JP4304783B2 - ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 - Google Patents
ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4304783B2 JP4304783B2 JP25157599A JP25157599A JP4304783B2 JP 4304783 B2 JP4304783 B2 JP 4304783B2 JP 25157599 A JP25157599 A JP 25157599A JP 25157599 A JP25157599 A JP 25157599A JP 4304783 B2 JP4304783 B2 JP 4304783B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- sic single
- plane
- crystal
- seed crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/025—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体電子部品に適したＳｉＣ単結晶およびその成長方法、特に、６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶およびその成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、炭化珪素（ＳｉＣ）あるいは窒化ガリウム（ＧａＮ）等の軽元素で構成される化合物半導体の研究が盛んである。かかる化合物半導体は、軽元素で構成されているため結合エネルギーが強く、その結果、エネルギーの禁制帯幅（バンドギャップ）、絶縁破壊電界、熱伝導度が大きいことが特徴である。そして、特にＳｉＣは、このワイドバンドギャップの特徴を活かして、高効率・高耐圧パワーデバイス、高周波パワーデバイス、高温動作デバイス、あるいは青色から紫外発光デバイス用の材料として注目を集めている。しかしながら、結合エネルギーが強いため、ＳｉＣの化合物は、大気圧では高温にしても融解せず、シリコン（Ｓｉ）など他の半導体で用いられる融液の再結晶化によるバルク結晶の育成が困難である。
【０００３】
バルク状のＳｉＣ単結晶を成長させる方法としては、特公昭第５９−４８７９２号公報や特開平２−３０６９９号公報に掲載されたいわゆる改良型レーリー法が知られている。この改良型レーリー法は、黒鉛製のるつぼにＳｉＣ単結晶からなる種結晶を設置し、さらに減圧雰囲気下で原料ＳｉＣ粉末を昇華させて、種結晶上に目的規模のＳｉＣ単結晶を再結晶させるものである。
【０００４】
この改良型レーリー法をはじめとするいわゆる昇華法においては、その種結晶として、主として｛０００１｝面を露出させたＳｉＣ単結晶基板が使用されている。しかしながら、面方位が｛０００１｝であるＳｉＣ単結晶基板を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる場合、マイクロパイプという＜０００１＞軸方向に延びる欠陥が単結晶の表面に到達するため、このＳｉＣ単結晶を用いて素子を作製すると、リーク電流等が発生する場合があった。
【０００５】
このマイクロパイプに関する問題を解消するための技術として、例えば特許第２８０４８６０号公報に掲載されたＳｉＣ単結晶の成長方法が知られている。この方法は、種結晶として｛０００１｝面より６０゜〜１２０゜の角度αだけずれた結晶面を露出させたＳｉＣ単結晶を使用するものであり、より好ましくは、｛１−１００｝面や｛１１−２０｝面を露出させたＳｉＣ単結晶を使用するものである。このような種結晶を使用すれば、単結晶の表面に到達するマイクロパイプを減少させることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許第２８０４８６０号公報に掲載されたＳｉＣ単結晶の成長方法には、次のような問題があった。すなわち、同公報に記載された発明の発明者らがフィジカステイタスソリッド（ｂ）（２０２号１６３頁〜１７５頁１９９７年）において述べているように、｛１−１００｝面あるいは｛１１−２０｝面が露出したＳｉＣ単結晶を種結晶として使用する場合は、結晶多形の制御ができ、マイクロパイプの表面への到達を抑制できるものの、高密度の積層欠陥（スタッキングフォールト）がＳｉＣ単結晶の表面に露出するという問題があった。この積層欠陥は、結晶を成長させる際に面状に広がるものであり、かかる積層欠陥が表面に露出したＳｉＣ単結晶を用いて素子を作製すると、マイクロパイプが表面に露出したＳｉＣ単結晶を用いる場合と同様に、リーク電流等が発生するおそれがある。
【０００７】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたＳｉＣ単結晶およびその成長方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、｛０１−１４｝面、または｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたＳｉＣ単結晶からなる種結晶上に、６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るＳｉＣ単結晶の成長方法において、例えば｛０１−１４｝面を露出させた種結晶を用いれば、当該種結晶の露出面はマイクロパイプが延びる＜０００１＞方向に対して約３５゜の傾きを有することになる。このため、このような種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させれば、マイクロパイプは当該ＳｉＣ単結晶の側面に到達し、表面にマイクロパイプが到達する事態を抑制することができる。また、種結晶の露出面（｛０１−１４｝面）は、積層欠陥が広がる面、すなわち＜０００１＞方向と垂直な面に対して約５５゜の傾きを有するため、このような種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させれば、積層欠陥は当該ＳｉＣ単結晶の側面に到達し、表面に積層欠陥が到達する事態を抑制することができる。また、種結晶の露出面を｛０１−１４｝面とせず、この｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾けた面としても、同様に、成長させられたＳｉＣ単結晶の表面にマイクロパイプおよび積層欠陥が到達する事態を抑制することができる。
【００１０】
また、オフ角αは、５゜以内であることが好ましい。さらに、オフ角αは、３゜以内であることが好ましい。すなわち、種結晶の表面が｛０１−１４｝面に近くなるほど、表面にマイクロパイプおよび積層欠陥が到達する事態を確実に抑制することができる。
【００１１】
また、本発明に係る他のＳｉＣ単結晶の成長方法は、黒鉛製の坩堝内でＳｉＣ原料粉末を昇華させて、坩堝内に設置された種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を再結晶させるＳｉＣ単結晶の成長方法において、種結晶として、｛０１−１４｝面、または｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたＳｉＣ単結晶を用いることを特徴とする。
【００１２】
このようなＳｉＣ単結晶の成長方法によれば、黒鉛製の坩堝内に設置する種結晶の露出面を例えば｛０１−１４｝面とすれば、当該種結晶の露出面はマイクロパイプが延びる＜０００１＞方向に対して約３５゜の傾きを有することになる。このため、ＳｉＣ原料粉末を昇華させてこのような種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させれば、マイクロパイプは当該ＳｉＣ単結晶の側面に到達し、表面にマイクロパイプが到達する事態を抑制することができる。また、種結晶の露出面（｛０１−１４｝面）は、積層欠陥が広がる面、すなわち＜０００１＞方向と垂直な面に対して約５５゜の傾きを有するため、このような種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させれば、積層欠陥は当該ＳｉＣ単結晶の側面に到達し、表面に積層欠陥が到達する事態を抑制することができる。また、種結晶の露出面を｛０１−１４｝面とせず、この｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾けた面としても、同様に、成長させられたＳｉＣ単結晶の表面にマイクロパイプおよび積層欠陥が到達する事態を抑制することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るＳｉＣ単結晶およびその成長方法の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。また、実施形態および実施例の説明で結晶の格子方向および格子面を使用する場合があるが、ここで、格子方向及び格子面の記号の説明をしておく。個別方位は［ ］、集合方位は＜ ＞、個別面は（ ）、集合面は｛ ｝でそれぞれ示すことにする。また、負の指数については、結晶学上、”−”（バー）を数字の上に付けることになっているが、明細書作成の都合上、数字の前に負号を付けることにする。
【００１４】
図１は、本実施形態のＳｉＣ単結晶を成長させるための結晶成長装置２を示す断面図である。結晶成長装置２は、主として、内部でＳｉＣ単結晶を成長させる黒鉛製の坩堝４と、坩堝４の熱が外部へ放射されるのを防止する熱シールド部材６と、この熱シールド部材６を包囲する水冷式の反応管８と、反応管８の周囲に巻回されるとともに坩堝４を加熱するための高周波コイル１０と、から構成されている。また、反応管８の頂上部には、アルゴンガスなどの不活性ガスを導入するためのガス導入管１２が介挿され、反応管８の底部には、不活性ガスを外部に排出するためのガス排出管１４が介挿されている。
【００１５】
坩堝４は、有底円筒形状をなしてＳｉＣ多結晶からなる原料１５を収容する収容部１６と、この収容部１６の上部開口を封止する蓋部１８と、蓋部１８に取り付けられるとともに種結晶３０が底面に固定された種結晶配置部２０と、から成る。ここで、本実施形態では、種結晶３０として、｛０１−１４｝面が露出した６Ｈ型ポリタイプ（“Ｈ”は六方晶系、“６”は原子積層が６層で一周期となる結晶構造を意味する）のＳｉＣ単結晶を用いる。
【００１６】
続いて、図２を参照して、６Ｈ−ＳｉＣ単結晶の（０１−１４）面について説明する。同図に示すように、（０１−１４）面は、［０００１］方向に対して約３５゜（３５．２６゜）の傾きを有し、［０００１］方向と垂直な面に対して約５５゜（５４．７４゜）の傾きを有している。
【００１７】
次に、図１〜図４を参照して、ＳｉＣ単結晶の成長方法を説明する。
【００１８】
原料１５および種結晶３０を収容した坩堝４を反応管８内に設置した後、反応管８内を約１時間ほど真空排気し、次に、ガス導入管１２より不活性ガスを導入して反応管８内を常圧（７６０Ｔｏｒｒ）にする。そして、再び反応管８内を約１０分ほど真空排気した後、ガス導入管１２より不活性ガスを導入して反応管８内を再度常圧（７６０Ｔｏｒｒ）にする。
【００１９】
以上の作業が終了した後、高周波コイル１０によって坩堝４を加熱し始める。この際、坩堝４の温度を約２０００℃にするとともに、種結晶３０の温度が原料１５の温度よりも約５０℃だけ低くなるように温度勾配をつける。同時に、反応管８内の圧力を約４Ｔｏｒｒまで低下させる。これにより、ＳｉＣ多結晶からなる原料１５が昇華し、原料１５のガスが種結晶３０に到達して、図３に示すように、種結晶３０の表面（露出面）３０ｕ上に直径約２インチの６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶４０を成長させることができる。なお、図３においては、発明の理解を容易にするために種結晶３０の上方にＳｉＣ単結晶４０を位置させているが、実際は、図１から分かるように種結晶３０の下方にＳｉＣ単結晶４０が成長する。
【００２０】
ここで、図３を参照して、ＳｉＣ単結晶４０の成長過程を詳説する。通常、ＳｉＣ単結晶を成長させるに際して、＜０００１＞方向に延びるマイクロパイプや、＜０００１＞方向と垂直な面に広がる積層欠陥がＳｉＣ単結晶の内部に含まれることが多い。そして、多数のマイクロパイプや積層欠陥が表面に露出したＳｉＣ単結晶を用いて素子を作製すると、リーク電流等が発生するおそれがある。
【００２１】
ここで、本実施形態のように｛０１−１４｝面を露出させた種結晶３０を用いると、種結晶３０の表面３０ｕは、上述のように、マイクロパイプ４２（図中一点鎖線で示す）が延びる＜０００１＞方向に対して約３５゜の傾きを有することになる。このため、ある程度ＳｉＣ単結晶４０を成長させると、マイクロパイプ４２はＳｉＣ単結晶４０の側面４０ｓに到達し、マイクロパイプ４２が表面４０ｕに到達する事態を抑制することができる。また、種結晶３０の表面３０ｕは、積層欠陥４４（図中破線で示す）が広がる面、すなわち＜０００１＞方向と垂直な面に対して約５５゜の傾きを有する。このため、ある程度ＳｉＣ単結晶４０を成長させると、積層欠陥４４はＳｉＣ単結晶４０の側面４０ｓに到達し、積層欠陥４４が表面４０ｕに到達する事態を抑制することができる。
【００２２】
また、図４に示すように、種結晶３０の表面３０ｕを本実施形態のように｛０１−１４｝面とせず、この｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾けた面としても、同様に、成長させられたＳｉＣ単結晶４０の表面４０ｕにマイクロパイプ４２および積層欠陥４４が到達する事態を抑制することができる。さらに、オフ角αは５゜以内であることが好ましく、より好適には、３゜以内であることが好ましい。すなわち、種結晶の表面が｛０１−１４｝面に近くなるほど、ＳｉＣ単結晶４０の表面４０ｕにマイクロパイプ４２および積層欠陥４４が到達する事態を確実に抑制することができる。
【００２３】
【実施例】
本発明のＳｉＣ単結晶およびその成長方法について、さらに実施例を用いて具体的に説明する。
【００２４】
［実施例１］
実施例１では、種結晶３０として、（０１−１４）面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管８内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料１５の温度を約２３００℃にするとともに種結晶３０の温度を約２２５０℃にして、種結晶３０上に直径２インチのＳｉＣ単結晶４０をバルク成長させた。このときの成長速度は、１ｍｍ／ｈであった。
【００２５】
このようにして得られたＳｉＣ単結晶４０をラマン分光分析したところ、表面全体が６Ｈ型になっていることが判明した。さらに、ＳｉＣ単結晶４０のバルクを厚さ約３３０μｍのウエハ状にスライスした後、ダイヤモンド砥石によって研磨処理を施して、ウエハの表裏面を鏡面状にした。目視により、このＳｉＣ単結晶のウエハは、表面全体が均質であり、端部からの多結晶化や結晶の多形化は起こっていないことが分かった。さらに、溶融水酸化カリウムを用いてウエハにエッチング処理を施して評価したところ、ウエハの表面に、マイクロパイプおよび積層欠陥は観察されなかった。
【００２６】
［実施例２］
実施例２では、種結晶３０として、（０１−１４）面から（０００１）面の方向に３゜傾いた面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管８内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料１５の温度を約２３００℃にするとともに種結晶３０の温度を約２１７０℃にして、種結晶３０上に直径２インチのＳｉＣ単結晶４０をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．８ｍｍ／ｈであった。そして、実施例１と同様に、ＳｉＣ単結晶４０のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプおよび積層欠陥は観察されなかった。
【００２７】
［実施例３］
実施例３では、種結晶３０として、（０１−１４）面から（０００１）面の方向に５゜傾いた面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管８内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料１５の温度を約２３００℃にするとともに種結晶３０の温度を約２１７０℃にして、種結晶３０上に直径２インチのＳｉＣ単結晶４０をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．８ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶４０のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプおよび積層欠陥は観察されなかった。
【００２８】
［実施例４］
実施例４では、種結晶３０として、（０１−１４）面から（０００１）面の方向に１０゜傾いた面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管８内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料１５の温度を約２３００℃にするとともに種結晶３０の温度を約２１７０℃にして、種結晶３０上に直径２インチのＳｉＣ単結晶４０をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．８ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶４０のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプおよび積層欠陥は観察されなかった。
【００２９】
［比較例１］
上記実施例と比較するために、種結晶として（０００１）面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料の温度を約２３００℃にするとともに種結晶の温度を約２１７０℃にして、種結晶上に直径２インチのＳｉＣ単結晶をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．６ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、積層欠陥は観察されなかったが、マイクロパイプが約３００個／ｃｍ2観察された。
【００３０】
［比較例２］
比較例２では、種結晶として（０−１０１）面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料の温度を約２３００℃にするとともに種結晶の温度を約２１７０℃にして、種結晶上に直径２インチのＳｉＣ単結晶をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．８ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプは観察されなかったが、積層欠陥が１０００個／ｃｍ2観察された。
【００３１】
［比較例３］
比較例３では、種結晶として（１１−２０）面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料の温度を約２３００℃にするとともに種結晶の温度を約２１７０℃にして、種結晶上に直径２インチのＳｉＣ単結晶をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．７ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプは観察されなかったが、積層欠陥が５００個／ｃｍ2観察された。
【００３２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、ＳｉＣ単結晶を成長させるための結晶成長装置は、図１に示すものに限られず、この他種々のものを使用することができる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＳｉＣ単結晶は、表面にマイクロパイプおよび積層欠陥が殆ど露出しておらず、また、本発明のＳｉＣ単結晶の成長方法によれば、ＳｉＣ単結晶の表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態のＳｉＣ単結晶を成長させるための結晶成長装置を示す断面図である。
【図２】ＳｉＣ単結晶の（０１−１４）面を説明するために用いた図である。
【図３】ＳｉＣ単結晶内のマイクロパイプおよび積層欠陥の状態を示す図である。
【図４】表面が｛０１−１４｝面からオフ角αだけ傾いた種結晶を示す図である。
【符号の説明】
２…結晶成長装置、４…坩堝、６…熱シールド部材、８…反応管、１０…高周波コイル、１５…原料、２０…種結晶配置部、３０…種結晶、３０ｕ…種結晶表面（露出面）、４０ｓ…種結晶側面、４０…ＳｉＣ単結晶、４０ｕ…ＳｉＣ単結晶表面、４２…マイクロパイプ、４４…積層欠陥。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体電子部品に適したＳｉＣ単結晶およびその成長方法、特に、６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶およびその成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、炭化珪素（ＳｉＣ）あるいは窒化ガリウム（ＧａＮ）等の軽元素で構成される化合物半導体の研究が盛んである。かかる化合物半導体は、軽元素で構成されているため結合エネルギーが強く、その結果、エネルギーの禁制帯幅（バンドギャップ）、絶縁破壊電界、熱伝導度が大きいことが特徴である。そして、特にＳｉＣは、このワイドバンドギャップの特徴を活かして、高効率・高耐圧パワーデバイス、高周波パワーデバイス、高温動作デバイス、あるいは青色から紫外発光デバイス用の材料として注目を集めている。しかしながら、結合エネルギーが強いため、ＳｉＣの化合物は、大気圧では高温にしても融解せず、シリコン（Ｓｉ）など他の半導体で用いられる融液の再結晶化によるバルク結晶の育成が困難である。
【０００３】
バルク状のＳｉＣ単結晶を成長させる方法としては、特公昭第５９−４８７９２号公報や特開平２−３０６９９号公報に掲載されたいわゆる改良型レーリー法が知られている。この改良型レーリー法は、黒鉛製のるつぼにＳｉＣ単結晶からなる種結晶を設置し、さらに減圧雰囲気下で原料ＳｉＣ粉末を昇華させて、種結晶上に目的規模のＳｉＣ単結晶を再結晶させるものである。
【０００４】
この改良型レーリー法をはじめとするいわゆる昇華法においては、その種結晶として、主として｛０００１｝面を露出させたＳｉＣ単結晶基板が使用されている。しかしながら、面方位が｛０００１｝であるＳｉＣ単結晶基板を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる場合、マイクロパイプという＜０００１＞軸方向に延びる欠陥が単結晶の表面に到達するため、このＳｉＣ単結晶を用いて素子を作製すると、リーク電流等が発生する場合があった。
【０００５】
このマイクロパイプに関する問題を解消するための技術として、例えば特許第２８０４８６０号公報に掲載されたＳｉＣ単結晶の成長方法が知られている。この方法は、種結晶として｛０００１｝面より６０゜〜１２０゜の角度αだけずれた結晶面を露出させたＳｉＣ単結晶を使用するものであり、より好ましくは、｛１−１００｝面や｛１１−２０｝面を露出させたＳｉＣ単結晶を使用するものである。このような種結晶を使用すれば、単結晶の表面に到達するマイクロパイプを減少させることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許第２８０４８６０号公報に掲載されたＳｉＣ単結晶の成長方法には、次のような問題があった。すなわち、同公報に記載された発明の発明者らがフィジカステイタスソリッド（ｂ）（２０２号１６３頁〜１７５頁１９９７年）において述べているように、｛１−１００｝面あるいは｛１１−２０｝面が露出したＳｉＣ単結晶を種結晶として使用する場合は、結晶多形の制御ができ、マイクロパイプの表面への到達を抑制できるものの、高密度の積層欠陥（スタッキングフォールト）がＳｉＣ単結晶の表面に露出するという問題があった。この積層欠陥は、結晶を成長させる際に面状に広がるものであり、かかる積層欠陥が表面に露出したＳｉＣ単結晶を用いて素子を作製すると、マイクロパイプが表面に露出したＳｉＣ単結晶を用いる場合と同様に、リーク電流等が発生するおそれがある。
【０００７】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたＳｉＣ単結晶およびその成長方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、｛０１−１４｝面、または｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたＳｉＣ単結晶からなる種結晶上に、６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るＳｉＣ単結晶の成長方法において、例えば｛０１−１４｝面を露出させた種結晶を用いれば、当該種結晶の露出面はマイクロパイプが延びる＜０００１＞方向に対して約３５゜の傾きを有することになる。このため、このような種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させれば、マイクロパイプは当該ＳｉＣ単結晶の側面に到達し、表面にマイクロパイプが到達する事態を抑制することができる。また、種結晶の露出面（｛０１−１４｝面）は、積層欠陥が広がる面、すなわち＜０００１＞方向と垂直な面に対して約５５゜の傾きを有するため、このような種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させれば、積層欠陥は当該ＳｉＣ単結晶の側面に到達し、表面に積層欠陥が到達する事態を抑制することができる。また、種結晶の露出面を｛０１−１４｝面とせず、この｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾けた面としても、同様に、成長させられたＳｉＣ単結晶の表面にマイクロパイプおよび積層欠陥が到達する事態を抑制することができる。
【００１０】
また、オフ角αは、５゜以内であることが好ましい。さらに、オフ角αは、３゜以内であることが好ましい。すなわち、種結晶の表面が｛０１−１４｝面に近くなるほど、表面にマイクロパイプおよび積層欠陥が到達する事態を確実に抑制することができる。
【００１１】
また、本発明に係る他のＳｉＣ単結晶の成長方法は、黒鉛製の坩堝内でＳｉＣ原料粉末を昇華させて、坩堝内に設置された種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を再結晶させるＳｉＣ単結晶の成長方法において、種結晶として、｛０１−１４｝面、または｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたＳｉＣ単結晶を用いることを特徴とする。
【００１２】
このようなＳｉＣ単結晶の成長方法によれば、黒鉛製の坩堝内に設置する種結晶の露出面を例えば｛０１−１４｝面とすれば、当該種結晶の露出面はマイクロパイプが延びる＜０００１＞方向に対して約３５゜の傾きを有することになる。このため、ＳｉＣ原料粉末を昇華させてこのような種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させれば、マイクロパイプは当該ＳｉＣ単結晶の側面に到達し、表面にマイクロパイプが到達する事態を抑制することができる。また、種結晶の露出面（｛０１−１４｝面）は、積層欠陥が広がる面、すなわち＜０００１＞方向と垂直な面に対して約５５゜の傾きを有するため、このような種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させれば、積層欠陥は当該ＳｉＣ単結晶の側面に到達し、表面に積層欠陥が到達する事態を抑制することができる。また、種結晶の露出面を｛０１−１４｝面とせず、この｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾けた面としても、同様に、成長させられたＳｉＣ単結晶の表面にマイクロパイプおよび積層欠陥が到達する事態を抑制することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るＳｉＣ単結晶およびその成長方法の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。また、実施形態および実施例の説明で結晶の格子方向および格子面を使用する場合があるが、ここで、格子方向及び格子面の記号の説明をしておく。個別方位は［ ］、集合方位は＜ ＞、個別面は（ ）、集合面は｛ ｝でそれぞれ示すことにする。また、負の指数については、結晶学上、”−”（バー）を数字の上に付けることになっているが、明細書作成の都合上、数字の前に負号を付けることにする。
【００１４】
図１は、本実施形態のＳｉＣ単結晶を成長させるための結晶成長装置２を示す断面図である。結晶成長装置２は、主として、内部でＳｉＣ単結晶を成長させる黒鉛製の坩堝４と、坩堝４の熱が外部へ放射されるのを防止する熱シールド部材６と、この熱シールド部材６を包囲する水冷式の反応管８と、反応管８の周囲に巻回されるとともに坩堝４を加熱するための高周波コイル１０と、から構成されている。また、反応管８の頂上部には、アルゴンガスなどの不活性ガスを導入するためのガス導入管１２が介挿され、反応管８の底部には、不活性ガスを外部に排出するためのガス排出管１４が介挿されている。
【００１５】
坩堝４は、有底円筒形状をなしてＳｉＣ多結晶からなる原料１５を収容する収容部１６と、この収容部１６の上部開口を封止する蓋部１８と、蓋部１８に取り付けられるとともに種結晶３０が底面に固定された種結晶配置部２０と、から成る。ここで、本実施形態では、種結晶３０として、｛０１−１４｝面が露出した６Ｈ型ポリタイプ（“Ｈ”は六方晶系、“６”は原子積層が６層で一周期となる結晶構造を意味する）のＳｉＣ単結晶を用いる。
【００１６】
続いて、図２を参照して、６Ｈ−ＳｉＣ単結晶の（０１−１４）面について説明する。同図に示すように、（０１−１４）面は、［０００１］方向に対して約３５゜（３５．２６゜）の傾きを有し、［０００１］方向と垂直な面に対して約５５゜（５４．７４゜）の傾きを有している。
【００１７】
次に、図１〜図４を参照して、ＳｉＣ単結晶の成長方法を説明する。
【００１８】
原料１５および種結晶３０を収容した坩堝４を反応管８内に設置した後、反応管８内を約１時間ほど真空排気し、次に、ガス導入管１２より不活性ガスを導入して反応管８内を常圧（７６０Ｔｏｒｒ）にする。そして、再び反応管８内を約１０分ほど真空排気した後、ガス導入管１２より不活性ガスを導入して反応管８内を再度常圧（７６０Ｔｏｒｒ）にする。
【００１９】
以上の作業が終了した後、高周波コイル１０によって坩堝４を加熱し始める。この際、坩堝４の温度を約２０００℃にするとともに、種結晶３０の温度が原料１５の温度よりも約５０℃だけ低くなるように温度勾配をつける。同時に、反応管８内の圧力を約４Ｔｏｒｒまで低下させる。これにより、ＳｉＣ多結晶からなる原料１５が昇華し、原料１５のガスが種結晶３０に到達して、図３に示すように、種結晶３０の表面（露出面）３０ｕ上に直径約２インチの６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶４０を成長させることができる。なお、図３においては、発明の理解を容易にするために種結晶３０の上方にＳｉＣ単結晶４０を位置させているが、実際は、図１から分かるように種結晶３０の下方にＳｉＣ単結晶４０が成長する。
【００２０】
ここで、図３を参照して、ＳｉＣ単結晶４０の成長過程を詳説する。通常、ＳｉＣ単結晶を成長させるに際して、＜０００１＞方向に延びるマイクロパイプや、＜０００１＞方向と垂直な面に広がる積層欠陥がＳｉＣ単結晶の内部に含まれることが多い。そして、多数のマイクロパイプや積層欠陥が表面に露出したＳｉＣ単結晶を用いて素子を作製すると、リーク電流等が発生するおそれがある。
【００２１】
ここで、本実施形態のように｛０１−１４｝面を露出させた種結晶３０を用いると、種結晶３０の表面３０ｕは、上述のように、マイクロパイプ４２（図中一点鎖線で示す）が延びる＜０００１＞方向に対して約３５゜の傾きを有することになる。このため、ある程度ＳｉＣ単結晶４０を成長させると、マイクロパイプ４２はＳｉＣ単結晶４０の側面４０ｓに到達し、マイクロパイプ４２が表面４０ｕに到達する事態を抑制することができる。また、種結晶３０の表面３０ｕは、積層欠陥４４（図中破線で示す）が広がる面、すなわち＜０００１＞方向と垂直な面に対して約５５゜の傾きを有する。このため、ある程度ＳｉＣ単結晶４０を成長させると、積層欠陥４４はＳｉＣ単結晶４０の側面４０ｓに到達し、積層欠陥４４が表面４０ｕに到達する事態を抑制することができる。
【００２２】
また、図４に示すように、種結晶３０の表面３０ｕを本実施形態のように｛０１−１４｝面とせず、この｛０１−１４｝面に対して約１０゜以内のオフ角αだけ傾けた面としても、同様に、成長させられたＳｉＣ単結晶４０の表面４０ｕにマイクロパイプ４２および積層欠陥４４が到達する事態を抑制することができる。さらに、オフ角αは５゜以内であることが好ましく、より好適には、３゜以内であることが好ましい。すなわち、種結晶の表面が｛０１−１４｝面に近くなるほど、ＳｉＣ単結晶４０の表面４０ｕにマイクロパイプ４２および積層欠陥４４が到達する事態を確実に抑制することができる。
【００２３】
【実施例】
本発明のＳｉＣ単結晶およびその成長方法について、さらに実施例を用いて具体的に説明する。
【００２４】
［実施例１］
実施例１では、種結晶３０として、（０１−１４）面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管８内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料１５の温度を約２３００℃にするとともに種結晶３０の温度を約２２５０℃にして、種結晶３０上に直径２インチのＳｉＣ単結晶４０をバルク成長させた。このときの成長速度は、１ｍｍ／ｈであった。
【００２５】
このようにして得られたＳｉＣ単結晶４０をラマン分光分析したところ、表面全体が６Ｈ型になっていることが判明した。さらに、ＳｉＣ単結晶４０のバルクを厚さ約３３０μｍのウエハ状にスライスした後、ダイヤモンド砥石によって研磨処理を施して、ウエハの表裏面を鏡面状にした。目視により、このＳｉＣ単結晶のウエハは、表面全体が均質であり、端部からの多結晶化や結晶の多形化は起こっていないことが分かった。さらに、溶融水酸化カリウムを用いてウエハにエッチング処理を施して評価したところ、ウエハの表面に、マイクロパイプおよび積層欠陥は観察されなかった。
【００２６】
［実施例２］
実施例２では、種結晶３０として、（０１−１４）面から（０００１）面の方向に３゜傾いた面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管８内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料１５の温度を約２３００℃にするとともに種結晶３０の温度を約２１７０℃にして、種結晶３０上に直径２インチのＳｉＣ単結晶４０をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．８ｍｍ／ｈであった。そして、実施例１と同様に、ＳｉＣ単結晶４０のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプおよび積層欠陥は観察されなかった。
【００２７】
［実施例３］
実施例３では、種結晶３０として、（０１−１４）面から（０００１）面の方向に５゜傾いた面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管８内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料１５の温度を約２３００℃にするとともに種結晶３０の温度を約２１７０℃にして、種結晶３０上に直径２インチのＳｉＣ単結晶４０をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．８ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶４０のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプおよび積層欠陥は観察されなかった。
【００２８】
［実施例４］
実施例４では、種結晶３０として、（０１−１４）面から（０００１）面の方向に１０゜傾いた面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管８内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料１５の温度を約２３００℃にするとともに種結晶３０の温度を約２１７０℃にして、種結晶３０上に直径２インチのＳｉＣ単結晶４０をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．８ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶４０のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプおよび積層欠陥は観察されなかった。
【００２９】
［比較例１］
上記実施例と比較するために、種結晶として（０００１）面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料の温度を約２３００℃にするとともに種結晶の温度を約２１７０℃にして、種結晶上に直径２インチのＳｉＣ単結晶をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．６ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、積層欠陥は観察されなかったが、マイクロパイプが約３００個／ｃｍ2観察された。
【００３０】
［比較例２］
比較例２では、種結晶として（０−１０１）面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料の温度を約２３００℃にするとともに種結晶の温度を約２１７０℃にして、種結晶上に直径２インチのＳｉＣ単結晶をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．８ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプは観察されなかったが、積層欠陥が１０００個／ｃｍ2観察された。
【００３１】
［比較例３］
比較例３では、種結晶として（１１−２０）面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ単結晶を使用した。そして、反応管内の圧力を４Ｔｏｒｒに保持し、原料の温度を約２３００℃にするとともに種結晶の温度を約２１７０℃にして、種結晶上に直径２インチのＳｉＣ単結晶をバルク成長させた。このときの成長速度は、０．７ｍｍ／ｈであった。そして、ＳｉＣ単結晶のバルクをスライスしてウエハを作製し、このウエハにエッチング処理を施して評価したところ、マイクロパイプは観察されなかったが、積層欠陥が５００個／ｃｍ2観察された。
【００３２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、ＳｉＣ単結晶を成長させるための結晶成長装置は、図１に示すものに限られず、この他種々のものを使用することができる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＳｉＣ単結晶は、表面にマイクロパイプおよび積層欠陥が殆ど露出しておらず、また、本発明のＳｉＣ単結晶の成長方法によれば、ＳｉＣ単結晶の表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態のＳｉＣ単結晶を成長させるための結晶成長装置を示す断面図である。
【図２】ＳｉＣ単結晶の（０１−１４）面を説明するために用いた図である。
【図３】ＳｉＣ単結晶内のマイクロパイプおよび積層欠陥の状態を示す図である。
【図４】表面が｛０１−１４｝面からオフ角αだけ傾いた種結晶を示す図である。
【符号の説明】
２…結晶成長装置、４…坩堝、６…熱シールド部材、８…反応管、１０…高周波コイル、１５…原料、２０…種結晶配置部、３０…種結晶、３０ｕ…種結晶表面（露出面）、４０ｓ…種結晶側面、４０…ＳｉＣ単結晶、４０ｕ…ＳｉＣ単結晶表面、４２…マイクロパイプ、４４…積層欠陥。
Claims (5)
- ６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、
｛０１−１４｝面、または｛０１−１４｝面に対して１０゜以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたＳｉＣ単結晶からなる種結晶上に、６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を成長させ、前記ＳｉＣ単結晶の成長と共に延びるマイクロパイプ及び積層欠陥が、当該成長中のＳｉＣ単結晶の側面に到達する高さを超えるように、前記ＳｉＣ単結晶を成長させることを特徴とするＳｉＣ単結晶の成長方法。 - 前記オフ角αは、５゜以内であることを特徴とする請求項１記載のＳｉＣ単結晶の成長方法。
- 前記オフ角αは、３゜以内であることを特徴とする請求項１記載のＳｉＣ単結晶の成長方法。
- 黒鉛製の坩堝内でＳｉＣ原料粉末を昇華させて、前記坩堝内に設置された種結晶上に６Ｈ型ポリタイプのＳｉＣ単結晶を再結晶させるＳｉＣ単結晶の成長方法において、
前記種結晶として、｛０１−１４｝面、または｛０１−１４｝面に対して１０゜以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたＳｉＣ単結晶を用い、前記ＳｉＣ単結晶の成長と共に延びるマイクロパイプ及び積層欠陥が、当該成長中のＳｉＣ単結晶の側面に到達する高さを超えるように、前記ＳｉＣ単結晶を成長させることを特徴とするＳｉＣ単結晶の成長方法。 - 請求項１〜請求項４のうち何れか一項記載のＳｉＣ単結晶の成長方法により成長させられたことを特徴とするＳｉＣ単結晶。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25157599A JP4304783B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 |
| TW089118253A TWI231320B (en) | 1999-09-06 | 2000-09-06 | SiC single crystal and method for growing same |
| DE60024667T DE60024667T2 (de) | 1999-09-06 | 2000-09-06 | Sic-einkristall und herstellungsverfahren dafür |
| PCT/JP2000/006056 WO2001018287A1 (fr) | 1999-09-06 | 2000-09-06 | MONOCRISTAL EN SiC ET SON PROCEDE DE CROISSANCE |
| EP00956967A EP1233085B1 (en) | 1999-09-06 | 2000-09-06 | SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR GROWING THE SAME |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25157599A JP4304783B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001080997A JP2001080997A (ja) | 2001-03-27 |
| JP4304783B2 true JP4304783B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=17224864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25157599A Expired - Lifetime JP4304783B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1233085B1 (ja) |
| JP (1) | JP4304783B2 (ja) |
| DE (1) | DE60024667T2 (ja) |
| TW (1) | TWI231320B (ja) |
| WO (1) | WO2001018287A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4253974B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2009-04-15 | 住友電気工業株式会社 | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 |
| WO2003087440A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Monocristal de carbure de silicium et procede de fabrication correspondant |
| US7520930B2 (en) | 2002-04-15 | 2009-04-21 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Silicon carbide single crystal and a method for its production |
| JP5017768B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2012-09-05 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子 |
| JP2007197231A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Toyota Motor Corp | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| US8980445B2 (en) * | 2006-07-06 | 2015-03-17 | Cree, Inc. | One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed |
| JP5669134B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2015-02-12 | 一般財団法人電力中央研究所 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| JP6226959B2 (ja) | 2012-04-20 | 2017-11-08 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 大口径高品質ＳｉＣ単結晶、方法、及び装置 |
| CN112981522B (zh) * | 2021-03-11 | 2022-12-27 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0416597A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| JPH07267795A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-17 | Nippon Steel Corp | ＳｉＣ単結晶の成長方法 |
| JP2804860B2 (ja) * | 1991-04-18 | 1998-09-30 | 新日本製鐵株式会社 | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 |
-
1999
- 1999-09-06 JP JP25157599A patent/JP4304783B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-06 DE DE60024667T patent/DE60024667T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-06 TW TW089118253A patent/TWI231320B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-09-06 WO PCT/JP2000/006056 patent/WO2001018287A1/ja active IP Right Grant
- 2000-09-06 EP EP00956967A patent/EP1233085B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001080997A (ja) | 2001-03-27 |
| DE60024667D1 (de) | 2006-01-12 |
| EP1233085A4 (en) | 2003-02-05 |
| TWI231320B (en) | 2005-04-21 |
| DE60024667T2 (de) | 2006-08-10 |
| EP1233085B1 (en) | 2005-12-07 |
| EP1233085A1 (en) | 2002-08-21 |
| WO2001018287A1 (fr) | 2001-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3692076B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 | |
| JP2804860B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 | |
| EP2059946B1 (en) | Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture | |
| JP5706823B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶ウエハーとその製造方法 | |
| JP4253974B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 | |
| JP2004099340A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
| JP4304783B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 | |
| JP4460236B2 (ja) | 炭化珪素単結晶ウェハ | |
| JP5115413B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
| JP2002249376A (ja) | 低窒素濃度炭素系材料及びその製造方法 | |
| JP2006225232A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、および薄膜エピタキシャルウェハ | |
| EP1122341A1 (en) | Single crystal SiC | |
| JP3087065B1 (ja) | 単結晶ＳｉＣの液相育成方法 | |
| JP3848446B2 (ja) | 低抵抗ＳｉＣ単結晶の育成方法 | |
| JP3590464B2 (ja) | ４ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法 | |
| JP2006232669A (ja) | 低窒素濃度黒鉛材料、低窒素濃度炭素繊維強化炭素複合材料、低窒素濃度膨張黒鉛シート | |
| JP5418210B2 (ja) | 窒化物半導体結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 | |
| JP4850807B2 (ja) | 炭化珪素単結晶育成用坩堝、及びこれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP2004262709A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JP4157326B2 (ja) | ４ｈ型炭化珪素単結晶インゴット及びウエハ | |
| JPH07267795A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JPH10182297A (ja) | ＳｉＣ単結晶の育成方法 | |
| JP3719341B2 (ja) | ＳｉＣ結晶の液相エピタキシャル成長方法 | |
| JP3717562B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH08208394A (ja) | 単結晶炭化珪素の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060206 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080508 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080509 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090310 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090407 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090420 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4304783 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130515 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140515 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |