JP4645622B2 - GaN結晶の成長方法 - Google Patents
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Description
本発明にかかるGaN結晶の成長方法の一実施形態は、図1および図2を参照して、GaN種結晶基板10p上にGaN結晶20を成長させるGaN結晶の成長方法であって、GaN種結晶基板10pの熱膨張係数がGaN結晶20に比べて大きくなるような第1のドーパントを含むGaN種結晶基板10pを準備する工程(図1)と、GaN種結晶基板10p上に厚さ1mm以上のGaN結晶20を成長させる工程(図2)を含む。
たとえば、GaN種結晶基板にドーパントとしてA原子がxcm-3添加され、GaN結晶にはドーパントが添加されていない場合は、GaN種結晶基板の増加熱膨張係数はΔλGaN(A)であり、GaN結晶の増加熱膨張係数ΔλGaNは0であるため、GaN結晶の熱膨張係数に対するGaN種結晶基板の熱膨張係数の差Δλは以下の式(2)
Δλ=(ΔλGaN(A)−ΔλGaN)=ΔλGaN(A) ・・・(2)
により算出される。
ΔλGaN(A1)=(λA1−λGaN)×x1/(2.19×1022) ・・・(3)
により算出され、GaN結晶の増加熱膨張係数ΔλGaN(A2)は、A2結晶(GaN結晶のGa原子またはN原子が全てドーパントのA2原子に置き換わった結晶をいう、以下同じ)の熱膨張係数λA2、GaN結晶の熱膨張係数λGaNを用いて、以下の式(4)
ΔλGaN(A2)=(λA2−λGaN)×x2/(2.19×1022) ・・・(4)
により算出され、GaN結晶の熱膨張係数に対するGaN種結晶基板の熱膨張係数の差Δλは以下の式(5)
Δλ=ΔλGaN(A1)−ΔλGaN(A2) ・・・(5)
により算出される。
本発明にかかるGaN結晶の成長方法の他の実施形態は、図6および図7を参照して、GaN種結晶基板10p上にGaN結晶20を成長させる方法であって、外周部に多結晶領域10bを有するGaN種結晶基板10pを準備する工程と(図6を参照)、GaN種結晶基板10p上に外周部に多結晶領域20bを有する厚さ1mm以上のGaN結晶20を成長させる工程を含む。
本発明にかかるGaN結晶の成長方法のさらに他の実施形態は、図7(b)を参照して、GaN結晶20およびGaN種結晶基板10pの外周部を加工して多結晶領域20b,10bの幅W2,W1を調整し、多結晶領域20bの幅W2が調整されたGaN結晶20が分離された多結晶領域10bの幅W1が調整されたGaN種結晶基板10p上に、図14を参照して、外周部に幅W3の多結晶領域30bを有する厚さ1mm以上の第2のGaN結晶30を成長させる工程を含む。すなわち、図7(b)において、GaN結晶20の成長に用いたGaN種結晶基板10pを、図14において、第2のGaN結晶30を成長させるためのGaN種結晶基板10pとして繰り返し用いることにより、GaN結晶の成長効率をより高めることができる。
本発明にかかるGaN結晶の成長方法のさらに他の実施形態は、図7(b)を参照して、GaN結晶20およびGaN種結晶基板10pの外周部を加工して多結晶領域20b,10bの幅W2,W1を調整し、多結晶領域20bの幅W2が調整されたGaN結晶20をGaN種結晶基板10pの主面10sに平行な面20s,20tでスライスして得られるGaN結晶基板20pを第2のGaN種結晶基板として準備し、図15を参照して、第2の種結晶基板(GaN結晶基板20p)上に、外周部に幅W4の多結晶領域40bを有する厚さ1mm以上の第3のGaN結晶40を成長させる工程を含む。
本発明にかかるGaN結晶基板の一実施形態は、実施形態1および2の成長方法により得られるGaN結晶20(図2および図7参照)、実施形態3の成長方法により得られる第2のGaN結晶30(図14参照)または実施形態4の成長方法により得られる第3のGaN結晶40(図15参照)を加工して得られるGaN結晶基板20p,30p,40pである。具体的には、かかるGaN結晶基板20p,30p,40pは、図2、図7または図14に示すようにGaN結晶20,30をGaN種結晶基板10pの主面10sに平行な面20s,20t,30s,30tでスライスすることにより、または図15に示すようにGaN結晶40をGaN結晶基板20pの主面20sに平行な面40s,40tでスライスすることにより得られる。
1.GaN種結晶基板の準備
図3、図8および図9を参照して、結晶装置50の結晶成長容器51内のサセプタ55上に基板100として、下地基板90としての直径D0が50.8mmのSiC基板を配置し、その下地基板90の外周面90rに接して結晶成長抑制材92としての幅W0が5mmのSiO2材を配置した。次に、下地基板90および結晶成長抑制材92を1000℃に加熱して、反応容器51内に、キャリアガスとしてH2ガスを用いて全圧101.3kPa(1atm)の水素雰囲気とし、Ga塩化物ガス5(分圧:2.03kPa(0.02atm))、NH3ガス6(分圧:30.4kPa(0.3atm))を導入することにより、GaN種結晶(種結晶A)を成長させた。また、ドーピングを行う場合には、以下のようにしてドーパントガス7をさらに導入することにより、GaN種結晶(種結晶B〜H)を成長させた。
クラック発生率(%)=100×SC/S0 (6)
で定義される。ここで、クラックは微分干渉顕微鏡により測定した。
図3を参照して、比較例1として、結晶装置50の結晶成長容器51内のサセプタ55上に基板100である直径D0が38mmの外周部に多結晶が付着していない種結晶基板A(GaN種結晶基板10p)を配置し、種結晶基板A(GaN種結晶基板10p)を950℃に加熱して、反応容器51内に、キャリアガスとしてN2ガスを用いて全圧101.3kPa(1atm)の窒素雰囲気とし、HClガス(分圧:70.9kPa(0.7atm))を導入することにより、表面の加工変質層を除去した。加工変質層の除去は、カソードルミネッセンス(CL)を用いてGaN種結晶基板の表面を観察することにより確認した。GaN種結晶基板として、種結晶基板Aに替えて種結晶基板B〜Hを用いたこと以外は比較例1と同様にして、各基板の表面の加工変質層を除去した(実施例1〜12)。
図3を参照して、比較例1として、結晶装置50の結晶成長容器51内のサセプタ55上に、基板100として表面の加工変質層が除去された直径が38mmの種結晶基板A(GaN種結晶基板10p)を配置し、このGaN種結晶基板10pを1000℃に加熱して、反応容器51内に、キャリアガスとしてH2ガスを用いて全圧101.3kPa(1.0atm)の水素雰囲気とし、Ga塩化物ガス5(分圧:3.04kPa(0.03atm))およびNH3ガス6(分圧:13.7kPa(0.135atm))を導入することにより、GaN結晶を成長させた(比較例1)。かかる結晶成長条件においては、結晶成長速度は100μm/hrであり、100時間の結晶成長を行なうことにより、厚さが約10mmのGaN結晶が得られた。得られたGaN結晶の外周部には、部分的に0.2μm〜1mm程度の多結晶GaNが付着していた。このGaN結晶を上述と同じ方法で、外周部に付着した結晶の除去、スライス、洗浄を行なうことにより、厚さ350μmのGaN結晶基板が、7枚得られた。このGaN結晶基板におけるクラック発生率は、86%であった。また、比較例1において得られたGaN結晶の増加熱膨張係数ΔλGaN(A2)は式(4)から0であり、GaN結晶20に対する種結晶基板A(GaN種結晶基板10p)の熱膨張係数の差Δλは式(5)から0となる。結果を表2にまとめた。
1.GaN種結晶基板の準備
図3、図8および図9を参照して、結晶装置50の結晶成長容器51内のサセプタ55上に基板100として、下地基板90として直径が50.8mmのGaAs基板と、GaAs基板の外周面90rに接して多結晶化材91として幅W0が10mmの円筒形状の固体カーボン材を配置し、下地基板90および多結晶化材91を1000℃に加熱して、反応容器51内に、キャリアガスとしてH2ガスを用いて全圧101.3kPa(1.0atm)の水素雰囲気とし、Ga塩化物ガス5(分圧:2.03kPa(0.02atm))、NH3ガス6(分圧:30.4kPa(0.3atm))を導入して、GaN種結晶10(種結晶I)を成長させた。また、ドーピングを行う場合には、以下のようにしてドーパントガス7をさらに導入することにより、GaN種結晶(種結晶J〜M)を成長させた。結果を表4にまとめた。
図3を参照して、結晶装置50の結晶成長容器51内のサセプタ55上に基板100として、単結晶領域10aの直径D1が50mm、多結晶領域10bの幅W1が1mmのGaN種結晶基板10pを配置し、GaN種結晶基板10pを950℃に加熱して、反応容器51内に、キャリアガスとしてN2ガスを用いて全圧101.3kPa(1.0atm)の水素雰囲気とし、HClガス(分圧:70.9kPa(0.7atm))を導入することにより、GaN種結晶基板の表面の加工変質層を除去した。
図3を参照して、実施例13として、結晶装置50の結晶成長容器51内のサセプタ55上に、基板100として表面の加工変質層が除去された単結晶領域10aの直径が50mm、多結晶領域10bの幅W1が1mmの種結晶基板I(GaN種結晶基板10p)を配置し、このGaN種結晶基板10pを1000℃に加熱して、反応容器51内に、キャリアガスとしてH2ガスを用いて全圧101.3kPa(1.0atm)の水素雰囲気とし、Ga塩化物ガス5(分圧:3.04kPa(0.03atm))およびNH3ガス6(分圧:13.7kPa(0.135atm))を導入することにより、GaN結晶を成長させた。かかる結晶成長条件においては、結晶成長速度は100μm/hrであり、100時間の結晶成長を行なうことにより、厚さが約10mmのGaN結晶が得られた。
−7
したがって、式(5)により算出される各GaN結晶に対する各GaN種結晶基板の熱膨張係数の差Δλは、それぞれ、実施例14においては6.5×10-12℃-1、実施例15においては4.3×10-11℃-1、実施例16においては1.8×10-10℃-1、実施例17においては3.2×10-12℃-1、実施例18においては3.9×10-12℃-1、実施例19においては1.5×10-11℃-1、実施例20においては4.6×10-10℃-1、実施例21においては4.6×10-10℃-1、実施例22においては4.6×10-10℃-1と算出される。結果を表5にまとめた。
1.GaN種結晶基板の準備
実施例20で得られた、ドーパントとしてOを7.2×1018cm-3の濃度で含有し、単結晶領域の直径D1が50mmで外周部に幅W1が1mmの多結晶領域10bを有するGaN種結晶10の外周部を実施例20と同様の外周部加工法により加工して多結晶領域の幅W1を調整し、さらに、下地基板90の主面90sに平行な面10s,10tでスライスし、その表面を塩酸(酸)、KOH,NaOH(塩基)およびエタノール(有機溶剤)で洗浄し、外周部の多結晶領域の幅W1が、0.03mm(実施例23)、0.05mm(実施例24)、0.1(実施例25)、1.0(実施例20)2.0(実施例26)、5.0(実施例27)および10.0(実施例28)の多結晶領域を有する厚さ1000μmのGaN種結晶基板10pが得られた。
実施例20と同様にして、GaN種結晶基板10pの表面の加工変質層を除去した。
Si添加量を4.3×1018cm-3とした以外は実施例20と同様にして、GaN種結晶基板10p上にGaN結晶を成長させて、厚さが約10mmのGaN結晶が得られた。このGaN結晶を上述と同じ方法で、外周部に付着した結晶の除去、スライス、洗浄を行なうことにより、厚さ350μmのGaN結晶基板が、それぞれ7枚づつ得られた。このGaN結晶基板におけるクラック発生率は、実施例23、24、28については29%、実施例25、20については14%、実施例26、27については0%であった。また、実施例23〜28で得られた各GaN結晶の増加熱膨張係数ΔλGaN(A2)は、式(4)から、いずれも、5.9×10-12℃-1と算出される。したがって、式(5)により算出される各GaN結晶に対する各GaN種結晶基板の熱膨張係数の差Δλは、いずれも4.6×10-10℃-1と算出される。結果を実施例20とともに表6にまとめた。
GaN種結晶基板におけるドーパントであるOの濃度および増加熱膨張係数ΔλGaN(A1)が、それぞれ5.2×1015cm-3および3.4×10-13℃-1(実施例29)、9.0×1016cm-3および5.9×10-12℃-1(実施例30)、6.0×1017cm-3および3.9×10-11℃-1(実施例31)、3.0×1019cm-3および2.0×10-9℃-1(実施例32)、5.5×1019cm-3および3.6×10-9℃-1(実施例33)であり、直径が50mmの単結晶領域とその外周に隣接する幅W1が1mmの多結晶領域とを有するGaN種結晶基板の準備した。
Claims (3)
- GaN種結晶基板上にGaN結晶を成長させる方法であって、
In、P、Al、As、Sb、OおよびSiからなる群から選ばれる1種類の元素である第1のドーパントを5×1015cm-3以上5×1019cm-3以下の濃度で含む前記GaN種結晶基板を準備する工程と、
前記GaN種結晶基板上にIn、P、Al、As、Sb、OおよびSiからなる群から選ばれる1種類の元素である第2のドーパントを含む厚さ1mm以上の前記GaN結晶を成長させる工程と、を含み、
前記GaN種結晶基板において、GaN結晶の熱膨張係数をλGaN、Ga原子またはN原子が全て前記第1のドーパントの原子に置き換わった結晶の熱膨張係数をλA1、前記第1のドーパントの添加濃度をx1cm-3とするとき、
ΔλGaN(A1)=(λA1−λGaN)×x1/(2.19×1022)
で算出される前記GaN種結晶基板の増加熱膨張係数ΔλGaN(A1)が、0より大きく、
前記GaN結晶において、GaN結晶の熱膨張係数をλGaN、Ga原子またはN原子が全て前記第2のドーパントの原子に置き換わった結晶の熱膨張係数をλA2、前記第2のドーパントの添加濃度をx2cm-3とするとき、
ΔλGaN(A2)=(λA2−λGaN)×x2/(2.19×1022)
で算出される前記GaN結晶の増加熱膨張係数ΔλGaN(A2)が、前記GaN種結晶基板の増加熱膨張係数ΔλGaN(A1)より小さく、
Δλ=ΔλGaN(A1)−ΔλGaN(A2)
で算出される前記GaN結晶の熱膨張係数に対する前記GaN種結晶基板の熱膨張係数の差Δλが0より大きく、
前記GaN結晶の成長後の冷却過程において、前記GaN種結晶基板が前記GaN結晶よりも大きく縮むことにより、前記GaN結晶に圧縮応力がかかり、クラックの発生が抑制されるGaN結晶の成長方法。 - 第1および第2の前記ドーパントは同種類の元素を含む請求項1に記載のGaN結晶の成長方法。
- 前記GaN種結晶基板は、下地基板としてGaNと化学組成が異なる異種基板を用いて、前記下地基板の外周面に接して結晶成長抑制材を配置し、前記下地基板上にGaN種結晶を成長させて、前記GaN種結晶を前記下地基板の主面に平行にスライスして得られる請求項1または請求項2に記載のGaN結晶の成長方法。
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