[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4632564B2 - 表面欠陥検査装置 - Google Patents

表面欠陥検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4632564B2
JP4632564B2 JP2001065456A JP2001065456A JP4632564B2 JP 4632564 B2 JP4632564 B2 JP 4632564B2 JP 2001065456 A JP2001065456 A JP 2001065456A JP 2001065456 A JP2001065456 A JP 2001065456A JP 4632564 B2 JP4632564 B2 JP 4632564B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film thickness
subject
image data
defect inspection
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001065456A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002267416A (ja
Inventor
泰央 西山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp filed Critical Olympus Corp
Priority to JP2001065456A priority Critical patent/JP4632564B2/ja
Publication of JP2002267416A publication Critical patent/JP2002267416A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4632564B2 publication Critical patent/JP4632564B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体製造プロセスにおける半導体ウエハ或いは液晶ガラス基板等のような表面に薄膜が形成された被検体の表面上の欠陥を検査する表面欠陥検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体ウエハ或いは液晶ガラス基板等のフォト・リソグラフィ・プロセスでは、半導体ウエハ表面に塗布したレジストに膜厚のムラ或いは塵埃の付着等の欠陥があると、その部分がエッチング後にパターンの線幅不良やパターン内のピンホール等の不良となって現われる。一般的にエッチング前の半導体ウエハ或いは液晶ガラス基板に対しては、欠陥部分の有無を全数検査することが行われている。
【0003】
このような欠陥検査としては、投光装置により半導体ウエハ或いは液晶ガラス基板に対して光を照射し、作業者の目視により半導体ウエハ上或いは液晶ガラス基板上の欠陥を探す方法が採られていたが、最近では、例えば特開平9−61365号公報に開示されているように被検体表面を撮像しつつその画像処理を行なうことにより欠陥検査する表面欠陥検査装置がある。
【0004】
図7はかかる表面欠陥検査装置の光学系の概略構成図である。半導体ウエハ或いは液晶ガラス基板等の被検体1は、矢印イ方向に移動する1軸ステージ2上に載置されている。この1軸ステージ2の上方には、照明部3が配置されている。この照明部3は、照明用の光源とその光学系とを有するもので、このうち光源はハロゲンランプと熱吸収フィルタとコンデンサレンズとを内部に備えたランプハウスが用いられ、光学系はランプハウスからの光束を収束させる集光レンズとファイバ束とが用いられている。この照明部3から出力された照明光は、シリンドリカルレンズ4を通して入射角θで被検体1に照射されるようになっている。
【0005】
この照明部3に法線sを介して対向位置すなわち法線sに対して角度θ’には、干渉フィルタ5と撮像装置としてのラインセンサカメラ6とが配置されている。このラインセンサカメラ6の出力端子には、このラインセンサカメラ6から出力された画像信号を取り込んで二次元画像データを構築する画像取込部7が接続されている。
【0006】
ホストコンピュータ8は、画像取込部7から送出される二次元画像データを受け取り、この二次元画像データを画像処理して被検体1の表面上の膜厚ムラや塵埃などの欠陥部分を検出し、これらの結果から検査条件に含まれる合格基準と照合して被検体1の良否を判定する機能を有している。
【0007】
このような構成であれば、照明部3から出力された照明光は、シリンドリカルレンズ4を通して入射角θで被検体1に照射される。このとき、被検体1を載置した1軸ステージ2は矢印イ方向に移動し、これと共にラインセンサカメラ6は、照明された被検体1の直線状の領域を撮像してその画像信号を出力する。画像取込部7は、1軸ステージ2の移動に同期してラインセンサカメラ6から出力された画像信号を取り込んで二次元画像データを構築し、この二次元画像データをホストコンピュータ8に送出する。このホストコンピュータ8は、画像取込部7から送出される二次元画像データを受け取り、この二次元画像データを画像処理して被検体1の表面上の膜厚ムラや塵埃などの欠陥部分を抽出し、これらの結果から検査条件に含まれる合格基準と照合して被検体1の良否を判定する。なお、欠陥部分の抽出は、膜厚ムラを画像データ上の輝度値として捉え、所定のしきい値を超える領域を膜厚ムラによる欠陥として検出している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、検査工程においては、どの程度の膜厚ムラなのかを計測する必要が生じることがある。例えば、表面欠陥検査において検出された欠陥部分であっても、その膜厚ムラが所定の基準範囲内に入っていれば良品と判定して次の工程に流したり、或いはリワークして再生するといった方法が採られることがある。
【0009】
そこで、表面欠陥検査において欠陥部分があると判定された被検体1は、さらに別途膜厚計測装置を用いて膜厚を計測する方法が採られている。この計測方法では、別途用意する膜厚計測装置が高価でかつ長い計測時間を必要とし、全数検査には不向きであるためであり、このために表面欠陥検査装置によって全数検査し、欠陥部分があると判定された被検体1のみを抜き出して別途用意する膜厚計測装置により膜厚を計測するといった方法が採られている。
【0010】
しかしながら、表面欠陥検査装置と膜厚計測装置とが別体となって配置されているために、表面欠陥検査装置での被検体1の欠陥位置情報を膜厚計測装置に対して正確に伝達する必要が生じ、そのために位置決め機構や位置補正機構が必要となって、各々の装置の構成が複雑かつ高価なものになってしまう。
【0011】
又、表面欠陥検査装置と膜厚計測装置とが別体なために、装置そのものや各装置毎に被検体1を収納するカセットや、被検体1を表面欠陥検査装置と膜厚計測装置との間に搬送する搬送ロボット等の設置スペースが必要となる。このため、これら表面欠陥検査装置及び膜厚計測装置は、クリーンルーム内に設置されるが、設備コストが高価で省スペース化が重要とされているクリーンルームに対しては省スペース化等の要望を満たすことができない。
【0012】
さらに、被検体1の表面欠陥検査装置と膜厚計測装置との間での搬送が必要なために、欠陥検査全体に多大な時間を要するばかりか、作業者の各装置間の移動が必要となる。このため、作業者の疲労を招き、検査作業の効率の低下を招いてしまう。
【0013】
そこで本発明は、被検体表面上の欠陥部分を検出すると共にその欠陥部分の膜厚を同時に効率よく計測できる表面欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載による本発明は、表面に薄膜が形成された被検体に対して所定の角度から照明光を照射する照明手段と、前記照明手段に対し、前記被検体表面の法線を介して対向する位置に配置され、前記被検体及び前記薄膜によって生じる干渉縞を撮像して2次元の画像データを生成する撮像手段と、前記薄膜に関する情報を入力する入力手段と、前記薄膜に関する情報に基づいて、前記照明手段の照明条件を設定する駆動制御手段と、前記薄膜に関する情報に基づいて前記薄膜により生じる干渉縞の理論的なデータを求める干渉縞演算手段と、前記撮像により得られた前記画像データと、予め参照用の干渉縞を撮像して記憶しておいた基準画像データとに基づいて前記被検体表面上の欠陥部分を抽出する欠陥抽出手段と、記画像データと前記干渉縞の理論的なデータとに基づいて前記薄膜の膜厚値を計測する膜厚計測手段とを具備したことを特徴とする表面欠陥検査装置である。
【0024】
【発明の実施の形態】
(1)以下、本発明の第1の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図7と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【0025】
図1は表面欠陥検査装置の構成図である。照明部3と1軸ステージ2上の被検体1との間には、シリンドリカルレンズ4とスリット10とが配置されている。なお、1軸ステージ2は、ステージ駆動部11の駆動によって矢印イ方向に1軸移動するものとなっている。
【0026】
照明部3に法線sを介して対向位置には、フィルタ部12とラインセンサカメラ6とが配置されている。フィルタ部12は、照明光の波長帯域を制限して干渉像を得るための複数の狭帯域フィルタを備えたもので、ラインセンサカメラ6の前方に配置され、複数の狭帯域フィルタをフィルタ駆動部13の駆動によって光路上に挿脱し、薄膜測定に必要な波長帯域の狭帯域フィルタを光路上に配置するものとなっている。
【0027】
これら1軸ステージ2や照明部3、シリンドリカルレンズ4、スリット10、ラインセンサカメラ6、フィルタ部12(以下、これら全体を撮像部と称する)などは、外乱光の影響を受けないように図示しない暗箱状の筐体に収容され、かつ被検体1へのパーティクル付着を防止するために上方から空気洗浄用フィルタを通じてダウンフローが流れている。
【0028】
一方、メインコントローラ20には、画像取込部7が設けられている。この画像取込部7は、1軸ステージ2の移動に同期してラインセンサカメラ6から出力された画像信号を取り込んで各1ラインの画像データを繋ぎ合わせて被検体1の二次元画像データを構築し、この二次元画像データを画像記憶部21に送出する機能を有している。
【0029】
この画像記憶部21は、複数枚の画像データを記憶する記憶容量を有するもので、任意の画像データを読み書きできるものとなっている。又、この画像記憶部21には、予め被検体1の良品として取り込んだリファレンス画像データ(基準画像データ)も記憶されている。
【0030】
薄膜パラメータ入力部22は、メインコントローラ20に接続されたキーボード23のキー操作により入力される被検体1に関する情報、例えば工程名、品種名、外形寸法や、被検体1の表面上に形成された薄膜に関する情報として例えば材質、屈折率、膜厚、反射率などを干渉縞演算部24に送る機能を有している。
【0031】
この干渉縞演算部24は、薄膜に関する情報(例えば材質、屈折率、膜厚、反射率など)に基づいて薄膜により生じる干渉縞、すなわち被検体1上の薄膜表面で反射する光と被検体1の本体表面で反射する光とにより生じる干渉縞の理論的なデータを求めるもので、具体的には、薄膜の材質や屈折率、膜厚、反射率、照明光の波長に基づいて照明光を照射したときに現われる干渉縞の明線と暗線との繰り返しパターンを演算し、図2に示すような画像の輝度値に対する理論的な膜厚データDaを求める機能を有している。
【0032】
すなわち、干渉縞演算部24は、薄膜パラメータ入力部22から入力された薄膜に関する情報のうち例えば屈折率をn、膜厚をh、照明光の波長をλ、薄膜内部の光線の屈折率をθ’、薄膜下面での反射時の位相変化をφ(0≦φ≦2π)とすれば、薄膜による干渉縞が明瞭(干渉により強め合う)になる条件は、
2nh・cosθ’+(φ/2π)・λ=m・λ
(m=0,±1,±2,…) …(1)
により表わされる。
【0033】
従って、この式(1)を基に膜厚変化と画像データの輝度値との対応を示したものが上記図2である。同図に示すように膜厚データDaなどの輝度値は、膜厚に対して周期的に変化するものとなっている。
【0034】
又、この干渉縞演算部24は、フィルタ部12の複数の狭帯域フィルタのうち薄膜測定に必要な波長帯域の狭帯域フィルタを選択変更して光路上に挿入したときの、その波長帯域に応じた干渉縞の理論的な膜厚データDbを求める機能を有している。すなわち、上記図2に示すように膜厚データDaなどの輝度値は、膜厚に対して周期的に変化するものとなっているので、膜厚計測に適用する範囲が限られており、膜厚を計測するには、理論的な膜厚データDaなどにおける直線部分を用いると精度高く膜厚値を求められる。例えば膜厚tを計測するには、膜厚データDaを用いると曲線部分にあたり精度高い計測が出来ないが、膜厚データDbを用いれば、当該膜厚データDbの直線部分を用いて精度高い計測が可能となる。
【0035】
この干渉縞演算部24により求められた膜厚データDa、Dbなどは干渉データ記憶部26に記憶されるようになっている。
【0036】
なお、薄膜に関する情報(例えば材質、屈折率、膜厚、反射率など)は、フィルタ部12の波長帯域や照明部3の角度を設定するために駆動制御部25にも同時に送られている。
【0037】
画像処理部27は、画像記憶部21に記憶されている被検体1の画像データとリファレンス画像データとを読み出し、これら被検体1の画像データとリファレンス画像データとを比較し、その差を検出して欠陥抽出部28に送出する機能を有している。
【0038】
又、画像処理部27は、画像記憶部21に記憶されている被検体1の画像データを読み出すと共に干渉データ記憶部26に記憶されている複数の膜厚データDa、Dbなどのうち膜厚計測に必要な例えばDbを読み出し、これら被検体1の画像データの輝度値と膜厚データDbとの相関をとり、輝度値が膜厚を示す画像データを生成して膜厚計測部29に送出する機能を有している。
【0039】
欠陥抽出部28は、画像処理部27により検出された被検体1の画像データとリファレンス画像データとの差を受け取り、この差画像データから被検体1の表面上の欠陥部分を抽出し、被検体1の表面上の膜ムラなどの欠陥情報(例えば位置、欠陥種類)を取得して記憶部30に記憶し、かつ表示器31に表示する機能を有している。
【0040】
膜厚計測部29は、画像処理部27により生成された輝度値が膜厚を示す画像データを受け取り、この画像データから膜厚計測を行なってその結果を記憶部30に記憶し、かつ表示器31に表示する機能を有している。
【0041】
この表示器31への実際の表示は、例えば図3に示す通りの下記の各機能により行われる。
【0042】
欠陥抽出部28は、上記差画像データからから抽出された被検体1の表面上の欠陥部分のうち例えば作業員により指示された欠陥部分Gを含む画像データを読み出してその画像を第1の表示領域Hに表示する機能を有している。
【0043】
膜厚計測部29は、第1の表示領域Hに表示されている欠陥部分Gを含む画像に対し、その画面上で作業員によりライン状に指定されると、このライン指定された欠陥部分Gを含む膜厚値のプロファイルを第2の表示領域Hに表示する機能を有している。
【0044】
さらに、膜厚計測部29は、ライン指定された膜厚値のプロファイルに対して2点、例えばa点とb点とが作業員により指定されると、これら2点の座標a点(X,Y)とb点(X,Y)とに基づいてそれぞれの各膜厚値DとDとを求め、これら2点間(a点−b点)の膜厚差ΔD=D−Dを求めて表示器31に表示する機能を有している。
【0045】
又、膜厚計測部29は、第1の表示領域Hに表示されている欠陥部分Gを含む画像に対し、その画面上で作業員により1点が指示されると、その1点の座標に基づいてその点の膜厚値を求めて記憶部30に記憶し、かつ表示器31に表示する機能を有している。
【0046】
又、膜厚計測部29は、第1の表示領域Hに表示されている欠陥部分Gを含む画像に対し、その画面上で作業員により所望の領域が指示されると、その領域内の膜厚値を記憶部30に記憶し、かつ表示器31に表示する機能を有している。
【0047】
又、膜厚計測部29は、第1の表示領域Hに表示されている欠陥部分Gを含む画像に対し、その画面上で作業員により所望の領域が指示されると、その領域内の膜厚値の少なくとも最大値、最小値又は平均値を求め、これら最大値、最小値又は平均値を記憶部30に記憶し、かつ表示器31に表示する機能を有している。
【0048】
又、膜厚計測部29は、第1の表示領域Hに表示されている欠陥部分Gを含む画像に対し、その画面上で作業員により所望の領域が指示されると、その領域内の被検体1の表面における膜厚値の度数分布を求める機能を有している。
【0049】
駆動制御部25は、画像処理部27との間で情報を伝達しながら上記撮像部を動作させるために照明部3の角度を設定し、フィルタ駆動部13、ステージ駆動部11、試料方向合わせ部33、試料搬送部34を動作制御する機能を有している。
【0050】
フィルタ駆動部13は、被検体1の薄膜の情報に基づいてフィルタ部12を制御し、フィルタ部12の複数の狭帯域フィルタのうち薄膜測定に必要な波長帯域の狭帯域フィルタを選択変更して光路上に挿入する機能を有している。
【0051】
ステージ駆動部11は、被検体1の画像を取り込むために1軸ステージ2を矢印イ方向に駆動する機能を有している。
【0052】
試料搬送部34は、試料搬送ロボットなどを駆動制御し、被検体1をカセットから取り出し、試料方向合わせ部33によって被検体1のオリフラ或いはノッチの方向を一定方向に位置合わせし、1軸ステージ2まで搬送させ、かつ検査が終了した被検体1を試料搬送ロボットなどを駆動制御して1軸ステージ2から取り出し、カセットまで搬送させる機能を有している。
【0053】
次に、上記の如く構成された装置の作用について説明する。
【0054】
キーボード23に対する作業者の操作により、このキーボード23から被検体1に関する情報、例えば工程名、品種名、外形寸法や、被検体1の表面上に形成された薄膜に関する情報として例えば材質、屈折率、膜厚、反射率などが入力される。このうち工程名、品種名、外形寸法などの情報は、検査条件として検査結果の記憶の際に利用されるために、薄膜パラメータ入力部22を通して干渉縞演算部24に送られたり、駆動条件として駆動制御部25に送られる。
【0055】
又、薄膜に関する情報として例えば材質、屈折率、膜厚、反射率などの情報は、干渉縞演算部24により薄膜の干渉縞を演算して求める際に利用されると共に、フィルタ部12の波長帯域や照明部3の角度を設定するために駆動制御部25に送出される。
【0056】
被検体1に関する情報の入力が終了すると、被検体1が収納されたカセットが作業者或いは図示しない生産ラインにより試料搬送部34にセットされる。そして、作業者により操作入力部32が操作されて検査開始が指示されると、又は図示しない通信システムを介して生産ラインより検査開始が指示されると、試料搬送部34は、カセットから被検体1を1枚ずつ取り出し、1軸ステージ2へ搬送する。これにより、被検体1に対する検査が開始される。
【0057】
試料搬送部34により搬送された被検体1は、試料方向合わせ部33によって一定方向に位置合せられ、1軸ステージ2上に載置される。
【0058】
次に、駆動制御部25は、画像処理部27との間で情報を伝達しながら上記撮像部を動作させるために照明部3の角度を設定し、フィルタ駆動部13及びステージ駆動部11を動作制御して、被検体1の撮像を開始する。このときフィルタ駆動部13は、被検体1の薄膜の情報に基づいてフィルタ部12を制御し、フィルタ部12の複数の狭帯域フィルタのうち薄膜測定に最適な波長帯域の狭帯域フィルタを選択変更して光路上に挿入する。ステージ駆動部11は、被検体1の画像を取り込むために1軸ステージ2を矢印イ方向に駆動する。
【0059】
しかるに、照明部3から出力された照明光は、シリンドリカルレンズ4及びスリット10を通して入射角θで被検体1に照射される。このとき、被検体1上の薄膜表面で反射する光と被検体1の本体表面で反射する光とにより干渉縞が生じるので、ラインセンサカメラ6は、この干渉縞の明線と暗線との繰り返しパターンを撮像する。
【0060】
そして、被検体1を載置した1軸ステージ2は矢印イ方向に移動するので、ラインセンサカメラ6は、照明された被検体1の直線状の領域をフィルタ部12を通してその干渉縞の結像光を撮像し、その結像光を電気信号である画像信号に変換して1ライン毎にメインコントローラ20の画像取込部7に転送する。これにより、ラインセンサカメラ6からは、最終的に被検体1の全領域を撮像した干渉縞の画像信号を出力するものとなる。
【0061】
画像取込部7は、1軸ステージ2の移動に同期してラインセンサカメラ6から出力された画像信号を取り込んで二次元画像データを構築し、この二次元画像データを画像記憶部21に記憶する。
【0062】
画像処理部27は、画像記憶部21に記憶された被検体1の画像データと予め記憶されているリファレンス画像データとを読み出し、これら被検体1の画像データとリファレンス画像データとを比較し、その差画像データを検出して欠陥抽出部28に送出する。
【0063】
この欠陥抽出部28は、画像処理部27により検出された被検体1の画像データとリファレンス画像データとの差画像データを受け取り、この差画像データから被検体1の表面上の欠陥部分を抽出し、被検体1の表面上の膜ムラなどの欠陥情報(例えば位置、欠陥種類)を取得して記憶部30に記憶する。
【0064】
これと共に欠陥抽出部28は、上記差画像データからから抽出された被検体1の表面上の欠陥部分のうち例えば作業員により指示された欠陥部分Gを含む画像データを読み出し、その画像を図3に示すように表示器31の第1の表示領域Hに表示する。
【0065】
一方、干渉縞演算部24は、薄膜パラメータ入力部22を通して薄膜に関する情報(例えば材質、屈折率、膜厚、反射率など)を受け取り、薄膜の材質や屈折率、膜厚、反射率、照明光の波長に基づいて照明光を照射したときに現われる干渉縞の明線と暗線との繰り返しパターンを演算し、図2に示すように輝度値が膜厚に対して周期的に変化するような画像の輝度値に対する理論的な膜厚データDaを求める。
【0066】
又、この干渉縞演算部24は、フィルタ部12の複数の狭帯域フィルタのうち薄膜測定に必要な波長帯域の狭帯域フィルタを選択変更して光路上に挿入したときの、複数の波長帯域に応じた干渉縞の複数の理論的な膜厚データ、例えば膜厚データDbを求める。これら膜厚データDa、Dbなどは干渉データ記憶部26に記憶される。
【0067】
画像処理部27は、画像記憶部21に記憶されている被検体1の画像データを読み出すと共に干渉データ記憶部26に記憶されている複数の膜厚データDa、Dbなどのうち例えば膜厚データDbを読み出し、これら被検体1の画像データの輝度値と膜厚データDbとの相関をとり、輝度値が膜厚を示す画像データを生成して膜厚計測部29に送出する。
【0068】
この膜厚計測部29は、画像処理部27により生成された輝度値が膜厚を示す画像データを受け取り、この画像データから膜厚計測を行なってその結果を記憶部30に記憶し、かつ表示器31に表示する機能を有している。この表示器31への実際の表示は、例えば図3(〜図6)に示す通り各種行われる。
【0069】
第1の表示機能として、第1の表示領域Hに表示されている欠陥部分Gを含む画像に対し、その画面上で作業員によりラインが指定されると、膜厚計測部29は、ラインの座標を読み取り、このライン指定された欠陥部分Gを含む膜厚値のプロファイルを第2の表示領域Hに表示する。この膜厚値のプロファイルは、欠陥部分Gに相当するところの輝度値がハイレベルになっている。
【0070】
さらに、ライン指定された膜厚値のプロファイルに対して2点、例えばa点とb点とが作業員により指定されると、膜厚計測部29は、これら2点の座標a点(X,Y)とb点(X,Y)とに基づいてそれぞれの各膜厚値DとDとを求め、これら2点間(a点−b点)の膜厚差ΔD=D−Dを求めて表示器31に表示する。このとき表示器31の画面上の右側には、例えばa点の座標(X=1024,Y=512)とその膜厚値50、b点の座標(X=1200,Y=300)とその膜厚値89、膜厚差ΔD=D−D=29が表示されている。
【0071】
第2の表示機能として、図4に示すように第1の表示領域Hに表示されている欠陥部分Gを含む画像に対し、その画面上で作業員により1点Qが指示されると、膜厚計測部29は、1点Qの座標(X,Y)に基づいてその点Qの膜厚値Dを求めて記憶部30に記憶し、かつ表示器31に表示する。
【0072】
第3の表示機能として、図5に示すように第1の表示領域Hに表示されている欠陥部分Gを含む画像に対し、その画面上で作業員により計測する所望の領域Wが指示されると、膜厚計測部29は、その領域W内の膜厚値の少なくとも最大値Dmax、最小値Dmin及び平均値Davを求め、これら最大値Dmax、最小値Dmin及び平均値Davを記憶部30に記憶し、かつ表示器31に表示する。
【0073】
ここで、作業員により指定する領域Wは、図5では四辺形であるが、この四辺形に限らず円形や楕円形、任意の閉曲線により指定してもよい
【0074】
第4の表示機能として、図6に示すように第1の表示領域Hに表示されている欠陥部分Gを含む画像に対し、その画面上で作業員により所望の領域Wが指示されると、膜厚計測部29は、その領域W内の被検体1の表面における膜厚値の度数分布を求め、この度数分布を記憶部30に記憶し、かつ表示器31に表示する。
【0075】
このように上記第1の実施の形態においては、ラインセンサカメラ6の撮像により得られた被検体1の画像データと予め記憶されたリファレンス画像データとに基づいて被検体1の表面上の欠陥部分Gを抽出すると共に、干渉縞演算部24により被検体1に形成された薄膜に関する情報に基づいて薄膜により生じる干渉縞の理論的な複数の膜厚データDa、Dbなどを求め、膜厚計測部29によりラインセンサカメラ6の撮像により得られた被検体1の画像データと干渉縞の理論的な膜厚データDa、Dbなどに基づいて薄膜の膜厚値を計測するので、被検体1の表面上の欠陥部分Gを検出すると共に、その欠陥部分Gの膜厚値を簡単に、かつ同時に効率よく計測できる。
【0076】
特に膜厚値の表示方式としては、例えば表示器31の画面上で作業員により指示され2点間(a点−b点)の膜厚差ΔD=D−D、又は作業員により指示された1点Qの膜厚値D、作業員により指示された領域W内の膜厚値の最大値Dmax、最小値Dmin及び平均値Dav、さらに作業員により指示された領域W内の膜厚値の度数分布が表示できる。
【0077】
別の膜厚値の表示方式の例としては、画像処理部27により生成された輝度値が膜厚を示す画像をそのまま表示器31に表示するようにしてもよい。この場合、画像の輝度値が直接膜厚値を示しているので、汎用の画像解析ソフトウエアによってもラインプロファイル等の表示ができ、上記各種表示方式と共に被検体1の表面に形成された薄膜に対する膜厚解析の幅を広げることができる。
【0078】
従って、上記第1の実施の形態の装置によれば、従来装置の構成に対して小規模な構成の追加で膜厚ムラを計測が可能となり、効率よく欠陥検査を行なうことができる。
【0079】
(2)次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。なお、この第2の実施の形態は、上記第1の実施の形態とほぼその構成が同一であるので、その構成の異なるところを上記図1を用いて説明する。
【0080】
被検体1の表面上に形成された薄膜の厚さに対して波長幅が広くコヒーレンス長の短い光束の照明光を被検体1に照射して当該被検体1の第1の画像データIaを取得し、次に被検体1の表面上に形成された薄膜の厚さに対して波長幅が狭くコヒーレンス長の長い光束の照明光を被検体1に照射して当該被検体1の第2の画像データIbを取得し、これら画像データIa、Ibの間で、
【数1】
Figure 0004632564
【0081】
を演算することで、被検体1の下地、例えば半導体ウエハ表面上に形成されたパターンの影響を消去した画像データIcを生成することが可能であることが知られている。
【0082】
従って、上記図1に示す装置の構成において、フィルタ部12の構成を変更し、このフィルタ部12に被検体1の表面上に形成された薄膜の厚さに対して波長幅が広くコヒーレンス長の短い光束を撮像して第1の画像データIaを取得するための第1の干渉フィルタと、被検体1の表面上に形成された薄膜の厚さに対して波長幅が狭くコヒーレンス長の長い光束を撮像して第2の画像データIbを取得するための第2の干渉フィルタとの組を複数設ける。
【0083】
このような構成において、照明部3から照明光が出力されると、この照明光は、シリンドリカルレンズ4及びスリット10を通して入射角θで被検体1に照射する。このとき、被検体1を載置した1軸ステージ2は矢印イ方向に移動するので、ラインセンサカメラ6は、照明された被検体1の直線状の領域をフィルタ部12の第1の干渉フィルタを通してその結像光を撮像し、その結像光を電気信号である画像信号に変換して1ライン毎にメインコントローラ20の画像取込部7に転送する。これにより、画像取込部7により第1の画像データIaが取得され、画像記憶部21の記憶される。
【0084】
次に、フィルタ部12が第2の干渉フィルタに交換され、このときに上記同様に、ラインセンサカメラ6は、照明された被検体1の直線状の領域をフィルタ部12の第2の干渉フィルタを通してその結像光を撮像し、その結像光を電気信号である画像信号に変換して1ライン毎にメインコントローラ20の画像取込部7に転送する。これにより、画像取込部7により第2の画像データIbが取得される。
【0085】
次に、画像取込部27は、第1と第2の画像データIa、Ibの間で上記式(2)を演算することで、被検体1の下地、例えば半導体ウエハ表面上に形成されたパターンの影響を消去した画像データIcを生成する。そして、この画像取込部27は、画像データIcとリファレンス画像データとの差画像データを求める。
【0086】
以下、上記第1の実施の形態と同様に、欠陥抽出部28は、画像データIcとリファレンス画像データとの差画像データから被検体1の表面上の欠陥部分を抽出し、被検体1の表面上の膜ムラなどの欠陥情報(例えば位置、欠陥種類)を取得し、かつ例えば作業員により指示された欠陥部分Gを含む画像を図3に示すように表示器31の第1の表示領域Hに表示する。
【0087】
又、画像処理部27は、画像記憶部21に記憶されている被検体1の画像データを読み出すと共に干渉データ記憶部26に記憶されている複数の膜厚データDa、Dbなどのうち例えば膜厚データDbを読み出し、これら被検体1の画像データの輝度値と膜厚データDbとの相関をとり、輝度値が膜厚を示す画像データを生成して膜厚計測部29に送出する。
【0088】
この膜厚計測部29は、画像データから膜厚計測を行なってその結果を記憶部30に記憶すると共に表示器31に表示し、かつ例えば表示器31の画面上で作業員により指示された2点間(a点−b点)の膜厚差ΔD=D−D、又は作業員により指示された1点Qの膜厚値D、作業員により指示された領域W内の膜厚値の最大値Dmax、最小値Dmin及び平均値Dav、さらに作業員により指示された領域W内の膜厚値の度数分布を表示する。
【0089】
このように上記第2の実施の形態においては、被検体1の表面上に形成された薄膜の厚さに対して波長幅が広くコヒーレンス長の短い光束の照明光を被検体1に照射して当該被検体1の第1の画像データIaを取得し、次に被検体1の表面上に形成された薄膜の厚さに対して波長幅が狭くコヒーレンス長の長い光束の照明光を被検体1に照射して当該被検体1の第2の画像データIbを取得し、これら画像データIa、Ibの間で上記式(2)を演算することで、被検体1の下地、例えば半導体ウエハ表面上に形成されたパターンの影響を消去した画像データIcを生成するので、被検体1の画像から下地パターンの反射率分布を分離することが可能となり、膜厚ムラだけを検出するのでなく、被検体1の下地として例えば半導体ウエハ表面上に形成されたパターンの影響を消去することができ、上記第1の実施の形態に比べてさらに効率よく欠陥検査を行なうことができる。
【0090】
なお、本発明は、上記第1及び第2の実施の形態に限定されるものでなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。
【0091】
さらに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示されている複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出できる。例えば、実施形態に示されている全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出できる。
【0092】
例えば、上記第1及び第2の実施の形態は、ラインセンサカメラ6の前側にフィルタ部12を配置しているが、このフィルタ部12を照明部3の後側に配置するようにしてもよい。
【0093】
【発明の効果】
以上詳記したように本発明によれば、被検体表面上の欠陥部分を検出すると共にその欠陥部分の膜厚を同時に効率よく計測できる表面欠陥検査装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる表面欠陥検査装置の第1の実施の形態を示す構成図。
【図2】本発明に係わる表面欠陥検査装置の第1の実施の形態における画像の輝度値に対する理論的な膜厚データを示す図。
【図3】本発明に係わる表面欠陥検査装置の第1の実施の形態における表示器への実際の欠陥部分及び膜厚の表示を示す図。
【図4】本発明に係わる表面欠陥検査装置の第1の実施の形態における1点の膜厚値の表示を示す図。
【図5】本発明に係わる表面欠陥検査装置の第1の実施の形態における領域内の膜厚値の最大値、最小値及び平均値の表示を示す図。
【図6】本発明に係わる表面欠陥検査装置の第1の実施の形態における領域内の膜厚値の度数分布の表示を示す図。
【図7】従来の表面欠陥検査装置の光学系の概略構成図。
【符号の説明】
1:被検体
2:1軸ステージ
3:照明部
4:シリンドリカルレンズ
6:ラインセンサカメラ
7:画像取込部
10:スリット
11:ステージ駆動部
12:フィルタ部
13:フィルタ駆動部
20:メインコントローラ
21:画像記憶部
22:薄膜パラメータ入力部
23:キーボード
24:干渉縞演算部
25:駆動制御部
26:干渉データ記憶部
27:画像処理部
28:欠陥抽出部
29:膜厚計測部
30:記憶部
31:表示器
32:操作入力部
33:試料方向合わせ部
34:試料搬送部

Claims (14)

  1. 表面に薄膜が形成された被検体に対して所定の角度から照明光を照射する照明手段と、
    前記照明手段に対し、前記被検体表面の法線を介して対向する位置に配置され、前記被検体及び前記薄膜によって生じる干渉縞を撮像して2次元の画像データを生成する撮像手段と、
    前記薄膜に関する情報を入力する入力手段と、
    前記薄膜に関する情報に基づいて、前記照明手段の照明条件を設定する駆動制御手段と、
    前記薄膜に関する情報に基づいて、前記薄膜により生じる干渉縞の理論的なデータを求める干渉縞演算手段と、
    前記撮像により得られた前記画像データと、予め参照用の干渉縞を撮像して記憶しておいた基準画像データとに基づいて前記被検体表面上の欠陥部分を抽出する欠陥抽出手段と、
    前記画像データと前記干渉縞の理論的なデータとに基づいて前記薄膜の膜厚値を計測する膜厚計測手段と、
    を具備したことを特徴とする表面欠陥検査装置。
  2. 前記膜厚計測手段は、前記撮像により得られた前記画像データの輝度値と前記理論的なデータの相関から、輝度値が膜厚を示す画像データを生成し、該輝度値が膜厚を示す画像データから膜厚を計測することを特徴とする請求項1記載の表面欠陥検査装置。
  3. 前記駆動制御手段は、前記照明条件として、前記被検体表面に対する前記照明光の入射角を可変させることを特徴とする請求項1記載の表面欠陥検査装置。
  4. 前記駆動制御手段は、前記照明条件として、前記照明手段が照射する前記照明光の波長帯域又は前記撮像手段が受光する前記照明光の波長帯域を制限し、薄膜測定に必要な波長帯域に選択変更することを特徴とする請求項1記載の表面欠陥検査装置。
  5. 前記撮像光学系は撮像装置ラインセンサを含み、前記被検体と前記照明光学系及び前記撮像光学系とを前記ラインセンサの長手方向に直交する方向に相対移動させることで前記被検体の2次元画像データを構築することを特徴とする請求項3記載の表面欠陥検査装置。
  6. 前記干渉縞演算手段は、前記照明手段が照射する前記照明光の波長帯域又は前記撮像手段が受光する前記照明光の波長帯域を選択変更したときの、これら波長帯域に応じた前記干渉縞の理論的な前記データを求める機能を有することを特徴とする請求項4記載の表面欠陥検査装置。
  7. 前記干渉縞演算手段は、前記薄膜に関する情報から少なくとも前記薄膜の材質、屈折率、膜厚、反射率、前記照明光の波長に基づいて前記干渉縞の明線と暗線との繰り返しパターンを演算し、画像の輝度値に対する膜厚データを求める機能を有することを特徴とする請求項1記載の表面欠陥検査装置。
  8. 前記欠陥抽出手段は、前記欠陥部分を含む前記被検体表面の画像を表示装置に表示し、かつ前記膜厚計測手段は、前記表示装置の画面上で指定された部分の前記膜厚値を出力する機能を有することを特徴とする請求項1記載の表面欠陥検査装置。
  9. 前記膜厚計測手段は、前記表示装置の画面上でライン状に指定された前記欠陥部分の前記膜厚値のプロファイルを出力する機能を有することを特徴とする請求項3記載の表面欠陥検査装置。
  10. 前記膜厚計測手段は、前記表示装置の画面上でライン状に指定された2点間の膜厚差を出力する機能を有することを特徴とする請求項8記載の表面欠陥検査装置。
  11. 前記膜厚計測手段は、前記表示装置の画面上で指定された領域内の前記膜厚値を出力する機能を有することを特徴とする請求項8記載の表面欠陥検査装置。
  12. 前記膜厚計測手段は、前記表示装置の画面上で指定された領域内の前記膜厚値の少なくとも最大値、最小値又は平均値を出力する機能を有することを特徴とする請求項8記載の表面欠陥検査装置。
  13. 前記膜厚計測手段は、前記被検体表面における前記膜厚値の度数分布を求める機能を有することを特徴とする請求項1記載の表面欠陥検査装置。
  14. 前記画像データは、前記被検体の表面に形成された前記薄膜の厚さに対して波長幅が広くかつコヒーレンス長が短い光束を撮像して取得された第1の画像データと前記薄膜の厚さに対して波長幅が狭くかつコヒーレンス長が長い光束を撮像して取得された第2の画像データとの間で演算処理して前記被検体の下地の影響を除去したものとして生成することを特徴とする請求項1記載の表面欠陥検査装置。
JP2001065456A 2001-03-08 2001-03-08 表面欠陥検査装置 Expired - Fee Related JP4632564B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001065456A JP4632564B2 (ja) 2001-03-08 2001-03-08 表面欠陥検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001065456A JP4632564B2 (ja) 2001-03-08 2001-03-08 表面欠陥検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002267416A JP2002267416A (ja) 2002-09-18
JP4632564B2 true JP4632564B2 (ja) 2011-02-16

Family

ID=18924103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001065456A Expired - Fee Related JP4632564B2 (ja) 2001-03-08 2001-03-08 表面欠陥検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4632564B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101823101B1 (ko) * 2016-11-15 2018-01-29 주식회사 인스풀 광학 검사 장치

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006275704A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Toppan Printing Co Ltd 膜厚ムラ検出方法
JP4883762B2 (ja) * 2005-03-31 2012-02-22 大日本スクリーン製造株式会社 ムラ検査装置およびムラ検査方法
JP4618720B2 (ja) * 2005-04-08 2011-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 ムラ検査装置およびムラ検査方法
JP2006284211A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ムラ検査装置およびムラ検査方法
JP4799268B2 (ja) * 2005-07-29 2011-10-26 大日本スクリーン製造株式会社 ムラ検査装置およびムラ検査方法
JP4523516B2 (ja) * 2005-08-08 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 塗布膜のむら検出方法、塗布膜のむら検出用プログラム、基板処理方法および基板処理装置
JP5030604B2 (ja) * 2007-01-29 2012-09-19 セイコーインスツル株式会社 ウェハ外観検査装置
US7852459B2 (en) 2007-02-02 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP2009288005A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Asml Netherlands Bv 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法
CN101441174B (zh) * 2008-12-17 2010-08-25 宁波大学 一种测量介质热光系数和热膨胀系数的装置及方法
JP5212724B2 (ja) * 2009-01-27 2013-06-19 国際技術開発株式会社 高さ測定装置
JP2010175283A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Kokusai Gijutsu Kaihatsu Co Ltd 面画像生成装置
JP2010216974A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ムラ検査装置、ムラ検査方法、およびプログラム
KR101173953B1 (ko) 2010-08-16 2012-08-14 (주)소닉스 빛을 이용한 대상물 검사장치 및 방법, 그 검사 장치용 플래이트
JP2012189544A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Toray Eng Co Ltd 膜厚むら検査装置及び方法
CN106123783A (zh) * 2016-06-20 2016-11-16 余洪山 一种透明对象侧面缺陷检测系统及方法
JP7296257B2 (ja) * 2019-06-10 2023-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板検査システム、基板検査方法、及び記憶媒体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60249007A (ja) * 1984-05-24 1985-12-09 Victor Co Of Japan Ltd 膜厚測定装置
JPH06235615A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Shimadzu Corp 膜厚測定装置
JPH07333164A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Hitachi Ltd 検査方法および検査装置
JPH09133517A (ja) * 1995-09-06 1997-05-20 Seiko Epson Corp 分布測定装置
JPH10213552A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Olympus Optical Co Ltd 表面欠陥検査方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60249007A (ja) * 1984-05-24 1985-12-09 Victor Co Of Japan Ltd 膜厚測定装置
JPH06235615A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Shimadzu Corp 膜厚測定装置
JPH07333164A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Hitachi Ltd 検査方法および検査装置
JPH09133517A (ja) * 1995-09-06 1997-05-20 Seiko Epson Corp 分布測定装置
JPH10213552A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Olympus Optical Co Ltd 表面欠陥検査方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101823101B1 (ko) * 2016-11-15 2018-01-29 주식회사 인스풀 광학 검사 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002267416A (ja) 2002-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4632564B2 (ja) 表面欠陥検査装置
TW461963B (en) Data processing system for defect inspection
JP4468696B2 (ja) 半導体ウエハ検査装置
KR100789563B1 (ko) 피막 검사 장치, 검사 시스템, 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록매체, 피막 검사 방법 및 프린트 회로 기판 검사 방법
JP2007327836A (ja) 外観検査装置及び方法
JP2007107945A (ja) 基板検査装置
JP2004012301A (ja) パターン欠陥検出方法およびその装置
JPWO2009133849A1 (ja) 検査装置
US8223328B2 (en) Surface inspecting apparatus and surface inspecting method
JP2001165632A (ja) 検査装置及び検査方法
JP2007184529A (ja) 半導体ウエハの検査装置
JP3223483B2 (ja) 欠陥検査方法とその装置
JP2000002514A (ja) 膜厚測定装置及びアライメントセンサ並びにアライメント装置
JP2005274156A (ja) 欠陥検査装置
JP2647051B2 (ja) 外観検査装置
JP3135063B2 (ja) 比較検査方法および装置
JP3736361B2 (ja) 異物特定方法、異物特定装置、および発塵源特定方法
JP7136064B2 (ja) 被検査体の表面検査装置および被検査体の表面検査方法
JP4162319B2 (ja) 欠陥検査装置
JP3415943B2 (ja) 欠陥種別判定装置及びプロセス管理システム
JP3865156B2 (ja) 画像比較装置およびこれを用いたウエハ検査装置とウエハ検査システム
JPH10213552A (ja) 表面欠陥検査方法
JP3316829B2 (ja) 比較検査方法とその装置
KR100710703B1 (ko) 반도체 리드프레임 도금 선폭 측정 검사장치 및 그 방법
JPH11264800A (ja) 検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101012

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101102

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101116

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees