JP4328252B2 - 導電性パターン形成方法 - Google Patents
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Description
また、他のパターン形成方法としては、フォトレジストを用いた導電性パターン形成方法なども知られている。この方法は、フォトレジストポリマーを塗布したり、ドライフィルム上のフォトレジストを貼付した基材を、任意のフォトマスクを介してUV露光し、格子状などのパターンを形成する方法であり、高い導電性を必要とする電磁波シールドの形成に有用である。
近年、マイクロマシンの開発の進行や超LSIの一層の小型化に伴い、これらの配線構造もナノ単位の微細なものを要求されるようになってきており、従来の金属エッチングでは微細化に限界があり、また、細線部の加工中の断線なども懸念される。このため、配向が制御された緻密なパターンを形成する方法が望まれていた。
このようなデジタル化されたパターン形成方法を利用すれば、微細なパターンが任意に形成されることが期待される。このような方法のひとつとして、自己組織化単分子膜を用いる方法が挙げられる。これは、界面活性分子を含む有機溶剤に基板を浸漬したときに自発的に形成される分子集合体を利用するもので、例えば、有機シラン化合物とSiO2やAl2O3の基板との組合せや、アルコールやアミンと白金基板との組合せが挙げられ、光リソグラフィー法などによるパターン形成が可能である。このような単分子膜は微細パターンの形成を可能とするが、限られた基板と材料との組み合わせを用いる必要があるために、実際の応用への展開が困難であり、実用に適する微細配線のパターン形成技術は未だ確立されていないのが現状である。
しかし、いずれも耐久性、大面積化、導電安定性、製造適正のなどの実用な観点からは充分なものではなかった。
即ち、本発明の目的は、耐久性と導電安定性とに優れた、高解像度の導電性パターンを製造適性に優れた簡易な工程で製造しうる導電性パターン形成方法を提供することにある。
即ち、本発明の導電性パターン形成方法は、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を基材に結合させる工程と、該基材上にラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、パターン状に露光して、グラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成する工程と、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付着させる工程と、この順に行うことを特徴とする導電性パターン形成方法である。
また、本発明においては、重合開始部位を基材表面に高密度に偏在させて固定することができるため、高解像度の達成が可能になったものと考えられる。
更に、本発明の方法により生成されたグラフトポリマーは、そのポリマーの片末端で基材表面に結合した重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物に対し、化学結合することで、基材にきわめて強く固定化されている。また、ポリマーの片末端のみ基材に固定化され、他の末端はフリーであるためにポリマーに対する束縛が小さく、極めて高い運動性を有することが特徴である。これらのことから、本発明において生成されたグラフトポリマーは、前記の如き高い運動性を有し、基材上に高解像度で生成していること、更には、基材と強固に結合していることなどの基本的な性質に加え、分子内に極性基である親水性の強い官能基を導入することで、グラフトポリマーの生成領域は、運動性の高い親水性グラフトポリマーが存在する、高解像度の親水性領域となる。
ここで、選択的に親水性領域(グラフトポリマー生成領域)に吸着する性質を有する導電性材料を付着させることで、親水性領域には導電性材料が吸着して導電性領域となり、グラフトポリマー非生成領域には導電性材料が吸着されず非導電性領域となり、導電性パターン(回路)が形成される。上記親水性グラフトポリマーが有する親水性の官能基とイオン的に強固に吸着した導電性材料は、単分子膜或いはポリマー層を形成することができるため、導電性領域となった部分が耐久性及び導電安定性に優れるものと考えられる。
本発明の導電性パターン材料は、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物が結合している基材上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、パターン状に露光を行い、該基材上にグラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成し、その後、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付着させてなることを特徴とする。
また、本発明の導電性パターン形成方法は、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を基材に結合させる工程(以下、適宜、「光開裂化合物結合工程」と称する。)と、該基材上にラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、パターン状に露光して、グラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成する工程(以下、適宜、「グラフトポリマー生成工程」と称する。)と、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付着させる工程(以下、適宜、「導電性材料付着工程」と称する。)と、をこの順に行うことを特徴とする。
まず、本発明の導電性パターン材料におけるグラフトポリマーが生成するまでのプロセスは、本発明の導電性パターン形成方法における光開裂化合物結合工程からグラフトポリマー生成工程と同様であるため、以下にまとめて説明する。
図1(a)に示されるように、基材表面には当初より官能基(図中、Zで表される)が存在する。ここに、基材結合部位(Q)と、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位(Y)と、を有する化合物(Q−Y)を付与し、基材表面に接触させる。これにより、図1(b)に示されるように、基材表面に存在する官能基(Z)と、基材結合部位(Q)と、が結合して、基材表面に化合物(Q−Y)が導入される〔光開裂化合物結合工程〕。その後、図1(c)に示されるように、モノマー等の公知のグラフトポリマー原料を接触させた状態で、パターン露光を行う。これにより、図1(d)に示されるように、露光領域においては、化合物(Q−Y)の重合開始部位(Y)を起点としてグラフトポリマーが生成され(グラフトポリマー生成領域)、その一方、未露光領域においては、グラフトポリマーは生成しない(グラフトポリマー非生成領域)〔グラフトポリマー生成工程〕。
図1においてZで表示される基は、基材表面に存在する官能基であり、具体的には、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基などが挙げられる。これらの官能基はシリコン基板、ガラス基板における基材の材質に起因して基材表面にもともと存在しているものでもよく、基材表面にコロナ処理などの表面処理を施すことにより表面に存在させたものであってもよい。
この光により開裂する単結合としては、カルボニルのα開裂、β開裂反応、光フリー転位反応、フェナシルエステルの開裂反応、スルホンイミド開裂反応、スルホニルエステル開裂反応、N−ヒドロキシスルホニルエステル開裂反応、ベンジルイミド開裂反応、活性ハロゲン化合物の開裂反応、などを利用して開裂が可能な単結合が挙げられる。これらの反応により、光により開裂しうる単結合が切断される。この開裂しうる単結合としては、C−C結合、C−N結合、C−O結合、C−Cl結合、N−O結合、及びS−N結合等が挙げられる。
例示された如き化合物(Q−Y)を基材表面に存在する官能基Zに結合させる方法としては、化合物(Q−Y)を、トルエン、ヘキサン、アセトンなどの適切な溶媒に溶解又は分散し、その溶液又は分散液を基材表面に塗布する方法、又は、溶液又は分散液中に基材を浸漬する方法などを適用すればよい。このとき、溶液中又は分散液の化合物(Q−Y)の濃度としては、0.01質量%〜30質量%が好ましく、特に0.1質量%〜15質量%であることが好ましい。接触させる場合の液温としては、0℃〜100℃が好ましい。接触時間としては、1秒〜50時間が好ましく、10秒〜10時間がより好ましい。
また、一般的には、平板状の基材が用いられるが、必ずしも平板状の基材に限定されず、円筒形などの任意の形状の基材表面にも同様にグラフトポリマーを導入することができる。
基材の厚みは、使用目的に応じて選択され、特に限定はないが、一般的には、10μm〜10cm程度である。
以下に、グラフトポリマー生成工程において好適に用いられる、ラジカル重合可能な不飽和化合物について具体的に例示する。
重合性不飽和基を有する親水性ポリマーとは、分子内に、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリル基などのエチレン付加重合性不飽和基が導入されたラジカル重合性基含有親水性ポリマーを指す。このラジカル重合性基含有親水性ポリマーは、重合性基を主鎖末端及び/又は側鎖に有することを要し、その双方に重合性基を有することが好ましい。以下、重合性基を(主鎖末端及び/又は側鎖に)有する親水性ポリマーを、ラジカル重合性基含有親水性ポリマーと称する。
合成方法としては、(a)親水性モノマーとエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを共重合する方法、(b)親水性モノマーと二重結合前駆体を有するモノマーとを共重合させ、次に塩基などの処理により二重結合を導入する方法、(c)親水性ポリマーの官能基とエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを反応させる方法、が挙げられる。これらの中でも、特に好ましいのは、合成適性の観点から、(c)親水性ポリマーの官能基とエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを反応させる方法である。
また、(c)の方法で用いられる親水性ポリマーとしては、これらの親水性モノマーから選ばれる少なくとも一種を用いて得られる親水性ホモポリマー若しくはコポリマーが用いられる。
本発明において用い得るマクロモノマーの製造方法は、例えば、平成1年9月20日にアイピーシー出版局発行の「マクロモノマーの化学と工業」(編集者 山下雄也)の第2章「マクロモノマーの合成」に各種の製法が提案されている。
本発明で用い得る親水性マクロモノマーで特に有用なものとしては、アクリル酸、メタクリル酸などのカルホキシル基含有のモノマーから誘導されるマクロモノマー、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、ビニルステレンスルホン酸、及びその塩のモノマーから誘導されるスルホン酸系マクロモノマー、(メタ)アクリルアミド、N−ビニルアセトアミド、N−ビニルホルムアミド、N−ビニルカルボン酸アミドモノマーから誘導されるアミド系マクロモノマー、ヒドロキシエチルメタクリレー卜、ヒドロキシエチルアクリレート、グリセロールモノメタクリレートなどの水酸基含有モノマーから誘導されるマクロモノマー、メトキシエチルアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレートなどのアルコキシ基若しくはエチレンオキシド基含有モノマーから誘導されるマクロモノマーである。またポリエチレングリコール鎖若しくはポリプロピレングリコール鎖を有するモノマーも本発明のマクロモノマーとして有用に使用することができる。
これらの親水性マクロモノマーのうち有用なものの分子量は、250〜10万の範囲で、特に好ましい範囲は400〜3万である。
親水性モノマーとしては、アンモニウム、ホスホニウムなどの正の荷電を有するモノマー、若しくは、スルホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、ホスホン酸基などの負の荷電を有するか負の荷電に解離しうる酸性基を有するモノマーが挙げられるが、その他にも、例えば、水酸基、アミド基、スルホンアミド基、アルコキシ基、シアノ基などの非イオン性の基を有する親水性モノマーを用いることもできる。
例えば、(メタ)アクリル酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、イタコン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、アリルアミン若しくはそのハロゲン化水素酸塩、3−ビニルプロピオン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、ビニルスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、スチレンスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、2−スルホエチレン(メタ)アクリレート、3−スルホプロピレン(メタ)アクリレート若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート若しくはそれらの塩、2−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート若しくはそのハロゲン化水素酸塩、3−トリメチルアンモニウムプロピル(メタ)アクリレート、3−トリメチルアンモニウムプロピル(メタ)アクリルアミド、N,N,N−トリメチル−N−(2−ヒドロキシ−3−メタクリロイルオキシプロピル)アンモニウムクロライド、などを使用することができる。 また、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、N−モノメチロール(メタ)アクリルアミド、N−ジメチロール(メタ)アクリルアミド、N−ビニルピロリドン、N−ビニルアセトアミド、ポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレートなども有用である。
上述のラジカル重合可能な不飽和化合物を溶解、分散するための溶媒としては、該化合物や必要に応じて添加される添加剤が溶解可能ならば特に制限はない。
例えば、親水性モノマー等の親水性の化合物が適用される場合であれば、水、水溶性溶剤などの水性溶剤が好ましく、これらの混合物や、溶剤に更に界面活性剤を添加したものなどが好ましい。水溶性溶剤は、水と任意の割合で混和しうる溶剤を言い、そのような水溶性溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリンの如きアルコール系溶剤、酢酸の如き酸、アセトンの如きケトン系溶剤、ホルムアミドの如きアミド系溶剤、などが挙げられる。
また、疎水性モノマー等の疎水性の化合物が適用される場合であれば、メタノール、エタノール、1−メトキシ−2−プロパノールの如きアルコール系の溶剤、メチルエチルケトンの如きケトン系の溶剤、トルエンの如き芳香族炭化水素系の溶剤などが好ましい。
上述の光開裂化合物結合工程からグラフトポリマー生成工程までを用いれば、高精細なパターン露光を施すことにより、露光に応じた高精細(高解像度)パターンが形成される。高精細パターン形成のための露光方法としては、光学系を用いた光ビーム走査露光、マスクを用いた露光などが挙げられ、所望のパターンの解像度に応じた露光方法をとればよい。高精細パターン露光としては、具体的には、i線ステッパー、g線ステッパー、KrFステッパー、ArFステッパーのようなステッパー露光などが挙げられる。
精製後の基材は、その表面に残存するホモポリマーが完全の除去され、基材と強固に結合したパターン状のグラフトポリマーのみが存在することになる。
本発明においては、上記で得られたグラフトポリマー生成領域に導電性材料を付着させることで導電性パターンが得られ、その結果、回路が形成されることとなる。
なお、そのような導電性材料の付着方法としては、
(A)グラフトポリマー生成領域に導電性微粒子を付着させる方法と、
(B)グラフトポリマー生成領域に導電性ポリマー層を形成する方法と、
が挙げられ、用途に応じて適宜選択して用いることができる。以下、これらの導電性材料の吸着方法について詳細に説明する。
本発明における導電性材料の吸着方法(A)は、以下に説明する導電性微粒子を、上記グラフトポリマーが有する極性基に、その極性に応じて、イオン的に吸着させる方法である。ここで吸着させた導電性微粒子は単分子膜に近い状態で強固に固定されるため少量でも充分な導電性を有し、微細な回路にも適用し得るという利点を有する。
この方法に適用し得る導電性微粒子としては、導電性を有するものであれば特に制限はなく、公知の導電性材料からなる微粒子を任意に選択して用いることができる。例えば、Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Crなどの金属微粒子、In2O3、SnO2、ZnO、Cdo、TiO2、CdIn2O4、Cd2SnO2、Zn2SnO4、In2O3−ZnOなどの酸化物半導体微粒子、及びこれらに適合する不純物をドーパントさせた材料を用いた微粒子、MgInO、CaGaOなどのスピネル形化合物微粒子、TiN、ZrN、HfNなどの導電性窒化物微粒子、LaBなどの導電性ホウ化物微粒子、また、有機材料としては導電性高分子微粒子などが好適なものとして挙げられる。
本発明において得られるグラフトポリマーが、カルボキシル基、スルホン酸基、若しくはホスホン酸基などの如きアニオン性を有する極性基(親水性基)を有する場合は、グラフトポリマー生成領域が選択的に負の電荷を有するようになり、ここに正の電荷を有する(カチオン性の)導電性微粒子を吸着させることで導電性の領域(配線)が形成される。
本発明における導電性材料の吸着方法(B)は、以下に説明する導電性ポリマーの前駆体である導電性モノマーを、グラフトポリマーが有する極性基にイオン的に吸着させ、そのまま重合反応を生起させ、高分子層(導電性ポリマー層)を形成する方法である。このようにして得られた導電性ポリマー層は、強固で耐久性に優れ、モノマーの供給速度などの条件を調整することで非常に薄い膜も形成することができ、更に薄膜であっても均質で、且つ、膜厚が均一であるという利点を有する。
この方法に適用し得る導電性ポリマーとしては、10-6s・cm-1以上、好ましくは、10-1s・cm-1以上の導電性を有する高分子化合物であれば、いずれのものも使用することができるが、具体的には、例えば、置換及び非置換の導電性ポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアセチレン、ポリピリジルビニレン、ポリアジン等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、また、目的に応じて2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、所望の導電性を達成できる範囲であれば、導電性を有しない他のポリマーとの混合物として用いることもできるし、これらのモノマーと導電性を有しない他のモノマーとのコポリマーなども用いることができる。
まず、グラフトポリマー生成領域が形成された基材を、過硫酸カリウムや、硫酸鉄(III)などの重合触媒や重合開始能を有する化合物を含有する溶液に浸漬し、この液を撹拌しながら導電性ポリマーを形成し得るモノマー、例えば、3、4−エチレンジオキシチオフェンなどを徐々に滴下する。このようにすると、該重合触媒や重合開始能を付与されたグラフトポリマー中の極性基(親水性基)と導電性ポリマーを形成し得るモノマーとが相互作用により強固に吸着すると共に、モノマー同士の重合反応が進行し、基材上のグラフトポリマー生成領域に導電性ポリマーの極めて薄い膜が形成され、これが導電性ポリマー層となる。
更に、導電性ポリマーとグラフトポリマーの極性基(親水性基)とが、陽イオンと陰イオンの関係で吸着するような素材を選択することで、極性基(親水性基)が導電性ポリマーのカウンターアニオンとして吸着することになり、一種のドープ剤として機能するため、導電性パターンの導電性を一層向上させることができるという効果を得ることもできる。具体的には、例えば、親水性基としてスチレンスルホン酸を、導電性ポリマーの素材としてチオフェンを選択すると、両者の相互作用により、グラフトポリマー生成領域と導電性ポリマー層との界面にはカウンターアニオンとしてスルホン酸基(スルホ基)を有するポリチオフェンが存在し、これが導電性ポリマーのドープ剤として機能することになる。
更に、基材にPETなどの透明フィルムを使用した場合には、パターン形成された透明導電性フィルムとして使用することができる。このような透明導電性フィルムの用途としては、ディスプレイ用透明電極、調光デバイス、太陽電池、タッチパネル、その他の透明導電膜が挙げられるが、CRTやプラズマディスプレイにつける電磁波シールドフィルターとして特に有用である。このような電磁波シールドフィルターは高い導電性と透明性とを必要とするため、導電性材料を格子状に設けることが好ましい。このような格子線幅は、20〜100μm、開口部は50〜600μm程度が好ましい。この格子は必ずしも規則正しく、直線で構成されていなくてもよく、曲線状で構成されていてもよい。
本発明においては、パターン露光時の露光条件を選択することにより、更に精細な10μm以下の線幅のパターンを容易に形成することができ、このような任意のパターン形状の金属配線或いは金属微粒子吸着領域を容易に形成し得るため、目的に応じた種々の設定が可能である。
(合成例1:化合物Aの合成)
前記例示化合物1の合成は、以下の2つのステップにより行われる。それぞれのステップのスキームを挙げて説明する。
DMAc50gとTHF50gの混合溶媒に1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン 24.5g(0.12mol)を溶かし、氷浴下でNaH(60% in oil)7.2g(0.18mol)を徐々に加えた。そこに、11−ブロモ−1−ウンデセン(95%)44.2g(0.18mol)を滴下し、室温で反応を行った。1時間で反応が終了した。反応溶液を氷水中に投入し、酢酸エチルで抽出し、黄色溶液状の化合物aを含む混合物が得られた。この混合物37gをアセトニトリル370mlに溶かし、水7.4gを加えた。p−トルエンスルホン酸一水和物1.85gを加え、室温で20分間撹拌した。酢酸エチルで有機相を抽出し、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー(充填剤:ワコーゲルC−200、展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/80)で化合物aを単離した。
合成スキームを以下に示す。
δ=1.2−1.8(mb,24H),2.0(q,2H),3.2(t,J=6.6,2H),4.9−5.0(m,2H)5.8(ddt,J=24.4,J=10.5,J=6.6,1H.),7.4(t,J=7.4,2H),7.5(t,J=7.4,1H),8.3(d,1H)
化合物a5.0g(0.014mol)にSpeir catalyst(H2PtCl6・6H2O/2−PrOH、0.1mol/l)を2滴加え、氷浴下でトリクロロシラン2.8g(0.021mol)を滴下して撹拌した。更に1時間後にトリクロロシラン1.6g(0.012mol)を滴下してから室温に戻した。3時間後に反応が終了した。反応終了後、未反応のトリクロロシランを減圧留去し、化合物Aを得た。
合成スキームを以下に示す。
δ=1.2−1.8(m,30H),3.2(t,J=6.3,2H),7.3−7.7(m,3H),8.3(d,2H)
ポリアクリル酸(平均分子量25,000)18gをDMAc(ジメチルアセトアミド)300gに溶解し、そこに、ハイドロキノン0.41gと2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート19.4gとジブチルチンジラウレート0.25gを添加し、65℃で4時間反応させた。得られたポリマーの酸価は7.02meq/gであった。1mol/lの水酸化ナトリウム水溶液でカルボキシル基を中和し、酢酸エチルに加えポリマーを沈殿させ、よく洗浄し、重合性基を有する親水性ポリマーPを得た。
(光開裂化合物結合工程)
ガラス基板(日本板硝子(株)製)を、終夜、ピランハ液(硫酸/30%過酸化水素=1/1vol混合液)に浸漬した後、純水で洗浄した。その基板を、窒素置換したセパラブルフラスコ中に入れ12.5wt%の化合物Aの脱水トルエン溶液に1時間浸漬した。取り出し後、トルエン、アセトン、純水で順に洗浄した。このようにして得られた化合物Aが結合した基板を基板A1とする。
親水性ポリマーP(0.5g)を純水4.0gとアセトニトリル2.0gの混合溶媒に溶かし、グラフトポリマー生成層用塗布液を調製した。そのグラフトポリマー生成層用塗布液を、スピンコーターで基板A1に塗布した。スピンコーターは、まず300rpmで5秒間、その後1000rpmで20秒間回転させた。塗布後の基板A1を、100℃で2分間乾燥した。乾燥後のグラフトポリマー生成層の膜厚は2μmであった。
−パターン露光−
グラフトポリマー生成層を有する基板上に、パターンマスク(NC−1、凸版印刷社製)を密着させるようにクリップで留め、露光機(UVX−02516S1LP01、ウシオ電機社製)で1分間露光した。露光後マスクを取り外し、純水で充分洗浄した。
以上のようにして、パターンA1を形成した。
−パターンの確認−
パターンA1を、原子間顕微鏡AFM(ナノピクス1000、セイコーインスツルメンツ社製、DFMカンチレバー使用)で観察した。その結果、パターンA1として、幅7μmのパターン(グラフトポリマー生成領域)が形成されていることが確認された。
パターンA1を有する基板を、以下のようにして得られた正電荷を有するAg粒子分散液中に浸漬し、その後、流水で表面を充分洗浄して余分な微粒子分散液を除去し、導電性パターン材料1を得た。
−Ag粒子分散液の調製−
過塩素酸銀のエタノール溶液(5mM)50mlにビス(1,1−トリメチルアンモニウムデカノイルアミノエチル)ジスルフィド3gを加え、激しく撹拌しながら水素化ホウ素ナトリウム溶液(0.4M)30mlをゆっくり滴下してイオンを還元し、4級アンモニウムで被覆された銀粒子の分散液を得た。この銀粒子のサイズを電子顕微鏡で測定したところ、平均粒径は5nmであった。
導電性パターン材料1の表面を、透過型電子顕微鏡(JEOL JEM−200CX)にて10万倍で観察したところ、先に確認されたグラフトポリマー生成領域のみに付着したAg微粒子付着に起因する緻密な凹凸形状が形成されていることが確認された。また、導電性パターン材料1には、線幅8μm/空隙幅8μmの微細な配線が形成されていることが確認された。
得られたAg微粒子のパターン部分の表面導電性をLORESTA−FP(三菱化学(株)製)を用いて四探針法により測定したところ、10Ω/□を示した。また、パターン形成されたフィルム全面の透過率を測定したところ58%であった。このことから、透明性が高く、導電性に優れた導電性パターンが形成されていることがわかった。
導電性パターン材料1の表面を水で湿らせた布(BEMCOT、旭化成工業社製)を用いて手で往復20回擦った。擦った後に、前記と同様にして透過型電子顕微鏡(JEOL JEM−200CX)にて、その表面を10万倍で観察したところ、擦り処理を行なう前と同様、Ag微粒子付着に起因する緻密な凹凸形状が観察され、表面の緻密な凹凸形状が擦りにより損なわれなかったことが確認された。また、導電性にも変化が無かった。
(光開裂化合物結合工程)
ITOを蒸着したガラス基板(日本板硝子(株)、表面抵抗10Ω/□、品番.49J183)を使用し、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノール、純水の順で、それぞれ5分以上超音波洗浄し、窒素吹き付け乾燥した。その基板を、窒素置換したセパラブルフラスコ中に入れ12.5wt%の化合物Aの脱水トルエン溶液に1時間〜終夜浸漬した。取り出し後、トルエン、アセトン、純水ので順に洗浄した。このようにして得られた化合物Aが結合した基板を基板A2とする。
基板A2上に、実施例1と同様にして、グラフトポリマー生成用塗布液を塗布し、乾燥した。乾燥後のグラフトポリマー生成層の膜厚は2μmであった。
−パターン露光−
実施例1と同様にして、パターンマスクを用いてパターン露光を行った。露光後マスクを取り外し、純水で充分洗浄した。
以上のようにして、パターンA2を形成した。
−パターンの確認−
パターンA2を、原子間顕微鏡AFM(ナノピクス1000、セイコーインスツルメンツ社製、DFMカンチレバー使用)で観察した。その結果、パターンA2として、幅8μmのパターン(グラフトポリマー生成領域)が形成されていることが確認された。
(導電性材料付着工程)
パターンA2を有する基板を、実施例1と同様にして、正電荷を有するAg粒子分散液中に浸漬し、その後、流水で表面を充分洗浄して余分な微粒子分散液を除去し、導電性パターン材料2を得た。
導電性パターン材料2の表面を、透過型電子顕微鏡(JEOL JEM−200CX)にて10万倍で観察したところ、先に確認されたグラフトポリマー生成領域のみに付着したAg微粒子に起因する緻密な凹凸形状が形成されていることが確認された。また、導電性パターン材料2には、線幅9μm/空隙幅9μmの微細な配線が形成されていることが確認された。
得られたAg微粒子のパターン部分の表面導電性をLORESTA−FP(三菱化学(株)製)を用いて四探針法により測定したところ、15Ω/□を示した。また、パターン形成されたフィルム全面の透過率を測定したところ58%であった。このことから、透明性が高く、導電性に優れた導電性パターンが形成されていることがわかった。
導電性パターン材料2の表面を水で湿らせた布(BEMCOT、旭化成工業社製)を用いて手で往復20回擦った。擦った後に、前記と同様にして透過型電子顕微鏡(JEOL JEM−200CX)にて、その表面を10万倍で観察したところ、擦り処理を行なう前と同様、Ag微粒子付着に起因する緻密な凹凸形状が観察され、表面の緻密な凹凸形状が擦りにより損なわれなかったことが確認された。また、導電性にも変化が無かった。
(光開裂化合物結合工程)
片面をコロナ処理した厚さ188μmのPET(二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム)を5cm×5cmのサイズに切り、その基板を、窒素置換したセパラブルフラスコ中に入れ、12.5wt%の化合物Aの脱水トルエン溶液に1時間浸漬した。取り出し後、トルエン、アセトン、純水で順に洗浄した。このようにして得られた化合物Aが結合した基板を基板A3とする。
アクリル酸の20wt%の水溶液1.0mlを基板A3の表面に垂らし,石英ガラスをかぶせPET基板(基板A3)と石英板との間にアクリル酸の水溶液を挟み込んだ。
−パターン露光−
実施例1と同様にして、パターンマスクを用いてパターン露光を行った。露光後マスクを取り外し、純水で充分洗浄した。
以上のようにして、パターンA3を形成した。
−パターンの確認−
パターンA3を、原子間顕微鏡AFM(ナノピクス1000、セイコーインスツルメンツ社製、DFMカンチレバー使用)で観察した。その結果、パターンA3として、幅7μmのパターン(グラフトポリマー生成領域)が形成されていることが確認された。
パターンA3を有する基板を、実施例1と同様にして、正電荷を有するAg粒子分散液中に浸漬し、その後、流水で表面を充分洗浄して余分な微粒子分散液を除去し、導電性パターン材料3を得た。
導電性パターン材料3の表面を、透過型電子顕微鏡(JEOL JEM−200CX)にて10万倍で観察したところ、先に確認されたグラフトポリマー生成領域のみに付着したAg微粒子に起因する緻密な凹凸形状が形成されていることが確認された。また、導電性パターン材料3には、線幅8μm/空隙幅8μmの微細な配線が形成されていることが確認された。
得られたAg微粒子のパターン部分の表面導電性をLORESTA−FP(三菱化学(株)製)を用いて四探針法により測定したところ、10Ω/□を示した。また、パターン形成されたフィルム全面の透過率を測定したところ58%であった。このことから、透明性が高く、導電性に優れた導電性パターンが形成されていることがわかった。
導電性パターン材料3の表面を水で湿らせた布(BEMCOT、旭化成工業社製)を用いて手で往復20回擦った。擦った後に、前記と同様にして透過型電子顕微鏡(JEOL JEM−200CX)にて、その表面を10万倍で観察したところ、擦り処理を行なう前と同様、Ag微粒子付着に起因する緻密な凹凸形状が観察され、表面の緻密な凹凸形状が擦りにより損なわれなかったことが確認された。また、導電性にも変化が無かった。
実施例1〜3で作製したパターンA1〜A3を有する基板を、各々、アントラキノン−2−スルホン酸ナトリウム・一水和物1.23g、5−スルフォサチリチル酸ナトリウム・水和物7.20g、及び、三塩化鉄・6水和物4.38gと125mlの水とからなる溶液に浸漬し、撹拌しながらピロール0.75mlと水125mlの溶液を加えた。一時間後、該基板を取り出し、水洗し、次にアセトンで洗浄することで、該基板の表面にポリピロール層(導電性ポリマー層)が形成された実施例4〜6の導電性パターン材料4〜6を得た。
導電性パターン材料4〜6の表面を、実施例1と同様に透過型電子顕微鏡にて観察したところ、導電性パターン材料4〜6には、各々、線幅8μm/空隙幅8μmの微細な配線が形成されていることが確認された。
得られた導電性パターン材料4〜6を、実施例1と同様の方法で導電安定性及び耐久性についての評価を行った。
導電安定性の評価では、導電性パターン4〜6における導電性ポリマー層部分の表面導電性は、順に、250Ω/□、300Ω/□、500Ω/□を示し、導電性に優れた導電性パターンが形成されていることが分かった。
また、耐久性の評価では、擦り処理を行なう前と同様、緻密な凹凸形状(配線)が観察され、表面の緻密な凹凸形状が擦りにより損なわれなかったことが確認された。また、導電性にも変化が無かった。
Claims (2)
- 光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を基材に結合させる工程と、
該基材上にラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、パターン状に露光して、グラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成する工程と、
該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付着させる工程と、
をこの順に行うことを特徴とする導電性パターン形成方法。 - 前記重合開始部位が、C−C結合、C−N結合、C−O結合、C−Cl結合、N−O結合、及びS−N結合からなる群より選択されるいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の導電性パターン形成方法。
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