JP4765750B2 - 熱処理装置、熱処理方法、記憶媒体 - Google Patents
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Description
塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板部と基板を冷却する冷却プレートとが設けられ、
冷却プレートは、外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と、前記熱板部との間で基板の受け渡しが行われる熱板部の上方位置と、の間を駆動機構により移動する熱処理装置において、
前記冷却プレートを加熱するための加熱手段と、
前記冷却プレートの温度を検出する温度検出手段と、
連続処理開始後の1番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、2番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、を揃えるために、連続処理の開始前に前記温度検出手段の温度検出値が設定温度となるように加熱手段からの受熱量を制御するための制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記設定温度は、前記熱板部において加熱処理された基板を前記冷却プレートが受け取った際に当該基板から受熱し上昇する温度と、前記冷却プレートが放熱により下降する温度とが連続処理サイクルでほぼ安定する温度であることを特徴とする。
前記連続処理開始後の1番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、2番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、の温度差が10℃以内に収まることを特徴とする。
前記加熱手段は冷却プレートに設けられ、制御信号は加熱手段の発熱量を制御するための信号であることを特徴とする。
冷却プレートを強制冷却する冷却手段を備えたことを特徴とする。
前記制御部は、熱板部による基板の熱処理温度が先の基板よりも次の基板の方が低い場合に、冷却プレートから先の基板を搬出した後、次の基板を受け取るまでの間に当該冷却プレートを冷却手段により冷却するように制御信号を出力することを特徴とする。
前記冷却手段は、気体の吹きつけにより冷却プレートを冷却するものであることを特徴とする。
塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板部と基板を冷却する冷却プレートとが設けられ、
冷却プレートは、外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と、前記熱板部との間で基板の受け渡しが行われる熱板部の上方位置と、の間を駆動機構により移動する熱処理装置を用いて熱処理を行う方法において、
連続処理開始後の1番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、2番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、を揃えるために、連続処理の開始前に冷却プレートを設定温度に加熱する工程を含み、
前記設定温度は、前記熱板部において加熱処理された基板を前記冷却プレートが受け取った際に当該基板から受熱し上昇する温度と、前記冷却プレートが放熱により下降する温度とが連続処理サイクルでほぼ安定する温度であることを特徴とする。
前記冷却プレートを加熱手段により加熱する工程は、冷却プレートを当該冷却プレートに設けられた加熱手段により加熱する工程であることを特徴とする。
冷却プレートを強制冷却する工程を含むことを特徴とする。
前記冷却プレートを強制冷却する工程は、熱板部による基板の熱処理温度が先の基板よりも次の基板の方が低い場合に、冷却プレートから先の基板を搬出した後、次の基板を受け取るまでの間に行うことを特徴とする。
前記冷却プレートを強制冷却する工程は、気体の吹きつけにより冷却プレートを冷却する工程であることを特徴とする。
塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板部と基板を冷却する冷却プレートとが設けられ、
冷却プレートは、外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と、前記熱板部との間で基板の受け渡しが行われる熱板部の上方位置と、の間を駆動機構により移動する熱処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、前記熱処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
熱板サポート部材5の上方には天板83が設けられており、熱板53と天板83との間を手前側から奥側へ通流するガスの流れを整流するように、支持部84によって排気室86の上面に固定されている。
熱板部4の奥側には、複数の排気孔86aが形成された排気室86が設けられており、上方領域20Aの雰囲気は、これら排気室86を介して筐体20の外部へ排出される。
次に、連続的にウェハWに対して加熱処理を施した後、ウェハWの熱処理温度t2を変更して引き続き熱処理を行う場合について説明する。
次いで既述の通り、ウェハWの加熱処理及び冷却が行われて、その後二枚目以降のウェハWの連続的な熱処理が行われる。
この例では既述のステップS1及びステップS2を行なわずに、搬送機構40からウェハWを受け取る(ステップS3)。その後、上述の例と同様にウェハWの連続処理の加熱処理と冷却とが行われる。
次に、ウェハWの熱処理温度t2によって、冷却プレート33が安定化する温度がどのように変化するか確かめるために行った実験について説明する。
実験には既述の熱処理装置2を使用し、以下のプロセス条件において実験を行った。尚、各々の条件において、ウェハW25枚に対して熱処理を連続的に行った。また、既述の熱処理装置2の電源投入時(ステップS1からステップS2)における冷却プレート33の加熱を行わなかった。
プロセス条件
冷却プレート33の温度T1 :23℃
ウェハWの温度t1 :23℃
ウェハWの熱処理温度t2 :別記
ウェハWの熱処理時間 :60秒
ウェハWの冷却時間 :30秒
実験例1
ウェハWの熱処理温度t2を90℃とした。
実験例2
ウェハWの熱処理温度t2を110℃とした。
実験例3
ウェハWの熱処理温度t2を130℃とした。
実験例4
ウェハWの熱処理温度t2を150℃とした。
実験例5
ウェハWの熱処理温度t2を170℃とした。
実験例2において、ウェハWに温度測定用の端子を接続して、ウェハWの温度が110℃に達した時(ステップS4)、ウェハWの冷却開始時(ステップS5)及びウェハWを筐体20内から搬出する時(ステップS6)において、冷却プレート33及びウェハWの温度を測定して図13に示した。
また、冷却プレート33の安定化する温度は表1に示した通り、ウェハWの熱処理温度t2が高くなるほど、冷却プレート33の安定化する温度(ウェハWの冷却温度)が高くなることがわかった。
またTCT層B3は、レジスト液を塗布する前にウェハWに反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成ユニットが設けられている。
り、TCT層B3にウェハWを受け渡すために第1の受け渡しステージTRS3に搬送され、当該TCT層B3のメインアームA3に受け渡される。そしてTCT層B3では、メインアームA3により、冷却ユニット(COL)→第2の反射防止膜形成ユニット→加熱ユニット(CHP)→周縁露光装置(WEE)→棚ユニットU6の第2の受け渡しステージTRS8の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第2の反射防止膜が形成される。
4 熱板部
32a 温度検出部
32b 温度検出器
33 冷却プレート
35 ヒーター
53 熱板
60 ガス吐出口
t2 熱処理温度
T2 設定温度
Claims (15)
- 塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板部と基板を冷却する冷却プレートとが設けられ、
冷却プレートは、外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と、前記熱板部との間で基板の受け渡しが行われる熱板部の上方位置と、の間を駆動機構により移動する熱処理装置において、
前記冷却プレートを加熱するための加熱手段と、
前記冷却プレートの温度を検出する温度検出手段と、
連続処理開始後の1番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、2番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、を揃えるために、連続処理の開始前に前記温度検出手段の温度検出値が設定温度となるように加熱手段からの受熱量を制御するための制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記設定温度は、前記熱板部において加熱処理された基板を前記冷却プレートが受け取った際に当該基板から受熱し上昇する温度と、前記冷却プレートが放熱により下降する温度とが連続処理サイクルでほぼ安定する温度であることを特徴とする熱処理装置。 - 連続処理開始後の1番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、2番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、の温度差が10℃以内に収まることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 加熱手段は熱板部であり、制御信号は熱板部上における冷却プレートの滞在時間を調整するために駆動機構を制御する信号であることを特徴とする請求項1または2に記載の熱処理装置。
- 加熱手段は冷却プレートに設けられ、制御信号は加熱手段の発熱量を制御するための信号であることを特徴とする請求項1または2に記載の熱処理装置。
- 冷却プレートを強制冷却する冷却手段を備えたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の熱処理装置。
- 制御部は、熱板部による基板の熱処理温度が先の基板よりも次の基板の方が低い場合に、冷却プレートから先の基板を搬出した後、次の基板を受け取るまでの間に当該冷却プレートを冷却手段により冷却するように制御信号を出力することを特徴とする請求項5に記載の熱処理装置。
- 冷却手段は、気体の吹きつけにより冷却プレートを冷却するものであることを特徴とする請求項5または6に記載の熱処理装置。
- 塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板部と基板を冷却する冷却プレートとが設けられ、
冷却プレートは、外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と、前記熱板部との間で基板の受け渡しが行われる熱板部の上方位置と、の間を駆動機構により移動する熱処理装置を用いて熱処理を行う方法において、
連続処理開始後の1番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、2番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、を揃えるために、連続処理の開始前に冷却プレートを設定温度に加熱する工程を含み、
前記設定温度は、前記熱板部において加熱処理された基板を前記冷却プレートが受け取った際に当該基板から受熱し上昇する温度と、前記冷却プレートが放熱により下降する温度とが連続処理サイクルでほぼ安定する温度であることを特徴とする熱処理方法。 - 1番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、2番目の基板を熱板部から受け取る直前の冷却プレートの表面温度と、の温度差が10℃以内に収まることを特徴とする請求項8に記載の熱処理方法。
- 前記冷却プレートを加熱手段により加熱する工程は、冷却プレートを加熱手段である熱板部の上方に位置させて加熱する工程であることを特徴とする請求項8または9に記載の熱処理方法。
- 前記冷却プレートを加熱手段により加熱する工程は、冷却プレートを当該冷却プレートに設けられた加熱手段により加熱する工程であることを特徴とする請求項8または9に記載の熱処理方法。
- 冷却プレートを強制冷却する工程を含むことを特徴とする請求項8ないし11のいずれか一つに記載の熱処理方法。
- 冷却プレートを強制冷却する工程は、熱板部による基板の熱処理温度が先の基板よりも次の基板の方が低い場合に、冷却プレートから先の基板を搬出した後、次の基板を受け取るまでの間に行うことを特徴とする請求項12に記載の熱処理方法。
- 冷却プレートを強制冷却する工程は、気体の吹きつけにより冷却プレートを冷却する工程であることを特徴とする請求項12または13に記載の熱処理方法。
- 塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板部と基板を冷却する冷却プレートとが設けられ、
冷却プレートは、外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と、前記熱板部との間で基板の受け渡しが行われる熱板部の上方位置と、の間を駆動機構により移動する熱処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、請求項8ないし14のいずれか一つに記載の熱処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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