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JP4451450B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して処理液による液処理、洗浄処理等を行った後、これを乾燥させる技術に関するものである。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)をスピンチャックによって保持し、処理液を供給して洗浄する処理装置が用いられている。かかる装置を用いた洗浄工程では、ウェハに純水等の処理液を供給した後、ウェハを回転させ、遠心力により液滴を振り切ることにより乾燥させる処理が行われている。
従来、ウェハを乾燥させる方法として、ウェハを回転させながらウェハにIPA(イソプロピルアルコール)蒸気を吹き付ける、霧状のIPAを吹き付ける、IPA液を供給する等の方法がある。また、ウェハの回転中心から半径方向外側に向かって移動するノズルからウェハに対して純水を供給しつつ、純水の供給位置より回転中心に近い位置でIPA蒸気を吹き付けることにより、ウェハを乾燥させる方法もある(特開平11−233481号公報、特開2003−197590号公報)。さらに、同様に純水を供給しながら、純水の供給位置より回転中心に近い位置で不活性ガスを吹き付けることにより、ウェハを乾燥させる方法も提案されている(特開2001−53051号公報)。
しかしながら、これらの処理方法でIPA等の乾燥用の処理液を供給しながらウェハを乾燥させる場合、処理液の使用量が多いという問題がある。
本発明は、IPA等の乾燥用の処理液の使用量を低減しても十分に基板を乾燥させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は、そのような処理方法を実行するプログラムを格納した記憶媒体を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明によれば、
薬液により基板を処理する薬液処理工程と、
基板上の薬液を純水により洗い流す純水リンス工程と、
前記純水が付着した基板を回転させながら、この基板に対して、純水より揮発性が高い乾燥用の流体と、不活性ガスとを供給して基板を乾燥させる乾燥工程と、を備え、
前記乾燥工程において、基板に対する前記不活性ガスの供給位置が基板に対する前記流体の供給位置よりも基板の回転中心に近くなるように保ちつつ、前記流体の供給位置および前記不活性ガスの供給位置を前記基板の回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させる、ことを特徴とする基板処理方法が提供される。
この方法においては、基板に対する前記純水の供給位置が基板に対する前記流体の供給位置よりも基板の回転中心から遠くなるように保ちつつ、前記純水の供給位置を基板の回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させながら、前記純水を基板に対して供給することにより、基板の回転中心に対して半径方向外側へ向かって前記純水リンス工程と前記乾燥工程とを連続的に行うことが好ましい。
また、この方法においては、基板に対する前記不活性ガスの供給位置が、基板に対する前記流体の供給位置よりも基板の回転方向前方に位置するようにすることが好ましい。
また、前記乾燥工程は、前記純水リンス工程よりも前記基板の周囲の湿度を低下させた状態で行うことが好ましい。
次に、本発明によれば、
基板を保持してこれを回転させるスピンチャックと、
前記基板に対して薬液を供給する薬液ノズルと、
前記薬液ノズルに前記薬液を供給する薬液供給路に介設された薬液用開閉弁と、
前記基板に対してリンス液としての純水を供給するリンス液ノズルと、
前記リンス液ノズルに前記純水を供給するリンス液供給路に介設されたリンス液用開閉弁と、
前記基板に対して、前記純水よりも揮発性が高い乾燥用の流体を供給する流体ノズルと、
前記流体ノズルに前記流体を供給する流体供給路に介設された流体用開閉弁と、
前記基板に対して不活性ガスを供給する不活性ガスノズルと、
前記不活性ガスノズルに前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給路に介設された不活性ガス用開閉弁と、
前記薬液ノズル、前記リンス液ノズル、前記流体ノズルおよび前記不活性ノズルを移動させるノズル移動機構と、
前記スピンチャック、前記ノズル移動機構、前記薬液ノズル用開閉弁、前記リンス液ノズル用開閉弁、前記流体ノズル用開閉弁および前記不活性ガスノズル用開閉弁の動作を制御する制御器と、を備え、
前記制御器は、
前記ノズル移動機構により前記薬液ノズルを前記基板の上方に位置させた状態で前記薬液ノズル用開閉弁を開くことにより前記薬液ノズルから前記基板に前記薬液を供給して前記薬液によって前記基板を処理する薬液処理工程と、前記ノズル移動機構により前記リンス液ノズルを前記基板の上方に位置させた状態で前記リンス液用開閉弁を開くことにより前記リンス液ノズルから前記基板に前記純水を供給して前記薬液処理工程により前記基板上に付着した前記薬液を前記純水により洗い流す純水リンス工程と、前記スピンチャックにより前記基板を回転させるとともに前記ノズル移動機構により前記流体ノズルおよび前記不活性ガスノズルを前記基板の上方に位置させた状態で前記流体ノズル用開閉弁および前記不活性ガス用開閉弁を開くことにより前記純水リンス工程により前記純水が付着した前記基板に前記流体および前記不活性ガスを前記基板に供給して前記基板を乾燥させる乾燥工程とを実施させ、
前記ノズル移動機構は、前記乾燥工程において、前記不活性ガスノズルが前記流体ノズルよりも前記基板の回転中心に近くなるように保ちつつ、前記流体ノズルおよび前記不活性ガスノズルを前記基板の回転中心に対して半径方向外側に向かって移動させることを特徴とする基板処理装置が提供される。
この装置においては、前記ノズル移動機構による各ノズルの移動方向と直交する方向(ここでは、特に基板表面と平行な方向をいう)において、前記不活性ガスノズルの開口寸法が前記流体ノズルの開口寸法よりも大きくなっていることが好ましい。
前記制御器は、前記純水リンス工程と前記乾燥工程とが前記基板を回転させながら連続的に行われるように、前記スピンチャックにより前記基板を回転させるとともに前記ノズル移動機構により前記リンス液ノズル、前記流体ノズルおよび前記不活性ガスノズルを前記基板の上方に位置させた状態で前記リンス液ノズル用開閉弁、前記流体ノズル用開閉弁および前記不活性ガス用開閉弁を開くことにより前記純水、前記流体および前記不活性ガスが同時に前記基板上に供給されるようにし、前記ノズル移動機構は、前記純水リンス工程と前記乾燥工程とが連続的に行われているときに、前記リンス液ノズルが前記流体ノズルよりも前記基板の回転中心から遠くなるように保ちつつ、前記リンス液ノズルを前記基板の回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させるように構成することができる。
また、前記スピンチャックに保持された基板周囲の湿度を調節する湿度調節機構を更に備えることが好ましい。
前記乾燥用の流体は、例えば、IPA液、水で希釈したIPA溶液、IPA液のミスト、水で希釈したIPA溶液のミスト、IPA蒸気、および水で希釈したIPA溶液の蒸気よりなる群から選択される。すなわち、本発明において「処理液よりも揮発性が高い乾燥用の流体」とは、処理液よりも揮発性が高い液体の他、そのような液体の蒸気をも含む概念である。
さらに、本発明によれば、
薬液により基板を処理する薬液処理工程と、
基板上の薬液を純水により洗い流す純水リンス工程と、
前記純水が付着した基板を回転させながら、この基板に対して、純水より揮発性が高い乾燥用の流体と、不活性ガスとを供給して基板を乾燥させる乾燥工程と、を備え、
前記乾燥工程において、基板に対する前記不活性ガスの供給位置が基板に対する前記流体の供給位置よりも基板の回転中心に近くなるように保ちつつ、前記流体の供給位置および前記不活性ガスの供給位置を前記基板の回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させる基板処理方法を実行するプログラムを格納した記憶媒体が提供される。
この記憶媒体においては、前記基板処理方法において、基板に対する前記純水の供給位置が基板に対する前記流体の供給位置よりも基板の回転中心から遠くなるように保ちつつ、前記処理液の供給位置を基板の回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させながら、前記純水を基板に対して供給することにより、基板の回転中心に対して半径方向外側へ向かって前記純水リンス工程と前記乾燥工程とを連続的に行う基板処理方法を実行するプログラムを格納していることが好ましい。
本発明によれば、基板にIPA溶液等の乾燥用の流体と窒素ガスとを同時に供給することにより、基板を効率的に乾燥させることができる。すなわち、窒素ガスによって乾燥を促進することで、乾燥用の流体の使用量を抑えて、低コストを図ることが可能である。また、基板の処理時間を短縮することができる。さらには、基板表面のウォーターマークの発生を効果的に防止することができる。
以下、本発明の好ましい実施の形態を、基板としての略円板形のウェハWの表面を洗浄処理する基板処理装置に基づいて説明する。
図1に示すように、本実施の形態にかかる基板処理装置1の処理容器2内には、ウェハWを略水平に保持してこれを回転させるスピンチャック3が備えられている。また、ウェハWに薬液を供給する薬液ノズル5と、このノズル5を支持する第1の支持アーム6とが備えられている。さらに、処理液としてリンス液を供給する処理液ノズル11、リンス液より揮発性が高い乾燥用の流体を供給する流体ノズル12、および不活性ガスとして窒素(N)ガスを供給する不活性ガスノズル13と、これらのノズル11,12,13を支持する第2の支持アーム15とが備えられている。また、基板処理装置1の各部を制御するCPUを有する制御器16が備えられている。
スピンチャック3の上部には、3個の保持部材18が設けられており、これら保持部材18をウェハWの周縁3箇所にそれぞれ当接させてウェハWを保持するようになっている。スピンチャック3の下部には、垂直な回転軸を介してスピンチャック3を回転させるモータ20が取り付けられている。このモータ20でスピンチャック3を回転させることで、ウェハWの中心Pを回転中心として、ウェハWをスピンチャック3と一体的に略水平面内で回転させるようになっている。モータ20の駆動は、制御器16によって制御される。
第1の支持アーム6は、スピンチャック3に支持されたウェハWの上方に配置されている。第1の支持アーム6の基端部は、略水平に配置されたガイドレール31に沿って移動自在に支持されている。また、ガイドレール31に沿って第1の支持アーム6を移動させる駆動機構32が備えられている。図2に示すように、駆動機構32の駆動による第1の支持アーム6の移動に伴って、薬液ノズル5がウェハWの回転中心Pに対して半径方向に、ウェハWの外側まで水平に移動できるようになっている。駆動機構32の駆動は制御器16(図1)によって制御される。
図1に示すように、薬液ノズル5は、第1の支持アーム6の先端に固定された昇降機構35から下方に突出する昇降軸36の下端に取り付けられている。昇降軸36は、昇降機構35により昇降自在になっており、これにより、薬液ノズル5が任意の高さに昇降されるようになっている。昇降機構35の駆動は、制御器16によって制御される。薬液ノズル5に接続された薬液供給路37には、開閉弁38が介設されている。開閉弁38の開閉動作は、制御器16によって制御される。
第2の支持アーム15は、スピンチャック3に支持されたウェハWの上方に配置されている。第2の支持アーム15の基端部は、略水平に配置されたガイドレール51に沿って移動自在に支持されている。また、ガイドレール51に沿って第2の支持アーム15を移動させる駆動機構52が備えられている。これらにより、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13を水平方向に移動させるノズル移動機構が構成されている。図2に示すように、駆動機構52の駆動による第2の支持アーム15の移動に伴って、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13がウェハWの回転中心Pに対して半径方向に、ウエハWの外側まで水平に移動できるようになっている。駆動機構52の駆動は制御器16(図1)によって制御される。
図1に示すように、第2の支持アーム15の先端には、昇降軸54を備えた昇降機構55が固定されている。昇降軸54は、昇降機構55の下方に突出するように配置されており、この昇降軸54の下端に、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13が取り付けられている。昇降軸54は昇降機構55の駆動により伸縮し、これにより、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13が任意の高さに昇降されるようになっている。昇降機構55の駆動は、制御器16によって制御される。即ち、制御器16の命令により、駆動機構52の駆動を制御して第2の支持アーム15、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13を水平方向(ノズル移動方向D)に移動させるとともに、昇降機構55の駆動を制御して、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13の上下方向の位置を調節するようになっている。
図3にも示すように、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13は、ウェハWの回転中心Pから薬液ノズル5とは反対側の半径方向(ノズル移動方向D)に並ぶように互いに隣接して配置されている。すなわち、ノズル移動方向Dに沿って、不活性ガスノズル13が流体ノズル12よりもウェハWの回転中心Pに近くなり、処理液ノズル11が流体ノズル12よりもウェハWの回転中心Pから遠くなるように配置されている。
処理液ノズル11は、リンス液として例えば純水(DIW)などの液体を供給する。処理液ノズル11は、リンス液供給路62を介してリンス液供給源61に接続されている。リンス液供給路62には開閉弁63が介設されている。流体ノズル12から供給される乾燥用の流体としては、例えばIPA(イソプロピルアルコール)に純水を混合して希釈させたIPA溶液などを用いると良い。純水を混合して希釈することで更にIPAの使用量を低減することができ、経済的である。流体ノズル12は、流体供給路67を介して乾燥用流体供給源66に接続されている。流体供給路67には開閉弁68が介設されている。不活性ガスノズル13は、窒素ガス供給路72を介して窒素ガス供給源71に接続されている。窒素ガス供給路72には開閉弁73が介設されている。また、制御器16によって開閉弁63、68、73の開閉動作を制御することにより、リンス液、IPA溶液および窒素ガスの供給が制御されるようになっている。
次に、以上のように構成された基板処理装置1を用いたウェハWの処理方法について説明する。
先ず、図示しない搬送アームにより未だ洗浄されていないウェハWを処理容器2内に搬入し、図1に示すようにウェハWをスピンチャック3で保持する。ウェハWをスピンチャック3に受け渡すときは、図2に二点鎖線で示すように、第1の支持アーム6および第2の支持アーム15をスピンチャック3の外側に位置する待機位置に退避させておく。
ウェハWがスピンチャック3で保持されたら、図1に示したモータ20の駆動によりスピンチャック3を回転させ、ウェハWの回転を開始させる。そして、薬液による処理を行う薬品処理工程を開始する。まず、図2に一点鎖線で示すように、薬液ノズル5がウェハWの回転中心P上に位置するように第1の支持アーム6を移動させる。そして、回転するウェハWの回転中心Pに向かって、薬液ノズル5から薬液を供給する。回転中心Pに供給された薬液は、遠心力によりウェハWの上面全体に拡散する。こうして、ウェハWの上面に薬液の液膜が形成される。
薬液ノズル5からの薬液供給を停止させたら、第1の支持アーム6をスピンチャック3外側の待機位置に戻す。その後、所定時間放置することで、薬液の液膜によるウェハWの上面の処理を行う。
次に、ウェハWのリンス処理を行う液処理工程を実行する。まず、図2に一点鎖線で示すように、処理液ノズル11がウェハWの回転中心P上に位置するように第2の支持アーム15移動させる。そして、所定の回転速度で回転するウェハWの回転中心Pに向かって、処理液ノズル11からリンス液を供給する。回転中心Pに供給されたリンス液は、遠心力によりウェハWの上面全体に拡散する。これにより、ウェハWの上面から薬液が押し流されて除去され、ウェハWの上面にリンス液の液膜が形成される。
ウェハWが十分にリンス処理されたら、処理液ノズル11からのリンス液の供給を停止し、乾燥工程を開始する。先ず、流体ノズル12からのIPA溶液の供給を開始すると共に、不活性ガスノズル13からの窒素ガスの供給を開始する。そして、各ノズル23,13からIPA溶液と窒素ガスを回転するウェハWの上面に向かって供給しながら、第2の支持アーム15をノズル移動方向Dに移動させる。これにより、図3に示すように、ウェハの上面に対する流体ノズル12からのIPA溶液の供給位置Sfと、不活性ガスノズル13からの窒素ガスの供給位置Snとが、ウェハWの回転中心Pから半径方向外側に向かって移動するようにする。これをウェハWを回転させながら行うことで、ウェハWの上面全体にIPA溶液と窒素ガスを吹き付けることができる。
なお、IPA溶液の供給と窒素ガスの供給は、同時に開始しても良い。例えば、流体ノズル12がウェハWの回転中心P上方に移動したときにIPA溶液の供給と窒素ガスの供給を開始することで、ウェハWの回転中心PからIPA溶液の供給が開始され、ノズル移動方向Dに対して回転中心Pから後方に少しずれた位置において、窒素ガスの供給が開始されるようにしても良い。また、窒素ガスの供給は、IPA溶液の供給を開始した後、不活性ガスノズル13がウェハWの回転中心P上方に移動したときに開始し、ウェハWの回転中心Pから窒素ガスの供給が開始されるようにしても良い。また、IPA溶液および窒素ガスの供給を、共にノズル移動方向Dに対して回転中心Pから後方に少しずれた位置において開始しても良い。
ウェハWの上面に付着していたリンス液は、IPA溶液が供給されることにより押し流され、また、リンス液に混合したIPAの揮発性により、リンス液の蒸発が促進される。従って、IPA溶液を供給することにより、ウェハWの上面から純水が効率的に除去される。ウェハWの上面に供給されたIPA溶液は、遠心力によってウェハWの外周側に向かって流れる。また、IPA溶液の供給位置Sfがノズル移動方向Dに移動する間、窒素ガスの供給位置Snは、IPA溶液の供給位置Sfに隣接しつつ、当該供給位置SfよりもウェハWの回転中心Pに近くなるように保たれる。従って、ウエハWの上面においてリンス液をIPAで押し流した後、直ぐに窒素ガスを供給して乾燥を促進することができる。
このようにしてウェハWの上面を効率的に乾燥させることで、IPAの使用量を抑えつつ、乾燥速度を早くすることができる。さらに、ウォーターマークの発生原因である酸素濃度も低くできるため、ウォーターマークの発生を防止できる。
そして、IPA溶液の供給位置SfがウェハWの周縁上まで来たら、流体ノズル12からのIPA溶液の供給を停止させる。また、窒素ガスの供給位置SnがウェハWの周縁上まで来たら、不活性ガスノズル13からの窒素ガスの供給を停止させる。こうして、乾燥処理工程が終了する。なお、窒素ガスの供給位置SnをウェハWの周縁上で一時停止させ、暫くの間、窒素ガスを周縁に供給し続けてから、供給を停止するようにしても良い。このようにすると、より確実に乾燥させることができる。
乾燥処理後、スピンチャック3の回転を停止させ、図示しない搬送アームを処理容器2内に進入させ、ウェハWをスピンチャック3から受け取り、処理容器2から搬出する。こうして、基板処理装置1におけるウェハWの一連の処理が終了する。
例えば、以上のような基板処理方法を実行するプログラムを格納した記憶媒体(磁気記憶媒体、光学記憶媒体、半導体メモリ等)を用意し、制御器16が当該記憶媒体からプログラムを読み取ってこれを実行するように構成することができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、流体ノズル12によってIPA溶液を供給することにより、ウェハWに付着した処理液を効率的に除去することができる。さらに、不活性ガスノズル13によって窒素ガスを供給することにより、ウェハWからIPA溶液を効率的に除去することができる。従って、IPA溶液と窒素ガスを同時に供給することにより、ウェハWを効率的に乾燥させることができる。また、窒素ガスを用いて乾燥を促進することができるので、IPA溶液の使用量を抑えることが可能である。従って、IPAの使用量を低減することで、低コストを図ることができる。また、乾燥効率が良いので、ウェハWの乾燥処理時間を短縮することができる。
次に、図6に示す本発明の他の実施形態について説明する。この実施形態は、ウェハWに対する窒素ガスの供給位置Sn(不活性ガスノズル13)が、ウェハWに対するIPA溶液の供給位置Sf(流体ノズル12)よりもウェハWの回転方向前方に位置するようにしたものである。なお、図6においては、各ノズル12,13からのIPA溶液および窒素ガスの供給領域をそれぞれ破線の円Af,Anで示し、各供給領域Af,Anの中心をそれぞれ供給位置Sf,Snとしている。この場合、各供給位置Sf,SnとウェハWの回転中心Pとを結ぶ直線をそれぞれLf,Lnとすると、直線Lnは、直線LfからウェハWの回転方向へ90度未満の角度θnだけずれている。これにより、ウェハWの半径方向だけでなく回転方向においても、常にIPA溶液に続いて窒素ガスが供給されるようにすることができる。
次に、図7に示す本発明の更に他の実施形態について説明する。この実施形態は、ノズル移動方向Dと直交する方向(ここでは、特にウェハW表面と平行な方向をいう)において、不活性ガスノズル13’の開口寸法Bnが流体ノズル12の開口寸法Sfよりも大きくなっている。具体的には、流体ノズル12が円形開口12aを有しているのに対して、不活性ガスノズル13’は、長辺の長さが円形開口12aの直径よりも大きい長方形開口13aを有している。これにより、ノズル移動方向Dと直交する方向においては、不活性ガスの供給領域Anの寸法Bnも、IPA溶液の供給領域Afの寸法Bfより大きくなっている。これにより、IPA溶液を窒素ガスによってより効果的に押し流すことができ、乾燥工程をより効率よく行うことができる。
次に、図8に示す本発明の更に他の実施形態について説明する。この実施形態は、スピンチャック3に保持されたウェハW周囲の湿度を調節する湿度調節機構を更に備えたものである。この湿度調節機構は、例えば図8に示すように処理容器2の天井に取り付けられた湿度調節器85によって構成してもよいし、処理容器2内に乾燥した不活性ガスを供給しつつ処理容器2内を排気するような構成としてもよい。そして、湿度調節機構により、乾燥工程を、薬品処理工程や液処理工程よりもウェハW周囲の湿度を低下させた状態(例えば相対湿度約25%)で行う。これにより、乾燥工程においてウェハW上に供給されたIPA溶液中に周囲の水分が溶け込むことを抑制することで、乾燥後のウェハWにパーティクルが発生することを防止できる。
以上、本発明の好適な実施の形態を示したが、本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば、基板は半導体ウェハに限らず、その他のLCD基板用ガラスやCD基板、プリント基板、セラミック基板などであっても良い。
また、薬液ノズル5から供給する薬液によってウェハWを薬品処理した後で処理液により洗浄する場合について説明したが、ウェハWの洗浄方法はかかるものに限定されない。例えば、ブラシやスポンジなどのスクラバをウェハWに接触させてスクラブ洗浄する構成とした基板処理装置にも、本発明を好適に適用できる。また、本発明は、例えばレジスト除去処理、エッチング残渣を除去する処理など、様々な処理を行う基板処理装置に適用できる。例えば、レジスト除去処理用の薬液を供給するノズルを備え、レジスト除去処理を行った後に、実施の形態に説明した薬品処理、リンス処理、乾燥の各工程を行うようにしても良い。
また、乾燥用の流体として、IPA液を純水で希釈したIPA溶液を例示したが、IPA液を希釈せずに用いても良い。また、流体は液流状のほか、ミスト状(霧状)、噴流、蒸気などであっても良い。例えば、IPA液のミスト、IPA溶液のミスト、IPA蒸気、又は、IPA溶液の蒸気(IPA蒸気と水蒸気が混合した混合蒸気)などを流体として使用しても良い。さらに、IPA液のミスト、IPA溶液のミスト、IPA蒸気、又は、IPA溶液の蒸気などに、窒素ガスなどの気体を混合させたものを、乾燥用の流体として使用しても良い。なお、IPA溶液又はIPA溶液のミストや蒸気を用いる場合、IPA溶液中のIPA液と純水との比率は、例えば1:1にしても良い。
また、上記のIPAに換えて、例えば、メタノールやエタノール等の水溶性アルコール類、アセトンなど、揮発性の高い溶剤を用いても良い。このような溶剤を乾燥用の流体に使用する場合も、本発明により流体の使用量を低減することが可能であり、低コストを図ることができる。また、乾燥用の流体は、リンス液に対して可溶性を有することが好ましい。この場合、乾燥用の流体をリンス液に混合させることで蒸発を促進させることができる。さらに、乾燥用の流体は、リンス液に混合してリンス液の表面張力を低下させる作用を有するとしても良い。その場合、ウェハWの表面からリンス液が振り切られ易くなるので、リンス液を効率的に除去してウェハWを乾燥させることができる。
流体ノズル12としては、二流体ノズルを用いても良い。例えば、二流体ノズルの内部で、IPA液又はIPA溶液などの液体と、窒素ガスなどの気体とを混合することで、IPA液又はIPA溶液を無数の微粒子状の液滴からなる噴流にして、気体によって加速しながら液滴を噴射することができる。また、二流体ノズルの構造は、内部混合型のものに限定されず、例えば、液体と気体を外部で混合する外部混合型の構造であっても良い。
また、処理液ノズル11によってリンス液をウェハWに供給した後、リンス液の供給を停止させ、その後でIPA溶液と窒素ガスの供給による乾燥処理を行うこととしたが、これには限定されない。例えば、図4に示すもう一つの実施形態のように、リンス液を供給しながらIPA溶液と窒素ガスの供給を行うようにしても良い。即ち、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13によってリンス液、IPA溶液、窒素ガスをそれぞれ同時に供給しながら、第2の支持アーム15をノズル移動方向Dに移動させるようにしてもよい。これにより、ウェハWの上面におけるリンス液の供給位置Sr、IPA溶液の供給位置Sf、および窒素ガスの供給位置Snを、同時にノズル移動方向Dに移動させるようにしても良い。
この図4に示す場合には、ウェハWの上面に供給されたリンス液は、遠心力によって半径方向外側に向かって流れ、また、リンス液の供給位置Srに隣接した位置SfにIPA溶液が供給されることにより、リンス液がIPA溶液によって押し流される。従って、ウェハWの上面に薬液が残留していたとしても、これがリンス液とIPA溶液によって効率的に洗い流される。また、リンス液がウェハWの上面からなくなる前、つまりウェハWの表面が露出する前に、リンス液は、供給位置Sfに供給されたIPA溶液によって即座に置換される。従って、IPA溶液を供給することにより、ウェハWの上面からリンス液が効率的に除去され、ウォーターマークの発生を抑制することができる。また、供給位置Snに供給された窒素ガスによって、IPA溶液の乾燥が促進される。従って、この場合も、ウェハWの上面を効率的に乾燥させることができる。以上のように、リンス液とIPA溶液と窒素ガスとを同時に供給することにより、ウェハWの回転中心Pから半径方向外側へ向かって、リンス処理と乾燥処理とを連続的に行うことが可能である。この場合、乾燥処理に要する処理時間を短縮することができる。
また、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13を総て1つの第2の支持アーム15によって支持することとしたが、各ノズル11,12,13をそれぞれ異なる支持アームに支持するようにしても良い。その場合、処理液ノズル11、流体ノズル12および不活性ガスノズル13を互いに異なる向きの半径方向に移動させるようにしても良い。
例えば、流体ノズル12を支持する支持アームと不活性ガスノズル13を支持する支持アームをそれぞれ個別に設ける。そして、乾燥処理時、制御器16の制御により、各支持アームをそれぞれ180度異なる半径方向に移動させる。これにより、図5に示すように、流体ノズル12と不活性ガスノズル13とを、それぞれウェハWの回転中心Pから180度異なる半径方向の外側に移動させる。この場合も、窒素ガスの供給位置Snが、IPA溶液の供給位置SfよりもウェハWの回転中心Pに近くなるように保てば良い。即ち、IPA溶液の供給位置Sfと回転中心Pとの間の距離より、窒素ガスの供給位置Snと回転中心Pとの間の距離が常に短くなるように制御すれば良い。
この場合も、供給位置SfにおいてウェハWの上面に供給されたIPA溶液が、窒素ガスの供給位置Sn側に回転移動したとき、回転中心P側から供給される窒素ガスによって、ウェハWの外周側に吹き飛ばされながら乾燥させられる。従って、ウェハWを効率的に乾燥させることができる。さらに、処理液ノズル11を支持する支持アームを個別に設け、リンス液の供給位置SrがIPA溶液の供給位置SfよりもウェハWの回転中心Pのから遠くなるように保ちつつ半径方向外側へ移動させても良い。この場合、リンス液の供給位置Srは、IPA溶液の供給位置Sfと同じ半径方向に並ぶようにしても良い。
は、本発明による基板処理装置の一実施形態を示す模式図である。 は、図1に示した基板処理装置の要部を示す水平断面図である。 は、図1に示した基板処理装置における流体ノズルと不活性ガスノズルの動作を説明するための斜視図である。 は、本発明による基板処理装置のもう一つの実施形態における、処理液ノズルと流体ノズルと不活性ガスノズルの動作を説明するための斜視図である。 は、本発明による基板処理装置の他の実施形態における、流体ノズルと不活性ガスノズルの動作を説明するための斜視図である。 は、本発明による基板処理装置の他の実施形態における、流体ノズルと不活性ガスノズルの配置関係を説明するための平面図である。 は、本発明による基板処理装置の他の実施形態における、流体ノズルと不活性ガスノズルの開口寸法(形状)の違いを説明するための斜視図である。 は、本発明による基板処理装置の他の実施形態を示す模式図である。

Claims (1)

  1. 基板を保持してこれを回転させるスピンチャックと、
    前記基板に対して薬液を供給する薬液ノズルと、
    前記薬液ノズルに前記薬液を供給する薬液供給路に介設された薬液用開閉弁と、
    前記基板に対してリンス液としての純水を供給するリンス液ノズルと、
    前記リンス液ノズルに前記純水を供給するリンス液供給路に介設されたリンス液用開閉弁と、
    前記基板に対して、前記純水よりも揮発性が高い乾燥用の流体を供給する流体ノズルと、
    前記流体ノズルに前記流体を供給する流体供給路に介設された流体用開閉弁と、
    前記基板に対して不活性ガスを供給する不活性ガスノズルと、
    前記不活性ガスノズルに前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給路に介設された不活性ガス用開閉弁と、
    前記薬液ノズル、前記リンス液ノズル、前記流体ノズルおよび前記不活性ノズルを移動させるノズル移動機構と、
    前記スピンチャック、前記ノズル移動機構、前記薬液ノズル用開閉弁、前記リンス液ノズル用開閉弁、前記流体ノズル用開閉弁および前記不活性ガスノズル用開閉弁の動作を制御する制御器と、を備え、
    前記制御器は、
    前記ノズル移動機構により前記薬液ノズルを前記基板の上方に位置させた状態で前記薬液ノズル用開閉弁を開くことにより前記薬液ノズルから前記基板に前記薬液を供給して前記薬液によって前記基板を処理する薬液処理工程と、前記ノズル移動機構により前記リンス液ノズルを前記基板の上方に位置させた状態で前記リンス液用開閉弁を開くことにより前記リンス液ノズルから前記基板に前記純水を供給して前記薬液処理工程により前記基板上に付着した前記薬液を前記純水により洗い流す純水リンス工程と、前記スピンチャックにより前記基板を回転させるとともに前記ノズル移動機構により前記流体ノズルおよび前記不活性ガスノズルを前記基板の上方に位置させた状態で前記流体ノズル用開閉弁および前記不活性ガス用開閉弁を開くことにより前記純水リンス工程により前記純水が付着した前記基板に前記流体および前記不活性ガスを前記基板に供給して前記基板を乾燥させる乾燥工程とを実施させ、
    前記ノズル移動機構は、前記乾燥工程において、前記不活性ガスノズルが前記流体ノズルよりも前記基板の回転中心に近くなるように保ちつつ、前記流体ノズルおよび前記不活性ガスノズルを前記基板の回転中心に対して半径方向外側に向かって移動させ、
    前記ノズル移動機構による各ノズルの移動方向と直交する方向において、前記不活性ガスノズルの開口寸法が前記流体ノズルの開口寸法よりも大きくなっていることを特徴とする基板処理装置。
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI286353B (en) * 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4527660B2 (ja) 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP4781834B2 (ja) * 2006-02-07 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置および現像方法
JP4176779B2 (ja) * 2006-03-29 2008-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法,記録媒体及び基板処理装置
JP4812563B2 (ja) * 2006-08-29 2011-11-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4884136B2 (ja) * 2006-08-30 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP4762098B2 (ja) 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5143498B2 (ja) * 2006-10-06 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5014811B2 (ja) * 2007-01-22 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法
JP5096849B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Sokudo 基板処理装置および基板処理方法
US8567420B2 (en) * 2008-03-31 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Cleaning apparatus for semiconductor wafer
JP5270251B2 (ja) * 2008-08-06 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5390873B2 (ja) * 2009-01-28 2014-01-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2011060954A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Toshiba Corp 半導体ウェーハの洗浄方法
JP2011135009A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
KR101806191B1 (ko) 2010-06-17 2017-12-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치
KR101596750B1 (ko) 2010-06-23 2016-02-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치
TWI417693B (zh) * 2010-12-15 2013-12-01 Au Optronics Corp 蝕刻設備及其控制方法
JP5642574B2 (ja) * 2011-01-25 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
KR101907510B1 (ko) * 2011-11-07 2018-10-16 삼성전자주식회사 기판 세척 방법 및 기판 세척 장치
JP6148475B2 (ja) * 2013-01-25 2017-06-14 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US20140231012A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Dainippon Screen Mfg, Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6454470B2 (ja) * 2013-03-14 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP6118451B2 (ja) * 2013-03-14 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄および乾燥のための方法および装置
JP6224515B2 (ja) 2013-06-07 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP5867462B2 (ja) * 2013-07-26 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
TWI597770B (zh) * 2013-09-27 2017-09-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
US9966281B2 (en) 2013-11-15 2018-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and systems for chemical mechanical polish cleaning
US10410888B2 (en) * 2014-02-27 2019-09-10 Lam Research Ag Device and method for removing liquid from a surface of a disc-like article
JP6118758B2 (ja) * 2014-05-01 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6389089B2 (ja) * 2014-09-18 2018-09-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6484144B2 (ja) 2014-10-17 2019-03-13 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US10026629B2 (en) 2014-10-17 2018-07-17 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program
JP6454245B2 (ja) * 2014-10-21 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US20170084470A1 (en) * 2015-09-18 2017-03-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and cleaning method of processing chamber
JP6559602B2 (ja) * 2015-09-18 2019-08-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理チャンバ洗浄方法
JP6588819B2 (ja) * 2015-12-24 2019-10-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6466315B2 (ja) 2015-12-25 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP6569574B2 (ja) * 2016-03-24 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6687486B2 (ja) 2016-08-31 2020-04-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
JP6400766B2 (ja) * 2017-03-23 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置および記憶媒体
JP6869093B2 (ja) * 2017-04-27 2021-05-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6938248B2 (ja) * 2017-07-04 2021-09-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN107470225A (zh) * 2017-08-28 2017-12-15 广州沃安实业有限公司 一种清洗机
JP7034634B2 (ja) * 2017-08-31 2022-03-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
GB201815163D0 (en) * 2018-09-18 2018-10-31 Lam Res Ag Wafer washing method and apparatus
JP7166953B2 (ja) * 2019-02-18 2022-11-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN112859548B (zh) * 2019-11-27 2024-03-26 长鑫存储技术有限公司 显影装置及其显影方法
KR20230105000A (ko) 2020-03-05 2023-07-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7143465B2 (ja) * 2021-03-15 2022-09-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2556733B2 (ja) 1988-08-08 1996-11-20 東京エレクトロン株式会社 半導体ウエハ乾燥装置
JPH04179227A (ja) 1990-11-14 1992-06-25 Hitachi Ltd 乾燥装置
JPH069130A (ja) 1992-06-24 1994-01-18 Fuji Kiki Kogyo Kk 樹脂被覆ローラの軸端部材の構造及び樹脂被覆ローラ
JP3402932B2 (ja) 1995-05-23 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法及びその装置
TW386235B (en) * 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
JPH0969488A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Hitachi Ltd 乾燥方法および装置
JP3470501B2 (ja) 1996-04-24 2003-11-25 ソニー株式会社 半導体ウエハ遠心乾燥方法
US5882466A (en) 1996-08-08 1999-03-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Aqueous bonding composition
TW383414B (en) * 1997-03-05 2000-03-01 Tokyo Electron Ltd Photoresist agent processing method and photoresist agent processing system and evaluation method and processing apparatus for photoresist agent film
TW402737B (en) * 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
US6491764B2 (en) * 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
JP4616948B2 (ja) 1997-09-24 2011-01-19 アイメック 回転基材の表面から液体を除去する方法および装置
JP3381776B2 (ja) * 1998-05-19 2003-03-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
JP2000058498A (ja) 1998-08-17 2000-02-25 Seiko Epson Corp ウェハ乾燥方法及び乾燥槽及び洗浄槽及び洗浄装置
US6092937A (en) * 1999-01-08 2000-07-25 Fastar, Ltd. Linear developer
JP3322853B2 (ja) 1999-08-10 2002-09-09 株式会社プレテック 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法
US6333275B1 (en) * 1999-10-01 2001-12-25 Novellus Systems, Inc. Etchant mixing system for edge bevel removal of copper from silicon wafers
US6863741B2 (en) * 2000-07-24 2005-03-08 Tokyo Electron Limited Cleaning processing method and cleaning processing apparatus
JP4069316B2 (ja) * 2000-07-24 2008-04-02 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法および洗浄処理装置
JP3694641B2 (ja) * 2000-08-09 2005-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、現像処理装置及び現像処理方法
JP2003059894A (ja) * 2001-06-05 2003-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6858091B2 (en) 2001-07-13 2005-02-22 Lam Research Corporation Method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4056858B2 (ja) 2001-11-12 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2003197590A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP3958572B2 (ja) * 2001-12-26 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP3993048B2 (ja) 2002-08-30 2007-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100493849B1 (ko) * 2002-09-30 2005-06-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 건조 장치
WO2005050724A1 (ja) 2003-11-18 2005-06-02 Tokyo Electron Limited 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2005159191A (ja) 2003-11-28 2005-06-16 Sony Corp 基板洗浄装置
TWI286353B (en) * 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4527660B2 (ja) * 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5143498B2 (ja) * 2006-10-06 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体

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