JP4580258B2 - エッチング用組成物及びエッチング処理方法 - Google Patents
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Description
すなわち本発明は、0.1重量%のフッ化アンモニウムと、10重量%の塩化水素酸と、水とからなるハフニウムシリケートまたは窒化ハフニウムシリケートのエッチング用組成物である。また、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸から成る群より選ばれる少なくとも一種である0.06〜1.5重量%のフッ化物と、塩化水素酸及び/又は塩化アンモニウムである10〜30重量%の塩化物と、5〜10重量%のリン酸と、水とからなるハフニウムシリケートまたは窒化ハフニウムシリケートのエッチング用組成物である。
また、上記したエッチング用組成物を、基板上に形成されたハフニウムシリケートまたは窒化ハフニウムシリケートからなる被膜をエッチングするときに使用するものである。
また、本発明のエッチング用組成物を用いて、表面にハフニウム化合物からなる被膜が形成された基板をエッチング処理するときは、酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく選択的にハフニウム化合物をエッチングすることができる。
本発明のエッチング用組成物に含まれるフッ化物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化ケイ素から成る群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。これらのフッ化物の中でフッ化アンモニウム、フッ化ケイ素では、半導体材料にダメージが小さく、特に有用である。
図1は、枚葉式の基板処理装置の構成の一例を示す要部概略正面図である。
この基板処理装置は、表面にハフニウム化合物からなる被膜が形成されたシリコンウエハWを水平姿勢に保持するウエハ保持部10、及び、ウエハ保持部10の下面中心部に垂設された回転支軸12を備えている。
ウエハ保持部10は、回転支軸12に連結されたスピンモータ(図示せず)によって鉛直軸周りに水平面内で回転させられる。そして、ウエハ保持部10に保持されたウエハWが、ウエハ保持部10と一体的に回転するように構成されている。また、図示していないが、ウエハ保持部10の周囲には、ウエハ保持部10の側方及び下方を取り囲むようにカップが配設されており、このカップにより、ウエハW上から周囲へ飛散したり下方へ流下したりするエッチング液が捕集されて回収される。
この基板処理装置は、上部が開口しエッチング液16が貯留される処理槽18を備えている。処理槽18の下部にはエッチング液供給口20が形設されている。処理槽18の上部外周には、処理槽18の上部から溢れ出たエッチング液が流れ込む溢流液槽22が一体的に設けられている。また、この装置は、表面にハフニウム化合物からなる被膜が形成された複数枚のシリコンウエハWを処理槽18内で保持するリフタ24を備えており、複数枚のウエハWは、リフタ24により保持されて処理槽18内へ挿入されまた処理槽18内から排出される。
そして、通常は、開閉制御弁40が開かれ開閉制御弁42が閉じられて、処理槽18内から溢流液槽22を経て排出されたエッチング液は、エッチング液循環用配管36を通ってエッチング液供給用配管26へ戻され、エッチング液供給用配管26を通って処理槽18内へ再び供給されて、循環使用される。また、エッチング液供給用配管26、処理槽18及びエッチング液循環用配管36を通してエッチング液を循環させながら、必要によりヒータ32によってエッチング液を加熱する。
また、本発明のエッチング用組成物を使用し、ハフニウム化合物をエッチングする際、超音波などを使用し、エッチングを促進しても良い。
SiF:フッ化ケイ素(ケイ酸にフッ化水素酸を反応させて製造したもの。)
AF:フッ化アンモニウム
HCl:塩化水素酸
HF:フッ化水素
AC:塩化アンモニウム
PA:リン酸(オルトリン酸)
IPA:2−プロパノール
HfSiOx:ハフニウムシリケート
HfSiONx:窒化ハフニウムシリケート
SiOx:酸化シリコン
SiN:窒化シリコン
HfSiOx、HfSiONxをCVD(化学気相成長)法で10nmの厚みで成膜したシリコンウエハ基板、熱酸化膜(SiOx)を300nmの厚みで形成したシリコン基板、及びSiNを100nmの厚みで形成したシリコン基板を、ポリエチレン容器に入れた表1記載のエッチング用組成物の中にそれぞれ浸漬した(10分間浸漬)。その後、水洗、乾燥の後、光学式膜厚測定装置で浸漬前後のHfSiOx,HfSiONx,SiOx、SiNの膜厚を測定し、エッチング速度を求めた。なお、表1の組成物において、残部は水である。
また、実施例1〜15のエッチング液、比較例1〜3のエッチング液の引火点を測定したところ、実施例1〜15及び比較例1のエッチング液は引火点が無かったが、比較例2のエッチング液の引火点は12℃であった。
12 回転支軸
14 ノズル
16 エッチング液
18 処理槽
20 エッチング液供給口
22 溢流液槽
24 リフタ
26 エッチング液供給用配管
28 ポンプ
30 フィルタ
32 ヒータ
34 流出管
36 エッチング液循環用配管
38 排液管
40 開閉制御弁
42 開閉制御弁
W シリコンウエハ
Claims (5)
- 0.1重量%のフッ化アンモニウムと、10重量%の塩化水素酸と、水とからなるハフニウムシリケートまたは窒化ハフニウムシリケートのエッチング用組成物。
- フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸から成る群より選ばれる少なくとも一種である0.06〜1.5重量%のフッ化物と、塩化水素酸及び/又は塩化アンモニウムである10〜30重量%の塩化物と、5〜10重量%のリン酸と、水とからなるハフニウムシリケートまたは窒化ハフニウムシリケートのエッチング用組成物。
- 基板上に形成されたハフニウムシリケートまたは窒化ハフニウムシリケートからなる被膜を、エッチング用組成物を用いてエッチングする基板のエッチング処理方法において、
前記エッチング用組成物として、0.1重量%のフッ化アンモニウムと、10重量%の塩化水素酸と、水とからなる組成物を使用することを特徴とする基板のエッチング処理方法。 - 基板上に形成されたハフニウムシリケートまたは窒化ハフニウムシリケートからなる被膜を、エッチング用組成物を用いてエッチングする基板のエッチング処理方法において、
前記エッチング組成物として、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸から成る群より選ばれる少なくとも一種である0.06〜1.5重量%のフッ化物と、塩化水素酸及び/又は塩化アンモニウムである10〜30重量%の塩化物と、5〜10重量%のリン酸と、水とからなる組成物を使用することを特徴とする基板のエッチング処理方法。 - 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに回転させつつ、基板の表面へ前記エッチング用組成物を供給する請求項3または4に記載の基板のエッチング処理方法。
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