JP4631293B2 - 半導体ウエーハの研磨装置及び研磨方法 - Google Patents
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Description
ボックスの交換時間のロスを小さくするため、例えば、自動搬送装置を増やしたり、複数のローダ部を設けることなどが考えられるが、装置の大型化や設備(装置)コストの上昇を招いてしまう。
近年、両面研磨装置が多く用いられるようになっており、前記のようにローダ部に一時保管用ボックスを設置した両面研磨装置とすることで、より効率的にウエーハの研磨を行うことができるとともに自動化にも資するものとなる。
このように、一時保管用ボックスとウエーハが収容されたボックスとが同じ円周上に配置されるものであれば、中心の搬送ロボットによるハンドリングが容易となり、一時保管用ボックスへのウエーハの移送を容易にかつ迅速に行うことができるとともに、装置の小型化にも資する。
本発明に係る一時保管用ボックスを設置した両面研磨装置を用いれば、近年要求されるウエーハの両面研磨をより効率的に行うことができる。
このように、一時保管用ボックスとウエーハが収容されたボックスとを同じ円周上に配置すれば、中心の搬送ロボットによるハンドリングが容易となり、一時保管用ボックスへのウエーハの移送を容易にかつ迅速に行うことができる。
本発明者は、半導体ウエーハの研磨作業の自動化を図るにあたり、ローダ部のボックスが空になった後、これを回収して次のボックスを配置するまでの間に待ち時間が生じ、すなわちローダ部が律速段階となって稼動率を低下させることに着目した。このような待ち時間を少なくする、あるいは無くすため、例えば、1つの研磨装置に複数のローディングステーションを設け、ウエーハを収容したボックスを2つ以上配置することが考えられる。しかし、この場合、装置が大型化し、各ボックスの蓋をあけるためのオープナーも2つ必要となり、ボックスの搬送装置、ウエーハの搬送装置等も全て2つ以上に対応するものとする必要が生じて、著しくコストが上昇してしまう。
この両面研磨装置1には、研磨装置本体(研磨部)2と、ローディングステーション(ローダ部)10と、アンローダ部16等が設けられている。研磨装置本体2は、偏心アーム7、キャリアホルダ3等を有する揺動式のものであり、キャリア4には5つのウエーハ保持孔5とスラリー通過孔6が設けられている。ローダ部10には研磨前のシリコンウエーハWを収容したボックス11(以下、「収容ボックス」と呼ぶ場合がある。)が配置され、アンローダ部16には研磨後のウエーハを回収する回収容器(水槽)17が配置される。
また、図示されていないが、両面研磨装置として必要な上下の定盤、研磨布、スラリー供給手段等も設けられている。
5…保持孔、 6…スラリー通過孔、 7…偏心アーム、 8…関節部、
9…ウエーハ保持手段、 10…ローダ部、 11…ウエーハ収容ボックス、
12…一時保管用ボックス(バッファー)、 13…搬送ロボット、
14…ボックス自動搬送装置、 15…センタリングステージ、
16…アンローダ部、 17…回収容器(水槽)、 18…自動搬送装置、
19…フレーム、 W…ウエーハ。
Claims (4)
- 少なくともローダ部と、1つの搬送ロボットと、研磨部と、アンローダ部とを有し、ローダ部に配置されるボックス内に収容された半導体ウエーハを、前記搬送ロボットが前記研磨部に搬送し、該研磨部で研磨した後、前記アンローダ部にウエーハを搬送する研磨装置において、前記ローダ部に、該ローダ部に配置したボックス内から研磨前のウエーハを移送して一時的に保管する一時保管用ボックスが設置されており、かつ前記一時保管用ボックスと前記ウエーハが収容されたボックスが、前記搬送ロボットを中心とする同じ円周上に配置されることを特徴とする半導体ウエーハの研磨装置。
- 前記研磨装置が、両面研磨装置であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハの研磨装置。
- ボックス内に収容された半導体ウエーハを、1つの搬送手段により研磨装置に搬送して研磨を行う方法において、ローダ部に研磨前のウエーハを一時的に保管する一時保管用ボックスを予め設置しておき、前記研磨するウエーハが収容されたボックスを前記ローダ部に配置し、該ボックス内の一部のウエーハを研磨装置に搬送して研磨を開始し、該ウエーハの研磨中に前記ボックス内に残っている全てのウエーハを前記一時保管用ボックスに移送し、空になったボックスを新たなウエーハが収容された次のボックスに交換するとともに、前記ウエーハの研磨が終了したら、前記一時保管用ボックスに移送されたウエーハを前記研磨装置に搬送して次の研磨を行い、前記一時保管用ボックスと前記ウエーハが収容されたボックスを、前記搬送手段を中心とする同じ円周上に配置することを特徴とする半導体ウエーハの研磨方法。
- 前記研磨装置として、両面研磨装置を用いることを特徴とする請求項3に記載の半導体ウエーハの研磨方法。
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