JP4579654B2 - 半導体発光装置及びその製造方法、並びに半導体発光装置を備えた照明モジュール及び照明装置 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法、並びに半導体発光装置を備えた照明モジュール及び照明装置 Download PDFInfo
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Description
D. Morita, et.al, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002)pp. L143
以下に、本発明の第1の実施形態に係る半導体発光装置の構造について、図1(a) 及び(b) を参照しながら説明する。
以下に、本発明の第2の実施形態に係る半導体発光装置の構造について、図6(a) 及び(b) を参照しながら説明する。
以下に、本発明の第3の実施形態に係る半導体発光装置の構造について、図9を参照しながら説明する。
以下に、本発明の第4の実施形態に係る半導体発光装置の構造について、図11を参照しながら説明する。
以下に、本発明の第5の実施形態に係る半導体発光装置の構造について、図12を参照しながら説明する。
以下に、本発明に係る半導体発光装置を備えた照明モジュールについて、図13を参照しながら説明する。
101、201 pn接合構造
102、202 p側オーミック電極
103 融着材料
104、203、404 支持体
101a p−GaNコンタクト層
101b p−AlGaN電流拡散層
101c p−AlGaN障壁層
101d un−AlGaN中間層
101e InGaN/AlGaN多量子井戸活性層
101f n−GaNコンタクト層
105、204、305 絶縁体膜
106、205、306 n側オーミック電極
107、206、307、407 配線メタル
108、207、408 Auメッキ層
109、208 Auワイヤ
110、209 給電用ポール
500 樹脂材料
600 ヒートシンク
601 LEDアレイ
602 固定用貫通孔
603 給電電極
604 Auワイヤ
700 反射鏡
701 固定ネジ
L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9 半導体発光素子
800 支持体
801 融着材料
802 p側オーミック電極
803 pn接合構造
804 n側オーミック電極
805 Auメッキ層
806 Auワイヤ
807 給電用ポール
Claims (23)
- 金属材料よりなる支持体と、
前記支持体の上に融着材料を介して固着され、下面に第1の電極を有すると共に上面に第2の電極を有し、少なくとも活性層を含む半導体層よりなる半導体発光素子と、
前記支持体の上面における前記半導体発光素子が存在していない部分上に形成されたパッド電極と、
前記パッド電極から前記第2の電極まで延びるように形成された配線メタルと、
前記配線メタルと前記支持体との間に形成された絶縁体膜とを備え、
前記第2の電極への給電は、前記配線メタルを介して行なわれ、
前記半導体層は、上層に前記第2の電極と接続するn型の窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されていると共に、下層に前記第1の電極と接続するp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 金属材料よりなる支持体と、
前記支持体の上に固着され、下面に第1の電極を有すると共に上面に第2の電極を有し、少なくとも活性層を含む半導体層よりなる半導体発光素子と、
前記支持体の上面における前記半導体発光素子が存在していない部分上に形成されたパッド電極と、
前記パッド電極から前記第2の電極まで延びるように形成された配線メタルと、
前記配線メタルと前記支持体との間に形成された絶縁体膜とを備え、
前記第2の電極への給電は、前記配線メタルを介して行なわれ、
前記半導体層は、上層に前記第2の電極と接続するn型の窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されていると共に、下層に前記第1の電極と接続するp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記半導体層の膜厚は30μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記配線メタルと前記半導体発光素子との間には、前記絶縁体膜が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記絶縁体膜の膜厚は100nm以上であることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。
- 前記絶縁体膜は、SiO2、SiN、TiO2、Nd2O5、Ta2O5、及びZrO2のうちから選択されるいずれか一つの種類の材料よりなる膜、又はこれらの材料のうちから選択される複数の種類の材料よりなる多層膜であることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。
- 前記融着材料は、PbSn、AuSn、AgSn、又はInSnよりなることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記支持体は、Cu、Al、Au、又はCuWよりなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記支持体の上面のうち前記半導体発光素子が存在していない領域上の面と前記半導体発光素子の側面とが成す角度は、90°よりも大きく且つ180°よりも小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記第2の電極は、前記半導体層の上面における中央付近に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記半導体発光素子の表面には、前記半導体発光素子からの発光により励起される蛍光体を含む樹脂材料が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 金属材料よりなる支持体と、
各々が、前記支持体の上に融着材料を介して固着され、下面に第1の電極を有すると共に上面に第2の電極を有し、少なくとも活性層を含む半導体層よりなる複数の半導体発光素子と、
前記支持体の上面における前記複数の半導体発光素子が存在していない部分上に形成された共通のパッド電極と、
前記パッド電極から、前記複数の半導体発光素子の各々における前記第2の電極まで延びるように形成された配線メタルと、
前記配線メタルと前記支持体との間に形成された絶縁体膜とを備え、
前記第2の電極への給電は、前記配線メタルを介して行なわれ、
前記半導体層は、上層に前記第2の電極と接続するn型の窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されていると共に、下層に前記第1の電極と接続するp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 金属材料よりなる支持体と、
各々が、前記支持体の上に固着され、下面に第1の電極を有すると共に上面に第2の電極を有し、少なくとも活性層を含む半導体層よりなる複数の半導体発光素子と、
前記支持体の上面における前記複数の半導体発光素子が存在していない部分上に形成された共通のパッド電極と、
前記パッド電極から、前記複数の半導体発光素子の各々における前記第2の電極まで延びるように形成された配線メタルと、
前記配線メタルと前記支持体との間に形成された絶縁体膜とを備え、
前記第2の電極への給電は、前記配線メタルを介して行なわれ、
前記半導体層は、上層に前記第2の電極と接続するn型の窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されていると共に、下層に前記第1の電極と接続するp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1〜13のうちいずれか1項に記載の半導体発光装置を備えることを特徴とする照明モジュール。
- 請求項14に記載の照明モジュールを備えることを特徴とする照明装置。
- 基板の上に、n型の窒化ガリウム系化合物半導体層、活性層及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層されてなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に、第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極における前記半導体層が形成されている側の面と対向している側の面の上に、融着材料を介して金属材料よりなる支持体を形成する工程と、
前記支持体の形成後に、前記半導体層と前記基板とを分離する工程と、
前記半導体層から半導体発光素子を形成する工程と、
前記半導体発光素子における前記第1の電極が形成されている側の面と対向している側の面の上に、第2の電極を形成する工程と、
前記支持体における前記融着材料を介して前記第1の電極が形成されている面における前記半導体発光素子が存在していない部分の上に、絶縁体膜を形成する工程と、
前記絶縁体膜の上から、前記第2の電極まで延びるように配線メタルを形成する工程とを備え、
前記配線メタルは前記支持体上における前記半導体発光素子が存在していない部分上にパッド電極を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 基板の上に、n型の窒化ガリウム系化合物半導体層、活性層及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層されてなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に、第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極における前記半導体層が形成されている側の面と対向している側の面の上に、金属材料よりなる支持体を形成する工程と、
前記支持体の形成後に、前記半導体層と前記基板とを分離する工程と、
前記半導体層から半導体発光素子を形成する工程と、
前記半導体発光素子における前記第1の電極が形成されている側の面と対向している側の面の上に、第2の電極を形成する工程と、
前記支持体における前記第1の電極が形成されている面における前記半導体発光素子が存在していない部分の上に、絶縁体膜を形成する工程と、
前記絶縁体膜の上から、前記第2の電極まで延びるように配線メタルを形成する工程とを備え、
前記配線メタルは前記支持体上における前記半導体発光素子が存在していない部分上にパッド電極を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記絶縁体膜を形成する工程は、前記半導体発光素子を形成する工程よりも後であって前記第2の電極を形成する工程よりも前、又は前記第2の電極を形成する工程よりも後であって前記配線メタルを形成する工程よりも前に行い、
前記絶縁体膜を形成する工程は、前記半導体発光素子の側面の上に、前記絶縁体膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項16又は17に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記半導体層の吸収端に相当する波長以下の波長を有するレーザー光を選択して、
前記基板における前記半導体層が形成されている側の面と対向している側の面に対して、前記レーザー光を照射することにより、前記半導体層と前記基板とを分離することを特徴とする請求項16又は17に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記基板は、透明基板であることを特徴とする請求項19に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記透明基板はサファイアよりなることを特徴とする請求項20に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記半導体層を構成するコンタクト層は、InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)よりなることを特徴とする請求項19に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記レーザー光は、YAG3倍高調波レーザ、KrFエキシマレーザ、及びArFエキシマレーザのうちから選択されるいずれか一つの装置から発せられることを特徴とする請求項19に記載の半導体発光装置の製造方法。
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