JP4584783B2 - 基板処理装置および基板処理方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構造を示す模式図である。この実施形態では、例えばフォトリソグラフィー技術等により所定の回路パターンが形成されている複数の半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)を一括して所定の薬液で処理し、その後に純水(DIW)によるリンス処理を行い、さらに乾燥を行う装置を例に挙げて説明する。
まず、洗浄処理の第1の例について説明する。図3は、洗浄処理の第1の例のフローチャートである。
最初に、液処理槽6とチャンバ5とをシャッタ10により隔離し(STEP1a)、チャンバ5内が窒素ガスで満たされ、かつ、その内部圧力が大気圧と同じ状態とし(STEP1b)、一方、液処理槽6の内槽30に所定の薬液が貯留された状態とする(STEP1c)。この状態で、ウエハガイド4の保持部26は乾燥処理部3に配置されている。
この実施形態では本発明を枚様式の基板洗浄装置に適用した例について説明する。図6は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装置111は、チャンバー112を有し、このチャンバー112の中には、基板である半導体ウエハWを水平状態で吸着保持するためのスピンチャック113が設けられている。このスピンチャック113は、モーター114により回転可能となっている。また、チャンバー112内には、スピンチャック113に保持されたウエハWを覆うようにカップ115が設けられている。カップ115の底部には、排気および排液のための排気・排液管116が、チャンバー112の下方へ延びるように設けられている。
2;液処理部
3;乾燥処理部
4;ウエハガイド
5;チャンバ
6;液処理槽
10;シャッタ
30;内槽
71;流体ノズル
72;窒素ガスノズル
99,142;制御部
120;処理液供給ノズル
130;洗浄・乾燥ノズル
133;純水供給源
135;IPA供給源
Claims (12)
- 基板の表面に純水を接触させて液処理を行う液処理機構と、
基板を乾燥するために、基板の表面に純水と揮発性有機溶剤とからなる混合流体を供給する流体供給機構と、
前記混合流体の供給を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、前記流体供給機構から基板に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、前記流体供給機構から基板に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が、最初が40%以下、最後が90%以上となるように制御することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 貯留された純水に基板を浸して処理する液処理部と、
前記液処理部の上方に設けられ、基板を乾燥させる乾燥処理部と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、
純水の水蒸気またはミストと揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を前記乾燥処理部に供給する流体供給機構と、
前記混合流体の供給を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、前記流体供給機構から前記乾燥処理部に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 貯留された純水に基板を浸して処理する液処理部と、
前記液処理部の上方に設けられ、基板を乾燥させる乾燥処理部と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、
純水の水蒸気またはミストと揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を前記乾燥処理部に供給する流体供給機構と、
前記混合流体の供給を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止する前に、その供給を連続的または段階的に減少させることにより、前記流体供給機構から前記乾燥処理部に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板を前記乾燥処理部に向けて引き上げ、当該基板の下端が貯留された純水の表面から出た後に、前記乾燥処理部に前記混合流体を供給するように、前記基板搬送機構および前記流体供給機構を制御することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記乾燥処理部への前記混合流体の供給を開始してから所定時間が経過した後に、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止するように、前記流体供給機構を制御する請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記乾燥処理部への前記混合流体の供給を開始した後に、その供給を続けながら、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板を前記乾燥処理部に向けて引き上げるように、前記基板搬送装置および前記流体供給機構を制御することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板を前記乾燥処理部に向けて引き上げる際に、当該基板の下端が貯留された純水の表面から出た後に前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止するように、前記流体供給機構を制御することを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記液処理部と前記乾燥処理部とを隔離可能なシャッタをさらに具備し、
前記制御部は、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板が完全に前記乾燥処理部へと引き上げられた後に前記シャッタによって前記液処理部と前記乾燥処理部とを隔離し、その後に前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止するように、前記シャッタおよび流体供給機構を制御することを特徴とする請求項3から請求項8のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記流体供給機構から前記乾燥処理部に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が、最初が40%以下、最後が90%以上となるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする請求項3から請求項9のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥処理部へ加熱された不活性ガスを供給するガス供給機構をさらに具備し、
前記制御部は、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給が停止されて所定時間が経過した後に前記乾燥処理部への揮発性有機溶剤の蒸気またはミストの供給を停止し、その後に前記乾燥処理部へ加熱された不活性ガスを供給するように、前記流体供給機構と前記ガス供給機構とを制御することを特徴とする請求項3から請求項10のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記揮発性有機溶剤はイソプロピルアルコール(IPA)であることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の基板処理装置。
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