JP4404088B2 - コイル部品 - Google Patents

Description

本発明は、プリント回路基板やハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）上に実装される実装面を備えた表面実装型のコイル部品に関する。

パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の内部回路に実装されるコイル部品には、フェライトコアに銅線を巻回した巻線型や、フェライト等の磁性体シート表面にコイル導体パターンを形成して当該磁性体シートを積層した積層型や、薄膜形成技術を用いて絶縁膜と金属薄膜のコイル導体とを交互に形成した薄膜型が知られている。積層型、薄膜型のコイル部品は、小型化が容易である。

コイル部品として、平衡伝送方式における電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するコモンモードフィルタが知られている。特許文献１には、磁性体基板の表面に第１絶縁体層、２つの引出し電極、第２絶縁体層、第１コイル導体、第３絶縁体層、第２コイル導体、第４絶縁体層がこの順に積層されたコモンモードチョークコイル（コモンモードフィルタ）が開示されている。

２つの引出し電極の一方は、第２絶縁体層に設けたビアホールを介して第１コイル導体の内周側端部に接触し、電気的に接続されている。２つの引出し電極の他方は、第２および第３絶縁体層に設けたビアホールを介して第２コイル導体の内周側端部に接触し、電気的に接続されている。コイル導体と引出し電極との接続部は、磁性体基板を基板面法線方向に見て、コイル導体の内側に形成されている。従って、ビアホールは、基板面法線方向に見て、コイル導体の内側に形成されている。

コモンモードフィルタでは、２つのコイル導体相互間の磁気結合度を改善すると共にコモンモードインピーダンスを増加させてインピーダンス特性を向上させるために、２つのコイル導体の内側の絶縁体層を除去して開口部を形成し、当該開口部を埋め込んで磁性層が形成されていることが多い。

近年、携帯電話機等の小型の電子機器用途のコモンモードフィルタは、小型化が求められている。コモンモードフィルタの小型化に伴い、ビアホールの面積を小さくする必要が生じている。微小孔を形成するため、ビアホールはフォトリソグラフィ法を用いて形成されることが多い。

しかしながら、コイル導体と引出し電極との接続の信頼性を高めるためや、ビアホールが形成される絶縁体層に用いられる感光性樹脂の解像度等のフォトリソグラフィの条件のために、ビアホールはコイル導体の線幅よりも大きく形成されることが多い。特許文献１に開示されたコモンモードフィルタでは、コイル導体の内側にコイル導体と引出し電極とを層間接続するための接続領域を確保する必要があり、コイル導体および磁性層が形成される領域の一部をビアホール部に割く必要がある。よって、コイル導体および磁性層が形成される領域とは別に接続領域が必要となる。その結果、コイル導体の巻数や磁性層の面積の増加が制限され、高インピーダンスのコモンモードフィルタが得られ難い。従って、インピーダンス特性等の電気的特性に優れたコモンモードフィルタが得られ難いという問題がある。

特許文献２には、絶縁磁性体基板上に第１の絶縁体層、下部リード導体、第２の絶縁体層、下部コイル導体、第３の絶縁体層、上部コイル導体、第４の絶縁体層、上部リード導体、第５の絶縁体層がこの順に積層された薄膜コモンモードフィルタが開示されている。下部コイル導体の中心側の端部には、下部リード導体の一端が第２の絶縁体層に形成されたスルーホールを介して電気的に接続されている。また、上部コイル導体の中心側の端部には、上部リード導体の一端が第４の絶縁体層に形成されたスルーホールを介して電気的に接続されている。２つのコイル導体の内側には、コイル中心部の磁路リターン部を構成する絶縁磁性体が形成されている。

上記の通り特許文献２に開示された薄膜コモンモードフィルタもコイル導体の中心側でコイル導体とリード導体とを接続する必要があるので、特許文献２に開示された薄膜コモンモードフィルタでも上述の問題は生じる。また、上述の問題は、コモンモードフィルタに限らず、スパイラル状のコイル導体を有するインダクタおよびトランス等の他の積層型および薄膜型のコイル部品でも生じる。

特許３６０１６１９号公報 特開２００５−１５９２２３号公報

本発明の目的は、電気的特性に優れたコイル部品を提供することにある。

上記目的は、スパイラル状に形成された第１コイル導体と、前記第１コイル導体の一部が切断されて対向する第１切断端部と、前記第１コイル導体と絶縁膜を介して形成され、前記第１切断端部同士を接続する第１接続導体とを有することを特徴とするコイル部品によって達成される。

上記本発明のコイル部品であって、前記第１コイル導体の内周側端部の幅は、前記第１コイル導体の線幅以下であることを特徴とする。

上記本発明のコイル部品であって、前記第１コイル導体と同層に形成され、前記第１コイル導体の内周側端部から前記第１切断端部間を通って前記第１コイル導体の外側まで引き出された第１引き出し導体をさらに有することを特徴とする。

上記本発明のコイル部品であって、前記第１引き出し導体は、直線状に延伸することを特徴とする。上記本発明のコイル部品であって、前記第１コイル導体の内側に形成された磁性層をさらに有することを特徴とする。

上記本発明のコイル部品であって、スパイラル状に形成され、前記第１コイル導体に対向配置された第２コイル導体と、前記第２コイル導体の一部が切断されて対向する第２切断端部と、前記第２コイル導体と絶縁膜を介して形成され、前記第２切断端部同士を接続する第２接続導体とをさらに有することを特徴とする。

上記本発明のコイル部品であって、前記第２接続導体は、前記第１接続導体と同層に形成され、前記第１及び第２接続導体は、前記第１及び第２コイル導体間に形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、電気的特性に優れたコイル部品が実現できる。

本発明の一実施の形態によるコイル部品について図１乃至図７を用いて説明する。本実施の形態では、コイル部品として、平衡伝送方式における電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するコモンモードフィルタを例にとって説明する。図１は、コモンモードフィルタ１を示す斜視図である。図１では、隠れ線を破線で示している。

図１に示すように、コモンモードフィルタ１は、対向配置された薄板直方体状の２つの磁性基板３、５間に薄膜を積層して形成した直方体状の外形を有している。コモンモードフィルタ１は、いわゆる１００５型（長辺の長さが１．０ｍｍ、短辺の長さが０．５ｍｍ）の表面実装型部品である。磁性基板３、５間には、絶縁層７及び接着層１１が薄膜形成技術を用いて順次形成されている。絶縁層７の側面部近傍には、内部電極端子２１、２３、２５、２７が絶縁層７の側面に露出して形成されている。内部電極端子２１、２３は同一側面に露出し、内部電極端子２５、２７は当該一側面に対向する対向側面に露出している。内部電極端子２１は内部電極端子２５と対向し、内部電極端子２３は内部電極端子２７と対向して配置されている。

外部電極１３は、内部電極端子２１の露出する側面部上と、磁性基板３、５のそれぞれの実装面上とに形成されている。外部電極１５、１７、１９も外部電極１３と同様の形状に形成されている。外部電極１３、１５、１７、１９は、側面部に露出した内部電極端子２１、２３、２５、２７と電気的にそれぞれ接続されている。

図２は、コモンモードフィルタ１の積層構造を分解して斜めから視た状態を示している。図２では、外部電極１３、１５、１７、１９の図示を省略している。図２では、異なる層に形成された導体同士の接続関係を一点鎖線で表わしている。図２に示すように、磁性基板３、５間には、絶縁膜７ａ、コイル導体層８３、絶縁膜７ｂ、ブリッジ導体層８４、絶縁膜７ｃ、コイル導体層８５、絶縁膜７ｄ及び接着層１１がこの順に積層されている。絶縁層７は、絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄで構成されている。コイル導体層８５は、絶縁膜７ｂ、ブリッジ導体層８４、絶縁膜７ｃを介して、コイル導体層８３に対向配置されている。ブリッジ導体層８４は、絶縁膜７ｂ、７ｃを介して、コイル導体層８３、８５間に形成されている。

コイル導体３３（第１コイル導体）およびコイル導体（第２コイル導体）３５の内側には、絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄを除去して長方形状の開口部４２が形成されている。なお、本明細書では、コイル導体３３、３５の内側と書かれている場合、磁性基板３、５の基板面法線方向（以下、「基板面法線方向」という）に見たコイル導体３３、３５の内側を意味する。絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄにそれぞれ形成された開口部４２は、基板面法線方向に見て同一箇所に形成されている。コイル導体３３とコイル導体３５との相互間の磁気結合度を改善すると共にコモンモードインピーダンスを増加させてインピーダンス特性を向上させるために、開口部４２を埋め込んで磁性層４１が形成されている。磁性層４１は、樹脂にフェライトの磁粉を混入した複合フェライトで形成されている。また、同様の理由により、絶縁層７の角部４箇所を除去してそれぞれに開口部を形成し、当該開口部を埋め込んで磁性層が形成されていてもよい。

後程詳細に説明するように、コモンモードフィルタ１ではコイル導体３３、３５の内側にビアホールが形成されていないので、コモンモードフィルタ１は磁性層４１の面積を広く形成することができる。これにより、コモンモードフィルタ１はインピーダンス特性等の電気的特性を改善できる。

図３は、基板面法線方向に見たコイル導体層８３を示す平面図である。図３では、想像線を一点差線で示している。図３に示すように、コイル導体層８３は、内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ、リード線（第１引き出し導体）２９およびコイル導体３３を有している。内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ、リード線２９およびコイル導体３３は、同時に同一の形成材料で同層に形成されている。

コイル導体３３は、内周側端部３３ｄから外側に向かって反時計回りに約２．５回巻き回されたスパイラル状に形成されている。コイル導体３３の外周側端部は内部電極端子２５ａに接続されている。コイル導体３３の線幅ｗ１は、例えば１０〜３０μｍである。コイル導体３３は内周側端部３３ｄ近傍の一部が一巻き毎に１箇所、全体で２箇所切断され、切断部３３ａが一巻き毎に形成されている。一巻き毎に形成された２つの切断部３３ａは、図３の図中、上下方向に直線状に並列している。２つの切断部３３ａの長さは、ほぼ同じである。

コイル導体３３の切断端部（第１切断端部）３３ｂ、３３ｃが一巻き毎に切断部３３ａを介して対向している。２つの切断端部３３ｂは切断部３３ａの図中左側に形成され、絶縁膜７ｂ（図３では不図示）に形成されたビアホール３１ａに露出している。２つの切断端部３３ｃは切断部３３ａの図中右側に形成され、絶縁膜７ｂに形成されたビアホール３１ｂに露出している。

リード線２９は、コイル導体３３の内周側端部３３ｄから切断端部３３ｂ、３３ｃ間を通ってコイル導体３３の外側まで引き出されている。リード線２９の一端部は、内部電極端子２１ａに接続されている。リード線２９の他端部は、コイル導体３３の内周側端部３３ｄに接続されている。従って、コイル導体３３の内周側端部３３ｄは、同層のコイル導体層８３に形成されたリード線２９を介して、同層の内部電極端子２１ａに電気的に接続されている。従って、基板面法線方向に見て、コイル導体３３とリード線とを層間接続するためのビアホールはコイル導体３３、３５の内側に形成されていない。

リード線２９は、図中、上下方向に直線状に延伸している。基板面法線方向に見て、リード線２９は２つの切断部３３ａのそれぞれとほぼ直交している。リード線２９は、切断端部３３ｂ、３３ｃのほぼ中間を通っている。リード線２９および切断端部３３ｂ、３３ｃ間には絶縁膜７ｂがそれぞれ形成されている。リード線２９および切断端部３３ｂ、３３ｃ間は絶縁膜７ｂによってそれぞれ絶縁されている。リード線２９は、ビアホール３１ａ、３１ｂ内に露出していない。

図２に戻って、ブリッジ導体層８４には、コイル導体３３と絶縁膜７ｂを介して形成され、切断端部３３ｂ、３３ｃ同士を接続するブリッジ導体（第１接続導体）７３ａ、７３ｂと、コイル導体３５と絶縁膜７ｃを介して形成され、切断端部（第２切断端部）３５ｂ、３５ｃ同士を接続するブリッジ導体（第２接続導体）７５ａ、７５ｂとが形成されている。さらに、ブリッジ導体層８４には、内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂが形成されている。内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂおよびブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂは、同時に同一の形成材料で同層に形成されている。

ブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂは、基板面法線方向に見て、細長い長方形状に形成され、図２の図中左右方向に延伸している。ブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂの線幅は、コイル導体３３の線幅ｗ１とほぼ同じであり、例えば１０〜３０μｍである。ブリッジ導体７３ａ、７３ｂは内部電極端子２１ｂ近傍に配置され、図中、上下に並列している。ブリッジ導体７５ａ、７５ｂは内部電極端子２３ｂ近傍に配置され、図中、上下に並列している。ブリッジ導体７３ａはブリッジ導体７５ａと対向し、ブリッジ導体７３ｂはブリッジ導体７５ｂと対向している。

ブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂは、コイル導体３３およびコイル導体３５間に形成されている。ブリッジ導体７３ａ、７３ｂはコイル導体３３と絶縁膜７ｂを介して形成され、ブリッジ導体７５ａ、７５ｂはコイル導体３５と絶縁膜７ｃを介して形成されている。

ブリッジ導体７３ａは、図３に示すコイル導体３３内側の切断部３３ａに対応させて絶縁膜７ｂ上に形成されている。ブリッジ導体７３ａの一端部はビアホール３１ａに露出するコイル導体３３内側の切断端部３３ｂ上に形成され、他端部はビアホール３１ｂに露出するコイル導体３３内側の切断端部３３ｃ上に形成されている。従って、ブリッジ導体７３ａは、コイル導体３３内側の切断端部３３ｂ、３３ｃ同士をビアホール３１ａ、３１ｂを介して接続している。

ブリッジ導体７３ｂは、図３に示すコイル導体３３外側の切断部３３ａに対応させて絶縁膜７ｂ上に形成されている。ブリッジ導体７３ｂの一端部はビアホール３１ａに露出するコイル導体３３外側の切断端部３３ｂ上に形成され、他端部はビアホール３１ｂに露出するコイル導体３３外側の切断端部３３ｃ上に形成されている。従って、ブリッジ導体７３ｂは、コイル導体３３外側の切断端部３３ｂ、３３ｃ同士をビアホール３１ａ、３１ｂを介して接続している。

コイル導体３３は、２組の切断端部３３ｂ、３３ｃが別層のブリッジ導体層８４に形成されたブリッジ導体７３ａ、７３ｂによって接続されているので、基板面法線方向に見て、一続きの１つのスパイラル状になる。コイル導体３３およびブリッジ導体７３ａ、７３ｂにより、１つのコイルが構成される。

基板面法線方向に見て、ブリッジ導体７３ａ、７３ｂはそれぞれリード線２９とほぼ直交している。ブリッジ導体７３ａ、７３ｂおよびリード線２９間には絶縁膜７ｂが形成されている。これにより、ブリッジ導体７３ａ、７３ｂおよびリード線２９間は絶縁膜７ｂによって絶縁されている。

ブリッジ導体７５ａ、７５ｂの図中左側の端部は、絶縁膜７ｃに形成されたビアホール３７ａにそれぞれ露出している。ブリッジ導体７５ａ、７５ｂの図中右側の端部は、絶縁膜７ｃに形成されたビアホール３７ｂにそれぞれ露出している。

図４は、基板面法線方向に見たコイル導体層８５を示す平面図である。図４では、想像線を一点差線で示している。図４に示すように、コイル導体層８５は、内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃ、リード線（第２引き出し導体）３９およびコイル導体３５を有している。内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃ、リード線３９およびコイル導体３５は、同時に同一の形成材料で同層に形成されている。

コイル導体３５は、内周側端部３５ｄから外側に向かって反時計回りに約２．５回巻き回され、コイル導体３３とほぼ同様のスパイラル状に形成されている。図２に示すように、コイル導体３５は、絶縁膜７ｂ、ブリッジ導体層８４および絶縁膜７ｃを挟んでコイル導体３３に対向配置されている。図４に示すように、コイル導体３５の外周側端部は内部電極端子２７ｃに接続されている。コイル導体３５の線幅ｗ１は、コイル導体３３の線幅ｗ１とほぼ同じであり、例えば１０〜３０μｍである。コイル導体３５は内周側端部３５ｄ近傍の一部が一巻き毎に１箇所、全体で２箇所切断され、切断部３５ａが一巻き毎に形成されている。一巻き毎に形成された２つの切断部３５ａは、図４の図中、上下方向に直線状に並列している。２つの切断部３５ａの長さはほぼ同じであり、切断部３３ａの長さとほぼ同じである。

コイル導体３５の切断端部３５ｂ、３５ｃが一巻き毎に切断部３５ａを介して対向している。２つの切断端部３５ｂは切断部３５ａの図中左側に形成されている。２つの切断端部３５ｃは切断部３５ａの図中右側に形成されている。

リード線３９は、コイル導体３５の内周側端部３５ｄから切断端部３５ｂ、３５ｃ間を通ってコイル導体３５の外側まで引き出されている。リード線３９の一端部は、内部電極端子２３ｃに接続されている。リード線３９の他端部は、コイル導体３５の内周側端部３５ｄに接続されている。従って、コイル導体３５の内周側端部３５ｄは、同層のコイル導体層８５に形成されたリード線３９を介して、同層の内部電極端子２３ｃに電気的に接続されている。従って、基板面法線方向に見て、コイル導体３５とリード線とを層間接続するためのビアホールはコイル導体３３、３５の内側に形成されていない。

リード線３９は、図中、上下方向に直線状に延伸している。基板面法線方向に見て、リード線３９は２つの切断部３５ａのそれぞれとほぼ直交している。リード線３９は、切断端部３５ｂ、３５ｃのほぼ中間を通っている。リード線３９および切断端部３５ｂ、３５ｃ間には絶縁膜７ｄ（図４では不図示）がそれぞれ形成されている。これにより、リード線３９および切断端部３５ｂ、３５ｃ間は絶縁膜７ｄによってそれぞれ絶縁されている。

コイル導体３５内側の切断部３５ａは、図２に示すブリッジ導体７５ａに対応させて絶縁膜７ｃ上に形成されている。コイル導体３５内側の切断端部３５ｂは、ビアホール３７ａに露出するブリッジ導体７５ａの図２の図中左側の端部上に形成されている。コイル導体３５内側の切断端部３５ｃは、ビアホール３７ｂに露出するブリッジ導体７５ａの図中右側の端部上に形成されている。従って、ブリッジ導体７５ａは、コイル導体３５内側の切断端部３５ｂ、３５ｃ同士をビアホール３７ａ、３７ｂを介して接続している。

コイル導体３５外側の切断部３５ａは、図２に示すブリッジ導体７５ｂに対応させて絶縁膜７ｃ上に形成されている。コイル導体３５外側の切断端部３５ｂは、ビアホール３７ａに露出するブリッジ導体７５ｂの図中左側の端部上に形成されている。コイル導体３５外側の切断端部３５ｃは、ビアホール３７ｂに露出するブリッジ導体７５ｂの図中右側の端部上に形成されている。従って、ブリッジ導体７５ｂは、コイル導体３５外側の切断端部３５ｂ、３５ｃ同士をビアホール３７ａ、３７ｂを介して接続している。

コイル導体３５は、２組の切断端部３５ｂ、３５ｃが別層のブリッジ導体層８４に形成されたブリッジ導体７５ａ、７５ｂによって接続されているので、基板面法線方向に見て、一続きの１つのスパイラル状になる。コイル導体３５およびブリッジ導体７５ａ、７５ｂにより、１つのコイルが構成される。

基板面法線方向に見て、リード線３９はブリッジ導体７５ａ、７５ｂとほぼ直交している。ブリッジ導体７５ａ、７５ｂおよびリード線３９間には絶縁膜７ｃが形成され、ブリッジ導体７５ａ、７５ｂおよびリード線３９間は絶縁膜７ｃによって絶縁されている。

図１に示す内部電極端子２１は、内部電極端子２１ａ、２１ｂ、２１ｃがこの順に積層されて形成されている。内部電極端子２３は、内部電極端子２３ａ、２３ｂ、２３ｃがこの順に積層されて形成されている。内部電極端子２５は、内部電極端子２５ａ、２５ｂ、２５ｃがこの順に積層されて形成されている。内部電極端子２７は、内部電極端子２７ａ、２７ｂ、２７ｃがこの順に積層されて形成されている。

コイル導体３３、３５、リード線２９、３９およびブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂは、絶縁層７（絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ）中に埋め込まれて１つのチョークコイルを構成している。リード線２９、３９およびブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂは、絶縁層７の側面に露出していない。図１に示す外部電極１３は、内部電極端子２１、リード線２９、コイル導体３３、ブリッジ導体７３ａ、７３ｂおよび内部電極端子２５を介して外部電極１７に電気的に接続されている。外部電極１５は、内部電極端子２３、リード線３９、コイル導体３５、ブリッジ導体７５ａ、７５ｂおよび内部電極端子２７を介して外部電極１９に電気的に接続されている。

磁性基板３、５は焼結フェライト、複合フェライト等の磁性材料で形成されている。絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄはそれぞれポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性に優れ加工性のよい材料を塗布して所定形状にパターニングして形成されている。コイル導体３３、３５、ブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂ、リード線２９、３９および内部電極端子２１、２３、２５、２７は、電気伝導性及び加工性に優れたＣｕ、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等を成膜して所定形状にパターンニングして形成されている。絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄの膜厚およびブリッジ導体層８４の厚さは、例えば５〜１０μｍである。従って、コイル導体３３、３５間の距離は、例えば１５〜３０μｍになる。コイル導体層８３、８５の厚さは、例えば１５〜２５μｍである。

図５は、本実施の形態によるコモンモードフィルタ１に対する比較例としての従来のコモンモードフィルタ１０１の積層構造を分解して斜めから視た状態を示している。図５では、異なる層に形成された導体同士の接続関係を一点鎖線で表わしている。図５および以降の図において、図１乃至図４に示した構成要素と同一の機能、作用を奏する構成要素には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

図５に示すように、磁性基板３、５間には、絶縁膜７ａ、コイル導体層１８３、絶縁膜７ｂ、リード線層１８４、絶縁膜７ｃ、コイル導体層１８５、絶縁膜７ｄおよび接着層１１がこの順に積層されている。コモンモードフィルタ１０１では、コイル導体３３の代わりにコイル導体１３３がコイル導体層１８３に形成され、コイル導体３５の代わりにコイル導体１３５がコイル導体層１８５に形成されている。また、リード線２９およびブリッジ導体７３ａ、７３ｂの代わりにリード線１２９がリード線層１８４に形成され、リード線３９およびブリッジ導体７５ａ、７５ｂの代わりにリード線１３９がリード線層１８４に形成されている。また、ビアホール３１ａ、３１ｂの代わりにビアホール１３１が絶縁膜７ｂに形成され、ビアホール３７ａ、３７ｂの代わりにビアホール１３７が絶縁膜７ｃに形成されている。また、開口部４２の代わりに開口部１４２が絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄに形成され、磁性層４１の代わりに磁性層１４１が形成されている。

図６は、基板面法線方向に見たコイル導体層１８３を示す平面図である。図６では、想像線を一点差線で示している。図５および図６に示すように、コイル導体層１８３は、内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａおよびコイル導体１３３を有している。

コイル導体１３３はコイル導体３３と異なり一続きの１つのスパイラル状に形成され、コイル導体１３３には切断部は形成されていない。コイル導体１３３の外周側端部は内部電極端子２５ａに接続されている。コイル導体１３３の線幅ｗ１はコイル導体３３の線幅ｗ１とほぼ同じであり、例えば１０〜３０μｍである。

コイル導体１３３の内周側端部１３３ｄは、絶縁膜７ｂ（図６では不図示）に形成されたビアホール１３１に露出している。ビアホール１３１は、基板面法線方向に見て、長方形状に形成されている。コイル導体１３３の内周側端部１３３ｄは、基板面法線方向に見て、ビアホール１３１とほぼ同一形状に形成されている。コイル導体１３３と後述するリード線１２９との接続の信頼性を高めるためや、ビアホール１３１が形成される絶縁膜７ｂに用いられる感光性樹脂の解像度のために、ビアホール１３１は基板面法線方向に見た面積が例えば１５００μｍ^２以上になるように形成され、ビアホール１３１および内周側端部１３３ｄの図６の図中上下方向の幅（縦幅）ｗ２はコイル導体１３３の線幅ｗ１よりも長くなっている。従って、ビアホール１３１および内周側端部１３３ｄは、コイル導体１３３の内側に突出して形成されている。ビアホール１３１および内周側端部１３３ｄの縦幅ｗ２は例えば３０μｍ以上であり、図中左右方向の幅（横幅）ｗ３は例えば５０μｍ以上である。

図５に戻って、リード線層１８４は、内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂおよびリード線１２９、１３９を有している。リード線１２９、１３９は細長い長方形状に形成され、図５の図中上下方向に延伸している。リード線１２９の一端部は、内部電極端子２１ｂに接続されている。リード線１２９の他端部は、ビアホール１３１を介してコイル導体１３３の内周側端部１３３ｄに接続されている。従って、コイル導体１３３の内周側端部１３３ｄは、別の層のリード線層１８４に形成されたリード線１２９を介して、別の層の内部電極端子２１ｂに電気的に接続されている。基板面法線方向に見て、リード線１２９はコイル導体１３３に絶縁膜７ｂを介して交差している。リード線１３９の一端部は、内部電極端子２３ｂに接続されている。リード線１３９の他端部は絶縁膜７ｃに形成されたビアホール１３７に露出している。

コイル導体層１８５は、内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃおよびコイル導体１３５を有している。コイル導体１３５の外周側端部は内部電極端子２７ｃに接続されている。コイル導体１３５の内周側端部１３５ｄは、ビアホール１３７を介してリード線１３９の他端部に接続されている。従って、コイル導体１３５は、別の層のリード線層１８４に形成されたリード線１３９を介して、別の層の内部電極端子２３ｂに電気的に接続されている。基板面法線方向に見て、リード線１３９はコイル導体１３５に絶縁膜７ｃを介して交差している。

コイル導体１３５、コイル導体１３５の内周側端部１３５ｄおよびビアホール１３７の形状や位置関係等は、コイル導体１３３、コイル導体１３３の内周側端部１３３ｄおよびビアホール１３１の形状や位置関係等と同様であるので詳細な説明を省略する。

図５および図６に示すように、ビアホール１３１およびコイル導体１３３の内周側端部１３３ｄ並びにビアホール１３７およびコイル導体１３５の内周側端部１３５ｄは、コイル導体１３３、１３５の内側に突出して形成されている。従って、コモンモードフィルタ１０１では、基板面法線方向に見て、コイル導体１３３、１３５が形成される領域や磁性層１４１が形成される領域の他に、コイル導体１３３とリード線１２９およびコイル導体１３５とリード線１３９とを層間接続するための接続領域がコイル導体１３３、１３５の内側に必要となる。

一方、図３及び図４に示すように、コモンモードフィルタ１ではコイル導体３３、３５の内側で導体の層間接続がされず、コイル導体３３、３５の内側にビアホールが形成されていない。従って、コモンモードフィルタ１では、コモンモードフィルタ１０１と異なり、導体を層間接続するための接続領域をコイル導体３３、３５が形成される領域や磁性層４１が形成される領域とは別に設ける必要がない。従って、図３および図６に示すように、コモンモードフィルタ１は、コモンモードフィルタ１０１と比較して、基板面法線方向に見た磁性層４１の面積を広く形成することができる。従って、本実施の形態によるコモンモードフィルタ１は、コモンモードフィルタ１０１と比較して、高インピーダンスが得られる。従って、本実施の形態によれば、インピーダンス特性等の電気的特性に優れたコモンモードフィルタ１が実現できる。磁性層４１の面積を増加させる代わりにコイル導体３３、３５の巻数を増やしても、電気的特性に優れたコモンモードフィルタが同様に実現できる。

表１は、コモンモードフィルタ１の磁性層４１およびコモンモードフィルタ１０１の磁性層１４１の面積、並びにコモンモードフィルタ１、１０１それぞれのインダクタンスのシミュレーション分析結果を示している。

表１に示すように、コモンモードフィルタ１０１の磁性層１４１の面積は４９１９０（μｍ^２）である。一方、コモンモードフィルタ１の磁性層４１の面積は６７７５０（μｍ^２）である。従って、磁性層４１と磁性層１４１との面積比（比率）は１．３７７３である。コモンモードフィルタ１では、コモンモードフィルタ１０１と比較して磁性層の面積が３８％増加している。

また、コモンモードフィルタ１０１のインダクタンスは９４（ｎＨ）である。一方、コモンモードフィルタ１のインダクタンスは１０３（ｎＨ）である。従って、コモンモードフィルタ１とコモンモードフィルタ１０１とのインダクタンス比（比率）は１．０９５７である。コモンモードフィルタ１は、コモンモードフィルタ１０１と比較してインダクタンスが９．６％増加している。

次に、本実施の形態によるコイル部品の製造方法についてコモンモードフィルタ１を例にとって図２を用いて説明する。コモンモードフィルタ１はウェハ上に同時に多数形成されるが、図２は、１個のコモンモードフィルタ１の積層構造を分解して斜めから視た状態を示している。

まず、図２に示すように、磁性基板３上にポリイミド樹脂を塗布して膜厚５〜１０μｍの絶縁膜７ａを形成する。絶縁膜７ａはスピンコート法、ディップ法、スプレー法又は印刷法等により形成される。次に、絶縁膜７ａを露光、現像し、パターニングする。これにより、開口部４２が絶縁膜７ａに形成される。次に、絶縁膜７ａを硬化する（キュア）。後程説明する各絶縁膜７ｂ、７ｃ、７ｄは絶縁膜７ａと同様の方法で形成される。

次に、真空成膜法（蒸着、スパッタリング等）又はめっき法により全面にＣｕ等の金属層（不図示）を形成する。電極膜は導電性のある材料であればよいが、後程説明するメッキ膜の形成材料と同一材料を用いることが望ましい。絶縁膜７ａと電極膜との密着性を向上させるためのバッファ膜として、電極膜の下層に例えばＣｒ（クロム）膜やＴｉ（チタン）膜等の接着層を形成してもよい。

次に、全面にレジストを塗布してレジスト層を形成し、必要に応じてレジスト層のプリベーク処理を行う。次に、内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ、リード線２９および切断端部３３ｂ、３３ｃを備えたコイル導体３３のパターンが描画されたマスクを介してレジスト層に露光光を照射して、レジスト層を露光する。次に、必要に応じて熱処理を行った後に、アルカリ現像液でレジスト層を現像する。アルカリ現像液としては、例えば、所定濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）が用いられる。

次に、現像工程から洗浄工程に移る。レジスト層中の現像液を洗浄液で洗浄し、レジスト層の現像溶解反応を停止させる。これにより、レジスト層が所定形状にパターニングされたレジストフレームが形成される。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。洗浄が終了したら、洗浄液を振り切って乾燥させる。必要であれば磁性基板３を加熱して洗浄液を乾燥させてもよい。

次に、磁性基板３をメッキ槽中のメッキ液に浸漬して、レジストフレームを型にしてメッキ処理を行い、レジストフレーム間にＣｕ等のメッキ膜を形成する。次に、必要に応じて磁性基板３を水洗し乾燥させてから、有機溶剤を用いてレジストフレームを絶縁膜７ａから剥離する。次に、メッキ膜をマスクにして、レジスト層の除去により露出した電極膜をドライエッチング（イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等）やウエットエッチングにより除去する。

これにより、電極膜およびメッキ膜が積層された内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ、リード線２９および切断端部３３ｂ、３３ｃを備えたコイル導体３３が形成される。以上の工程によって、内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ、リード線２９、コイル導体３３およびコイル導体３３の一部が切断されて対向する切断端部３３ｂ、３３ｃで構成されるコイル導体層８３が形成される。コイル導体層８３は、例えば１５〜２５μｍの厚さに形成される。後程説明するブリッジ導体層８４およびコイル導体層８５は、コイル導体層８３と同様の方法で形成される。

次に、全面にポリイミド樹脂を塗布して膜厚５〜１０μｍの絶縁膜７ｂを形成する。次に、絶縁膜７ｂを露光、現像し、パターニングする。これにより、コイル導体３３の切断端部３３ｂ（図２では不図示）を露出するビアホール３１ａ、切断端部３３ｃ（図２では不図示）を露出するビアホール３１ｂ、開口部４２および内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａを露出する開口部が絶縁膜７ｂに形成される。次に、絶縁膜７ｂを硬化する。

次に、真空成膜法（蒸着、スパッタリング等）又はめっき法により全面にＣｕ等の金属層（不図示）を形成する。次に、全面にレジストを塗布してレジスト層を形成し、必要に応じてレジスト層のプリベーク処理を行う。次に、内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂおよびブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂのパターンが描画されたマスクを介してレジスト層に露光光を照射して、レジスト層を露光する。次に、必要に応じて熱処理を行った後に、アルカリ現像液でレジスト層を現像する。次に、コイル導体層８３の形成工程と同様の洗浄工程を行う。これにより、レジスト層が所定形状にパターニングされたレジストフレームが形成される。

次に、磁性基板３をメッキ槽中のメッキ液に浸漬して、レジストフレームを型にしてメッキ処理を行い、レジストフレーム間にＣｕ等のメッキ膜を形成する。次に、必要に応じて磁性基板３を水洗し乾燥させてから、有機溶剤を用いてレジストフレームを絶縁膜７ｂから剥離する。次に、メッキ膜をマスクにして、レジスト層の除去により露出した電極膜をドライエッチング（イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等）やウエットエッチングにより除去する。

これにより、電極膜およびメッキ膜が積層された内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂおよびブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂが形成される。内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂは、それぞれ内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ上に形成される。ブリッジ導体７３ａ、７３ｂの一端部は、ビアホール３１ａを介してそれぞれ異なる切断端部３３ｂに接続され、他端部はビアホール３１ｂを介してそれぞれ異なる切断端部３３ｃに接続される。以上の工程によって、内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂおよびブリッジ導体７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂで構成されるブリッジ導体層８４が形成される。ブリッジ導体層８４は、例えば５〜１０μｍの厚さに形成される。

次に、全面にポリイミド樹脂を塗布して膜厚５〜１０μｍの絶縁膜７ｃを形成する。次に、絶縁膜７ｃを露光、現像し、パターニングする。これによりブリッジ導体７５ａ、７５ｂの一端部をそれぞれ露出するビアホール３７ａ、他端部をそれぞれ露出するビアホール３７ｂ、開口部４２および内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂを露出する開口部が絶縁膜７ｃに形成される。次に、絶縁膜７ｃを硬化する。

次に、真空成膜法（蒸着、スパッタリング等）又はめっき法により全面にＣｕ等の金属層（不図示）を形成する。次に、全面にレジストを塗布してレジスト層を形成し、必要に応じてレジスト層のプリベーク処理を行う。次に、内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃ、リード線３９および切断端部３５ｂ、３５ｃを備えたコイル導体３５のパターンが描画されたマスクを介してレジスト層に露光光を照射して、レジスト層を露光する。次に、必要に応じて熱処理を行った後に、アルカリ現像液でレジスト層を現像する。次に、コイル導体層８３の形成工程と同様の洗浄工程を行う。これにより、レジスト層が所定形状にパターニングされたレジストフレームが形成される。

次に、磁性基板３をメッキ槽中のメッキ液に浸漬して、レジストフレームを型にしてメッキ処理を行い、レジストフレーム間にＣｕ等のメッキ膜を形成する。次に、必要に応じて磁性基板３を水洗し乾燥させてから、有機溶剤を用いてレジストフレームを絶縁膜７ｃから剥離する。次に、メッキ膜をマスクにして、レジスト層の除去により露出した電極膜をドライエッチング（イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等）やウエットエッチングにより除去する。

これにより、電極膜およびメッキ膜が積層された内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃ、リード線３９および切断端部３５ｂ、３５ｃを備えたコイル導体３５が形成される。内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃは、それぞれ内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂ上に形成される。コイル導体３５の切断端部３５ｂ（図２では不図示）は、それぞれビアホール３７ａを介してブリッジ導体７５ａまたはブリッジ導体７５ｂの一端部に接続される。切断端部３５ｃ（図２では不図示）は、それぞれビアホール３７ｂを介してブリッジ導体７５ａまたはブリッジ導体７５ｂの他端部に接続される。以上の工程によって、内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃ、リード線３９、コイル導体３５およびコイル導体３５の一部が切断されて対向する切断端部３５ｂ、３５ｃで構成されるコイル導体層８５が形成される。コイル導体層８５は、例えば１５〜２５μｍの厚さに形成される。また、以上の工程によって、内部電極端子２１、２３、２５、２７が形成される。

次に、全面にポリイミド樹脂を塗布して膜厚５〜１０μｍの絶縁膜７ｄを形成する。次に、絶縁膜７ｄを露光、現像し、パターニングする。これにより、開口部４２が絶縁膜７ｄに形成される。次に、絶縁膜７ｄを硬化する。

次に、樹脂にフェライトの磁粉を混入した複合フェライトを絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄそれぞれに形成された開口部４２に埋め込んで、磁性層４１を開口部４２に形成する。次に、絶縁膜７ｄおよび磁性層４１上に接着剤を塗布して接着層１１を形成する。次いで、磁性基板５を接着層１１に固着する。

次に、ウェハを切断してチップ状の個々のコモンモードフィルタ１に切断分離する。これにより、コモンモードフィルタ１の切断面には、内部電極端子２１、２３、２５、２７が露出する。次に、コモンモードフィルタ１を研磨して角部の面取りを行う。

次に、図示は省略するが、コモンモードフィルタ１の内部電極端子２１、２３、２５、２７上に外部電極１３、１５、１７、１９と同形状の下地金属膜を形成する。下地金属膜はマスクスパッタ法によりクロム（Ｃｒ）／Ｃｕ膜又はチタン（Ｔｉ）／Ｃｕ膜を連続成膜して形成される。

次に、電気めっきで下地金属膜表面にニッケル（Ｎｉ）と錫（Ｓｎ）との２層構造の外部電極１３、１５、１７、１９を形成して、図１に示すコモンモードフィルタ１が完成する。

以上説明したように、本実施の形態によれば、従来のコモンモードフィルタと同様の製造方法でコモンモードフィルタ１を製造でき、従来のコモンモードフィルタの製造方法と比較して製造工程数が増加することもない。従って、本実施の形態によれば、製造コストを増加させることなく、インピーダンス特性等の電気的特性に優れたコモンモードフィルタ１が得られる。

また、本実施の形態によれば、コイル導体３３の切断端部３３ｂ、３３ｃ同士を接続するブリッジ導体７３ａ、７３ｂとコイル導体３５の切断端部３５ｂ、３５ｃ同士を接続するブリッジ導体７５ａ、７５ｂとが同層のブリッジ導体層８４に形成される。従って、本実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造方法では、特許文献２に開示されたコモンモードフィルタと比較して、導体層を形成する工程が１つ少なくなり、絶縁膜を形成する工程が１つ少なくなる。従って、コモンモードフィルタ１は、特許文献２に開示されたコモンモードフィルタと比較して低コストで製造できる。
（変形例）
本実施の形態の変形例によるコモンモードフィルタについて図７を用いて説明する。図７は、本変形例によるコモンモードフィルタの、基板面法線方向に見たコイル導体層８３を示す平面図である。図７に示すように、本変形例によるコモンモードフィルタは、コモンモードフィルタ１と、コイル導体３３、３５の内側に磁性層４１および開口部４２が形成されていない点が異なっている。
図６および図７に示すように、本変形例によるコモンモードフィルタは、コモンモードフィルタ１０１と比較して、コイル導体３３、３５の内側の面積を広く形成することができる。よって、コイル導体３３、３５の内側を磁束が通りやすくなるので、本変形例によるコモンモードフィルタはインダクタンスを大きくすることができる。

本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
上記実施の形態では、対向配置された１組のコイル導体３３、３５を有するコモンモードフィルタ１を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、コイル導体３３、３５のそれぞれに１つのコイル導体が並設された、２組のコイル導体を有するコモンモードフィルタアレイにも適用できる。また、例えば、並設された２組のコイル導体の間に１又は２以上のコイル導体をさらに追加して並設してもよい。これらのコモンモードフィルタアレイは、上記実施の形態と同様の効果を得られる。

また、上記実施の形態によるコイル部品はコモンモードフィルタ１を例に説明したが、本発明はこれに限られず、他のコモンモードフィルタにも適用できる。例えば、ブリッジ導体７３ａ、７３ｂがコイル導体層８３の下層にコイル導体層８３と絶縁膜を介して形成され、ブリッジ導体７５ａ、７５ｂがコイル導体層８５の上層にコイル導体層８５と絶縁膜を介して形成されたコモンモードフィルタにも適用できる。当該コモンモードフィルタも、コモンモードフィルタ１と同様に、コイル導体３３、３５の内側にビアホールが形成されず、導体を層間接続するための接続領域をコイル導体３３、３５の内側に設ける必要がない。従って、当該コモンモードフィルタも、基板面法線方向に見た磁性層４１の面積を広く形成することができる。従って、電気的特性に優れたコモンモードフィルタが実現できる。

また、上記実施の形態によるコイル部品はコモンモードフィルタ１を例に説明したが、本発明はこれに限らず、インダクタにも適用できる。例えば、上記実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造方法において、外部電極１５、１９、内部電極端子２３、２７およびブリッジ導体７５ａ、７５ｂを形成せず、絶縁膜７ｃおよびコイル導体層８５を形成する工程を省略することにより、磁性層４１をコアとして有するインダクタを製造することができる。当該インダクタも、コモンモードフィルタ１と同様に、コイル導体３３の内側にビアホールが形成されず、導体を層間接続するための接続領域をコイル導体３３の内側に設ける必要がない。従って。当該インダクタも、基板面法線方向に見た磁性層４１の面積を広く形成することができる。従って、電気的特性に優れたインダクタが実現できる。また、本発明はトランスにも適用できる。

また、コイル導体３３、３５の巻数は、上記実施の形態に示した巻数に限られない。また、コイル導体３３、３５の形状は上記実施の形態に示した形状に限られず、切断部３３ａ、３５ａを有するスパイラル状であればよい。また、切断部３３ａ、３５ａの位置は上記実施の形態に示した位置に限られず、コイル導体３３、３５の内周側端部３３ｄ、３５ｄからコイル導体３３、３５の外側までリード線２９、３９を引き出せるように切断部３３ａ、３５ａが形成されていればよい。

本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の斜視図である。 本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の分解斜視図である。 本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１のコイル導体層８３を示す図である。 本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１のコイル導体層８５を示す図である。 本発明の一実施の形態の比較例によるコモンモードフィルタ１０１の分解斜視図である。 本発明の一実施の形態の比較例によるコモンモードフィルタ１０１のコイル導体層１８３を示す図である。 本発明の一実施の形態の変形例によるコモンモードフィルタのコイル導体層８３を示す図である。

符号の説明

１、１０１ コモンモードフィルタ
３、５ 磁性基板
７ 絶縁層
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ 絶縁膜
１１ 接着層
１３、１５、１７、１９ 外部電極
２１、２３、２５、２７、２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ、２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂ、２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃ 内部電極端子
２９、３９、１２９、１３９ リード線
３１ａ、３１ｂ、３７ａ、３７ｂ、１３１、１３７ ビアホール
３３、３５、１３３、１３５ コイル導体
３３ａ、３５ａ 切断部
３３ｂ、３３ｃ、３５ｂ、３５ｃ 切断端部
３３ｄ、３５ｄ、１３３ｄ、１３５ｄ 内周側端部
４１、１４１ 磁性層
４２、１４２ 開口部
７３ａ、７３ｂ、７５ａ、７５ｂ ブリッジ導体
８３、８５、１８３、１８５ コイル導体層
８４ ブリッジ導体層
１８４ リード線層

Claims (7)

1. スパイラル状に形成された第１コイル導体と、
   前記第１コイル導体の一部が切断されて対向する第１切断端部と、
   前記第１コイル導体と絶縁膜を介して形成され、前記第１コイル導体が一続きの１つのスパイラル状になるように前記第１切断端部同士を接続する第１接続導体と
   を有することを特徴とするコイル部品。
2. 請求項１記載のコイル部品であって、
   前記第１コイル導体の内周側端部の幅は、前記第１コイル導体の線幅以下であること
   を特徴とするコイル部品。
3. 請求項１又は２に記載のコイル部品であって、
   前記第１コイル導体と同層に形成され、前記第１コイル導体の内周側端部から前記第１切断端部間を通って前記第１コイル導体の外側まで引き出された第１引き出し導体をさらに有すること
   を特徴とするコイル部品。
4. 請求項３記載のコイル部品であって、
   前記第１引き出し導体は、直線状に延伸すること
   を特徴とするコイル部品。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
   前記第１コイル導体の内側に形成された磁性層をさらに有すること
   を特徴とするコイル部品。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
   スパイラル状に形成され、前記第１コイル導体に対向配置された第２コイル導体と、
   前記第２コイル導体の一部が切断されて対向する第２切断端部と、
   前記第２コイル導体と絶縁膜を介して形成され、前記第２コイル導体が一続きの１つのスパイラル状になるように前記第２切断端部同士を接続する第２接続導体とをさらに有すること
   を特徴とするコイル部品。
7. 請求項６記載のコイル部品であって、
   前記第２接続導体は、前記第１接続導体と同層に形成され、
   前記第１及び第２接続導体は、前記第１及び第２コイル導体間に形成されていること
   を特徴とするコイル部品。

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