JP4341137B2 - 電子部品の実装構造 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の電子部品を実装する場合の実装構造およびこの実装構造に用いられる電子部品構成体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子部品は半田接続され、半田接続に使用する電子部品の電極材質は、Ａｕ（金）、Ｓｎ（錫）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）、および半田等のメッキが用いられている。これらの材料はいずれも半田と良好なぬれ性を有し、強固な接続を実現することができる。
【０００３】
近年、半田に替わり導電性接着剤が用いられるようになってきている。これは、導電性接着剤による接続は、Ｐｂ（鉛）を使用しないため環境問題に対応できること、およびリフロ後に余分なフラックスの除去を行うための洗浄を廃止できることから製造コストを低減できることなどの利点があるためである。
【０００４】
しかしながら、導電性接着剤は被接合材に対する選択性が大きく、Ｓｎメッキや半田メッキされた電極と導電性接着剤との接合強度は低く、接続界面で剥離が生じるという問題がある。
【０００５】
以下に、導電性接着剤の接続強度について冷熱サイクル試験を行った例について示す。図５は、この試験に用いた電子部品の実装構造の概略断面図である。図５に示すように、セラミックチップコンデンサＪ１がセラミック基板Ｊ２上のランドＪ３に導電性接着剤Ｊ４を用いて実装された試料を用いた。
【０００６】
ここで、導電性接着剤Ｊ４としては、アミン・フェノール混合系材料を硬化剤とするエポキシの接着剤を用いており、この接着剤Ｊ４をランドＪ３上に印刷・転写し、電極の最外層がＳｎメッキであるコンデンサＪ１を搭載し、１５０℃の温度で１０分間硬化することにより試料を作成した。
【０００７】
そして、これらの試料を−４０℃と１５０℃の環境下に３０分ずつおく冷熱サイクルに供し、図中の白抜き矢印の方向にコンデンサＪ１を引張ることにより引張破壊試験を行った。また、導電性接着剤Ｊ４の代わりに半田を用いて同様に接続した試料についても測定した。
【０００８】
図６は、この冷熱サイクル試験の結果を示すグラフであり、横軸は試験のサイクル数、縦軸は引張強度を示す。図６に示すように、導電性接着剤により接続した試料の引張強度は、半田により接続した試料の引張強度と比較して強度の劣化が速く、また、破壊の様子を観察したところ、コンデンサの電極と導電性接着剤との界面剥離が起こっていた。また、接合強度劣化に伴い、接続抵抗の上昇も確認された。
【０００９】
以上から、基板に種々の電子部品を搭載する場合は、導電性接着剤を用いた接続の利点および問題点を考慮して、導電性接着剤でも十分に接着性を確保できる部品は導電性接着剤により接合し、接着性を確保できない部品は半田により接合する手法が考えられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、単一基板上において、半田による部品の接合と導電性接着剤による部品の接合とを混在させることは様々な問題を有する。例えば、半田と導電性接着剤とを基板に印刷した後に部品を搭載する場合、半田を基板上に印刷した後に導電性接着剤を基板上に印刷しようとすると、印刷用のマスクが半田と接触してしまうため導電性接着剤を印刷できない。そのため、ディスペンサーを用いてランドごとに導電性接着剤を供給しなければならず、このディスペンサーによる供給は印刷する場合と比較して時間を要する。また、導電性接着剤を先に印刷しても同様の問題が生じる。
【００１１】
また、半田の硬化条件と導電性接着剤の硬化条件が異なるため、半田と導電性接着剤の接続強度をともに確保することは容易ではない。また、ＩＣ等、部品搭載後に基板に形成されたランドとチップとをワイヤボンドする必要がある部品が含まれる場合は、半田ペースト中のフラックス成分がこのランドの表面を汚染し、ワイヤボンド性能が低下する問題等もある。
【００１２】
上記問題点に鑑み、実装される全ての電子部品を導電性接着剤により単一基板上へ接合する電子部品の実装構造およびこの実装構造に用いられる電子部品構成体を提供することを目的とする。
【００１３】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１の基板（３）に対して第１の電子部品（１０）を導電性接着剤（５）を介して電気的に接続し、第１の電子部品（１０）よりも導電性接着剤（５）との密着性が悪い第２の電子部品（２０）を、第２の基板（６）に対して半田（３０）を介して電気的に接続した電子部品構成体（７）を有し、電子部品構成体（７）における第２の基板（６）を第１の基板（３）に対して導電性接着剤（５）を介して接合し、電子部品構成体（７）のうち、第２の基板（６）に対して、第２の電子部品（２０）の電極（２ａ）を半田（３０）を介して接合するための部品ランド（６１）と、該部品ランド（６１）に電気的に接続し、第１の基板（３）に形成したランド（４ｂ）と電気的に接続するための外部接続用ランド（６２）とを形成し、部品ランド（６１）を第２の基板（６）の一面（６ａ）側に形成し、外部接続用ランド（６２）を第２の基板（６）の他面（６ｂ）側に形成し、部品ランド（６１）と外部接続用ランド（６２）とを第２の基板を貫通して形成した導電性部材（９）により電気的に接続し、第２の基板（６）の熱膨張係数を、第２の電子部品（２０）の熱膨張係数と第１の基板（３）の熱膨張係数との間の値にすることを特徴としている。
【００１４】
これにより、第１の電子部品（１０）よりも導電性接着剤（５）との密着性が悪い第２の電子部品（２０）であっても、第２の基板（６）を介在させることで導電性接着剤（５）により接続可能な電子部品構成体（７）を構成しているため、実装される全ての電子部品を導電性接着剤（５）により単一基板上へ接合する電子部品の実装構造を提供することができる。また、第２の基板（６）の熱膨張係数を、第２の電子部品（２０）の熱膨張係数と第１の基板（３）の熱膨張係数との間の値にしているので、第２の電子部品（２０）と第２の基板（６）、および第２の基板（６）と第１の基板（３）との間で、極端に大きな応力を発生させることなく、逐次応力を低減させることができる。
【００１５】
この場合、請求項２に記載の発明のように、第２の基板（６）と第１の基板（３）との接合を電気的な接続とすることにより、ワイヤボンド等の別体の電気接続構成が不要となり、電子部品構成体（７）の実装面積を低減させることができる。
【００１６】
また、第２の電子部品（２０）としては、請求項３に記載の発明のように、その電極（２ａ）がＳｎを３０％以上含む金属からなるものがある。
【００２５】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
様々な電子部品は２種類に大別される。一方は導電性接着剤に対する密着性（接合性）の良い電極を有する部品（本発明でいう第１の電子部品であり、以下、単に高密着部品という）であり、この電極は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ（パラジウム）およびＣｕ（銅）等を主成分とするメッキや、これらのバルク金属、またはこれらの金属を用いた厚膜材料からなる。
【００２７】
他方は導電性接着剤に対する密着性（接合性）の悪い電極を有する部品（本発明でいう第２の電子部品であり、以下、単に低密着部品という）であり、この電極は例えばＳｎを３０％以上含む金属からなる。また、Ｎｉを用いた電極は、導電性接着剤との接続部分で抵抗値が高くなるが、電極を形成する際のメッキの方法などの製品仕様によって高密着部品にも低密着部品にも分類される。
【００２８】
図１は本実施形態の電子部品の実装構造を示す概略断面図である。図１に示すように、本体基板（本発明でいう第１の基板）３に形成されたランド４ａに対して、高密着部品１０の電極１ａが導電性接着剤５を介して電気的に接続されている。ここで、本体基板３としては、例えばセラミック基板を用いることができ、具体的には、アルミナ基板、高温焼成アルミナ基板、低温焼成ガラスセラミック基板、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）基板およびＳｉＣ（炭化珪素）基板等を用いることができる。
【００２９】
また、導電性接着剤５としては、エポキシ樹脂でアミン・フェノール混合硬化剤系を使用し、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕおよびその合金等からなるフィラーを含有させたものを用いている。また、高密着部品１０としては、例えばＩＣチップ、積層セラミックコンデンサ、タンタルコンデンサ、および水晶振動子等があり、図示例では、積層セラミックコンデンサを用いている。
【００３０】
一方、低密着部品２０は、低密着部品２０の投影面積相当の面積を有するインターポーザ基板（本発明でいう第２の基板）６を用いてサブアッセンブリ化し、電子部品構成体（以下、単に部品構成体という）７となったものを本体基板３に実装している。
【００３１】
ここで、インターポーザ基板６としては、本体基板３と同様のものを用いることができ、図１では、高温焼成アルミナ基板や低温焼成ガラスセラミック基板等の積層基板を用いた例について示している。また、低密着部品２０としては、例えば、８ピンＳＯＰ（ＳｍａｌｌＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）部品があり、このＳＯＰ部品は導電性接着剤５と密着性の悪い、Ｓｎが９０％Ｐｂが１０％の組成で半田メッキされた電極２ａを有するものである。
【００３２】
インターポーザ基板６における低密着部品２０の電極２ａが搭載される位置には、スルーホール８が形成されており、スルーホール８内にはＷ（タングステン）あるいはＭｏ（モリブデン）からなる導電性部材９が充填されている。また、インターポーザ基板６における低密着部品２０が搭載される面である表面（一面）６ａには、ＷあるいはＭｏからなり表面がＣｕメッキされ、スルーホール８内の導電性部材９と導通したランド（本発明でいう部品ランドであり、以下部品ランドという）６１が形成されている。
【００３３】
また、表面６ａの反対側である裏面（他面）６ｂには、上記部品ランド６１と同様にしてランド（本発明でいう外部接続用ランドであり、以下外部用ランドという）６２が形成されている。また、部品ランド６１と低密着部品２０の電極２ａとが半田３０を介して電気的に接続されている。
【００３４】
そして、上記部品構成体７における外部用ランド６２が、本体基板３に形成されたランド４ｂに対して、導電性接着剤５を介して電気的に接続されている。この導電性接着剤５は、上記高密着部品１０を搭載したときに用いたものと同様である。また、本体基板３におけるランド４ａ、４ｂは、Ｃｕ厚膜、Ａｇ厚膜、Ａｕ厚膜、ＡｇＰｄ厚膜、およびＣｕメッキからなるものを用いることができる。
【００３５】
次に、本実施形態による電子部品の実装方法について述べる。初めに、部品構成体７を用意する。まず、グリーンシートを例えば２枚用いて、一般的な積層基板の形成方法と同様にして、上記構成のインターポーザ基板６を形成する。そして、インターポーザ基板６の部品ランド６１上にスクリーン印刷手法により半田ペーストを形成し、低密着部品２０を搭載する。
【００３６】
その後、リフロ炉においてピーク温度２３５℃、処理時間３分の条件で加熱し半田を溶融する。続いて、洗浄を行って余分なフラックス成分を除去し、乾燥を行う。このようにして、部品構成体７が完成する。
【００３７】
次に、本体基板３を用意し、高密着部品１０および部品構成体７を搭載するためのランド４ａ、４ｂを形成する。そして、これらのランド４ａ、４ｂ上にスクリーン印刷手法を用いて導電性接着剤を転写形成する。用いるメタルマスクは厚さ７０μｍであり、印刷条件は、スキージ荷重が１０Ｎ、スキージ速度が毎秒３０ｍｍであり、コンタクト印刷により行う。そして、高密着部品１０の電極１ａ、および上記部品構成体７の外部用ランド６２を、印刷された導電性接着剤に位置合わせして、高密着部品１０および部品構成体７を搭載する。
【００３８】
この際、導電性接着剤の印刷パターンが大きいと、各部品を搭載する際に導電性接着剤がつぶされてはみ出し、ランド４ａ、４ｂ間でショートする恐れがある。従って、導電性接着剤は本体基板３のランド４ａ、４ｂの外周よりも０．２ｍｍ程度内側になるように印刷すると良い。また、高密着部品１０および部品構成体７に適した搭載荷重を採用するが、部品構成体７においては例えば３Ｎ程度にすることができる。
【００３９】
そして、１０分間の１５０℃の温度ピークを有する連続処理炉を用いて、炉内に入れてから取り出すまでを３０分間として導電性接着剤を硬化する。以上のようにして、図１に示す電子部品の実装構造が完成する。なお、この後、パッケージ工程を行っても良い。また、電子部品としてＩＣを用いる場合は、導電性接着剤を硬化した後、ワイヤボンドすることができる。
【００４０】
ところで、本実施形態によれば、低密着部品２０を、インターポーザ基板６を介在させることで導電性接着剤５により接続可能な構成である部品構成体７としているため、本体基板３に対しては、実装される全ての電子部品１０、２０を導電性接着剤５により接合することができる。その結果、本体基板３のランド４ａ、４ｂに対しては、導電性接着剤を一括して印刷することができるため、製造時間を短縮することができる。
【００４１】
また、半田ペーストの硬化と導電性接着剤の硬化は異なる工程で行っているため、２つの接着能力を十分に発揮することができる。また、この部品構成体７は、低密着部品２０と比較して、高さはインターポーザ基板６の厚さ程度高くなるものの、大きさはほぼ同等であり、低密着部品２０をそのまま本体基板３上に搭載する場合と比較して、実装面積が大きくなることはない。
【００４２】
また、本実施形態によって接合した８ピンＳＯＰ部品２０に対して冷熱サイクル試験を行ったが、電極１ａ部分での剥離は観察されなかった。また、接続抵抗も、本体基板３に直接搭載した場合は、冷熱サイクル試験後に１Ω程度になるものが、インタポーザ基板６を用いた場合は２０ｍΩ以下の良好な抵抗値を維持した。
【００４３】
このような構成において、インターポーザ基板６の材質は本体基板３との熱膨張係数差によって、部品構成体７を導電性接着剤５により本体基板３に搭載した後に発生する応力による接合寿命を考慮して選定する必要がある。
【００４４】
例えば、本体基板３およびインターポーザ基板６として、ともにセラミック基板を用いると、熱膨張係数差により発生する応力を極めて小さくすることができる。また、本体基板３とインターポーザ基板６として同質の材料を用いると、この応力の発生を防止することができる。
【００４５】
また、低密着部品２０と本体基板３との熱膨張係数の差が大きい場合には、上述のようにインターポーザ基板６および本体基板３として同質の材料を用いるよりも、インターポーザ基板６の熱膨張係数を、低密着部品２０の熱膨張係数と本体基板３の熱膨張係数との間の値とすると良い。これにより、低密着部品２０とインターポーザ基板６、およびインターポーザ基板６と本体基板３との間で、逐次応力を低減させ、極端に大きな応力が発生して、部品や基板が破壊することを防ぐことができる。
【００４６】
そして、従来は、本体基板３との熱膨張係数の差が大きいために、半田接続や導電性接着剤接続単独では搭載できなかった電子部品も、このような構成にすることにより場合によっては搭載可能である。
【００４７】
図２は、本実施形態を用いて、様々な電子部品を本体基板３上に実装した概略断面図であり、（ａ）と（ｂ）とで１つの基板を表わすものであって、（ａ）の右側端部Ａと（ｂ）の左側端部Ｂとがつながって１つの基板となったものである。図２では、高密着部品として、コンデンサ１１およびＩＣ１２を用いており、低密着部品として、モールドダイオード２１、ＳＯＰまたはＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）２２、パワーＩＣ２３およびフリップチップ２４を用いている。
【００４８】
図２に示すように、高密着部品１１、１２は導電性接着剤５により本体基板３におけるランド４ａに接合されており、低密着部品２１〜２４は半田３０によりインターポーザ基板６に接合された後、本体基板３におけるランド４ｂに対して導電性接着剤５を用いて接合されている。つまり、本体基板３に対しては、全ての電子部品１１、１２、２１〜２４が導電性接着剤５により接合されている。
【００４９】
ここで、図２のモールドダイオード２１とＳＯＰまたはＱＦＰ２２のように、１つのインターポーザ基板６上に複数の電子部品を搭載しても良い。また、パワーＩＣ２３のように、ワイヤボンドにより形成されたワイヤ３１もインターポーザ基板６を介して本体基板３におけるランド４ｂに電気的に接続しても良い。
【００５０】
なお、本実施形態では、インターポーザ基板６の部品ランド６１、および外部用ランド６２としてＣｕメッキされたものについて示したが、ＮｉＡｕメッキやＡｕメッキされたものでも良い。
【００５１】
また、本体基板３やインターポーザ基板６としては、ガラスエポキシ樹脂、アラミド樹脂、ポリイミド樹脂、およびフェノール樹脂等からなるプリント基板を用いても良い。ただし、例えば、本体基板３がプリント基板でインターポーザ基板６がセラミック基板である場合は、熱膨張係数差に起因する応力が大きくなるため、環境条件にもよるが、インターポーザ基板６を補強するための樹脂であるアンダーフィル樹脂をインターポーザ基板６と本体基板３との間に充填する等して補強を行うと良い。
【００５２】
また、インターポーザ基板６上に厚膜抵抗体等の素子を取り入れても良い。また、インターポーザ基板６における部品ランド６１と外部用ランド６２の形状は同一であっても同一でなくても良い。また、部品ランド６１の間隔が狭い場合は、インターポーザ基板６としての積層基板内で配線を巡らし、接続用ランド６２のランドピッチを部品ランド６１のランドピッチよりも広げるようにすると良い。
【００５３】
（第２実施形態）
第１実施形態では、インターポーザ基板６として、導電性部材９を充填したスルーホール８が形成された積層基板を用いた例について示したが、本実施形態では、厚膜両面基板を用いた例について示す。図３は、第２実施形態の部品構成体７の概略断面図である。以下、主として、図１の部品構成体７と異なるところについて述べ、同一部分は図３中、同一符号を付して説明を簡略化する。なお、図示していないが、部品構成体７以外の構成は図１に示したものと同様であり、部品構成体７および高密着部品１０の本体基板３への搭載方法も同様である。
【００５４】
図３に示すように、部品投影面積相当の面積を有し厚さが０．８ｍｍであるセラミック基板からなるインターポーザ基板６に対して、後述のように低密着部品２０を搭載する際の低密着部品２０の電極２ａよりもインターポーザ基板６の内側に相当する位置において、直径０．５ｍｍのスルーホール３２が形成されている。
【００５５】
また、このスルーホール３２の壁面にはＣｕ厚膜３３が形成されている。また、インターポーザ基板６の表裏両面６ａ、６ｂにはスルーホール３２のＣｕ厚膜３３と電気的に接続したＣｕ厚膜が形成されている。
【００５６】
このＣｕ厚膜は、インターポーザ基板６の表面（半田付け側の面）６ａでは部品ランド６１となっており、裏面（導電性接着剤接続側の面）６ｂでは外部用ランド６２となっている。つまり、インターポーザ基板６の表裏面６ａ、６ｂにおいて、部品ランド６１と外部用ランド６２の内側にスルーホール３２が形成されている。
【００５７】
また、スルーホール３２内、およびインターポーザ基板６の表裏面６ａ、６ｂにおけるスルーホール３２の周辺部には厚膜保護ガラス３４が形成されている。これは、後述の半田付けの際に半田ペーストが流出するのを防止するためである。
【００５８】
次に、このような部品構成体７の製造方法について述べる。インターポーザ基板６の製造方法は一般的な厚膜両面基板の製造方法と同様であり、まず、インターポーザ基板６にスルーホール３２を形成した後、インターポーザ基板６の表面６ａに、厚膜スクリーン手法によって、配線パターンを形成する。これにより、スルーホール３２の壁面における表面６ａ近傍にもＣｕ厚膜が形成される。その後、このインターポーザ基板６を焼成することにより、印刷された配線パターンを配線（部品ランド）６１とする。
【００５９】
次に、インターポーザ基板６を反転し、裏面６ｂ側から厚膜スクリーン手法および焼成により、スルーホール３２の壁面にＣｕ厚膜３３を形成する。そして、さらに、裏面６ｂ側から配線（外部用ランド）６２を形成する。その後、厚膜保護ガラス３４を形成し、低密着部品２０の電極２ａを半田３０によりインターポーザ基板６の表面６ａに形成された部品ランド６１に対して電気的に接続する。
【００６０】
なお、上記インターポーザ基板６における数値等は一例を示すものであり、この値に限定されるものではない。また、このＣｕ厚膜材料は、半田付けにも導電性接着剤接続にも良好な密着性を示すものである。また、本実施形態により第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００６１】
（第３実施形態）
上記第１および第２実施形態では、インターポーザ基板６の表面６ａに部品ランド６１を、裏面６ｂに外部用ランド６２を形成し、これらのランド６１、６２間の導通を基板の内部でとっているが、本実施形態では、インターポーザ基板６として内部配線を形成しない単層基板を用いるものである。図４は本実施形態の電子部品の実装構造を示す概略断面図である。以下、主として、図１と異なるところについて述べ、同一部分は図４中、同一符号を付して説明を簡略化する。
【００６２】
図４に示すように、インターポーザ基板６としての単層セラミック基板（以下、単層基板という）の表面６ａにおいて、部品ランド６１と外部用ランド６２とが一体形成されている。そして、部品ランド６１と低密着部品２０の電極２ａとが接続されており、外部用ランド６２と、本体基板３上に形成されたランド４ｂとが、半田３０、Ａｌパッド６５、およびワイヤボンドにより形成されたワイヤ３５を介して電気的に接続されている。また、インターポーザ基板６における低密着部品２０が搭載された面６ａとは反対側の面６ｂが、導電性接着剤５を介して本体基板３に接合されている。
【００６３】
次に、本実施形態における部品構成体７の製造方法について述べる。インターポーザ基板６に、スクリーン印刷等により部品ランド６１と外部用ランド６２とを一体形成した後、半田ペーストを印刷する。そして、低密着部品２０の電極２ａとＡｌパッド６５とを半田ペーストに搭載し、リフロした後洗浄と乾燥を行い、低密着部品２０を接続し、外部用ランド６２上にＡｌパッド６５を形成する。このようにして、部品構成体７が完成する。
【００６４】
その後、本体基板３に対して高密着部品１０と部品構成体７とを導電性接着剤５を介して接合した後、本体基板３における部品構成体７用のランド４ｂとインターポーザ基板６のＡｌパッドとをワイヤボンドして、本実施形態の電子部品の実装構造が完成する。
【００６５】
本実施形態のように、インターポーザ基板６として単層基板を用いると、単層基板６は、積層基板と比較して一般的に安価であるため、製造コストを低減することができる。また、単層基板は多層基板や厚膜両面基板よりも製造方法が容易である。その他、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００６６】
なお、本実施形態における部品構成体７と本体基板３との導電性接着剤５を用いた接合は電気的に接続する必要はないが、高密着部品１０の本体基板３への接続と同一の工程で接合するために、本実施形態のように導電性接着剤５を用いると望ましい。また、本体基板３に対して、部品構成体７の平面方向の面積に相当する凹部を形成し、部品構成体７をその凹部内に勘合させると、インターポーザ基板６の表面６ａにおける外部用ランド６２と本体基板３に形成したランド４ｂとの高さの差が減少し、ワイヤボンドを行いやすいため好適である。
【００６７】
また、外部用ランド６２と接触するように導電性のクリップ部材をインターポーザ基板６に固定し、このクリップ部材を介して外部用ランド６２と本体基板３のランド４ｂとを接続しても良い。
【００６８】
また、上記第１〜第３実施形態において、低密着部品２０の電極２ａが複数ある場合は、各電極２ａと本体基板３のランド４ｂとは、必ずしも１対１に対応しなくても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の電子部品の実装構造を示す概略断面図である。
【図２】第１実施形態を用いて様々な電子部品を実装した概略断面図である。
【図３】第２実施形態の部品構成体の概略断面図である。
【図４】第３実施形態の電子部品の実装構造を示す概略断面図である。
【図５】冷熱サイクル試験の方法を示す概略断面図である。
【図６】冷熱サイクル試験の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
３…本体基板、５…導電性接着剤、６…インターポーザ基板、６ａ…表面、
６ｂ…裏面、７…電子部品構成体、９…導電性部材、１０…高密着部品、
２０…低密着部品、３０…半田。

Claims (3)

1. 第１の基板（３）に対して第１の電子部品（１０）が導電性接着剤（５）を介して電気的に接続され、
   前記第１の電子部品（１０）よりも前記導電性接着剤（５）との密着性が悪い第２の電子部品（２０）が、第２の基板（６）に対して半田（３０）を介して電気的に接続された電子部品構成体（７）を有し、
   前記電子部品構成体（７）における前記第２の基板（６）が前記第１の基板（３）に対して前記導電性接着剤（５）を介して接合されており、
   前記電子部品構成体（７）は、前記第２の基板（６）に対して、前記第２の電子部品（２０）の電極（２ａ）を前記半田（３０）を介して接合するための部品ランド（６１）と、前記部品ランド（６１）に電気的に接続し、前記第１の基板（３）に形成されたランド（４ｂ）と電気的に接続するための外部接続用ランド（６２）とが形成されており、
   前記部品ランド（６１）は前記第２の基板（６）の一面（６ａ）側に形成され、前記外部接続用ランド（６２）は前記第２の基板（６）の他面（６ｂ）側に形成され、
   前記部品ランド（６１）と前記外部接続用ランド（６２）とは前記第２の基板を貫通して形成された導電性部材（９）により電気的に接続されており、
   前記第２の基板（６）の熱膨張係数が、前記第２の電子部品（２０）の熱膨張係数と前記第１の基板（３）の熱膨張係数との間の値になっていることを特徴とする電子部品の実装構造。
2. 前記第２の基板（６）と前記第１の基板（３）との接合が電気的な接続であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装構造。
3. 前記第２の電子部品（２０）の電極（２ａ）がＳｎを３０％以上含む金属からなることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品の実装構造。

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