明において、前記弾性変形片の各々の前記光学素子の半径方向における厚さが互いに異なることを特徴とするものである。
また、請求項8に記載の発明は、請求項3〜7のうちいずれか一項に記載の発明において、前記複数の弾性変形部のうち前記光学素子側の前記弾性変形部が有する前記一対の弾性変形片と、前記複数の弾性変形部のうち前記枠体側の前記弾性変形部が有する前記一対の弾性変形片とが、前記光学素子の接線方向にずれた位置で前記載置部に接続されていることを特徴とするものである。
また、請求項10に記載の発明は、複数の光学素子を介した露光光で基板を露光する露光装置において、前記複数の光学素子の少なくとも1つを請求項1〜8のうちいずれか一項に記載の光学素子保持装置を介して保持したことを特徴とするものである。
次に、前記各請求項に記載の発明にさらに含まれる技術的思想について、それらの作用とともに以下に記載する。
従って、この(1)に記載の発明によれば、光学素子保持装置における部品点数及び組立工数の削減を図ることができるという作用が奏される。
以下に、本発明の露光装置と光学素子保持装置と鏡筒とを、例えば半導体素子製造用の露光装置と、レンズ等の光学素子を保持する光学素子保持装置と、投影光学系を収容する鏡筒とに具体化した第1実施形態について図1〜図8に基づいて説明する。
図2は、レンズセル29を示す部分破断斜視図である。図2に示すように、前記レンズ28は合成石英や蛍石等の硝材からなり、その周縁部にはフランジ部28aが形成されている。レンズセル29は、鏡筒27の一部を構成する枠体32と、その枠体32上に等角度間隔をおいて配設された3つの保持部33とから構成されている。枠体32は金属材料により円環状に形成され、この枠体32が複数積み重なって1つの鏡筒27が構成されている。そして、これらの保持部33において、レンズ28のフランジ部28aが保持されるようになっている。
クランプ本体42は、押さえ面ブロック44と、枠体32に取り付けるための取付部45と、押さえ面ブロック44と取付部45とを連結する腕部46とからなっている。これら押さえ面ブロック44と取付部45と腕部46とは、一体に形成されている。
I = bh3/12 ……(1)
なお、bは、切り欠きバネのレンズ28の光軸方向における長さ。
hは、切り欠きバネの径方向における厚さ。
1枚の厚さ 総厚さ
3対の場合:1/3√3倍 0.693h 2.079h
4対の場合:1/3√4倍 0.630h 2.520h
5対の場合:1/3√5倍 0.693h 2.925h
従って、切り欠きバネの数が多くなるほど、載置部34におけるレンズ28の光軸方向の支持剛性は大きくなることになる。
(ア) このレンズセル29では、レンズ28のフランジ部28aを載置する載置部34からレンズ28の接線方向に延在し、レンズ28の半径方向に所定間隔離して設けられ、載置部34をレンズ28の半径方向に変位可能に接続する複数の切り欠きバネ37a,37bを備えている。
このため、切り欠きバネ37a,37bにおけるレンズ28の半径方向への十分な弾性変形性を確保しつつ、レンズ28の光軸方向の剛性をさらに高めることができて、一層安定にレンズ28を保持することができる。
このため、レンズセル29の構成が簡単なものとなり、切り欠きバネ37a,37bの加工を容易に行うことができる。
(ク) この鏡筒27では、複数のレンズ28が、前記(ア)〜(キ)の優れた効果を有するレンズセル29を介して保持されている。
(ケ) この露光装置21では、露光光の通過するレンズ28が前記(ア)〜(キ)の優れた効果を有するレンズセル29を介して保持されている。
つぎに、本発明の第2実施形態について、前記第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
(サ) このレンズセル29では、レンズ28側の切り欠きバネ37aとが、枠体32側の切り欠きバネ37bとが、レンズ28の接線方向にずれた位置で載置部34に接続されている。
なお、本発明の実施形態は、以下のように変形してもよい。
・ 前記第1実施形態において、各切り欠きバネ37a,37bのレンズ28の半径方向における厚さをそれぞれ異なるものとしてもよい。この場合、例えば2対の切り欠きバネ37a,37bを、レンズ28の接線方向に同じ長さをもって、厚さを異なるものとしたときには、切り欠きバネ37aと切り欠きバネ37bとによる載置部34の支持剛性がほぼ等しくなる中立軸NAは、厚さの大きい切り欠きバネ側に移動することになる。このため、座面40は、移動した中立軸NA上に設けることが好ましい。
・ 前記第1実施形態において、各切り欠きバネ37a,37bを、レンズ28の接線方向にずらして配置してもよい。
・ 前記各実施形態において、切り欠きバネ37a,37bと載置部34との少なくとも1つを、枠体32とは別体の部材で形成してもよい。
・ 前記各実施形態において、切り欠きバネの数を、3対以上としてもよい。
・ また、露光装置として、投影光学系を用いることなく、マスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するコンタクト露光装置、マスクと基板とを近接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置の光学系にも適用することができる。また、投影光学系としては、全屈折タイプに限らず、反射屈折タイプ、全反射タイプであってもよい。
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(深紫外)やVUV(真空紫外)光などを用いる露光装置では一般に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては、石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、または水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置や電子線露光装置などでは、透過型マスク(ステンシルマスク、メンバレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
すなわち、まず、照明光学系23、投影光学系25を構成する複数のレンズ28またはミラー等の光学素子の少なくとも一部を本実施形態のレンズセル29等の光学素子保持装置で保持し、この照明光学系23及び投影光学系25を露光装置21の本体に組み込み、光学調整を行う。次いで、多数の機械部品からなるウエハステージ26(スキャンタイプの露光装置の場合は、レチクルステージ24も含む)を露光装置21の本体に取り付けて配線を接続する。そして、露光光の光路内にガスを供給するガス供給配管を接続した上で、さらに総合調整(電気調整、動作確認など)を行う。
図10は、デバイス(ICやLSI等の半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。図10に示すように、まず、ステップS101(設計ステップ)において、デバイス(マイクロデバイス)の機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レクチルR等)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラスプレート等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程(ステップS116)において上記の露光装置21が用いられ、真空紫外域の露光光ELにより解像力の向上が可能となり、しかも露光量制御を高精度に行うことができる。従って、結果的に最小線幅が0.1μm程度の高集積度のデバイスを歩留まりよく生産することができる。
Claims (12)
- 光学素子を保持する光学素子保持装置において、
枠体と、前記枠体に設けられる保持部とを有し、前記保持部は、
前記光学素子の周縁部を載置する載置部と、
前記光学素子の接線方向に、または前記光学素子の接線方向と交差する方向に延在し、かつ前記光学素子の半径方向に所定間隔離して設けられ、前記載置部を前記枠体に対して前記光学素子の半径方向に変位可能に接続する複数の弾性変形部と
を備えることを特徴とする光学素子保持装置。 - 前記弾性変形部のそれぞれは、前記光学素子の光軸方向に延びる薄板状の弾性変形片を有するものであることを特徴とする請求項1に記載の光学素子保持装置。
- 前記弾性変形部のそれぞれは、前記接線方向または前記交差する方向に関して、前記載置部の一方側と他方側とに設けられる一対の弾性変形片を有することを特徴とする請求項1または2に記載の光学素子保持装置。
- 前記載置部は、前記光学素子の光軸方向に貫通するスリットによって前記枠体に区画形成され、前記弾性変形片は、前記光学素子の光軸方向に貫通するスリットによって前記枠体に区画形成された板バネからなることを特徴とする請求項3に記載の光学素子保持装置。
- 前記載置部における前記光学素子の支持点を、前記弾性変形片の各々による前記光学素子の支持剛性がほぼ等しくなる中立軸上に形成したことを特徴とする請求項3または4に記載の光学素子保持装置。
- 前記弾性変形片の各々の前記光学素子の半径方向における厚さが均一であることを特徴とする請求項2〜5のうちいずれか一項に記載の光学素子保持装置。
- 前記弾性変形片の各々の前記光学素子の半径方向における厚さが互いに異なることを特徴とする請求項2〜5のうちいずれか一項に記載の光学素子保持装置。
- 前記複数の弾性変形部のうち前記光学素子側の前記弾性変形部が有する前記一対の弾性変形片と、前記複数の弾性変形部のうち前記枠体側の前記弾性変形部が有する前記一対の弾性変形片とが、前記光学素子の接線方向にずれた位置で前記載置部に接続されていることを特徴とする請求項3〜7のうちいずれか一項に記載の光学素子保持装置。
- 複数の光学素子を保持する鏡筒において、
前記光学素子の少なくとも1つを請求項1〜8のうちいずれか一項に記載の光学素子保持装置を介して保持したことを特徴とする鏡筒。 - 複数の光学素子を介した露光光で基板を露光する露光装置において、
前記複数の光学素子の少なくとも1つを請求項1〜8のうちいずれか一項に記載の光学素子保持装置を介して保持したことを特徴とする露光装置。 - 前記複数の光学素子が、マスク上に形成されたパターンの像を前記基板上に投影する投影光学系を構成することを特徴とする請求項10に記載の露光装置。
- リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項10または11に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005175458A JP4710427B2 (ja) | 2005-06-15 | 2005-06-15 | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005175458A JP4710427B2 (ja) | 2005-06-15 | 2005-06-15 | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006349946A JP2006349946A (ja) | 2006-12-28 |
JP4710427B2 true JP4710427B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=37645889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005175458A Expired - Fee Related JP4710427B2 (ja) | 2005-06-15 | 2005-06-15 | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4710427B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101547077B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-08-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI474132B (zh) | 2003-10-28 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TWI519819B (zh) | 2003-11-20 | 2016-02-01 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
TWI366219B (en) | 2004-02-06 | 2012-06-11 | Nikon Corp | Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method |
KR20140140648A (ko) | 2005-05-12 | 2014-12-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
JP5251869B2 (ja) | 2007-04-23 | 2013-07-31 | 株式会社ニコン | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置ならびにデバイスの製造方法 |
WO2008146655A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Nikon Corporation | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置ならびにデバイスの製造方法 |
JP5128665B2 (ja) | 2007-08-23 | 2013-01-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 寄生負荷最小化光学素子モジュール |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036701A1 (nl) * | 2008-04-15 | 2009-10-19 | Asml Holding Nv | Apparatus for supporting an optical element, and method of making same. |
DE102010008756A1 (de) * | 2010-02-17 | 2011-06-30 | Carl Zeiss Laser Optics GmbH, 73447 | Optische Anordnung |
DE102010022934A1 (de) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Ag | Optische Baugruppe |
WO2017154469A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | アルプス電気株式会社 | 光学部品収容体 |
JP2018041097A (ja) * | 2017-11-01 | 2018-03-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 寄生負荷最小化光学素子モジュール |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000028886A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-01-28 | Carl Zeiss:Fa | 光学要素とマウントからなるアセンブリ |
JP2004031491A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 光学素子保持機構、光学系鏡筒及び露光装置 |
JP2006284789A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Nidec Copal Corp | レンズ鏡胴 |
-
2005
- 2005-06-15 JP JP2005175458A patent/JP4710427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000028886A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-01-28 | Carl Zeiss:Fa | 光学要素とマウントからなるアセンブリ |
JP2004031491A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 光学素子保持機構、光学系鏡筒及び露光装置 |
JP2006284789A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Nidec Copal Corp | レンズ鏡胴 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006349946A (ja) | 2006-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5251869B2 (ja) | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置ならびにデバイスの製造方法 | |
JP4710427B2 (ja) | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
JP4945845B2 (ja) | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法。 | |
JPWO2008146655A1 (ja) | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置ならびにデバイスの製造方法 | |
JP4945864B2 (ja) | 保持装置、光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
JP4826695B2 (ja) | 反射屈折光学系および該光学系を備えた投影露光装置 | |
JP5013906B2 (ja) | 光学素子保持装置 | |
JP3944095B2 (ja) | 保持装置 | |
JP4770090B2 (ja) | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2013161992A (ja) | 変形可能な反射光学素子、光学系、及び露光装置 | |
US20030147155A1 (en) | Optical element holding device | |
JP2004347814A (ja) | 保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
US6982841B2 (en) | Mirror holding mechanism in exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2003337272A (ja) | 光学系の保持装置、光学素子の位置調整方法、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
JP2001284226A (ja) | 光学部材保持装置及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法。 | |
KR101080144B1 (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP2002236242A (ja) | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
JP4363328B2 (ja) | 投影光学系及び露光装置 | |
JP2005191150A (ja) | ステージ装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
JPWO2002052624A1 (ja) | 露光装置、光学部材装着部材、光学部材脱着ジグ及びデバイスの製造方法 | |
JP4765297B2 (ja) | 鏡筒支持装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
JP2006189570A (ja) | 液浸光学系および光学装置 | |
JP2011096720A (ja) | 光学素子の保持装置、それを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
JP2007017632A (ja) | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
JP2005266146A (ja) | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080604 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4710427 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140401 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |