JP4342921B2

JP4342921B2 - 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置

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Publication number: JP4342921B2
Application number: JP2003410105A
Authority: JP
Inventors: 真一篠塚; 栄希和田; 剛秀山下
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2003-12-09
Filing date: 2003-12-09
Publication date: 2009-10-14
Anticipated expiration: 2023-12-09
Also published as: WO2005057633A1; KR20060120687A; US20070088450A1; CN100452294C; JP2005175052A; TW200526494A; US7529595B2; EP1693886A4; CN1890780A; EP1693886A1; TWI293938B

Description

本発明は，基板処理装置の制御方法及び基板処理装置に関する。

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおける基板のフォトリソグラフィー工程は，通常，塗布現像処理装置を用いて行われている。塗布現像処理装置は，本体内に，基板を搬入出するローダ・アンローダ部と，レジスト塗布処理，現像処理，熱処理等の一連の複数の処理が行われる処理部と，当該装置に隣接して設けられた露光装置に対して基板の受け渡しを行うインターフェイス部を備え，これらの各部には，各部内又は隣接する部間で基板を搬送する搬送ユニットが備えられている。

また，近年では，塗布現像処理装置内に処理後の基板の膜厚，線幅等を検査する検査部を備えているものが提案されている（例えば，特許文献１参照。）。この塗布現像処理装置によれば，処理後の基板を直ちに検査し，基板処理の不具合等を早期に検出することができる。

従来より，塗布現像処理装置で実行される基板処理のフローは，例えば塗布現像処理装置内の制御部で実行されている。上述の検査部のない従来の塗布現像処理装置の制御部には，ローダ・アンローダ部から搬入された基板を処理部に搬送して処理し，処理の終了した基板をローダ・アンローダ部に戻すようなフローが設定されていた。上述の検査部を備えた塗布現像処理装置の制御部には，従来のフローに検査部における検査フローを組み込んだもの，つまり，ローダ・アンローダ部から搬入された基板を処理部に搬送して処理し，処理の終了した基板の中から選択された基板を検査部において検査し，その後，総ての基板をローダ・アンローダ部に戻すように設定されていた。このため，当該塗布現像処理装置で処理される基板は，ローダ・アンローダ部に搬入されると，必ず処理部に搬送されて処理され，その後選択的に検査部で検査されていた。

ところで，塗布現像処理装置の立ち上げ時には，処理部における各処理ユニットの各種設定等を調整する調整作業や，検査部の精度等を評価する評価作業を行う必要がある。この処理部の調整作業や検査部の評価作業は，外的要因を排除するためそれぞれ単独で行う必要がある。しかしながら，上述の検査部を備えた塗布現像処理装置においては，基板処理のフローを実行すると，必ず処理部を通過し基板に外乱が加わるため，フローの実行によって検査部の評価作業を行うことはできなかった。このため，検査部の評価作業をする場合，前記検査部に対し基板を直接搬入出する機構を備えた専用の評価ユニットを検査部に別途隣接させ，当該評価ユニットから検査部に対して基板を搬入出することによって行われていた。それ故，塗布現像処理装置の立ち上げ作業には，専用の評価ユニットが必要であり，例えば基板の製造メーカにとっては，評価ユニットの購入や維持などにかかるコストが負担になり，装置メーカ及び検査器メーカにとっては，評価ユニットの開発コストや開発労力が負担になっていた。

また，専用の評価ユニットを用いて検査部の評価作業を行っている際には，当然，実際に基板を流して行われる処理部の調整作業は行うことができない。このように，検査部の評価作業と処理部の調査作業とを同時期に行うことができず，塗布現像処理装置の立ち上げに，多大な時間を要していた。

さらに，塗布現像処理装置で基板処理が行われている時には，所定枚数に一枚の割合で基板の検査が行われることが多く，検査部が空の状態になっている場合が多い。そのため，検査部の稼働率を向上し，検査部を効率的に利用することが望まれている。

特開２０００−２２３４０１号公報

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，検査部を備えた塗布現像処理装置などの基板処理装置において，装置立ち上げのために要する時間を短縮し，コストを低減し，さらに検査部の稼働率を向上できる基板処理装置の制御方法及び基板処理装置を提供することをその目的とする。

上記目的を達成するために，本発明は，基板を搬入出する搬入出部と，基板の処理を行う処理部と，基板の検査を行う検査部を有し，これらの部の間で基板を搬送できるように構成された基板処理装置を制御する方法であって，前記搬入出部に搬入された基板を前記処理部に搬送して処理する基板の処理フローと，前記搬入出部に搬入された基板を前記検査部に搬送して検査する基板の検査フローとを独立に実行し，前記基板の処理フローと前記基板の検査フローを，基板のロット単位で実行し，前記基板の処理フローの終了したロットに対して前記基板の検査フローを実行し，当該ロットに対する前記基板の検査フローの実行期間と重ならないように，基板処理装置の外部から前記搬入出部に搬入された外部のロットに対して前記基板の検査フローを実行することを特徴とする。

本発明によれば，基板の処理フローと検査フローを独立に実行するので，例えば基板処理装置の立ち上げ時に，基板の検査フローを実行し，搬入出部に搬入された例えば評価用の基板を直接検査部に送って検査を実行することができる。この検査の結果に基づいて検査部の評価を行うことができるので，従来の専用の評価ユニットが必要なくなり，この評価ユニットに関する費用を削減できる。また，基板の検査フローと処理フローを同時に行い，検査部の評価作業と処理部の調整作業を同時進行で行うことができるので，基板処理装置の立ち上げにかかる時間を短縮できる。また，基板処理装置の検査部のみを単独で使用できるので，空いている検査部を活用して検査部の稼働率を向上させることができる。

前記基板の処理フローの終了した基板を前記搬入出部に戻し，前記検査部で他の基板の検査が行われていないときに，前記基板に対して前記基板の検査フローを実行するようにしてもよい。かかる場合，基板の処理フローが終了した基板が搬入出部に戻されるので，例えば検査部などに基板を待機させておくためのバッファ等を設ける必要がない。この結果，検査部のフットプリントを低減でき，装置全体の小型化が図られる。

参考例として，前記基板の処理フローの終了した基板の検査が前記検査部で行われていないときに，基板処理装置の外部から前記搬入出部に搬入された外部の基板に対して前記基板の検査フローを実行するようにしてもよい。この外部の基板は，検査目的のためだけに基板処理装置の搬入出部に搬入されたものであって，例えば他の処理装置で既に処理が施されているものである。かかる場合，例えば他の処理装置で処理された基板の検査を行うことができるので，例えば基板製造が行われる工場全体の検査ユニットの台数を減らしてコストの削減を図ることができる。また，検査部の稼働率が上げて，工場全体の処理効率を向上することができる。

前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する前記基板の検査フローを，前記外部のロットに対する前記基板の検査フローよりも優先させてもよい。かかる場合，この基板処理装置で処理されたロットの検査を優先するので，基板処理装置内の基板の流れが滞ることがなく，外部からのロットを検査する場合であっても基板処理装置の処理効率を維持できる。なお，前記外部のロットに対する前記基板の検査フローを，前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する前記基板の検査フローよりも優先させるようにしてもよい。また，前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する基板の検査フローと前記外部のロットに対する基板の検査フローとのいずれを優先させるかを切り換えるようにしてもよい。

前記検査部に設けられた複数の検査ユニットから所定の検査ユニットを選択して，当該選択された検査ユニットにおける前記基板の検査フローを基板に対して実行するようにしてもよい。かかる場合，例えば基板毎或いはロット毎に必要な検査を自由に選択して行うことができる。

本発明は，基板を搬入出する搬入出部と，基板の処理を行う処理部と，基板の検査を行う検査部と有し，これらの部の間で基板を搬送できるように構成された基板処理装置であって，前記搬入出部に搬入された基板を前記処理部に搬送して処理する基板の処理フローと，前記搬入出部に搬入された基板を前記検査部に搬送して検査する基板の検査フローとを独立に実行可能な制御部を有し，前記制御部は，前記基板の処理フローと前記基板の検査フローを，基板のロット単位で実行でき，さらに，前記基板の処理フローの終了したロットに対して前記基板の検査フローの実行でき，当該ロットに対する前記基板の検査フローの実行期間と重ならないように，基板処理装置の外部から前記搬入出部に搬入された外部のロットに対して前記基板の検査フローを実行できることを特徴とする。

本発明によれば，基板の処理フローと検査フローを独立に実行できるので，例えば基板処理装置の立ち上げ時に，基板の検査フローを実行し，搬入出部に搬入された例えば評価用の基板を直接検査部に送って検査を実行することができる。この検査の結果に基づいて検査部の評価を行うことができるので，従来の専用の評価ユニットが必要なくなり，この評価ユニットに関する費用を削減できる。また，基板の検査フローと処理フローを同時に実行し，検査部の評価作業と処理部の調整作業を同時進行で行うことができるので，基板処理装置の立ち上げにかかる時間を短縮できる。また，基板処理装置の検査部のみを単独で使用できるので，空いている検査部を活用して検査部の稼働率を向上させることができる。

前記制御部は，前記基板の処理フローの終了した基板を前記搬入出部に戻し，前記検査部で他の基板の検査が行われていないときに，前記搬入出部の基板に対して前記基板の検査フローを実行できるようにしてもよい。かかる場合，基板の処理フローが終了した基板が搬入出部に戻されるので，例えば検査部などに基板を待機させておくためのバッファ等を設ける必要がなく，検査部のフットプリントを低減し装置全体の小型化が図られる。

参考例として，前記制御部は，前記基板の処理フローの終了した基板の検査が前記検査部で行われていないときに，基板処理装置の外部から前記搬入出部に搬入された外部の基板に対して前記基板の検査フローを実行できてもよい。かかる場合，外部の基板に対して基板の検査フローを実行することによって，検査部の稼働率を向上することができる。

前記制御部は，前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する前記基板の検査フローを，前記外部のロットに対する前記基板の検査フローよりも優先させることができてもよい。かかる場合，この基板処理装置内で処理された基板の検査が優先されるので，基板処理装置内の基板の流れが滞ることなく，たとえ外部の基板を検査しても，この基板処理装置の処理効率を維持できる。

前記制御部は，前記外部のロットに対する前記基板の検査フローを，前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する前記基板の検査フローよりも優先させることができてもよい。また，前記制御部は，前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する前記基板の検査フローと前記外部のロットに対する基板の検査フローとのいずれを優先させるかを切り換えることができてもよい。

前記検査部には，複数の検査ユニットが設けられ，前記制御部は，前記複数の検査ユニットから所定の検査ユニットを選択して，当該選択された検査ユニットにおける前記基板の検査フローを基板に対して実行できるものであってもよい。かかる場合，例えば基板毎或いはロット毎に必要な検査を自由に選択して行うことができる。

本発明によれば，検査部を備えた基板処理装置において，立ち上げ作業にかかる時間を短縮し，費用を低減し，さらに検査部の稼働率を向上させることができる。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，基板としてのウェハのフォトリソグラフィー工程が行われる塗布現像処理装置１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理装置１の正面図であり，図３は，塗布現像処理装置１の背面図である。

塗布現像処理装置１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりする搬入出部としてのカセットステーション２と，ウェハＷを検査する検査部としての検査ステーション３と，塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理部としての処理ステーション４と，この処理ステーション４に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２では，カセット載置台６上の所定の位置に，複数，例えば５つのカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置できる。カセットステーション２には，搬送路７上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体８が設けられている。ウェハ搬送体８は，上下方向にも移動可能であり，カセットＣ内に上下方向に配列されたウェハＷに対して選択的にアクセスできる。ウェハ搬送体８は，鉛直方向の軸周りのθ方向に回転可能であり，後述する検査ステーション３側の受け渡し部１０に対してもアクセスできる。

カセットステーション２に隣接する検査ステーション３は，例えば複数の検査ユニットが多段に配置された検査ユニット群Ｋを備えている。検査ステーション３は，カセットステーション２との間でウェハＷを受け渡しするための受け渡し部１０を備えている。この受け渡し部１０には，例えばウェハＷを載置する載置部１０ａが設けられている。検査ステーション３には，例えばＸ方向に延伸する搬送路１１上を移動するウェハ搬送装置１２が設けられている。ウェハ搬送装置１２は，例えば上下方向に移動可能でかつθ方向にも回転自在であり，検査ユニット群Ｋ内の後述する各検査ユニット，受け渡し部１０及び処理ステーション４の第３の処理ユニット群Ｇ３内の後述する各処理ユニットに対してアクセスできる。

検査ユニット群Ｋには，例えば図２に示すようにウェハＷ上に形成された膜の厚みやパターンの線幅を測定する膜厚・線幅検査ユニット２０，ウェハ表面上のマクロ欠陥を検出するマクロ欠陥検査ユニット２１及び露光の重ね合わせのずれを検出する重ね合わせ検査ユニット２２が下から順に３段に重ねられている。

検査ステーション３に隣接する処理ステーション４は，図１に示すように複数の処理ユニットが多段に配置された，例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション４のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には，検査ステーション３側から第１の処理ユニット群Ｇ１，第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション４のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には，検査ステーション３側から第３の処理ユニット群Ｇ３，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４の間には，第１の搬送ユニット３０が設けられている。第１の搬送ユニット３０は，第１の処理ユニット群Ｇ１，第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４に対して選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５の間には，第２の搬送ユニット３１が設けられている。第２の搬送ユニット３１は，第２の処理ユニット群Ｇ２，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５に対して選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。

図２に示すように第１の処理ユニット群Ｇ１には，ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理ユニット，例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット４０，４１，４２，露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット４３，４４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には，液処理ユニット，例えばウェハＷを現像する現像処理ユニット５０〜５４が下から順に５段に重ねられている。また，第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には，各処理ユニット群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室６０，６１がそれぞれ設けられている。

例えば図３に示すように第３の処理ユニット群Ｇ３には，温調ユニット７０，ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジションユニット７１，精度の高い温度管理下でウェハＷを加熱処理する高精度温調ユニット７２〜７４及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理ユニット７５〜７８が下から順に９段に重ねられている。

第４の処理ユニット群Ｇ４では，例えば高精度温調ユニット８０，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット８１〜８４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット８５〜８９が下から順に１０段に重ねられている。

第５の処理ユニット群Ｇ５では，ウェハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット，例えば高精度温調ユニット９０〜９３，露光後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット９４〜９９が下から順に１０段に重ねられている。

図１に示すように第１の搬送ユニット３０のＸ方向正方向側には，複数の処理ユニットが配置されており，例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット１００，１０１，ウェハＷを加熱する加熱ユニット１０２，１０３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送ユニット３１のＸ方向正方向側には，例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット１０４が配置されている。

インターフェイス部５には，例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１１０上を移動するウェハ搬送体１１１と，バッファカセット１１２が設けられている。ウェハ搬送体１１１は，Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり，インターフェイス部５に隣接した図示しない露光装置と，バッファカセット１１２及び第５の処理ユニット群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。

以上のように構成された塗布現像処理装置１の制御は，例えば図１及び図２に示すようにカセットステーション２の側部に備えられた制御部としてのコントロールユニット１２０によって行われている。コントロールユニット１２０には，制御プログラムＰが記憶されており，コントロールユニット１２０は，制御プログラムＰに従って，塗布現像処理装置１内の処理ユニット，検査ユニットや搬送ユニットの動作を制御して，塗布現像処理装置１におけるウェハ処理のプロセスを制御できる。制御プログラムＰは，例えば図４に示すようにカセットステーション２のウェハＷを検査ステーション３を通って処理ステーション４に搬送し，処理ステーション４及び露光装置で処理を実行した後，検査ステーション３を通過してカセットステーション２に戻すウェハＷの処理フローＦ_１と，カセットステーション２のウェハＷを検査ステーション３に搬送し，所定の検査を実行した後，カセットステーション２に戻すウェハＷの検査フローＦ_２とを独立に実行できるように設定されている。

次に，以上のように構成された塗布現像処理装置１の作用ついて説明する。先ず，塗布現像処理装置１の立ち上げ時には，例えばコントロールユニット１２０によって，制御プログラムＰの処理フローＦ_１と検査フローＦ_２がそれぞれ実行される。例えば評価用のウェハＷが収容されたカセットＣがカセット載置台６に載置されると，当該評価用のウェハＷがウェハ搬送体７によって受け渡し部１０に受け渡され，受け渡し部１０からウェハ搬送装置１２によって各検査ユニット２０〜２２に搬送され，各検査ユニット２０〜２２で検査が終了すると，ウェハ搬送装置１２，受け渡し部１０及びウェハ搬送体８を介してカセットＣに戻される。例えば評価用のウェハＷに対する各検査ユニット２０〜２２における測定値を評価することによって検査ユニット２０〜２２の評価作業が行われる。また，例えば処理用のウェハＷが収容されたカセットＣがカセット載置台６上に載置されると，当該処理用のウェハＷがウェハ搬送体８，受け渡し部１０及びウェハ搬送装置１２を介して処理ステーション４に搬送され，調整の対象となる所定の処理ユニットにおける処理が施された後，再びウェハ搬送装置１２，受け渡し部１０及びウェハ搬送体８を介してカセットＣに戻される。例えばカセットＣに戻されたウェハＷの処理状態に基づいて各処理ユニットの設定を調整することによって各処理ユニットの調整作業が行われる。

次に，塗布現像処理装置１の立ち上げ作業が終了し，塗布現像処理装置１において実際にウェハＷが処理される際の塗布現像処理装置１の作用について説明する。この実施の形態では，例えば図１に示すようにカセット載置台６上にカセットＣ_１，Ｃ_２，Ｃ_３が載置されており，カセットＣ_１には，ロットＲ_１を構成する複数枚のウェハＷ_１が収容され，カセットＣ_２には，ロットＲ_２を構成する複数枚のウェハＷ_２が収容され，カセットＣ_３には，ロットＲ_３を構成する複数枚のウェハＷ_３が収容されている場合を例にとって説明する。図５は，処理フローＦ_１と検査フローＦ_２の実行タイミングを示す説明図である。

先ず，塗布現像処理装置１が稼動すると，例えばコントロールユニット１２０によって制御プラグラムＰの処理フローＦ_１と検査フローＦ_２が共に実行可能状態になる。ロットＲ_１に対する処理フローＦ_１の実行により，カセット載置台６上のカセットＣ_１内の複数枚のウェハＷ_１が，ウェハ搬送体８によって一枚ずつ順に受け渡し部１０に受け渡され，ウェハ搬送装置１２によって処理ステーション４の第３の処理ユニット群Ｇ３に属する温調ユニット７０に搬送される。処理ステーション４内において，各ウェハＷ_１に対して，温調ユニット７０による温調処理，ボトムコーティングユニット４３による反射防止膜の形成処理，加熱ユニット１０２による加熱処理，高温度熱処理ユニット７５による高温加熱処理，高精度温調ユニット８０による温度調整，レジスト塗布ユニット４０によるレジスト塗布処理，プリベーキングユニット８１によるプリベーキング処理，周辺露光ユニット１０４による周辺露光処理及び高精度温調ユニット９３による温度調整が順次行われる。その後，各ウェハＷ_１は，ウェハ搬送体１１１によって順次インターフェイス部５を介して露光装置に搬送され，露光処理の終了後再びインターフェイス部５を介して処理ステーション４内に戻される。

その後，各ウェハＷ_１は，ポストエクスポージャーベーキングユニット９４による加熱処理，高精度温調ユニット９１による温度調節，現像処理ユニット５０による現像処理，ポストベーキングユニット８５による加熱処理，高精度温調ユニット７２による冷却処理が順次行われ，トランジションユニット７１からウェハ搬送装置１２によって検査ステーション３の受け渡し部１０に受け渡される。各ウェハＷ_１は，ウェハ搬送体８により受け渡し部１０からカセットＣ_１に戻される。

カセットＣ_１のロットＲ_１対する処理フローＦ_１が実行され，カセットＣ_１内から総てのウェハＷ_１が取り出されると，図５に示すように引き続きカセット載置台６上のカセットＣ_２のロットＲ_２に対する処理フローＦ_１が実行され，複数枚の各ウェハＷ_２がカセットＣ_２から取り出され，各ウェハＷ_１と同様の経路を通って処理が施される。さらにカセットＣ_２内が空になると，カセットＣ_３のロットＲ_３に対して処理フローＦ_１が実行され，ウェハＷ_３も同様の経路を通って処理される。このように各ロットＲ_１〜Ｒ_３に対して順次処理フローＦ_１が実行される。

一方，処理フローＦ_１を終了したロットＲ_１のウェハＷ_１がカセットＣ_１に戻されると，検査フローＦ_２の実行により，ロットＲ_１内から選択された数枚のウェハＷ_１が，一枚ずつウェハ搬送体８によって検査ステーション３の受け渡し部１０に搬送される。このウェハＷ_１は，ウェハ搬送装置１２によって例えば検査ユニット群Ｋの膜厚・線幅検査ユニット２０，マクロ欠陥検査ユニット２１，重ね合わせ検査ユニット２２に順に搬入され，各検査ユニットにおいて所定の検査が施される。検査の終了したウェハＷ_１は，ウェハ搬送装置１２によって受け渡し部１０に受け渡され，受け渡し部１０からウェハ搬送体８によってカセットＣ_１に戻される。また，処理フローＦ_１を終了したカセットＣ_２，Ｃ_３に戻されたロットＲ_２，ロットＲ_３に対しても同様に，検査フローＦ_２が実行される。

次に，検査だけを行う目的で，図１に示すように装置外部からカセット載置台６上にカセットＣ_４が載置された場合について説明する。例えばカセットＣ_４には，他の処理装置で既に処理の終了したロットＲ_４を構成する複数枚のウェハＷ_４が収容されている。図６は，かかる場合のフローチャートを示す。例えばロットＲ_１に対する処理フローＦ_１の実行中に，ロットＲ_４のカセットＣ_４がカセット載置台６上に載置されると，その時点でロットＲ_４に対する検査フローＦ_２の実行が開始された場合に，そのロットＲ_４の実行期間が，塗布現像処理装置１で処理中のロットＲ_１に対する次の検査フローＦ_２の実行期間と重なるか否かが，例えばコントロールユニット１２０において確認される。実行期間が重なる場合，ロットＲ_１に対する検査フローＦ_２が先に実行され，このときロットＲ_４はカセット載置台６上のカセットＣ_４内で待機する。そして，図７に示すようにロットＲ_４に対する検査フローＦ_２は，ロットＲ_１に対する検査が終了してから実行される。一方，実行期間が重ならない場合には，直ちにロットＲ_４に対する検査フローＦ_２が実行される。このように，塗布現像処理装置１内で処理されたロットＲ_１の検査フローＦ_２は，外部からのロットＲ_４よりも優先的に行われる。また，カセットＣ_４がカセット載置台６上に載置された時に，ロットＲ_２又はロットＲ_３の処理フローＦ_１が実行中の場合も同様に，検査フローＦ_２の実行期間が重なる場合には，次に行われるロットＲ_２又はＲ_３の検査フローＦ_２がロットＲ_４よりも優先的に行われ，ロットＲ_４に対する検査フローＦ_２の実行期間とロットＲ_２，Ｒ_３の実行期間とが重ならないように調整される。

以上の実施の形態によれば，コントロールユニット１２０により制御プログラムＰの処理フローＦ_１と検査フローＦ_２とを独立して実行できるので，例えば塗布現像処理装置１の立ち上げ作業時に，検査ステーション３の各検査ユニット２０〜２２の評価作業と，処理ステーション４の各処理ユニットの調整作業とを同時期に行うことができる。それ故，立ち上げ作業の時間が短縮される。また，塗布現像処理装置１のカセットステーション２から直接各検査ユニット２０〜２２にアクセスできるので，従来のように評価作業のための専用の評価ユニットが不要であり，当該評価ユニットに関する費用が削減できる。

また，塗布現像処理装置１内で処理フローＦ_１が実行中であっても，検査ユニット２０〜２２が空いている場合に，外部からのロットＲ_４に対して検査フローＦ_２を実行できるので，検査ユニット２０〜２２の稼働率を向上することができる。また，塗布現像処理装置１内で処理フローＦ_１を行ったロットＲ_１〜ロットＲ３に対する検査フローＦ_２が，外部からのロットＲ_４よりも優先的に行われるようにしたので，外部のロットＲ_４の検査を行うようにしても塗布現像処理装置１内のウェハの処理効率を低下させることがない。

上記実施の形態では，外部からカセット載置台６に搬入されたロットＲ_４に対する検査フローＦ_２よりも，塗布現像処理装置１内で処理されたロットＲ_１〜Ｒ_３の検査フローＦ_２を優先的に行っていたが，外部からのロットＲ_４に対する検査フローＦ_２を優先させてもよい。図８は，かかる場合のフローチャートを示す。例えば外部からのカセットＣ_４がカセット載置台６上に載置されると，その時に他のロットに対する検査フローＦ_２が実行されているか否かが確認される。検査フローＦ_２が実行されている場合には，ロットＲ_４は，その実行中の検査フローＦ_２が終了するまでカセット載置台６上で待機し，その後ロットＲ_４の検査フローＦ_２が実行される。カセットＣ_４がカセット載置台６上に載置された時に，他のロットの検査フローＦ_２が実行されていない場合には，ロットＲ_４の検査フローＦ_２が直ちに実行される。ロットＲ_４に対する検査フローＦ_２の実行中に，塗布現像処理装置１内で処理フローＦ_１の終了した例えばロットＲ_１〜Ｒ_３がカセットＣ_１〜Ｃ_３に戻った場合，ロットＲ_４の検査フローＦ_２が終了するまでロットＲ_１〜Ｒ_３はカセット載置台６上で待機する。ロットＲ_１〜Ｒ_３の検査フローＦ_２は，ロットＲ_４の検査フローＦ_２の終了後に行われる。この例では，例えば所定の事情のあるロットＲ_４を，塗布現像処理装置１内のロットよりも優先的に検査することができる。

なお，かかる外部のロットＲ_４に対する検査フローＦ_２を優先するモードと，塗布現像処理装置１内で処理されたロットＲ_１〜Ｒ_３に対する検査フローＦ_２を優先するモードとがコントロールユニット１２０において切り換えられ可能になっていてもよい。かかる場合，必要に応じて外部のロットＲ_４と内部のロットＲ_１〜Ｒ_３とのいずれかを優先させることができる。

以上の実施の形態における処理フローＦ_１は，ウェハＷをカセットステーション２から処理ステーション４に搬送し，その後処理ステーション４及び露光装置で処理を行った後，直接カセットステーション２に戻すものであったが，処理ステーション４及び露光装置で処理の終了したウェハＷを，選択的に検査ステーション３で検査し，その後，カセットステーション２に戻すものであってもよい。かかる場合，例えば処理ステーション４及び露光装置における一連の処理が終了し，ウェハＷが検査ステーション３を通る際に，検査ユニット２０〜２２が空いている場合には，ウェハＷは検査ユニット２０〜２２で検査を行ってからカセットステーション２に戻され，検査ユニット２０〜２２が空いていない場合には，そのままカセットステーション２に戻される。検査が行われなかったウェハＷに対しては，カセットステーション２に戻された後，検査フロー２の実行により検査が行われる。この場合，検査ユニット２０〜２２が空の状態にもかかわらず，ウェハＷが検査ステーション３を通過してカセットステーション２に戻されることがなくなるので，検査ユニット２０〜２２の稼働率を向上することができる。

上述した検査フローＦ_２において，検査ユニット群Ｋで検査の行われる検査ユニット２０〜２２は，例えば各ロット毎又は各ウェハ毎に任意に選択できてもよい。また，同じ検査ユニット２０〜２２おける，検査する位置や検査する範囲などの検査条件も，各ウェハ，各ロット毎に変更できてもよい。

以上の実施の形態は，本発明の一例を示すものであり，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば，上記実施の形態における検査ステーション３における検査ユニットの種類や数は，任意に選択できる。また，上記実施の形態における塗布現像処理装置１では，カセットステーション２と処理ステーション４の間に検査ステーション３が設けられていたが，例えば処理ステーション４とインターフェイス部５との間に検査ステーション３が設けられていてもよい。上記実施の形態では，本発明を塗布現像処理装置１に適用していたが，本発明は，例えば洗浄装置，エッチング装置などの他の基板処理装置にも適用できる。また，上記実施の形態は，ウェハＷを処理する塗布現像処理装置であったが，本発明は，ウェハ以外の基板，例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板，マスク基板，レクチル基板などの他の基板にも適用できる。

本発明は，基板の検査部を有する基板処理装置の立ち上げ時間を短縮し，また検査部の稼働率を向上する際に有用である。

本実施の形態における塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。図１の塗布現像処理装置の正面図である。図１の塗布現像処理装置の背面図である。塗布現像処理装置に設定される処理フローと検査フローを示す説明図である。処理フローと検査フローの実行タイミングを示す説明図である。外部から搬入したロットに対する検査フローを実行する場合のフローチャートである。外部から搬入したロットに対する検査フローの実行タイミングを示す説明図である。外部から搬入したロットに対する検査フローを実行する場合のフローチャートである。

符号の説明

１塗布現像処理装置
２カセットステーション
３検査ステーション
４処理ステーション
２０〜２２検査ユニット
１２０コントロールユニット
Ｆ_１処理フロー
Ｆ_２検査フロー
Ｃ_１〜Ｃ_４カセット
Ｒ_１〜Ｒ_４ロット
Ｗ_１〜Ｗ_４ウェハ

Claims

基板を搬入出する搬入出部と，基板の処理を行う処理部と，基板の検査を行う検査部を有し，これらの部の間で基板を搬送できるように構成された基板処理装置を制御する方法であって，
前記搬入出部に搬入された基板を前記処理部に搬送して処理する基板の処理フローと，前記搬入出部に搬入された基板を前記検査部に搬送して検査する基板の検査フローとを独立に実行し，
前記基板の処理フローと前記基板の検査フローを，基板のロット単位で実行し，
前記基板の処理フローの終了したロットに対して前記基板の検査フローを実行し，
当該ロットに対する前記基板の検査フローの実行期間と重ならないように，基板処理装置の外部から前記搬入出部に搬入された外部のロットに対して前記基板の検査フローを実行することを特徴とする，基板処理装置の制御方法。
前記基板の処理フローの終了した基板を前記搬入出部に戻し，前記検査部で他の基板の検査が行われていないときに，前記搬入出部の基板に対して前記基板の検査フローを実行することを特徴とする，請求項１に記載の基板処理装置の制御方法。
前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する前記基板の検査フローを，前記外部のロットに対する前記基板の検査フローよりも優先させることを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板処理装置の制御方法。
前記外部のロットに対する前記基板の検査フローを，前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する前記基板の検査フローよりも優先させることを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板処理装置の制御方法。
前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する基板の検査フローと前記外部のロットに対する基板の検査フローとのいずれを優先させるかを切り換えることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の基板処理装置の制御方法。
前記検査部に設けられた複数の検査ユニットから所定の検査ユニットを選択して，当該選択された検査ユニットにおける前記基板の検査フローを基板に対して実行することを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の基板処理装置の制御方法。
基板を搬入出する搬入出部と，基板の処理を行う処理部と，基板の検査を行う検査部と有し，これらの部の間で基板を搬送できるように構成された基板処理装置であって，
前記搬入出部に搬入された基板を前記処理部に搬送して処理する基板の処理フローと，前記搬入出部に搬入された基板を前記検査部に搬送して検査する基板の検査フローとを独立に実行可能な制御部を有し，
前記制御部は，前記基板の処理フローと前記基板の検査フローを，基板のロット単位で実行でき，さらに，前記基板の処理フローの終了したロットに対して前記基板の検査フローの実行でき，当該ロットに対する前記基板の検査フローの実行期間と重ならないように，基板処理装置の外部から前記搬入出部に搬入された外部のロットに対して前記基板の検査フローを実行できることを特徴とする，基板処理装置。
前記制御部は，前記基板の処理フローの終了した基板を前記搬入出部に戻し，前記検査部で他の基板の検査が行われていないときに，前記搬入出部の基板に対して前記基板の検査フローを実行できることを特徴とする，請求項７に記載の基板処理装置。
前記制御部は，前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する前記基板の検査フローを，前記外部のロットに対する前記基板の検査フローよりも優先させることができることを特徴とする，請求項７又は８に記載の基板処理装置。
前記制御部は，前記外部のロットに対する前記基板の検査フローを，前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する前記基板の検査フローよりも優先させることができることを特徴とする，請求項７又は８に記載の基板処理装置。
前記制御部は，前記基板の処理フローの終了した前記ロットに対する基板の検査フローと前記外部のロットに対する基板の検査フローとのいずれを優先させるかを切り換えることができることを特徴とする，請求項７，８，９又は１０のいずれかに記載の基板処理装置。
前記検査部には，複数の検査ユニットが設けられ，
前記制御部は，前記複数の検査ユニットから所定の検査ユニットを選択して，当該選択された検査ユニットにおける前記基板の検査フローを基板に対して実行できることを特徴とする，請求項７，８，９，１０又は１１のいずれかに記載の基板処理装置。