JP4780808B2

JP4780808B2 - 現像処理方法及び現像処理装置

Info

Publication number: JP4780808B2
Application number: JP2009022347A
Authority: JP
Inventors: 太郎山本; 孝介吉原; 勇一吉田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2009-02-03
Filing date: 2009-02-03
Publication date: 2011-09-28
Anticipated expiration: 2029-02-03
Also published as: KR101198496B1; TWI391991B; JP2010182715A; TW201044440A; KR20100089754A

Description

この発明は、例えば半導体ウエハや液晶ガラス基板（ＦＰＤ基板）等の現像処理方法及び現像処理装置に関するものである。

一般に、半導体デバイスの製造においては、例えば半導体ウエハやＦＰＤ基板等（以下にウエハ等という）にレジスト液を塗布し、マスクパターンを露光処理して回路パターンを形成させるために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、スピンコーティング法によりウエハ等にレジスト液を塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。

このようなフォトリソグラフィ工程において、近年のデバイスパターンの微細化、薄膜化に伴いデバイスパターンのスリミング技術や露光の解像度を上げる要請が高まっている。露光の解像度を上げる方法の一つとして、ウエハの表面に盛られた現像液の表面に温度調整された気体を吹き付けて現像液の温度を最適温度にする方法が知られている（例えば特許文献１参照）。

また、従来の現像処理装置として、ウエハを水平に保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させながらウエハの外周縁側から中心部に向かう半径方向に現像液供給ノズルを移動させることにより、ウエハの表面に螺旋状に現像液を液盛りして現像処理を施すものが知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開平２−４６４６５号公報（特許請求の範囲、第１図）特開２００５−２１００５９号公報（特許請求の範囲、図６）

しかしながら、特許文献１記載の技術においては、ウエハ等の表面に現像液を液盛りした後に、気体吹出ノズルより温度調整された気体を現像液の表面に吹き付ける技術であるため、現像液の供給と気体の吹き付けとの間に時間差が生じ、現像液の温度調整による解像性が十分得られないという問題がある。

また、特許文献２に記載の技術においては、ウエハの外周縁側から中心部に向かう半径方向に現像液供給ノズルを移動させながら現像液を液盛りするため、ウエハ表面に液盛りされた現像液はノズル移動方向の後方側に液盛りの裾部が生じ、該裾部においてはウエハ表面の回路パターンに接触する現像液の量が少ないため解像性が十分得られない懸念がある。特に、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）レジストにおいては、波長が１３〜１４ｎｍと極めて短い軟Ｘ線を利用するため、解像性が十分得られない。

この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、基板の表面に供給されて液盛りされた現像液の液盛りの裾部に活性化を促して解像性の向上及び現像処理効率の向上を図れるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供することを目的とするものである。

上記課題を解決するために、この発明の現像処理方法は、表面にレジストが塗布され、露光された後の基板の表面に現像液を供給して現像を行う現像処理方法を前提とし、基板の中心から外周方向に向かうように中心側に気体供給ノズルを外周方向側に現像液供給ノズルを互いに隣接した状態で一体化して配置して、基板を水平に保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら基板の中心部上方から上記現像液供給ノズルより現像液を供給して液盛りすると同時に、上記現像液供給ノズルと上記気体供給ノズルとを基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動させながら、更に上記現像液供給ノズルの移動方向の後方側に生じる現像液の裾部に向かって上記気体供給ノズルから処理時の基板の温度よりも高温の気体を供給して現像処理を行う、ことを特徴とする（請求項１）。

この発明の現像処理装置は、請求項１記載の現像処理方法を具現化するもので、表面にレジストが塗布され、露光された後の基板の表面に現像液を供給して現像を行う現像処理装置を前提とし、基板を水平に保持する基板保持部と、上記基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転駆動機構と、上記基板保持部に保持された基板の表面に対して現像液を供給する現像液供給ノズルと、上記現像液供給ノズルと互いに隣接した状態で一体化され、上記基板の表面に供給された現像液の液盛りの裾部に向かって気体を供給する気体供給ノズルと、気体供給源から上記気体供給ノズルに供給される気体の温度を処理時の基板の温度より高温に調整する温度調整部と、上記現像液供給ノズル及び気体供給ノズルを基板の中心から外周縁側に向かって移動する移動機構と、上記気体供給源と気体供給ノズルとを接続する気体供給管路に介設される気体流量調整可能な弁機構と、上記回転駆動機構、温度調整部、移動機構及び弁機構を制御する制御手段と、を具備し、上記制御手段からの制御信号に基づいて、基板の中心から外周方向に向かうように中心側に上記気体供給ノズルを外周方向側に上記現像液供給ノズルを配置して、鉛直軸回りに回転する基板の中心部上方から上記現像液供給ノズルより現像液を供給して液盛りすると同時に、上記現像液供給ノズルと上記気体供給ノズルとを基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動させながら、更に上記現像液供給ノズルの移動方向の後方側に生じる現像液の裾部に向かって上記気体供給ノズルから処理時の基板の温度よりも高温の気体を供給して現像処理を行う、ことを特徴とする（請求項４）。

この発明において、上記気体として不活性ガス例えば窒素（Ｎ２）ガスを使用することができる（請求項２，５）。

また、請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の現像処理方法において、現像処理を行う基板上のレジストの種類に応じて、上記基板保持部により保持された基板の回転数、現像液供給ノズル及び気体供給ノズルの移動速度、気体の吐出量及び気体の温度を制御する、ことを特徴とする。

また、請求項６記載の現像処理装置は、請求項４又は５記載の現像処理装置において、上記制御手段は、現像処理を行う基板上のレジストの種類に応じた現像液の溶解温度を記憶し、該記憶されたデータに基づく制御信号に基づいて、上記基板保持部により保持された基板の回転数、現像液供給ノズル及び気体供給ノズルの移動速度、気体の吐出量及び気体の温度を制御する、ことを特徴とする。

（１）請求項１，２，４，５記載の発明によれば、基板の中心から外周方向に向かうように中心側に上記気体供給ノズルを外周方向側に上記現像液供給ノズルを配置して、鉛直軸回りに回転する基板の中心部上方から現像液供給ノズルより現像液を供給して液盛りすると同時に、現像液供給ノズルと気体供給ノズルとを基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動させながら、更に現像液供給ノズルの移動方向の後方側に生じる現像液の裾部に向かって気体供給ノズルから処理時の基板の温度よりも高温の気体を供給して現像処理を行う、ことにより、液盛りされた現像液の裾部に基板の温度より高温の気体が供給されるので現像液が溶解して基板表面の回路パターンに均一に接触して現像処理が施される。

（２）請求項３，６記載の発明によれば、現像処理を行う基板上のレジストの種類に応じて、基板保持部により保持された基板の回転数、現像液供給ノズル及び気体供給ノズルの移動速度、気体の吐出量及び気体の温度を制御することにより、上記（１）に加えて更に現像液を基板表面の回路パターンに均一に接触して現像処理を施すことができる。

この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。

（１）請求項１，２，４，５記載の発明によれば、液盛りされた現像液の裾部に基板の温度より高温の気体を供給することで、現像液が溶解して基板表面の回路パターンに均一に接触して現像処理が施されるので、液盛りの袖部の現像液が活性化して現像処理効率の向上を図ることができる。

（２）請求項３，６記載の発明によれば、現像処理を行う基板上のレジストの種類に応じて、基板保持部により保持された基板の回転数、現像液供給ノズル及び気体供給ノズルの移動速度、気体の吐出量及び気体の温度を制御することにより、更に現像液を基板表面の回路パターンに均一に接触して現像処理を施すことができるので、上記（１）に加えて更に現像処理効率の向上を図ることができる。

この発明に係る現像処理装置を適用した塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムの全体を示す概略平面図である。上記処理システムの概略斜視図である。この発明に係る現像処理装置を示す概略断面図である。上記現像処理装置の概略平面図である。この発明における現像処理の状態を示す断面図（ａ）及び拡大断面図（ｂ）である。この発明における現像処理の状態を示す概略平面図である。

以下、この発明の最良の形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、この発明に係る現像処理装置を塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。

上記処理システムは、図１及び図２に示すように、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を複数枚例えば２５枚密閉収納するキャリア１０を搬出入するためのキャリアステーション１と、このキャリアステーション１から取り出されたウエハＷにレジスト塗布，現像処理等を施す処理部２と、ウエハＷの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハＷの表面を液浸露光する露光部４と、処理部２と露光部４との間に接続されて、ウエハＷの受け渡しを行うインターフェース部３とを具備している。

キャリアステーション１は、キャリア１０を複数個並べて載置可能な載置部１１と、この載置部１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。

インターフェース部３は、処理部２と露光部４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにて構成されており、それぞれに第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂが設けられている。

また、キャリアステーション１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部２が接続されており、この処理部２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び液処理ユニットＵ４，Ｕ５の各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３が交互に配列して設けられている。また、主搬送手段Ａ２，Ａ３は、キャリアステーション１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２１により囲まれる空間内に配置されている。また、キャリアステーション１と処理部２との間、処理部２とインターフェース部３との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット２２が配置されている。

棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット（ＨＰ）、ウエハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＰＬ）等が含まれる。また、液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部の上に反射防止膜を塗布するボトム反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３，塗布ユニット（ＣＯＴ）２４、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）２５等を複数段例えば５段に積層して構成されている。この発明に係る現像処理装置５０は現像ユニット（ＤＥＶ）２５に設けられている。

上記現像処理装置５０は、図３及び図４に示すように、ウエハＷの搬入出口５１ａを有するケーシング５１内に、ウエハＷの裏面側中央部を吸引吸着して水平に保持する基板保持部をなすスピンチャック４０を具備している。なお、搬入出口５１ａにはシャッタ５１ｂが開閉可能に配設されている。

上記スピンチャック４０は軸部４１を介して例えばサーボモータ等の回転駆動機構４２に連結されており、この回転駆動機構４２によりウエハＷを保持した状態で回転可能に構成されている。なお、回転駆動機構４２は、制御手段であるコントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０からの制御信号に基づいてスピンチャック４０の回転数が制御されるようになっている。

また、スピンチャック４０に保持されたウエハＷの側方を囲むようにしてカップ４３が設けられている。このカップ４３は、円筒状の外カップ４３ａと、上部側が内側に傾斜した筒状の内カップ４３ｂとからなり、外カップ４３ａの下端部に接続された例えばシリンダ等の昇降機構４４により外カップ４３ａが昇降し、更に内カップ３２は外カップ４３ａの下端側内周面に形成された段部に押し上げられて昇降可能なように構成されている。なお、昇降機構４４はコントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０からの制御信号に基づいて外カップ４３ａが昇降するように構成されている。

また、スピンチャック４０の下方側には円形板４５が設けられており、この円形板４５の外側には断面が凹部状に形成された液受け部４６が全周に亘って設けられている。液受け部４６の底面にはドレイン排出口４７が形成されており、ウエハＷから零れ落ちるか、あるいは振り切られて液受け部４６に貯留された現像液やリンス液はこのドレイン排出口４７を介して装置の外部に排出される。また、円形板４５の外側には断面山形のリング部材４８が設けられている。なお、図示は省略するが、円形板４５を貫通する例えば３本の基板支持ピンである昇降ピンが設けられており、この昇降ピンと図示しない基板搬送手段との協働作用によりウエハＷはスピンチャック４０に受け渡しされるように構成されている。

一方、スピンチャック４０に保持されたウエハＷの上方側には、ウエハＷの表面の中央部と隙間を介して対向するようにして、昇降及び水平移動可能な現像液供給ノズル５２（以下に現像ノズル５２という）と、この現像ノズル５２のウエハ中心側に並行に隣接する気体供給ノズルをなす窒素（Ｎ２）ガス供給ノズル５３（以下にＮ２ノズル５３という）が設けられている。

この場合、現像ノズル５２は、帯状に現像液を供給（吐出）するスリット状の吐出口（図示せず）を有している。この吐出口は、例えば、その長さ方向がウエハＷの中心部から外周部に向かうように配置されている。なお、吐出口は、ウエハＷの中心部から外周部に向かう直線（半径）に沿って伸びる場合だけでなく、この直線に対して僅かに角度をもたせて交差させてもよい。また、Ｎ２ノズル５３は、現像ノズル５２よりウエハＷ上に供給（吐出）された現像液Ｄの液盛りＤ１の裾部Ｄ２に向かってＮ２ガスを供給（噴射）するスリット状の吐出口（図示せず）を有している（図５（ａ）参照）。このＮ２ノズル５３の吐出口は、例えば、その長さ方向がウエハＷの中心部から外周部に向かうように配置されている。なお、Ｎ２ノズル５３の吐出口は、ウエハＷの中心部から外周部に向かう直線（半径）に沿って伸びる場合だけでなく、現像ノズル５２と共にこの直線に対して僅かに角度をもたせて交差させてもよい。なお、現像ノズル５２の吐出口は必ずしもスリット状である必要はなく、円形状の吐出口であってもよい。

上記のように互いに隣接した状態で一体化される現像ノズル５２とＮ２ノズルは、ノズルアーム５４Ａの一端側に支持されており、このノズルアーム５４Ａの他端側は図示しない昇降機構を備えた移動基台５５Ａと連結されており、更に移動基台５５Ａは例えばボールねじやタイミングベルト等のノズル移動機構５６ＡにてＸ方向に伸びるガイド部材５７Ａに沿って横方向に移動可能なように構成されている。このように構成することにより、ノズル移動機構５６Ａを駆動することにより、現像ノズル５２とＮ２ノズル５３は、ウエハＷの中心部から外周部に向かう直線（半径）に沿って移動する。

なお、カップ４３の一方の外方側には、現像ノズル５２の待機部５９Ａが設けられており、この待機部５９Ａで現像ノズル５２のノズル先端部の洗浄などが行われる。

また、スピンチャック４０に保持されたウエハＷの上方側には、ウエハＷの表面の中央部と隙間を介して対向するようにして、洗浄液であるリンス液例えば純水を供給（吐出）するリンスノズル５８が昇降及び水平移動可能に設けられている。

このリンスノズル５８は、ノズルアーム５４Ｂの一端側に互いに平行状態に保持されており、このノズルアーム５４Ｂの他端側は図示しない昇降機構を備えた移動基台５５Ｂと連結されており、更に移動基台５５Ｂは例えばボールねじやタイミングベルト等のノズル移動機構５６ＢにてＸ方向に伸びるガイド部材５７Ｂに沿って横方向に移動可能、すなわちウエハＷの中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動可能なように構成されている。なお、カップ４３の一方の外方側には、リンスノズル５８の待機部５９Ｂが設けられている。

また、現像ノズル５２は、開閉弁Ｖ１を介設した現像液供給管７０を介して現像液供給源７１に接続されている。この場合、現像液供給管７０における現像ノズル５２側には、現像液が所定温度となるように温度調整する二重管７２ａと熱交換器７２ｂとからなる温度調整部７２が設けられている。一方、Ｎ２ノズル５３は、流量調整可能な制御弁Ｖ０を介設したＮ２ガス供給管７３を介してＮ２ガス供給源７４に接続されている。この場合、Ｎ２ガス供給管７３には、Ｎ２ガスを所定温度すなわち処理時のウエハＷの温度より高温例えば３０〜５０℃となるように温度調整するＮ２ガス温度調整部７５が設けられている。

また、リンスノズル５８は、リンスノズル５８と洗浄液供給源である純水供給源７７とを接続する純水供給管７６に開閉弁Ｖ２が介設されている。

なお、上記ノズル移動機構５６Ａ，５６Ｂ、開閉弁Ｖ１，Ｖ２、制御弁Ｖ０、温度調整部７２及びＮ２ガス温度調整部７５は、それぞれ上記コントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０に予め記憶された制御信号に基づいて現像ノズル５２の水平移動、リンスノズル５８の水平移動、開閉弁Ｖ１，Ｖ２，制御弁Ｖ０の開閉駆動、現像液及びＮ２ガスの温度調整が行われるように構成されている。この場合、現像液の温度及びＮ２ガスの温度は、レジストの種類に応じて所定温度に設定される。すなわち、現像液及びＮ２ガスの温度は、現像液に対するレジストの種類毎の溶解特性に応じて現像液の温度が制御される。

ここで、レジストの種類に対応づけた現像液の温度設定値について一例を挙げると、例えばＫｒＦ光源用のレジストであって、例えば現像液に対して溶解性の低いレジスト種類の場合には現像液の温度設定値を高く例えば４０〜６０℃に設定する。また、例えばＡｒＦ光源用のレジストであって、例えば現像液に対して溶解性の高いレジスト種類の場合には現像液の温度設定値を低く例えば２０〜４０℃に設定する。更にまた、Ｉ線，Ｇ線などの光源用レジストのように、低温で溶解性が促進されるレジストの場合には温度設定値を例えば１０〜２０℃に設定する。また、ＥＵＶレジストの場合の現像液の温度設定値を１０〜３０℃に設定する。一方、Ｎ２ガスの温度は、上記現像液の温度と同じであって、処理時のウエハＷの温度より高温に設定する。

次に、上記のように構成される現像処理装置５０の動作態様について説明する。まず、ノズル移動機構５６Ａを駆動して現像ノズル５２とＮ２ノズル５３をウエハ表面の中心部上方位置に移動し、図５及び図６に示すように、回転駆動機構４２の駆動によって低速例えば５０ｒｐｍで回転するウエハＷの表面に現像ノズル５２より現像液を供給（吐出）すると同時に、現像液の液盛りＤ１の裾部Ｄ２に向かって所定の温度に設定されたウエハＷの温度より高温のＮ２ガスを供給（噴射）した状態で、現像ノズル５２とＮ２ノズル５３をウエハＷの中心部から外周縁部に向かう直線（半径）に沿って移動して現像処理を行う。このように現像ノズル５２にＮ２ノズル５３を追随させて現像することにより、図５（ａ）に示すように、現像ノズル５２よりウエハＷの表面に供給（吐出）された現像液Ｄの液盛りＤ１のウエハ中心側の裾部Ｄ２にＮ２ノズル５３よりウエハＷより高温のＮ２ガスが供給（噴射）されるので、図５（ｂ）に示すように、裾部Ｄ２の少ない量の現像液が溶解されてウエハＷの表面に形成された回路パターンＰに均一に接触して現像処理が施される。

この現像処理後、ノズル移動機構５６Ｂを駆動してリンスノズル５８をウエハ表面の中心部上方位置に移動し、回転するウエハＷの表面にリンスノズル５８よりリンス液すなわち純水を供給（吐出）する。これによりリンスノズル５８より供給（吐出）された純水ＤＩＷによってウエハ表面のレジスト溶解成分を含む現像液が洗い流される。その後、回転駆動機構４２の駆動によりウエハＷを高速回転例えば回転数を２０００ｒｐｍにしてウエハ表面の液を振り切るスピン乾燥処理を行う。

次に、上記塗布・現像装置を用いてウエハＷを処理する手順について、図１及び図２を参照しながら簡単に説明する。ここでは、ウエハＷの表面にボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）を形成し、その上層にノントップコートレジストを塗布した場合について説明する。まず、例えば２５枚のウエハＷを収納したキャリア１０が載置部１１に載置されると、開閉部１２と共にキャリア１０の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そして、ウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、塗布処理の前処理として例えばユニット（ＢＣＴ）２３にてその表面にボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）が形成される。その後、主搬送手段Ａ２により棚ユニットＵ１〜Ｕ３の一つの棚をなす加熱処理部に搬送されてプリベーク（ＣＬＨＰ）され、更に冷却された後、主搬送手段Ａ２によりウエハＷは塗布ユニット（ＣＯＴ）２４内に搬入され、ウエハＷの表面全体に薄膜状にノントップコートレジストが塗布される。その後、主搬送手段Ａ２により棚ユニットＵ１〜Ｕ３の一つの棚をなす加熱処理部に搬送されてプリベーク（ＣＬＨＰ）され、更に冷却された後、棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェース部３へ搬送される。このインターフェース部３において、第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂの第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂによって露光部４に搬送され、ウエハＷの表面に対向するように露光手段（図示せず）が配置されて露光が行われる。露光を終えたウエハＷは逆の経路で主搬送手段Ａ３まで搬送され、現像ユニット（ＤＥＶ）２５に搬入される。現像ユニット（ＤＥＶ）２５に搬入されたウエハＷは、現像処理装置５０によって、上述したように、ウエハＷの表面に現像ノズル５２より現像液を供給（吐出）すると同時に、現像液の液盛りＤ１の裾部Ｄ２に向かって所定の温度に設定されたウエハＷの温度より高温のＮ２ガスを供給（噴射）した状態で、現像ノズル５２に追随させてＮ２ノズル５３をウエハＷの中心部から外周縁部に向かう直線（半径）に沿って移動して現像処理を行った後、リンスノズル５８をウエハ表面の中心部上方位置に移動し、回転するウエハＷの表面にリンスノズル５８より純水を供給（吐出）して洗浄処理が施され、その後、ウエハＷを高速回転して乾燥する。

その後、ウエハＷは主搬送手段Ａ３により現像ユニット（ＤＥＶ）２５から搬出され、主搬送手段Ａ２、受け渡し手段Ａ１を経由して載置部１１上の元のキャリア１０へと戻されて一連の塗布・現像処理を終了する。

なお、上記実施形態では、ウエハＷの表面にボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）を形成し、その表面にレジスト層を形成した場合について説明したが、ボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）なしの場合においても、上記実施形態と同様の効果が得られる。この場合の処理手順は、レジスト塗布工程→プリベーク工程→液浸露光工程→ポストエクスポージャーベーク工程→現像工程（現像処理→洗浄・乾燥処理）の順に処理される。

Ｗ半導体ウエハ（基板）
４０スピンチャック（基板保持部）
４２回転駆動機構
５０現像処理装置
５２現像ノズル（現像液供給ノズル）
５３Ｎ２ノズル（気体供給ノズル）
５６Ａノズル移動機構
６０コントローラ（制御手段）
７５Ｎ２ガス温度調整部
Ｖ０制御弁（弁機構）
Ｄ現像液
Ｄ１液盛り
Ｄ２裾部

Claims

表面にレジストが塗布され、露光された後の基板の表面に現像液を供給して現像を行う現像処理方法において、
基板の中心から外周方向に向かうように中心側に気体供給ノズルを外周方向側に現像液供給ノズルを互いに隣接した状態で一体化して配置して、
基板を水平に保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら基板の中心部上方から上記現像液供給ノズルより現像液を供給して液盛りすると同時に、上記現像液供給ノズルと上記気体供給ノズルとを基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動させながら、更に上記現像液供給ノズルの移動方向の後方側に生じる現像液の裾部に向かって上記気体供給ノズルから処理時の基板の温度よりも高温の気体を供給して現像処理を行う、ことを特徴とする現像処理方法。
請求項１記載の現像処理方法において、
上記気体が不活性ガスであることを特徴とする現像処理方法。
請求項１又は２記載の現像処理方法において、
現像処理を行う基板上のレジストの種類に応じて、上記基板保持部により保持された基板の回転数、現像液供給ノズル及び気体供給ノズルの移動速度、気体の吐出量及び気体の温度を制御する、ことを特徴とする現像処理方法。
表面にレジストが塗布され、露光された後の基板の表面に現像液を供給して現像を行う現像処理装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転駆動機構と、
上記基板保持部に保持された基板の表面に対して現像液を供給する現像液供給ノズルと、
上記現像液供給ノズルと互いに隣接した状態で一体化され、上記基板の表面に供給された現像液の液盛りの裾部に向かって気体を供給する気体供給ノズルと、
気体供給源から上記気体供給ノズルに供給される気体の温度を処理時の基板の温度より高温に調整する温度調整部と、
上記現像液供給ノズル及び気体供給ノズルを基板の中心から外周縁側に向かって移動する移動機構と、
上記気体供給源と気体供給ノズルとを接続する気体供給管路に介設される気体流量調整可能な弁機構と、
上記回転駆動機構、温度調整部、移動機構及び弁機構を制御する制御手段と、を具備し、
上記制御手段からの制御信号に基づいて、基板の中心から外周方向に向かうように中心側に上記気体供給ノズルを外周方向側に上記現像液供給ノズルを配置して、鉛直軸回りに回転する基板の中心部上方から上記現像液供給ノズルより現像液を供給して液盛りすると同時に、上記現像液供給ノズルと上記気体供給ノズルとを基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動させながら、更に上記現像液供給ノズルの移動方向の後方側に生じる現像液の裾部に向かって上記気体供給ノズルから処理時の基板の温度よりも高温の気体を供給して現像処理を行う、ことを特徴とする現像処理装置。
請求項４記載の現像処理装置において、
上記気体が不活性ガスであることを特徴とする現像処理装置。
請求項４又は５記載の現像処理装置において、
上記制御手段は、現像処理を行う基板上のレジストの種類に応じた現像液の溶解温度を記憶し、該記憶されたデータに基づく制御信号に基づいて、上記基板保持部により保持された基板の回転数、現像液供給ノズル及び気体供給ノズルの移動速度、気体の吐出量及び気体の温度を制御する、ことを特徴とする現像処理装置。