JP4708214B2 - 光送受信デバイス - Google Patents
光送受信デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4708214B2 JP4708214B2 JP2006047249A JP2006047249A JP4708214B2 JP 4708214 B2 JP4708214 B2 JP 4708214B2 JP 2006047249 A JP2006047249 A JP 2006047249A JP 2006047249 A JP2006047249 A JP 2006047249A JP 4708214 B2 JP4708214 B2 JP 4708214B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wire
- optical transmission
- reception device
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 49
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 24
- 239000002585 base Substances 0.000 description 25
- 230000017531 blood circulation Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007637 SnAg Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 210000003743 erythrocyte Anatomy 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
- A61B5/02—Detecting, measuring or recording pulse, heart rate, blood pressure or blood flow; Combined pulse/heart-rate/blood pressure determination; Evaluating a cardiovascular condition not otherwise provided for, e.g. using combinations of techniques provided for in this group with electrocardiography or electroauscultation; Heart catheters for measuring blood pressure
- A61B5/024—Detecting, measuring or recording pulse rate or heart rate
- A61B5/0245—Detecting, measuring or recording pulse rate or heart rate by using sensing means generating electric signals, i.e. ECG signals
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
- A61B5/02—Detecting, measuring or recording pulse, heart rate, blood pressure or blood flow; Combined pulse/heart-rate/blood pressure determination; Evaluating a cardiovascular condition not otherwise provided for, e.g. using combinations of techniques provided for in this group with electrocardiography or electroauscultation; Heart catheters for measuring blood pressure
- A61B5/026—Measuring blood flow
- A61B5/0261—Measuring blood flow using optical means, e.g. infrared light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Cardiology (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Surgery (AREA)
- Physiology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Biophysics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Hematology (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明は、血流量等を測定するための血流センサとして主に使用される光送受信デバイスに関する。
従来の光送受信デバイスとして、発光素子及び受光素子のそれぞれが配置される凹部が表面に形成された半導体基板と、半導体基板の表面に配置され、遮光膜が形成されたカバー基板とを備える血流計が知られている(例えば、特許文献1参照)。この血流計においては、発光素子の一方の端子電極が、凹部の内面に形成された電極とワイヤを介して電気的に接続されている。
特開2004−229920号公報
しかしながら、上述したような光送受信デバイスには、次のような問題が存在する。すなわち、発光素子の一方の端子電極が、凹部の内面に形成された電極とワイヤを介して電気的に接続されることから、ワイヤを収納するための空間を凹部に設けることが必要となり、その空間の分だけ凹部が大型化する。そのため、半導体基板を小型化することが妨げられ、ひいては、光送受信デバイスを小型化することが妨げられてしまう。
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、小型化が可能となる光送受信デバイスを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る光送受信デバイスは、前方に光を発光するための発光素子と、前方から照射された光を受光するための受光素子と、発光素子が配置される第1の凹部、及び受光素子が配置される第2の凹部が前面に形成された基体と、基体の前面側に配置され、発光素子により発光される光が通過する第1の光通過孔、及び受光素子により受光される光が通過する第2の光通過孔が形成された遮光部材と、遮光部材の前面側に配置され、発光素子により発光される光、及び受光素子により受光される光が透過する光透過部材とを備え、発光素子の端子電極及び受光素子の端子電極の少なくとも1つは、ワイヤを介して、基体の前面に形成された配線と電気的に接続されており、遮光部材には、ワイヤを収納するワイヤ収納部が形成されていることを特徴とする。
また、本発明に係る光送受信デバイスは、前方に光を発光するための発光素子と、前方から照射された光を受光するための受光素子と、発光素子及び受光素子が配置される凹部が前面に形成された基体と、基体の前面側に配置され、発光素子により発光される光が通過する第1の光通過孔、及び受光素子により受光される光が通過する第2の光通過孔が形成された遮光部材と、遮光部材の前面側に配置され、発光素子により発光される光、及び受光素子により受光される光が透過する光透過部材とを備え、発光素子の端子電極及び受光素子の端子電極の少なくとも1つは、ワイヤを介して、基体の前面に形成された配線と電気的に接続されており、遮光部材には、ワイヤを収納するワイヤ収納部が形成されていることを特徴とする。
これらの光送受信デバイスにおいては、発光素子の端子電極及び受光素子の端子電極の少なくとも1つは、ワイヤを介して、基体の前面に形成された配線と電気的に接続されており、基体の前面側に配置された遮光部材には、ワイヤを収納するワイヤ収納部が形成されている。これにより、ワイヤを収納する空間を凹部に設けることが不要となるため、凹部を小型化することが可能となる。従って、基体を小型化し、ひいては、光送受信デバイスを小型化することが可能となる。
本発明に係る光送受信デバイスにおいては、発光素子の端子電極の少なくとも1つと電気的に接続されたワイヤを収納するワイヤ収納部は、凹部又は貫通孔であることが好ましい。この場合には、ワイヤ収納部を簡便に形成することができる。
本発明に係る光送受信デバイスにおいては、発光素子の端子電極の少なくとも1つと電気的に接続されたワイヤを収納するワイヤ収納部は貫通孔であり、貫通孔と第1の光通過孔とは連続して形成されていることが好ましい。この場合には、ワイヤ収納部をより一層簡便に形成することができる。
本発明に係る光送受信デバイスにおいては、受光素子の端子電極の少なくとも1つと電気的に接続されたワイヤを収納するワイヤ収納部は、凹部であることが好ましい。この場合には、ワイヤ収納部を簡便に形成することができると共に、前方から照射された光がワイヤ収納部を介して受光素子により受光されるのを防止することができる。
本発明によれば、光送受信デバイスの小型化が可能となる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
[第1実施形態]
[第1実施形態]
図1及び図2に示されるように、第1実施形態に係る光送受信デバイス1は、例えば、プラスチック材料により、前方に開口する直方体カップ状に形成された外囲器2を備えている。外囲器2内には、前方に光を出射するLD(発光素子)9と、前方から照射された光を受光するPD(受光素子)12を内蔵する本体部4が配置されており、外囲器2内における本体部4の周囲には、例えば絶縁コートされたカーボンフィラーを含有するシリコーン樹脂からなる遮光性樹脂3が充填されている。この光送受信デバイス1は、例えば生体組織に光を照射することにより散乱した散乱光を利用して、生体組織における血流を検出したり、血流量、血流速度、脈拍等を測定する血流センサとして用いられるものである。
図2及び図3に示されるように、本体部4は、外囲器2内の底面側に基体5を有している。この基体5は、例えば、半導体材料であるシリコンにより、幅2.8mm、長さ6.0mm、厚さ1.0mmの長方形板状に形成され、基体5の前面5aには、凹状の第1のキャビティ(第1の凹部)7及び第2のキャビティ(第2の凹部)8が形成されている。第1のキャビティ7内にはLD9が配置されており、後述するLDアノード10及びLDカソード11と電気的に接続されている。また、第2のキャビティ8内にはPD12が配置されており、後述するPDアノード13及びPDカソード14と電気的に接続されている。
なお、キャビティ7,8は、例えば、基体5となるシリコン基板にウエットエッチングを施すことにより形成される。具体的には、キャビティ7,8は、基体5となるシリコン基板の表面に、キャビティ7,8の形状を画定するためのSiN等からなるマスクを設け、このマスクの開口にエッチャントを作用させることで形成される。エッチング後には、SiNマスクを除去した後、熱酸化により少なくともキャビティ表面と基板表面とに、1.5μmの厚みの例えばSiO2からなる絶縁膜40を形成する。
LD9は、例えば、化合物半導体材料からなる厚さ0.2mmのVCSEL(面発光レーザ)を用いたものであり、波長850nmの光を出射する。このLD9においては、前端面にLD端子電極15が設けられており、後端面にLD端子電極16が設けられている。また、PD12は、例えば、半導体材料からなる厚さ0.3mmのSi−PDやGaAs−PDを用いたものである。このPD12においては、前端面にPD端子電極17及びPD端子電極18が設けられている。
なお、PD12の材料は、LD9が出射する光の波長に応じて選択される。例えば、LD9が出射する光の波長が780nmの場合には、PD12の材料としてSiやGaAsが用いられ、LD9が出射する光の波長が1.31μmの場合には、PD12の材料としてInGaAsが用いられる。
基体5の前面5a及びキャビティ7,8の内面の絶縁膜40上には、例えば、Al、Ti−Pt−Auの積層膜、又はCr−Pt−Auの積層膜により、所定のパターンをもって基体配線部(配線)19が形成されている。この基体配線部19は、第1のキャビティ7側に、LDアノード10及びLDカソード11を有しており、第2のキャビティ8側に、PDアノード13及びPDカソード14を有している。これらのLDアノード10、LDカソード11、PDアノード13、及びPDカソード14は、図1及び図2に示されるように、ワイヤ24を介して、外囲器2の底部における四隅に、その前面から後面に電極を引き出すようにして形成された引出電極26と電気的に接続されている。そして、第1のキャビティ7の底面の絶縁膜40上に形成された基体配線部19には、例えば半田や導電性樹脂等を介して、LD9のLD端子電極16が電気的に接続されている。
図2及び図3に戻り、基体5の前面5aにおける絶縁膜40上には、例えばSiO2からなる絶縁膜41でコートされたシリコン基板により厚さ0.15mm〜0.30mmの長方形板状に形成された遮光部材20が積層され、バンプボンディング21により固定されている。バンプボンディング21の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、AuSn、SnAg系の半田が挙げられる。ここで、LD9から出射された光が、基体5と遮光部材20との隙間からPD12に到達しないように、第1のキャビティ7と第2のキャビティ8との間の部分には、バンプボンディング21を敷き詰めることが好ましい。なお、この部分には、遮光材料を塗布もしくは充填することにより遮光部を形成してもよい。
遮光部材20には、第1のキャビティ7に対応する位置に設けられた開口(第1の光通過孔)22と、第2のキャビティ8に対応する位置に設けられたピンホール(第2の光通過孔)23とが形成されている。開口22は、LD9から出射された光を外部へ案内するものである。また、ピンホール23は、外部からの散乱光をPD12へ案内すると共に、外部からの外乱光及び不要光がPD12に入射するのを防止するものである。なお、開口22及びピンホール23は、例えば、遮光部材20となるシリコン基板にドライエッチングを施すことにより形成され、ピンホール23はアスペクト比が高いものとなっている。
なお、ピンホール23は、PD12の受光面に対応する位置に形成され、その直径は、例えば30μm〜90μmとされている。これは、ピンホール23の直径が90μmより大きいと、PD12が感知する外部からの外乱光及び不要光によるノイズが増加してしまい、一方、ピンホール23の直径が30μmより小さいと、PD12が受光する光が少なくなり、PD12からの出力が低下してしまうからである。
遮光部材20の後面20bにおける絶縁膜41上には、所定のパターンをもって遮光部材配線部25が形成されており、バンプボンディング21により基体配線部19と電気的に接続されている。遮光部材配線部25において第2のキャビティ8に対応する部分には、PD12のPD端子電極17,18がバンプボンディング21により電気的に接続されている(いわゆる、フリップチップボンディング)。これにより、PD12は、PDアノード13及びPDカソード14のそれぞれと電気的に接続されることになる。
また、遮光部材20の前面20aにおける絶縁膜41上には、LD9から出射された光、及び外部からの散乱光が透過するように、例えばアルカリ含有のホウケイ酸ガラスにより厚さ0.3mmの長方形板状に形成された光透過部材27が積層され、樹脂により固定されている。この光透過部材27は、遮光部材20の機械的な強度を高めると共に、基体5の第1のキャビティ7及び第2のキャビティ8を封止してパッケージ化する。なお、光透過部材27は、遮光部材20と固定されるため、光透過部材27の熱膨張率と遮光部材20の熱膨張率とは、ほぼ等しくされている。また、遮光部材20と光透過部材27とを陽極接合により固定してもよい。陽極接合を行う場合には、絶縁膜41は不要となる。
ところで、光送受信デバイス1においては、図4に示されるように、LD9のLD端子電極15は、ワイヤ28を介して、基体5の前面5aにおける絶縁膜40上に形成された基体配線部19に電気的に接続されている。また、基体5の前面5a側に積層されて固定された遮光部材20には、ワイヤ28を収納するワイヤ収納部29が形成されている。これらにより、ワイヤ28を収納する空間を第1のキャビティ7に設けることが不要となるため、第1のキャビティ7を小型化することが可能となる。従って、基体5を小型化し、ひいては、光送受信デバイス1を小型化することが可能となる。
さらに、遮光部材20においては、ワイヤ28を収納するワイヤ収納部29は貫通孔であり、この貫通孔と開口22は連続して形成されている。このような構成を採用することで、ワイヤ収納部29を開口22と共に簡便に形成することができる。
以上のように構成された光送受信デバイス1を用いて、例えば生体組織における血流量等の生体内の液状物質に関する情報を測定する場合には、基体配線部19のLDアノード10及びLDカソード11に電圧を印加して、基体5の第1のキャビティ7内に配置されたLD9から光を出射させる。この光は、遮光部材20に形成された開口22を通過し、光透過部材27を透過して外部へ出射され、その後、生体組織内を進行し、血流成分によって散乱等される。この散乱した散乱光の一部は、LD9から出射された光の進行方向とは逆の方向に進み、光透過部材27を透過し、遮光部材20に形成されたピンホール23を通過し、基体5の第2のキャビティ8内に配置されたPD12に到達する。そして、この到達した光に応じた電圧信号が基体配線部19のPDアノード13及びPDカソード14から得られる。ここで、散乱光には、静止した生体組織からの散乱光と、生体組織の毛細血管中を移動している赤血球からのドップラーシフトを受けた散乱光との干渉成分が含まれるため、PD12によって得られた電圧信号を周波数解析することにより、血流計測等が可能となる。
[第2実施形態]
[第2実施形態]
第2実施形態に係る光送受信デバイス1は、ワイヤ収納部29の形状において、第1実施形態に係る光送受信デバイス1と異なっている。すなわち、第2実施形態に係る光送受信デバイス1においては、図5に示されるように、ワイヤ収納部29は、遮光部材20の後面20bに形成された凹部となっており、開口22と連続して形成されている。
このように構成された第2実施形態に係る光送受信デバイス1によっても、第1実施形態に係る光送受信デバイス1と同様の作用効果が奏されることとなる。
[第3実施形態]
[第3実施形態]
第3実施形態に係る光送受信デバイス1は、PD12の構成において、第1実施形態に係る光送受信デバイス1と異なっている。すなわち、第3実施形態に係る光送受信デバイス1においては、図6及び図7に示されるように、PD端子電極17がPD12の前端面に設けられており、PD端子電極18がPD12の後端面に設けられている。そして、PD端子電極17は、ワイヤ31を介して、基体5の前面5aにおける絶縁膜40上に形成された基体配線部19と電気的に接続されており、PD端子電極18は、第2のキャビティ8の底面における絶縁膜40上に形成された基体配線部19と電気的に接続されている。遮光部材20の後面20bには、ワイヤ31を収納するワイヤ収納部32が凹部として形成されており、ワイヤ収納部32は、ピンホール23と連続して形成されている。なお、PD12に入射する外乱光及び不要光を考慮し、ピンホール23の長さは0.1mm以上とされている。
このように構成された第3実施形態に係る光送受信デバイス1によっても、第1実施形態に係る光送受信デバイス1と同様の作用効果が奏されることとなる。
[第4実施形態]
[第4実施形態]
第4実施形態に係る光送受信デバイス1は、基体5の形状において、第1実施形態に係る光送受信デバイス1と異なっている。すなわち、第4実施形態に係る光送受信デバイス1においては、図8及び図9に示されるように、LD9及びPD12が配置されるキャビティ(凹部)33が基体5の前面5aに形成されている。遮光部材20とPD12との間には、PD12の受光面12aを囲むように、遮光性樹脂からなる遮光部34が設けられている。これにより、LD9の発光等による外乱光及び不要光のPD12への入射が防止される。
このように構成された第4実施形態に係る光送受信デバイス1によっても、第1実施形態に係る光送受信デバイス1と同様の作用効果が奏されることとなる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、光送受信デバイスは、LDのLD端子電極と電気的に接続されたワイヤが、遮光部材の後面に形成された凹部であるワイヤ収納部に収納され、且つPDのPD端子電極と電気的に接続されたワイヤが、遮光部材の後面に形成された凹部であるワイヤ収納部に収納されることで構成されてもよい。また、光送受信デバイスは、アノード側のLD端子電極及びカソード側のLD端子電極が前端面に形成されたLDが、フリップチップボンディングにより遮光部材の後面における絶縁膜上に形成された遮光部材配線部と電気的に接続され、且つPDのPD端子電極と電気的に接続されたワイヤが、遮光部材の後面に形成された凹部であるワイヤ収納部に収納されることで構成されてもよい。
さらに、ワイヤ収納部が貫通孔である場合には、その貫通孔は、開口と不連続に(すなわち、開口と独立して)形成されてもよい。また、ワイヤ収納部が凹部の場合には、その凹部は、開口又はピンホールと不連続に(すなわち、開口又はピンホールと独立して)形成されてもよい。
1…光送受信デバイス、5…基体、5a…前面、7…第1のキャビティ(第1の凹部)、8…第2のキャビティ(第2の凹部)、9…LD(発光素子)、12…PD(受光素子)、15,16…LD端子電極、17,18…PD端子電極、19…基体配線部(配線)、20…遮光部材、22…開口(第1の光通過孔)、23…ピンホール(第2の光通過孔)、27…光透過部材、28,31…ワイヤ、29,32…ワイヤ収納部、33…キャビティ(凹部)。
Claims (5)
- 前方に光を発光するための発光素子と、
前方から照射された光を受光するための受光素子と、
前記発光素子が配置される第1の凹部、及び前記受光素子が配置される第2の凹部が前面に形成された基体と、
前記基体の前面側に配置され、前記発光素子により発光される光が通過する第1の光通過孔、及び前記受光素子により受光される光が通過する第2の光通過孔が形成された遮光部材と、
前記遮光部材の前面側に配置され、前記発光素子により発光される光、及び前記受光素子により受光される光が透過する光透過部材とを備え、
前記発光素子の端子電極及び前記受光素子の端子電極の少なくとも1つは、ワイヤを介して、前記基体の前面に形成された配線と電気的に接続されており、
前記遮光部材には、前記ワイヤを収納するワイヤ収納部が形成されていることを特徴とする光送受信デバイス。 - 前方に光を発光するための発光素子と、
前方から照射された光を受光するための受光素子と、
前記発光素子及び前記受光素子が配置される凹部が前面に形成された基体と、
前記基体の前面側に配置され、前記発光素子により発光される光が通過する第1の光通過孔、及び前記受光素子により受光される光が通過する第2の光通過孔が形成された遮光部材と、
前記遮光部材の前面側に配置され、前記発光素子により発光される光、及び前記受光素子により受光される光が透過する光透過部材とを備え、
前記発光素子の端子電極及び前記受光素子の端子電極の少なくとも1つは、ワイヤを介して、前記基体の前面に形成された配線と電気的に接続されており、
前記遮光部材には、前記ワイヤを収納するワイヤ収納部が形成されていることを特徴とする光送受信デバイス。 - 前記発光素子の端子電極の少なくとも1つと電気的に接続された前記ワイヤを収納する前記ワイヤ収納部は、凹部又は貫通孔であることを特徴とする請求項1又は2記載の光送受信デバイス。
- 前記発光素子の端子電極の少なくとも1つと電気的に接続された前記ワイヤを収納する前記ワイヤ収納部は貫通孔であり、当該貫通孔と前記第1の光通過孔とは連続して形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の光送受信デバイス。
- 前記受光素子の端子電極の少なくとも1つと電気的に接続された前記ワイヤを収納する前記ワイヤ収納部は、凹部であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の光送受信デバイス。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006047249A JP4708214B2 (ja) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | 光送受信デバイス |
KR1020087011109A KR20080100332A (ko) | 2006-02-23 | 2007-02-15 | 광 송수신 디바이스 |
US12/280,116 US20090202251A1 (en) | 2006-02-23 | 2007-02-15 | Optical transmission/reception device |
CN2007800030575A CN101371373B (zh) | 2006-02-23 | 2007-02-15 | 光发射接收装置 |
EP07714226A EP1993148A4 (en) | 2006-02-23 | 2007-02-15 | OPTICAL TRANSMISSION / RECEPTION DEVICE |
PCT/JP2007/052696 WO2007097240A1 (ja) | 2006-02-23 | 2007-02-15 | 光送受信デバイス |
TW096105954A TWI398969B (zh) | 2006-02-23 | 2007-02-16 | Light receiving device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006047249A JP4708214B2 (ja) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | 光送受信デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007225923A JP2007225923A (ja) | 2007-09-06 |
JP4708214B2 true JP4708214B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=38437278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006047249A Active JP4708214B2 (ja) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | 光送受信デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090202251A1 (ja) |
EP (1) | EP1993148A4 (ja) |
JP (1) | JP4708214B2 (ja) |
KR (1) | KR20080100332A (ja) |
CN (1) | CN101371373B (ja) |
TW (1) | TWI398969B (ja) |
WO (1) | WO2007097240A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4943739B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2012-05-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光送受信デバイス |
US8591426B2 (en) | 2008-05-12 | 2013-11-26 | Pioneer Corporation | Self-luminous sensor device |
KR101064072B1 (ko) | 2009-02-24 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
CN102375185B (zh) * | 2010-08-20 | 2013-11-13 | 国碁电子(中山)有限公司 | 光收发器及其制造方法 |
JP5709165B2 (ja) * | 2011-03-10 | 2015-04-30 | セイコーインスツル株式会社 | 光学デバイス |
JP5692389B2 (ja) * | 2011-08-19 | 2015-04-01 | 株式会社村田製作所 | 生体センサ |
JP5692390B2 (ja) | 2011-08-19 | 2015-04-01 | 株式会社村田製作所 | 生体センサ |
US8675706B2 (en) * | 2011-12-24 | 2014-03-18 | Princeton Optronics Inc. | Optical illuminator |
US9981844B2 (en) * | 2012-03-08 | 2018-05-29 | Infineon Technologies Ag | Method of manufacturing semiconductor device with glass pieces |
EP2892081B1 (en) * | 2012-08-30 | 2021-03-10 | Kyocera Corporation | Light receiving/emitting element and sensor device using same |
JP6229338B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2017-11-15 | セイコーエプソン株式会社 | 光検出ユニット及び生体情報検出装置 |
WO2016092680A1 (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-16 | 愛知時計電機株式会社 | 血流センサ |
US11166642B2 (en) * | 2015-12-22 | 2021-11-09 | Kyocera Corporation | Measurement sensor package and measurement sensor |
CN108351366A (zh) * | 2016-01-25 | 2018-07-31 | 京瓷株式会社 | 测量传感器用封装体以及测量传感器 |
JP6616496B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2019-12-04 | 京セラ株式会社 | 計測センサ用パッケージおよび計測センサ |
JP6631423B2 (ja) * | 2016-07-04 | 2020-01-15 | オムロン株式会社 | 生体情報検知装置および生体情報検知装置を備える椅子 |
US20180017741A1 (en) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package device and method of manufacturing the same |
JP6718339B2 (ja) * | 2016-09-06 | 2020-07-08 | 京セラ株式会社 | 計測センサ用パッケージおよび計測センサ |
JP6891441B2 (ja) * | 2016-10-12 | 2021-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 検出装置および測定装置 |
DE112017007111B4 (de) | 2017-02-23 | 2024-01-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Sensorelement |
WO2018173294A1 (ja) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | 愛知時計電機株式会社 | 計測装置 |
US11255770B2 (en) | 2018-01-30 | 2022-02-22 | Kyocera Corporation | Measurement apparatus |
EP3786645B1 (en) * | 2018-04-24 | 2023-11-22 | Sony Group Corporation | Scattered light signal measuring device, and information processing device |
WO2020090883A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 光学センサ装置 |
US20210401300A1 (en) * | 2018-11-12 | 2021-12-30 | Sony Group Corporation | Biological information measuring device |
EP3745090B1 (de) * | 2019-05-27 | 2021-07-14 | Dr. Johannes Heidenhain GmbH | Lichtquelle sowie verfahren zu deren herstellung und positionsmesseinrichtung mit einer lichtquelle |
US20230087295A1 (en) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | Rockley Photonics Limited | Optical speckle receiver |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0489177A4 (en) * | 1990-06-26 | 1993-06-09 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP3161142B2 (ja) * | 1993-03-26 | 2001-04-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JP2002117702A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光源装置 |
US6574254B1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-06-03 | Harvatek Corp. | Laser diode package with heat sinking substrate |
JP3627186B2 (ja) * | 2002-06-17 | 2005-03-09 | 光磊科技股▲ふん▼有限公司 | 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法 |
US6646290B1 (en) * | 2002-08-23 | 2003-11-11 | Amkor Technology, Inc. | Optical structure having an optical diode and a sensor in separate apertures inside double insulating layers |
JP3882756B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2007-02-21 | 日本電信電話株式会社 | 血流計のセンサ部及び血流計 |
JP2004242166A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2006013174A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 光半導体装置 |
-
2006
- 2006-02-23 JP JP2006047249A patent/JP4708214B2/ja active Active
-
2007
- 2007-02-15 CN CN2007800030575A patent/CN101371373B/zh active Active
- 2007-02-15 WO PCT/JP2007/052696 patent/WO2007097240A1/ja active Application Filing
- 2007-02-15 KR KR1020087011109A patent/KR20080100332A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-02-15 US US12/280,116 patent/US20090202251A1/en not_active Abandoned
- 2007-02-15 EP EP07714226A patent/EP1993148A4/en not_active Withdrawn
- 2007-02-16 TW TW096105954A patent/TWI398969B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1993148A4 (en) | 2010-12-22 |
EP1993148A1 (en) | 2008-11-19 |
KR20080100332A (ko) | 2008-11-17 |
WO2007097240A1 (ja) | 2007-08-30 |
CN101371373B (zh) | 2011-04-27 |
JP2007225923A (ja) | 2007-09-06 |
TWI398969B (zh) | 2013-06-11 |
TW200802971A (en) | 2008-01-01 |
US20090202251A1 (en) | 2009-08-13 |
CN101371373A (zh) | 2009-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4708214B2 (ja) | 光送受信デバイス | |
JP5206944B2 (ja) | 光学モジュールおよびそれを用いた医療用光計測システム | |
CN111919093B (zh) | 流量流速算出装置、流量流速传感器装置、流量装置以及流量流速算出方法 | |
JP4943739B2 (ja) | 光送受信デバイス | |
JP2019111067A (ja) | 光学センサ装置 | |
JP2018100934A (ja) | センサ装置 | |
JP6718339B2 (ja) | 計測センサ用パッケージおよび計測センサ | |
CN114063108A (zh) | Tof芯片封装结构及封装方法 | |
WO2020153334A1 (ja) | 光源装置及び測距装置 | |
WO2020138086A1 (ja) | 光学センサ装置 | |
JP7054609B2 (ja) | 計測センサ用パッケージ及び計測センサ | |
JP3978445B2 (ja) | 反射形エンコーダおよびそれを用いた電子機器 | |
CN113015485B (zh) | 生物信息测量装置 | |
JP2019093078A (ja) | 光学センサ装置 | |
JP2018196571A (ja) | 計測センサ用パッケージ及び計測センサ | |
JP2019058451A (ja) | 光学センサ装置 | |
JP2018029895A (ja) | 計測センサ用パッケージおよび計測センサ | |
JP2018029776A (ja) | 計測センサ用パッケージおよび計測センサ | |
JP2017192507A (ja) | 計測センサ用パッケージおよび計測センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110316 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4708214 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |