JP4507634B2 - Life presenting circuit, life presenting method, and recording / reproducing apparatus - Google Patents
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Description
この発明は、電子デバイスの寿命を提示することができる寿命提示回路および寿命提示方法ならびに記録再生装置に関する。 The present invention relates to a lifetime presentation circuit, a lifetime presentation method, and a recording / reproducing apparatus that can present the lifetime of an electronic device.
近年、光学記録媒体の信号面に対してレーザ光を照射して情報信号の記録再生を行う記録再生装置が広く普及している。この記録再生装置では、レーザ光を照射する光源として半導体レーザが用いられている。 In recent years, recording / reproducing apparatuses for recording / reproducing information signals by irradiating a signal surface of an optical recording medium with laser light have been widely used. In this recording / reproducing apparatus, a semiconductor laser is used as a light source for irradiating laser light.
半導体レーザは時間経過に伴って劣化するため、記録再生動作に問題が生じる前に半導体レーザを交換する必要がある。そこで、半導体レーザの交換時期をユーザに知らせるために、レーザ発光時間を累積し、累積された発光時間が半導体レーザメーカにより提示された動作保証時間に達したか否かを判断する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 Since the semiconductor laser deteriorates with time, it is necessary to replace the semiconductor laser before a problem occurs in the recording / reproducing operation. Therefore, in order to inform the user of the replacement time of the semiconductor laser, a method of accumulating the laser emission time and determining whether or not the accumulated emission time has reached the operation guarantee time presented by the semiconductor laser manufacturer has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1).
ところが、従来知られているように半導体レーザの寿命は温度に依存するために、使用環境に応じて半導体レーザの寿命は著しく異なってしまう。したがって、半導体レーザの使用環境を考慮せずにレーザ発光時間を単に累積するのみでは、半導体レーザの交換時期をユーザに正確に知らせることは困難である。 However, since the lifetime of the semiconductor laser depends on the temperature as conventionally known, the lifetime of the semiconductor laser varies significantly depending on the use environment. Therefore, it is difficult to accurately notify the user of the replacement timing of the semiconductor laser simply by accumulating the laser emission time without considering the use environment of the semiconductor laser.
したがって、この発明の目的は、半導体レーザの寿命をより正確にユーザに知らせることができる寿命提示回路および寿命提示方法ならびに記録再生装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a lifetime presentation circuit, a lifetime presentation method, and a recording / reproducing apparatus that can inform the user of the lifetime of the semiconductor laser more accurately.
上述の課題を解決するために、第1の発明は、寿命が温度に依存する電子デバイスの温度を検出する温度検出手段と、
電子デバイスの稼動時間を計測する計測手段と、
実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段と、
導出手段を用いて、温度検出手段により検出された電子デバイスの温度から重み付け係数を導出し、導出された重み付け係数を用いて稼動時間を補正し、補正された稼動時間を累積する累積手段と、
累積された稼動時間を表示する表示手段と
を備え、
導出手段は、電子デバイスの稼動時の温度と、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数とが関係付けられた温度テーブル、または電子デバイスの稼動時の温度を代入することにより、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を導出する温度補正関数である寿命提示回路である。
In order to solve the above-mentioned problem, the first invention includes a temperature detection means for detecting a temperature of an electronic device whose lifetime depends on temperature,
A measuring means for measuring the operating time of the electronic device;
A deriving means for deriving a weighting coefficient according to the deviation from the average temperature of the actual use environment from the temperature at the time of operation of the electronic device;
Deriving means, deriving a weighting coefficient from the temperature of the electronic device detected by the temperature detecting means, correcting the operating time using the derived weighting coefficient, and accumulating means for accumulating the corrected operating time;
Display means for displaying the accumulated operating time , and
The deriving means substitutes a temperature table in which the temperature during operation of the electronic device and the weighting coefficient according to the deviation from the average temperature of the actual use environment are related, or by substituting the temperature during operation of the electronic device, is a temperature correction function der Ru life presentation circuit for deriving a weighting factor corresponding to the deviation from the average temperature of the actual use environment.
第2の発明は、寿命が温度に依存する電子デバイスの温度を検出するステップと、
電子デバイスの稼動時間を計測するステップと、
実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段を用いて、検出ステップにより検出された電子デバイスの温度から重み付け係数を導出するステップと、
導出された重み付け係数を用いて稼動時間を補正し、補正した稼動時間を累積するステップと
累積された稼動時間を表示するステップと
を備え、
導出手段は、電子デバイスの稼動時の温度と、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数とが関係付けられた温度テーブル、または電子デバイスの稼動時の温度を代入することにより、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を導出する温度補正関数である寿命提示方法である。
The second invention detects the temperature of the electronic device whose lifetime depends on the temperature;
Measuring the operating time of the electronic device;
Deriving a weighting coefficient from the temperature of the electronic device detected by the detecting step using a deriving means for deriving the weighting coefficient according to the deviation from the average temperature of the actual use environment from the temperature at the time of operation of the electronic device; ,
Correcting the operating time using the derived weighting factor, accumulating the corrected operating time, and displaying the accumulated operating time ,
The deriving means substitutes a temperature table in which the temperature during operation of the electronic device and the weighting coefficient according to the deviation from the average temperature of the actual use environment are related, or by substituting the temperature during operation of the electronic device, is a temperature correction function der Ru life presentation method of deriving a weighted coefficient corresponding to the deviation from the average temperature of the actual use environment.
第3の発明は、記録可能な光ディスクの信号面に対してレーザ光を出射する半導体レーザと、
光ディスクにより反射されたレーザ光を受光し、受光したレーザ光に応じた信号を出力する受光手段と、
半導体レーザに供給する記録信号の処理および、受光手段から供給された再生信号の処理を行う信号処理手段と、
半導体レーザの温度を検出する温度検出手段と、
半導体レーザの稼動時間を計測する計測手段と、
実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、半導体レーザの稼動時の温度から導出する導出手段と、
導出手段を用いて、温度検出手段により検出された半導体レーザの温度から重み付け係数を導出し、導出された重み付け係数を用いて稼動時間を補正し、補正された稼動時間を累積する累積手段と、
累積された稼動時間を表示する表示手段と
を備え、
導出手段は、半導体レーザの稼動時の温度と、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数とが関係付けられた温度テーブル、または半導体レーザの稼動時の温度を代入することにより、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を導出する温度補正関数である記録再生装置である。
According to a third aspect of the invention, there is provided a semiconductor laser that emits laser light to a signal surface of a recordable optical disc;
A light receiving means for receiving the laser light reflected by the optical disc and outputting a signal corresponding to the received laser light;
Signal processing means for processing the recording signal supplied to the semiconductor laser and processing the reproduction signal supplied from the light receiving means;
Temperature detecting means for detecting the temperature of the semiconductor laser;
A measuring means for measuring the operating time of the semiconductor laser;
A deriving means for deriving a weighting coefficient according to the deviation from the average temperature of the actual use environment from the temperature at the time of operation of the semiconductor laser;
Deriving means, deriving a weighting coefficient from the temperature of the semiconductor laser detected by the temperature detecting means, correcting the operating time using the derived weighting coefficient, and accumulating the corrected operating time,
Display means for displaying the accumulated operating time , and
The deriving means substitutes a temperature table in which a temperature during operation of the semiconductor laser and a weighting factor according to a deviation from an average temperature of the actual use environment are associated, or a temperature during operation of the semiconductor laser, it is a temperature correction function der Ru recording and reproducing apparatus for deriving a weighting factor corresponding to the deviation from the average temperature of the actual use environment.
この発明によれば、実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段を用いて、検出手段により検出された電子デバイスの温度から重み付け係数を導出し、導出された重み付け係数を用いて稼動時間を補正し、補正した稼動時間を累積し、累積された稼動時間を表示するので、累積された稼動時間の進行と実時間の進行との間に大きな違いが生じないようにすることができる。 According to the present invention, the temperature of the electronic device detected by the detecting means is derived using the deriving means for deriving the weighting coefficient corresponding to the deviation from the average temperature corresponding to the actual use environment from the temperature during operation of the electronic device. The operating time is corrected using the derived weighting factor, the corrected operating time is accumulated, and the accumulated operating time is displayed, so the progress of the accumulated operating time and the actual time There can be no significant difference between progress.
以上説明したように、この発明によれば、累積された稼動時間の進行と実時間の進行との間に大きな違いが生じないようにすることができる。したがって、電子デバイスをどの程度使用すると交換時期に達するかを、累積された稼動時間に基づいてユーザがより正確に判断することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to prevent a great difference between the progress of the accumulated operation time and the progress of the real time. Therefore, the user can more accurately determine how much the electronic device is used and how long the replacement time is reached based on the accumulated operation time.
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings of the following embodiments, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.
まず、この発明の実施形態の理解を容易にするために、従来技術が有する上述の課題を解決すべく、本発明者が行った検討内容について説明する。 First, in order to facilitate the understanding of the embodiment of the present invention, the contents of studies conducted by the present inventor in order to solve the above-described problems of the prior art will be described.
まず、半導体レーザメーカにより提示された半導体レーザ(Laser Diode)の「寿命温度特性」に基づき温度テーブルを作成して、記録再生装置などのメモリに予め記憶しておくようにする。温度テーブルは、半導体レーザの温度と、レーザ発光時間を補正するための寿命係数とが関係付けられたテーブルである。この温度テーブルでは、半導体メーカにより定められた基準温度に対応する寿命係数が「1」の値をとるようになっている。 First, a temperature table is created based on the “life temperature characteristics” of a semiconductor laser (Laser Diode) presented by a semiconductor laser manufacturer, and stored in advance in a memory such as a recording / reproducing apparatus. The temperature table is a table in which the temperature of the semiconductor laser is associated with a life factor for correcting the laser emission time. In this temperature table, the life coefficient corresponding to the reference temperature determined by the semiconductor manufacturer takes a value of “1”.
そして、温度テーブルから半導体レーザの温度に応じた寿命係数を抽出し、抽出された寿命係数を用いてレーザ発光時間を補正し、補正された発光時間を累積して表示するようにする。ところが、半導体レーザメーカにより定められた基準温度と、実使用環境下において基準となる基準温度とは異なるため、寿命係数「1」からずれた寿命係数を用いてレーザ発光時間を補正することになってしまう。したがって、累積されたレーザ発光時間の進行と実時間の進行との間に違いが生じ、半導体レーザをどの程度使用すると交換時期に達するかを、累積されたレーザ発光時間に基づいてユーザが判断するのが困難になってしまう。 Then, a lifetime coefficient corresponding to the temperature of the semiconductor laser is extracted from the temperature table, the laser emission time is corrected using the extracted lifetime coefficient, and the corrected emission time is accumulated and displayed. However, since the reference temperature determined by the semiconductor laser manufacturer is different from the reference temperature that becomes the reference in the actual use environment, the laser emission time is corrected using a life factor that deviates from the life factor “1”. End up. Therefore, there is a difference between the progress of the accumulated laser emission time and the progress of the real time, and the user determines how much the semiconductor laser is used to reach the replacement time based on the accumulated laser emission time. It becomes difficult.
そこで、本発明者は検討を重ねた結果、図1に示す方法を想起するに至った。まず、半導体レーザの実使用環境下における平均温度を算出し、算出された平均温度が基準温度となるように上述の温度テーブルを変換する。すなわち、算出された平均温度において、温度テーブルの寿命係数が「1」となるように温度テーブルを変換する。 Thus, as a result of repeated studies, the present inventor has come up with the method shown in FIG. First, the average temperature in the actual use environment of the semiconductor laser is calculated, and the above-described temperature table is converted so that the calculated average temperature becomes the reference temperature. That is, the temperature table is converted so that the lifetime coefficient of the temperature table becomes “1” at the calculated average temperature.
そして、上述のようにして変換された温度テーブルから半導体レーザの温度に対応した寿命係数を抽出し、抽出された寿命係数を用いてレーザ発光時間を補正し、補正されたレーザ発光時間を累積する。この方法では、実使用環境下の平均温度が基準温度となるため、寿命係数「1」近傍の寿命係数を用いてレーザ発光時間を補正することになる。したがって、累積されたレーザ発光時間の進行と実時間の進行との間に大きな違いが生じることがなく、半導体レーザをどの程度使用すると交換時期に達するかを、累積されたレーザ発光時間に基づいてユーザがより正確に判断することができる。なお、半導体レーザの温度を代入することにより寿命係数を導出する温度補正関数f(T)を、温度テーブルに代えてメモリ記憶しておき、この温度補正関数f(T)を用いてレーザ発光時間を補正するようにしてもよい。 Then, a lifetime coefficient corresponding to the temperature of the semiconductor laser is extracted from the temperature table converted as described above, the laser emission time is corrected using the extracted lifetime coefficient, and the corrected laser emission time is accumulated. . In this method, since the average temperature in the actual use environment becomes the reference temperature, the laser emission time is corrected using the life coefficient near the life coefficient “1”. Therefore, there is no significant difference between the progress of the accumulated laser emission time and the progress of the real time, and how much the semiconductor laser is used to reach the replacement time based on the accumulated laser emission time. The user can judge more accurately. A temperature correction function f (T) for deriving a lifetime coefficient by substituting the temperature of the semiconductor laser is stored in memory instead of the temperature table, and the laser emission time is calculated using this temperature correction function f (T). May be corrected.
図2は、この発明の第1の実施形態による寿命提示回路の一構成例を示すブロック図である。図2に示すように、この寿命提示回路は、半導体レーザ1の温度を検出する温度検出手段2、レーザ駆動回路3、タイマ4、ROM(Read Only Memory)5、表示手段6および制御部20を備える。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration of the life presentation circuit according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, this life presentation circuit includes a temperature detection means 2 for detecting the temperature of the semiconductor laser 1, a
半導体レーザ1は、例えばGaN/GaInN系半導体レーザなどのIII族窒化物半導体レーザであり、例えば波長395nm〜415nm、より具体的には405nmのレーザ光を出射可能に構成されている。 The semiconductor laser 1 is a group III nitride semiconductor laser such as a GaN / GaInN semiconductor laser, and is configured to emit laser light having a wavelength of 395 nm to 415 nm, more specifically 405 nm, for example.
温度検出手段2は、半導体レーザ1の温度を検出し、検出した温度を制御部20に供給する。レーザ駆動回路3は、外部らか供給される信号に基づき、半導体レーザ1を制御する。タイマ4は、時間を計測し、計測した時間を制御部20に供給する。制御部20は、寿命提示回路に備えられた各部を制御する。例えば、各部を制御することにより、後述する寿命提示動作などを行う。
The temperature detection unit 2 detects the temperature of the semiconductor laser 1 and supplies the detected temperature to the
ROM5は、温度テーブルおよび動作保証時間を記憶する。温度テーブルは、半導体レーザ1の温度と、半導体レーザ1に温度に対応する寿命係数とが関係付けられたテーブルである。ROM5としては、データ書換に対応することを考慮すると、EEPROM(Electrical Erasable Programmable ROM)などの書換可能なROMを用いることが好ましい。
The
この温度テーブルは、例えば以下のようにして作成される。まず、半導体レーザメーカにより提示された半導体レーザ1の「寿命温度特性」に基づき温度テーブルを作成する。そして、半導体レーザ1の実使用環境下における平均温度を算出し、算出された平均温度が基準温度となるように上述の温度テーブルを変換する。すなわち、算出された平均温度において、温度テーブルの寿命係数が「1」となるように温度テーブルを変換する。 This temperature table is created as follows, for example. First, a temperature table is created based on the “life temperature characteristics” of the semiconductor laser 1 presented by the semiconductor laser manufacturer. Then, the average temperature in the actual use environment of the semiconductor laser 1 is calculated, and the above-described temperature table is converted so that the calculated average temperature becomes the reference temperature. That is, the temperature table is converted so that the lifetime coefficient of the temperature table becomes “1” at the calculated average temperature.
図3は、ROM5に記憶された温度テーブルの一例を示す略線図である。温度中心は、例えば、温度範囲a≦T<bに半導体レーザ1の温度があるときに代表となる温度である。寿命係数kは、レーザ発光時間に対して重み付けを行うための重み付け係数であり、例えば、温度中心でのレーザ発光時間に対する重み付け係数である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a temperature table stored in the
動作保証時間は、実使用環境下での平均温度における半導体レーザ1の動作を保証するための時間であり、例えば半導体メーカにより予め定められる。この動作保証時間は、半導体レーザ1を搭載する装置やその装置の使用環境に応じて規定することが好ましく、半導体レーザ1の劣化により生じる問題をより確実に回避するためには、最大限許容される動作保証時間よりも短くすることが好ましい。 The operation guarantee time is a time for guaranteeing the operation of the semiconductor laser 1 at an average temperature in an actual use environment, and is predetermined by, for example, a semiconductor manufacturer. This guaranteed operation time is preferably defined in accordance with the device on which the semiconductor laser 1 is mounted and the use environment of the device. In order to avoid problems caused by the deterioration of the semiconductor laser 1 more reliably, the operation guarantee time is allowed to the maximum. It is preferable to make it shorter than the guaranteed operation time.
表示手段6は、例えば、液晶表示部を備え、この液晶表示部に制御部20から供給される信号に基づき各種情報を表示する。例えば、累積されたレーザ発光時間および動作保証時間などを表示する。動作保証時間は、例えば図示を省略した操作部を適宜操作することにより表示される。
The display means 6 includes, for example, a liquid crystal display unit, and displays various information on the liquid crystal display unit based on a signal supplied from the
図4は、この発明の第1の実施形態による寿命提示回路の寿命提示動作の一例について説明するためのフローチャートである。 FIG. 4 is a flowchart for explaining an example of the life presentation operation of the life presentation circuit according to the first embodiment of the present invention.
ステップS11において、温度検出手段2より供給される温度Tが、変換後の温度テーブルの温度範囲a≦T<b(図3参照)のうち、どの範囲内に属するかを判断する。 In step S11, a determination is made as to which range the temperature T supplied from the temperature detection means 2 belongs to within the temperature range a ≦ T <b (see FIG. 3) of the converted temperature table.
ステップS12において、ステップS11にて判断された温度範囲に対応する寿命係数kを温度テーブルから抽出する。 In step S12, the life coefficient k corresponding to the temperature range determined in step S11 is extracted from the temperature table.
ステップS13において、ステップS12にて抽出された寿命係数kを用いてレーザ発光時間Δtを補正する。具体的には、レーザ発光時間Δtに対して、寿命係数kの逆数1/kを乗じる。 In step S13, the laser emission time Δt is corrected using the lifetime coefficient k extracted in step S12. Specifically, the laser emission time Δt is multiplied by the reciprocal 1 / k of the life coefficient k.
ステップS14において、累積値Σ(Δt×1/k)を算出する。ステップS15において、累積値Σ(Δt×1/k)を表示手段6に表示する。 In step S14, a cumulative value Σ (Δt × 1 / k) is calculated. In step S15, the cumulative value Σ (Δt × 1 / k) is displayed on the display means 6.
ステップS16において、累積値Σ(Δt×1/k)が、ROM5に記憶された動作保証時間を越えているか否かを判別する。ステップS16にて動作保証時間を越えていると判別したときには、ステップS17において、半導体レーザ1が寿命に達していることをユーザに促す情報を表示手段6に表示する。ステップS16にて動作保証時間を越えていないと判別したときには、ステップS11に処理を戻す。
In step S16, it is determined whether or not the cumulative value Σ (Δt × 1 / k) exceeds the operation guarantee time stored in the
図5は、この発明の第1の実施形態による寿命提示回路を備えた記録再生装置の一構成例を示す。光ディスクDは、基板上に、例えば、情報信号部、光透過層を順次積層してなる。この光ディスクの情報信号の記録再生は、例えば、400nm以上410nm以下の範囲の波長にあるレーザ光を、0.84以上0.86以下の範囲の開口数を有する光学レンズにより集光し、光透過層側から情報信号部に照射することにより行われる。 FIG. 5 shows an example of the configuration of a recording / reproducing apparatus provided with a life presentation circuit according to the first embodiment of the present invention. The optical disc D is formed by sequentially laminating, for example, an information signal portion and a light transmission layer on a substrate. For recording / reproducing information signals on this optical disc, for example, laser light having a wavelength in the range of 400 nm to 410 nm is condensed by an optical lens having a numerical aperture in the range of 0.84 to 0.86, and transmitted through the light. This is performed by irradiating the information signal portion from the layer side.
記録時には、光ディスクDに記録するための記録データが、ECC(Error Correction Coding)部19およびメモリコントローラ17を介してメモリ18に溜め込まれる。メモリコントローラ17は、制御部20の制御に基づきメモリ18に対するアクセスを制御する。なお、制御部20は、マイクロコンピュータからなり、記録再生装置を制御する。
At the time of recording, recording data to be recorded on the optical disc D is stored in the
メモリ18に溜め込まれた記録データに対して、ECC部19によりエラー訂正単位毎にエラー訂正符号が生成される。ビデオデータおよびオーディオデータに対するエラー訂正符号としては、積符号を使用することができる。積符号は、ビデオデータまたはオーディオデータの2次元配列の縦方向に外符号の符号化を行い、その横方向に内符号の符号化を行い、データシンボルを2重に符号化するものである。外符号および内符号としては、リードソロモンコード(Reed-Solomon code) を使用できる。積符号で完結するデータ単位をECCブロックと称する。ECCブロックは、例えば64kバイト(65536バイト)のサイズを有する。メモリコントローラ17は、メモリ18からECCブロックを読み出し、変調/復調部16に記録データとして供給する。変調/復調部16は、この記録データを変調して記録信号を生成し、レーザ駆動回路3に供給する。
For the recording data stored in the
ピックアップ部13は、半導体レーザ1、光電変換素子21および温度検出手段22を備える。半導体レーザ1は、レーザ駆動回路3から供給される記録信号に基づきレーザ光を出力して、スピンドルモータ12により回転駆動される光ディスクDに記録信号を記録する。
The
光電変換素子2は、光ディスクDからの反射光を光電変換して電流信号を生成し、RF(Radio Frequency)アンプ14に供給する。RFアンプ14は、光電変換素子21からの電流信号に基づいて、フォーカス誤差信号およびトラッキング誤差信号、ならびに、再生信号を生成し、トラッキング誤差信号およびフォーカス誤差信号をサーボ制御部15に供給する。また、RFアンプ14は、再生時に再生信号を変調/復調部16に供給する。
The photoelectric conversion element 2 photoelectrically converts the reflected light from the optical disc D to generate a current signal and supplies it to an RF (Radio Frequency) amplifier 14. The RF amplifier 14 generates a focus error signal, a tracking error signal, and a reproduction signal based on the current signal from the
レーザ光の照射位置は、サーボ制御部15からピックアップ部13に供給されるサーボ信号により所定の位置に制御される。すなわち、サーボ制御部15は、フォーカスサーボ動作やトラッキングサーボ動作の制御を行う。具体的には、サーボ制御部15は、RFアンプ14からのフォーカス誤差信号とトラッキング誤差信号に基づいてフォーカスサーボ信号とトラッキングサーボ信号をそれぞれ生成し、ピックアップ部13のアクチュエータ(図示しない)に供給する。またサーボ制御部15は、スピンドルモータ12を駆動するスピンドルモータ駆動信号を生成して、光ディスクDを所定の回転速度で回転させるスピンドルサーボ動作の制御を行う。
The irradiation position of the laser beam is controlled to a predetermined position by a servo signal supplied from the
さらにサーボ制御部15は、ピックアップ部13を光ディスクDの径方向に移動させてレーザ光の照射位置を変えるスレッド制御を行う。なお、光ディスクDの信号読み出し位置の設定は、制御部20によって行われ、設定された読み出し位置から信号を読み出すことができるように、ピックアップ部13の位置が制御される。
Further, the
スピンドルモータ12は、サーボ制御部15からのスピンドルモータ駆動信号に基づいて、光ディスクDを線速度一定のCLV(Constant Linear Velocity)、または、角速度一定のCAV(Constant Angler Velocity)で回転駆動する。スピンドルモータ12の駆動方式は、制御部20からの制御信号に基づき、CLVおよびCAVとで切り替え可能とされている。
Based on the spindle motor drive signal from the
再生時には、ピックアップ部13が光ディスクDにレーザ光を集光して照射し、光ディスクDからの反射光を光電変換した電流信号をRFアンプ14に供給する。変調/復調部16は、RFアンプ14から供給された再生信号を復調して再生データを生成し、メモリコントローラ17に供給する。メモリコントローラ17は、供給された再生データをメモリ18に書き込む。メモリ18からECCブロック単位で再生データが読み出され、ECC部19に供給される。
At the time of reproduction, the
ECC部19は、供給されたECCブロック単位の再生データのエラー訂正符号を復号化してエラー訂正を行う。エラー訂正符号の持つエラー訂正能力を超えてエラーが検出されたときは、エラー訂正を行わずに、エラー訂正単位に対してエラーフラグを立てる。
The
この発明の第1の実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
半導体レーザ1の実使用環境下における平均温度が基準温度となるように温度テーブルを変換するので、累積された発光時間の進行と実時間の進行との間に大きな違いが生じることがなく、半導体レーザ1をどの程度使用すると交換時期に達するかを、表示手段6に表示されたレーザ発光時間の累積値に基づいてユーザがより正確に判断することができる。
According to the first embodiment of the present invention, the following effects can be obtained.
Since the temperature table is converted so that the average temperature in the actual use environment of the semiconductor laser 1 becomes the reference temperature, there is no significant difference between the progress of the accumulated light emission time and the progress of the real time. The user can more accurately determine how much the laser 1 is used and the time for replacement based on the accumulated value of the laser emission time displayed on the display means 6.
次に、この発明の第2の実施形態について説明する。上述の第1の実施形態では、ROM5に温度テーブルを記憶している場合を例として説明したが、この発明の第2の実施形態では、ROM5に温度補正関数f(T)を記憶している場合を例として説明する。
Next explained is the second embodiment of the invention. In the first embodiment described above, the temperature table is stored in the
ROM5に記憶された温度補正関数は、例えば以下のようにして定義される。まず、例えばメーカにより提示された複数の温度補正係数に基づき温度補正関数f′(T)を定義する。
The temperature correction function stored in the
図6は、温度補正関数f′(T)の一例を示すグラフである。この温度補正関数f′(T)は、基準温度60℃のときに、寿命係数が「1」となるように定義されている。 FIG. 6 is a graph showing an example of the temperature correction function f ′ (T). The temperature correction function f ′ (T) is defined such that the life coefficient is “1” when the reference temperature is 60 ° C.
次に、実使用環境下における平均温度に対応する寿命係数が「1」となるように温度補正関数f′(T)を変換して、温度補正関数f(T)を得る。 Next, the temperature correction function f ′ (T) is converted so that the life coefficient corresponding to the average temperature in the actual use environment is “1”, and the temperature correction function f (T) is obtained.
図7は、温度補正関数f(T)の一例を示すグラフである。この温度補正関数f(T)は、基準温度が53℃のときに、寿命係数が1となるように定義されている。温度補正関数f(T)は、図7に示すように、温度が上昇するに従って単調に減少しており、温度Tを与えることにより一義的に寿命係数が定まる。 FIG. 7 is a graph showing an example of the temperature correction function f (T). The temperature correction function f (T) is defined so that the life factor is 1 when the reference temperature is 53 ° C. As shown in FIG. 7, the temperature correction function f (T) monotonously decreases as the temperature rises, and by giving the temperature T, the life coefficient is uniquely determined.
これ以外の構成は、上述の第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。 Since the configuration other than this is the same as that of the first embodiment described above, description thereof is omitted.
図8は、この発明の第2の実施形態による寿命提示回路の寿命提示動作について説明するためのフローチャートである。 FIG. 8 is a flowchart for explaining the life presentation operation of the life presentation circuit according to the second embodiment of the present invention.
ステップS21において、温度検出手段2より供給される温度Tを温度補正関数f(T)に代入して、寿命係数f(T)を算出する。 In step S21, the lifetime coefficient f (T) is calculated by substituting the temperature T supplied from the temperature detecting means 2 into the temperature correction function f (T).
ステップS22において、ステップS21にて算出された寿命係数f(T)を用いて、レーザ発光時間Δtを補正する。具体的には、レーザ発光時間Δtに対して、寿命係数f(T)の逆数を乗じる。 In step S22, the laser emission time Δt is corrected using the lifetime coefficient f (T) calculated in step S21. Specifically, the laser emission time Δt is multiplied by the reciprocal of the life coefficient f (T).
ステップS23において、累積値Σ(Δt×1/f(T))を算出する。ステップS24において、累積値Σ(Δt×1/f(T))を表示手段6に表示する。 In step S23, a cumulative value Σ (Δt × 1 / f (T)) is calculated. In step S24, the cumulative value Σ (Δt × 1 / f (T)) is displayed on the display means 6.
ステップS25において、累積値Σ(Δt×1/f(T))が、ROM5に記憶された動作保証時間を越えているか否かを判別する。ステップS25にて動作保証時間を越えていると判別したときには、ステップS26において、半導体レーザ1が寿命に達していることをユーザに促す情報を表示手段6に表示する。ステップS25にて動作保証時間を越えていないと判別したときには、ステップS21に処理を戻す。
In step S25, it is determined whether or not the cumulative value Σ (Δt × 1 / f (T)) exceeds the operation guarantee time stored in the
この発明の第2の実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
温度補正関数f(T)に半導体レーザ1の温度を代入して寿命係数を算出するので、連続的な値を有する寿命係数を用いてレーザ発光時間Δtを補正することができる。よって、第1の実施形態よりも正確にレーザ発光時間を補正することができる。すなわち、第1の実施形態よりも正確に累積値を補正することができる。
According to the second embodiment of the present invention, the following effects can be obtained.
Since the lifetime coefficient is calculated by substituting the temperature of the semiconductor laser 1 into the temperature correction function f (T), the laser emission time Δt can be corrected using the lifetime coefficient having a continuous value. Therefore, the laser emission time can be corrected more accurately than in the first embodiment. That is, the accumulated value can be corrected more accurately than in the first embodiment.
以上、この発明の第1および2実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の第1および第2の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。 Although the first and second embodiments of the present invention have been specifically described above, the present invention is not limited to the first and second embodiments described above, and various types based on the technical idea of the present invention. Can be modified.
例えば、上述の第1および第2の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。 For example, the numerical values given in the first and second embodiments are merely examples, and different numerical values may be used as necessary.
また、上述の第1および第2の実施形態では、半導体レーザのレーザ発光時間を補正する寿命提示回路に対してこの発明を適用した例について示したが、半導体レーザ以外の発光時間を補正する寿命提示回路に対してもこの発明は適用可能である。例えば、発光ダイオード、高圧水銀ランプなどの発光手段の発光時間を累積する寿命提示回路に対してもこの発明は適用可能である。また、本発明は、発光手段に限らず、これ以外の、寿命が温度に依存する電子デバイスに対しても適用可能である。 In the above-described first and second embodiments, the example in which the present invention is applied to the lifetime presenting circuit for correcting the laser emission time of the semiconductor laser has been described. The present invention is also applicable to the presentation circuit. For example, the present invention is also applicable to a life presentation circuit that accumulates the light emission time of light emitting means such as a light emitting diode and a high-pressure mercury lamp. The present invention is not limited to the light emitting means, but can be applied to other electronic devices whose lifetime depends on temperature.
また、上述の第1および第2の実施形態では、光学ピックアップを1つ備える記録再生装置に対してこの発明を適用した例について示したが、2以上の光学ピックアップを備える記録再生装置に対してこの発明を適用することも可能である。この場合、各光学ピックアップに備えられた半導体レーザに応じた温度テーブルまたは温度補正関数f(T)をROMに記憶するようにする。 In the first and second embodiments described above, an example in which the present invention is applied to a recording / reproducing apparatus having one optical pickup has been described. However, for a recording / reproducing apparatus having two or more optical pickups. It is also possible to apply this invention. In this case, a temperature table or a temperature correction function f (T) corresponding to the semiconductor laser provided in each optical pickup is stored in the ROM.
また、上述の第1および第2の実施形態では、レーザ発光時間の累積値を表示手段に表示する例について説明したが、半導体レーザの取替時期までの残時間を表示手段に表示するようにしてもよい。 In the first and second embodiments described above, the example in which the accumulated value of the laser emission time is displayed on the display means has been described. However, the remaining time until the replacement time of the semiconductor laser is displayed on the display means. May be.
また、上述の第1および第2の実施形態では、実使用環境下での平均温度が基準温度になるように予め変換された温度テーブルおよび温度補正関数をROM5に記憶しておく例について示したが、実使用環境下における平均温度を算出し、算出された平均温度に基づき温度テーブルおよび温度補正関数を変換する処理を、温度提示回路において行うようにしてもよい。
In the first and second embodiments described above, an example in which a temperature table and a temperature correction function converted in advance so that the average temperature under the actual use environment becomes the reference temperature is stored in the
1・・・半導体レーザ、2・・・温度検出手段、3・・・レーザ駆動回路、4・・・タイマ、5・・・ROM、6・・・表示手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor laser, 2 ... Temperature detection means, 3 ... Laser drive circuit, 4 ... Timer, 5 ... ROM, 6 ... Display means
Claims (10)
上記電子デバイスの稼動時間を計測する計測手段と、
実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、上記電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段と、
上記導出手段を用いて、上記温度検出手段により検出された上記電子デバイスの温度から重み付け係数を導出し、導出された上記重み付け係数を用いて上記稼動時間を補正し、補正された上記稼動時間を累積する累積手段と、
累積された上記稼動時間を表示する表示手段と
を備え、
上記導出手段は、上記電子デバイスの稼動時の温度と、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数とが関係付けられた温度テーブル、または上記電子デバイスの稼動時の温度を代入することにより、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を導出する温度補正関数である寿命提示回路。 Temperature detecting means for detecting the temperature of an electronic device whose lifetime depends on temperature;
Measuring means for measuring the operating time of the electronic device;
Deriving means for deriving a weighting coefficient according to the deviation from the average temperature of the actual use environment from the temperature at the time of operation of the electronic device,
Using the deriving means, a weighting coefficient is derived from the temperature of the electronic device detected by the temperature detecting means, the operating time is corrected using the derived weighting coefficient, and the corrected operating time is calculated. Accumulating means for accumulating;
Display means for displaying the accumulated operating time , and
The deriving means substitutes a temperature table in which a temperature at the time of operation of the electronic device and a weighting coefficient according to a deviation from an average temperature in an actual use environment are related, or a temperature at the time of operation of the electronic device. it the temperature correction function der Ru life presentation circuit for deriving a weighting factor corresponding to the deviation from the average temperature of the actual use environment.
上記電子デバイスの稼動時間を計測するステップと、
実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、上記電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段を用いて、上記検出ステップにより検出された上記電子デバイスの温度から重み付け係数を導出するステップと、
導出された上記重み付け係数を用いて上記稼動時間を補正し、補正した上記稼動時間を累積するステップと
累積された上記稼動時間を表示するステップと
を備え、
上記導出手段は、上記電子デバイスの稼動時の温度と、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数とが関係付けられた温度テーブル、または上記電子デバイスの稼動時の温度を代入することにより、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を導出する温度補正関数である寿命提示方法。 Detecting the temperature of an electronic device whose lifetime depends on temperature;
Measuring the operating time of the electronic device;
Deriving means for deriving the weighting coefficient according to the deviation from the average temperature in the actual use environment from the temperature at the time of operation of the electronic device, and deriving the weighting coefficient from the temperature of the electronic device detected by the detection step. And steps to
Correcting the operating time using the derived weighting factor, accumulating the corrected operating time, and displaying the accumulated operating time .
The deriving means substitutes a temperature table in which a temperature at the time of operation of the electronic device and a weighting coefficient according to a deviation from an average temperature in an actual use environment are related, or a temperature at the time of operation of the electronic device. it the temperature correction function der Ru life presentation method of deriving a weighted coefficient corresponding to the deviation from the average temperature of the actual use environment.
上記光ディスクにより反射された上記レーザ光を受光し、受光した上記レーザ光に応じた信号を出力する受光手段と、
上記半導体レーザに供給する記録信号の処理および、上記受光手段から供給された再生信号の処理を行う信号処理手段と、
上記半導体レーザの温度を検出する温度検出手段と、
上記半導体レーザの稼動時間を計測する計測手段と、
実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、上記半導体レーザの稼動時の温度から導出する導出手段と、
上記導出手段を用いて、上記温度検出手段により検出された上記半導体レーザの温度から重み付け係数を導出し、導出された上記重み付け係数を用いて上記稼動時間を補正し、補正された上記稼動時間を累積する累積手段と、
累積された上記稼動時間を表示する表示手段と
を備え、
上記導出手段は、上記半導体レーザの稼動時の温度と、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数とが関係付けられた温度テーブル、または上記半導体レーザの稼動時の温度を代入することにより、実使用環境の平均温度からのズレに応じた重み付け係数を導出する温度補正関数である記録再生装置。 A semiconductor laser that emits laser light to the signal surface of a recordable optical disc;
A light receiving means for receiving the laser beam reflected by the optical disc and outputting a signal corresponding to the received laser beam;
Signal processing means for processing a recording signal supplied to the semiconductor laser and processing a reproduction signal supplied from the light receiving means;
Temperature detecting means for detecting the temperature of the semiconductor laser;
Measuring means for measuring the operating time of the semiconductor laser;
A deriving means for deriving a weighting coefficient according to a deviation from the average temperature of the actual use environment from the temperature at the time of operation of the semiconductor laser;
Using the deriving means, a weighting coefficient is derived from the temperature of the semiconductor laser detected by the temperature detecting means, the operating time is corrected using the derived weighting coefficient, and the corrected operating time is obtained. Accumulating means for accumulating;
Display means for displaying the accumulated operating time , and
The deriving means substitutes a temperature table in which a temperature during operation of the semiconductor laser is associated with a weighting coefficient corresponding to a deviation from an average temperature in an actual use environment, or a temperature during operation of the semiconductor laser. it the temperature correction function der Ru recording and reproducing apparatus for deriving a weighting factor corresponding to the deviation from the average temperature of the actual use environment.
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