JP4776189B2 - ウエハ加工用テープ - Google Patents
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Description
ダイシング工程は、半導体ウェハをあらかじめダイシングダイボンドテープに貼り付けて固定した後、チップ形状に沿ってダイシングを行う。その後のマウント工程は、接着剤層と粘着剤層が剥離可能に構成され、接着剤付きのチップを粘着剤層から剥離(ピックアップ)させ、チップに付着した接着固定用の接着剤で基板等に固定する。
また、マウント工程においては、チップ−チップ間およびチップ−基板間において十分な接着力が要求され、各種のダイシングダイボンドテープが提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
しかしながら、これらのダイシングダイボンドシートに用いられているフィルム状接着剤はエポキシ樹脂等の低分子量物質を多く含んでおり、一般のダイシングテープに用いられている粘着剤層と比較すると、軟らかく切削性が劣る傾向がある。そのため、ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑やフィルム状接着剤のバリが多く発生する、ダイシング後のピックアップ工程でピックアップ不良をおこしやすい、ICなどの半導体装置組立工程でのチップの接着不良が生じやすい、あるいはIC等の不良品が発生してしまうという問題点があった。
(1)基材フィルム上に中間樹脂層、粘着剤層がこの順に積層され、前記粘着剤層の上にフィルム状接着剤を積層し、前記フィルム状接着剤にウエハを貼合してダイシングし、接着剤付きチップを得るために用いるウエハ加工用テープであって、前記中間樹脂層と前記粘着剤層とを合わせた厚さが15μm以上200μm以下であり、前記中間樹脂層は、主成分としてアクリル系樹脂を含み、80℃における貯蔵弾性率が1×105〜3.2×10 5 Paであって、前記粘着剤層の80℃における貯蔵弾性率よりも大きく、前記粘着剤層は、ガラス転移点が−66℃〜−28℃の放射線硬化性炭素―炭素二重結合を有する化合物を含むことを特徴とするウエハ加工用テープ、
(2)基材フィルム上に中間樹脂層、粘着剤層、接着剤層がこの順に積層され、前記接着剤層にウエハを貼合してダイシングし、接着剤付きチップを得るために用いるウエハ加工用テープであって、前記中間樹脂層と前記粘着剤層とを合わせた厚さが15μm以上200μm以下であり、前記中間樹脂層は、主成分としてアクリル系樹脂を含み、80℃における貯蔵弾性率が1×105〜3.2×10 5 Paであって、前記粘着剤層の80℃における貯蔵弾性率よりも大きく、前記粘着剤層は、ガラス転移点が−66℃〜−28℃の放射線硬化性炭素―炭素二重結合を有する化合物を含むことを特徴とするウエハ加工用テープ、
(3)前記放射線硬化性炭素―炭素二重結合を有する化合物は、分子量が30万〜100万であることを特徴とする(1)〜(2)に記載のウエハ加工用テープ、
(4)前記中間樹脂層の25℃における貯蔵弾性率が8×104〜3.4×10 5 Paの範囲にあることを特徴とする(1)〜(3)に記載のウエハ加工用テープ、
(5)前記中間樹脂層が3次元網状構造を有するアクリル系樹脂であることを特徴とする(1)〜(4)に記載のウエハ加工用テープ、
(6)前記中間樹脂層が熱硬化性樹脂であることを特徴とする(1)〜(5)に記載のウエハ加工用テープ。
(7)前記中間樹脂層が少なくともアクリル系樹脂と硬化剤とを含む混合物を基材フィルム上に塗布した後、硬化させたものであることを特徴とする(1)〜(6)に記載のウエハ加工用テープ。
(8)前記粘着剤層が、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも1種選ばれる化合物(B)とを含有していることを特徴とする(1)〜(7)に記載のウエハ加工用テープ。
(9)半導体装置を製造するにあたり、ダイシング時にはダイシング用フレームに固定されて、ウエハを固定しダイシングし、さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用されるウエハ加工用テープであって、基材フィルム上に中間樹脂層、粘着剤層がこの順に積層され、さらには、少なくともウエハの貼合される部位には接着剤層が積層され、ダイシングフレームに貼合される部分には接着剤層がないことを特徴とする(2)〜(7)に記載のウエハ加工用テープ、に係る発明である。
本発明のダイシングダイボンドテープ10は基材フィルム1上に中間樹脂層2、粘着剤層3、接着剤層4が設けられた構造を有している。それぞれの層は、使用工程や装置に併せて予め所定形状に切断(プリカット)されていてもよい。また、ウエハ等が貼合される前のダイシングダイボンドテープあるいはダイシングテープは接着剤層もしくは粘着剤層を保護するためにカバーフィルムが設けられていても良い。
また、本発明のダイシングダイボンドテープあるいはダイシングテープは、ウエハ1枚分ごとに切断されていてもよいし、これを長尺にしたロール状であってもよい。次に、本発明のダイシングダイボンドテープあるいはダイシングテープのそれぞれの構成について順に説明する。
本発明のダイシングテープもしくはダイシングダイボンドテープを構成する基材フィルムについて説明する。基材フィルムとしては、特に限定されるものではなく公知のプラスチック、ゴムなどを用いることができる。一般に基材フィルムとしては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。
放射線透過性であることが好ましく、特に粘着剤層に放射線硬化性の粘着剤を使用する場合にはその粘着剤が硬化する波長での放射線透過性の良いものを選択する必要がある。 このような基材として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらを複層にしたものを使用しても良い。
なお、素子間隙を大きくするためには、ネッキング(基材フィルムを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生)の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルムを用いると効果的である。
さらには基材フィルムの中間樹脂層が設けられる側の表面には、中間樹脂層との接着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施しても良い。
基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常30〜300μmが適当である。なお、基材フィルムの粘着剤層が塗布されない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることによって、ブロッキング防止、粘着テープの放射状延伸時の粘着テープと治具との摩擦を減少することによる基材フィルムのネッキング防止などの効果が得られ、好ましい。
本発明のダイシングテープもしくはダイシングダイボンドテープを構成する中間樹脂層は特に制限は無く粘着剤層より硬いものであれば良い。ダイシング時のチップの割れ・欠け(チッピング)を抑制するために、中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率の好ましい範囲は8×104〜1×107Paであり、より好ましくは1×105〜5×106Paである。
中間樹脂層は粘着成分と硬化成分とを含む混合物を基材フィルム上に塗工した後、硬化させることによって設けられる。中間樹脂層には、室温で1週間程度放置することによって徐々に硬化し、好ましい範囲の弾性率となるような材料を用いることが好ましい。
中間樹脂層を硬くする方法としては主成分として使用される粘着成分のガラス転移点(Tg)を高くする、中間樹脂層に添加される硬化剤量を多く配合する、無機化合物フィラーを加えるなどの方法が挙げられるがこれに限定されるものではない。また、放射線照射によって硬化する材料を使用し、放射線照射によって硬化させて中間樹脂層の硬さを調整してもよい。なお、ここで、放射線とは、例えば紫外線のような光、あるいはレーザ光、または電子線のような電離性放射線を総称して言うものである。(以下、放射線と言う。)
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートL等を用いることができる。
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、例えば、ニカラックMX−45(三和ケミカル社製)、メラン(日立化成工業株式会社製)等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、例えば、TETRAD−X(三菱化学株式会社製)等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
放射線硬化性を持たせるためには例えば光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリレート系オリゴマーを添加することが挙げられる。これらのオリゴマーとしては光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。
また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いる事も出来る。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。
放射線により中間樹脂層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用する事が出来る。これらのうち少なくとも1種類を中間樹脂層に添加する事により、効率よく重合反応を進行させる事が出来る。
さらに中間樹脂層には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。
中間樹脂層の厚さは少なくとも5μm、より好ましくは10μm以上であることが好ましい。なお、中間樹脂層は複数の層が積層された構成であってもよい。
このように基材に塗布された硬化後の中間樹脂層は熱硬化性の樹脂であり、ダイシング温度付近でも急激な軟化をすることなく良好な切削性が得られる。
以上のように基材フィルムに中間樹脂層が形成された後、中間樹脂層上にさらに粘着剤層が形成され、本発明のダイシングテープが製造される。
粘着剤層の形成は、通常のダイシングテープ同様に基材フィルムに形成された中間樹脂層上に粘着剤を塗工して製造してよく、粘着剤の塗工は、中間樹脂層が塗工された後であればよいが、中間樹脂層が放射線照射によって貯蔵弾性率が調整されるものであれば、中間樹脂層が放射線によって硬化された後に塗工することが必要である。
本発明のダイシングテープもしくはダイシングダイボンドテープを構成する粘着剤層は特に制限は無くダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであれば良い。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましく、特にダイシングダイボンドテープにおいては接着剤層との剥離が容易な材料であることが好ましい。
例えば、本発明では、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物(B)とを含むアクリル系粘着剤を用いた。
粘着剤層の主成分の1つである化合物(A)について説明する。化合物(A)の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で0.5〜20、より好ましくは0.8〜10である。ヨウ素価が0.5以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が20以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物(A)そのものに安定性があり、製造が容易となる。
上記化合物(A)はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物((1))と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物((2))とを反応させて得たものが用いられる。
単量体((1)−1)としては、炭素数6〜12のヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数5以下の単量体である、ペンチルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体((1)−1)として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体((1)−1)の総質量の5質量%以下の範囲内で可能である。
単量体((1)−2)が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体((1)−2)の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
化合物((1))と化合物((2))の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
上記の化合物(A)の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物(A)を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
なお、化合物(A)が、水酸基価5〜100となるOH基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物(A)が、酸価0.5〜30となるCOOH基を有することが好ましい。
ここで、化合物(A)の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
なお、ヨウ素価は、Das法に基づき反応条件を40℃、24時間にして算出したものであり、分子量は、テトラヒドロフランに溶解して得た1%溶液を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(ウオータース社製、商品名:150−C ALC/GPC)により測定した値をポリスチレン換算の質量平均分子量と算出したものである。また、水酸基価は、FT−IR法にて算出したものであり、酸価は、JIS K 5407の11.1に準じて算出したものである。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートL等を用いることができる。
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックMX−45(三和ケミカル社製)、メラン(日立化成工業株式会社製)等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、TETRAD−X(三菱化学株式会社製)等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
(B)の添加量としては、化合物(A)100質量部に対して0.1〜10質量部とすることが好ましく、0.4〜3質量部とすることがより好ましい。その量が0.1質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、10質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれる傾向がある。
(C)の添加量としては、化合物(A)100質量部に対して0.1〜10質量部とすることが好ましく、0.5〜5質量部とすることがより好ましい。
粘着剤層の厚さは少なくとも5μm、より好ましくは10μm以上であることが好ましい。さらには、中間樹脂層と粘着剤層を合わせた厚さが15μm以上200μm以下であることが好ましい。なお、粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。
本発明のダイシングダイボンドテープは以上のように製造されたダイシングテープにさらに接着剤層が積層された構成となっている。
なお、ここで接着剤層とは半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンドテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂/フェノール樹脂/アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
本発明のダイシングダイボンドテープにおいて接着剤層は予め接着剤層がフィルム化されたもの(以下、接着フィルムと言う。)を、前述の中間樹脂層および粘着剤層が基材フィルム上に形成された本発明のダイシングテープの粘着剤層面にラミネートして形成しても良い。ラミネート時の温度は10〜100℃の範囲で、0.1〜100kgf/cmの線圧をかけることが好ましい。なお、接着剤フィルムはセパレータ上に形成されたものを用い、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングダイボンドテープのカバーフィルムとして使用し、ウエハ等を貼合する際に剥離しても良い。また、接着フィルムは粘着剤層の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された(プリカットされた)接着フィルムを積層しても良い。ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、本発明のダイシングダイボンドテープの使用時において、ウエハが貼合される部分には接着剤層が有り、ダイシング用のリングフレームが貼合される部分には接着剤層がなく、粘着剤層に貼合されて使用される。一般に接着剤層は被着体と剥離しにくいため、リングフレーム等に糊残りを生じやすい。プリカットされた接着剤フィルムを使用することで、リングフレームは粘着剤層に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。
下記のように中間樹脂層組成物、粘着剤層組成物、接着フィルムを調整し、厚さ100μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、中間樹脂層組成物を乾燥膜厚が表1に示す厚さとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、さらに粘着剤層組成物を乾燥膜厚が表1に示す厚さとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、粘着テープを作製した。これらの粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムを貼合し、表1、表2に示すような実施例1〜8、比較例1〜5のダイシングダイボンドテープを作製し、特性評価をおこなった。
(中間樹脂層組成物1A)
アクリル樹脂(質量平均分子量:60万、ガラス転移温度−20℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して中間樹脂層組成物1Aを得た。
(中間樹脂層組成物1B)
アクリル樹脂(質量平均分子量:60万、ガラス転移温度−20℃)100質量部、オリゴマーとして分子中にヨウ素価0.5〜20の光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリレート系オリゴマー30重両部、光重合開始剤として2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン1質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して放射線硬化性の中間樹脂層組成物1Bを得た。
(中間樹脂層組成物1C)
アクリル樹脂(質量平均分子量:80万、ガラス転移温度−7℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して放射線硬化性の中間樹脂層組成物1Cを得た。
(中間樹脂層組成物1D)
アクリル樹脂(質量平均分子量:20万、ガラス転移温度−40℃)100質量部、オリゴマーとして分子中にヨウ素価0.5〜20の光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリレート系オリゴマー100重両部、光重合開始剤として2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン1質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)1質量部を混合して放射線硬化性の中間樹脂層組成物1Dを得た。
(粘着剤組成物2A)
溶媒のトルエン400g中に、n−ブチルアクリレート128g、2−エチルヘキシルアクリレート307g、メチルメタアクリレート67g、メタクリル酸1.5g、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつ化合物(1)の溶液を得た。
次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物(2)として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した2−ヒドロキシエチルメタクリレート2.5g、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、表1に示すヨウ素価、分子量、ガラス転移点をもつ放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)の溶液を得た。続いて、化合物(A)溶液中の化合物(A)100質量部に対してポリイソシアネート(B)として日本ポリウレタン社製:コロネートLを1質量部を加え、光重合開始剤として日本チバガイギー社製:イルガキュアー184を0.5質量部、溶媒として酢酸エチル150質量部を化合物(A)溶液に加えて混合して、放射線硬化性の粘着剤組成物2Aを調製した。
(粘着剤組成物2B)
アクリル樹脂(質量平均分子量:60万、ガラス転移温度−20℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して粘着剤組成物2Bを得た。
(接着フィルム3A)
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)50質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン1.5質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン3質量部、平均粒径16nmのシリカフィラー30質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて90分混練した。
これにアクリル樹脂(質量平均分子量:80万、ガラス転移温度−17℃)100質量部、6官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート5部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体0.5部、キュアゾール2PZ(四国化成(株)製、商品名:2−フェニルイミダゾール)2.5部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤を得た。
接着剤を厚さ25μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、110℃で1分間加熱乾燥して、膜厚が40μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルム3Aを作製した。
(接着剤3B)
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)50質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体1部とした以外は接着フィルム3Aの作成と全く同様の操作を行い、接着フィルム3Bを作製した。
(接着剤3C)
硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体0.5質量部とし、キュアゾール2PZにかえてキュアゾール2PHZ(四国化成(株)製、商品名:2−フェニル-4,5−ジヒドロキシイミダゾール)2.5質量部とした以外は接着フィルム3Aの作成と全く同様の操作を行い、接着フィルム3を作製した。
表1に示すような実施例1〜8、比較例1〜5のダイシングダイボンドテープを作製し、また、中間樹脂層の25℃および80℃における弾性率80℃での粘着剤層の弾性率とチップ表面、基材上のヒゲ状切削屑の数、接着剤のバリの有無、側面チッピングの平均値(μm)、ピックアップ成功率特性評価を下記のようにおこなった。
中間樹脂層および粘着剤層の25℃または80℃での弾性率は、粘弾性計(レオメトリックサイエンス社製、商品名:ARES)を用いて、0℃から測定を開始し昇温速度5℃/分、周波数1Hzで、動的粘弾性を測定し、25℃または80℃に達した時点での貯蔵弾性率G´をそれぞれの弾性率とした。
また、測定される中間樹脂層および粘着剤層には作製後14日経過したものを使用した。
(チップ表面のヒゲ状切削屑の数、および基材上のヒゲ状切削屑の数)
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚さ100μm、直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、シリコンウエハ中央部のチップ100個分について、チップ表面のヒゲ状切削屑数を顕微鏡観察によりカウントし、チップ表面のヒゲ状切削屑の数とした。また、シリコンウエハ中央部の接着剤が転着したチップ100個分を剥離後のテープ上のヒゲ状切削屑数をシリコンウエハ中央部のチップ100個分について、顕微鏡観察によりカウントし、基材上のヒゲ状切削屑数とした。
(接着剤のバリの有無)
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚さ100μm直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、ダイボンド剤が転着したチップの側面の接着剤のバリの有無をシリコンウエハ中央部のチップ20個について、顕微鏡観察により接着剤のバリの有無を調査した。
(側面チッピング)
ダイシング時の欠け・クラック(チッピング)の評価として、側面チッピングを下記のように測定した。
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚さ100μm直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、5mm×5mmにダイシングした後、ダイシング後のチップを観察し、チップ側面に発生したチッピングの大きさをシリコンウエハ中央部のチップ50個について測定し、その平均値を求め、側面チッピングの値とした。その際、チッピングの大きさはチップ端部からの大きさとした。
(ピックアップ成功率)
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚み100μmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、10mm×10mmにダイシングした。その後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯(80W/cm、照射距離10cm)により200mJ/cm2照射した後、シリコンウエハ中央部のチップ50個についてダイボンダー装置(NECマシナリー製、商品名:CPS−100FM)によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個でのピックアップ成功率を求めた。その際、ピックアップされた素子に粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。
粘着剤層として弾性率の大きな硬い材料のみを使用した比較例5では接着剤のバリもなくヒゲやチッピングの発生も少ないが、ピックアップが不可能であった。
2: 中間樹脂層
3: 粘着剤層
4: 接着剤層
10:ダイシングダイボンドテープ
11:半導体ウエハ
12:ダイシング用リングフレーム
Claims (9)
- 基材フィルム上に中間樹脂層、粘着剤層がこの順に積層され、前記粘着剤層の上にフィルム状接着剤を積層し、前記フィルム状接着剤にウエハを貼合してダイシングし、接着剤付きチップを得るために用いるウエハ加工用テープであって、
前記中間樹脂層と前記粘着剤層とを合わせた厚さが15μm以上200μm以下であり、前記中間樹脂層は、主成分としてアクリル系樹脂を含み、80℃における貯蔵弾性率が1×105〜3.2×10 5 Paであって、前記粘着剤層の80℃における貯蔵弾性率よりも大きく、
前記粘着剤層は、ガラス転移点が−66℃〜−28℃の放射線硬化性炭素―炭素二重結合を有する化合物を含む
ことを特徴とするウエハ加工用テープ。 - 基材フィルム上に中間樹脂層、粘着剤層、接着剤層がこの順に積層され、前記接着剤層にウエハを貼合してダイシングし、接着剤付きチップを得るために用いるウエハ加工用テープであって、
前記中間樹脂層と前記粘着剤層とを合わせた厚さが15μm以上200μm以下であり、前記中間樹脂層は、主成分としてアクリル系樹脂を含み、80℃における貯蔵弾性率が1×105〜3.2×10 5 Paであって、前記粘着剤層の80℃における貯蔵弾性率よりも大きく、
前記粘着剤層は、ガラス転移点が−66℃〜−28℃の放射線硬化性炭素―炭素二重結合を有する化合物を含む
ことを特徴とするウエハ加工用テープ。 - 前記放射線硬化性炭素―炭素二重結合を有する化合物は、分子量が30万〜100万であることを特徴とする請求項1〜2に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記中間樹脂層の25℃における貯蔵弾性率が8×104〜3.4×10 5 Paの範囲にあることを特徴とする請求項1〜3に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記中間樹脂層が3次元網状構造を有するアクリル系樹脂であることを特徴とする請求項1〜4に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記中間樹脂層が熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1〜5に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記中間樹脂層が少なくともアクリル系樹脂と硬化剤とを含む混合物を基材フィルム上に塗布した後、硬化させたものであることを特徴とする請求項1〜6に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記粘着剤層が、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも1種選ばれる化合物(B)とを含有していることを特徴とする請求項1〜7に記載のウエハ加工用テープ。
- 半導体装置を製造するにあたり、ダイシング時にはダイシング用フレームに固定されて、ウエハを固定しダイシングし、さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用されるウエハ加工用テープであって、基材フィルム上に中間樹脂層、粘着剤層がこの順に積層され、さらには、少なくともウエハの貼合される部位には接着剤層が積層され、ダイシングフレームに貼合される部分には接着剤層がないことを特徴とする請求項2〜7に記載のウエハ加工用テープ。
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WO2006041089A1 (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物およびシート状光学物品 |
JP2007073930A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
JP5089895B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2012-12-05 | 電気化学工業株式会社 | 多層粘着シート、多層粘着シート用の粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。 |
WO2008010547A1 (fr) * | 2006-07-19 | 2008-01-24 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Ruban de découpage de puce liant et procédé de fabrication de puce semi-conductrice |
EP1884981A1 (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-06 | STMicroelectronics Ltd (Malta) | Removable wafer expander for die bonding equipment. |
KR100943799B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2010-02-23 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱·다이본드 필름 |
KR101058659B1 (ko) * | 2006-10-06 | 2011-08-22 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 반도체용 필름, 반도체용 필름의 제조 방법 및 반도체 장치 |
JP2008163276A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Nitto Denko Corp | 半導体基板加工用粘着シート |
JP5196838B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2013-05-15 | リンテック株式会社 | 接着剤付きチップの製造方法 |
WO2009011281A1 (ja) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | ダイシング-ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法 |
CN101821833B (zh) * | 2007-10-09 | 2012-04-04 | 日立化成工业株式会社 | 半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法 |
KR101358480B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2014-02-05 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 점착제, 점착 시트, 다층 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법 |
JP4717052B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2011-07-06 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JP4717051B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2011-07-06 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JP5089358B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2012-12-05 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
JP2009158503A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
KR101047923B1 (ko) | 2007-12-27 | 2011-07-08 | 주식회사 엘지화학 | 버 특성 및 신뢰성이 우수한 다이싱 다이 본딩 필름 및반도체 장치 |
KR101023837B1 (ko) * | 2008-01-11 | 2011-03-22 | 주식회사 엘지화학 | 점착제 조성물, 상기를 포함하는 편광판 및 액정표시장치 |
KR101023842B1 (ko) * | 2008-01-11 | 2011-03-22 | 주식회사 엘지화학 | 점착제 조성물, 상기를 포함하는 편광판 및 액정표시장치 |
KR101023843B1 (ko) | 2008-01-11 | 2011-03-22 | 주식회사 엘지화학 | 점착제 조성물, 상기를 포함하는 편광판 및 액정표시장치 |
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JP4717086B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2011-07-06 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JP4553400B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2010-09-29 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
KR101485612B1 (ko) * | 2008-04-25 | 2015-01-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 웨이퍼용 보호 필름 |
US8114759B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-02-14 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Dicing method using a die attach film on an adhesive sheet |
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JP4602450B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2010-12-22 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造用フィルム及びその製造方法 |
JP2010219086A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 |
JP5144567B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-02-13 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
CN102421865B (zh) | 2009-05-12 | 2013-11-13 | 电气化学工业株式会社 | 粘合剂、粘合片及电子元件的制造方法 |
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KR101385866B1 (ko) * | 2009-06-15 | 2014-04-17 | 주식회사 엘지화학 | 웨이퍼 가공용 시트 |
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KR101083959B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2011-11-16 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조용 필름 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP5494075B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-05-14 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングフィルム |
CN102250555B (zh) * | 2010-05-17 | 2015-04-01 | 古河电气工业株式会社 | 晶片加工用带 |
JP5859193B2 (ja) | 2010-07-14 | 2016-02-10 | デンカ株式会社 | 多層粘着シート及び電子部品の製造方法 |
JP2012079936A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
JP5161284B2 (ja) | 2010-10-14 | 2013-03-13 | 電気化学工業株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP5161283B2 (ja) | 2010-10-14 | 2013-03-13 | 電気化学工業株式会社 | 電子部品の製造方法 |
CN104039910B (zh) * | 2012-01-06 | 2016-05-11 | Lg化学株式会社 | 封装薄膜 |
EP2980835B1 (en) | 2013-03-27 | 2020-12-02 | LINTEC Corporation | Composite sheet for forming protective film |
CN105143380B (zh) * | 2013-03-28 | 2019-05-17 | 古河电气工业株式会社 | 粘合带及晶片加工用胶带 |
KR101484065B1 (ko) | 2013-04-29 | 2015-01-19 | 에이엠씨주식회사 | 절삭분 발생이 억제된 반도체용 다이싱 다이 본딩 필름 및 그 제조 방법 |
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JP6069142B2 (ja) * | 2013-09-11 | 2017-02-01 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
KR101722137B1 (ko) * | 2014-01-03 | 2017-03-31 | 주식회사 엘지화학 | 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름 |
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CN109937245B (zh) * | 2016-11-17 | 2022-01-18 | 琳得科株式会社 | 半导体加工用粘合片 |
JP7035347B2 (ja) * | 2017-10-05 | 2022-03-15 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体加工用テープ |
WO2019118244A1 (en) | 2017-12-11 | 2019-06-20 | Delphon Industries, Llc | Carrier for reversibly immobilizing one or more objects |
JP7072412B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-05-20 | リンテック株式会社 | 粘着剤の硬化方法、及び粘着剤の硬化装置 |
JP7158567B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2022-10-21 | 三井化学東セロ株式会社 | 電子装置の製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0298448B1 (en) * | 1987-07-08 | 1994-06-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Radiation-curable adhesive tape |
US5281473A (en) * | 1987-07-08 | 1994-01-25 | Furakawa Electric Co., Ltd. | Radiation-curable adhesive tape |
US5149586A (en) * | 1987-07-08 | 1992-09-22 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Radiation-curable adhesive tape |
JPH05179211A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフイルム |
JP3495388B2 (ja) * | 1993-07-15 | 2004-02-09 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウエハダイシング用粘着テープ |
GB2320615B (en) * | 1996-12-19 | 2001-06-20 | Lintec Corp | Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process |
JPH10335271A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハ貼着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP4053656B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2008-02-27 | リンテック株式会社 | エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法 |
TW522531B (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device, method of manufacturing the device and mehtod of mounting the device |
JP2002158276A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置 |
JP2003007646A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シートおよび切断片の製造方法 |
JP4803778B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2011-10-26 | 日東電工株式会社 | 再剥離型粘着剤および再剥離型粘着シート |
US20030064579A1 (en) | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Masafumi Miyakawa | Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and protecting method for semiconductor wafer using said adhesive film |
JP2003142505A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Lintec Corp | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP4067308B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2008-03-26 | リンテック株式会社 | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP3966808B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2007-08-29 | 古河電気工業株式会社 | 粘接着テープ |
JP4413551B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2010-02-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウエハ面保護用粘着テープ |
JP4588022B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2010-11-24 | 日東電工株式会社 | 加熱剥離型粘着シートおよび該加熱剥離型粘着シートを用いた被着体の加工方法 |
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