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JP4655150B2 - プラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置 - Google Patents

プラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置 Download PDF

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Description

本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置に関する。
プラズマディスプレイパネル(以下、「パネル」と略記する)として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、1対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で5%のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極との対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色(R)、緑色(G)および青色(B)の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法、すなわち、1フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般的である。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有し、初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成する。書込み期間では、表示を行うべき放電セルにおいて選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
また、サブフィールド法の中でも、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行い、さらに維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させた駆動方法が開示されている。
具体的には、複数のサブフィールドのうち、1つのサブフィールドの初期化期間において全ての放電セルを放電させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルのみ初期化する選択初期化動作を行う。その結果、表示に関係のない発光は全セル初期化動作の放電に伴う発光のみとなりコントラストの高い画像表示が可能となる(例えば、特許文献1参照)。
このように駆動することによって、画像の表示に関係のない発光に依存して変化する黒表示領域の輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、コントラストの高い画像表示が可能となる。
しかしながら、近年、パネルは高精細度化されるとともにますます大画面化され、そのため書込み放電が不安定となって表示を行うべき放電セルで書込み放電が発生せず画像表示品質を劣化させる、あるいは書込み放電を安定に発生させるために必要な電圧が高くなる。
特開2000−242224号公報
本発明は、大画面・高輝度パネルであっても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させ、画像表示品質のよいパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供する。
本発明は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルの駆動方法であって、緩やかに下降する傾斜波形電圧を走査電極に印加する初期化期間と、走査パルス電圧を走査電極に印加して放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、輝度重みに応じた回数の維持パルス電圧を表示電極対に交互に印加して選択した放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有するサブフィールドを1フィールド期間内に複数設けるステップと、初期化期間において下降する傾斜波形電圧が最も低い電圧に到達した後、その電圧を所定の期間維持するステップとを備える。
これにより、下降する傾斜波形電圧の最も低い電圧の電圧調整を容易に行えるようにするとともに、大画面・高輝度パネルであっても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
また、本発明のパネルの駆動方法では、輝度重みが最も小さいサブフィールドにおける下降する傾斜波形電圧の最も低い電圧は、輝度重みが最も大きいサブフィールドにおける下降する傾斜波形電圧の最も低い電圧よりも低くなるように構成するとともに、輝度重みが最も小さいサブフィールドの初期化期間において下降する傾斜波形電圧が最も低い電圧に到達した後、その電圧を所定の期間維持することが望ましい。
また、本発明のパネルの駆動方法では、1フィールド期間内に、初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生させた放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとを備え、輝度重みが最も小さいサブフィールドを全セル初期化サブフィールドとし、輝度重みが最も大きいサブフィールドを選択初期化サブフィールドとすることが望ましい。
また、本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルと、緩やかに下降する傾斜波形電圧を走査電極に印加する初期化期間と、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、輝度重みに応じた回数の維持パルス電圧を表示電極対に交互に印加して選択した放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有するサブフィールドを1フィールド期間内に複数設けてパネルを駆動する駆動回路とを備え、駆動回路は、初期化期間において下降する傾斜波形電圧が最も低い電圧に到達した後、その電圧を所定の期間維持するように構成したことを特徴とする。
これにより、下降する傾斜波形電圧の最も低い電圧の電圧調整を容易に行えるようにするとともに、大画面・高輝度パネルであっても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
また、本発明のプラズマディスプレイ装置では、駆動回路は、輝度重みが最も小さいサブフィールドにおける下降する傾斜波形電圧の最も低い電圧を輝度重みが最も大きいサブフィールドにおける下降する傾斜波形電圧の最も低い電圧よりも低くするように構成するとともに、輝度重みが最も小さいサブフィールドの初期化期間において下降する傾斜波形電圧が最も低い電圧に到達した後、その電圧を所定の期間維持することが望ましい。
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるパネル10の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板21上には、走査電極22と維持電極23とからなる表示電極対28が複数形成されている。そして走査電極22と維持電極23とを覆うように誘電体層24が形成され、その誘電体層24上に保護層25が形成されている。背面板31上にはデータ電極32が複数形成され、データ電極32を覆うように誘電体層33が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁34が形成されている。そして、隔壁34の側面および誘電体層33上には赤色(R)、緑色(G)および青色(B)の各色に発光する蛍光体層35が設けられている。
これら前面板21と背面板31とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対28とデータ電極32とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。本実施の形態1においては、輝度向上のためにキセノン分圧を10%とした放電ガスが用いられている。放電空間は隔壁34によって複数の区画に仕切られており、表示電極対28とデータ電極32とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
なお、パネルの構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
図2は、本発明の実施の形態1におけるパネル10の電極配列図である。パネル10には、行方向に長いn本の走査電極SC1〜SCn(図1の走査電極22)およびn本の維持電極SU1〜SUn(図1の維持電極23)が配列され、列方向に長いm本のデータ電極D1〜Dm(図1のデータ電極32)が配列されている。そして、1対の走査電極SCi(i=1〜n)および維持電極SUi(i=1〜n)と1つのデータ電極Dj(j=1〜m)とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にm×n個形成されている。なお、図1、図2に示したように、走査電極SCiと維持電極SUiとは互いに平行に対をなして形成されているために、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとの間に大きな電極間容量Cpが存在する。
図3は、本発明の実施の形態1におけるプラズマディスプレイ装置1の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置1は、パネル10、画像信号処理回路51、データ電極駆動回路52、走査電極駆動回路53、維持電極駆動回路54、タイミング発生回路55および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路(図示せず)を備えている。
画像信号処理回路51は、入力された画像信号sigをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路52はサブフィールド毎の画像データを各データ電極D1〜Dmに対応する信号に変換し各データ電極D1〜Dmを駆動する。
タイミング発生回路55は、水平同期信号Hおよび垂直同期信号Vをもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。走査電極駆動回路53は、維持期間において走査電極SC1〜SCnに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路100を有し、タイミング信号にもとづいて各走査電極SC1〜SCnをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路54は、初期化期間において維持電極SU1〜SUnに電圧Ve1を印加する回路と、維持期間において維持電極SU1〜SUnに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路200とを有し、タイミング信号にもとづいて維持電極SU1〜SUnを駆動する。
次に、パネル10を駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。プラズマディスプレイ装置1は、サブフィールド法、すなわち1フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。このときの初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作(以下、「全セル初期化動作」と略記する)と、維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作(以下、「選択初期化動作」と略記する)とがある。書込み期間では、発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、輝度重みに比例した数の維持パルスを表示電極対に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。このときの比例定数を輝度倍率と呼ぶ。なお、サブフィールド構成の詳細については後述することとし、ここではサブフィールドにおける駆動電圧波形とその動作について説明する。
図4は、本発明の実施の形態1におけるパネル10の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図4には、全セル初期化動作を行うサブフィールドと選択初期化動作を行うサブフィールドとを示している。
まず、全セル初期化動作を行うサブフィールドについて説明する。
初期化期間前半部では、データ電極D1〜Dm、維持電極SU1〜SUnにそれぞれ電圧0Vを印加し、走査電極SC1〜SCnには、維持電極SU1〜SUnに対して放電開始電圧以下の電圧Vi1から、放電開始電圧を超える電圧Vi2に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧(以下、「上りランプ波形電圧」と呼称する)を印加する。この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUn、データ電極D1〜Dmとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極SC1〜SCn上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極D1〜Dm上部および維持電極SU1〜SUn上部には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上部の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
初期化期間後半部では、維持電極SU1〜SUnに正の電圧Ve1を印加し、走査電極SC1〜SCnには、維持電極SU1〜SUnに対して放電開始電圧以下となる電圧Vi3から放電開始電圧を超える電圧Vi4に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧(以下、「下りランプ波形電圧」と呼称する)を印加する(以下、走査電極SC1〜SCnに印加する下りランプ波形電圧の最小値を「初期化電圧Vi4」として引用する)。この間に、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUn、データ電極D1〜Dmとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極SC1〜SCn上部の負の壁電圧および維持電極SU1〜SUn上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極D1〜Dm上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
ここで、下りランプ波形電圧を走査電極SC1〜SCnに印加することによって発生する初期化放電はデータ電極D1〜Dm上部の壁電圧を弱める働きを有する。したがって、下りランプ波形電圧の最も低い初期化電圧Vi4の電圧値に応じてデータ電極D1〜Dm上部の壁電圧は変化し、初期化電圧Vi4の電圧値を上げると壁電圧を弱める働きが弱まってデータ電極D1〜Dm上部の壁電圧は高くなり、初期化電圧Vi4の電圧値を下げると壁電圧を弱める働きが強まってデータ電極D1〜Dm上部の壁電圧は低くなる。そして、本実施の形態1においては、輝度重みに応じてこの初期化電圧Vi4の電圧値を2つの異なる電圧値で切換える構成としている。以下、電圧値の高い方をVi4Hと記し、電圧値の低い方をVi4Lと記す。なお、この動作の詳細については後述する。
続く書込み期間では、維持電極SU1〜SUnに電圧Ve2を、走査電極SC1〜SCnに電圧Vcを印加する。
次に、1行目の走査電極SC1に負の走査パルス電圧Vaを印加するとともに、データ電極D1〜Dmのうち1行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Dk(k=1〜m)に正の書込みパルス電圧Vdを印加する。このときデータ電極Dk上と走査電極SC1上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差(Vd−Va)にデータ電極Dk上の壁電圧と走査電極SC1上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Dkと走査電極SC1との間および維持電極SU1と走査電極SC1との間に書込み放電が起こり、走査電極SC1上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極SU1上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Dk上にも負の壁電圧が蓄積される。
このようにして、1行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Vdを印加しなかったデータ電極D1〜Dmと走査電極SC1との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作を走査電極SCnのn行目の放電セルにいたるまで行い、書込み期間が終了する。
続く維持期間では、消費電力を削減するために電力回収回路を用いて駆動を行っている。まず走査電極SC1〜SCnに正の維持パルス電圧Vsを印加するとともに維持電極SU1〜SUnに電圧0Vを印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極SCi上と維持電極SUi上との電圧差が維持パルス電圧Vsに走査電極SCi上の壁電圧と維持電極SUi上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、走査電極SCiと維持電極SUiとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層35が発光する。そして走査電極SCi上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極SUi上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Dk上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
続いて、走査電極SC1〜SCnには電圧0Vを、維持電極SU1〜SUnには維持パルス電圧Vsをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極SUi上と走査電極SCi上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極SUiと走査電極SCiとの間に維持放電が起こり、維持電極SUi上に負の壁電圧が蓄積され走査電極SCi上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
そして、維持期間の最後には走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとの間にいわゆる細幅パルス状の電圧差を与えて、データ電極Dk上の正の壁電圧を残したまま、走査電極SCiおよび維持電極SUi上の壁電圧を消去している。具体的には、維持電極SU1〜SUnを一旦電圧0Vに戻した後、走査電極SC1〜SCnに維持パルス電圧Vsを印加する。すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極SUiと走査電極SCiとの間で維持放電が起こる。そしてこの放電が収束する前、すなわち放電で発生した荷電粒子が放電空間内に十分残留している間に維持電極SU1〜SUnに電圧Ve1を印加する。これにより維持電極SUiと走査電極SCiとの間の電圧差が(Vs−Ve1)の程度まで弱まる。すると、データ電極Dk上の正の壁電荷を残したまま、走査電極SC1〜SCn上と維持電極SU1〜SUn上との間の壁電圧はそれぞれの電極に印加した電圧の差(Vs−Ve1)の程度まで弱められる。以下、この放電を「消去放電」と呼ぶ。
このように、最後の維持放電、すなわち消去放電を発生させるための電圧Vsを走査電極SC1〜SCnに印加した後、所定の時間間隔(以下、「消去位相差Th1」と呼称する)の後、表示電極対の電極間の電位差を緩和するための電圧Ve1を維持電極SU1〜SUnに印加する。こうして維持期間における維持動作が終了する。
次に、選択初期化動作を行うサブフィールドの動作について説明する。
選択初期化動作を行う初期化期間では、維持電極SU1〜SUnに電圧Ve1を、データ電極D1〜Dmに電圧0Vをそれぞれ印加し、走査電極SC1〜SCnに電圧Vi3’から電圧Vi4に向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を印加する。すると前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極SCi上および維持電極SUi上の壁電圧が弱められる。またデータ電極Dkに対しては、直前の維持放電によってデータ電極Dk上に十分な正の壁電圧が蓄積されているので、この壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように選択初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う動作である。
ここでも、下りランプ波形電圧を走査電極SC1〜SCnに印加することによって発生する初期化放電はデータ電極D1〜Dm上部の壁電圧を弱める働きを有する。したがって、下りランプ波形電圧の最も低い初期化電圧Vi4の電圧値に応じてデータ電極D1〜Dm上部の壁電圧は変化し、初期化電圧Vi4の電圧値を上げると壁電圧を弱める働きが弱まってデータ電極D1〜Dm上部の壁電圧は高くなり、初期化電圧Vi4の電圧値を下げると壁電圧を弱める働きが強まってデータ電極D1〜Dm上部の壁電圧は低くなる。そして、本実施の形態1においては、全セル初期化動作における下りランプ波形電圧と同様に、輝度重みに応じてこの初期化電圧Vi4の電圧値を2つの異なる電圧値、すなわち電圧値の高い方のVi4Hと電圧値の低い方のVi4Lとで切換える構成としている。
続く書込み期間の動作は全セル初期化動作を行うサブフィールドの書込み期間の動作と同様であるため説明を省略する。続く維持期間の動作も維持パルスの数を除いて同様である。
次に、サブフィールド構成について説明する。図5は、本発明の実施の形態1におけるサブフィールド構成を示す図である。図5はサブフィールド法における1フィールド間の駆動波形を略式に記したもので、それぞれのサブフィールドの駆動波形は図4の駆動波形と同等なものである。
本実施の形態1においては、1フィールドを10のサブフィールド(第1SF、第2SF、・・・、第10SF)に分割し、各サブフィールドはそれぞれ、例えば(1、2、3、6、11、18、30、44、60、80)の輝度重みを持つ。
また各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスが表示電極対のそれぞれに印加される。
そして、本実施の形態1では、第1SFの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第2SF〜第10SFの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。
しかし、本発明はサブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
ここで、本実施の形態1においては、輝度重みの最も小さいサブフィールドにおける下りランプ波形電圧の最も低い電圧を、輝度重みの最も大きいサブフィールドにおける下りランプ波形電圧の最も低い電圧よりも低くなるように設定することで、安定した書込み放電を実現している。
具体的には、図5に示すように、輝度重みの最も小さい第1SFおよびその次に輝度重みの小さい第2SFにおける下りランプ波形電圧の初期化電圧Vi4をVi4Lとし、それ以外の第3SF〜第10SFにおける下りランプ波形電圧の初期化電圧Vi4をVi4Lよりも高いVi4Hとしている。次に、その理由について説明する。
以下、書込み放電について説明するが、書込み放電はデータ電極32と走査電極22との間の放電がきっかけとなり発生するので、ここではデータ電極32と走査電極22との間の放電を中心に説明する。
図6は、本発明の実施の形態1におけるデータ電極32および走査電極22に印加する駆動電圧波形と、データ電極32と走査電極22との間の電位差、すなわち(データ電極に印加する駆動電圧波形)−(走査電極に印加する駆動電圧波形)を示した図である。なお、ここでは、初期化電圧Vi4を電圧値Vi4Hとし、負の走査パルス電圧Vaの振幅である(Vc−Va)は、正の電圧Vcからみた負の電圧Vi4Hの大きさである電圧値(Vc−Vi4H)よりも電圧値Vset2だけ大きい電圧、すなわち
(Vc−Va)=(Vc−Vi4H)+Vset2
つまり、
Va=Vi4H−Vset2
として説明する。なお、以下では、走査パルス電圧の振幅(Vc−Va)をVscnと略記する。
初期化放電が終わった直後の時刻tAにおいて、データ電極32に印加されている電圧は0V、走査電極22に印加されている電圧はVi4Hである。したがって、データ電極32と走査電極22との間の電位差は(−Vi4H)に等しい。そして、この電位差に壁電圧が加算された電圧は放電開始電圧にほぼ等しい。これは、時刻tAにいたるまでの初期化期間においてデータ電極32と走査電極22との間で弱い初期化放電が発生していたことからも明らかである。したがって、データ電極32と走査電極22との間の電位差(−Vi4H)は放電を開始するかしないかのぎりぎりの電位差(以下、この電位差を「放電最低電圧」と記す)にある。
一方、書込み放電を発生させる時刻tBでは、走査電極22には負の走査パルス電圧Vaが、データ電極32には書込みパルス電圧Vdが印加されているので、データ電極32と走査電極22との間には、(Vd−Va)、すなわち(Vd−Vi4H+Vset2)の電位差が印加されている。この電位差は、放電最低電圧(−Vi4H)よりも(Vd+Vset2)高い電位差であるため、放電セルでは書込み放電が発生する。
しかしながら、この書込み放電を安定した放電にするためには、データ電極32と走査電極22との間の電位差が、放電最低電圧(−Vi4H)よりも所定の電位差(以下、この電位差を「放電安定電圧」と記す)VAだけ高い電圧を超えなければならない。すなわち、
Vd−Vi4H+Vset2>−Vi4H+VA
つまり書込みパルス電圧Vdは
Vd>VA−Vset2・・・(式1)
でなければならない。
また、走査電極22に負の走査パルス電圧Vaが印加されていない状態、例えば時刻tCでは、走査電極22には電圧Vcが、データ電極32には書込みパルス電圧Vdが印加されているので、データ電極32と走査電極22との間の電位差は(Vd−Vc)となる。そして、このとき不要な放電が発生しないようにデータ電極32と走査電極22との間の電位差は放電最低電圧(−Vi4H)よりも低くなければならない。すなわち、
Vd−Vc<−Vi4H
しかし、放電セルが放電を開始するかしないかのぎりぎりの電圧状態であれば、プライミングの影響等で壁電荷が減少し、見かけ上の暗電流が流れて壁電圧が減少することがある。特に、発光を生じさせる放電セルの全放電セルに対する割合(以下、「点灯率」と記す)が高いとデータ電極32に書込みパルス電圧Vdが印加される時間が長くなるので、暗電流の流れる時間も長くなる。したがって、この壁電荷の減少を抑制するためには、暗電流そのものを小さくする必要がある。そのために、データ電極32に書込みパルス電圧Vdが印加されても、データ電極32と走査電極22との間の電位差が放電最低電圧(−Vi4H)よりもさらに所定の電圧(以下、この電圧を「未放電電圧」と記す)VBだけ低い電圧でなければならない。すなわち、
Vd−Vc<−Vi4H−VB
よって、
Vd−Vc<−(Va+Vset2)−VB
つまり、
Vscn>Vset2+VB+Vd・・・(式2)
でなければならない。
すなわち、これら2つの条件、
Vd>VA−Vset2 (式1)
Vscn>Vd+Vset2+VB (式2)
を満たさなければならない。したがって、書込みパルス電圧の振幅Vdを小さくするためにはVset2をある程度大きく設定することが有利である。ただし、走査パルス電圧Vaが走査電極22に印加され、データ電極32に書込みパルス電圧Vdが印加されない場合に書込み放電が発生しない程度でなければならない。
上述の説明では、1つのサブフィールドの書込み期間についての説明であるが、次に、複数のサブフィールドがあり、各サブフィールドで放電のしやすさが異なる場合について説明する。
ここでは、説明を簡単にするために、第1SFと第2SFとの2つのサブフィールドがある場合を例にして説明を進める。
図7は、本発明の実施の形態1における第1SFが第2SFより放電しやすい場合のデータ電極32および走査電極22に印加される駆動電圧波形と、データ電極32と走査電極22との間の電位差の一例を示した図である。
この場合には、各サブフィールド毎に上記の1つの条件を満たさなければならない。すなわち第1SFに対して、
Vd(1)>VA(1)−Vset2(1) (式3)
Vscn(1)>Vd(1)+Vset2(1)+VB(1) (式4)
第2SFに対して、
Vd(2)>VA(2)−Vset2(2) (式5)
Vscn(2)>Vd(2)+Vset2(2)+VB(2) (式6)
図7に示すように、第1SFは第2SFよりも放電しやすいため、第1SFで安定した書込み放電を発生させるために必要な放電安定電圧VA(1)は第2SFにおける放電安定電圧VA(2)よりも小さくなり、第1SFの未放電電圧VB(1)は第2SFの未放電電圧VB(2)よりも大きくなる。
このように、
VA(1)<VA(2)、VB(1)>VB(2)
となるので、第1SFにおける書込みパルス電圧Vd(1)は第2SFにおける書込みパルス電圧Vd(2)よりも低く設定することができる。しかし、回路構成上、書込みパルス電圧Vdをサブフィールド毎に変更することは難しく、これを実現するためには回路構成が複雑になって現実的ではないので、書込みパルス電圧Vdとしては、高い方の書込みパルス電圧Vd(2)に設定することになる。
すると、(式4)においてVd(1)の代わりにVd(2)が代入されるので(式4)を満たさなくなる可能性がある。そこで、このような場合に(式4)を満足させるためには、例えば、図8に示すように、電圧Vcを(Vd(2)−Vd(1))だけ高くしたVc(1)にしてもよい。
図8は、本発明の実施の形態1における第1SFが第2SFより放電しやすい場合のデータ電極32および走査電極22に印加される駆動電圧波形と、データ電極32と走査電極22との間の電圧変化の一例を示した図である。この場合には走査パルス電圧の振幅Vscnが(Vc(1)−Va)となって大きくなるので、駆動電力が増加し、また駆動回路に用いる部品の耐電圧を向上させる等のコストアップにつながる場合がある。
そこで、第1SFにおけるVset2(1)を小さく設定して、初期化電圧Vi4を電圧Vi4Lになるようにする。こうすると、走査電極22の電位Vcを変えることなく、書込みパルス電圧Vdを小さく設定することが可能となる。
図9は、本発明の実施の形態1における第1SFが第2SFより放電しやすい場合のデータ電極32および走査電極22に印加される駆動電圧波形と、データ電極32と走査電極22との間の電圧変化のさらに他の例を示した図である。
ここでは、
VA(1)<VA(2)
Vset2(1)<Vset2(2)
である。そこで、
VA(2)−VA(1)=Vset2(2)−Vset2(1) (式7)
となるようにVset2(1)を設定すると、
Vd(1)>VA(1)−Vset2(1) (式3)
Vd(2)>VA(2)−Vset2(2) (式5)
より、Vd(1)=Vd(2)とすることができる。
また、ここでは
VB(1)>VB(2)
Vset2(1)<Vset2(2)
である。そこで、
VB(1)−VB(2)=Vset2(2)−Vset2(1) (式8)
となるようにVset2(1)を設定すると、
Vscn(1)>Vd(1)+Vset2(1)+VB(1) (式4)
Vscn(2)>Vd(2)+Vset2(2)+VB(2) (式6)
より、Vscn(1)=Vscn(2)とすることができ、図9に示すように、書込みパルス電圧の振幅Vd、走査パルス電圧の振幅Vscnをともに小さくすることができる。
もちろん、必ずしも(式7)と(式8)とが同時に成り立つとは限らないが、第1SF、第2SFともに時刻tBにおいてデータ電極32−走査電極22間の電圧は放電安定電圧VA(1)、VA(2)を超えて安定した書込み放電を発生し、時刻tCにおいてデータ電極32−走査電極22間の電圧は未放電電圧VB(1)、VB(2)を下回り、不要な放電を発生することはない。
あるいは書込みパルス電圧Vdや走査パルス電圧Vaの電圧設定を変えない場合には駆動マージンが増加して書込み放電をさらに安定させることができる。
つまり、サブフィールド毎に放電のしやすさに差があると、書込みパルス電圧Vd、走査パルス電圧の振幅Vscnが最も高くなるサブフィールドの値に設定する必要があるため、書込みパルス電圧Vd、走査パルス電圧の振幅Vscnをその分高く設定しなければならなくなるが、上述したとおり放電の発生しやすさに応じてVset2の電圧を調整して、各サブフィールドの放電しやすさをそろえることで、実際に印加する書込みパルス電圧Vd、走査パルス電圧の振幅Vscnをそれぞれ最小に設定することができる。
本実施の形態1では、第1SFが全セル初期化サブフィールドであり第1SFの書込み期間には十分なプライミングが供給されるので、第1SFは最も放電の発生しやすいサブフィールドであると考えられる。したがって、上述した理由により、このようなサブフィールドではVset2を小さく設定することで書込みパルス電圧Vd、走査パルス電圧Vaを低く設定することができると考えられる。
そこで、本実施の形態1では、サブフィールドの輝度重みに応じてVset2を切換えることで、初期化電圧Vi4を、Vi4LとVi4Lよりも高いVi4Hとで切換える構成とし、安定した書込みを実現する。すなわち、輝度重みの小さいサブフィールド(本実施の形態1では、第1SFと第2SF)では図9に示すようにVset2を電圧0Vにすることで初期化電圧Vi4の電圧を低くして下りランプ波形電圧を深い波形にし、初期化放電の放電期間を長くする。これにより、データ電極D1〜Dm上部の壁電圧を弱める働きを強めて壁電圧を低くし、選択されていない行の放電セルの壁電荷が奪われることを低減して、安定した書込み動作が行われるようにする。また、輝度重みの大きいサブフィールド(本実施の形態1では、第3SF〜第10SF)では、図8に示すようにVset2を所定の電圧(本実施の形態1では10V)にすることで初期化電圧Vi4の電圧を高くして下りランプ波形電圧を浅い波形にし、初期化放電の放電期間を短くする。これにより、データ電極D1〜Dm上部の壁電荷の残留量を増やして壁電圧を高くし、放電開始電圧に対する書込みパルス電圧Vdの相対値を高めて安定した書込み放電を発生させる。
次に、本実施の形態1において、初期化電圧Vi4の電圧をVi4Lとするサブフィールドを第1SF、第2SFとし、初期化電圧Vi4の電圧をVi4Hとするサブフィールドを第3SF〜第10SFとした理由について説明する。
本発明者は、どのサブフィールドでVset2を低く設定すればよいか、すなわち初期化電圧Vi4の切換えを最適に行うためにはどのようなサブフィールド構成にすればよいかを調べるために、初期化電圧Vi4の切換えを行うサブフィールドを変えながら、安定した書込みを行うために必要な走査パルス電圧Vaおよび書込みパルス電圧Vdを調べる実験を行った。この実験では、1フィールドを10のサブフィールド(第1SF〜第10SF)に分割し、各サブフィールドにはそれぞれ(1、2、3、6、11、18、30、44、60、80)の輝度重みを持たせた。また、Vset2を電圧0VにすることでVi4Lを走査パルス電圧Vaと等しい電圧とし、Vset2を所定の電圧(本実施の形態1では10V)にすることでVi4HをVi4Lよりも10V高い電圧とした。
図10A、図10Bは、この実験の結果をまとめた図であり、初期化電圧Vi4を切換えるサブフィールドと走査パルス電圧Va、書込みパルス電圧Vdとの関係を示した図である。図10A、図10Bにおいて、横軸は初期化電圧Vi4切換えサブフィールドを、図10Aの縦軸は走査パルス電圧Vaを、図10Bの縦軸は書込みパルス電圧Vdを表す。なお、ここでの初期化電圧Vi4切換えサブフィールドとは、初期化電圧Vi4をVi4LからVi4Hに切換えるサブフィールドを表しており、例えば、初期化電圧Vi4切換えサブフィールドの「2」は、第1SF、第2SFでは初期化電圧Vi4をVi4Lとし、第3SF〜第10SFでは初期化電圧Vi4をVi4Hとしたことを表す。
図10Aに示すとおり、初期化電圧Vi4切換えサブフィールドが「0」(全てのサブフィールドにおいて初期化電圧Vi4をVi4Hとする)、「1」、「2」では安定した書込み動作を行わせるために必要な走査パルス電圧Vaはほとんど変化しないが、それ以降、初期化電圧Vi4切換えサブフィールドを大きくするにつれて、安定した書込み動作を行わせるために必要な走査パルス電圧Vaは徐々に高くなっている。そして、初期化電圧Vi4切換えサブフィールド「10」(全てのサブフィールドにおいて初期化電圧Vi4をVi4Lとする)では、初期化電圧Vi4切換えサブフィールド「2」に対し、安定した書込み動作を行わせるために必要な走査パルス電圧Vaは約20Vも高くなっている。
また、図10Bに示すとおり、初期化電圧Vi4切換えサブフィールドを「1」から「2」にすると、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Vdは約11V下がるが、それ以降初期化電圧Vi4切換えサブフィールドを大きくしても安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Vdはほとんど変化しない。
そこで、本実施の形態1では、Vi4Lを走査パルス電圧Vaと等しい電圧にし、Vi4HをVi4Lよりも10V高い電圧にするとともに、初期化電圧Vi4切換えサブフィールドを「2」、すなわち、輝度重みの最も小さいサブフィールドである第1SFおよび輝度重みが2番目に小さいサブフィールドである第2SFでは初期化電圧Vi4をVi4Lとし、輝度重みの最も大きいサブフィールドである第10SFを含む第3SF〜第10SFでは初期化電圧Vi4をVi4Hとする。これにより、安定した書込みを行わせるために必要な走査パルス電圧Vaおよび書込みパルス電圧Vdを低減させる。したがって、走査電極SC1〜SCnに実際に印加される走査パルス電圧Vaおよびデータ電極D1〜Dmに実際に印加される書込みパルス電圧Vdは、安定した書込みを行わせるために必要な走査パルス電圧Vaおよび書込みパルス電圧Vdに対して相対的に高まり、安定した書込みを実現することができる。
なお、本実施の形態1は、Vi4L、Vi4H、初期化電圧Vi4切換えサブフィールド、サブフィールド構成等を上記の値に限定するものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適な値に設定することが望ましい。
次に、全セル初期化動作における初期化電圧Vi4を制御する方法について説明する。初期化電圧Vi4を変化させるには、様々な方法が考えられる。例えば、図4の電圧Vi3から電圧Vi4の下降傾斜の緩急を制御して電圧Vi4を高くしたり低くしたりすること等で実現が可能である。
本実施の形態1における初期化電圧Vi4を制御する方法について、その一例を図面を用いて説明する。なお、ここでは、全セル初期化動作時の駆動波形を例にして初期化電圧Vi4の制御方法を説明するが、選択初期化動作においても同様の制御方法により、初期化電圧Vi4を制御することができる。
図11は、本発明の実施の形態1における走査電極駆動回路53の回路図である。走査電極駆動回路53は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路100、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路300、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路400を備えている。
維持パルス発生回路100は、走査電極22を駆動するときの電力を回収して再利用するための電力回収回路110と、走査電極22を電圧Vsにクランプするためのスイッチング素子SW1と、走査電極22を電圧0Vにクランプするためのスイッチング素子SW2とを有する。
初期化波形発生回路300は、ミラー積分回路310、320を備え、上述した初期化波形を発生させるとともに、全セル初期化動作における初期化電圧Vi4の制御を行う。ミラー積分回路310は、FET1とコンデンサC1と抵抗R1とを有し、電圧Vi2までランプ状に緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を発生する。ミラー積分回路320は、FET2とコンデンサC2と抵抗R2とを有し、所定の初期化電圧Vi4までランプ状に緩やかに低下する下りランプ波形電圧を発生する。なお、図11には、ミラー積分回路310、320のそれぞれの入力端子を入力端子IN1、入力端子IN2として示している。
なお、本実施の形態1では、初期化波形発生回路300として実用的であり比較的構成が簡単なFETを用いたミラー積分回路を採用しているが、何らこの構成に限定されるものではなく、上りランプ波形電圧および下りランプ波形電圧を発生することができる回路であればどのような回路であってもよい。
走査パルス発生回路400は、スイッチング素子S31、S32と、ScanICとを備え、主通電ライン(維持パルス発生回路100、初期化波形発生回路300、走査パルス発生回路400が共通して接続された図面中に破線で示した通電ライン)に印加された電圧と、主通電ラインの電圧に電圧Vscnを重畳した電圧とのいずれか一方を選択して走査電極に印加する。例えば、書込み期間では、主通電ラインの電圧を負の電圧Vaに維持し、ScanICに入力される負の電圧Vaと、負の電圧Vaに電圧Vscnを重畳した電圧Vcとを切換えて出力することで、上述した負の走査パルス電圧Vaを発生させる。
なお、走査パルス発生回路400は、維持期間では維持パルス発生回路100の電圧波形をそのまま出力する。また、上述したスイッチング素子およびScanICはスイッチング動作を行う一般に知られたMOSFET等の素子からなり、タイミング発生回路55から出力されるタイミング信号にもとづき切替えが制御される。
また、走査電極駆動回路53は、論理積演算を行うアンドゲートAGと、2つの入力端子に入力される入力信号の大小を比較する比較器CPとを備える。比較器CPは、電圧Vaに電圧Vset2が重畳された電圧(Va+Vset2)と主通電ラインの電圧とを比較し、主通電ラインの電圧の方が高い場合には「0」を、それ以外では「1」を出力する。アンドゲートAGには、2つの入力信号、すなわち比較器CPの出力信号CEL1と切換え信号CEL2とが入力される。切換え信号CEL2としては、例えば、タイミング発生回路55から出力されるタイミング信号を用いることができる。そして、アンドゲートAGは、いずれの入力信号も「1」の場合には「1」を出力し、それ以外の場合には「0」を出力する。アンドゲートAGの出力は走査パルス発生回路400に入力され、走査パルス発生回路400は、アンドゲートAGの出力が「0」であれば主通電ラインの電圧を、アンドゲートAGの出力が「1」であれば主通電ラインの電圧に電圧Vscnを重畳した電圧を出力する。
次に、初期化波形発生回路300の動作について説明する。まず、図12を用いて初期化電圧Vi4をVi4Lにする場合の動作を説明し、次に、図13を用いて初期化電圧Vi4をVi4Hにする場合の動作を説明する。なお、図12、図13では全セル初期化期間についての説明を行うが、選択初期化期間における下りランプ波形電圧についてはここでの説明と同様の動作によって発生させることができるものとする。また、図12、図13では、全セル初期化動作を行う駆動電圧波形を期間T1〜期間T4で示した4つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。また、電圧Vi1、電圧Vi3、電圧Vi3’は全て電圧Vsに等しいものとして説明し、電圧Vi4Lを負の電圧Vaに等しいものとし、また、電圧Vi4Hを負の電圧Vaに電圧Vset2を重畳させた電圧(Va+Vset2)に等しいものとして説明する。したがって、電圧Vi4Hは書込み期間における走査パルス電圧Vaよりも高い電圧値となる。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作をオン、遮断させる動作をオフと表記する。
図12は、本発明の実施の形態1における全セル初期化期間の走査電極駆動回路53の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、初期化電圧Vi4をVi4Lにするために、期間T1〜期間T4において切換え信号CEL2は「0」に維持されており、走査パルス発生回路400からは、初期化波形発生回路300の電圧波形がそのまま出力される。
(期間T1)
まず、維持パルス発生回路100のスイッチング素子SW1をオンにする。するとスイッチング素子SW1を介して走査電極22に電圧Vsが印加される。そして、その後、スイッチング素子SW1をオフにする。
(期間T2)
次に、ミラー積分回路310の入力端子IN1を「ハイレベル」にする。具体的には入力端子IN1に、例えば電圧15Vを印加する。すると、抵抗R1からコンデンサC1に向かって一定の電流が流れ、FET1のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路53の出力電圧もランプ状に上昇し始める。そしてこの電圧上昇は、入力端子IN1が「ハイレベル」の間継続する。
この出力電圧が電圧Vi2まで上昇したら、その後、入力端子IN1を「ローレベル」にする。
このようにして、放電開始電圧以下となる電圧Vs(本実施の形態1では、電圧Vi1、電圧Vi3、電圧Vi3’と等しい)から、放電開始電圧を超える電圧Vi2に向かって緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を走査電極22に印加する。
(期間T3)
次に、維持パルス発生回路100のスイッチング素子SW1をオンにする。すると走査電極22の電圧が電圧Vsまで低下する。そしてその後、スイッチング素子SW1をオフにする。
(期間T4)
次に、ミラー積分回路320の入力端子IN2を「ハイレベル」にする。具体的には入力端子IN2に、例えば電圧15Vを印加する。すると、抵抗R2からコンデンサC2に向かって一定の電流が流れ、FET2のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路53の出力電圧もランプ状に下降し始める。そして、出力電圧が所定の負の電圧Vi4にいたった後、入力端子IN2を「ローレベル」とする。
このとき、比較器CPでは、この下りランプ波形電圧(主通電ラインの電圧)と、電圧Vaに電圧Vset2が加えられた電圧(Va+Vset2)とが比較されており、比較器CPからの出力信号は、下りランプ波形電圧が電圧(Va+Vset2)以下となった時刻t4において「0」から「1」に切換わる。しかし、期間T1〜期間T4において切換え信号CEL2は「0」に維持されているため、アンドゲートAGからは「0」が出力される。したがって、走査パルス発生回路400からは、この下りランプ波形電圧がそのまま出力される。
ここで、本実施の形態1では、下りランプ波形電圧が負の電圧Vaまで下がりきった後すぐに初期化期間を終了して続く書込み期間に移行するのではなく、負の電圧Vaに維持される期間、すなわち、初期化波形が平らに維持される期間T4’が設けられるように期間T4を設定している。これにより、下りランプ波形電圧の最低電圧の測定が容易になり、初期化電圧Vi4の電圧調整を容易に行えるようにしている。なお、本実施の形態1では、この期間T4’を20μsec程度に設定しているが、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様、あるいは調整の容易さ等に合わせて最適な値に設定することが望ましい。
以上のようにして、走査電極22に対して、放電開始電圧以下となる電圧Vi1から放電開始電圧を超える電圧Vi2に向かって緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を印加し、その後、電圧Vi3から初期化電圧Vi4Lに向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を印加する。
なお、初期化期間終了後、続く書込み期間では、主通電ラインの電圧を負の電圧Vaに維持したままとする。これにより、比較器CPからの出力信号は「1」に維持される。また、書込み期間では、切換え信号CEL2を「1」にする。すると、アンドゲートAGの入力はともに「1」となって、アンドゲートAGからは「1」が出力される。これにより、走査パルス発生回路400からは、負の電圧Vaに電圧Vscnが重畳された電圧Vcが出力される。そして、ここでは図示していないが、負の走査パルス電圧を発生させるタイミングで切換え信号CEL2を「0」にすることで、アンドゲートAGの出力信号は「0」となり、走査パルス発生回路400からは負の電圧Vaが出力される。このようにして、書込み期間における負の走査パルス電圧を発生させることができる。
次に、図13を用いて初期化電圧Vi4をVi4Hにする場合の動作を説明する。図13は、本発明の実施の形態1における全セル初期化期間の走査電極駆動回路53の動作の他の例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、初期化電圧Vi4をVi4Hにするために、期間T1〜T4において切換え信号CEL2を「1」にしている。また、図13において、期間T1〜T3の動作は図12に示した期間T1〜T3と同様であるので、ここでは、期間T4について説明する。
(期間T4)
期間T4では、ミラー積分回路320の入力端子IN2を「ハイレベル」にする。具体的には入力端子IN2に、例えば電圧15Vを印加する。すると、抵抗R2からコンデンサC2に向かって一定の電流が流れ、FET2のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路53の出力電圧もランプ状に下降し始める。そして、出力電圧が所定の負の電圧Vi4にいたった後、入力端子IN2を「ローレベル」とする。
このとき、比較器CPでは、この下りランプ波形電圧(主通電ラインの電圧)と、電圧Vaに電圧Vset2が加えられた電圧(Va+Vset2)とが比較されており、比較器CPからの出力信号は、下りランプ波形電圧が電圧(Va+Vset2)以下となった時刻t4において「0」から「1」に切換わる。そして、このとき切換え信号CEL2は「1」であるため、アンドゲートAGの入力はともに「1」となって、アンドゲートAGからは「1」が出力される。これにより、走査パルス発生回路400からは、この下りランプ波形電圧に電圧Vscnが重畳された電圧が出力される。したがって、この下りランプ波形電圧における最低電圧を(Va+Vset2)、すなわちVi4Hとすることができる。
このように、本実施の形態1では、走査電極駆動回路53を図11に示したような回路構成とすることで、電圧Vset2を所望の電圧値に設定するだけで、緩やかに下降する下りランプ波形電圧の最低電圧、すなわち初期化電圧Vi4の値を簡単に制御することが可能になる。
なお、本実施の形態1では全セル初期化動作における初期化電圧Vi4の制御について説明したが、選択初期化動作においては上りランプ波形電圧を発生させない点が異なるだけで下りランプ波形電圧の発生については上述と同様の動作であり、初期化電圧Vi4の制御も同様に行うことができる。
なお、本実施の形態1では、放電ガスのキセノン分圧を10%としたが、他のキセノン分圧であってもそのパネルに応じた駆動電圧に設定すればよい。
また、本実施の形態1において用いた具体的な各数値は、単に一例を挙げたに過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。
本発明のパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置は、大画面・高輝度パネルであっても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させることができ、画像表示品質のよいパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置として有用である。
本発明の実施の形態1におけるパネルの構造を示す分解斜視図 本発明の実施の形態1におけるパネルの電極配列図 本発明の実施の形態1におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態1におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図 本発明の実施の形態1におけるサブフィールド構成を示す図 本発明の実施の形態1におけるデータ電極および走査電極に印加される駆動電圧波形と、データ電極−走査電極間の電圧変化を示した図 本発明の実施の形態1におけるデータ電極および走査電極に印加される駆動電圧波形と、データ電極−走査電極間の電圧変化の一例を示した図 本発明の実施の形態1における同データ電極および走査電極に印加される駆動電圧波形と、データ電極−走査電極間の電圧変化の他の例を示した図 本発明の実施の形態1におけるデータ電極および走査電極に印加される駆動電圧波形と、データ電極−走査電極間の電圧変化のさらに他の例を示した図 本発明の実施の形態1における初期化電圧Vi4を切換えるサブフィールドと走査パルス電圧との関係を示した図 本発明の実施の形態1における初期化電圧Vi4を切換えるサブフィールドと書込みパルス電圧との関係を示した図 本発明の実施の形態1における走査電極駆動回路の回路図 本発明の実施の形態1における全セル初期化期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャート 本発明の実施の形態1における全セル初期化期間の走査電極駆動回路の動作の他の例を説明するためのタイミングチャート
符号の説明
1 プラズマディスプレイ装置
10 パネル
21 ガラス製の前面板
22 走査電極
23 維持電極
24,33 誘電体層
25 保護層
28 表示電極対
31 背面板
32 データ電極
34 隔壁
35 蛍光体層
51 画像信号処理回路
52 データ電極駆動回路
53 走査電極駆動回路
54 維持電極駆動回路
55 タイミング発生回路
100,200 維持パルス発生回路
110 電力回収回路
300 初期化波形発生回路
310,320 ミラー積分回路
400 走査パルス発生回路
SW1,SW2,S31,S32 スイッチング素子
FET1,FET2 FET
C1,C2 コンデンサ
R1,R2 抵抗
IN1,IN2 入力端子
CP 比較器
AG アンドゲート

Claims (3)

  1. 緩やかに下降する傾斜波形電圧を走査電極に印加する初期化期間と、走査パルス電圧を前
    記走査電極に印加して前記走査電極および維持電極からなる表示電極対を有する放電セル
    で書込み放電を発生させる書込み期間と、輝度重みに応じた回数の維持パルス電圧を前記
    表示電極対に交互に印加して前記放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有するサ
    ブフィールドを1フィールド期間内に複数設けて画像表示を行うプラズマディスプレイパ
    ネルの駆動方法であって、
    前記1フィールド期間内において輝度重みが最も小さいサブフィールドの初期化期間の前記傾斜波形電圧の最も低い電圧値は、前記輝度重みが最も大きいサブフィールドの初期化期間の前記傾斜波形電圧の最も低い電圧値よりも低くなるとともに前記輝度重みが最も小さいサブフィールドの初期化期間の前記傾斜波形電圧の最も低い電圧値が所定の期間維持されるプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  2. 輝度重みが最も小さいサブフィールドの初期化期間は画像表示を行う全ての放電セルに対
    して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドであり、
    前記輝度重みが最も大きいサブフィールドの初期化期間は直前のサブフィールドの前記維
    持期間で維持放電を発生させた放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サ
    ブフィールドである
    請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  3. 走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディス
    プレイパネルと、
    緩やかに下降する傾斜波形電圧を前記走査電極に印加する初期化期間と、前記放電セルで
    書込み放電を発生させる書込み期間と、輝度重みに応じた回数の維持パルス電圧を前記表
    示電極対に交互に印加して前記放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有するサブフィールドを1フィールド期間内に複数設けて前記プラズマディスプレイパネルを駆動す
    る駆動回路と、を備え、
    前記駆動回路は、輝度重みが最も小さいサブフィールドにおける前記下降する傾斜波形電圧の最も低い電圧を輝度重みが最も大きいサブフィールドにおける前記下降する傾斜波形電圧の最も低い電圧よりも低くするように構成するとともに、
    前記輝度重みが最も小さいサブフィールドの前記初期化期間において前記下降する傾斜波
    形電圧が最も低い電圧に到達した後、前記電圧を所定の期間維持することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
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