JP4481538B2

JP4481538B2 - 電磁界供給装置およびプラズマ処理装置

Info

Publication number: JP4481538B2
Application number: JP2001300416A
Authority: JP
Inventors: 信雄石井; 己拔篠原; 保能八坂; 真安藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Nihon Koshuha Co Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Nihon Koshuha Co Ltd
Priority date: 2001-09-28
Filing date: 2001-09-28
Publication date: 2010-06-16
Anticipated expiration: 2021-09-28
Also published as: JP2003109797A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁界供給装置に関し、より詳しくは、導波路を伝搬する電磁界をスロットを介して対象に供給する電磁界供給装置に関する。
また本発明は、プラズマ処理装置に関し、より詳しくは、電磁界を用いてプラズマを生成し、半導体やＬＣＤ（liquid crystal desplay）などの被処理体を処理するプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置やフラットパネルディスプレイの製造において、酸化膜の形成や半導体層の結晶成長、エッチング、またアッシングなどの処理を行うために、プラズマ処理装置が多用されている。これらのプラズマ処理装置の一つに、ラジアルラインスロットアンテナ（以下、ＲＬＳＡと略記する）から処理容器内にマイクロ波を供給し、その電磁界の作用により処理容器内のガスを電離および解離させてプラズマを生成するマイクロ波プラズマ処理装置がある。このマイクロ波プラズマ処理装置は、低圧力で高密度のプラズマを生成できるので、効率のよいプラズマ処理が可能である。
【０００３】
図１１は、従来のマイクロ波プラズマ処理装置の一構成例を示す図である。この図に示すプラズマ処理装置は、被処理体である基板４を収容しこの基板４に対しプラズマ処理を施す処理容器１と、この処理容器１内にマイクロ波ＭＷを供給しその電磁界の作用により処理容器１内にプラズマＰを生成する電磁界供給装置１１０とを有している。
処理容器１は、上部が開口した有底円筒形をしている。この処理容器１の底面中央部には絶縁板２を介して基板台３が固定されている。この基板台３の上面に基板４が配置される。処理容器１の底面周縁部には、真空排気用の排気口５が設けられている。処理容器１の側壁には、処理容器１内にガスを導入するためのガス導入用ノズル６が設けられている。例えばこのプラズマ処理装置がエッチング装置として用いられる場合、ノズル６からＡｒなどのプラズマガスと、ＣＦ₄ などのエッチングガスとが導入される。
【０００４】
処理容器１の上部開口は、処理容器１内で生成されるプラズマＰが外部に漏れないように、誘電体板７で密閉されている。この誘電体板７の上に後述する電磁界供給装置１１０のＲＬＳＡ１１２が配設されている。このＲＬＳＡ１１２は、誘電体板７によって処理容器１から隔離され、処理容器１内で生成されるプラズマＰから保護されている。誘電体板７およびＲＬＳＡ１１２の外周は、処理容器１の側壁上に環状に配置されたシールド材８によって覆われ、マイクロ波ＭＷが外部に漏れない構造になっている。
【０００５】
電磁界供給装置１１０は、マイクロ波ＭＷを発生させる高周波電源１１１と、ＲＬＳＡ１１２と、高周波電源１１１とＲＬＳＡ１１２との間を接続する同軸導波管１１３とを有している。
ＲＬＳＡ１１２は、ラジアル導波路１２１を形成する互いに平行な２つの円形導体板１２２，１２３と、これら２つの導体板１２２，１２３の外周部を接続してシールドする導体リング１２４とを有している。ラジアル導波路１２１の上面となる導体板１２２の中心部には、同軸導波管１１３からラジアル導波路１２１内にマイクロ波ＭＷを導入する開口１２５が形成されている。ラジアル導波路１２１の下面となる導体板１２３には、ラジアル導波路１２１内を伝搬するマイクロ波ＭＷを処理容器１内に供給するスロット１２６が複数形成されている。
同軸導波管１１３は同軸に配設された外導体１１３Ａと内導体１１３Ｂとからなり、外導体１１３ＡがＲＬＳＡ１１２の導体板１２２の開口１２５の周囲に接続され、内導体１１３Ｂが上記開口１２５を通ってＲＬＳＡ１１２の導体板１２３の中心に接続されている。
【０００６】
このような構成において、高周波電源１１１で発生したマイクロ波ＭＷは、同軸導波管１１３を介してラジアル導波路１２１内に導入される。そしてラジアル導波路１２１内を放射状に伝搬し、スロット１２６から誘電体板７を介して処理容器１内に供給される。処理容器１内ではマイクロ波ＭＷの電磁界により、ノズル６から導入されたプラズマガスが電離、場合によっては解離してプラズマＰが生成され、基板４に対する処理が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の電磁界供給装置１１０で用いられる同軸導波管１１３は、伝送電力が熱に変換されやすく伝送損が大きいので、電磁界の供給効率が低い。このため、この電磁界供給装置１１０を用いた従来のプラズマ処理装置は、プラズマＰの生成効率が低いという問題があった。
また、同軸導波管１１３に大電力を投入し内導体１１３Ｂが過熱されると、内導体１１３Ｂの熱によりＲＬＳＡ１１２の導体板１２３が内導体１１３Ｂとの接続部分で歪み、その結果内導体１１３Ｂと導体板１２３との間に隙間ができ、異常放電が起こることがあった。これを防ぐには、細い内導体１１３Ｂ内に冷却機構を設ける必要があるが、構造が複雑になりコストが高くなる。このため従来のプラズマ処理装置は、低コストで安定した動作を得ることが困難であるという問題があった。
【０００８】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電磁界の供給効率を向上させることにある。
また他の目的は、プラズマの生成効率を向上させることにある。
また他の目的は、低コストで安定した動作を得ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明の電磁界供給装置は、スロットを複数有する第１の導体板とこの第１の導体板に対向配置された第２の導体板とからなる導波路と、第２の導体板の開口に接続された円筒導波管と、第１の導体板上に設けられ第２の導体板の開口に向かって突出しかつ少なくとも一部が誘電体で形成されたバンプとを備え、バンプは、金属で形成された層と、誘電体で形成された層とが交互に配置された多層構造とされていることを特徴とする。
同じ伝送周波数の円筒導波管と同軸導波管とを比較すると、一般に円筒導波管は同軸導波管よりも特性インピーダンスが大きい。このため同じ電力を投入した場合に生じる壁面電流は円筒導波管の方が同軸導波管よりも小さくなる。壁面電流が小さいほど伝送電力が熱に変換されることによる伝送損が小さくなるので、壁面電流が小さい円筒導波管を用いることにより伝送損を低減することができる。
また、金属で形成された層と、誘電体で形成された層とが交互に配置された多層構造とされたバンプを設けることにより、円筒導波管から２つの導体板で構成される導波路へのインピーダンス変化を緩やかにし、両者の接続部での電力の反射を低減することができる。
また、円筒導波管は内導体を有しないので、内導体の過熱が原因の異常放電は起こらない。このため異常放電を防ぐために冷却機構などの複雑な構造体を設ける必要がない。
【００１０】
この電磁界供給装置において、バンプの開口に向かう先端が、丸められていてもよい。これによりバンプの先端に電界が集中することによって起こる異常放電を抑制することができる。
また、円筒導波管と２つの導体板で構成される導波路との接続部に、円筒導波管から上記導波路に向かって広がるテーパー部を設けてもよい。これにより円筒導波管から上記導波路へのインピーダンス変化を更に緩やかにし、両者の接続部での電力の反射を更に低減することができる。
【００１１】
また上述した目的を達成するために、本発明のプラズマ処理装置は、被処理体が収容される処理容器と、この処理容器内に電磁界を供給する電磁界供給装置とを備え、電磁界供給装置として上述した電磁界供給装置が用いられることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態の構成を示す図である。この図では、図１１と同一部分または相当部分を同一符号で示しており、その説明を適宜省略する。
【００１３】
図１に示すプラズマ処理装置は、被処理体である半導体やＬＣＤなどの基板４を収容しこの基板４に対しプラズマ処理を施す処理容器１と、この処理容器１内にマイクロ波ＭＷを供給しその電磁界の作用により処理容器１内にプラズマＰを生成する電磁界供給装置１０とを有している。
電磁界供給装置１０は、周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波ＭＷを発生させる高周波電源１１と、ラジアルラインスロットアンテナ（以下、ＲＬＳＡと略記する）１２と、高周波電源１１とＲＬＳＡ１２との間を接続する円筒導波管１３とを有している。円筒導波管１３の伝送周波数は２．４５ＧＨｚであり、伝送モードはＴＥ₁₁である。
【００１４】
ＲＬＳＡ１２は、ラジアル導波路２１を形成する対向配置された２つの円形導体板２２，２３と、これら２つの導体板２２，２３の外周部を接続してシールドする導体リング２４とから構成されている。
導体リング２４の内面位置は、処理容器１の側壁内面の径方向位置と略同一としている。またシールド材８の内面位置と処理容器１の側壁内面の径方向位置との差の長さは、導体板２３の下面と処理容器１の側壁上面とシールド材８の内面とから形成される空間でのマイクロ波ＭＷの波長λg′ と略同一としている。なお、これ以外の寸法でもかまわない。
ラジアル導波路２１の上面となる導体板２２の中心部には、円筒導波管１４に接続される開口２５が形成され、この開口２５からラジアル導波路２１内にマイクロ波ＭＷが導入される。ラジアル導波路２１の下面となる導体板２３には、ラジアル導波路２１内を伝搬するマイクロ波ＭＷを処理容器１内に供給するスロット２６が複数形成されている。
【００１５】
図２は、導体板２３上のスロット配置の一例を示す平面図である。この図に示すように、導体板２３には、導体板２３の周方向にのびるスロット２６を同心円上に配置してもよい。またスロット２６を渦巻き線上に配置してもよい。導体板２３の半径方向のスロット間隔をλg （λg はラジアル導波路２１における管内波長）程度として放射型アンテナとしてもよいし、λg/３〜λg/４０程度としてリーク型アンテナとしてもよい。またハの字状をなすスロット２６の対を複数配置し、円偏波を放射するようにしてもよい。
なお、ラジアル導波路２１内に比誘電率が１より大きい誘電体を配置してもよい。これにより管内波長λg が短くなるので、導体板２３の半径方向に配置されるスロット２６を増やし、マイクロ波ＭＷの供給効率を向上させることができる。
【００１６】
図１に示すように、導体板２３上の中心部には、誘電体で形成されたバンプ２７が設けられている。バンプ２７は導体板２２の開口２５に向かって突出する略円錐形に形成された部材である。バンプ２７は、比誘電率が１０以上の誘電体で形成されていることが望ましいが、それより小さくてもよい。このバンプ２７により、円筒導波管１３からラジアル導波路２１へのインピーダンスの変化を緩やかにし、円筒導波管１３とラジアル導波路２１との接続部でのマイクロ波ＭＷの反射を低減することができる。例えば、略円錐形のバンプ２７を比誘電率εr ＝２０の誘電体で形成し、その底面の直径をφ７０ｍｍ、高さを４８ｍｍとした場合、反射率（反射電力／入射電力）がおよそ２０ｄＢ以下という良好なシミュレーション結果が得られている。
【００１７】
図３は、バンプ２７の望ましい側面形状を示す概念図である。この図に示すように、バンプ２７の先端を略球面状に丸めることにより、バンプ２７の先端に電界が集中し異常放電が起こることを抑制できる。またバンプ２７の裾部分の稜線の導体板２３に対する傾きを小さくすることにより、バンプ２７と導体板２３との境界でのインピーダンス変化を小さくし、そこでのマイクロ波ＭＷの反射を低減することができる。
図１に示すようにバンプ２７の周囲には、誘電体からなる支柱２８が複数設けられている。支柱２８は導体板２２，２３の両方に締結され、バンプ２７の荷重により導体板２３が湾曲することを防いでいる。
【００１８】
また円筒導波管１３には、高周波電源１１側に円偏波変換器１４が、またＲＬＳＡ１２側には整合器１５が設けられている。
円偏波変換器１４は、円筒導波管１３を伝搬するＴＥ₁₁モードのマイクロ波ＭＷを円偏波に変換するものである。ここに円偏波とは、その電界ベクトルが進行方向の軸に対し垂直な面上で、１周期で１回転する回転電界であるような電磁波をいう。
図４は、円偏波変換器１４の一構成例を示す図であり、円筒導波管１３の軸に垂直な断面を示している。この図に示す円偏波変換器１４は、円筒導波管１３の内壁面に互いに対向する２つの円柱状突起１４Ａ，１４Ｂを１対、またはこれらを円筒導波管１３の軸方向に複数対設けたものである。２つの円柱状突起１４Ａ，１４Ｂは、ＴＥ₁₁モードのマイクロ波ＭＷの電界Ｅの主方向に対して４５°をなす方向に配置される。なお、他の構成の円偏波変換器を用いてもよい。
【００１９】
整合器１５は、円筒導波管１３の供給側（すなわち高周波電源１１側）と負荷側（すなわちＲＬＳＡ１２側）とのインピーダンスの整合をとるものである。整合器１５としては例えば、リアクタンス素子を円筒導波管１３の軸方向に複数設け、さらに円筒導波管１３の周方向に９０°の角度間隔で４組設けたものを用いることができる。リアクタンス素子としては、円筒導波管１３の内壁面から半径方向に突出する導体または誘電体からなるスタブや、一端が円筒導波管１３内に開口し他端が電気機能的にショートされた分岐導波管などを用いることができる。
【００２０】
次に、図１に示したプラズマ処理装置の動作について説明する。図５は、円筒導波管１３とラジアル導波路２１との接続部におけるマイクロ波ＭＷの伝搬の状態を示す概念図である。
高周波電源１１で発生したマイクロ波ＭＷは、円筒導波管１３に設けられた円偏波変換器１４により円偏波に変換され、ラジアル導波路２１に向かって伝搬する。マイクロ波ＭＷは円筒導波管１３をＴＥ₁₁モードで伝搬するので、マイクロ波ＭＷの電界Ｅの方向は円筒導波管１３の軸に垂直な「水平方向」であるが、マイクロ波ＭＷが円筒導波管１３とラジアル導波路２１との接続部に到達すると、マイクロ波ＭＷの電界Ｅの方向は図５に示すようにバンプ２７により徐々に導体板２２，２３に垂直な「垂直方向」へと変化していく。そしてラジアル導波路２１に導入されたマイクロ波ＭＷは、ＴＥＭモードで半径方向に伝搬していく。
【００２１】
ラジアル導波路２１を伝搬するマイクロ波ＭＷは、ラジアル導波路２１の下面となる導体板２３に複数形成されたスロット２６から、誘電体板７を介して処理容器１内に供給される。処理容器１内ではマイクロ波ＭＷの電磁界により、ノズル６から導入されたプラズマガスが電離、場合によっては解離してプラズマＰが生成され、基板４に対する処理が行われる。
【００２２】
次に、図１に示したプラズマ処理装置により得られる効果について説明する。電磁界供給装置１０は、一般に特性インピーダンスが大きい円筒導波管１３を用いている。ＪＩＳ規格によれば、２．４５ＧＨｚ用の同軸導波管１１３の特性インピーダンスが５０Ωであるのに対し、同じ周波数用の円筒導波管１３の特性インピーダンスは５００〜６００Ωと大きい。このため同じ電力を投入した場合に生じる壁面電流は、同軸導波管１１３よりも円筒導波管１３の方が小さくなる。壁面電流が小さいほど伝送電力が熱に変換されることによる伝送損が小さくなるので、壁面電流が比較的小さい円筒導波管１３を用いることにより伝送損を低減することができる。
【００２３】
また、誘電体からなるバンプ２７を設けることにより、円筒導波管１３からラジアル導波路２１へのインピーダンスの変化を緩やかにし、円筒導波管１３とラジアル導波路２１との接続部での電力の反射を低減することができる。
このように伝送損と電力の反射とを低減することにより、電磁界供給装置１０による電磁界の供給効率を向上させることができる。さらに、この電磁界供給装置１０を用いてプラズマ処理装置を構成することにより、プラズマＰの生成効率を向上させることができる。
【００２４】
また、電磁界供給装置１０に用いられる円筒導波管１３は、同軸導波管１１３のような内導体１１３Ｂを有しないので、内導体の過熱が原因の異常放電は起こらない。なお、電磁界供給装置１０はバンプ２７を有するが、円筒導波管１３の発熱量は同軸導波管１１３よりも小さいので、円筒導波管１３に大電力を投入した場合でも、円筒導波管１３からの熱によりバンプ２７が過熱されることが原因の異常放電は起こりにくい。このため異常放電を防ぐために冷却機構などの複雑な構造体を設ける必要がない。よって、電磁界供給装置１０およびプラズマ処理装置の安定した動作を低コストで実現することができる。
【００２５】
また、マイクロ波ＭＷは円筒導波管１３をＴＥ₁₁モードで伝搬するので、ラジアル導波路２１内の電界強度分布は図６に示すように、円筒導波管１３内の電界Ｅの方向に電界強度の強い部分Ｆが強く偏在したものとなる。しかし円筒導波管１３を伝搬するマイクロ波ＭＷは円偏波であり、マイクロ波ＭＷの電界Ｅは円筒導波管１３の軸を中心に回転しているので、ラジアル導波路２１内における電界強度の強い部分Ｆも同様に回転する。したがってラジアル導波路２１内の電界強度分布は時間平均で均一化される。これにより処理容器１内の電界強度分布も時間平均で均一化されるので、処理容器１内の電磁界により生成されたプラズマＰを用いて基板４の面内で一様な処理を行なうことができる。
【００２６】
次に、バンプ２７の変形例について説明する。図７〜図９は、バンプの変形例を示す図である。
図１に示したバンプ２７は、誘電体のみで形成されているのに対し、図７（ａ）に示したバンプ３０は、アルミニウムまたは銅などの金属で形成された下層３１と、誘電体で形成された上層３２とからなる二層構造を有している。
上層３２を下層３１に接合するには、例えば図７（ｂ）に示すように、上層３２と下層３１とをボルト３３で締結してもよい。また図７（ｃ）に示すように、誘電体で形成された上層３２の下面に金属薄膜３４を形成し、上層３２と下層３１とを熱圧着してもよい。この場合、ろう材を用いてもよい。金属薄膜３４を熱伝導性のよい材料で形成することにより、上層３２で発生した熱を下層３１を介して導体板２３に逃がし、バンプ３０の過熱を防ぐことができる。
【００２７】
また、図８（ａ）に示すバンプ４０のように、下層４１が誘電体で形成され、上層４２が金属で形成されていてもよい。
また、図８（ｂ）に示すバンプ５０のように、金属で形成された層５１，５３と、誘電体で形成された層５２，５４とが交互に配置された多層構造を有していてもよい。
また、図８（ｃ）に示すバンプ６０のように、バンプ本体６１が誘電体で形成され、このバンプ本体６１の一部の表面が金属薄膜６２で覆われた構造を有していてもよい。
また、図９に示すバンプ７０のように、バンプ７０の軸を含む面により、金属で形成された部分７１，７３，７５，７７と、誘電体で形成された部分７２，７４，７６，７８とに分割された構造を有していてもよい。
【００２８】
このようにバンプは必ずしも誘電体のみで形成する必要はなく、部分的に金属で形成してもよい。部分的に金属で形成することにより、誘電体については比誘電率が低い低価格のものを用いることができる。したがってバンプの製造コストを低減することができる。
【００２９】
（第２の実施の形態）
図１０は、本発明の第２の実施の形態の要部構成を示す断面図である。この図では、図１および図７と同一部分または相当部分を同一符号で示しており、その説明を適宜省略する。
図１０に示す電磁界供給装置は、円筒導波管１３とラジアル導波路２１との接続部に、円筒導波管１３から導体板２２Ａに向かって広がるテーパー部８１を有している。なお、導体板２３上の中心部には、金属で形成された下層３１と、誘電体で形成された上層３２とからなるバンプ３０が設けられている。
この電磁界供給装置のように、バンプ３０を設けるとともに、円筒導波管１３とラジアル導波路２１との接続部にテーパー部８１を設けることにより、円筒導波管１３からラジアル導波路２１へのインピーダンス変化を更に緩やかにし、両者の接続部での電力の反射を更に低減することができる。
【００３０】
この電磁界供給装置の反射率についてのシミュレーション結果を示す。このシミュレーションでは、円筒導波管１３の直径Ｌg をφ９０ｍｍ、ラジアル導波路２１の直径Ｌa ，高さＤをそれぞれφ４８０ｍｍ，１５ｍｍとした。また、テーパー部８１の底面の半径と円筒導波管１３の半径（Ｌg/２）との差Ｗt を５ｍｍ、テーパー部８１の高さＨt を５ｍｍとした。また、バンプ３０の底面の直径Ｌb ，高さＨb をそれぞれφ７０ｍｍ，５０ｍｍとし、バンプ３０の下層３１をアルミニウムで形成し、上層３２をＢａＴｉＯ₃ （チタン酸バリウム：２．４５ＧＨｚにおける比誘電率εr ＝１３〜１５、ｔａｎδ＝１０^-4）で形成した。このような構成において、高周波電源１１から周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波ＭＷを投入した場合、反射率は−３０〜−２５ｄＢと極めて小さかった。したがって、この電磁界供給装置は電磁界の供給効率が高いといえる。この電磁界供給装置をプラズマ処理装置に用いることにより、プラズマを効率よく生成することができる。
【００３１】
以上では、周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波ＭＷを使用した例を説明したが、使用可能な周波数は２．４５ＧＨｚに限定されない。例えば周波数が１ＧＨｚ〜十数ＧＨｚのマイクロ波に対しても、同様の効果が得られる。さらに、マイクロ波よりも低い周波数帯を含む高周波を用いた場合でも、同様の効果が得られる。
また、マイクロ波ＭＷの伝送モードは、ＴＭ₀₁モードであってもよい。
【００３２】
また、スロットアンテナの一例としてＲＬＳＡ１２，１２Ａを用いて説明したが、これに限定されるものではなく、他のスロットアンテナであってもかまわない。
また、本発明のプラズマ処理装置は、エッチング装置、ＣＶＤ装置、アッシング装置などに利用することができる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電磁界供給装置は、従来の同軸導波管に代えて、円筒導波管を用いたものである。一般に円筒導波管は同軸導波管よりも特性インピーダンスが大きいので、円筒導波管を用いることにより壁面電流を小さくし、伝送電力が熱に変換されることによる伝送損を低減することができる。
また、少なくとも一部が誘電体で形成されたバンプを設けることにより、円筒導波管から２つの導体板で構成される導波路へのインピーダンス変化を緩やかにし、両者の接続部での電力の反射を低減することができる。
このように伝送損と電力の反射とを低減することにより、電磁界の供給効率を向上させることができる。
また、円筒導波管は内導体を有しないので、内導体の過熱が原因の異常放電は起こらない。このため異常放電を防ぐために冷却機構などの複雑な構造体を設ける必要がないので、低コストで安定した動作を得ることができる。
【００３４】
また、バンプの先端を丸めることにより、バンプの先端に電界が集中し異常放電が起こることを抑制できる。したがって更に安定した動作を得ることができる。
また、円筒導波管と２つの導体板で構成される導波路との接続部にテーパー部を設けることにより、円筒導波管から上記導波路へのインピーダンス変化を更に緩やかにし、接続部での電力の反射を更に低減し、電磁界の供給効率を更に向上させることができる。
【００３５】
また、上述した電磁界供給装置を用いてプラズマ処理装置を構成することにより、プラズマの生成効率を向上させるとともに、低コストで安定した動作を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示す図である。
【図２】図１におけるII−II′線方向からみたラジアル導波路の下面となる導体板の平面図である。
【図３】バンプの望ましい側面形状を示す概念図である。
【図４】円偏波変換器の一構成例を示す図である。
【図５】円筒導波管とラジアル導波路との接続部におけるマイクロ波の伝搬の状態を示す概念図である。
【図６】ラジアル導波路におけるマイクロ波の分布を説明するための図である。
【図７】バンプの変形例を示す断面図である。
【図８】バンプの変形例を示す断面図である。
【図９】バンプの変形例を示す平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態の要部構成を示す断面図である。
【図１１】従来のプラズマ処理装置の一構成例を示す図である。
【符号の説明】
１…処理容器、２…絶縁板、３…基板台、４…基板（被処理体）、５…排気口、６…ガス導入用ノズル、７…誘電体板、８…シールド材、１０…電磁界供給装置、１１…高周波電源、１２，１２Ａ…ラジアルラインスロットアンテナ、１３…円筒導波管、１４…円偏波変換器、１４Ａ，１４Ｂ…スタブ、１５…整合器、２１…ラジアル導波路、２２，２２Ａ，２３…円形導体板、２４…リング部材、２５…開口、２６…スロット、２７，３０，４０，５０，６０，７０…バンプ、２８…支柱、３１，４１…下層、３２，４２…上層、３３…ボルト、３４，６２…金属薄膜、５１，５３…金属で形成された層、５２，５４…誘電体で形成された層、６１…バンプ本体、７１，７３，７５，７７…金属で形成された部分、７２，７４，７６，７８…誘電体で形成された部分、８１…テーパー部、Ｅ…電界、Ｆ…電界強度の強い部分、ＭＷ…マイクロ波、Ｐ…プラズマ。

Claims

スロットを複数有する第１の導体板とこの第１の導体板に対向配置された第２の導体板とからなる導波路と、
前記第２の導体板の開口に接続された円筒導波管と、
前記第１の導体板上に設けられ前記第２の導体板の開口に向かって突出しかつ少なくとも一部が誘電体で形成されたバンプと
を備え、
前記バンプは、金属で形成された層と、誘電体で形成された層とが交互に配置された多層構造とされている
ことを特徴とする電磁界供給装置。
請求項１記載の電磁界供給装置において、
前記バンプは、金属で形成された下層と、誘電体で形成された上層とからなる二層構造とされていることを特徴とする電磁界供給装置。
請求項１記載の電磁界供給装置において、
前記バンプは、金属で形成された上層と、誘電体で形成された下層とからなる二層構造とされていることを特徴とする電磁界供給装置。
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁界供給装置において、
前記バンプの前記開口に向かう先端は、丸められていることを特徴とする電磁界供給装置。
請求項１〜４のいずれか１項記載の電磁界供給装置において、
前記円筒導波管と前記導波路との接続部に、前記円筒導波管から前記導波路に向かって広がるテーパー部を有することを特徴とする電磁界供給装置。
被処理体が収容される処理容器と、この処理容器内に電磁界を供給する電磁界供給装置とを備えたプラズマ処理装置において、
前記電磁界供給装置は、請求項１〜５のいずれか１項記載の電磁界供給装置であることを特徴とするプラズマ処理装置。